KR20150005658A - 필름 형상 접착제용 조성물 및 그의 제조방법, 필름 형상 접착제, 및, 필름 형상 접착제를 이용한 반도체 패키지 및 그의 제조방법 - Google Patents

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미노루 모리타
히로유키 야노
신지 오히라
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후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤
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Abstract

에폭시 수지(A), 에폭시 수지 경화제(B), 페녹시 수지(C), 및, 평균 입경 0.01 ~ 2.0μm의 구상 실리카 필러가 실란 커플링제로 표면 처리된 표면 처리 구상 실리카 필러(D)를 함유하며, 또한, 상기 표면 처리 구상 실리카 필러(D)의 함유량이 상기 에폭시 수지(A), 상기 에폭시 수지 경화제(B), 상기 페녹시 수지(C) 및 상기 표면 처리 구상 실리카 필러(D)의 합계량에 대해서 30 ~ 70 질량%이며, 열경화 후의 200℃에서의 탄성률이 20 ~ 3000 MPa이며, 열경화 후의 포화 흡수율이 1.5 질량% 이하인, 필름 형상 접착제용 조성물의 제조방법이며, 상기 표면 처리 구상 실리카 필러(D)를 유기 용매 중에 분산시켜서 표면 처리 구상 실리카 필러 분산액을 얻는 공정과, 상기 표면 처리 구상 실리카 필러 분산액에, 상기 에폭시 수지(A), 상기 에폭시 수지 경화제(B) 및 상기 페녹시 수지(C)를 혼합하여 필름 형상 접착제용 조성물을 얻는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 필름 형상 접착제용 조성물의 제조방법.

Description

필름 형상 접착제용 조성물 및 그의 제조방법, 필름 형상 접착제, 및, 필름 형상 접착제를 이용한 반도체 패키지 및 그의 제조방법{COMPOSITION FOR FILM ADHESIVES, METHOD FOR PRODUCING SAME, FILM ADHESIVE, SEMICONDUCTOR PACKAGE USING FILM ADHESIVE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR PACKAGE USING FILM ADHESIVE}
본 발명은, 필름 형상 접착제용 조성물 및 그의 제조방법, 필름 형상 접착제, 및, 필름 형상 접착제를 이용한 반도체 패키지 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
종래, 반도체 패키지의 제조 과정에 있어서의 배선 기판과 반도체 칩과의 접착에는, 페이스트 상태의 접착제가 사용되어 왔다. 그러나, 최근에는 반도체 패키지의 고기능화에 수반하여 패키지 내부의 고밀도 실장화가 요구되고 있고, 수지 흐름이나 수지 올라옴 등에 의해서 반도체 칩이나 와이어 패드 등의 다른 부재가 오염되는 것을 방지하기 위해서, 필름 형상 접착제(다이 어테치 필름(die attach film))의 사용이 증가되고 있다. 특히, 아날로그 용도의 반도체 패키지로서는, 기억 기능으로서 작용하는 메모리 등의 디지탈 용도의 반도체 패키지와 비교하여, 보다 소형의 반도체 칩이 사용되고 있고, 패키지 내부의 배선 룰의 미세화가 더 진행되고 있기 때문에, 배선 기판이 한정된 영역 내에 반도체 칩을 높은 정밀도로 접착할 수 있는 필름 형상 접착제의 개발이 요구되고 있다.
반도체 칩을 페이스업(face-up) 상태로 배선 기판에 접착시키는 경우, 통상, 배선 기판 및 반도체 칩은, 금, 은, 알루미늄 등의 금속으로 이루어지는 본딩 와이어에 의해 접속되는데, 근년의 금 가격 상승이 발단이 되어, 이들 본딩 와이어 중에서도 비교적 저비용인 구리 와이어의 사용이 증가되고 있다. 상기 본딩 와이어에 의한 접속은, 통상, 본딩 와이어를 100℃ 이상으로 가열하여 금속을 용융시키고, 배선 기판 및 반도체 칩과 금속 접합시키는데, 상기 구리 와이어를 이용하는 경우에는 특히 고온으로 가열하는 것이 필요하고, 또한, 배선 기판과 반도체 칩과의 사이의 접착이 불안정하면, 소형의 반도체 칩을 이용하는 경우에는 특히, 본딩 와이어의 접합 강도가 부족해지기 쉬워지는 경향이 있고, 경화 후의 고온에서의 탄성률이 보다 높은 필름 형상 접착제의 개발이 요구되고 있다.
또한, 일반적으로, 반도체 패키지는, 그 배선 기판이 리드와 리플로우 방식에 의해 직접 납땜되어서 장치 등에 실장되는데, 이 때, 반도체 패키지 전체가 210 ~ 260℃의 고온에 노출되기 때문에, 경화 후의 필름 형상 접착제의 내부에 수분이 존재하고 있으면, 해당 수분이 폭발적으로 기화하여 패키지 크랙이 발생하는 일이 있다. 특히, 반도체 패키지 중의 반도체 칩이 소형화되어서 배선 기판과 반도체 칩과의 접착 면적이 작아짐에 따라서 패키지 크랙은 발생하기 쉬워지는 경향이 있기 때문에, 경화 후의 흡수율이 보다 낮은 필름 형상 접착제의 개발이 요구되고 있다.
이러한 패키지 크랙을 억제하는 것을 목적으로 한 필름 형상 접착제로서는, 예를 들면, 일본공개특허공보 2000-200794호(특허문헌 1)에 있어서, 흡수율이 1.5 체적% 이하인 필름 형상 접착제(다이 본딩재)가 기재되어 있다. 그러나, 동일 문헌에 기재된 필름 형상 접착제는, 고온에서의 탄성률이 낮고, 본딩 와이어를 충분한 강도로 접합하는 것이 곤란하다는 문제를 가지고 있었다.
또한, 필름 형상 접착제의 탄성률을 향상시켜서, 흡수율을 저하시키는 방법으로서는, 실리카 필러(silica filler)를 많이 함유시키는 기술이 알려져 있고, 예를 들면, 일본공개특허공보 2005-19516호(특허문헌 2)의 실시예에 있어서는, 에폭시 수지와 페놀 수지와 합성 고무를 함유하는 필름 형상 접착제(다이 본드용 접착 필름)에 있어서, 평균 입경(粒徑)이 0.5μm 구상(球狀) 융용 실리카를 필러로서 첨가하는 것으로 고온에 있어서의 탄성률이 높아지는 것이 기재되어 있다.
그러나, 특허문헌 2에 기재되어 있는 구상 융용 실리카와 같이 입경이 작은 실리카 필러는, 그의 비표면적(比表面積)이 크기 때문에 실리카 필러끼리의 상호 작용이 강하고, 수지와 혼합시키면 응집하는 경향이 있고, 필름 형상 접착제의 두께를 얇게 하는 경우에는 특히, 필름 표면의 외관이 악화된다는 문제를 가지고 있었다. 또한, 실리카 필러 표면의 실라놀기가 물을 흡착하여, 오히려 흡수율의 상승이 일어나기 때문에, 경화 후의 필름 형상 접착제에 있어서의 흡수율을 충분히 저하시킬 수 없다는 문제도 가지고 있었다.
또한, 함유시키는 실리카 필러의 입경을 작게 하면, 일반적으로, 필름 형상 접착제의 유동성이 저하, 즉 용융 점도가 상승하는 경향이 있지만, 필름 형상 접착제의 피착체인 웨이퍼 이면이나 배선 기판의 표면은 꼭 평활면은 아니기 때문에, 필름 형상 접착제의 용융 점도가 상승하면, 피착체에 가열 밀착시킬 때에 필름 형상 접착제와 피착체의 사이의 밀착성이 저하하여 양자의 계면에 공기가 들어가고, 이것이 경화 후의 필름 형상 접착제의 접착력을 저하시키거나, 패키지 크랙을 발생시키는 원인이 된다는 문제가 있었다.
일본공개특허공보 2000-200794호 일본공개특허공보 2005-19516호
본 발명은, 상기 종래 기술이 가지는 과제에 비추어서 이루어진 것으로, 표면 외관이 양호하고, 용융 점도가 충분히 낮고, 피착체와의 밀착성이 우수하고, 경화 후의 탄성률이 충분히 높고, 또한 흡수율이 충분히 낮은 필름 형상 접착제를 얻는 것이 가능한 필름 형상 접착제용 조성물 및 그의 제조방법, 필름 형상 접착제, 및, 필름 형상 접착제를 이용한 반도체 패키지 및 그의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은, 상기 목적을 달성하기 위하여 예의 연구를 거듭한 결과, 필름 형상 접착제 조성물의 제조방법에 있어서, 먼저, 평균 입경 0.01 ~ 2.0μm의 구상(球狀) 실리카 필러가 실란 커플링제(silane coupling agent)로 표면 처리된 표면 처리 구상 실리카 필러를 유기 용매 중에 분산시켜서 표면 처리 구상 실리카 필러 분산액을 얻어서, 다음에, 얻어진 상기 표면 처리 구상 실리카 필러 분산액에, 에폭시 수지, 에폭시 수지 경화제 및 페녹시 수지를, 상기 표면 처리 구상 실리카 필러의 함유량이 특정의 범위 내가 되도록 혼합하는 것에 의해, 균일하게 구상 실리카 필러가 분산된 필름 형상 접착제용 조성물 및 필름 형상 접착제가 얻어지는 것을 발견했다.
또한, 이와 같이 얻어진 필름 형상 접착제는, 구상 실리카 필러의 평균 입경이 0.01 ~ 2.0μm으로 작음에도 불구하고 필름 형성시에 응집하는 것이 없고, 두께를 얇게 해도 필름 표면 외관이 양호하고, 또한, 용융 점도가 충분히 낮기 때문에 피착체와의 밀착성에도 우수한 것을 발견했다. 또한, 상기 필름 형상 접착제는 경화 후의 탄성률을 200℃정도의 고온에 있어서도 충분히 높게 유지할 수 있기 때문에, 반도체 칩과 배선 기판을 안정적으로 접착시킬 수 있고, 본딩 와이어를 충분한 강도로 접합할 수 있는 것을 발견했다. 또한, 상기 필름 형상 접착제는 경화 후의 흡수율이 충분히 낮기 때문에, 반도체 패키지를 실장할 때의 패키지 크랙의 발생을 충분히 억제할 수 있는 것을 발견하고, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
즉, 본 발명의 필름 형상 접착제용 조성물의 제조방법은,
에폭시 수지(A), 에폭시 수지 경화제(B), 페녹시 수지(C), 및, 평균 입경 0.01 ~ 2.0μm의 구상 실리카 필러가 실란 커플링제로 표면 처리된 표면 처리 구상 실리카 필러(D)를 함유하며, 또한,
상기 표면 처리 구상 실리카 필러(D)의 함유량이 상기 에폭시 수지(A), 상기 에폭시 수지 경화제(B), 상기 페녹시 수지(C) 및 상기 표면 처리 구상 실리카 필러(D)의 합계량에 대해서 30 ~ 70 질량%이며,
열경화 후의 200℃에서의 탄성률이 20 ~ 3000 MPa이며,
열경화 후의 포화 흡수율이 1.5 질량% 이하인,
필름 형상 접착제용 조성물의 제조방법이며,
상기 표면 처리 구상 실리카 필러(D)를 유기 용매 중에 분산시켜서 표면 처리 구상 실리카 필러 분산액을 얻는 공정과,
상기 표면 처리 구상 실리카 필러 분산액에, 상기 에폭시 수지(A), 상기 에폭시 수지 경화제(B) 및 상기 페녹시 수지(C)를 혼합하여 필름 형상 접착제용 조성물을 얻는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 제조방법이다.
본 발명의 필름 형상 접착제용 조성물의 제조방법에 있어서는, 상기 실란 커플링제를 유기 용매 중에 용해시켜서 실란 커플링제 용액을 얻는 공정과, 상기 실란 커플링제 용액 중에 상기 구상 실리카 필러를 분산시켜서 상기 구상 실리카 필러를 상기 실란 커플링제로 표면 처리하고, 상기 표면 처리 구상 실리카 필러(D)가 상기 유기 용매 중에 분산된 상기 표면 처리 구상 실리카 필러 분산액을 얻는 공정을 포함하는 공정이며, 또한, 상기 실란 커플링제의 배합량이 상기 구상 실리카 필러의 배합량 100 질량부에 대해서 1 ~ 5 질량부인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 필름 형상 접착제용 조성물의 제조방법에 있어서는, 상기 실란 커플링제가, 하기 일반식 (1):
R3 -n-Si(CH3)n-CH=CH2 … (1)
[식(1) 중, R은 메톡시기, 에톡시기, 2-메톡시에톡시기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나의 가수 분해성 관능기를 나타내고, n은 0 또는 1의 정수를 나타낸다.]
