KR20170113552A - 필름상 접착제, 그것을 사용한 반도체 장치 - Google Patents

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Abstract

NCF로서 바람직한 보이드 프리이며, 전기적 접속성 및 그 신뢰성이 우수하고 크랙이 생기기 어렵고, 표면 평탄성이 우수한 필름상 접착제, 및 반도체 장치의 제조시에, 본 발명의 필름상 접착제를 NCF로서 사용한 반도체 장치의 제공. 본 발명의 필름용 접착제는, (A) 에폭시 수지, (B) 비스페놀 F형 페녹시 수지, (C) 페놀 수지계 경화제, (D) 변성 이미다졸 화합물, (E) 실리카 필러, (F) 옥시퀴놀린, 및 (G) 부타디엔·아크릴로니트릴·메타크릴산 공중합체를 함유하고, (A) 성분의 함유량이 19.3∼33.8질량부이며, (B) 성분의 함유량이 7.5∼9.1질량부이며, (D) 성분의 함유량이 1.915∼5질량부이며, (E) 성분의 함유량이 30∼60질량부이며, (F) 성분의 함유량이 2.5∼10질량부이며, (A) 성분의 액상 에폭시 수지는 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 및 액상 에폭시 수지를 함유하고, (A) 성분의 에폭시 수지에 차지하는 페놀 노볼락형 에폭시 수지의 비율이 46% 이상이며, (A) 성분에 대한 (C) 성분의 당량비가 0.25∼0.75인 것을 특징으로 한다.

Description

필름상 접착제, 그것을 사용한 반도체 장치
본 발명은 반도체 실장시에 NCF(Non Conductive Film)로서 사용되는 필름상 접착제 및 이를 사용한 반도체 장치에 관한 것이다.
종래부터 반도체 실장에 있어서는, IC(Integrated Circuit) 칩의 전극(범프)이 형성되어 있는 면과 기판의 전극(전극 패드)이 형성된 면을 대치시켜, IC 칩의 범프와 기판의 전극 패드를 전기적으로 접속하는 플립 칩법이 행해지고 있다.
이 플립 칩법에서는, 전극끼리의 접속 부분을 외부로부터 보호하고, IC 칩과 기판의 선팽창 계수의 차이에 기인하는 응력을 완화하기 위해, 통상, 전극 접속 후에 언더필제로 불리는 액상의 열경화성 접착제를 반도체 칩과 기판 사이에 흘려 넣어 경화시키도록 한다.
근래에는 IC 칩의 미세화가 급속히 진행되고 있다. 이에 따라, 인접하는 전극간의 피치나, 반도체 칩과 기판 사이의 갭이 점점 좁아지는 추세이다. 이 때문에, 모세관 현상을 이용하여 언더필제를 IC 칩과 기판 사이에 흘려 넣으면, 보이드가 발생하거나, 언더필제의 흘려 넣기에 장시간을 필요로 하는 등의 문제가 발생된다.
이 때문에, NCP(Non Conductive Paste)로 불리는 액상의 접착제 혹은 NCF(Non Conductive Film)로 불리는 필름상의 접착제를 미리 기판에 도포 혹은 첩부하고, 그 후, 열 가압 본더 등에 의한 열 가압으로 수지를 경화시켜, IC 칩의 범프와 기판의 전극 패드를 접속하는 이른바 선입법이 시도되고 있다(특허문헌 1 참조).
IC 칩의 미세화에 따라, 범프 재료로서 범프를 보다 소경으로 할 수 있는 구리 범프가 많이 이용되게 되었다.
또한, 근래의 전자 기기의 소형화 및 기능 복합화의 진전에 따라, 1개의 반도체 패키지 내에 복수의 반도체 칩을 탑재한 형태가 널리 이용되게 되었다. 탑재되는 형태로는, 기판 위에 2차원적으로 복수의 칩을 배치하는 방법보다도, 칩을 3차원적으로 적층하여 와이어 본딩으로 전기적으로 접속함으로써, 반도체 패키지의 소형화가 가능해지는 이른바 칩 스택 기술이 널리 적용되고 있다. 이 칩 스택에는 페이스트상, 필름상의 접착제가 사용되고 있다. 그러나, 페이스트상 접착제는 고유동성이기 때문에, 전극 오염의 가능성이 있어, 필름상의 접착제를 사용하는 것이 일반적이다. 한편, 칩 스택 패키지의 추가적인 소형화, 박형화, 및 고속 전송에 대응한 반도체 칩 접속 기술로서 플립 칩 접속 기술이 주목되고 있다. 플립 칩 실장 기술로는 초음파 접합이나 이방 도전성 접착제에 의한 접속 기술이 제안되어 있다(특허문헌 2 참조).
