JP4743204B2 - 変性ポリウレタン樹脂及びこれを用いた接着剤組成物、並びに回路部材の接続方法及び回路部材の接続構造 - Google Patents

変性ポリウレタン樹脂及びこれを用いた接着剤組成物、並びに回路部材の接続方法及び回路部材の接続構造 Download PDF

Info

Publication number
JP4743204B2
JP4743204B2 JP2007517724A JP2007517724A JP4743204B2 JP 4743204 B2 JP4743204 B2 JP 4743204B2 JP 2007517724 A JP2007517724 A JP 2007517724A JP 2007517724 A JP2007517724 A JP 2007517724A JP 4743204 B2 JP4743204 B2 JP 4743204B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
adhesive composition
group
circuit member
adhesive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2007517724A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2006126305A1 (ja
Inventor
実 杉浦
笑 片山
茂樹 加藤木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Showa Denko Materials Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Showa Denko Materials Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd, Showa Denko Materials Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
Priority to JP2007517724A priority Critical patent/JP4743204B2/ja
Publication of JPWO2006126305A1 publication Critical patent/JPWO2006126305A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4743204B2 publication Critical patent/JP4743204B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G18/00Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
    • C08G18/06Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen
    • C08G18/28Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen characterised by the compounds used containing active hydrogen
    • C08G18/67Unsaturated compounds having active hydrogen
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G18/00Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J175/00Adhesives based on polyureas or polyurethanes; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J175/04Polyurethanes
    • C09J175/14Polyurethanes having carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/321Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
    • H05K3/323Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives by applying an anisotropic conductive adhesive layer over an array of pads
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/2919Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/831Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
    • H01L2224/83101Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus as prepeg comprising a layer connector, e.g. provided in an insulating plate member
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838Bonding techniques
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00013Fully indexed content
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/0101Neon [Ne]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01015Phosphorus [P]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01023Vanadium [V]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01025Manganese [Mn]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01027Cobalt [Co]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/0103Zinc [Zn]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01047Silver [Ag]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01049Indium [In]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/0105Tin [Sn]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01051Antimony [Sb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01075Rhenium [Re]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01078Platinum [Pt]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01094Plutonium [Pu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/014Solder alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06Polymers
    • H01L2924/0665Epoxy resin
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06Polymers
    • H01L2924/078Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/0781Adhesive characteristics other than chemical being an ohmic electrical conductor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06Polymers
    • H01L2924/078Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/0781Adhesive characteristics other than chemical being an ohmic electrical conductor
    • H01L2924/07811Extrinsic, i.e. with electrical conductive fillers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025Semiconducting materials
    • H01L2924/10251Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253Silicon [Si]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/156Material
    • H01L2924/15786Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15788Glasses, e.g. amorphous oxides, nitrides or fluorides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901Structure
    • H01L2924/1904Component type
    • H01L2924/19041Component type being a capacitor

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
  • Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
  • Combinations Of Printed Boards (AREA)
  • Polyurethanes Or Polyureas (AREA)