로 표현되는 비닐계 실란 커플링제인 것이 바람직하다.
본 발명의 필름 형상 접착제용 조성물은, 상기 본 발명의 필름 형상 접착제용 조성물의 제조방법에 의해 얻어지는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 필름 형상 접착제는, 상기 본 발명의 필름 형상 접착제용 조성물을 필름 형상으로 성형하여 이루어지는 필름 형상 접착제이며, 레오미터에서 20℃에서 10℃/분의 승온 속도로 가열하였을 때에 관측되는 80℃에 있어서의 용융 점도가 10000 Pa·s 이하인 것을 특징으로 하는 것이다. 본 발명의 필름 형상 접착제로서는, 두께가 1 ~ 50μm인 것이 바람직하다.
본 발명의 반도체 패키지의 제조방법은,
표면에 적어도 1개의 반도체 회로가 형성된 웨이퍼의 이면에, 상기 본 발명의 필름 형상 접착제를 열압착하여 접착제층을 마련하는 제1의 공정과,
상기 웨이퍼와 다이싱 테이프를 상기 접착제층을 개재하여 접착한 후에, 상기 웨이퍼와 상기 접착제층을 동시에 다이싱하는 것에 의해 상기 웨이퍼 및 상기 접착제층을 구비하는 접착제층 부가 반도체 칩을 얻는 제2의 공정과,
상기 접착제층으로부터 상기 다이싱 테이프를 이탈시키고, 상기 접착제층 부가 반도체 칩과 배선 기판을 상기 접착제층을 개재하여 열압착시키는 제3의 공정과,
상기 필름 형상 접착제를 열경화시키는 제4의 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 제조방법이다. 또한, 본 발명의 반도체 패키지는, 상기 본 발명의 반도체 패키지의 제조방법에 의해 얻어지는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 구성에 의해서 상기 목적이 달성되는 이유는 꼭 분명한 것은 아니지만, 본 발명자들은 이하와 같이 추측한다. 즉, 종래의 실리카 필러를 함유하는 필름 형상 접착제용 조성물의 제조방법에 있어서는, 수지 성분에 실리카 필러와 필요에 따라서 실란 커플링제를 직접 배합하는, 이른바 인테그런트법(INTEGRANT METHOD)이 간편하기 때문에 널리 이용되어 왔지만, 이러한 방법에서는 실리카 필러 표면의 실라놀기가 많이 잔존하기 때문에, 특히, 입경이 작은 실리카 필러를 이용했을 경우에는 실리카 필러끼리가 응집하기 쉬워지고, 얻어지는 필름 형상 접착제의 표면 외관이 악화되거나, 경화 후의 흡수율이 증가한다고 본 발명자들은 추측한다. 또한, 이러한 실리카 필러끼리의 응집에 의한 표면 외관의 악화 등을 방지하기 위해서, 강한 전단력(shearing force)을 걸어서 응집물을 해쇄(解碎)할 수 있는 롤 혼련(混鍊) 등의 공정을 상기 인테그런트법에 적용하는 것이 가능은 하지만, 공정수가 증가할 뿐만 아니라, 특히 입경이 작은 실리카 필러를 이용하는 경우에 충분한 품질의 필름 형상 접착제용 조성물을 얻는 것이 곤란해진다고 본 발명자들은 추측한다.
이에 비하여, 본 발명의 필름 형상 접착제용 조성물의 제조방법에 의하면, 실리카 필러로서 구상 실리카 필러가 실란 커플링제로 표면 처리된 표면 처리 구상 실리카 필러를 이용하기 때문에, 얻어지는 필름 형상 접착제용 조성물을 이용하는 것에 의해, 표면의 실라놀기가 상기 실란 커플링제에 의해서 충분히 처리된 표면 처리 구상 실리카 필러를 함유하고, 흡수율의 증가에 의한 패키지 크랙의 발생이 충분히 억제된 필름 형상 접착제를 얻을 수 있다.
또한, 충분히 표면 처리된 표면 처리 구상 실리카 필러는 유기 용매 중에 용이하게 분산되기 때문에, 이것을 유기 용매 중에 분산시킨 표면 처리 구상 실리카 필러 분산액에, 에폭시 수지, 에폭시 수지 경화제 및 페녹시 수지 등의 수지 성분을 혼합하는 것으로, 입경이 작은 구상 실리카 필러라도 수지 성분 중에 응집하는 일 없이 균일하게 분산시킬 수 있고, 얻어지는 필름 형상 접착제의 표면 외관이 양호해진다고 본 발명자들은 추측한다. 또한, 이러한 특정의 조합으로 수지 성분 중에 표면 처리 구상 실리카 필러를 분산시키는 것에 의해, 얻어지는 필름 형상 접착제의 용융 점도가 충분히 낮아진다고 본 발명자들은 추측한다.
또한, 본 발명의 필름 형상 접착제용 조성물의 제조방법에 의하면, 응집이 억제되는 것에 의해 많은 구상 실리카 필러를 필름 형상 접착제 중에 함유시킬 수 있기 때문에, 경화 후의 고온에서의 탄성률을 고수준으로 유지할 수 있다고 본 발명자들은 추측한다. 따라서, 이러한 필름 형상 접착제는, 특히, 반도체 칩을 보다 박형화·소형화시키는 경우에 있어서도, 반도체 칩과 배선 기판을 높은 정밀도로 접착시킬 수 있고, 본딩 와이어의 접합 강도를 고수준으로 유지할 수 있고, 패키지 크랙을 충분히 억제할 수 있다고 본 발명자들은 추측한다.
본 발명에 의하면, 표면 외관이 양호하고, 용융 점도가 충분히 낮고, 피착체와의 밀착성이 우수하고, 경화 후의 탄성률이 충분히 높고, 또한 흡수율이 충분히 낮은 필름 형상 접착제를 얻는 것이 가능한 필름 형상 접착제용 조성물 및 그의 제조방법, 필름 형상 접착제, 및, 필름 형상 접착제를 이용한 반도체 패키지 및 그의 제조방법을 제공하는 것이 가능해진다.
따라서, 본 발명에 의하면, 반도체 칩을 보다 박형화·소형화시키는 경우에 있어서도, 반도체 패키지의 제조 공정에 있어서, 반도체 칩과 배선 기판을 높은 정밀도로 접착시킬 수 있고, 본딩 와이어의 접합 강도를 고수준으로 유지할 수 있고, 패키지 크랙의 발생을 충분히 억제하는 것이 가능해진다.
도 1은 본 발명의 반도체 패키지의 제조방법의 제1의 공정의 적합한 일실시 형태를 나타내는 개략 종단면도이다.
도 2는 본 발명의 반도체 패키지의 제조방법의 제2의 공정의 적합한 일실시 형태를 나타내는 개략 종단면도이다.
도 3은 본 발명의 반도체 패키지의 제조방법의 제3의 공정의 적합한 일실시 형태를 나타내는 개략 종단면도이다.
도 4는 본 발명의 반도체 패키지의 제조방법의 본딩 와이어를 접속하는 공정의 적합한 일실시 형태를 나타내는 개략 종단면도이다.
도 5는 본 발명의 반도체 패키지의 제조방법에 의해 제조되는 반도체 패키지의 적합한 일실시 형태를 나타내는 개략 종단면도이다.
이하, 본 발명을 그 적합한 실시 형태에 입각하여 상세하게 설명한다.
먼저, 본 발명의 필름 형상 접착제용 조성물 및 그의 제조방법에 대하여 설명한다. 본 발명의 필름 형상 접착제용 조성물의 제조방법은,
에폭시 수지(A), 에폭시 수지 경화제(B), 페녹시 수지(C), 및, 평균 입경 0.01 ~ 2.0μm의 구상 실리카 필러가 실란 커플링제로 표면 처리된 표면 처리 구상 실리카 필러(D)를 함유하며, 또한,
상기 표면 처리 구상 실리카 필러(D)의 함유량이 상기 에폭시 수지(A), 상기 에폭시 수지 경화제(B), 상기 페녹시 수지(C) 및 상기 표면 처리 구상 실리카 필러(D)의 합계량에 대해서 30 ~ 70 질량%이며,
열경화 후의 200℃에서의 탄성률이 20 ~ 3000 MPa이며,
열경화 후의 포화 흡수율이 1.5 질량% 이하인,
필름 형상 접착제용 조성물의 제조방법에 있어서,
상기 표면 처리 구상 실리카 필러(D)를 유기 용매 중에 분산시켜서 표면 처리 구상 실리카 필러 분산액을 얻는 공정과,
상기 표면 처리 구상 실리카 필러 분산액에, 상기 에폭시 수지(A), 상기 에폭시 수지 경화제(B) 및 상기 페녹시 수지(C)를 혼합하여 필름 형상 접착제용 조성물을 얻는 공정을 포함하는 제조방법이다.
본 발명에 대한 에폭시 수지(A)는, 에폭시기를 가지는 열경화성 수지이며, 이러한 에폭시 수지(A)로서는, 중량 평균 분자량이 300 ~ 2000인 것이 바람직하고, 300 ~ 1500인 것이 보다 바람직하다. 중량 평균 분자량이 상기 하한 미만이면 단량체나 2량체가 증가하여 결정성이 강해지기 때문에, 필름 형상 접착제가 취약해지는 경향이 있고, 한편, 상기 상한을 초과하면 필름 형상 접착제의 용융 점도가 높아지기 때문에, 배선 기판에 압착할 때에 기판 상의 요철을 매립하는 것이 충분히 이루어지지 않아서, 배선 기판과의 밀착성이 저하되는 경향이 있다. 또한, 본 발명에 있어서, 중량 평균 분자량이라는 것은 겔 퍼미에이션(삼투) 크로마토그래피(GPC)(상품명: HLC-82A(토소카부시키가이샤(TOSOH CORPORATION)제), 용매: 테트라히드로푸란, 컬럼: TSKgelG2000HXL(토소카부시키가이샤제)(2개), G4000HXL(토소카부시키가이샤제)(1개), 온도: 38℃, 속도: 1.0ml/min)에 의해 측정되고, 표준 폴리스티렌(상품명: A-1000, 토소카부시키가이샤제)으로 환산한 값이다.
상기 에폭시 수지(A)로서는, 액체, 고체 또는 반고체의 어느 것이라도 좋다. 본 발명에 있어서, 상기 액체라는 것은, 연화점(softening point)이 50℃ 미만인 것을 말하고, 상기 고체라는 것은, 연화점이 60℃ 이상인 것을 말하고, 상기 반고체라는 것은, 연화점이 상기 액체의 연화점과 고체의 연화점의 사이(50℃ 이상 60℃ 미만)에 있는 것을 말한다. 상기 에폭시 수지(A)로서는, 적합한 온도 범위(예를 들면 60 ~ 120℃)에서 저용융 점도에 도달할 수 있는 필름 형상 접착제를 얻을 수 있다는 관점으로부터, 연화점이 100℃ 이하인 것이 바람직하다. 또한, 본 발명에 있어서, 연화점이라는 것은, 연화점 시험(환구식(環球式))법(측정 조건: JIS-2817에 준거)에 의해 측정한 값이다.
상기 에폭시 수지(A)에 있어서, 경화체(硬化體)의 가교 밀도가 높아지고, 결과적으로, 열경화 후의 탄성률이 보다 높아지고, 보다 소형의 반도체 칩을 사용한 경우에 있어서도 배선 기판과 반도체 칩의 사이의 본딩 와이어의 접합 강도가 고수준으로 유지되는 경향이 있다는 관점으로부터, 에폭시 당량(當量)은 500g/eq 이하인 것이 바람직하고, 150 ~ 450g/eq인 것이 보다 바람직하다. 또한, 본 발명에 있어서, 에폭시 당량이라는 것은, 1그램 당량의 에폭시기를 포함하는 수지의 그램수(g/eq)를 말한다.