NCF로서 사용되는 필름상 접착제에 요구되는 특성으로서, 보이드 프리이며, 전기적 접속성 및 그 신뢰성이 우수한 것이 요구된다. 또한, 필름 특성으로서, 크랙이 생기기 어렵고, 표면 평탄성이 우수한 것이 요구된다. 또한, NCF로서 사용할 때의 작업성, 즉, 취급성이 우수한 것이 요구된다.
상술한 바와 같이, 구리 범프는 소경으로 되기 때문에, 범프당 접속 강도가 낮아진다. 이 때문에, 전기적 접속의 신뢰성이 특히 요구된다. 또한, IC 칩의 미세화에 의해, 인접하는 전극간의 피치나, IC와 기판 사이의 갭이 좁아짐으로써, 보이드가 존재하면 접속 강도의 저하나 배선간의 쇼트 불량이 발생하기 쉬워진다. 이 때문에, 보이드 프리인 것이 특히 요구된다.
납땜 접속을 목적으로 한 NCF로서 사용되는 필름상 접착제는, 양호한 납땜 접속을 행하기 위해, 필수 성분으로서 플럭스 활성제를 함유하는 것이 요구된다. 플럭스 활성제는 땜납, 피착 금속 표면의 산화막을 환원하여, 젖음성을 높이고, 예를 들면, 반도체 소자와 기판과의 접속 신뢰성을 향상시키는 성분이다.
상술한 특허문헌 2에는 동 문헌에 기재된 필름상 접착제에 플럭스 활성제를 함유시키는 것이 기재되어 있지 않다.
특허문헌 3에 기재된 접착 필름에서는 플럭스 활성 화합물로서, 페놀성 수산기 함유 화합물 및 카르복실기를 포함하는 화합물이 예시되어 있다. 그러나, 예시된 이들의 화합물을 플럭스 활성제로서 함유하는 필름상 접착제를 NCF로서 사용한 경우, 이하의 문제가 있다.
NCF를 사용하여 상술한 순서에 의해 IC 칩의 범프와 기판의 전극 패드를 접속하는 경우, 생산 효율의 관점에서 열 가압 시간은 짧은 것이 바람직하다. 그러나, 특허문헌 3에 기재된 접착 필름을 NCF로서 사용한 경우, 235℃에서 30초의 시간을 가져 생산 효율이 나쁘다.
일본 공개특허공보 2013-122957호 일본 공개특허공보 2012-67302호 국제 공개 제2010/073583호
본 발명은 상기한 종래 기술에 있어서의 문제점을 해결하기 위해, NCF로서 바람직한 보이드 프리이며, 전기적 접속성 및 그 신뢰성이 우수하고, 크랙이 생기기 어렵고, 표면 평탄성이 우수한 필름상 접착제, 및 반도체 장치의 제조시에 본 발명의 필름상 접착제를 NCF로서 사용한 반도체 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기의 목적을 달성하기 위해 본 발명은,
(A) 에폭시 수지,
(B) 비스페놀 F형 페녹시 수지,
(C) 페놀 수지계 경화제,
(D) 변성 이미다졸 화합물,
(E) 실리카 필러,
(F) 옥시퀴놀린, 및
(G) 부타디엔·아크릴로니트릴·메타크릴산 공중합체를 함유하고, (A) 성분의 함유량이 19.3∼33.8질량부이며, (B) 성분의 함유량이 7.5∼9.1질량부이며, (D) 성분의 함유량이 1.9∼5질량부이며, (E) 성분의 함유량이 30∼60질량부이며, (F) 성분의 함유량이 2.5∼10질량부이며, (G) 성분의 함유량이 0.7∼2.3질량부이며, (A) 성분의 에폭시 수지는 페놀 노볼락형 에폭시 수지 및 액상 에폭시 수지를 함유하고, (A) 성분의 에폭시 수지에 차지하는 페놀 노볼락형 에폭시 수지의 비율이 46% 이상이며, (A) 성분에 대한 (C) 성분의 당량비가 0.25∼0.75인 것을 특징으로 하는 필름상 접착제를 제공한다.