Description

本発明は変性ポリウレタン樹脂、この変性ポリウレタン樹脂を用いた接着剤組成物、並びに回路部材の接続方法及び回路部材の接続構造に関する。
現在、半導体分野ではエポキシ樹脂などの有機材料が多く使われている。封止材の分野では、封止システムの90%以上が樹脂封止システムに置き換わっている。封止材はエポキシ樹脂、硬化剤、各種添加剤、無機充填剤などによって構成される複合材料であり、エポキシ樹脂としてはクレゾールノボラック型エポキシ樹脂が多く使用されている。しかし、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂は低吸水率、低弾性率といった特性において要求特性を満足していないため、表面実装方式への対応が困難である。そのため、これに代わる新規高性能エポキシ樹脂が多く提案され実用化に至っている。
また、ダイボンディング用導電性接着剤として、エポキシ樹脂に銀粉を混練した銀ペーストが多く使用されている。しかし、半導体素子の配線基板への装着方法が表面実装法に移行するに従い、銀ペーストよりも更に耐はんだリフロー性を向上したダイボンディング用導電性接着剤が求められている。この要求に対応するために、硬化後のダイボンディング用接着剤層のボイド、ピール強度、吸水率、弾性率等の改善がなされている。
半導体実装分野では、低コスト化及び高精細化に対応した新しい実装形態としてICチップを直接プリント基板やフレキシブル配線板に搭載するフリップチップ実装が注目されている。フリップチップ実装方式としては、ICチップの端子にはんだバンプを設けてはんだ接続を行う方式や、導電性接着剤を介して電気的接続を行う方式が知られている。これらの方式では、半導体装置が各種環境に曝されたときに、ICチップと基板の熱膨張係数差に基づくストレスが接続界面で発生して接続信頼性が低下するという問題がある。このため、接続界面のストレスを緩和する目的でエポキシ樹脂系のアンダフィル材をチップ/基板の間隙に注入する方式が検討されている。しかし、このアンダフィル注入の方式は、プロセスを煩雑化し、生産性、コストの面で不利になるという問題がある。このような問題を解決すべく最近では異方導電性と封止機能を有する異方導電性接着剤を用いたフリップチップ実装が、プロセス簡易性という観点から注目されている。
一方、近年、半導体や液晶ディスプレイなどの分野では、電子部品を固定したり、回路接続を行うために各種の接着剤が使用されている。特に、液晶ディスプレイとTCPとの接続、FPCとTCPとの接続、又はFPCとプリント配線板との接続に用いる回路接続用の接着剤(回路接続材料)としては、接着剤中に導電粒子を分散させた異方導電性接着剤が使用されている。これらの用途では、ますます高密度化、高精細化がすすみ、接着剤が高い接着力や信頼性を有することが求められている。
また、これら精密電子機器の分野では、回路の高密度化が進んでおり、電極幅及び電極間隔が極めて狭くなっている。そのため、従来のエポキシ樹脂系を用いた回路接続用接着剤の接続条件では、配線の脱落、はく離、位置ずれが生じるなどの問題点がある。更に、生産性効率向上のために接続時間を10秒以下とする短縮化が強く求められてきており、接着剤は低温速硬化性を有することが必要不可欠となっている。
さらに、最近では、半導体シリコンチップを基板に実装する場合でも、従来のワイヤーボンドではなく、半導体シリコンチップをフェイスダウンで基板に実装するいわゆるフリップチップ実装が行われており、ここでも異方導電性接着剤の適用が開始されている。このフリップチップ実装に用いる接着剤として、例えば、ポリウレタン系接着剤が知られている(特許文献1)。
特許第3279708号
しかしながら、従来のポリウレタン系接着剤では部分的な硬化反応しか起こらず、特に線膨張係数の異なる材料を接着する場合に接着力が全般的に劣るいう問題があった。
そこで、本発明は、接着剤に用いられたときに線膨張係数の異なる材料間でも十分に強い接着力が得られる変性ポリウレタン樹脂を提供することを目的とする。
本発明は、下記一般式(I)で表される分子鎖を含む変性ポリウレタン樹脂である。
Figure 0004743204
式中、Xは芳香族環又は脂肪族環を有する2価の有機基、Yは分子量100〜10000の2価の有機基、Zは炭素数4以上の4−r価(すなわち、2〜4価)の有機基、Rは反応性を有する基、rは0〜2の整数、n及びmはそれぞれ独立に1〜100の整数、を示し、同一分子中の複数のX、Y、Z及びRはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。ただし、分子鎖中には少なくとも1個のRが存在する。
本発明の変性ポリウレタン樹脂は、上記特定構造の分子鎖を含んでいることにより、接着剤に用いられたときに線膨張係数の異なる材料間でも十分に強い接着力を発現するものとなった。
本発明のポリウレタン樹脂は、一般式(I)中の−Z(R)−で表される部分が、下記一般式(II)で表される2価の基(a)、下記一般式(III)で表される2価の基(b)又は下記一般式(IV)で表される2価の基(c)であることが好ましい。これにより、接着剤に用いられたときの接着力が特に向上する。
Figure 0004743204
式(II)、(III)及び(IV)中、Aは4個以上の炭素を含む4価の有機基、Rは反応性を有する基、を示す。
この場合、上記(a)、(b)及び(c)の合計量を基準として、(a)の割合が10〜90mol%、(b)の割合が0〜90mol%、(c)の割合が0〜90mol%であることが好ましい。これにより、接着剤に用いられたときの接着力が更により一層向上する。
Rは(メタ)アクリレート基を有する基であることが好ましい。これにより、接着剤組成物を低温、短時間で硬化することが可能となる。
本発明の接着剤組成物は、上記本発明の変性ポリウレタン樹脂を含有する。この接着剤組成物は、線膨張係数の異なる材料間でも十分に大きな接着力を発現する。
本発明の接着剤組成物は、硬化性樹脂を更に含有することが好ましい。これにより接着信頼性を向上できる。
上記硬化性樹脂がラジカル反応により硬化する樹脂であり、接着剤組成物が光照射又は加熱により遊離ラジカルを発生する硬化剤を含有していることが好ましい。これにより、より低温短時間で接続可能となり、接着力も更に向上する。
本発明の接着剤組成物は、導電粒子を更に含有することが好ましい。これにより、回路接続材料として用いられたときの電気的な接続信頼性がより優れるものとなる。
本発明の回路部材の接続方法は、第一の基板及びこれの主面上に形成された第一の回路電極を有する第一の回路部材と、第二の基板及びこれの主面上に形成された第二の回路電極を有する第二の回路部材とを上記本発明の接着剤組成物で接着することにより、第一の回路電極と第二の回路電極とを電気的に接続するものである。
この方法によれば、十分に強い接着力で回路部材が接続された回路部材の接続構造が得られる。
本発明の回路部材の接続構造は、第一の基板及びこれの主面上に形成された第一の回路電極を有する第一の回路部材と、第二の基板及びこれの主面上に形成された第二の回路電極を有する第二の回路部材と、を備え、第一の回路電極と第二の回路電極とが電気的に接続されるように第一の回路部材と第二の回路部材とが上記本発明の接着剤組成物で接着されているものである。
この接続構造においては、回路部材同士が十分に強い接着力で接続されており、接続信頼性が高い。
本発明の変性ウレタン樹脂を用いた接着剤組成物は接着力に優れ回路接続又は半導体実装用接着剤に好適である。また、本発明の変性ウレタン樹脂を用いた接着剤組成物は低温速硬化性にも優れる。
本発明に係る接着剤組成物を用いたフィルム状接着剤の一実施形態を示す断面図である。 本発明に係る回路部材の接続構造の一実施形態を示す断面図である。
符号の説明
1…フィルム状接着剤、1a…回路接続部材、3…樹脂層、3a…絶縁層、5…導電粒子、10…第一の回路部材、11…第一の基板、13…第一の回路電極、20…第二の回路部材、21…第二の基板、23…第二の回路電極、101…回路部材の接続構造。
本発明の変性ポリウレタン樹脂は、上記一般式(I)で表される分子鎖を含む高分子化合物である。一般式(I)中、Xは芳香族環又は脂肪族環を有する2価の有機基、Yは分子量100〜10000の2価の有機基、Zは炭素数4以上の4−r価の有機基(すなわち、4個以上の炭素を含む4−r価の有機基)、Rは反応性を有する基、rは0〜2の整数、n及びmは1〜100の整数を示す。
一般式(I)中のXで表される芳香族環又は脂肪族環を含む2価の有機基としては、芳香族環又は脂肪族環を有することが好ましい。好適なXとしては、例えば、下記化学式:
Figure 0004743204
で表される2価の有機基が挙げられる。これらは、一般に、変性ポリウレタン樹脂の合成に用いられるジイソシアネートに由来するジイソシアネート残基である。式(I)中の複数のXは同一でも異なっていてもよい。言い換えると、変性ポリウレタン樹脂は1種類又は2種類以上を組み合わせたジイソシアネートを原料として用いて得られるものであってもよい。
