JP3314158B2 - 樹脂組成物、接着剤、接着フィルム、これを用いたリードフレーム及び半導体装置 - Google Patents
樹脂組成物、接着剤、接着フィルム、これを用いたリードフレーム及び半導体装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の接着
部材に用いられて耐熱性があり、特にインナーリードの
固定に好適な接着剤、接着フィルム、これを用いたリー
ドフレーム及び半導体装置に関する。
部材に用いられて耐熱性があり、特にインナーリードの
固定に好適な接着剤、接着フィルム、これを用いたリー
ドフレーム及び半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置内で用いられる接着テープに
は、リード固定テープ、ＬＯＣテープ、ダイボンドテー
プ等があり、例えば、リード固定テープは、リードフレ
ームのリードピンを固定し、リードフレーム自体又は半
導体装置全体の生産性、信頼性を向上させるために使用
される。半導体装置、特にＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ
Ｐａｃｋａｇｅ）では、インナーリードを押さえるリ
ード固定テープは、従来、耐熱性ベースフィルム上に熱
硬化性樹脂接着剤を塗付した接着テープが用いられてき
た。
は、リード固定テープ、ＬＯＣテープ、ダイボンドテー
プ等があり、例えば、リード固定テープは、リードフレ
ームのリードピンを固定し、リードフレーム自体又は半
導体装置全体の生産性、信頼性を向上させるために使用
される。半導体装置、特にＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ
Ｐａｃｋａｇｅ）では、インナーリードを押さえるリ
ード固定テープは、従来、耐熱性ベースフィルム上に熱
硬化性樹脂接着剤を塗付した接着テープが用いられてき
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のリード
固定テープは上記したように接着剤層に熱硬化性樹脂を
用いているので耐熱性が十分でなく、ワイヤボンド時に
熱によって多量のアウトガスが発生し、その際キャピラ
リーを詰まらせる問題やリード汚染によるワイヤボンド
不良等の問題があった。本発明は、このような問題を解
決し、高温におけるワイヤボンド性を向上させる接着部
材、特にリード固定テープに好適な耐熱性接着剤、フィ
ルム状接着剤、接着フィルム、それを用いたリードフレ
ーム及び半導体装置を提供するものである。
固定テープは上記したように接着剤層に熱硬化性樹脂を
用いているので耐熱性が十分でなく、ワイヤボンド時に
熱によって多量のアウトガスが発生し、その際キャピラ
リーを詰まらせる問題やリード汚染によるワイヤボンド
不良等の問題があった。本発明は、このような問題を解
決し、高温におけるワイヤボンド性を向上させる接着部
材、特にリード固定テープに好適な耐熱性接着剤、フィ
ルム状接着剤、接着フィルム、それを用いたリードフレ
ーム及び半導体装置を提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、種々の樹
脂とその組成、耐熱性及び接着性の関係について鋭意検
討した結果、特定の耐熱性樹脂を用いることでワイヤボ
ンド性の良好なリード固定テープが得られることを見出
し、本発明を完成した。すなわち、本発明は、下記の接
着剤、フィルム状接着剤、接着フィルム、これを用いた
リードフレーム及び半導体装置に関する。 （１）（ａ）テトラカルボン酸二無水物と （ｂ）ジアミン又はジイソシアネートと （ｃ）式（１）で示されるポリエーテル化合物を反応さ
せて得られる接着剤。 Ｒ−Ｑ１−Ｏ−［Ｑ２−Ｏ−］ｐ−Ｑ３−Ｒ （１） （Ｑ１、Ｑ２及びＱ３は炭素数１〜１０のアルキレン、
ＲはＯＨ又はＣＯＯＨ、ｐは０〜１００の整数。）
脂とその組成、耐熱性及び接着性の関係について鋭意検
討した結果、特定の耐熱性樹脂を用いることでワイヤボ
ンド性の良好なリード固定テープが得られることを見出
し、本発明を完成した。すなわち、本発明は、下記の接
着剤、フィルム状接着剤、接着フィルム、これを用いた
リードフレーム及び半導体装置に関する。 （１）（ａ）テトラカルボン酸二無水物と （ｂ）ジアミン又はジイソシアネートと （ｃ）式（１）で示されるポリエーテル化合物を反応さ
せて得られる接着剤。 Ｒ−Ｑ１−Ｏ−［Ｑ２−Ｏ−］ｐ−Ｑ３−Ｒ （１） （Ｑ１、Ｑ２及びＱ３は炭素数１〜１０のアルキレン、
ＲはＯＨ又はＣＯＯＨ、ｐは０〜１００の整数。）
【０００５】（２）（ｃ）の重量が、（ａ）＋（ｂ）＋
（ｃ）の合計重量に対して３０〜７０％である、上記
（１）の接着剤。 （３）テトラカルボン酸二無水物（ａ）は、ビスフェノ
ールＡビストリメリテート二無水物、２，２−ビス［４
−（３，４−ジカルボキシ）フェニル］プロパン二無水
物及びベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物から選
ばれるテトラカルボン酸二無水物を、テトラカルボン酸
二無水物の総量に対して５０モル％以上含むものであ
る、上記（１）又は（２）のいずれかの接着剤。 （４）上記いずれかの接着剤の層を含んでなるものであ
るフィルム状の接着剤。
（ｃ）の合計重量に対して３０〜７０％である、上記
（１）の接着剤。 （３）テトラカルボン酸二無水物（ａ）は、ビスフェノ
ールＡビストリメリテート二無水物、２，２−ビス［４
−（３，４−ジカルボキシ）フェニル］プロパン二無水
物及びベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物から選
ばれるテトラカルボン酸二無水物を、テトラカルボン酸
二無水物の総量に対して５０モル％以上含むものであ
る、上記（１）又は（２）のいずれかの接着剤。 （４）上記いずれかの接着剤の層を含んでなるものであ
るフィルム状の接着剤。
【０００６】（５）２７０℃で１０分間加熱したとき
に、接着剤の層の重量減少が加熱前の接着剤の層の重量
に対して１％（重量比）以下である、上記（４）のフィ
ルム状の接着剤。 （６）耐熱性フィルムの少なくとも片面に、上記（１）
〜（３）のいずれかの接着剤の層が形成されている接着
フィルム。
に、接着剤の層の重量減少が加熱前の接着剤の層の重量
に対して１％（重量比）以下である、上記（４）のフィ
ルム状の接着剤。 （６）耐熱性フィルムの少なくとも片面に、上記（１）
〜（３）のいずれかの接着剤の層が形成されている接着
フィルム。
【０００７】（７）２７０℃で１０分間加熱したとき
に、接着剤の層の重量減少が加熱前の接着剤の層の重量
に対して１％（重量比）以下である、上記（６）の接着
フィルム。
に、接着剤の層の重量減少が加熱前の接着剤の層の重量
に対して１％（重量比）以下である、上記（６）の接着
フィルム。
【０００８】（８）上記（４）もしくは（５）の接着剤
又は上記（６）もしくは（７）の接着フィルムが貼り付
けられているリードフレーム。 （９）上記（８）のリードフレームを備え、少なくとも
接着剤又は接着フィルム部分は封止材で封止されている
半導体装置。
又は上記（６）もしくは（７）の接着フィルムが貼り付
けられているリードフレーム。 （９）上記（８）のリードフレームを備え、少なくとも
接着剤又は接着フィルム部分は封止材で封止されている
半導体装置。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明における、 （ａ）テトラカルボン酸二無水物と （ｂ）ジアミン又はジイソシアネートと （ｃ）式（１）で示されるポリエーテル化合物を反応さ
せて得られる共重合体は、上記（ａ）と（ｂ）と（ｃ）
及び触媒等のその他の成分を適宜加え、ポリエーテルイ
ミド共重合体が生成する条件で、反応させて得られる。
得られた反応物をそのまま使用することもできるが、ア
ルコール、水等の貧溶媒と混合して得られた沈殿物を乾
燥させた共重合体を用いる方が好ましい。
せて得られる共重合体は、上記（ａ）と（ｂ）と（ｃ）
及び触媒等のその他の成分を適宜加え、ポリエーテルイ
ミド共重合体が生成する条件で、反応させて得られる。