본 발명의 필름상 접착제는 추가로, (H) 실란 커플링제를 함유해도 된다.
본 발명의 필름상 접착제에 있어서, 상기 (C) 성분의 페놀 수지계 경화제가 크레졸 노볼락형 페놀 수지인 것이 바람직하다.
본 발명의 필름상 접착제는 필름상 접착제에 포함되는 고형 수지 성분 100질량부에 대한 액상 성분의 질량부가 18∼33질량부인 것이 바람직하다.
본 발명의 필름상 접착제는 (A) 성분, (B) 성분, (C) 성분, (D) 성분, 및 (G) 성분의 합계량에 대한 필름상 접착제에 포함되는 고형 수지 성분의 함유량의 비율이 70∼85인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명은 반도체 장치의 제조시에 본 발명의 필름상 접착제를 NCF로서 사용한 반도체 장치를 제공한다.
또한, 본 발명의 반도체 장치는 구리 범프를 갖는 것이 바람직하다.
본 발명의 필름상 접착제는 보이드 프리이며, 전기적 접속성 및 그 신뢰성이 우수하고, 크랙이 생기기 어렵고, 표면 평탄성이 우수하고, 또한, NCF로서 사용할 때의 작업성, 즉, 취급성이 우수하기 때문에, NCF, 특히 구리 범프를 갖는 반도체 장치의 제조시에 사용하는 NCF로서 바람직하다.
이하, 본 발명의 필름상 접착제에 대해 상세히 설명한다.
본 발명의 필름상 접착제는 이하에 나타내는 (A)∼(G) 성분을 필수 성분으로서 함유한다.
(A) 에폭시 수지
(A) 성분의 에폭시 수지는 본 발명의 필름상 접착제의 주제를 이루는 성분이다.
본 발명의 필름상 접착제는 (A) 성분으로서 페놀 노볼락형 에폭시 수지 및 액상 에폭시 수지를 함유한다.
(A) 성분으로서 페놀 노볼락형 에폭시 수지를 사용하는 것은, 높은 가교 밀도의 경화물을 얻을 수 있어, 내열성, 내약품성 등의 특성을 얻을 수 있기 때문이다.
(A) 성분으로서의 페놀 노볼락형 에폭시 수지는, 연화점이 0∼70℃인 것이 필름 형성성, 실장성의 이유에서 바람직하고, 10∼65℃인 것이 보다 바람직하다.
(A) 성분으로서 사용하는 액상 에폭시 수지란, 상온에서 액상의 에폭시 수지를 의미한다. (A) 성분으로서 페놀 노볼락형 에폭시 수지에 더해, 액상 에폭시 수지를 사용하는 것은, 액상 에폭시 수지를 사용함으로써, 접착성이나 내습도성 등의 특성을 부여시키면서, NCF의 가열시의 점도를 내릴 수 있고, NCF의 첩부나, 반도체 부품의 실장시의 점도를 낮출 수 있다. 이로써 실장성 등의 작업성이 개선된다. 또한, NCF에 적당한 가요성을 부여할 수 있다.
(A) 성분으로서 사용하는 본 발명에 있어서의 액상 에폭시 수지로는, 비스페놀 A형 에폭시 수지의 평균 분자량이 약 400 이하의 것;p-글리시딜옥시페닐디메틸트리스비스페놀 A 디글리시딜에테르와 같은 분기상 다관능 비스페놀 A형 에폭시 수지;비스페놀 F형 에폭시 수지;페놀 노볼락형 에폭시 수지의 평균 분자량이 약 570 이하의 것;비닐(3,4-시클로헥센)디옥사이드, 3,4-에폭시시클로헥실카르복실산(3,4-에폭시시클로헥실)메틸, 아디프산비스(3,4-에폭시-6-메틸시클로헥실메틸), 2-(3,4-에폭시시클로헥실)5,1-스피로(3,4-에폭시시클로헥실)-m-디옥산과 같은 지환식 에폭시 수지;3,3',5,5'-테트라메틸-4,4'-디글리시딜옥시비페닐과 같은 비페닐형 에폭시 수지;헥사히드로프탈산디글리시딜, 3-메틸헥사히드로프탈산디글리시딜, 헥사히드로테레프탈산디글리시딜과 같은 글리시딜에스테르형 에폭시 수지;디글리시딜아닐린, 디글리시딜톨루이딘, 트리글리시딜-p-아미노페놀, 테트라글리시딜-m-자일렌디아민, 테트라글리시딜비스(아미노메틸)시클로헥산과 같은 글리시딜 아민형 에폭시 수지;및 1,3-디글리시딜-5-메틸-5-에틸히단토인과 같은 히단토인형 에폭시 수지;나프탈렌고리 함유 에폭시 수지가 예시된다. 또한, 1,3-비스(3-글리시독시프로필)-1,1,3,3-테트라메틸디실록산과 같은 실리콘 골격을 갖는 에폭시 수지도 사용할 수 있다. 추가로, (폴리)에틸렌글리콜디글리시딜에테르, (폴리)프로필렌글리콜디글리시딜에테르, 부탄디올디글리시딜에테르, 네오펜틸글리콜디글리시딜에테르, 시클로헥산디메탄올디글리시딜에테르와 같은 디에폭시드 화합물;트리메틸올프로판트리글리시딜에테르, 글리세린트리글리시딜에테르와 같은 트리에폭시드 화합물 등도 예시된다.