一般式(I)中のYは分子量が100〜10000であり、500〜5000であることが好ましい。Yの分子量が100未満であるか又は10000を超えると、変性ポリウレタン樹脂を含有する接着剤組成物の接着力が必ずしも十分でなくなる。また、Yの分子量が100未満であると弾性率が高くなり、応力が増加してしまうため、溶解性が低下する傾向にあり、10000を超えると凝集力及びフィルム強度の低下を引き起こし、凝集破壊による接着力の低下を招き易くなる傾向にある。
一般式(I)中のYで表される分子量100〜10000の2価の有機基としては、ポリアルキレングリコール基が好ましい。ポリアルキレングリコール基としては、例えば、下記化学式:
-CH2-CH2-CH2-CH2-O-、
-CH2-CH(CH3)-O-、
-CH2-CH2-O-、
-CH2-CH2-CH2-CH2-O-、
-(CH2-CH(CH3)-O)a-(CH2-CH2-O)b- (ただし、a/b=9〜1/1〜9mol%の共重合体)、
-CO-(CH2)4-CO-O-(CH2)2-O-、
-CO-(CH2)4-CO-O-(CH2)2-O-(CH2)2-O-、
-CO-(CH2)4-CO-O-CH2-CH(CH3)-O-、
-CO-(CH2)4-CO-O-(CH2)4-O-、
-CO-(CH2)4-CO-O-(CH2)6-O-、
-CO-(CH2)4-CO-O-CH2-C(CH3)2-CH2-O-、
-CO-(CH2)8-CO-O-(CH2)6-O-、
-CO-(CH2)5-O-、
-CO-O-(CH2)6-O-、及び
-R4-(Si(CH3)2-O)-R4- (ただし、Rは炭素数1〜10の有機基を示す。)
等の繰り返し単位を有するものが挙げられる。Yは、一般に、変性ポリウレタン樹脂の合成に用いられるジオールに由来するジオール残基である。式(I)中の複数のYは同一でも異なっていてもよい。言い換えると、変性ポリウレタン樹脂は1種類又は2種類以上を組み合わせたジオールを原料として用いて得られるものであってもよい。この場合、ジオールの平均分子量は100〜10000であることが好ましく、500〜5000であればより好ましい。
一般式(I)中の−Z(R)−の部分は、上記一般式(II)で表される2価の基(a)、下記一般式(III)で表される2価の基(b)又は下記一般式(IV)で表される2価の基(c)であることが好ましい。これらの式中、Aは炭素数4以上の4価の有機基(すなわち、4個以上の炭素を含む4価の有機基)、Rは反応性を有する基である。この場合、(a)、(b)及び(c)の合計量を基準として、(a)の割合が10〜90mol%、(b)の割合が0〜90mol%、(c)の割合が0〜90mol%であることが好ましい。
一般式(II)、(III)、(IV)中のAで表される炭素数4以上の4価の有機基としては、例えば、下記化学式:
Figure 0004743204
で表される基が挙げられる。Aは、一般に、変性ポリウレタン樹脂の合成に用いられるテトラカルボン酸無水物に由来するテトラカルボン酸無水物残基である。式(I)中の複数のAは同一でも異なっていてもよい。言い換えると、これらは1種類又は2種類以上のテトラカルボン酸無水物を原料として用いて得られるものであってもよい。
一般式(I)、(III)及び(IV)中のRは反応性を有する基である。反応性を有する基は、硬化剤等と反応して架橋構造を形成し得る官能基を有する基である。この官能基としてはラジカル重合性不飽和基、エポキシ基、シアネートエステル基等が挙げられ、これらの中でもラジカル重合性不飽和基が好ましい。特に、Rは1以上の(メタ)アクリレート基を有する基であることが好ましい。この場合、Rは、例えば下記一般式(V)で表される。なお、(メタ)アクリレート基は、メタクリレート基又はアクリレート基を意味する。
Figure 0004743204
式(V)中、Rは炭素数1〜50の2価の有機基を示し、Rは水素原子又はメチル基を示す。
一般式(I)中のn及びmは1〜100の整数である必要があり、1〜50の整数であることがより好ましい。n又はmが100を超えると、変性ポリウレタン樹脂を含有する接着剤組成物の接着力が必ずしも十分でなくなる。また、n又はmが100を超えると分子量が大きくなり過ぎるため粘度が増大し、溶解性の低下や流動性の低下を招く傾向にある。
変性ポリウレタン樹脂は、例えば、下記(A)と(B)との重縮合により得られる。
(A):下記一般式(VI)で表される化合物、下記一般式(VII)で表される化合物及び下記一般式(VIII)で表される化合物の混合物
Figure 0004743204
(B):イソシアネート末端ウレタンオリゴマ
上記(A)の混合物は、例えば、テトラカルボン酸二無水物と所定量のヒドロキシル基を有する(メタ)アクリレートとを溶媒中70℃〜100℃で1時間から10時間反応させることにより得られる。この反応においては、場合により、触媒として3級アミン類等を用いることができる。また、(メタ)アクリレートの重合を抑制する目的で、フェノール類等の重合禁止剤を用いることもできる。
上記(B)のイソシアネート末端ウレタンオリゴマは、例えば、溶媒中、過剰のジイソシアネート及びジオールを70℃〜160℃で1時間から10時間反応させることにより得られる。この反応においては、場合により一般的なウレタン合成に使用される触媒を用いることもできる。
ウレタンオリゴマを構成するジイソシアネートとジオールの組成比は、ジイソシネート1.0molに対して、ジオール成分0.1〜1.0molが好ましい。変性ポリウレタン樹脂を構成するポリウレタンオリゴマと一般式(I)中で−Z(R)−で表される構造物の組成比は、ポリウレタンオリゴマ1.0molに対して、0.1〜2.0molが好ましい。
上記(A)及び(B)を混合し、70℃〜100℃で1時間から10時間、場合により触媒を用いて反応させることにより、変性ポリウレタン樹脂溶液を得ることができる。また、場合により、更に1価のアルコール、オキシム、アミン、イソシアネート、酸無水物等を溶液に添加して更に反応を続け、変性ポリウレタン樹脂の末端を修飾することもできる。
(A)と(B)との重縮合反応に用いる溶媒は(A)又は(B)を合成する際の溶媒と同じでも異なっていてもよいが、変性ポリウレタン樹脂が溶解する溶媒を用いることが、高分子量化された変性ポリウレタン樹脂を得るためには好ましい。
得られた変性ポリウレタン樹脂溶液から、必要に応じて、水による再沈殿法等により変性ポリウレタン樹脂を取り出すこともできる。
以上説明した本発明の変性ポリウレタン樹脂は、例えば、半導体又は液晶ディスプレイ等の表示システム等において、半導体素子の実装あるいは回路接続用等のための接着剤として使用することができる。
本発明の変性ポリウレタン樹脂は、単独で接着剤として用いられたときでも接着性に優れるが、硬化性樹脂(三次元架橋性樹脂)及びその硬化剤を組み合わせた接着剤組成物の状態で用いることが好ましい。これにより更に高い接続信頼性が得られる。
硬化性樹脂は、硬化により三次元架橋構造を形成する樹脂であればよい。硬化性樹脂の好適な具体例としては、エポキシ樹脂、シアネートエステル樹脂、イミド系樹脂、ラジカル重合により硬化する樹脂(ラジカル重合性物質)であるアクリレート、メタクリレート及びマレイミド化合物等が挙げられる。
これら硬化性樹脂は通常その硬化剤とともに用いられる。エポキシ樹脂の場合、硬化剤として、例えば、公知のイミダゾール系、ヒドラジド系、三フッ化ホウ素−アミン錯体、スルホニウム塩、アミンイミド、ポリアミンの塩、ジシアンジアミド等の硬化剤又はその混合物が用いられる。
エポキシ樹脂としては、1分子内に2個以上のグリシジル基を有する各種のエポキシ化合物が用いられる。エポキシ樹脂の具体例としては、ビスフェノールA,F,S及びAD等から誘導されるビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック及びクレゾールノボラックから誘導されるエポキシノボラック型樹脂、ナフタレン骨格を有するナフタレン型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、上記以外のグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂がある。これらは単独で又は複数種を組合わせて用いられる。
エポキシ樹脂には、一般に、アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、ハロゲンイオン等の不純物イオンが含まれている。エポキシ樹脂としては、これら不純物イオン(特に塩素イオン又は加水分解性塩素)の濃度を300ppm以下に低減した高純度品を用いることがエレクトロマイグレーション防止や回路金属導体の腐食防止のために好ましい。
シアネートエステル樹脂としては、ビス(4−シアナトフェニル)エタン、2,2−ビス(4−シアナトフェニル)プロパン、2,2−ビス(3,5−ジメチル−4−シアナトフェニル)メタン、2,2−ビス(4−シアナトフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、α,α’−ビス(4−シアナトフェニル)−m−ジイソプロピルベンゼン、フェノール付加ジシクロペンタジエン重合体のシアネートエステル化物及びこれらのプレポリマーが挙げられる。これらは単独で又は複数種を組合わせて用いられる。これらの中でも、2,2−ビス(4−シアナトフェニル)プロパン及び2,2−ビス(3,5−ジメチル−4−シアナトフェニル)が硬化物の誘電特性が特に良好であるため好ましい。