得られた反応物をそのまま使用することもできるが、ア
ルコール、水等の貧溶媒と混合して得られた沈殿物を乾
燥させた共重合体を用いる方が好ましい。
【００１０】本発明において用いることができるテトラ
カルボン酸二無水物（ａ）としては、ピロメリット酸二
無水物、３，３′，４，４′−ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸二無水物（ＢＴＤＡ）、３，３′，４，４′−
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビスフ
タル酸ヘキサフルオロイソプロピリデン二無水物、ビス
（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、
ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水
物、４，４′−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキ
シ）ジフェニルスルホン二無水物、２，２−ビス［４−
（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］プロパ
ン二無水物、
カルボン酸二無水物（ａ）としては、ピロメリット酸二
無水物、３，３′，４，４′−ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸二無水物（ＢＴＤＡ）、３，３′，４，４′−
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビスフ
タル酸ヘキサフルオロイソプロピリデン二無水物、ビス
（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、
ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水
物、４，４′−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキ
シ）ジフェニルスルホン二無水物、２，２−ビス［４−
（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］プロパ
ン二無水物、
【００１１】エチレングリコールビストリメリテート二
無水物、デカメチレングリコールビストリメリテート二
無水物、ビスフェノールＡビストリメリテート二無水物
（ＢＡＢＴ）、２，２−ビス［４−（３，４−ジカルボ
キシ）フェニル］プロパン二無水物（ＢＰＡＤＡ）、
２，２−ビス［４−（３，４−ジカルボキシフェニルベ
ンゾイルオキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン二
無水物、４，４′−［１，４−フェニレンビス（１−メ
チルエチリデン）］ビスフェニルビストリメリテート二
無水物、等が使用でき、２種以上を併用してもよい。こ
れらのテトラカルボン酸二無水物は、遊離酸（テトラカ
ルボン酸）、ジエステル、ジクロライド等の誘導体を使
用することもできる。
無水物、デカメチレングリコールビストリメリテート二
無水物、ビスフェノールＡビストリメリテート二無水物
（ＢＡＢＴ）、２，２−ビス［４−（３，４−ジカルボ
キシ）フェニル］プロパン二無水物（ＢＰＡＤＡ）、
２，２−ビス［４−（３，４−ジカルボキシフェニルベ
ンゾイルオキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン二
無水物、４，４′−［１，４−フェニレンビス（１−メ
チルエチリデン）］ビスフェニルビストリメリテート二
無水物、等が使用でき、２種以上を併用してもよい。こ
れらのテトラカルボン酸二無水物は、遊離酸（テトラカ
ルボン酸）、ジエステル、ジクロライド等の誘導体を使
用することもできる。
【００１２】なお、これらの中でも、ビスフェノールＡ
ビストリメリテート二無水物（ＢＡＢＴ）、２，２−ビ
ス［４−（３，４−ジカルボキシ）フェニル］プロパン
二無水物（ＢＰＡＤＡ）又は３，３′，４，４′−ベン
ゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、が好ましく、そ
れらの量は、テトラカルボン酸二無水物の総量に対し
て、ＢＡＢＴ、ＢＰＡＤＡ及びＢＴＤＡから選ばれるテ
トラカルボン酸二無水物を、５０モル％以上含むものが
好ましい。
ビストリメリテート二無水物（ＢＡＢＴ）、２，２−ビ
ス［４−（３，４−ジカルボキシ）フェニル］プロパン
二無水物（ＢＰＡＤＡ）又は３，３′，４，４′−ベン
ゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、が好ましく、そ
れらの量は、テトラカルボン酸二無水物の総量に対し
て、ＢＡＢＴ、ＢＰＡＤＡ及びＢＴＤＡから選ばれるテ
トラカルボン酸二無水物を、５０モル％以上含むものが
好ましい。
【００１３】また、接着剤の接着力、耐熱性等の特性を
損なわない範囲で、テトラカルボン酸二無水物のほか
に、無水トリメリット酸等のトリカルボン酸無水物を併
用してもよい。
損なわない範囲で、テトラカルボン酸二無水物のほか
に、無水トリメリット酸等のトリカルボン酸無水物を併
用してもよい。
【００１４】用いることができるジアミンとしては、
１，２−ジアミノプロパン、１，３−ジアミノプロパ
ン、１，２−ジアミノ−２−メチルプロパン、１，４−
ジアミノブタン、１，６−ジアミノヘキサン、１，７−
ジアミノヘプタン、１，８−ジアミノオクタン、１，９
−ジアミノノナン、１，１０−ジアミノデカン、１，１
２−ジアミノドデカン、等のアルキレンジアミン、
１，２−ジアミノプロパン、１，３−ジアミノプロパ
ン、１，２−ジアミノ−２−メチルプロパン、１，４−
ジアミノブタン、１，６−ジアミノヘキサン、１，７−
ジアミノヘプタン、１，８−ジアミノオクタン、１，９
−ジアミノノナン、１，１０−ジアミノデカン、１，１
２−ジアミノドデカン、等のアルキレンジアミン、
【００１５】イソホロンジアミン、フェニレンジアミ
ン、トルイレンジアミン、キシリレンジアミン、ナフタ
レンジアミン、ジシクロヘキシルメタンジアミン、４，
４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ
ジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジフェニルス
ルホン、４，４’−ジアミノベンズアニリド、３，３’
−ジアミノジフェニルスルホン、３，３’−ジアミノベ
ンゾフェノン、３，３’−ジメチルジフェニル−４，
４’−ジアミン、３，３’，５，５’−テトラメチル−
４，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，３’，５，
５’−テトライソプロピル−４，４’−ジアミノジフェ
ニルメタン、１，４−ビス（４−アミノクミル）ベンゼ
ン、１，３−ビス（４−アミノクミル）ベンゼン、１，
４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４ー
ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス
（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、２，２−ビス［４
−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，
２−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］プ
ロパン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］スルホン、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フ
ェニル］スルホン、ビス［４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル］エーテル、２，２−ビス［４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］ビフェニル、