그 중에서도 바람직하게는, 액상 비스페놀형 에폭시 수지, 액상 아미노페놀형 에폭시 수지, 실리콘 변성 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지이다. 더욱 바람직하게는 액상 비스페놀 A형 에폭시 수지, 액상 비스페놀 F형 에폭시 수지, p-아미노페놀형 액상 에폭시 수지, 1,3-비스(3-글리시독시프로필)테트라메틸디실록산이다.
본 발명의 필름상 접착제에서는 (A) 성분의 에폭시 수지에 차지하는 페놀 노볼락형 에폭시 수지의 비율이 46% 이상이다. (A) 성분의 에폭시 수지에 차지하는 페놀 노볼락형 에폭시 수지의 비율이 46% 미만이면, 내열성, 내습성, 내히트 사이클성 등의 저하의 문제가 있다.
(A) 성분의 에폭시 수지에 차지하는 페놀 노볼락형 에폭시 수지의 비율은 55% 이상이 바람직하고, 60% 이상이 보다 바람직하다.
상술한 바와 같이, 페놀 노볼락형 에폭시 수지의 비율이 46% 이상이기 때문에, (A) 성분의 에폭시 수지에 차지하는 액상 에폭시 수지의 비율은 54% 이하이다. (A) 성분의 에폭시 수지에 차지하는 액상 에폭시 수지의 비율은 45% 이하가 바람직하고, 40% 이하가 보다 바람직하다.
본 발명의 필름상 접착제에 있어서, (A) 성분의 함유량은 19.3∼33.8질량부이다. (A) 성분의 함유량이 19.3질량부보다 적으면, Tg 저하에 의한 내열성, 내리플로우성 저하의 문제가 있다. 한편, (A) 성분의 함유량이 33.8질량부보다 많으면, 경화 전의 필름상 접착제의 인성 저하의 문제가 있다.
본 발명의 필름상 접착제에 있어서, (A) 성분의 함유량은 20∼31질량부인 것이 바람직하고, 20.5∼26질량부인 것이 보다 바람직하고, 20.9∼25.8질량부인 것이 더욱 바람직하다.
본 발명의 필름상 접착제에 있어서, (B) 성분의 비스페놀 F형 페녹시 수지는 필름 형성제를 이루는 성분이다.
(B) 성분의 비스페놀 F형 페녹시 수지는 연화점이 50∼110℃인 것이 실장성의 이유에서 바람직하고, 60∼100℃인 것이 보다 바람직하다.
본 발명의 필름상 접착제에 있어서, (B) 성분의 함유량은 7.5∼9.1질량부이다. (B) 성분의 함유량이 7.5질량부보다 적으면, 충분한 필름 형성능이 얻어지지 않고, 막 두께의 균일성이나 인성이 떨어진다. 한편, (B) 성분의 함유량이 9.1질량부보다 많으면, 점도가 높아져 유동성이 저하된다.
본 발명의 필름상 접착제에 있어서, (B) 성분의 함유량은 7.8∼9.1질량부인 것이 보다 바람직하고, 8.0∼9.1질량부인 것이 더욱 바람직하다.
본 발명의 필름상 접착제에 있어서, (C) 성분의 페놀 수지계 경화제는 (A) 성분의 에폭시 수지의 경화제를 이루는 성분이다.