상기 에폭시 수지(A)의 골격으로서는, 페놀 노볼락형, 오르토 크레졸(ortho cresol) 노볼락형, 크레졸 노볼락형, 디시클로펜타디엔형, 비페닐형, 플루오렌 비스페놀형, 트리아진형, 나프톨형, 나프탈렌 디올형, 트리페닐 메탄형, 테트라 페닐형, 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 비스페놀 AD형, 비스페놀 S형, 트리 메틸올 메탄형 등을 들 수 있지만, 수지의 결정성이 낮고, 양호한 표면 외관을 가지는 필름 형상 접착제를 얻을 수 있다는 관점으로부터, 트리페닐 메탄형, 비스페놀 A형, 크레졸 노볼락형, 오르토 크레졸 노볼락형, 디시클로펜타디엔형인 것이 바람직하다.
상기 에폭시 수지(A)로서는 1종을 단독으로 이용해도 좋고 2종 이상을 조합하여 이용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 이용하는 경우에는, 예를 들면, 조성물의 점도의 조절을 하기 쉽고, 필름 형상 접착제와 웨이퍼를 열압착시키는 공정(웨이퍼 라미네이트 공정)을 저온(바람직하게는 40 ~ 80℃)에서 실시한 경우에 있어서도 웨이퍼와 필름 형상 접착제와의 밀착성이 충분히 발휘되는 경향이 있다는 관점으로부터, 연화점이 50 ~ 100℃인 에폭시 수지(a1)와 연화점이 50℃ 미만인 에폭시 수지(a2)를 조합하여 이용하는 것이 바람직하다.
상기 에폭시 수지(a1)로서는, 실온에서 고체 또는 반고체이며, 연화점이 50 ~ 100℃인 것이 바람직하고, 50 ~ 80℃인 것이 보다 바람직하다. 연화점이 상기 하한 미만이면, 얻어지는 필름 형상 접착제의 점도가 저하하기 때문에, 상온에 있어서 필름 형상을 유지하는 것이 곤란해지는 경향이 있고, 한편, 상기 상한을 초과하면, 얻어지는 필름 형상 접착제에 있어서, 적합한 온도 범위(예를 들면 60 ~ 120℃)에서 저용융 점도에 도달하는 것이 곤란해지는 경향이 있다.
상기 에폭시 수지(a1)로서는, 중량 평균 분자량이 500을 초과하며 2000 이하인 것이 바람직하고, 600 ~ 1200인 것이 보다 바람직하다. 중량 평균 분자량이 상기 하한 미만이면 단량체나 2량체가 증가하여 결정성이 강해지기 때문에, 필름 형상 접착제가 취약해지는 경향이 있고, 한편, 상기 상한을 초과하면 필름 형상 접착제의 용융 점도가 높아지기 때문에, 배선 기판에 압착할 때에 기판 상의 요철을 매립하는 것이 충분히 이루어지지 않아서, 배선 기판과의 밀착성이 저하되는 경향이 있다.
이러한 에폭시 수지(a1)의 골격으로서는, 수지의 결정성이 낮고, 양호한 외관을 가지는 필름 형상 접착제를 얻을 수 있다는 관점으로부터, 트리페닐 메탄형, 비스페놀 A형, 크레졸 노볼락형, 오르토 크레졸 노볼락형, 디시클로펜타디엔형인 것이 바람직하고, 트리페닐 메탄형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지가 보다 바람직하다.
상기 에폭시 수지(a2)로서는, 필름 형상 접착제와 웨이퍼를 열압착시키는 공정(웨이퍼 라미네이트 공정)을 저온(바람직하게는 40 ~ 80℃)에서 실시한 경우에 있어서도 웨이퍼와 필름 형상 접착제와의 밀착성이 충분히 발휘되는 경향이 있다는 관점으로부터, 연화점이 50℃ 미만인 것이 바람직하고, 연화점이 40℃ 이하인 것이 보다 바람직하다. 이러한 에폭시 수지(a2)로서는, 중량 평균 분자량이 300 ~ 500인 것이 바람직하고, 350 ~ 450인 것이 보다 바람직하다. 중량 평균 분자량이 상기 하한 미만이면 단량체가 증가하여 결정성이 강해지기 때문에, 필름 형상 접착제가 취약해지는 경향이 있고, 한편, 상기 상한을 초과하면 용융 점도가 높아지기 때문에, 웨이퍼 라미네이트 공정 시에 웨이퍼와 필름 형상 접착제와의 밀착성이 저하되는 경향이 있다.
이러한 에폭시 수지(a2)의 골격으로서는, 수지의 결정성이 낮고, 양호한 외관을 가지는 필름 형상 접착제를 얻을 수 있다는 관점으로부터, 올리고머 타입의 액상 에폭시 수지인 비스페놀 A형, 비스페놀 A/F 혼합형, 비스페놀 F형, 프로필렌 옥사이드 변성 비스페놀 A형인 것이 바람직하고, 용융 점도가 낮고 보다 결정성이 낮다는 관점으로부터, 상기 에폭시 수지(a2)로서는, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 A/F 혼합형 에폭시 수지가 보다 바람직하다.
상기 에폭시 수지(a1) 및 상기 에폭시 수지(a2)의 비율로서는, 질량비(a1:a2)가 95:5 ~ 30:70인 것이 바람직하고, 70:30 ~ 40:60인 것이 보다 바람직하다. 에폭시 수지(a1)의 함유량이 상기 하한 미만이면, 필름 형상 접착제의 필름 점착성(stickiness)이 강해져서 커버 필름이나 다이싱 테이프로부터 박리하기 어려워지는 경향이 있고, 한편, 상기 상한을 초과하면 조성물의 점도가 높아져서, 얻어지는 필름 형상 접착제의 성상(性狀)이 취화되는 경향이 있다.
본 발명에 대한 에폭시 수지 경화제(B)로서는, 아민류, 산무수물류, 다가(多價) 페놀류 등의 공지의 경화제를 이용할 수 있는데, 상기 에폭시 수지(A) 및 상기 페녹시 수지(C)가 저용융 점도가 되는 온도 범위를 초과하는 고온에서 경화성을 발휘하고, 빠른 경화성을 가지고, 또한 실온에서의 장기 보존이 가능한 보존 안정성이 높은 필름 형상 접착제용 조성물이 얻어진다는 관점으로부터, 잠재성 경화제를 이용하는 것이 바람직하다. 상기 잠재성 경화제로서는, 디시안 디아미드, 이미다졸류, 히드라지드류, 3 불화 붕소-아민 착체, 아민이미드, 폴리아민염, 및 이들의 변성물이나 마이크로 캅셀형의 것을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 이용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 좋다.
본 발명에 대한 페녹시 수지(C)는, 중량 평균 분자량이 10000 이상의 열가소성 수지이다. 이러한 페녹시 수지(C)를 이용하는 것에 의해, 얻어지는 필름 형상 접착제에 있어서, 실온에 있어서의 태크성(tackiness)이나 취성 문제가 해소된다.
상기 페녹시 수지(C)로서는, 중량 평균 분자량이 30000 ~ 100000인 것이 바람직하고, 40000 ~ 70000인 것이 보다 바람직하다. 중량 평균 분자량이 상기 하한 미만이면 필름 형상 접착제의 지지성이 약해져서, 취약성이 강해지는 경향이 있고, 한편, 상기 상한을 초과하면 용융 점도가 높아지는 경향이 있다. 또한, 상기 페녹시 수지(C)로서는, 글래스 전이 온도(Tg)가 40 ~ 100℃인 것이 바람직하고, 50 ~ 90℃인 것이 보다 바람직하다. 글래스 전이 온도가 상기 하한 미만이면 필름 형상 접착제의 상온에 있어서의 필름 택크성이 강해져서, 커버 필름이나 다이싱 테이프로부터 박리하기 어려워지는 경향이 있고, 한편, 상기 상한을 초과하면 필름 형상 접착제의 용융 점도가 높아지기 때문에, 배선 기판에 압착할 때에 기판 상의 요철을 매립하는 것이 충분히 이루어지지 않아서, 배선 기판과의 밀착성이 저하되는 경향이 있다.
상기 페녹시 수지(C)의 골격으로서는, 비스페놀 A형, 비스페놀 A/F형, 비스페놀 F형, 비스페놀 S형, 비스페놀 A/S형, 카르도 골격(cardo-skeleton)형 등을 들 수 있는데, 상기 에폭시 수지(A)와 구조가 유사하기 때문에 상용성(相容性)이 좋고, 또한, 용융 점도가 낮고, 접착성도 좋다는 관점에서는, 비스페놀 A형인 것이 바람직하고, 적합한 온도 범위(예를 들면 60 ~ 120℃)에서 저용융 점도에 도달할 수 있는 필름 형상 접착제이 얻어진다는 관점에서는 비스페놀 A/F형인 것이 바람직하고, 고내열성을 가진다는 관점에서는 카르도 골격형인 것이 바람직하다. 이러한 페녹시 수지(C)로서는, 예를 들면, 비스페놀 A와 에피클로로히드린으로부터 얻어지는 비스페놀 A형 페녹시 수지, 비스페놀 A와 비스페놀 F와 에피클로로히드린으로부터 얻어지는 비스페놀 A/F형 페녹시 수지를 들 수 있다. 상기 페녹시 수지(C)로서는, 이 중 1종을 단독으로 이용해도 좋고 2종 이상을 조합하여 이용해도 좋고, 또한, 예를 들면, YP-50S(비스페놀 A형 페녹시 수지, 신닛카에폭시세이조카부시키가이샤(新日化 EPOXY 製造株式會社)제), YP-70(비스페놀 A/F형 페녹시 수지, 신닛카에폭시세이조카부시키가이샤제), FX-316(비스페놀 F형 페녹시 수지, 신닛카에폭시세이조카부시키가이샤제), 및, FX-280S(카르도 골격형 페녹시 수지, 신닛카에폭시세이조카부시키가이샤제) 등의 시판의 페녹시 수지를 상기 페녹시 수지(C)로서 이용해도 좋다.
본 발명에 대한 표면 처리 구상 실리카 필러(D)는, 평균 입경 0.01 ~ 2.0μm의 구상 실리카 필러가 실란 커플링제로 표면 처리된 것이다.
상기 구상 실리카 필러의 평균 입경은 0.01 ~ 2.0μm인 것이 필요하다. 평균 입경이 상기 하한 미만이면 실리카 필러의 비표면적(比表面積)이 보다 커지는 것으로, 배합하는 수지와의 상호 작용이 강해져서, 필름 형상 접착제의 용융 점도가 상승하여 피착체와의 밀착성이 저하하기 쉬워지고, 한편, 상기 상한을 초과하면 롤 나이프 코터 등의 도공기(塗工機)로 박형(薄型)의 필름 형상 접착제를 제조할 때에, 필름 표면 외관에 줄무늬가 발생하기 쉬워지거나, 필름 형상 접착제가 마련된 웨이퍼를 반도체 칩으로 절단하는 공정에 있어서 필름 형상 접착제에 의한 가공 블레이드(blade)의 마모율이 커진다. 또한, 상기 구상 실리카 필러의 평균 입경으로서는, 두께가 5μm 이하의 극박(極薄) 필름 형상 접착제를 형성한다는 관점으로부터, 1.0μm 이하인 것이 특히 바람직하다.
또한, 본 발명에 있어서, 평균 입경이라는 것은, 입도 분포에 있어서 입자의 전체 체적을 100%로 했을 때에 50% 누적이 될 때의 입경을 말하고, 레이저 회절·산란법(측정 조건: 분산매(dispersion medium)-헥사메타 인산 나트륨, 레이저 파장: 780nm, 측정 장치: 마이크로 트랙 MT3300EX)에 의해 측정한 입경 분포의 입경의 체적분률의 누적 커브로부터 구할 수 있다. 또한, 본 발명에 있어서, 구상이라는 것은, 진구(眞球), 또는 실질적으로 각이 없이 둥근 대략 진구인 것을 말한다.
이러한 구상 실리카 필러로서는, 특별히 제한되지 않지만, 얻어지는 실리카 입자의 형상이 대략 진구상이 되어서, 입경의 조정이 용이하다는 관점으로부터, VMC(Vaporized Material Combustion) 법에 의해 실리콘 분말을 연소하여 얻어진 것이 바람직하다. 상기 VMC법이라는 것은, 분진 폭발의 원리를 이용하는 것이며, 산소를 포함하는 분위기 중에서 버너에 의해 화학염(化學炎)을 형성하고, 이 화학염 중에 목적으로 하는 산화물 입자를 구성하는 금속 분말을 분진 구름이 형성될 정도의 양을 투입하여, 폭연(deflagration)을 일으켜서 산화물 입자를 얻는 방법이다. 이러한 VMC법에 의하면, 순식간에 대량의 산화물 입자(실리카 입자)가 얻어지고, 또한, 투입하는 실리콘 분말의 입경, 투입량, 화염 온도 등을 조정하는 것에 의해, 얻어지는 실리카 입자의 입경을 조정하는 것이 가능하다.