ン、トルイレンジアミン、キシリレンジアミン、ナフタ
レンジアミン、ジシクロヘキシルメタンジアミン、４，
４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ
ジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジフェニルス
ルホン、４，４’−ジアミノベンズアニリド、３，３’
−ジアミノジフェニルスルホン、３，３’−ジアミノベ
ンゾフェノン、３，３’−ジメチルジフェニル−４，
４’−ジアミン、３，３’，５，５’−テトラメチル−
４，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，３’，５，
５’−テトライソプロピル−４，４’−ジアミノジフェ
ニルメタン、１，４−ビス（４−アミノクミル）ベンゼ
ン、１，３−ビス（４−アミノクミル）ベンゼン、１，
４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４ー
ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス
（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、２，２−ビス［４
−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，
２−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］プ
ロパン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］スルホン、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フ
ェニル］スルホン、ビス［４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル］エーテル、２，２−ビス［４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］ビフェニル、
【００１６】次式で表されるシロキサンジアミン、
【化１】 〔式中、Ｒ1及びＲ2は２価の有機基、Ｒ3及びＲ4は１価
の有機基を示し、ｍは１〜１００の整数を示す。〕等が
あり、これらは２種類以上併用してもよい。
の有機基を示し、ｍは１〜１００の整数を示す。〕等が
あり、これらは２種類以上併用してもよい。
【００１７】また、用いることができるジイソシアネー
トとしては、上に示したジアミンにおいて、「アミノ」
を「イソシアネート」と読み替えたものを挙げることが
できる。
トとしては、上に示したジアミンにおいて、「アミノ」
を「イソシアネート」と読み替えたものを挙げることが
できる。
【００１８】また、本発明で用いることができるポリエ
ーテル化合物としては、式（１） Ｒ−Ｑ１−Ｏ−［Ｑ２−Ｏ−］ｐ−Ｑ３−Ｒ （１） （Ｑ１、Ｑ２及びＱ３は炭素数１〜１０のアルキレンで
あり、そのようなアルキレンとしては、メチレン、エチ
レン、トリメチレン、テトラメチレン、ペンタメチレ
ン、ヘキサメチレン、ヘプタメチレン、オクタメチレ
ン、ノナメチレン、デカメチレン、プロピレン、ブチレ
ン、ヘキシレン等があり、ＲはＯＨ又はＣＯＯＨであ
り、ｐは０〜１００の整数である。）で表される両末端
がヒドロキシ基を有するポリエーテル又は両末端がカル
ボキシル基を有するポリエーテルである。
ーテル化合物としては、式（１） Ｒ−Ｑ１−Ｏ−［Ｑ２−Ｏ−］ｐ−Ｑ３−Ｒ （１） （Ｑ１、Ｑ２及びＱ３は炭素数１〜１０のアルキレンで
あり、そのようなアルキレンとしては、メチレン、エチ
レン、トリメチレン、テトラメチレン、ペンタメチレ
ン、ヘキサメチレン、ヘプタメチレン、オクタメチレ
ン、ノナメチレン、デカメチレン、プロピレン、ブチレ
ン、ヘキシレン等があり、ＲはＯＨ又はＣＯＯＨであ
り、ｐは０〜１００の整数である。）で表される両末端
がヒドロキシ基を有するポリエーテル又は両末端がカル
ボキシル基を有するポリエーテルである。
【００１９】両末端がヒドロキシ基を有するポリエーテ
ルとしては、 ＨＯ−［（ＣＨ2）4−Ｏ］ｎ−Ｈ Ｍｗ＝２５０ ＨＯ−［（ＣＨ2）4−Ｏ］ｎ−Ｈ Ｍｗ＝６５０ ＨＯ−［（ＣＨ2）4−Ｏ］ｎ−Ｈ Ｍｗ＝１０００ ＨＯ−［（ＣＨ2）4−Ｏ］ｎ−Ｈ Ｍｗ＝１８００ ＨＯ−［（ＣＨ2）4−Ｏ］ｎ−Ｈ Ｍｗ＝２９００ ＨＯ−［（ＣＨ2）4−Ｏ］ｎ−Ｈ Ｍｗ＝４５００ 等が挙げられる。これらのポリエーテルを単独で用いて
も良いし、２種以上混合して用いても良い。
ルとしては、 ＨＯ−［（ＣＨ2）4−Ｏ］ｎ−Ｈ Ｍｗ＝２５０ ＨＯ−［（ＣＨ2）4−Ｏ］ｎ−Ｈ Ｍｗ＝６５０ ＨＯ−［（ＣＨ2）4−Ｏ］ｎ−Ｈ Ｍｗ＝１０００ ＨＯ−［（ＣＨ2）4−Ｏ］ｎ−Ｈ Ｍｗ＝１８００ ＨＯ−［（ＣＨ2）4−Ｏ］ｎ−Ｈ Ｍｗ＝２９００ ＨＯ−［（ＣＨ2）4−Ｏ］ｎ−Ｈ Ｍｗ＝４５００ 等が挙げられる。これらのポリエーテルを単独で用いて
も良いし、２種以上混合して用いても良い。
【００２０】両末端がカルボキシル基を有するポリエー
テルとしては、 ＨＯＯＣ−（ＣＨ2）2−Ｏ−［（ＣＨ2）4−Ｏ］ｎ−（ＣＨ 2 ）2−ＣＯＯＨ Ｍｗ＝３５０ ＨＯＯＣ−（ＣＨ2）2−Ｏ−［（ＣＨ2）4−Ｏ］ｎ−（ＣＨ 2 ）2−ＣＯＯＨ Ｍｗ＝１１００ ＨＯＯＣ−（ＣＨ2）2−Ｏ−［（ＣＨ2）4−Ｏ］ｎ−（ＣＨ 2 ）2−ＣＯＯＨ Ｍｗ＝２１００ 等が挙げられる。これらのポリエーテルを単独で用いて
も良いし、２種以上混合して用いても良い。
テルとしては、 ＨＯＯＣ−（ＣＨ2）2−Ｏ−［（ＣＨ2）4−Ｏ］ｎ−（ＣＨ 2 ）2−ＣＯＯＨ Ｍｗ＝３５０ ＨＯＯＣ−（ＣＨ2）2−Ｏ−［（ＣＨ2）4−Ｏ］ｎ−（ＣＨ 2 ）2−ＣＯＯＨ Ｍｗ＝１１００ ＨＯＯＣ−（ＣＨ2）2−Ｏ−［（ＣＨ2）4−Ｏ］ｎ−（ＣＨ 2 ）2−ＣＯＯＨ Ｍｗ＝２１００ 等が挙げられる。これらのポリエーテルを単独で用いて
も良いし、２種以上混合して用いても良い。
【００２１】（ａ）テトラカルボン酸二無水物；と
（ｂ）ジアミン又はジイソシアネート；と（ｃ）ポリエ
ーテル化合物；との含有物を反応させて得られる反応物
（ポリエーテルイミド共重合体）を調製する際、原料の
ポリエーテル（ｃ）の使用量（重量）は、樹脂原料の総
重量、すなわち、上記（ａ）＋（ｂ）＋（ｃ）の合計重
量に対して３０〜７０％が好ましい。この場合に、接着
力及び耐熱性の良好なものが得られるからである。上記
（ａ）と（ｂ）と（ｃ）、及びその他の成分（触媒等）
を適宜加えて、反応物（ポリエーテルイミド共重合体）
を生成させるには、これらを有機溶媒中で混合する。こ
の際、テトラカルボン酸二無水物（ａ）とジアミン又は
ジイソシアネート（ｂ）の使用量はポリエーテル（ｃ）
の官能基の量を考慮して、調整する。
（ｂ）ジアミン又はジイソシアネート；と（ｃ）ポリエ
ーテル化合物；との含有物を反応させて得られる反応物
（ポリエーテルイミド共重合体）を調製する際、原料の
ポリエーテル（ｃ）の使用量（重量）は、樹脂原料の総
重量、すなわち、上記（ａ）＋（ｂ）＋（ｃ）の合計重
量に対して３０〜７０％が好ましい。この場合に、接着
力及び耐熱性の良好なものが得られるからである。上記
（ａ）と（ｂ）と（ｃ）、及びその他の成分（触媒等）
を適宜加えて、反応物（ポリエーテルイミド共重合体）
を生成させるには、これらを有機溶媒中で混合する。こ
の際、テトラカルボン酸二無水物（ａ）とジアミン又は
ジイソシアネート（ｂ）の使用量はポリエーテル（ｃ）
の官能基の量を考慮して、調整する。
【００２２】本発明において、ポリエーテルとして両末
端がカルボキシル基を有するポリエーテルを用いる場合
には、テトラカルボン酸二無水物及び両末端がカルボキ
シル基を有するポリエーテル（酸成分）と、ジアミンも
しくはジイソシアネート（アミン成分）とは、等モルの
使用を基本とする。許容されるいずれか一方の過剰量
は、好ましくは５０モル％以内、更に好ましくは２０モ
ル％以内である。
端がカルボキシル基を有するポリエーテルを用いる場合