(C) 성분의 페놀 수지계 경화제의 구체예로는, 노볼락형, 레졸형이 있지만, 레졸형은 가열 경화시에 가스 발생을 수반한 반응을 일으키기 쉽고, 본 발명의 용도에서는 보이드의 발생원이 되기 쉽다. 이 때문에, 가열 경화시에 이러한 반응을 수반하지 않는 노볼락형의 사용이 바람직하다. 노볼락형의 구체예로는, 예를 들면, 페놀 노볼락형 페놀 수지, 크레졸 노볼락 수지, 페놀아랄킬(페닐렌, 비페닐렌 골격을 포함한다) 수지, 나프톨아랄킬 수지, 트리페놀메탄 수지, 디시클로펜타디엔형 페놀 수지 등을 들 수 있다.
이들 중에서도 페놀 노볼락형 페놀 수지, 크레졸 노볼락 수지가, 내약품성, 내열성의 이유에서 바람직하고, 페놀 노볼락형 페놀 수지가 보다 바람직하다.
본 발명의 필름상 접착제에 있어서, (A) 성분에 대한 (C) 성분의 당량비, 즉, (A)의 에폭시 수지의 에폭시기 1당량에 대한 (C) 성분의 페놀 수지계 경화제의 당량비(이하, 「(C) 성분의 당량비」라고 한다)가 0.25∼0.75이다. (C) 성분의 당량비가 상기 범위 외이면, 접착성, 내열성 저하에 의해 디라미네이션 등이 발생하기 쉬워진다.
본 발명의 필름상 접착제에 있어서, (C) 성분의 당량비가 0.25∼0.71인 것이 바람직하고, 0.3∼0.71인 것이 보다 바람직하다.
본 발명의 필름상 접착제에 있어서, (D) 성분의 변성 이미다졸 화합물은, (A) 성분의 에폭시 수지의 경화 촉진제를 이루는 성분이다.
(D) 성분의 변성 이미다졸 화합물은 이미다졸을 요소나 이소시아네이트 화합물로 어덱트하고, 추가로 그 표면을 이소시아네이트 화합물로 블록함으로써 캡슐화한 것이나, 이미다졸을 에폭시 화합물로 어덱트하고, 추가로 그 표면을 이소시아네이트 화합물로 블록함으로써 캡슐화한 것을 가리킨다. 구체적으로는, 예를 들면, 노바큐어 HX3941HP, 노바큐어 HXA3042HP, 노바큐어 HXA3922HP, 노바큐어 HXA3792, 노바큐어 HX3748, 노바큐어 HX3721, 노바큐어 HX3722, 노바큐어 HX3088, 노바큐어 HX3741, 노바큐어 HX3742, 노바큐어 HX3613(전부 아사히카세이 케미컬즈사 제조, 상품명) 등, 아미큐어 PN-40J(아지노모토 파인 테크노 주식회사 제조, 상품명), 후지큐어 FXR-1121(주식회사 T&K TOKA 제조, 상품명)을 들 수 있다.
본 발명의 필름상 접착제에 있어서, (D) 성분의 함유량은 1.9∼5질량부이다. (D) 성분의 함유량이 상기 범위 외이면, 경화 속도의 지연이나 촉진이 일어나, 실장 시간의 장시간화나 가사 시간이 짧아지는 등의 문제가 있다.
본 발명의 필름상 접착제에 있어서, (D) 성분의 함유량은 1.9∼4질량부인 것이 바람직하다.
본 발명의 필름상 접착제에 있어서, (E) 성분의 실리카 필러는 실장된 반도체 패키지의 신뢰성을 향상시키는 목적으로 첨가된다.
(E) 성분의 실리카 필러로서 실란 커플링제 등으로 표면 처리가 실시된 것을 사용해도 된다. 표면 처리가 실시된 실리카 필러를 사용한 경우, 실리카 필러의 응집을 방지하는 효과가 기대된다.
본 발명의 필름상 접착제에 있어서, (E) 성분의 함유량은 30∼60질량부이다. (E) 성분의 함유량이 30질량부보다 적으면, 히트 사이클 시험 등에 있어서의 신뢰성 저하 등의 문제가 있다. 한편, (E) 성분의 함유량이 60질량부보다 많으면, 점도의 증가에 의한 유동성 저하, 투명성 저하 등의 문제가 있다.