상기 실란 커플링제로서는, 특별히 제한되지 않고, 실란 모노머계, 비닐 실란계, 메타크릴 실란계, 에폭시 실란계, 머캅토실란계, 설포실란계, 아미노 실란계, 우레이드 실란계, 이소시아네이트 실란계 등의 커플링제를 사용할 수 있는데, 경화 후의 필름 형상 접착제의 흡수율을 보다 저하시켜서, 패키지 크랙의 발생을 보다 억제할 수 있다는 관점으로부터, 물과의 친화성이 강한 관능기를 가지지 않는 실란 커플링제가 바람직하고, 하기 일반식 (1):
R3 -n-Si(CH3)n-CH=CH2 … (1)
[식(1) 중, R은 메톡시기, 에톡시기, 2-메톡시에톡시기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나의 가수 분해성 관능기를 나타내고, n은 0 또는 1의 정수를 나타낸다.]
로 표현되는 비닐계 실란 커플링제인 것이 보다 바람직하다.
상기 구상 실리카 필러를 상기 실란 커플링제로 표면 처리하는 방법으로서는, 상기 구상 실리카 필러의 분체(粉體)를 교반하면서 여기에 기화시킨 상기 실란 커플링제를 반응시키는 처리 방법(처리 방법 I), 및, 유기 용매 중에 용해시킨 상기 구상 실리카 필러에 상기 실란 커플링제를 첨가하여 반응시키는 처리 방법(처리 방법 II)을 들 수 있다. 본 발명에 있어서는, 유기 용매 중에 분산된 상태에서 본 발명에 대한 표면 처리 구상 실리카 필러(D)를 얻을 수 있고, 그대로 본 발명의 제조방법으로 이용할 수 있다는 관점으로부터, 상기 처리 방법 II를 채용하는 것이 바람직하다.
상기 처리 방법 II로서는, 상기 실란 커플링제를 유기 용매 중에 용해시켜서 실란 커플링제 용액을 얻는 공정과, 상기 실란 커플링제 용액 중에 상기 구상 실리카 필러를 분산시켜서 상기 구상 실리카 필러를 상기 실란 커플링제로 표면 처리하고, 상기 표면 처리 구상 실리카 필러(D)가 상기 유기 용매 중에 분산된 표면 처리 구상 실리카 필러 분산액을 얻는 공정을 포함하는 것이 바람직하다.
상기 유기 용매로서는, 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화 수소; 메틸이소부틸케톤(MIBK), 메틸에틸케톤(MEK) 등의 케톤류; 모노글림, 디글림 등의 에테르 종류; 및 이들의 혼합물을 들 수 있고, 본 발명의 필름 형상 접착제용 조성물에 이용하는 수지에 따라 적절하게 선택할 수 있다. 또한, 상기 실란 커플링제 용액 중의 실란 커플링제의 농도로서도, 특별히 제한되지 않지만, 20 ~ 90 질량%인 것이 바람직하다.
상기 실란 커플링제 및 상기 구상 실리카 필러의 배합량으로서는, 통상, 이용하는 구상 실리카 필러의 비표면적과 실란 커플링제의 최소 피복 면적으로부터, 하기 식:
실란 커플링제 배합량[g] = (구상 실리카 필러 배합량[g]×구상 실리카 필러 비표면적[m2/g])/(실란 커플링제의 최소 피복 면적[m2/g])
에 의해 산출할 수 있지만, 본 발명에 있어서는, 상기 구상 실리카 필러 표면의 실라놀기를 충분히 처리할 수 있다는 관점으로부터, 상기 실란 커플링제의 배합량을 과잉량으로 하는 것이 바람직하고, 상기 실란 커플링제의 배합량이 상기 구상 실리카 필러의 배합량 100 질량부에 대해서 1 ~ 5 질량부인 것이 보다 바람직하고, 1 ~ 3 질량부인 것이 더 바람직하다. 상기 실란 커플링제의 배합량이 상기 하한 미만이면 구상 실리카 필러 표면의 실라놀기가 충분히 처리되지 않는 경향이 있고, 한편, 상기 상한을 초과하면 잉여의 실란 커플링제가 반도체 패키지의 제조 과정이나 그 실장 과정 등에 있어서의 가열에 의해 휘발하여, 반도체 칩이나 와이어 패드 등의 다른 부재를 오염시킬 우려가 생긴다.
상기 실란 커플링제 용액 중에 상기 구상 실리카 필러를 분산시키는 방법으로서는, 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, 기계식 교반기, 자기 고반기, 균질화기(homogenizer) 등을 이용하여 25 ~ 70℃의 온도에 있어서 1 ~ 100시간 정도 교반하는 방법을 들 수 있고, 이러한 방법에 의해, 본 발명에 대한 표면 처리 구상 실리카 필러(D)가 상기 유기 용매 중에 분산된 표면 처리 구상 실리카 필러 분산액을 얻을 수 있다.
본 발명의 필름 형상 접착제용 조성물의 제조방법은, 상기 표면 처리 구상 실리카 필러(D)를 유기 용매 중에 분산시켜서 표면 처리 구상 실리카 필러 분산액을 얻는 공정과, 상기 표면 처리 구상 실리카 필러 분산액에, 상기 에폭시 수지(A), 상기 에폭시 수지 경화제(B) 및 상기 페녹시 수지(C)를 혼합하여 필름 형상 접착제용 조성물을 얻는 공정을 포함한다.
본 발명에 대한 표면 처리 구상 실리카 필러 분산액을 얻는 공정에 있어서는, 상기 표면 처리 구상 실리카 필러(D)를 유기 용매 중에 분산시킨다. 이러한 분산 방법으로서는, 특별히 제한되지 않고, 미리 표면 처리가 실시된 구상 실리카 필러를 유기 용매 중에서 교반하는 것에 의해 분산시켜도, 유기 용매 중에서 구상 실리카 필러를 분산시키면서 표면 처리를 실시해도 좋지만, 공정수가 적다는 관점으로부터, 상기 구상 실리카 필러를 상기 실란 커플링제로 표면 처리하는 방법으로서, 상기 처리 방법 II를 채용하고, 얻어진 표면 처리 구상 실리카 필러 분산액을 그대로 이용하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 유기 용매로서는, 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, 상기 처리 방법 II에 있어서 예시한 것과 동일한 것을 들 수 있다.
상기 표면 처리 구상 실리카 필러 분산액에 있어서의 상기 표면 처리 구상 실리카 필러(D)의 농도로서는, 특별히 제한되지 않지만, 유기 용매의 비율이 많아지면 필름 형상 접착제용 조성물의 점도가 저하하고, 필름 형상 접착제를 형성할 때에 '튕김'이나 '귤껍질 표면'이라고 하는 외관 불량이 발생하기 쉬워지는 경향이 있다는 관점으로부터, 40 ~ 80 질량%인 것이 바람직하다.
본 발명에 대한 필름 형상 접착제용 조성물을 얻는 공정에 있어서는, 상기 표면 처리 구상 실리카 필러 분산액에, 상기 에폭시 수지(A), 상기 에폭시 수지 경화제(B) 및 상기 페녹시 수지(C)를 혼합한다. 이러한 혼합 방법으로서는, 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, 가온(加溫) 가능한 유성(planetary) 믹서, 기계식 교반기 등의 기계를 이용하여, 교반 날의 회전 속도 10 ~ 300 rpm의 조건에서 0.5 ~ 5.0시간 정도 교반하는 방법을 들 수 있다.
상기 에폭시 수지(A)의 배합량으로서는, 얻어지는 필름 형상 접착제용 조성물에 있어서의 함유량이 10 ~ 60 질량%가 되는 양인 것이 바람직하고, 20 ~ 50 질량%가 되는 양인 것이 보다 바람직하다. 함유량이 상기 하한 미만이면 얻어지는 필름 형상 접착제의 접착력이 저하하는 경향이 있고, 한편, 상기 상한을 초과하면 얻어지는 필름 형상 접착제의 주성분이 올리고머가 되기 때문에, 약간의 온도 변화에서도 필름 상태(필름 택크성 등)가 변화하기 쉬워지는 경향이 있다.
상기 에폭시 수지 경화제(B)의 배합량으로서는, 통상, 상기 에폭시 수지(A) 100 질량부에 대해서 0.5 ~ 50 질량부이며, 1 ~ 10 질량부인 것이 바람직하다. 배합량이 상기 하한 미만이면 경화 시간이 길어지는 경향이 있고, 한편, 상기 상한을 초과하면 과잉의 경화제가 필름 형상 접착제 중에 남아서, 남은 경화제가 수분을 흡착하기 때문에, 필름 형상 접착제를 반도체 패키지에 조립한 후의 신뢰성 시험에 있어서 불량이 일어나기 쉬워지는 경향이 있다.
상기 페녹시 수지(C)의 배합량으로서는, 얻어지는 필름 형상 접착제용 조성물에 있어서의 함유량이 1 ~ 30 질량%가 되는 양인 것이 바람직하고, 3 ~ 20 질량%가 되는 양인 것이 보다 바람직하다. 함유량이 상기 하한 미만이면 얻어지는 필름 형상 접착제의 필름 택크성이 강해져서, 커버 필름이나 다이싱 테이프로부터 박리하기 어려워지는 경향이 있고, 한편, 상기 상한을 초과하면 얻어지는 필름 형상 접착제의 용융 점도가 높아지기 때문에, 배선 기판에 압착할 때에 기판 상의 요철을 매립하는 것이 충분히 이루어지지 않아서, 배선 기판과의 밀착성이 저하되는 경향이 있다.
상기 표면 처리 구상 실리카 필러(D)의 배합량으로서는, 상기 에폭시 수지(A), 상기 에폭시 수지 경화제(B), 상기 페녹시 수지(C) 및 상기 표면 처리 구상 실리카 필러(D)의 합계량에 대한 상기 표면 처리 구상 실리카 필러(D)의 함유량이 30 ~ 70 질량%가 되는 양인 것이 필요하다. 함유량이 상기 하한 미만이면 얻어지는 필름 형상 접착제의 흡수율이 상승하여 패키지 크랙이 발생하기 쉬워지고, 또한, 고온에 있어서의 경화 후의 탄성률이 저하하여 본딩 와이어의 접속 불량이 발생하기 쉬워져서 접합 강도가 저하한다. 한편, 상기 상한을 초과하면 수지 성분이 적어지기 때문에 피착체와의 접착력이 저하한다. 또한, 상기 표면 처리 구상 실리카 필러(D)의 함유량으로서는, 얻어지는 필름 형상 접착제의 흡수율을 저하시키고 또한 고온에 있어서의 경화 후의 탄성률을 높이는 한편, 배합하는 에폭시 수지에 의한 접착력 등의 특성을 향상시키는 관점으로부터, 35 ~ 50 질량%인 것이 특히 바람직하다.
이와 같이 하여, 표면 처리 구상 실리카 필러(D)가 균일 분산된 본 발명의 필름 형상 접착제용 조성물을 얻을 수 있다. 본 발명의 필름 형상 접착제용 조성물은,
에폭시 수지(A), 에폭시 수지 경화제(B), 페녹시 수지(C), 및, 평균 입경 0.01 ~ 2.0μm의 구상 실리카 필러가 실란 커플링제로 표면 처리된 표면 처리 구상 실리카 필러(D)를 함유하며, 또한,
상기 표면 처리 구상 실리카 필러(D)의 함유량이 상기 에폭시 수지(A), 상기 에폭시 수지 경화제(B), 상기 페녹시 수지(C) 및 상기 표면 처리 구상 실리카 필러(D)의 합계량에 대해서 30 ~ 70 질량%이며,
열경화 후의 200℃에서의 탄성률이 20 ~ 3000 MPa이며,
열경화 후의 포화 흡수율이 1.5 질량% 이하이다.