には、テトラカルボン酸二無水物及び両末端がカルボキ
シル基を有するポリエーテル（酸成分）と、ジアミンも
しくはジイソシアネート（アミン成分）とは、等モルの
使用を基本とする。許容されるいずれか一方の過剰量
は、好ましくは５０モル％以内、更に好ましくは２０モ
ル％以内である。
【００２３】反応（ポリエーテルイミド共重合体生成反
応）に用いられる有機溶媒は、Ｎ−メチル−ピロリド
ン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル
ホルムアミド、スルホラン等の非プロトン性極性溶媒、
テトラヒドロフラン、ジオキサン、モノグライム、ジグ
ライム等のエーテル系有機溶媒等が挙げられる。また、
原料モノマーや反応物（ポリエーテルイミド共重合体）
の溶解のため、ベンゼン、トルエン、キシレン、メチル
エチルケトン、メチルセロソルブ、セロソルブアセテー
ト等の有機溶媒を適量用いることもできる。
応）に用いられる有機溶媒は、Ｎ−メチル−ピロリド
ン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル
ホルムアミド、スルホラン等の非プロトン性極性溶媒、
テトラヒドロフラン、ジオキサン、モノグライム、ジグ
ライム等のエーテル系有機溶媒等が挙げられる。また、
原料モノマーや反応物（ポリエーテルイミド共重合体）
の溶解のため、ベンゼン、トルエン、キシレン、メチル
エチルケトン、メチルセロソルブ、セロソルブアセテー
ト等の有機溶媒を適量用いることもできる。
【００２４】得られた反応物（ポリエーテルイミド共重
合体）に有機溶剤を加えてワニス等の液状の樹脂組成物
とする場合に用いられる有機溶媒としては、Ｎ−メチル
−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ
−ジメチルホルムアミド等の非プロトン性極性溶媒、テ
トラヒドロフラン、ジオキサン、モノグライム、ジグラ
イム等のエーテル系有機溶媒、ベンゼン、トルエン、キ
シレン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチ
ルセロソルブ、セロソルブアセテート、あるいはこれら
の混合溶媒等がある。
合体）に有機溶剤を加えてワニス等の液状の樹脂組成物
とする場合に用いられる有機溶媒としては、Ｎ−メチル
−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ
−ジメチルホルムアミド等の非プロトン性極性溶媒、テ
トラヒドロフラン、ジオキサン、モノグライム、ジグラ
イム等のエーテル系有機溶媒、ベンゼン、トルエン、キ
シレン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチ
ルセロソルブ、セロソルブアセテート、あるいはこれら
の混合溶媒等がある。
【００２５】液状の樹脂組成物（ワニス）は、半導体素
子やリードフレーム等の被着体にこれを直接塗布して接
着部材として用いられてもよいし、これを予めフィルム
状（又はシート状）のものとし、これを被着体に適用し
た後熱圧着して用いても良い。
子やリードフレーム等の被着体にこれを直接塗布して接
着部材として用いられてもよいし、これを予めフィルム
状（又はシート状）のものとし、これを被着体に適用し
た後熱圧着して用いても良い。
【００２６】本発明のフィルム状（又はシート状）の接
着剤の製造は、本発明における樹脂組成物を前記した有
機溶媒で適当に希釈したのち、ガラス板、ステンレス板
等の平板上、あるいはポリエステル等のフィルム上に一
定の厚さで流延・塗布したのち、通常、初めは約８０〜
１５０℃で数分〜数時間、引き続き約２００〜３００℃
で数分〜数時間加熱したのち、これを平板又はフィルム
から引き剥がすと得られる。
着剤の製造は、本発明における樹脂組成物を前記した有
機溶媒で適当に希釈したのち、ガラス板、ステンレス板
等の平板上、あるいはポリエステル等のフィルム上に一
定の厚さで流延・塗布したのち、通常、初めは約８０〜
１５０℃で数分〜数時間、引き続き約２００〜３００℃
で数分〜数時間加熱したのち、これを平板又はフィルム
から引き剥がすと得られる。
【００２７】樹脂組成物をフィルム又はシート等の基材
に塗布もしくは展延し、あるいは含浸させた後に、これ
を加熱・乾燥して、複層の接着フィルムや複合シートと
することができる。用いられる基材としては、フィル
ム、ガラス布、炭素繊維布、ポリアラミド布等のクロ
ス、銅箔、アルミ箔、ステンレス箔等の金属箔等があ
る。
に塗布もしくは展延し、あるいは含浸させた後に、これ
を加熱・乾燥して、複層の接着フィルムや複合シートと
することができる。用いられる基材としては、フィル
ム、ガラス布、炭素繊維布、ポリアラミド布等のクロ
ス、銅箔、アルミ箔、ステンレス箔等の金属箔等があ
る。
【００２８】耐熱性フィルムの少なくとも片面に接着剤
の層が形成されている、本発明の接着フィルムは、樹脂
組成物を前記有機溶媒で適当に希釈した後、ベースフィ
ルムとなる耐熱性フィルムの片側又は両面に塗布し、こ
れを上記と同様に加熱処理して、製造することができ
る。耐熱性フィルムの両面に塗布する場合、接着剤の種
類は同一でも異なっていても良い。接着剤を耐熱性フィ
ルムに塗布する方法は特に制限はない。ドクターブレー
ドやナイフコーター、ダイコーター等いずれの方法で塗
布してもよい。また接着剤のワニス中にフィルムを通し
て塗工してもよいが、厚みの制御が難しいので好ましく
ない。
の層が形成されている、本発明の接着フィルムは、樹脂
組成物を前記有機溶媒で適当に希釈した後、ベースフィ
ルムとなる耐熱性フィルムの片側又は両面に塗布し、こ
れを上記と同様に加熱処理して、製造することができ
る。耐熱性フィルムの両面に塗布する場合、接着剤の種
類は同一でも異なっていても良い。接着剤を耐熱性フィ
ルムに塗布する方法は特に制限はない。ドクターブレー
ドやナイフコーター、ダイコーター等いずれの方法で塗
布してもよい。また接着剤のワニス中にフィルムを通し
て塗工してもよいが、厚みの制御が難しいので好ましく
ない。
【００２９】ここで用いられる耐熱性フィルムには、ポ
リイミド、ポリアミドやポリサルフォン、ポリフェニレ
ンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリア
リレート等のエンジニアリングプラスチック等のフィル
ムが挙げられる。耐熱性フィルムのガラス転移温度（Ｔ
ｇ）は、接着剤のＴｇより高いものが使用され、好まし
くは２００℃以上、より好ましくは２５０℃以上のもの
が使用される。耐熱性フィルムの吸水率は３重量％以
下、好ましくは２重量％以下のものが使用される。その
ため、耐熱性フィルムとしては、Ｔｇ、吸水率、熱膨張
係数の点からポリイミドフィルムが好ましく用いられ
る。特に、Ｔｇが２５０℃以上、吸水率が２重量％以
下、熱膨張係数が３×１０-5／℃以下の物性を備えたポ
リイミドフィルムが好ましい。
リイミド、ポリアミドやポリサルフォン、ポリフェニレ
ンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリア
リレート等のエンジニアリングプラスチック等のフィル
ムが挙げられる。耐熱性フィルムのガラス転移温度（Ｔ
ｇ）は、接着剤のＴｇより高いものが使用され、好まし
くは２００℃以上、より好ましくは２５０℃以上のもの
が使用される。耐熱性フィルムの吸水率は３重量％以
下、好ましくは２重量％以下のものが使用される。その
ため、耐熱性フィルムとしては、Ｔｇ、吸水率、熱膨張
係数の点からポリイミドフィルムが好ましく用いられ
る。特に、Ｔｇが２５０℃以上、吸水率が２重量％以
下、熱膨張係数が３×１０-5／℃以下の物性を備えたポ
リイミドフィルムが好ましい。
【００３０】耐熱性フィルムは、接着剤との接着力を増
すために表面処理を施すことが望ましい。表面処理の方
法としては、アルカリ処理、シランカップリング処理等
の化学処理、サンドブラスト等の物理的処理、プラズマ
処理、コロナ処理等のいずれの処理も使用可能である
が、接着剤の種類に応じて最も適した処理を用いればよ
いが、好ましくは、化学処理またはプラズマ処理であ
る。