(E) 성분의 실리카 필러의 평균 입경은, 0.01∼1㎛인 것이 내로우 갭에 대한 침투성, 광투과성의 이유에서 바람직하고, 0.05∼0.3㎛인 것이 보다 바람직하다. 여기서, 필러의 형상은 특히 한정되지 않고, 구상, 부정형, 인편상 등의 어느 하나의 형태여도 된다. 여기서, 필러의 형상이 구상 이외인 경우, 필러의 평균 입경이란, 당해 필러의 평균 최대 직경을 의미한다.
(F) 옥시퀴놀린
본 발명의 필름상 접착제에 있어서, (F) 성분의 옥시퀴놀린은 NCF로서 사용되는 본 발명의 필름상 접착제의 플럭스 활성제를 이루는 성분이다.
본 발명의 필름상 접착제는 플럭스 활성제로서 (F) 성분의 옥시퀴놀린을 함유함으로써, 본 발명의 필름상 접착제를 NCF로서 사용한 경우, 전기적 접속성 및 그 신뢰성이 높다.
본 발명의 필름상 접착제에 있어서, (F) 성분의 함유량은 2.5∼10질량부이다. (F) 성분의 함유량이 2.5질량부보다 적으면, 접속성, 특히 땜납 젖음성이 저하되는 등의 문제가 있다. 한편, (F) 성분의 함유량이 10질량부보다 많으면, 보이드가 발생하기 쉬워지는 등의 문제가 있다.
본 발명의 필름상 접착제에 있어서, (F) 성분의 함유량은 3∼9질량부인 것이 바람직하고, 4∼8질량부인 것이 보다 바람직하다.
(G) 부타디엔·아크릴로니트릴·메타크릴산 공중합체
본 발명의 필름상 접착제에 있어서, (G) 성분의 부타디엔·아크릴로니트릴·메타크릴산 공중합체는, 경화 전의 필름상 접착제의 인성을 향상시키는 성분이다. 경화 전의 필름상 접착제의 인성이 향상됨으로써, 본 발명의 필름상 접착제의 전기적 접속성 및 그 신뢰성이 향상된다.
본 발명의 필름상 접착제에 있어서, (G) 성분의 함유량은 0.7∼2.3질량부이다.
(G) 성분의 함유량이 0.7질량부보다 적으면, 경화 전의 필름상 접착제가 충분한 강인성을 얻을 수 없는 등의 문제가 있다. 한편, (G) 성분의 함유량이 2.3질량부보다 많으면, 점도가 올라 유동성이 불충분해 지는 등의 문제가 있다.
(G) 성분의 함유량은 0.7∼2.3질량부인 것이 보다 바람직하고, (G) 성분의 함유량은 0.9∼2질량부인 것이 더욱 바람직하다.
본 발명의 필름상 접착제는 상기 (A)∼(G) 성분 이외에 이하에 서술하는 성분을 필요에 따라 함유해도 된다.
(H) 실란 커플링제
본 발명의 필름상 접착제는 NCF로서 사용했을 때에, IC 칩이나 기판에 대한 밀착성을 향상시키기 위해, (H) 성분으로서 실란 커플링제를 함유해도 된다.
(H) 성분의 실란 커플링제로는, 에폭시계, 아미노계, 비닐계, 메타크릴계, 아크릴계, 메르캅토계 등의 각종 실란 커플링제를 사용할 수 있다. 이들 중에서도 아미노계 실란 커플링제가 밀착성이 높다는 등의 이유에서 바람직하다.
아미노계 실란 커플링제의 구체예로는, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란(상품명: KBM573, 신에츠 화학 주식회사 제조), N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필메틸디메톡시실란(상품명: KBM602, 신에츠 화학 주식회사 제조), N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란(상품명: KBM603, 신에츠 화학 주식회사 제조), 3-아미노프로필트리메톡시실란(상품명: KBM903, 신에츠 화학 주식회사 제조), 3-아미노프로필트리에톡시실란(상품명: KBE903, 신에츠 화학 주식회사 제조), 3-트리에톡시실릴-N-(1,3-디메틸-부틸리덴) 프로필아민(상품명: KBE9103, 신에츠 화학 주식회사 제조) 등을 들 수 있다.
(H) 성분으로서 실란 커플링제를 함유시키는 경우, (H) 성분의 함유량은 0.3∼0.6질량부인 것이 바람직하고, 0.3∼0.5질량부인 것이 보다 바람직하다.