シアネートエステル樹脂の硬化剤としては、金属系反応触媒類、例えばマンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛等の金属触媒類が用いられる。具体的には、2−エチルヘキサン酸塩やナフテン酸塩等の有機金属塩化合物及びアセチルアセトン錯体などの有機金属錯体が硬化剤として用いられる。
金属系反応触媒の配合量は、シアネートエステル樹脂に対して1〜3000ppmとすることが好ましく、1〜1000ppmとすることがより好ましく、2〜300ppmとすることが更に好ましい。金属系反応触媒の配合量が1ppm未満では反応性及び硬化性が不十分となる傾向があり、3000ppmを超えると反応の制御が難しくなったり、硬化が速くなりすぎる傾向がある。
ラジカル重合により硬化する樹脂は、ラジカル反応により重合する官能基を有する化合物(ラジカル重合性化合物)からなる。具体的には、(メタ)アクリレート樹脂、マレイミド樹脂、シトラコンイミド樹脂、ナジイミド樹脂などがあり、これら2種類以上を混合して使用してもよい。またラジカル重合性化合物は、モノマー、オリゴマーいずれの状態でも使用することができ、モノマーとオリゴマーを混合して用いてもよい。
(メタ)アクリル樹脂は、1種又は2種以上の(メタ)アクリレート化合物をモノマーとして含む樹脂であり、ラジカル重合により架橋構造を形成する。(メタ)アクリレート化合物としては、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、イソプロピル(メタ)アクリレート、イソブチル(メタ)アクリレート、エテレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、テトラメチレングリコールテトラ(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシ−1,3−ジアクリロキシプロパン、2,2−ビス(4−(アクリロキシメトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−(アクリロキシエトキシ)フェニル)プロパン、ジシクロペンテニル(メタ)アクリレートトリシクロデカニル(メタ)アクリレート、トリス(アクリロキシエチル)イソシアヌレート、ウレタン(メタ)アクリレート及びイソシアヌール酸エチレンオキシド変性ジアクリレートなどがある。これらを単独又は2種類以上を混合して用いられる。また、必要により、ハイドロキノン、メチルエーテルハイドロキノン等のラジカル重合禁止剤を硬化性が損なわれない範囲で使用してもよい。
リン酸エステル構造を有するラジカル重合性化合物を使用することにより、金属等無機物に対する接着力を特に向上することができる。リン酸エステル構造を有するラジカル重合性化合物の使用量は、接着剤組成物100重量部に対して好ましくは0.1〜10重量部であり、より好ましくは0.5〜5重量部である。リン酸エステル構造を有するラジカル重合性化合物は、例えば、無水リン酸と2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレートの反応生成物として得られる。具体的には、モノ(2−メタクリロイルオキシエチル)アシッドホスフェート、ジ(2−メタクリロイルオキシエチル)アシッドホスフェート等がある。これらを単独で又は複数種を組合わせて使用することができる。
マレイミド樹脂は、分子中にマレイミド基を少なくとも1個有している化合物からなる硬化性樹脂である。例えば、フェニルマレイミド、1−メチル−2,4−ビスマレイミドベンゼン、N,N’−m−フェニレンビスマレイミド、N,N’−p−フェニレンビスマレイミド、N,N’−4,4−ビフェニレンビスマレイミド、N,N’−4,4−(3,3−ジメチルビフェニレン)ビスマレイミド、N,N’−4,4−(3,3−ジメチルジフェニルメタン)ビスマレイミド、N,N’−4,4−(3,3−ジエチルジフェニルメタン)ビスマレイミド、N,N’−4,4−ジフェニルメタンビスマレイミド、N,N’−4,4−ジフェニルプロパンビスマレイミド、N,N’−4,4−ジフェニルエーテルビスマレイミド、N,N’−4,4−ジフェニルスルホンビスマレイミド、2,2−ビス(4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(3−s−ブチル−3,4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル)プロパン、1,1−ビス(4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル)デカン、4,4’−シクロヘキシリデン−ビス(1−(4−マレイミドフェノキシ)フェノキシ)−2−シクロヘキシルベンゼン及び2,2−ビス(4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル)ヘキサフルオロプロパンがある。こられを単独で又は2種類以上を混合して使用することができる。
シトラコンイミド樹脂は、分子中にシトラコンイミド基を少なくとも1個有しているシトラコンイミド化合物からなる硬化性樹脂である。シトラコンイミド化合物としては、例えば、フェニルシトラコンイミド、1−メチル−2,4−ビスシトラコンイミドベンゼン、N,N’−m−フェニレンビスシトラコンイミド、N,N’−p−フェニレンビスシトラコンイミド、N,N’−4,4−ビフェニレンビスシトラコンイミド、N,N’−4,4−(3,3−ジメチルビフェニレン)ビスシトラコンイミド、N,N’−4,4−(3,3−ジメチルジフェニルメタン)ビスシトラコンイミド、N,N’−4,4−(3,3−ジエチルジフェニルメタン)ビスシトラコンイミド、N,N’−4,4−ジフェニルメタンビスシトラコンイミド、N,N’−4,4−ジフェニルプロパンビスシトラコンイミド、N,N’−4,4−ジフェニルエーテルビスシトラコンイミド、N,N’−4,4−ジフェニルスルホンビスシトラコンイミド、2,2−ビス(4−(4−シトラコンイミドフェノキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(3−s−ブチル−3,4−(4−シトラコンイミドフェノキシ)フェニル)プロパン、1,1−ビス(4−(4−シトラコンイミドフェノキシ)フェニル)デカン、4,4'−シクロヘキシリデン−ビス(1−(4−シトラコンイミドフェノキシ)フェノキシ)−2−シクロヘキシルベンゼン及び2,2−ビス(4−(4−シトラコンイミドフェノキシ)フェニル)ヘキサフルオロプロパンがある。これらを単独で又は2種類以上を混合して使用することができる。
ナジイミド樹脂は、分子中にナジイミド基を少なくとも1個有しているナジイミド化合物からなる硬化性樹脂である。ナジイミド化合物としては、例えば、フェニルナジイミド、1−メチル−2,4−ビスナジイミドベンゼン、N,N’−m−フェニレンビスナジイミド、N,N’−p−フェニレンビスナジイミド、N,N’−4,4−ビフェニレンビスナジイミド、N,N’−4,4−(3,3−ジメチルビフェニレン)ビスナジイミド、N,N’−4,4−(3,3−ジメチルジフェニルメタン)ビスナジイミド、N,N’−4,4−(3,3−ジエチルジフェニルメタン)ビスナジイミド、N,N’−4,4−ジフェニルメタンビスナジイミド、N,N’−4,4−ジフェニルプロパンビスナジイミド、N,N’−4,4−ジフェニルエーテルビスナジイミド、N,N’−4,4−ジフェニルスルホンビスナジイミド、2,2−ビス(4−(4−ナジイミドフェノキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(3−s−ブチル−3,4−(4−ナジイミドフェノキシ)フェニル)プロパン、1,1−ビス(4−(4−ナジイミドフェノキシ)フェニル)デカン、4,4'−シクロヘキシリデン−ビス(1−(4−ナジイミドフェノキシ)フェノキシ)−2−シクロヘキシルベンゼン及び2,2−ビス(4−(4−ナジイミドフェノキシ)フェニル)ヘキサフルオロプロパンがある。これらを単独で又は2種類以上を混合して使用することができる。
ラジカル重合により硬化する硬化性樹脂を用いる場合、硬化剤として重合開始剤を使用する。重合開始剤としては、熱又は光によって遊離ラジカルを発生する化合物であれば特に制限はない。重合開始剤としては過酸化物、アゾ化合物などがある。重合開始剤は、目的とする接続温度、接続時間、保存安定性等を考慮し適宜選択されるが、高反応性と保存安定性の点から、半減期10時間の温度が40℃以上で半減期1分の温度が180℃以下である有機過酸化物が好ましく、半減期10時間の温度が50℃以上で半減期1分の温度が170℃以下である有機過酸化物が特に好ましい。接着に要する時間(接続時間)を10秒とした場合、十分な反応率を得るためには、硬化剤の配合量は1〜20重量%が好ましく、2〜15重量%が特に好ましい。
本発明で使用される有機過酸化物の具体例としては、ジアシルパーオキサイド、パーオキシジカーボネート、パーオキシエステル、パーオキシケタール、ジアルキルパーオキサイド、ハイドロパーオキサイド及びシリルパーオキサイドがある。これらは2種以上を適宜混合して用いることができる。これらの中でも、含まれる塩素イオンや有機酸の濃度は5000ppm以下であり加熱分解後に発生する有機酸が少ないことから、パーオキシエステル、ジアルキルパーオキサイド、ハイドロパーオキサイド及びシリルパーオキサイドが特に好ましい。塩素イオンや有機酸の量が少ないことにより、回路部材の接続端子の腐食を抑えることができる。