すために表面処理を施すことが望ましい。表面処理の方
法としては、アルカリ処理、シランカップリング処理等
の化学処理、サンドブラスト等の物理的処理、プラズマ
処理、コロナ処理等のいずれの処理も使用可能である
が、接着剤の種類に応じて最も適した処理を用いればよ
いが、好ましくは、化学処理またはプラズマ処理であ
る。
【００３１】本発明の接着フィルムをリード固定テープ
として用いる場合、耐熱性フィルムの片面に接着剤層を
形成させた接着フィルムが通常用いられるが、その接着
剤層面を保護フィルムで貼り合わせても良い。
として用いる場合、耐熱性フィルムの片面に接着剤層を
形成させた接着フィルムが通常用いられるが、その接着
剤層面を保護フィルムで貼り合わせても良い。
【００３２】また、本発明のフィルム状の接着剤や接着
フィルムをリード固定テープ、ＬＯＣテープなどに使用
する場合には、２７０℃で１０分加熱したときに、接着
剤の層の重量減少が加熱前の接着剤の層の重量に対して
１％（重量比）以下であることが好ましい。また、２０
０℃以下で貼り付けた接着フィルム（接着テープ）が２
５０℃で動かないことが好ましい。
フィルムをリード固定テープ、ＬＯＣテープなどに使用
する場合には、２７０℃で１０分加熱したときに、接着
剤の層の重量減少が加熱前の接着剤の層の重量に対して
１％（重量比）以下であることが好ましい。また、２０
０℃以下で貼り付けた接着フィルム（接着テープ）が２
５０℃で動かないことが好ましい。
【００３３】樹脂組成物又は接着剤には、セラミック
粉、ガラス粉、銀粉、銅粉、樹脂粒子、ゴム粒子等のフ
ィラーや、カップリング剤が添加されてもよい。カップ
リング剤としては、ビニルシラン、エポキシシラン、ア
ミノシラン、メルカプトシラン、チタネート、アルミキ
レート、ジルコアルミネート等のカップリング剤が使用
できるが、シランカップリング剤が好ましい。シランカ
ップリング剤としては、ビニルトリメトキシシラン、ビ
ニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（β−メトキシ
エトキシ）シラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキ
シル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプ
ロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピル
メチルジエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−
γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（ア
ミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシ
ラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フ
ェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−
メルカプトプロピルトリメトキシシラン等の末端に有機
反応性基をもつシランカップリング剤で、これらのうち
エポキシ基を有するエポキシシラン系カップリング剤が
好ましく用いられる。なお、ここで有機反応性基とは、
エポキシ基、ビニル基、アミノ基、メルカプト基等の官
能基である。シランカップリング剤の添加は、製造され
る半導体パッケージの耐リフロークラック性や接着力を
向上させるためで、樹脂分の総量１００重量部に対し
て、好ましくは１〜１５重量部、更に好ましくは２〜１
０重量部含有させることができる。
粉、ガラス粉、銀粉、銅粉、樹脂粒子、ゴム粒子等のフ
ィラーや、カップリング剤が添加されてもよい。カップ
リング剤としては、ビニルシラン、エポキシシラン、ア
ミノシラン、メルカプトシラン、チタネート、アルミキ
レート、ジルコアルミネート等のカップリング剤が使用
できるが、シランカップリング剤が好ましい。シランカ
ップリング剤としては、ビニルトリメトキシシラン、ビ
ニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（β−メトキシ
エトキシ）シラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキ
シル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプ
ロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピル
メチルジエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−
γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（ア
ミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシ
ラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フ
ェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−
メルカプトプロピルトリメトキシシラン等の末端に有機
反応性基をもつシランカップリング剤で、これらのうち
エポキシ基を有するエポキシシラン系カップリング剤が
好ましく用いられる。なお、ここで有機反応性基とは、
エポキシ基、ビニル基、アミノ基、メルカプト基等の官
能基である。シランカップリング剤の添加は、製造され
る半導体パッケージの耐リフロークラック性や接着力を
向上させるためで、樹脂分の総量１００重量部に対し
て、好ましくは１〜１５重量部、更に好ましくは２〜１
０重量部含有させることができる。
【００３４】本発明の接着剤又は接着フィルムは、リー
ドフレームのリード固定テープとして使用されるほか、
ＬＯＣパッケージ、従来型パッケージ、ＣＯＬパッケー
ジ、ヒートスプレッダー付パッケージ等の半導体パッケ
ージの接着部材に用いられ、チップとリードフレーム、
リードフレームとヒートスプレッダーの接着に使用する
こともできる。なお、接着剤又は接着フィルムの適用に
よっては、接着時の接着温度を低下させる目的でフィル
ム状接着剤又は接着フィルム中に溶剤を残存させてもよ
い。この場合、残存溶剤量は１０重量％を超えない程度
までとする。
ドフレームのリード固定テープとして使用されるほか、
ＬＯＣパッケージ、従来型パッケージ、ＣＯＬパッケー
ジ、ヒートスプレッダー付パッケージ等の半導体パッケ
ージの接着部材に用いられ、チップとリードフレーム、
リードフレームとヒートスプレッダーの接着に使用する
こともできる。なお、接着剤又は接着フィルムの適用に
よっては、接着時の接着温度を低下させる目的でフィル
ム状接着剤又は接着フィルム中に溶剤を残存させてもよ
い。この場合、残存溶剤量は１０重量％を超えない程度
までとする。
【００３５】リードフレームのリード固定テープとして
使用した場合の半導体装置は、例えば、次のようにして
製造される。リードフレーム３のインナーリード部に、
所定の大きさの接着フィルム片又はフィルム状接着剤片
（接着部材１）を１５０〜３００℃、０．０１〜１０Ｍ
Ｐａで、０．１〜１０秒間の条件で熱圧着させた後、リ
ードフレーム３のダイパッド部にダイボンド材６（銀ペ
ースト、ダイボンドフィルム等）を載せ、これに半導体
素子２を載せて加圧接着させ、その後リードフレーム３
と半導体素子２とを金線（ワイヤ４）等で接合し、エポ
キシ樹脂等の封止材５で封止し、半導体装置とする（図
１）。
使用した場合の半導体装置は、例えば、次のようにして
製造される。リードフレーム３のインナーリード部に、
所定の大きさの接着フィルム片又はフィルム状接着剤片
（接着部材１）を１５０〜３００℃、０．０１〜１０Ｍ
Ｐａで、０．１〜１０秒間の条件で熱圧着させた後、リ
ードフレーム３のダイパッド部にダイボンド材６（銀ペ
ースト、ダイボンドフィルム等）を載せ、これに半導体
素子２を載せて加圧接着させ、その後リードフレーム３
と半導体素子２とを金線（ワイヤ４）等で接合し、エポ