또한, 본 발명의 필름 형상 접착제용 조성물에 있어서는, 표면 처리 구상 실리카 필러(D)가 균일 분산되어 있기 때문에, 표면 외관이 양호한 필름 형상 접착제를 얻는 것이 가능하다. 이러한 본 발명의 필름 형상 접착제용 조성물에 있어서는, JISK5600-2-5(1999)에 규정되는 게이지(gauge)와 스크레이퍼(scraper)로부터 이루어지는 입도계(grind meter)를 이용하여, 상기 필름 형상 접착제용 조성물을 시료로서 상기 게이지의 홈에 두고, 상기 스크레이퍼를 당겨서 움직였을 때에 실질적으로 선이 관찰되지 않는 것이 바람직하고, 보다 구체적으로는, 10 ~ 100μm의 게이지를 이용했을 때에 실질적으로 선이 관찰되지 않는 것이 보다 바람직하고, 2.5 ~ 25μm의 게이지를 이용했을 때에 실질적으로 선이 관찰되지 않는 것이 특히 바람직하다. 또한, 본 발명에 있어서, 실질적으로 선이 관찰되지 않는다는 것은, 선이 전혀 관찰되지 않거나, 또는, 시료면에 나타난 선의 개시점의 게이지 깊이가 게이지 최소치 미만인 것을 말한다.
또한, 상기 본 발명의 제조방법에 있어서는, 상기 유기 용매를 제거하는 공정을 더 포함하는 것이 바람직하다. 상기 유기 용매를 제거하는 방법으로서는, 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, 상기 필름 형상 접착제용 조성물을 더 가열하면서 교반하는 방법을 들 수 있다. 가열 조건으로서는, 필름 형상 접착제용 조성물의 경화 개시 온도 미만이며, 또한 필름 형상 접착제용 조성물 중에 있어서의 불(不)휘발분 농도가 소망의 농도가 되는 정도이면 좋고, 필름 형상 접착제의 제조방법이나, 이용하는 유기 용매 및 수지의 종류에 따라서도 다른 것이며, 일괄적으로 말할 수 있는 것은 아니지만, 예를 들면, 50 ~ 150℃에 있어서 0.1 ~ 10.0시간 정도인 것이 바람직하다. 또한, 이와 같이 하여 얻어지는 필름 형상 접착제용 조성물로서는, 불휘발분 농도가 40 ~ 90 질량% 정도인 것이 바람직하다.
본 발명의 필름 형상 접착제용 조성물로서는, 상기 에폭시 수지(A), 상기 에폭시 수지 경화제(B), 상기 페녹시 수지(C), 및 상기 표면 처리 구상 실리카 필러(D) 외에, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에 있어서, 상기 유기 용매; 상기 표면 처리 구상 실리카 필러(D) 이외의 충전제, 점도 조정제, 산화 방지제, 난연제, 착색제, 부타디엔계 고무나 실리콘 고무 등의 응력 완화제 등의 첨가제를 더 함유하고 있어도 좋다.
상기 첨가제 중에서도, 얻어지는 필름 형상 접착제의 용융 점도가 너무 낮아 지면 웨이퍼를 배선 기판에 열압착시키는 경우에 수지 흐름이나 수지 올라옴 등에 의해서 다른 부재 등을 오염시키기 쉬워지는 경향이 있다는 관점으로부터, 점도 조정제를 함유하는 것이 바람직하다. 상기 점도 조정제로서는, 폴리 카르복실산의 아마이드계, 변성 우레아계, 우레아 변성 우레탄계, 우레아 변성 폴리아마이드계, 우레아 변성 폴리아마이드계의 계면 활성제; 소수성 발연 실리카(hydrophobic fumed silica) 등을 들 수 있다. 본 발명의 필름 형상 접착제용 조성물에 이러한 첨가제를 함유시키는 경우, 상기 에폭시 수지(A), 상기 에폭시 수지 경화제(B) 및 상기 페녹시 수지(C)와 동일한 타이밍에 첨가하는 것이 바람직하고, 그 배합량으로서는, 얻어지는 필름 형상 접착제용 조성물에 있어서의 첨가제의 함유량이 3 질량% 이하가 되는 양인 것이 바람직하다.
다음에, 본 발명의 필름 형상 접착제에 대하여 설명한다. 본 발명의 필름 형상 접착제는, 상기 본 발명의 필름 형상 접착제용 조성물을 필름 형상으로 성형하여 이루어지는 필름 형상 접착제이며, 레오미터(rheometer)에서 20℃에서 10℃/분의 승온 속도로 가열하였을 때에 관측되는 80℃에 있어서의 용융 점도가 10000 Pa·s 이하인 것을 특징으로 하는 것이다. 또한, 본 발명의 필름 형상 접착제에 있어서는, 상기 표면 처리 구상 실리카 필러(D)가 균일 분산되어 있다.
본 발명의 필름 형상 접착제의 제조방법의 적합한 일실시 형태로서는, 상기 필름 형상 접착제용 조성물을 이형(離型) 처리된 기재 필름의 한 쪽의 면 위에 도공(塗工)하고, 가열 건조를 실시하는 방법을 들 수 있지만, 이 방법으로 특별히 제한되는 것은 아니다.
상기 이형 처리한 기재 필름으로서는, 얻어지는 필름 형상 접착제의 커버 필름으로서 기능하는 것이면 좋고, 공지의 것을 적절하게 채용할 수 있고, 예를 들면, 이형 처리된 폴리프로필렌(PP), 이형 처리된 폴리에틸렌(PE), 이형 처리된 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)를 들 수 있다. 상기 도공 방법으로서는, 공지의 방법을 적절하게 채용할 수 있고, 예를 들면, 롤 나이프 코터, 그라비아 코터, 다이 코터, 리버스 코터 등을 이용한 방법을 들 수 있다.
상기 가열 건조는, 상기 필름 형상 접착제용 조성물의 경화 개시 온도 미만의 온도로 행한다. 이러한 온도로서는, 사용하는 수지의 종류에 의해 다른 것이며, 일괄적으로 말할 수 있는 것은 아니지만, 예를 들면, 40 ~ 100℃인 것이 바람직하고, 60 ~ 100℃인 것이 보다 바람직하다. 온도가 상기 하한 미만이면 필름 형상 접착제에 잔존하는 용매량이 많아져서, 필름 택크성이 강해지는 경향이 있고, 한편, 경화 개시 온도 이상이 되면 상기 필름 형상 접착제용 조성물이 경화해 버려서, 필름 형상 접착제의 접착성이 저하하는 경향이 있다. 또한, 상기 가열 건조의 시간으로서는, 예를 들면, 10 ~ 60분간인 것이 바람직하다. 또한, 필름 형상 접착제로 했을 때의 불휘발분 농도는 95.0 ~ 99.8 질량% 정도인 것이 바람직하다.
이와 같이 얻어진 본 발명의 필름 형상 접착제로서는, 두께가 1 ~ 50μm인 것이 바람직하고, 배선 기판 표면의 요철을 보다 충분히 매립할 수 있다는 관점으로부터, 5 ~ 40μm인 것이 보다 바람직하고, 10 ~ 30μm인 것이 더 바람직하다. 두께가 상기 하한 미만이면 배선 기판 표면의 요철을 충분히 매립시키지 못하여, 충분한 밀착성을 담보할 수 없게 되는 경향이 있고, 한편, 상기 상한을 초과하면 제조시에 있어서 유기 용매를 제거하는 것이 곤란해지기 때문에, 잔존 용매량이 많아져서, 필름 택크성이 강해지는 경향이 있다. 또한, 본 발명의 필름 형상 접착제용 조성물에 있어서 상기 표면 처리 구상 실리카 필러(D)가 균일 분산되어 있기 때문에, 본 발명의 필름 형상 접착제로서는, 두께를 1 ~ 10μm 정도로 해도 표면 외관을 양호하게 하는 것이 가능하다.
이러한 본 발명의 필름 형상 접착제는 용융 점도가 충분히 낮고, 피착체와의 밀착성이 우수하다. 상기 용융 점도로서는, 구체적으로는, 레오미터에서 20℃에서 10℃/분의 승온 속도로 가열하였을 때에 관측되는 80℃에 있어서의 용융 점도가 10000 Pa·s 이하이다. 상기 용융 점도로서는, 10 ~ 10000 Pa·s인 것이 보다 바람직하다. 용융 점도가 상기 하한 미만이면, 웨이퍼 이면과 접착시킬 때에 수지 흐름이나 수지 올라옴 등에 의해서 다른 부재를 오염시키는 경향이 있고, 한편, 용융 점도가 상기 상한을 초과하면, 필름 형상 접착제를 웨이퍼 이면이나 요철이 있는 배선 기판의 표면에 접착시킬 때에 피착체와의 계면에 공기가 들어가기 쉬워지는 경향이 있다.
본 발명의 필름 형상 접착제는, 이러한 용융 점도 특성을 가지기 때문에, 적합한 온도 범위(예를 들면 60 ~ 120℃)에서 피착체에 압착하는 것이 가능하고, 피착체에 대해서 우수한 밀착성을 발휘한다. 또한, 본 발명에 있어서, 용융 점도라는 것은, 용융 수지의 소정의 온도에 있어서의 점성 저항을 측정하는 것에 의해 얻어지는 값이며, 80℃에 있어서의 용융 점도라는 것은, 레오미터(상품명: RS150, HAAKE사제)를 이용하여, 온도 범위 20 ~ 100℃, 승온 속도 10℃/min에서의 점성 저항의 변화를 측정하고, 얻어진 온도-점성 저항 곡선에 있어서 온도가 80℃일 때의 점성 저항을 말한다.
또한, 본 발명의 필름 형상 접착제에 있어서는, 열경화 후의 200℃에서의 탄성률이 20 ~ 3000 MPa이다. 상기 탄성률로서는, 50 ~ 1000 MPa인 것이 보다 바람직하다. 탄성률이 상기 하한 미만이면, 배선 기판과 반도체 칩과의 사이의 접착이 불안정해지고, 반도체 칩을 소형화하는 경우에는 특히, 본딩 와이어의 접합 강도가 부족해지기 쉬워지는 경향이 있다. 한편, 상기 상한을 초과하면, 고온 조건하에 있어서의 응력 완화 능력이 저하하고, 신뢰성 시험시에 박리 불량이 발생하기 쉬워지는 경향이 있다. 또한, 본 발명에 있어서, 200℃에서의 탄성률이라는 것은, 동적 점탄성 측정 장치(상품명: Rheogel-E4000F, 카부시키가이샤유비엠(株式會社 UBM)제)를 이용하여, 측정 온도 범위 30 ~ 300℃, 승온 속도 5℃/min, 및 주파수 1 Hz의 조건하에서 측정했을 때의 200℃에 있어서의 값을 말한다.
또한, 본 발명의 필름 형상 접착제에 있어서는, 열경화 후의 포화 흡수율이 1.5 질량% 이하이다. 상기 포화 흡수율로서는, 1.3 질량% 이하인 것이 보다 바람직하다. 포화 흡수율이 상기 상한치를 넘으면, 반도체 패키지를 리플로우 방식에 의해 납땜할 때에, 다이 어테치 필름 내부의 수분의 폭발적인 기화에 의해 패키지 크랙이 발생하기 쉬워지는 경향이 있다. 또한, 본 발명에 있어서, 포화 흡수율은, 항온 항습기(상품명: PR-1J, 에스펙크카부시키가이샤(ESPEC 株式會社)제)를 이용하여, 열경화 후의 필름 형상 접착제를 온도 85℃, 상대 습도 85%RH에 있어서 100시간 흡습시킨 전후의 질량을 측정하여 산출할 수 있다.
상기 열경화는, 상기 필름 형상 접착제용 조성물의 경화 개시 온도 이상의 온도로 가열하는 것에 의해 행한다. 이러한 온도로서는, 사용하는 수지의 종류에 의해 다른 것이며, 일괄적으로 말할 수 있는 것은 아니지만, 예를 들면, 120 ~ 180℃인 것이 바람직하고, 120 ~ 140℃인 것이 보다 바람직하다. 온도가 경화 개시 온도 미만이면 열경화가 충분히 진행되지 않아서, 열경화 후의 필름 형상 접착제의 강도가 저하하는 경향이 있고, 한편, 상기 상한을 초과하면 경화 중에 필름 형상 접착제 중의 에폭시 수지나 경화제, 첨가제 등이 휘발하여 필름 형상 접착제가 발포하기 쉬워지는 경향이 있다. 또한, 이러한 가열 시간으로서는, 예를 들면, 10 ~ 180분간인 것이 바람직하다. 또한, 상기 열경화에 있어서는, 0.1 ~ 10 MPa 정도의 압력을 가하는 것이 보다 바람직하다.