ジアシルパーオキサイドとしては、イソブチルパーオキサイド、2,4−ジクロロベンゾイルパーオキサイド、3、5、5−トリメチルヘキサノイルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、ラウロイルパーオキサイド、ステアロイルパーオキサイド、スクシニックパーオキサイド、ベンゾイルパーオキシトルエン、ベンゾイルパーオキサイド等が挙げられる。
パーオキシジカーボネートとしては、ジ−n−プロピルパーオキシジカーボネート、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、ビス(4−t−ブチルシクロヘキシル)パーオキシジカーボネト、ジ−2−エトキシメトキシパーオキシジカーボネート、ジ(2−エチルヘキシルパーオキシ)ジカーボネート、ジメトキシブチルパーオキシジカーボネート、ジ(3−メチル−3−メトキシブチルパーオキシ)ジカーボネート等が挙げられる。
パーオキシエステル類としては、クミルパーオキシネオデカノエート、1,1,3,3−テトラメチルブチルパーオキシネオデカノエート、1−シクロヘキシル−1−メチルエチルパーオキシノエデカノエート、t−ヘキシルパーオキシネオデカノエート、t−ブチルパーオキシピバレート、1,1,3,3−テトラメチルブチルパーオキシ−2−エチルヘキサノネート、2,5−ジメチル−2,5−ジ(2−エチルヘキサノイルパーオキシ)ヘキサン、1−シクロヘキシル−1−メチルエチルパーオキシ−2−エチルヘキサノネート、t−ヘキシルパーオキシ−2−エチルヘキサノネート、t−ブチルパーオキシ−2−エチルヘキサノネート、t−ブチルパーオキシイソブチレート、1,1−ビス(t−ブチルパーオキシ)シクロヘキサン、t−ヘキシルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、t−ブチルパーオキシ−3,5,5−トリメチルヘキサノネート、t−ブチルパーオキシラウレート、2,5−ジメチル−2,5−ジ(m−トルオイルパーオキシ)ヘキサン、t−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、t−ブチルパーオキシ−2−エチルヘキシルモノカーボネート、t−ヘキシルパーオキシベンゾエート、t−ブチルパーオキシアセテート等が挙られる。
パーオキシケタールとしては、1,1−ビス(t−ヘキシルパーオキシ)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサン、1,1−ビス(t−ヘキシルパーオキシ)シクロヘキサン、1,1−ビス(t−ブチルパーオキシ)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサン、1,1−(t−ブチルパーオキシ)シクロドデカン、2,2−ビス(t−ブチルパーオキシ)デカン等が挙げられる。
ジアルキルパーオキサイドとしては、α,α’−ビス(t−ブチルパーオキシ)ジイソプロピルベンゼン、ジクミルパーオキサイド、2,5−ジメチル−2,5−ジ(t−ブチルパーオキシ)ヘキサン、t−ブチルクミルパーオキサイド等が挙げられる。
ハイドロパーオキサイドとしては、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド等が挙げられる。
シリルパーオキサイドとしては、t−ブチルトリメチルシリルパーオキサイド、ビス(t−ブチル)ジメチルシリルパーオキサイド、t−ブチルトリビニルシリルパーオキサイド、ビス(t−ブチル)ジビニルシリルパーオキサイド、トリス(t−ブチル)ビニルシリルパーオキサイド、t−ブチルトリアリルシリルパーオキサイド、ビス(t−ブチル)ジアリルシリルパーオキサイド、トリス(t−ブチル)アリルシリルパーオキサイド等が挙げられる。
回路部材の接続端子(電極)の腐食を抑えるために、硬化剤中に含有される塩素イオンや有機酸の濃度は5000ppm以下であることが好ましい。更に、加熱分解後に発生する有機酸が少ない硬化剤がより好ましい。また、接着剤組成物(回路接続材料)の安定性が向上することから、硬化剤は室温、常圧下で24時間の開放放置後に20重量%以上の重量保持率を有することが好ましい。
これらの重合開始剤(遊離ラジカル発生剤)は単独又は混合して使用することができる。重合開始剤と分解促進剤、抑制剤等とを混合して用いてもよい。
これらの硬化剤をポリウレタン系、ポリエステル系の高分子物質等で被覆してマイクロカプセル化したものは、可使時間が延長されるために好ましい。
接着剤組成物において、変性ポリウレタン樹脂と硬化性樹脂との配合比は重量比で変性ポリウレタン樹脂:硬化性樹脂=1:99〜99:1であることが好ましく、10:90〜90:10であることがより好ましい。
接着剤組成物には、流動性や、物性の向上又は導電性、異方導電性、熱伝導性の機能の付加を目的にフィラーや粒子を添加することができる。このフィラーや粒子としては、シリカ、三酸化二アンチモン、金、銀、銅、ニッケル、アルミニウム、ステンレス、カーボン、セラミックがある。又は、上記金属、非導電性のガラス、セラッミク、プラスチック等を核としこの核に上記金属やカーボンを被覆したものでもよい。フィラーや粒子の使用量は特に制限は受けないが、変性ポリウレタン樹脂を含む接着剤組成物の全体量100体積%に対して0.1〜50体積%とすることが好ましい。
接着剤組成物は、特に、導電粒子をフィラーとして含有していることが好ましい。好ましい導電粒子としては、Ni等の遷移金属や、非導電性のガラス、セラミック、プラスチック等で形成された粒子を核としてその表面をAu等の貴金属からなる被覆層で被覆したものがある。このような貴金属の被覆層を有する導電粒子を用いた接着剤組成物は、回路接続材料として用いられたときに、加熱及び加圧により変形することにより回路電極との接触面積が増加して、特に高い接続信頼性が得られる。
導電性粒子としては、Au、Ag、Ni、Cu、はんだ等の金属の粒子やカーボン粒子等が挙げられる。ポットライフを十分に長くするため、導電性粒子は、Au、Ag、白金属の金属を含むことが好ましく、Auを含むことがより好ましい。
接着剤組成物は、接着力及び接着剤の物性の向上を目的として、種々のポリマを含有していてもよい。使用するポリマは特に制限を受けない。このようなポリマとしては、ビスフェノールA型フェノキシ樹脂やビスフェノールF型フェノキシ樹脂、ビスフェノールA・ビスフェノールF共重合型フェノキシ樹脂等の汎用フェノキシ樹脂類、ポリメタクリレート類、ポリアクリレート類、ポリイミド類、ポリウレタン類、ポリエステル類、ポリビニルブチラール、SBS及びそのエポキシ変性体、SEBS及びその変性体などを用いることができる。これらは単独あるいは2種類以上を混合して用いることができる。更に、これらポリマ中にはシロキサン結合やフッ素置換基が含まれていてもよい。これらは、混合する樹脂同士が完全に相溶するか、又はミクロ相分離が生じて白濁する状態であれば接着剤組成物中で好適に用いることができる。上記ポリマの分子量は特に制限を受けるものではないが、一般に、平均分子量としては5000〜150000が好ましく、10000〜80000が特に好ましい。この値が5000未満では接着剤の物性が低下する傾向があり、150000を超えると他の成分との相溶性が低下する傾向がある。使用量は変性ポリウレタン樹脂を含む接着剤組成物100重量部に対して20〜320重量部とすることが好ましい。この使用量が20重量部未満又は320重量部を超える場合は、流動性や接着性が低下する傾向がある。
接着剤組成物には適宜、軟化剤、促進剤、老化防止剤、着色剤、難燃剤、カップリング剤を添加してもよい。
接着剤組成物は、常温で液状である場合にはペースト状の状態で使用することができる。室温で固体の場合には、加熱により液状化して使用してもよいし、溶剤を使用してペースト化してもよい。使用できる溶剤としては、接着剤組成物及び添加剤と反応性がなく、かつ十分な溶解性を示すものであれば、特に制限は受けないが、常圧での沸点が50〜150℃であるものが好ましい。沸点が50℃以下の場合、室温で放置すると揮発するおそれがあり、開放系での使用が制限される。また、沸点が150℃以上だと、溶剤を揮発させることが難しく、接着後の信頼性に悪影響を及ぼすおそれがある。
接着剤組成物はフィルム状に成形してフィルム状接着剤として用いることもできる。図1は、本発明に係る接着剤組成物を用いたフィルム状接着剤の一実施形態を示す断面図である。フィルム状接着剤1においては、導電粒子5が接着剤組成物中の他の成分からなる樹脂層3中に分散している。
フィルム状接着剤1は、例えば、接着剤組成物に必要により溶剤等を加えるなどした溶液を、フッ素樹脂フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、離形紙等の剥離性基材上に塗布し、あるいは不織布等の基材に溶液を含浸させて剥離性基材上に載置し、溶剤等を除去して得られる。接着剤組成物をフィルム状で使用すると取扱性等の点から一層便利である。