キシ樹脂等の封止材５で封止し、半導体装置とする（図
１）。
【００３６】また、接着フィルム（基材フィルムの両面
に接着剤層）をＬＯＣテープとして用いた半導体装置の
例を図２に、接着剤又は接着フィルム（接着部材１）を
従来型パッケージのリードフレーム３と半導体素子２と
の接着に用いた半導体装置の例を図３に、接着剤又は接
着フィルム（接着部材１）をヒートスプレッダー付パッ
ケージのリードフレーム３とヒートスプレッダー７との
接着に用いた半導体装置の例を図４にそれぞれ示した。
に接着剤層）をＬＯＣテープとして用いた半導体装置の
例を図２に、接着剤又は接着フィルム（接着部材１）を
従来型パッケージのリードフレーム３と半導体素子２と
の接着に用いた半導体装置の例を図３に、接着剤又は接
着フィルム（接着部材１）をヒートスプレッダー付パッ
ケージのリードフレーム３とヒートスプレッダー７との
接着に用いた半導体装置の例を図４にそれぞれ示した。
【００３７】
【実施例】以下、実施例により本発明を詳細に説明す
る。 実施例１ 撹拌機、温度計、窒素ガス導入管を備えた１，０００ｍ
ｌ四つ口フラスコに両末端にヒドロキシ基をもつポリエ
ーテル（ＨＯ−［（ＣＨ2）4−Ｏ］ｎ−Ｈ Ｍｗ＝６５
０）を６５．０ｇ（０．１００モル）、ビスフェノール
Ａビストリメリテート二無水物（ＢＡＢＴ）を１９．５
ｇ（０．０３４モル）、スルホランを４００ｇ入れ、窒
素雰囲気下、撹拌しながら２００℃に昇温した。ジフェ
ニルメタンジイソシアネートを３３．５ｇ（０．１３４
モル）加えたあと、２００℃で２時間反応させた後、室
温まで冷却した。得られた反応物（共重合体反応液）を
メタノールに注ぎ、生じた沈殿を分離した。これをミキ
サーで粉砕し、水洗した後、乾燥してポリエーテル含量
５５重量％のポリエーテルイミド粉末を得た。得られた
ポリエーテルイミド粉末をゲル浸透クロマトグラフィー
（以下、ＧＰＣと略す；溶離液はＤＭＦ、液速度は１ｍ
ｌ／分、検出はＵＶ検出器）を用いて測定したところ、
重量平均分子量はポリスチレン換算で２２０，０００で
あった。このポリエーテルイミド粉末の３．０ｇとγ−
グリシドキシプロピルトリメトキシシランの０．３０ｇ
（ＣＰＬの量：１０重量％）を秤り取り、これにポリエ
ーテルイミド粉末の濃度が２５重量％となるようにＮ，
Ｎ−ジメチルホルムアミドを加えて溶かし、ワニスを調
製した。でき上がりの接着剤層厚さが２５μｍとなるよ
うに、ポリエステルフィルム上にこのワニスを塗布し、
はじめに１００℃、３０分間加熱したのち、接着剤層を
ポリエステルフィルムから剥がし、金枠に止め、更に２
５０℃、１０分間加熱して、厚さ２５μｍの単層のフィ
ルム状接着剤を作製した。また、示差熱天秤（昇温速
度：１０℃／分、空気中）を用いて５％重量減少温度
（以下、Ｔｄと略す）を測定したところ、３２０℃であ
った。また、２７０℃で１０分間加熱した際の重量減少
は０．７重量％であった。別に、でき上がりの接着剤層
厚さが２５μｍとなるように、上記ワニスを５０μｍ厚
の耐熱性ポリイミドフィルム（宇部興産（株）製、ユー
ピレックスＳ）の片面に塗布し、前記同様に加熱処理し
て、基材フィルム付接着テープを得た。得られた基材フ
ィルム付接着テープを１０ｍｍ×２０ｍｍの大きさに切
断し、これを接着剤層が接するようにリードフレーム材
である銅合金に、温度：１８０℃、圧力：３ＭＰａ及び
時間：３秒の条件で圧着させたのち、ＪＩＳ Ｃ６４８
１に準じて９０度引き剥し強さ（測定温度：２５℃、引
っ張り速度：５０ｍｍ／分）を測定したところ、６００
Ｎ／ｍであった。また、接着温度を７０℃及び１５０℃
とした場合の引き剥がし強さは、それぞれ１５０Ｎ／ｍ
及び６００Ｎ／ｍであった。６０μｍ／６０μｍ（ライ
ン／スペース）の櫛型パターンが形成された２層フレキ
シブル配線板の櫛型パターン部に上記基材フィルム付接
着テープを貼り付け、１５６℃、８５％ＲＨ、５Ｖ印加
の条件で抵抗値を測定したところ、４００ｈ後でも１×
１０13（ohm）以上であった。更に、１８０℃で接着さ
せた基材フィルム付接着テープを２５０℃の熱盤上に置
き、ピンセットで斜め上方から押したところこのテープ
は動かなかった。また、前記の基材フィルム付接着テー
プを用い、図１に示す半導体装置（パッケージ）を作製
した。これを８５℃、８５％ＲＨで４８時間吸湿させた
のち、赤外線リフローを行ったがパッケージクラックは
生じなかった。
る。 実施例１ 撹拌機、温度計、窒素ガス導入管を備えた１，０００ｍ
ｌ四つ口フラスコに両末端にヒドロキシ基をもつポリエ
ーテル（ＨＯ−［（ＣＨ2）4−Ｏ］ｎ−Ｈ Ｍｗ＝６５
０）を６５．０ｇ（０．１００モル）、ビスフェノール
Ａビストリメリテート二無水物（ＢＡＢＴ）を１９．５
ｇ（０．０３４モル）、スルホランを４００ｇ入れ、窒
素雰囲気下、撹拌しながら２００℃に昇温した。ジフェ
ニルメタンジイソシアネートを３３．５ｇ（０．１３４
モル）加えたあと、２００℃で２時間反応させた後、室
温まで冷却した。得られた反応物（共重合体反応液）を
メタノールに注ぎ、生じた沈殿を分離した。これをミキ
サーで粉砕し、水洗した後、乾燥してポリエーテル含量
５５重量％のポリエーテルイミド粉末を得た。得られた
ポリエーテルイミド粉末をゲル浸透クロマトグラフィー
（以下、ＧＰＣと略す；溶離液はＤＭＦ、液速度は１ｍ
ｌ／分、検出はＵＶ検出器）を用いて測定したところ、
重量平均分子量はポリスチレン換算で２２０，０００で
あった。このポリエーテルイミド粉末の３．０ｇとγ−
グリシドキシプロピルトリメトキシシランの０．３０ｇ
（ＣＰＬの量：１０重量％）を秤り取り、これにポリエ
ーテルイミド粉末の濃度が２５重量％となるようにＮ，
Ｎ−ジメチルホルムアミドを加えて溶かし、ワニスを調
製した。でき上がりの接着剤層厚さが２５μｍとなるよ
うに、ポリエステルフィルム上にこのワニスを塗布し、
はじめに１００℃、３０分間加熱したのち、接着剤層を
ポリエステルフィルムから剥がし、金枠に止め、更に２
５０℃、１０分間加熱して、厚さ２５μｍの単層のフィ
ルム状接着剤を作製した。また、示差熱天秤（昇温速
度：１０℃／分、空気中）を用いて５％重量減少温度
（以下、Ｔｄと略す）を測定したところ、３２０℃であ
った。また、２７０℃で１０分間加熱した際の重量減少
は０．７重量％であった。別に、でき上がりの接着剤層
厚さが２５μｍとなるように、上記ワニスを５０μｍ厚
の耐熱性ポリイミドフィルム（宇部興産（株）製、ユー
ピレックスＳ）の片面に塗布し、前記同様に加熱処理し
て、基材フィルム付接着テープを得た。得られた基材フ
ィルム付接着テープを１０ｍｍ×２０ｍｍの大きさに切
断し、これを接着剤層が接するようにリードフレーム材
である銅合金に、温度：１８０℃、圧力：３ＭＰａ及び
時間：３秒の条件で圧着させたのち、ＪＩＳ Ｃ６４８
１に準じて９０度引き剥し強さ（測定温度：２５℃、引
っ張り速度：５０ｍｍ／分）を測定したところ、６００
Ｎ／ｍであった。また、接着温度を７０℃及び１５０℃
とした場合の引き剥がし強さは、それぞれ１５０Ｎ／ｍ
及び６００Ｎ／ｍであった。６０μｍ／６０μｍ（ライ
ン／スペース）の櫛型パターンが形成された２層フレキ
シブル配線板の櫛型パターン部に上記基材フィルム付接
着テープを貼り付け、１５６℃、８５％ＲＨ、５Ｖ印加
の条件で抵抗値を測定したところ、４００ｈ後でも１×
１０13（ohm）以上であった。更に、１８０℃で接着さ
せた基材フィルム付接着テープを２５０℃の熱盤上に置
き、ピンセットで斜め上方から押したところこのテープ
は動かなかった。また、前記の基材フィルム付接着テー
プを用い、図１に示す半導体装置（パッケージ）を作製
した。これを８５℃、８５％ＲＨで４８時間吸湿させた
のち、赤外線リフローを行ったがパッケージクラックは
生じなかった。
【００３８】実施例２ 撹拌機、温度計、窒素ガス導入管を備えた１，０００ｍ
ｌ四つ口フラスコに両末端にヒドロキシ基をもつポリエ
ーテル（ＨＯ−［（ＣＨ2）4−Ｏ］ｎ−Ｈ Ｍｗ＝６５
０）を６５．０ｇ（０．１００モル）、３，３′，４，
４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（ＢＴ
ＤＡ）を１５．４ｇ（０．０４８モル）、スルホランを