다음에, 도면을 참조하면서 본 발명의 반도체 패키지의 제조방법의 적합한 실시 형태에 대하여 상세하게 설명한다. 또한, 이하의 설명 및 도면 중, 동일 또는 상당한 요소에는 동일한 부호를 부여하고, 중복하는 설명은 생략한다. 도 1 ~ 도 5는, 본 발명의 반도체 패키지의 제조방법의 각 공정의 적합한 일실시 형태를 나타내는 개략 종단면도이다.
본 발명의 반도체 패키지의 제조방법에 있어서는, 먼저, 제1의 공정으로서, 도 1에 나타낸 바와 같이, 표면에 적어도 1개의 반도체 회로가 형성된 웨이퍼(1)의 이면에, 상기 본 발명의 필름 형상 접착제를 열압착하여 접착제층(2)을 마련한다.
웨이퍼(1)로서는, 표면에 적어도 1개의 반도체 회로가 형성된 웨이퍼를 적절하게 이용할 수 있고, 예를 들면, 실리콘 웨이퍼, SiC 웨이퍼, GaS 웨이퍼를 들 수 있다. 접착제층(2)으로서는, 상기 본 발명의 필름 형상 접착제를 1층으로 단독으로 이용해도 좋고, 2층 이상을 적층하여 이용해도 좋다.
이러한 접착제층(2)을 웨이퍼(1)의 이면에 마련하는 방법으로서는, 상기 필름 형상 접착제를 웨이퍼(1)의 이면에 적층시키는 것이 가능한 방법을 적절하게 채용할 수 있고, 웨이퍼(1)의 이면에 상기 필름 형상 접착제를 첩합(貼合)한 후, 2층 이상을 적층하는 경우에는 소망의 두께가 될 때까지 순차적으로 필름 형상 접착제를 적층시키는 방법이나, 필름 형상 접착제를 미리 목적의 두께로 적층한 후에 웨이퍼(1)의 이면에 첩합하는 방법 등을 들 수 있다. 또한, 이러한 접착제층(2)을 웨이퍼(1)의 이면에 마련할 때에 이용하는 장치로서는, 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, 롤러 라미네이터, 매뉴얼 라미네이터와 같은 공지의 장치를 적절하게 이용할 수 있다.
접착제층(2)을 웨이퍼(1)의 이면에 마련할 때에는, 상기 필름 형상 접착제의 용융 점도가 10000 Pa·s 이하가 되는 온도 이상이며, 또한 상기 필름 형상 접착제의 열경화 개시 온도 미만인 온도 범위 내의 온도에 있어서 상기 필름 형상 접착제를 웨이퍼(1)의 이면에 붙이는 것이 바람직하다. 이러한 온도 조건으로서는, 사용하는 수지의 종류에 의해 다른 것이며, 일괄적으로 말할 수 있는 것은 아니지만, 예를 들면, 40 ~ 100℃인 것이 바람직하고, 40 ~ 80℃인 것이 보다 바람직하다. 온도가 상기 하한 미만이면, 접착제층(2)과 웨이퍼(1)의 계면에 공기가 들어가기 쉬워지는 경향이 있고, 접착제층(2)이 2층 이상 적층된 것인 경우에는, 상기 필름 형상 접착제의 층간의 접착이 불충분하게 되는 경향이 있다. 한편, 열경화 개시 온도 이상이 되면 상기 필름 형상 접착제가 경화해 버려서, 배선 기판에 접착할 때의 접착성이 저하하는 경향이 있다. 또한, 이러한 열압착의 시간으로서는, 예를 들면 1 ~ 180초간 정도인 것이 바람직하다.
또한, 접착제층(2)을 웨이퍼(1)의 이면에 마련할 때에는, 0.1 ~ 1 MPa 정도의 압력을 가하는 것이 바람직하다. 압력이 상기 하한 미만에서는, 접착제층(2)을 웨이퍼(1)와 첩합하기 위하여 시간이 걸리고, 또한 보이드의 발생을 충분히 방지할 수 없게 되는 경향이 있고, 한편, 상기 상한을 초과하면, 접착제층(2)의 삐져나옴을 제어할 수 없게 되는 경향이 있다.
다음에, 본 발명의 반도체 패키지의 제조방법에 있어서는, 제2의 공정으로서, 도 2에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(1)와 다이싱 테이프(3)와를 접착제층(2)을 개재하여 접착한 후에, 웨이퍼(1)와 접착제층(2)을 동시에 다이싱하는 것에 의해 웨이퍼(1)와 접착제층(2)을 구비하는 접착제층 부가 반도체 칩(4)을 얻는다.
다이싱 테이프(3)로서는 특별히 제한되지 않고, 적절하게 공지의 다이싱 테이프를 이용할 수 있다. 또한, 다이싱에 이용하는 장치도 특별히 제한되지 않고, 적절하게 공지의 다이싱 장치를 이용할 수 있다.
다음에, 본 발명의 반도체 패키지의 제조방법에 있어서는, 제3의 공정으로서, 도 3에 나타낸 바와 같이, 접착제층(2)으로부터 다이싱 테이프(3)를 이탈시키고, 접착제층 부가 반도체 칩(4)과 배선 기판(5)과를 접착제층(2)을 개재하여 열압착시켜서, 배선 기판(5)에 접착제층 부가 반도체 칩(4)을 실장한다.
배선 기판(5)으로서는, 표면에 반도체 회로가 형성된 기판을 적절하게 이용할 수 있고, 예를 들면, 프린트 회로 기판(PCB), 각종 리드 프레임, 및, 기판 표면에 저항 소자나 콘덴서 등의 전자 부품이 탑재된 기판을 들 수 있다. 또한, 배선 기판(5)으로서 다른 반도체 칩을 이용하는 것에 의해, 접착제층(2)을 개재하여 반도체 칩을 복수 개 적층할 수도 있다.
이러한 배선 기판(5)에 접착제층 부가 반도체 칩(4)을 실장하는 방법으로서는 특별히 제한되지 않고, 접착제층(2)을 이용하여 접착제층 부가 반도체 칩(4)을 배선 기판(5) 또는 배선 기판(5)의 표면 상에 탑재된 전자 부품에 접착시키는 것이 가능한 종래의 방법을 적절하게 채용할 수 있다. 이러한 실장 방법으로서는, 상부에서의 가열 기능을 가지는 플립칩 본더를 이용한 실장 기술을 이용하는 방법, 하부에서만의 가열 기능을 가지는 다이 본더를 이용하는 방법, 라미네이터를 이용하는 방법 등의 종래 공지의 가열, 가압 방법을 들 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 필름 형상 접착제로 이루어지는 접착제층(2)을 개재하여 접착제층 부가 반도체 칩(4)을 배선 기판(5) 상에 실장하는 것으로, 전자 부품에 의해 생기는 배선 기판(5) 상의 요철에 상기 필름 형상 접착제를 추종(追從)시킬 수 있기 때문에, 웨이퍼(1)와 배선 기판(5)을 밀착시켜서 고정하는 것이 가능해진다.
배선 기판(5)과 접착제층 부가 반도체 칩(4)을 접착할 때에는, 상기 필름 형상 접착제의 용융 점도가 10000 Pa·s 이하가 되는 온도 이상이며, 또한 상기 필름 형상 접착제의 열경화 개시 온도 미만인 온도에 있어서 배선 기판(5)과 접착제층 부가 반도체 칩(4)을 접착하는 것이 바람직하다. 이러한 온도 조건하에 있어서 배선 기판(5)과 반도체소자(4)를 접착하는 것으로, 접착제층(2)과 배선 기판(5)와의 계면에 공기가 들어가기 어려워지는 경향이 있다. 이러한 온도 조건, 시간 조건 및 압력 조건으로서는, 상기 제1의 공정에서 기술한 바와 같다.
다음에, 본 발명의 반도체 패키지의 제조방법에 있어서는, 제4의 공정으로서, 상기 필름 형상 접착제를 열경화시킨다. 상기 열경화의 온도로서는, 상기 필름 형상 접착제의 열경화 개시 온도 이상이면 특별히 제한이 없고, 사용하는 수지의 종류에 의해 다른 것이며, 일괄적으로 말할 수 있는 것은 아니지만, 예를 들면, 120 ~ 180℃인 것이 바람직하고, 120 ~ 130℃인 것이 보다 바람직하다. 온도가 열경화 개시 온도 미만이면, 열경화가 충분히 진행되지 않아서, 접착층(2)의 강도가 저하하는 경향이 있고, 한편, 상기 상한을 초과하면 경화 과정 중에 필름 형상 접착제 중의 에폭시 수지, 경화제나 첨가제 등이 휘발하여 발포하기 쉬워지는 경향이 있다. 또한, 상기 경화 처리의 시간으로서는, 예를 들면, 10 ~ 180분간인 것이 바람직하고, 또한, 상기 열경화에 있어서는, 0.1 ~ 10 MPa 정도의 압력을 가하는 것이 보다 바람직하다. 본 발명에 있어서는, 상기 필름 형상 접착제를 열경화시키는 것에 의해, 충분히 높은 탄성률 및 낮은 흡수율을 가지는 접착층(2)이 얻어지고, 배선 기판(5)과 웨이퍼(1)가 강고하게 접착된 반도체 패키지를 얻을 수 있다.
다음에, 본 발명의 반도체 패키지의 제조방법에 있어서는, 도 4에 나타낸 바와 같이, 배선 기판(5)과 접착제층 부가 반도체 칩(4)을 본딩 와이어(6)를 개재하여 접속하는 것이 바람직하다. 이러한 접속 방법으로서는 특별히 제한되지 않고, 종래 공지의 방법, 예를 들면, 와이어 본딩 방식의 방법, TAB(Tape Automated Bonding) 방식의 방법 등을 적절하게 채용할 수 있다. 본 발명의 필름 형상 접착제로 이루어지는 접착제층(2)은, 열경화 후에 충분히 높은 탄성률을 발휘하기 때문에, 1mm×1mm의 사이즈 이하의 소형의 반도체 칩을 이용한 경우라도, 안정적으로 본딩 와이어를 접속하는 것이 가능하고, 결과적으로, 충분한 본딩 와이어 접합 강도를 얻을 수 있다.
다음에, 본 발명의 반도체 패키지의 제조방법에 있어서는, 도 5에 나타낸 바와 같이, 밀봉 수지(7)에 의해 배선 기판(5)과 접착제층 부가 반도체 칩(4)을 밀봉하는 것이 바람직하고, 이와 같이 하여 반도체 패키지(8)를 얻을 수 있다. 밀봉 수지(7)로서는 특별히 제한되지 않고, 반도체 패키지의 제조에 이용할 수 있는 공지의 밀봉 수지를 적절하게 이용할 수 있다. 또한, 밀봉 수지(7)에 의한 밀봉 방법으로서도 특별히 제한되지 않고, 적절하게 공지의 방법을 채용하는 것이 가능하다.
이러한 본 발명의 반도체 패키지의 제조방법에 의하면, 웨이퍼(1)와의 계면 및 배선 기판(5) 상의 요철과의 계면을 필름 형상 접착제로 이루어지는 접착제층(2)에 의해서 충분히 매립할 수 있기 때문에, 웨이퍼(1)와 접착제층(2)의 사이 및 접착제층(2)과 배선 기판(5)의 사이에 공간이 생기는 일 없이 웨이퍼(1)를 배선 기판(5)에 고정할 수 있다.
또한, 본 발명의 반도체 패키지의 제조방법에 있어서는, 상기 본 발명의 필름 형상 접착제용 조성물로 이루어지는 본 발명의 필름 형상 접착제를 이용하기 때문에, 반도체 칩을 보다 박형화·소형화시켜도, 배선 기판(5)에 높은 정밀도로 접착시킬 수 있고, 또한, 충분한 본딩 와이어 접합 강도를 얻을 수 있다. 또한, 이러한 제조방법에 의해 얻어지는 본 발명의 반도체 패키지는, 웨이퍼(1)와 배선 기판(5)의 사이의 접착층(2)에 있어서의 흡수율이 충분히 낮기 때문에, 장치 등에 실장될 때에 리플로우 방식으로 납땜되어도, 패키지 크랙의 발생이 충분히 억제된다.