接着剤組成物は熱膨張係数の異なる異種の被着体同士を接着するための接着剤として好適に使用することができる。具体的には、回路電極を有する回路部材同士を接着するとともに電気的に接続するために用いられる回路接続材料や、CSP用エラストマー、CSP用アンダーフィル材、LOCテープ及びダイボンド接着材等に代表される半導体素子接着剤として使用することができる。銀ペースト、銀フィルム及び異方導電接着剤に代表される回路接続材料は、例えば、半導体チップ、抵抗体チップ、コンデンサチップ等のチップ部品や、プリント基板等のような回路部材同士を接続するために用いられる。
図2は、本発明に係る回路部材の接続構造の一実施形態を示す断面図である。図2に示す回路部材の接続構造101は、第一の基板11及びこれの主面上に接着剤層12を介して形成された第一の回路電極13を有する第一の回路部材10と、第二の基板21及びこれの主面上に形成された第二の回路電極23を有する第二の回路部材20とを備えている。そして、第一の回路電極13と第二の回路電極23とが電気的に接続されるように第一の回路部材10と第二の回路部材20とがフィルム状接着剤1で接着されている。第一の回路部材10及び第二の回路部材20の対向面間を充填するように、フィルム状接着剤1が硬化して形成される硬化物である回路接続部材1aが形成されている。
回路部材の接続構造101においては、第一の回路電極13と第二の回路電極23とが対峙するとともに電気的に接続されている。
回路接続部材1aは、樹脂層3に由来する絶縁層3a及びこれに分散している導電粒子5から構成される。第一の回路電極13と第二の回路電極23とは、導電粒子5を介して電気的に接続されている。
第一の基板11は、ポリエステルテレフタレート、ポリエーテルサルフォン、エポキシ樹脂、アクリル樹脂及びポリイミド樹脂からなる群より選ばれる少なくとも1種の樹脂を含む樹脂フィルムである。
回路電極13は、電極として機能し得る程度の導電性を有する材料(好ましくは金、銀、錫、白金族の金属及びインジウム−錫酸化物からなる群より選ばれる少なくとも一種)で形成されている。複数の回路電極13が、接着剤層12を介して第一の基板11の主面上に接着されている。接着剤層12は、フレキシブル配線板等の回路部材において通常用いられる接着剤等で形成される。
第二の基板21はガラス基板であり、第二の基板21の主面上には、複数の第二の回路電極23が形成されている。
回路部材の接続構造101は、例えば、第一の回路部材10と、上記のフィルム状接着剤1と、第二の回路部材20とを、第一の回路電極13と第二の回路電極23とが対峙するようにこの順に積層した積層体を加熱及び加圧することにより、第一の回路電極13と第二の回路電極23とが電気的に接続されるように第一の回路部材10と第二の回路部材20とを接着する方法によって、得られる。
この方法においては、まず、支持フィルム上に形成されているフィルム状接着剤1を第二の回路部材20上に貼り合わせた状態で加熱及び加圧して回路接続材料1を仮接着し、支持フィルムを剥離してから、第一の回路部材10を回路電極を位置合わせしながら載せて、積層体を準備することができる。
上記積層体を加熱及び加圧する条件は、接着剤組成物の硬化性等に応じて、接着剤組成物が硬化して十分な接着強度が得られるように、適宜調整される。
本発明に係る回路部材の接続構造は、上記実施形態に限定されないことは言うまでもない。例えば、第一の回路部材において、第一の基板の主面上に第一の回路電極13が接着剤層を介することなく直接形成されいてもよい。
以下に、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
(変性ポリウレタン樹脂PU−1の合成)
オキシジフタル酸二無水物(1.0mol)、2−ヒドロキシエチルメタクリレート(0.2mol)、トリエチルアミン(0.01mol)及びヒドロキノン(0.01mol)をγ―ブチロラクトン中で窒素雰囲気下、80℃で5時間攪拌し、オキシジフタル酸二無水物の一部に2−ヒドロキシエチルメタクリレートが付加したオキシジフタル酸二無水物混合液を得た。
一方、ジフェニルメタン−4,4’−ジイソシアネート(1.0mol)、ジフェニルメタン−2,4’−ジイソシアネート(1.0mol)及び平均分子量2000のポリテトラメチレングリコール(0.8mol)を1−メチル−2−ピロリドン中で窒素雰囲気下、100℃で2時間反応させ、そこに、上記オキシジフタル酸二無水物混合液を加え、更に、80℃で5時間反応させた。更に、ベンジルアルコールを添加し80℃で2時間攪拌し、反応を終了した。反応後の溶液を激しく攪拌させた水に入れた。析出した沈殿物を濾別し、メタノールで洗浄後、真空中60℃で8時間乾燥させて、一般式(I)において−Z(R)−の部分が下記化学式(IIa)、(IIIa)又は(IVa)で表される2価の基である分子鎖を含む変性ポリウレタン樹脂PU−1を得た。
Figure 0004743204
変性ポリウレタン樹脂PU−1のGPCを測定したところ、ポリスチレン換算で、Mw=27000、Mn=12500であった。
(変性ポリウレタンイミドPU−2の合成)
平均分子量2000のポリテトラメチレングリコール(0.8mol)を平均分子量2000のポリ(ヘキサメチレンカーボネート)(0.8mol)に代えた他はPU−1と同様にして、一般式(I)において−Z(R)−の部分が下記化学式(IIa)、(IIIa)又は(IVa)で表される2価の基である分子鎖を含む変性ポリウレタン樹脂PU−2を得た。変性ポリウレタン樹脂PU−2のGPCを測定したところ、ポリスチレン換算でMw=25000、Mn=12000であった。
(実施例1)
PU−1をメチルエチルケトンに固形分濃度40質量%で溶解し、硬化剤として1,1−ビス(t−ヘキシルパーオキシ)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサン(パーヘキサTMH、日本油脂株式会社製商品名)を固形重量比でPU−1の量100重量部に対して2重量部加え、更に導電粒子を1.5体積%加えてこれを分散した。導電性子は、ポリスチレンを核とする粒子の表面に厚み0.2μmのニッケル層を設け、このニッケル層の外側に厚み0.02μmの金層を設けた平均粒径5μm、比重2.5のものを用いた。導電粒子を分散した溶液を厚み80μmのフッ素樹脂フィルムに塗工装置を用いて塗布し、70℃、10分の熱風乾燥によって接着剤層の厚みが20μmのフィルム状回路接続用異方導電接着剤(フィルム状接着剤)を得た。
上記製法によって得たフィルム状接着剤を用いて、2層フレキシブル回路板(FPC)と、ガラス基板(厚み1.1mm、表面抵抗20Ω/□)上に厚み2μmの酸化インジウム(ITO)の薄層が電極として形成されている回路部材とを、熱圧着装置(加熱方式:コンスタントヒート型、東レエンジニアリング株式会社製)を用いて加熱及び加圧を行って幅2mmにわたり接続し、回路部材の接続構造である接続体を作製した。FPCは厚さ40umのポリイミドフィルム上にライン幅50μm、ピッチ100μm、厚み10μmの銅回路500本を蒸着により形成したものを用いた。また、加熱及び加圧は170℃、3MPaで20秒間行った。
得られた接続体の接着強度を、JIS−Z0237に準じて90度剥離法で測定することにより評価した。接着強度の測定装置は東洋ボールドウィン株式会社製テンシロンUTM−4(剥離速度50mm/min、25℃)を使用した。
(実施例2)
PU−1に代えてPU−2を用いた他は実施例1と同様にしてフィルム状接着剤を作製し、これを用いて実施例1と同様に接続体を作製し、その接着強度を測定した。
(実施例3)
80重量部のPU−1、硬化性樹脂としての20重量部のイソシアヌル酸EO変性ジアクリレート(東亞合成製、アロニックスM215)、及び硬化剤としての2重量部の1,1−ビス(t−ヘキシルパーオキシ)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサン(パーヘキサTMH、日本油脂株式会社製商品名)を混合した。得られた混合物に実施例1と同様の導電粒子を1.5体積%加えてこれを分散して接着剤組成物を調製した。この接着剤を用いて実施例1と同様にフィルム状接着剤を作製した。そして、得られたフィルム状接着剤を用いて実施例1と同様にして接続体を作製し、その接着強度を測定した。
(比較例1)
PU−1に代えてウレタンアクリレート(UA−511、新中村化学工業株式会社製)を用いた他は実施例1と同様にして、接続体の接着強度を測定した。
(比較例2)
PU−1に代えてジフェニルメタン−4,4’−ジイソシアネート(0.5mol)、ジフェニルメタン−2,4’−ジイソシアネート(0.5mol)及び平均分子量2000のポリテトラメチレングリコール(1.0mol)から得られるポリウレタン(平均分子量Mw=57000、Mn=35000)を用いて実施例3と同様にして接続体の接着強度を測定した。
Figure 0004743204
実施例及び比較例の評価結果を表1にまとめて示す。表1に示されるように、従来のポリウレタン樹脂を用いた比較例1、2の接続体は接着強度が必ずしも十分でなかったのに対して、本発明に係る変性ポリウレタン樹脂を用いた実施例の接続体は十分に大きな接着強度を示した。