４００ｇ入れ、窒素雰囲気下、撹拌しながら２００℃に
昇温した。ジフェニルメタンジイソシアネートを３７．
０ｇ（０．１４８モル）加えたあと、２００℃で２時間
反応させた後、室温まで冷却した。得られた反応物（共
重合体反応液）をメタノールに注ぎ、生じた沈殿を分離
した。これをミキサーで粉砕し、水洗した後、乾燥して
ポリエーテル含量５５重量％のポリエーテルイミド粉末
を得た。得られたポリエーテルイミド粉末をＧＰＣを用
いて測定したところ、重量平均分子量はポリスチレン換
算で１９０，０００であった。このポリエーテルイミド
粉末の３．０ｇとγ−グリシドキシプロピルトリメトキ
シシランの０．３０ｇ（ＣＰＬの量：１０重量％）を秤
り取り、これにポリエーテルイミド粉末の濃度が２５重
量％となるようにＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを加え
て溶かし、ワニスを調製した。次に実施例１と同様にし
て単層のフィルム状接着剤を作製した。得られたフィル
ム状接着剤のＴｄは３２０℃であった。また、２７０℃
で１０分間加熱した際の重量減少は０．５重量％であっ
た。次に、実施例１と同様にして、基材フィルム付接着
テープを作製し、実施例１と同じように試験した。基材
フィルム付接着テープを銅合金に圧着させたときの９０
度引き剥がし強さは５００Ｎ／ｍで、接着温度を７０℃
及び１５０℃とした場合の引き剥がし強さはそれぞれ５
０Ｎ／ｍ及び４００Ｎ／ｍであった。６０μｍ／６０μ
ｍ（ライン／スペース）の櫛型パターンが形成された２
層フレキシブル配線板の櫛型パターン部に上記基材フィ
ルム付接着テープを貼り付け、１５６℃、８５％ＲＨ、
５Ｖ印加の条件で抵抗値を測定したところ、４００ｈ後
でも１×１０13（ohm）以上であった。１８０℃で接着
させた基材フィルム付接着テープを２５０℃の熱盤上に
置き、ピンセットで斜め上方から押したところテープは
動かなかった。
ｌ四つ口フラスコに両末端にヒドロキシ基をもつポリエ
ーテル（ＨＯ−［（ＣＨ2）4−Ｏ］ｎ−Ｈ Ｍｗ＝６５
０）を６５．０ｇ（０．１００モル）、３，３′，４，
４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（ＢＴ
ＤＡ）を１５．４ｇ（０．０４８モル）、スルホランを
４００ｇ入れ、窒素雰囲気下、撹拌しながら２００℃に
昇温した。ジフェニルメタンジイソシアネートを３７．
０ｇ（０．１４８モル）加えたあと、２００℃で２時間
反応させた後、室温まで冷却した。得られた反応物（共
重合体反応液）をメタノールに注ぎ、生じた沈殿を分離
した。これをミキサーで粉砕し、水洗した後、乾燥して
ポリエーテル含量５５重量％のポリエーテルイミド粉末
を得た。得られたポリエーテルイミド粉末をＧＰＣを用
いて測定したところ、重量平均分子量はポリスチレン換
算で１９０，０００であった。このポリエーテルイミド
粉末の３．０ｇとγ−グリシドキシプロピルトリメトキ
シシランの０．３０ｇ（ＣＰＬの量：１０重量％）を秤
り取り、これにポリエーテルイミド粉末の濃度が２５重
量％となるようにＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを加え
て溶かし、ワニスを調製した。次に実施例１と同様にし
て単層のフィルム状接着剤を作製した。得られたフィル
ム状接着剤のＴｄは３２０℃であった。また、２７０℃
で１０分間加熱した際の重量減少は０．５重量％であっ
た。次に、実施例１と同様にして、基材フィルム付接着
テープを作製し、実施例１と同じように試験した。基材
フィルム付接着テープを銅合金に圧着させたときの９０
度引き剥がし強さは５００Ｎ／ｍで、接着温度を７０℃
及び１５０℃とした場合の引き剥がし強さはそれぞれ５
０Ｎ／ｍ及び４００Ｎ／ｍであった。６０μｍ／６０μ
ｍ（ライン／スペース）の櫛型パターンが形成された２
層フレキシブル配線板の櫛型パターン部に上記基材フィ
ルム付接着テープを貼り付け、１５６℃、８５％ＲＨ、
５Ｖ印加の条件で抵抗値を測定したところ、４００ｈ後
でも１×１０13（ohm）以上であった。１８０℃で接着
させた基材フィルム付接着テープを２５０℃の熱盤上に
置き、ピンセットで斜め上方から押したところテープは
動かなかった。
【００３９】実施例３ 撹拌機、温度計、窒素ガス導入管を備えた１，０００ｍ
ｌ四つ口フラスコに両末端にヒドロキシ基をもつポリエ
ーテル（ＨＯ−［（ＣＨ2）4−Ｏ］ｎ−Ｈ Ｍｗ＝６５
０）を６５．０ｇ（０．１００モル）、２，２−ビス
［４−（３，４−ジカルボキシ）フェニル］プロパン二
無水物（ＢＰＡＤＡ）を１８．７ｇ（０．０３６モ
ル）、スルホランを４００ｇ入れ、窒素雰囲気下、撹拌
しながら２００℃に昇温した。ジフェニルメタンジイソ
シアネートを３４．０ｇ（０．１３６モル）加えたあ
と、２００℃で２時間反応させた後、室温まで冷却し
た。得られた反応物（共重合体反応液）をメタノールに
注ぎ、生じた沈殿を分離した。これをミキサーで粉砕
し、水洗した後、乾燥してポリエーテル含量５５重量％
のポリエーテルイミド粉末を得た。得られたポリエーテ
ルイミド粉末をＧＰＣを用いて測定したところ、重量平
均分子量はポリスチレン換算で１７０，０００であっ
た。このポリエーテルイミド粉末の３．０ｇとγ−グリ
シドキシプロピルトリメトキシシランの０．１５ｇ（Ｃ
ＰＬの量：５重量％）を秤り取り、これにポリエーテル
イミド粉末の濃度が２５重量％となるようにＮ，Ｎ−ジ
メチルホルムアミドを加えて溶かし、ワニスを調製し
た。次に実施例１と同様にして単層のフィルム状接着剤
を作製した。得られたフィルム状接着剤のＴｄは３２０
℃であった。また、２７０℃で１０分間加熱した際の重
量減少は０．７重量％であった。次に、実施例１と同様
にして、基材フィルム付接着テープを作製し、実施例１
と同じように試験した。基材フィルム付接着テープを銅
合金に圧着させたときの９０度引き剥がし強さは６００
Ｎ／ｍで、接着温度を７０℃及び１５０℃とした場合の
引き剥がし強さはそれぞれ５０Ｎ／ｍ及び５００Ｎ／ｍ
であった。６０μｍ／６０μｍ（ライン／スペース）の
櫛型パターンが形成された２層フレキシブル配線板の櫛
型パターン部に上記基材フィルム付接着テープを貼り付
け、１５６℃、８５％ＲＨ、５Ｖ印加の条件で抵抗値を
測定したところ、４００ｈ後でも１×１０13（ohm）以
上であった。１８０℃で接着させた基材フィルム付接着
テープを２５０℃の熱盤上に置き、ピンセットで斜め上
方から押したところテープは動かなかった。
ｌ四つ口フラスコに両末端にヒドロキシ基をもつポリエ
ーテル（ＨＯ−［（ＣＨ2）4−Ｏ］ｎ−Ｈ Ｍｗ＝６５
０）を６５．０ｇ（０．１００モル）、２，２−ビス
［４−（３，４−ジカルボキシ）フェニル］プロパン二
無水物（ＢＰＡＤＡ）を１８．７ｇ（０．０３６モ
ル）、スルホランを４００ｇ入れ、窒素雰囲気下、撹拌
しながら２００℃に昇温した。ジフェニルメタンジイソ
シアネートを３４．０ｇ（０．１３６モル）加えたあ
と、２００℃で２時間反応させた後、室温まで冷却し
た。得られた反応物（共重合体反応液）をメタノールに
注ぎ、生じた沈殿を分離した。これをミキサーで粉砕
し、水洗した後、乾燥してポリエーテル含量５５重量％
のポリエーテルイミド粉末を得た。得られたポリエーテ
ルイミド粉末をＧＰＣを用いて測定したところ、重量平
均分子量はポリスチレン換算で１７０，０００であっ
た。このポリエーテルイミド粉末の３．０ｇとγ−グリ
シドキシプロピルトリメトキシシランの０．１５ｇ（Ｃ
ＰＬの量：５重量％）を秤り取り、これにポリエーテル
イミド粉末の濃度が２５重量％となるようにＮ，Ｎ−ジ
メチルホルムアミドを加えて溶かし、ワニスを調製し
た。次に実施例１と同様にして単層のフィルム状接着剤
を作製した。得られたフィルム状接着剤のＴｄは３２０
℃であった。また、２７０℃で１０分間加熱した際の重
量減少は０．７重量％であった。次に、実施例１と同様
にして、基材フィルム付接着テープを作製し、実施例１
と同じように試験した。基材フィルム付接着テープを銅
合金に圧着させたときの９０度引き剥がし強さは６００
Ｎ／ｍで、接着温度を７０℃及び１５０℃とした場合の
引き剥がし強さはそれぞれ５０Ｎ／ｍ及び５００Ｎ／ｍ