[실시예]
이하, 실시예 및 비교예에 근거하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명하는데, 본 발명은 이하의 실시예로 한정되는 것은 아니다. 또한, 각 실시예 및 비교예에 있어서, 용융 점도, 탄성률, 포화 흡수율의 측정, 및 그라인드 게이지 평가, 필름 표면 외관 평가, 와이어 본드성 평가, 패키지 크랙 평가는, 각각 이하에 나타내는 방법에 의해 실시했다.
(그라인드 게이지 평가)
각 실시예 및 비교예에 있어서 얻어진 필름 형상 접착제용 조성물 2g를, 각각 JISK5600-2-5(1999)에 규정되는 10 ~ 100μm의 게이지와 스크레이퍼로부터 이루어지는 입도계(입도 게이지, 카부시키가이샤다이이치소쿠한세이사쿠쇼(株式會社第一測範製作所)제)의 게이지의 홈에 두고, 스크레이퍼를 당겨서 움직였을 때에 조성물 표면에 나타난 선의 개시점의 게이지의 깊이의 값을 측정했다.
(필름 표면 외관 평가)
각 실시예 및 비교예에 있어서 얻어진 필름 형상 접착제용 조성물을, 두께 50μm의 이형 처리된 PET 필름 상에 도포하여 온도 100℃에 있어서 10분간 가열하여 건조시키고, 두께가 5μm인 필름 형상 접착제를 제작했다. 얻어진 필름 형상 접착제 표면의 외관을 눈으로 보아 관찰하고, 다음의 기준:
A: 표면에 줄무늬, 응집물이 보이지 않는다
B: 표면에 줄무늬, 응집물이 보인다
에 따라서 평가했다.
(용융 점도의 측정)
각 실시예 및 비교예에 있어서 얻어진 필름 형상 접착제를 2.5cm×2.5 cm의 사이즈로 잘라내서 적층하고, 진공 라미네이터 장치(상품명: MVLP-500, 카부시키가이샤메이키세이사쿠쇼(株式會社名機製作所)제)를 이용하여 온도 50℃, 압력 0.3 MPa에 있어서 10초간 첩합하여, 두께가 300μm인 시험편을 얻었다. 이 시험편에 대해서, 레오미터(RS150, Haake사제)를 이용하여, 온도 범위 20 ~ 100℃, 승온 속도 10℃/min에서의 점성 저항의 변화를 측정하고, 얻어진 온도-점성 저항 곡선으로부터 80℃에 있어서의 용융 점도(Pa·s)를 산출했다.
(탄성률의 측정)
각 실시예 및 비교예에 있어서 얻어진 필름 형상 접착제를 5mm×17mm의 사이즈로 잘라내고, 건조기를 이용하여 온도 180℃에 있어서 1시간 가열하는 것에 의해 필름 형상 접착제를 열경화시켰다. 열경화 후의 필름 형상 접착제에 대해서, 동적 점탄성 측정 장치(상품명: Rheogel-E4000F, 카부시키가이샤유비엠제)를 이용하여, 측정 온도 범위 30 ~ 300℃, 승온 속도 5℃/min, 및 주파수 1 Hz의 조건하에서 측정을 행하고, 100℃, 200℃, 250℃에서의 각 탄성률의 값을 구했다.
(포화 흡수율의 측정)
각 실시예 및 비교예에 있어서 얻어진 필름 형상 접착제를 1변이 50mm 이상의 사각편으로 잘라내고, 두께가 5mm 이상이 되도록 적층하여 직경 50mm, 두께 3mm의 원반(圓盤) 형상 금형 상에 배치하고, 압축 프레스 성형기(상품명: ETA-D, 카부시키가이샤신도킨조쿠코교쇼(株式會社神藤金屬工業所)제)를 이용하여 온도 150℃, 압력 2 MPa에 있어서 10분간 가열한 후, 이것을 열건조기 중에 배치하여 온도 180℃에서 1시간 더 가열하는 것에 의해 필름 형상 접착제를 열경화시키고, 직경 50mm, 두께 3mm의 원반 형상 시험편을 얻었다. 이 시험편의 질량(W1), 및 항온 항습기(상품명: PR-1J, 에스펙크카부시키가이샤제)를 이용하여, 온도 85℃, 상대 습도 85%RH에 있어서 100시간 흡수시킨 후의 질량(W2)을 각각 측정하고, 하기 식:
포화 흡수율(질량%) = {(W2-W1)/W1}×100
에 의해 포화 흡수율을 구했다.
(와이어 본드성 평가)
각 실시예 및 비교예에 있어서 얻어진 필름 형상 접착제를, 먼저, 매뉴얼 라미네이터(상품명: FM-114, 테크노비전사제)를 이용하여 온도 70℃, 압력 0.3 MPa에 있어서 더미 실리콘 웨이퍼(알루미늄 증착 실리콘 웨이퍼, 8 inch 사이즈, 두께 100μm)의 한 쪽의 면에 접착시킨 후, 상기 매뉴얼 라미네이터를 이용하여 실온, 압력 0.3 MPa에 있어서 필름 형상 접착제의 상기 더미 실리콘 웨이퍼와는 반대측의 면 위에 다이싱 테이프(상품명: G-11, 린텍카부시키가이샤(LINTEC 株式會社)제) 및 다이싱 프레임(상품명: DTF2-8-1H001, DISCO사제)을 접착시켰다. 그 다음에, 2축의 다이싱 블레이드(Z1: NBC-ZH2030-SE(DD), DISCO사제 / Z2: NBC-ZH127F-SE(BB), DISCO사제)가 설치된 다이싱 장치(상품명: DFD-6340, DISCO사제)를 이용하여 0.5mm×0.5mm의 사이즈가 되도록 다이싱을 실시하여 반도체 칩을 얻었다.
다음에, 다이 본더(상품명: SPA-300, 카부시키가이샤신카와(株式會社新川)제)에서 온도 120℃, 압력 4.1 MPa(하중 100gf), 시간 1.0초의 조건에 있어서 상기 반도체 칩을 리드 프레임 기판(42Arroy계, 톳판인사츠카부시키가이샤(凸版印刷株式會社)제)에 열압착하고, 이것을 건조기 중에 배치하여 온도 120℃에서 1시간 가열하는 것에 의해 필름 형상 접착제를 열경화시켰다. 다음에, 와이어 본더(상품명: UTC-3000, 카부시키가이샤신카와)를 이용하여, 스테이지 온도 200℃에서 상기 반도체 칩 및 상기 리드 프레임 기판을 금 와이어(상품명: AT시리즈, 25 umΦ, 신닛테츠마테리얼즈카부시키가이샤(新日鐵 MATERIALS 株式會社)제)에 의해 접속하고, 상기 반도체 칩 표면의 볼 쉐어( ball shear ) 강도를 본드 테스터(상품명: 시리즈 5000, 데이지(주))를 이용하여 측정하고, 이하의 기준:
A: 볼 쉐어 강도 10 mg/m2 이상
B: 볼 쉐어 강도 10 ~ 5 mg/m2
C: 볼 쉐어 강도 5 mg/m2 이하
에 따라서 평가했다.
(패키지 크랙 평가)
상기 와이어 본드성 평가의 방법과 동일하게 반도체 칩 및 배선 기판이 금 와이어로 접속된 시험편을 제작하고, 몰드 장치(상품명: V1R, TOWA(주)제)를 이용하여, 몰드제(쿄세라(KYOSERA)제, KE-3000F5-2)에 의해 시험편을 밀봉하고, 온도 180℃에 있어서 5시간 가열하여 열경화시켜서, 반도체 패키지를 얻었다. 항온 항습기(상품명: PR-1J, 에스펙크카부시키가이샤제)를 이용하여, 얻어진 반도체 패키지를 온도 85℃, 상대 습도 85%RH에 있어서 100시간 흡수시킨 후, IR 리플로우 로(爐)에서 온도 240℃에 있어서 10초간 가열했다. 가열 후의 반도체 패키지를 다이아몬드 커터로 절단하고, 현미경으로 관찰하여 패키지 크랙이 발생하고 있는지 아닌지를 관찰했다. 반도체 패키지는 30개 조립하고, 이하의 기준:
A: 모든 반도체 패키지에 있어서 패키지 크랙의 발생이 보이지 않는다
B: 1개 이상의 반도체 패키지에 있어서 패키지 크랙이 발생했다
에 따라서 평가했다.
먼저, 100ml의 세퍼러블 플라스크 중에 있어서, 3-글리시독시프로필 트리메톡시 실란(상품명: KBM-403, 신에츠실리콘카부시키가이샤(信越 SILICONE 株式會社)제) 1.5 질량부(구상 실리카 필러 100 질량부에 대해서 2 질량부)를 칭량(秤量)하여 용매로서의 메틸이소부틸케톤(MIBK) 32 질량부 중에서 온도 50℃에 있어서 2시간 교반했다. 여기에 구상 실리카 필러(상품명: SO-C2, 평균 입경 0.5μm, 카부시키가이샤아드마텍스(株式會社 ADMATECHS)제)를 74 질량부를 칭량하여 배합하고, 또한 2시간 교반하여 표면 처리 구상 실리카 필러 분산액을 얻었다.
다음에, 얻어진 표면 처리 구상 실리카 필러 분산액에, 고형 비스페놀 A형 에폭시 수지(상품명: YD-011, 중량 평균 분자량: 1000, 연화점: 70℃, 고체, 에폭시 당량: 450, 신닛카에폭시세이조카부시키가이샤제) 55 질량부, 액체 비스페놀 A형 에폭시 수지(상품명: YD-128, 중량 평균 분자량: 400, 연화점: 25℃ 이하, 액체, 에폭시 당량: 190, 신닛카에폭시세이조카부시키가이샤제) 49 질량부, 비스페놀 A형 페녹시 수지(상품명: YP-50S, 중량 평균 분자량: 60000, Tg: 84℃, 신닛카에폭시세이조카부시키가이샤제) 28 질량부, 및 용매로서의 메틸이소부틸케톤 40 질량부를 칭량하여 배합하고, 500ml의 세퍼러블 플라스크 중, 온도 110℃에 있어서 2시간 가열 교반하여 수지 혼합물을 얻었다.
다음에, 이 수지 혼합물 280 질량부를 800ml의 유성 믹서로 옮기고, 이미다졸형 경화제(상품명: 2PHZ-PW, 시코쿠카세이카부시키가이샤(四國化成株式會社)제) 9 질량부를 더하고, 실온에 있어서 1시간 교반 혼합한 후, 진공 탈포(脫泡)하여 필름 형상 접착제용 조성물을 얻었다. 다음에, 얻어진 필름 형상 접착제용 조성물을 두께 50μm의 이형 처리된 PET 필름 상에 도포하여 온도 100℃에 있어서 10분간 가열하여 건조시키고, 200mm×300mm, 두께가 5μm인 필름 형상 접착제를 얻었다.
3-글리시독시프로필 트리메톡시 실란 대신에 비닐 트리메톡시 실란(상품명; KBM-1003, 신에츠실리콘카부시키가이샤제)을 이용한 것 외에는 실시예 1과 동일하게 하여 필름 형상 접착제용 조성물 및 필름 형상 접착제를 얻었다.
3-글리시독시프로필 트리메톡시 실란 대신에 비닐 트리에톡시 실란(상품명; KBE-1003, 신에츠실리콘카부시키가이샤제)을 이용한 것 외에는 실시예 1과 동일하게 하여 필름 형상 접착제용 조성물 및 필름 형상 접착제를 얻었다.
고형 비스페놀 A형 에폭시 수지 대신에 크레졸 노볼락형 에폭시 수지(상품명: ECON-1020-80, 중량 평균 분자량: 1200, 연화점: 80℃, 고체, 에폭시 당량: 200, 니폰카야쿠카부시키가이샤(日本化藥株式會社)제)을 이용한 것 외에는 실시예 2와 동일하게 하여 필름 형상 접착제용 조성물 및 필름 형상 접착제를 얻었다.
고형 비스페놀 A형 에폭시 수지 대신에 트리페닐 메탄형 에폭시 수지(상품명: EPPN-501H, 중량 평균 분자량: 1000, 연화점: 55℃, 고체, 에폭시 당량: 167, 니폰카야쿠카부시키가이샤제)을 이용한 것 외에는 실시예 2와 동일하게 하여 필름 형상 접착제용 조성물 및 필름 형상 접착제를 얻었다.