Claims (8)

  1. 下記一般式(I)で表される分子鎖を含む変性ポリウレタン樹脂。
    Figure 0004743204
    [式中、Xは芳香族環又は脂肪族環を有する2価の有機基、Yは分子量100〜10000の2価の有機基、Rは(メタ)アクリレート基を有する基、rは0〜2の整数、n及びmはそれぞれ独立に1〜100の整数、を示し、−Z(R)−で表される部分が、下記一般式(II)で表される2価の基(a)、下記一般式(III)で表される2価の基(b)又は下記一般式(IV)で表される2価の基(c)であり、同一分子中の複数のX、Y、Z及びRはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。ただし、分子鎖中には少なくとも1個のRが存在する。]
    Figure 0004743204
    [式(II)、(III)及び(IV)中、Aは炭素数4以上の4価の有機基、Rは(メタ)アクリレート基を有する基、を示す。]
  2. (a)、(b)及び(c)の合計量を基準として、(a)の割合が10〜90mol%、(b)の割合が0〜90mol%、(c)の割合が0〜90mol%である、請求項1記載の変性ポリウレタン樹脂。
  3. 請求項1又は2記載の変性ポリウレタン樹脂を含有する接着剤組成物。
  4. 硬化性樹脂を更に含有する、請求項記載の接着剤組成物。
  5. 前記硬化性樹脂がラジカル重合により硬化する樹脂であり、
    光照射又は加熱により遊離ラジカルを発生する硬化剤を含有している、請求項記載の接着剤組成物。
  6. 導電粒子を更に含有する、請求項のいずれか一項に記載の接着剤組成物。
  7. 第一の基板及びこれの主面上に形成された第一の回路電極を有する第一の回路部材と、
    第二の基板及びこれの主面上に形成された第二の回路電極を有する第二の回路部材とを請求項のいずれか一項に記載の接着剤組成物で接着することにより、前記第一の回路電極と前記第二の回路電極とを電気的に接続する、回路部材の接続方法。
  8. 第一の基板及びこれの主面上に形成された第一の回路電極を有する第一の回路部材と、第二の基板及びこれの主面上に形成された第二の回路電極を有する第二の回路部材と、を備え、
    前記第一の回路電極と前記第二の回路電極とが電気的に接続されるように前記第一の回路部材と前記第二の回路部材とが請求項のいずれか一項に記載の接着剤組成物で接着されている、回路部材の接続構造。
JP2007517724A 2005-05-27 2006-01-27 変性ポリウレタン樹脂及びこれを用いた接着剤組成物、並びに回路部材の接続方法及び回路部材の接続構造 Active JP4743204B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007517724A JP4743204B2 (ja) 2005-05-27 2006-01-27 変性ポリウレタン樹脂及びこれを用いた接着剤組成物、並びに回路部材の接続方法及び回路部材の接続構造