であった。６０μｍ／６０μｍ（ライン／スペース）の
櫛型パターンが形成された２層フレキシブル配線板の櫛
型パターン部に上記基材フィルム付接着テープを貼り付
け、１５６℃、８５％ＲＨ、５Ｖ印加の条件で抵抗値を
測定したところ、４００ｈ後でも１×１０13（ohm）以
上であった。１８０℃で接着させた基材フィルム付接着
テープを２５０℃の熱盤上に置き、ピンセットで斜め上
方から押したところテープは動かなかった。
【００４０】比較例１ アクリルニトリルブタジエンゴムとフェノール樹脂を主
成分としてなる熱硬化性樹脂を接着剤として用い、フィ
ルム状接着剤を製造した。以下、実施例１と同じように
して基材フィルム付接着テープを作製し、試験した。２
７０℃で１０分間加熱した際の重量減少は２．３重量％
であった。また得られた基材フィルム付接着テープを銅
合金に圧着させたときの９０度引き剥がし強さは８００
Ｎ／ｍで、接着温度を７０℃及び１５０℃とした場合の
引き剥がし強さはそれぞれ５０Ｎ／ｍ及び７５０Ｎ／ｍ
であった。６０μｍ／６０μｍ（ライン／スペース）の
櫛型パターンが形成された２層フレキシブル配線板の櫛
型パターン部に上記基材フィルム付接着テープを貼り付
け、１５６℃、８５％ＲＨ、５Ｖ印加の条件で抵抗値を
測定したところ、２００ｈ後には１×１０13（ohm）以
下であった。
成分としてなる熱硬化性樹脂を接着剤として用い、フィ
ルム状接着剤を製造した。以下、実施例１と同じように
して基材フィルム付接着テープを作製し、試験した。２
７０℃で１０分間加熱した際の重量減少は２．３重量％
であった。また得られた基材フィルム付接着テープを銅
合金に圧着させたときの９０度引き剥がし強さは８００
Ｎ／ｍで、接着温度を７０℃及び１５０℃とした場合の
引き剥がし強さはそれぞれ５０Ｎ／ｍ及び７５０Ｎ／ｍ
であった。６０μｍ／６０μｍ（ライン／スペース）の
櫛型パターンが形成された２層フレキシブル配線板の櫛
型パターン部に上記基材フィルム付接着テープを貼り付
け、１５６℃、８５％ＲＨ、５Ｖ印加の条件で抵抗値を
測定したところ、２００ｈ後には１×１０13（ohm）以
下であった。
【００４１】
【発明の効果】本発明の接着剤は、耐熱性に優れ、電子
部品の接着に用いられる。接着剤及び接着フィルムは、
耐熱性に優れ、アウトガスが少なく、ＬＯＣテープ、リ
ード固定テープ等の電子部品の接着テープとして好適で
ある。上記の接着剤及び接着フィルムを使用したリード
フレームを用いて製造される半導体装置は、信頼性が高
い。
部品の接着に用いられる。接着剤及び接着フィルムは、
耐熱性に優れ、アウトガスが少なく、ＬＯＣテープ、リ
ード固定テープ等の電子部品の接着テープとして好適で
ある。上記の接着剤及び接着フィルムを使用したリード
フレームを用いて製造される半導体装置は、信頼性が高
い。
【図１】本発明の接着フィルムをリード固定テープとし
て用いた半導体装置の例を示す断面模式図である。
て用いた半導体装置の例を示す断面模式図である。
【図２】本発明の接着フィルムをＬＯＣテープとして用
いた半導体装置の例を示す断面模式図である。
いた半導体装置の例を示す断面模式図である。
【図３】本発明の接着剤又は接着フィルム（接着部材）
を従来型パッケージのリードフレームと半導体素子との
接着に用いた半導体装置の例を示す断面模式図である。
を従来型パッケージのリードフレームと半導体素子との
接着に用いた半導体装置の例を示す断面模式図である。
【図４】本発明の接着剤又は接着フィルム（接着部材）
をヒートスプレッダー付パッケージのリードフレームと
ヒートスプレッダーとの接着に用いた半導体装置の例を
示す断面模式図である。
をヒートスプレッダー付パッケージのリードフレームと
ヒートスプレッダーとの接着に用いた半導体装置の例を
示す断面模式図である。
１…本発明の接着部材 ２…半導体素子 ３…リードフレーム ４…ワイヤ ５…封止材 ６…ダイボンド材 ７…ヒートスプレッダー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｃ０９Ｊ 179/08 Ｃ０９Ｊ 179/08 Ｚ Ｈ０１Ｌ 21/52 Ｈ０１Ｌ 21/52 Ｅ (56)参考文献 特開 昭53−24588（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C09J 7/02 C09J 175/04 - 175/12 C09J 179/08 C08G 18/00 - 18/87 C08G 73/10 H01L 21/52
Claims (9)
- 【請求項１】 （ａ）テトラカルボン酸二無水物と、
（ｂ）ジアミン又はジイソシアネートと、（ｃ）式
（１）で示されるポリエーテル化合物を反応させて得ら
れる共重合体を含む接着剤。 Ｒ−Ｑ１−Ｏ−［Ｑ２−Ｏ−］ｐ−Ｑ３−Ｒ （１） （Ｑ１、Ｑ２及びＱ３は炭素数１〜１０のアルキレン、
ＲはＯＨ又はＣＯＯＨ、ｐは０〜１００の整数。） - 【請求項２】 （ｃ）の重量が、（ａ）＋（ｂ）＋
（ｃ）の合計重量に対して３０〜７０％である請求項１
記載の接着剤。 - 【請求項３】 テトラカルボン酸二無水物（ａ）は、ビ
スフェノールＡビストリメリテート二無水物、２，２−
ビス［４−（３，４−ジカルボキシ）フェニル］プロパ
ン二無水物及びベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水
物から選ばれるテトラカルボン酸二無水物を、テトラカ
ルボン酸二無水物の総量に対して５０モル％以上含むも
のである請求項１又は２記載の接着剤。 - 【請求項４】 請求項１〜３いずれかに記載の接着剤の
層を含んでなるフィルム状の接着剤。 - 【請求項５】 ２７０℃で１０分間加熱したときに、接
着剤の層の重量減少が加熱前の接着剤の層の重量に対し
て１％（重量比）以下である請求項４記載のフィルム状
の接着剤。 - 【請求項６】 耐熱性フィルムの少なくとも片面に、請
求項４〜６いずれかに記載の接着剤の層が形成されてい
る接着フィルム。 - 【請求項７】 ２７０℃で１０分間加熱したときに、接
着剤の層の重量減少が加熱前の接着剤の層の重量に対し
て１％（重量比）以下である請求項６記載の接着フィル
ム。 - 【請求項８】 請求項４もしくは５記載の接着剤又は請
求項６もしくは７記載の接着フィルムが貼り付けられて
いるリードフレーム。 - 【請求項９】 請求項８記載のリードフレームを備え、
少なくとも接着剤又は接着フィルム部分は封止材で封止
されている半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22443998A JP3314158B2 (ja) | 1998-08-07 | 1998-08-07 | 樹脂組成物、接着剤、接着フィルム、これを用いたリードフレーム及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22443998A JP3314158B2 (ja) | 1998-08-07 | 1998-08-07 | 樹脂組成物、接着剤、接着フィルム、これを用いたリードフレーム及び半導体装置 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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|---|---|
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP22443998A Expired - Fee Related JP3314158B2 (ja) | 1998-08-07 | 1998-08-07 | 樹脂組成物、接着剤、接着フィルム、これを用いたリードフレーム及び半導体装置 |
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-
1998
- 1998-08-07 JP JP22443998A patent/JP3314158B2/ja not_active Expired - Fee Related
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