고형 비스페놀 A형 에폭시 수지 대신에 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지(상품명: XD-1000, 중량 평균 분자량: 1200, 연화점: 70℃, 고체, 에폭시 당량: 250, 니폰카야쿠카부시키가이샤제)을 이용한 것 외에는 실시예 2와 동일하게 하여 필름 형상 접착제용 조성물 및 필름 형상 접착제를 얻었다.
표면 처리 구상 실리카 필러 분산액에, 첨가제로서 소수성 발연 실리카(상품명: RY-200, 니폰아엘로질카부시키가이샤(日本 AEROSIL 株式會社)제)를 3 질량부 더 배합한 것 외에는 실시예 2와 동일하게 하여 필름 형상 접착제용 조성물 및 필름 형상 접착제를 얻었다.
표면 처리 구상 실리카 필러 분산액에 이용하는 비닐 트리메톡시 실란의 배합량을 2.8 질량부, 메틸이소부틸케톤의 배합량을 60 질량부, 구상 실리카 필러의 배합량을 137 질량부로 한 것 외에는 실시예 2와 동일하게 하여 필름 형상 접착제용 조성물 및 필름 형상 접착제를 얻었다.
표면 처리 구상 실리카 필러 분산액에 이용하는 비닐 트리메톡시 실란의 배합량을 4.2 질량부, 메틸이소부틸케톤의 배합량을 90 질량부, 구상 실리카 필러의 배합량을 206 질량부로 한 것 외에는 실시예 2와 동일하게 하여 필름 형상 접착제용 조성물 및 필름 형상 접착제를 얻었다.
표면 처리 구상 실리카 필러 분산액에 이용하는 비닐 트리메톡시 실란의 배합량을 6.5 질량부, 메틸이소부틸케톤의 배합량을 140 질량부, 구상 실리카 필러의 배합량을 320 질량부로 한 것 외에는 실시예 2와 동일하게 하여 필름 형상 접착제용 조성물 및 필름 형상 접착제를 얻었다.
(비교예 1)
먼저, 500ml의 세퍼러블 플라스크 중에, 비닐 트리메톡시 실란(이름; KBM-1003, 신에츠실리콘카부시키가이샤제) 1.5 질량부(구상 실리카 필러 100 질량부에 대해서 2 질량부), 구상 실리카 필러(상품명: SO-C2, 평균 입경 0.5μm, 카부시키가이샤아드마텍스제)를 74 질량부, 고형 비스페놀 A형 에폭시 수지(상품명: YD-011, 중량 평균 분자량: 1000, 연화점: 70℃, 고체, 에폭시 당량: 450, 신닛카에폭시세이조카부시키가이샤제) 55 질량부, 액체 비스페놀 A형 에폭시 수지(상품명: YD-128, 중량 평균 분자량: 400, 연화점: 25℃ 이하, 액체, 에폭시 당량: 190, 신닛카에폭시세이조카부시키가이샤제) 49 질량부, 비스페놀 A형 페녹시 수지(상품명: YP-50S, 중량 평균 분자량: 60000, Tg: 84℃, 신닛카에폭시세이조카부시키가이샤제) 28 질량부, 이미다졸형 경화제(상품명: 2PHZ-PW, 시코쿠카세이카부시키가이샤제) 9 질량부, 및 메틸이소부틸케톤 40 질량부를 칭량하여 배합하고, 온도 110℃에 있어서 2시간 가열 교반하여 수지 혼합물을 얻었다.
다음에, 얻어진 수지 혼합물 280 질량부를 800ml의 유성 믹서로 옮기고, 실온에 있어서 1시간 교반 혼합한 후, 진공 탈포하여 필름 형상 접착제용 조성물을 얻었다. 다음에, 얻어진 필름 형상 접착제용 조성물을 두께 50μm의 이형 처리된 PET 필름 상에 도포하여 온도 100℃에 있어서 10분간 가열하여 건조시키고, 200mm×300mm, 두께가 5μm인 필름 형상 접착제를 얻었다.
(비교예 2)
비닐 트리메톡시 실란의 배합량을 11질량부, 메틸이소부틸케톤의 배합량을 100 질량부, 구상 실리카 필러의 배합량을 549 질량부로 한 것 외에는 비교예 1과 동일하게 하여 필름 형상 접착제용 조성물 및 필름 형상 접착제를 얻었다.
(비교예 3)
표면 처리 구상 실리카 필러 분산액에 배합하는 비닐 트리메톡시 실란의 배합량을 0.3 질량부, 메틸이소부틸케톤의 배합량을 7 질량부, 구상 실리카 필러의 배합량을 15 질량부로 한 것 외에는 실시예 2와 동일하게 하여 필름 형상 접착제용 조성물 및 필름 형상 접착제를 얻었다.
(비교예 4)
표면 처리 구상 실리카 필러 분산액에 배합하는 비닐 트리메톡시 실란의 배합량을 0.7 질량부, 메틸이소부틸케톤의 배합량을 15 질량부, 구상 실리카 필러의 배합량을 34 질량부로 한 것 외에는 실시예 2와 동일하게 하여 필름 형상 접착제용 조성물 및 필름 형상 접착제를 얻었다.
실시예 1 ~ 10 및 비교예 1 ~ 4에 있어서 얻어진 필름 형상 접착제용 조성물을 이용한 그라인드 게이지 평가, 필름 표면 외관 평가, 및, 얻어진 필름 형상 접착제의 용융 점도, 탄성률, 포화 흡수율의 측정, 및 와이어 본드성 평가, 패키지 크랙 평가를 실시한 결과를 필름 형상 접착제용 조성물의 조성과 함께 표 1에 나타낸다. 또한, 그라인드 게이지 평가에 있어서 「<10」은, 선이 관찰되지 않았던 것을 나타낸다.
Figure pct00001
*1: 표면 처리 구상 실리카 필러, 에폭시 수지, 페녹시 수지 및 에폭시 수지 경화제의 합계량에 대한 함유량
*2: 구상 실리카 필러, 비닐 트리메톡시 실란, 에폭시 수지, 페녹시 수지 및 에폭시 수지 경화제의 합계량에 대한 구상 실리카 필러 및 비닐 메톡시 실란의 합계의 함유량
표 1에 나타낸 결과로부터 분명한 바와 같이, 실시예 1 ~ 10에서 얻어진 필름 형상 접착제용 조성물은 표면 처리 구상 실리카 필러가 극히 균일하게 분산되어 있고, 또한, 이것을 이용하여 얻어진 필름 형상 접착제용 조성물로 이루어지는 필름 형상 접착제는 표면 외관이 양호하고, 80℃에 있어서의 용융 점도가 충분히 낮은 것이 확인되었다. 또한, 열경화 후의 탄성률이 충분히 높고 또한 흡수율이 충분히 낮고, 반도체 패키지의 제조 공정에 있어서의 본딩 와이어의 접합 강도도 고수준이며, 패키지 크랙의 발생이 충분히 억제되는 것이 확인되었다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 표면 외관이 양호하고, 용융 점도가 충분히 낮고, 피착체와의 밀착성이 우수하고, 경화 후의 탄성률이 충분히 높고, 또한 흡수율이 충분히 낮은 필름 형상 접착제를 얻는 것이 가능한 필름 형상 접착제용 조성물 및 그의 제조방법, 필름 형상 접착제, 및, 필름 형상 접착제를 이용한 반도체 패키지 및 그의 제조방법을 제공하는 것이 가능해진다.
따라서, 본 발명에 의하면, 반도체 칩을 보다 박형화·소형화시키는 경우에 있어서도, 반도체 패키지의 제조 공정에 있어서, 반도체 칩과 배선 기판을 높은 정밀도로 접착시킬 수 있고, 본딩 와이어의 접합 강도를 고수준으로 유지할 수 있고, 패키지 크랙의 발생을 충분히 억제하는 것이 가능해지기 때문에, 본 발명은, 반도체 패키지 내의 반도체 칩과 배선 기판의 사이나 반도체 칩과 반도체 칩의 사이를 접합하기 위한 기술로서 매우 유용하다.
1: 웨이퍼,
2: 접착제층,
3: 다이싱 테이프,
4: 접착제층 부가 반도체 칩,
5: 배선 기판,
6: 본딩 와이어,
7: 밀봉 수지,
8: 반도체 패키지.

Claims (8)

  1. 에폭시 수지(A), 에폭시 수지 경화제(B), 페녹시 수지(C), 및, 평균 입경(粒徑) 0.01 ~ 2.0μm의 구상 실리카 필러(silica filler)가 실란 커플링제(silane coupling agent)로 표면 처리된 표면 처리 구상 실리카 필러(D)를 함유하며, 또한,
    상기 표면 처리 구상(球狀) 실리카 필러(D)의 함유량이 상기 에폭시 수지(A), 상기 에폭시 수지 경화제(B), 상기 페녹시 수지(C) 및 상기 표면 처리 구상 실리카 필러(D)의 합계량에 대해서 30 ~ 70 질량%이며,
    열경화 후의 200℃에서의 탄성률이 20 ~ 3000 MPa이며,
    열경화 후의 포화 흡수율이 1.5 질량% 이하인,
    필름 형상 접착제용 조성물의 제조방법으로서,
    상기 표면 처리 구상 실리카 필러(D)를 유기 용매 중에 분산시켜서 표면 처리 구상 실리카 필러 분산액을 얻는 공정과,
    상기 표면 처리 구상 실리카 필러 분산액에, 상기 에폭시 수지(A), 상기 에폭시 수지 경화제(B) 및 상기 페녹시 수지(C)를 혼합하여 필름 형상 접착제용 조성물을 얻는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 필름 형상 접착제용 조성물의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 표면 처리 구상 실리카 필러 분산액을 얻는 공정이,
    상기 실란 커플링제를 유기 용매 중에 용해시켜서 실란 커플링제 용액을 얻는 공정과,
    상기 실란 커플링제 용액 중에 상기 구상 실리카 필러를 분산시켜서 상기 구상 실리카 필러를 상기 실란 커플링제로 표면 처리하고, 상기 표면 처리 구상 실리카 필러(D)가 상기 유기 용매 중에 분산된 상기 표면 처리 구상 실리카 필러 분산액을 얻는 공정을 포함하는 공정이며, 또한,
    상기 실란 커플링제의 배합량이 상기 구상 실리카 필러의 배합량 100 질량부에 대해서 1 ~ 5 질량부인 것을 특징으로 하는 필름 형상 접착제용 조성물의 제조방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 실란 커플링제가, 하기 일반식 (1):
    R3 -n-Si(CH3)n-CH=CH2 … (1)
    [식(1) 중, R은 메톡시기, 에톡시기, 2-메톡시에톡시기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나의 가수 분해성 관능기를 나타내고, n은 0 또는 1의 정수를 나타낸다.]
    로 표현되는 비닐계 실란 커플링제인 것을 특징으로 하는 필름 형상 접착제용 조성물의 제조방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 필름 형상 접착제용 조성물의 제조방법에 의해 얻어지는 것을 특징으로 하는 필름 형상 접착제용 조성물.
  5. 제 4 항에 기재된 필름 형상 접착제용 조성물을 필름 형상으로 성형하여 이루어지는 필름 형상 접착제이며,
    레오미터(rheometer)에서 20℃에서 10℃/분의 승온 속도로 가열하였을 때에 관측되는 80℃에 있어서의 용융 점도가 10000 Pa·s 이하인 것을 특징으로 하는 필름 형상 접착제.
  6. 제 5 항에 있어서,
    두께가 1 ~ 50μm인 것을 특징으로 하는 필름 형상 접착제.
  7. 표면에 적어도 1개의 반도체 회로가 형성된 웨이퍼의 이면에, 제 5 항 또는 제 6 항에 기재된 필름 형상 접착제를 열압착하여 접착제층을 마련하는 제1의 공정과,
    상기 웨이퍼와 다이싱 테이프를 상기 접착제층을 개재하여 접착한 후에, 상기 웨이퍼와 상기 접착제층을 동시에 다이싱하는 것에 의해 상기 웨이퍼 및 상기 접착제층을 구비하는 접착제층 부가 반도체 칩을 얻는 제2의 공정과,
    상기 접착제층으로부터 상기 다이싱 테이프를 이탈시키고, 상기 접착제층 부가 반도체 칩과 배선 기판을 상기 접착제층을 개재하여 열압착시키는 제3의 공정과,
    상기 접착제층을 열경화시키는 제4의 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조방법.
  8. 제 7 항에 기재된 제조방법에 의해 얻어지는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.
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