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005155405 2005-05-27
JP2005155405 2005-05-27
JP2007517724A JP4743204B2 (ja) 2005-05-27 2006-01-27 変性ポリウレタン樹脂及びこれを用いた接着剤組成物、並びに回路部材の接続方法及び回路部材の接続構造
PCT/JP2006/301356 WO2006126305A1 (ja) 2005-05-27 2006-01-27 変性ポリウレタン樹脂及びこれを用いた接着剤組成物、並びに回路部材の接続方法及び回路部材の接続構造

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2006126305A1 JPWO2006126305A1 (ja) 2008-12-25
JP4743204B2 true JP4743204B2 (ja) 2011-08-10

Family

ID=37451738

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007517724A Active JP4743204B2 (ja) 2005-05-27 2006-01-27 変性ポリウレタン樹脂及びこれを用いた接着剤組成物、並びに回路部材の接続方法及び回路部材の接続構造

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP4743204B2 (ja)
KR (1) KR100934802B1 (ja)
CN (1) CN101180335B (ja)
TW (1) TWI399405B (ja)
WO (1) WO2006126305A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013206765A (ja) * 2012-03-29 2013-10-07 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk ダイボンド用導電性ペースト及び該導電性ペーストによるダイボンド方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101293481B1 (ko) 2013-07-08 2013-08-06 주식회사 비츠로테크 차단기와 단로기/접지개폐기 간의 인터록 연동장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4947278B1 (ja) * 1970-03-30 1974-12-14
JPH07113004A (ja) * 1993-10-18 1995-05-02 Regurusu:Kk 熱可塑性ポリウレタンエラストマー及びその製造方法
JPH11199669A (ja) * 1998-01-14 1999-07-27 Ajinomoto Co Inc 変成ポリイミド樹脂及びこれを含有する熱硬化性樹脂組成物
JP2000053744A (ja) * 1998-08-07 2000-02-22 Hitachi Chem Co Ltd 樹脂組成物、接着剤、接着フィルム、これを用いたリードフレーム及び半導体装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1415155A (en) * 1971-10-28 1975-11-26 Johnson Matthey Co Ltd Catalysis
US4786657A (en) * 1987-07-02 1988-11-22 Minnesota Mining And Manufacturing Company Polyurethanes and polyurethane/polyureas crosslinked using 2-glyceryl acrylate or 2-glyceryl methacrylate
JPH01159824A (ja) * 1987-12-16 1989-06-22 Toyobo Co Ltd 磁気記録媒体
US7320830B2 (en) * 2001-09-05 2008-01-22 Hitachi Chemical Co., Ltd. Flame-retardant heat-resistant resin composition and adhesive film comprising the same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4947278B1 (ja) * 1970-03-30 1974-12-14
JPH07113004A (ja) * 1993-10-18 1995-05-02 Regurusu:Kk 熱可塑性ポリウレタンエラストマー及びその製造方法
JPH11199669A (ja) * 1998-01-14 1999-07-27 Ajinomoto Co Inc 変成ポリイミド樹脂及びこれを含有する熱硬化性樹脂組成物
JP2000053744A (ja) * 1998-08-07 2000-02-22 Hitachi Chem Co Ltd 樹脂組成物、接着剤、接着フィルム、これを用いたリードフレーム及び半導体装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013206765A (ja) * 2012-03-29 2013-10-07 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk ダイボンド用導電性ペースト及び該導電性ペーストによるダイボンド方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI399405B (zh) 2013-06-21
WO2006126305A1 (ja) 2006-11-30
CN101180335A (zh) 2008-05-14
KR100934802B1 (ko) 2009-12-31
JPWO2006126305A1 (ja) 2008-12-25
TW200641046A (en) 2006-12-01
KR20080022121A (ko) 2008-03-10
CN101180335B (zh) 2010-12-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4421161B2 (ja) 配線接続材料及びそれを用いた配線板製造方法
US7776438B2 (en) Adhesive film for circuit connection, and circuit connection structure
JP4862921B2 (ja) 回路接続材料、回路接続構造体及びその製造方法
JP4862944B2 (ja) 回路接続材料
KR100860892B1 (ko) 접착제 조성물, 및 회로접속용 접착제 조성물
JP5067355B2 (ja) 回路接続材料及び回路部材の接続構造
JP4941554B2 (ja) フィルム状回路接続材料及び回路部材の接続構造
JP4760069B2 (ja) 接着剤組成物、回路接続用接着剤組成物及びそれを用いた回路接続構造体、半導体装置
JP4916677B2 (ja) 配線接続材料及びそれを用いた配線板製造方法
JP4604682B2 (ja) ポリウレタンイミド樹脂及びこれを用いた接着剤組成物
JP4605184B2 (ja) 配線接続材料及びそれを用いた配線板製造方法
JP3877090B2 (ja) 回路接続材料及び回路板の製造法
JP4743204B2 (ja) 変性ポリウレタン樹脂及びこれを用いた接着剤組成物、並びに回路部材の接続方法及び回路部材の接続構造
JP5067101B2 (ja) 接着剤組成物
JP4617848B2 (ja) 接着剤組成物及び回路接続用接着剤組成物
JP2008255312A (ja) 接着剤組成物
JP5023665B2 (ja) 接着剤組成物、それを用いたフィルム状接着剤及び回路接続材料、並びに、接続体
JP5387592B2 (ja) 回路接続材料、及び回路部材の接続構造の製造方法
JP2008106283A (ja) 回路接続材料及び回路板の製造法
JP2010004067A (ja) 回路接続材料
KR20080103462A (ko) 접착제 조성물
JP2009182365A (ja) 回路板の製造方法及び回路接続材料
JP2008106282A (ja) 回路接続材料及び回路板の製造法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090714

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110118

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110315

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110412

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110425

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140520

Year of fee payment: 3

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 4743204

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140520

Year of fee payment: 3

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140520

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350