(그 밖의 배합제)
본 발명의 필름상 접착제는 상기 (A)∼(H) 성분 이외의 성분을 필요에 따라 추가로 함유해도 된다. 이러한 성분의 구체예로는, 소포제, 표면 조정제, 유동 조정제, 착색제, 가소제, 분산제, 침강 방지제, 증점제, 광택 제거제 등을 들 수 있다. 각 배합제의 종류, 배합량은 통상의 방법과 같다.
본 발명의 필름상 접착제는 필름상 접착제에 포함되는 고형 수지 성분 100질량부에 대한 액상 성분의 질량부가 18∼33질량부인 것이 유동성, 필름 형성성 등의 이유에서 바람직하고, 18.5∼32.8질량부인 것이 보다 바람직하고, 18.8∼32.6질량부인 것이 더욱 바람직하다.
상술한 필름상 접착제의 각 성분 중, 예를 들어, (A) 성분으로서의 페놀 노볼락형 에폭시 수지, (B) 성분으로서의 비스페놀 F형 페녹시 수지, (C) 성분으로서의 페놀 수지계 경화제, (D) 성분으로서의 변성 이미다졸 화합물, (F) 성분으로서의 옥시퀴놀린, (G) 성분으로서의 부타디엔·아크릴로니트릴·메타크릴산 공중합체가 고형 수지 성분이며, (A) 성분으로서의 액상 에폭시 수지, (H) 성분으로서의 실란 커플링제가 액상 수지 성분이다.
본 발명의 필름상 접착제는 (A) 성분, (B) 성분, (C) 성분, (D) 성분, 및 (G) 성분의 합계량에 대한 필름상 접착제에 포함되는 고형 수지 성분의 함유량의 비율이 70∼85인 것이, 필름 형성성 등의 이유에서 바람직하고, 71∼84인 것이 보다 바람직하고, 72∼83인 것이 더욱 바람직하다.
(필름상 접착제의 제조)
본 발명의 필름상 접착제는 관용의 방법에 의해 제조할 수 있다. 예를 들면, 용제의 존재하 또는 비존재하에서, 상기 (A) 성분∼(G) 성분을 함유시키는 경우는, 추가로 (H) 성분, 및 추가로 필요에 따라 배합하는 그 밖의 배합제를 가열 진공 혼합 니더에 의해 혼합하여 수지 조성물을 제조한다.
상기 (A) 성분∼(G) 성분을 함유시키는 경우는, 추가로 (H) 성분, 및 추가로 필요에 따라 배합하는 그 밖의 배합제가 원하는 함유 비율이 되도록, 소정의 용제 농도로 용해하고, 그들을 10∼80℃로 가온된 반응 가마에 소정량 투입하여, 회전수 100∼1000rpm으로 회전시키면서, 상압 혼합을 3시간 행한 후, 진공하(최대 1Torr)에서 추가로 3∼60분 혼합 교반할 수 있다.
상기의 순서대로 제조된 수지 조성물을 용제로 희석하여 바니시로 하고, 이를 지지체의 적어도 한 면에 도포하여 건조시킨 후, 지지체 부착 필름상 접착제, 또는, 지지체로부터 박리된 필름상 접착제로서 제공할 수 있다.
바니시로서 사용 가능한 용제로는, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤 등의 케톤류;톨루엔, 자일렌 등의 방향족 용제;디옥틸프탈레이트, 디부틸프탈레이트 등의 고비등점 용제 등을 들 수 있다. 용제의 사용량은 특히 한정되지 않고, 종래부터 사용되고 있는 양으로 할 수 있지만, 바람직하게는 고형분에 대해 20∼90질량% 이다.
지지체는 필름상 접착제의 제조 방법에 있어서의 원하는 형태에 의해 적절히 선택되고, 특히 한정되지 않지만, 예를 들면, 구리, 알루미늄 등의 금속박, 폴리에스테르, 폴리에틸렌 등의 수지의 캐리어 필름 등을 들 수 있다. 본 발명의 필름상 접착제를 지지체로부터 박리한 필름의 형태로서 제공하는 경우, 지지체는 실리콘 화합물 등의 이형제로 이형 처리되어 있는 것이 바람직하다.
바니시를 도포하는 방법은 특히 한정되지 않지만, 예를 들면, 슬롯 다이 방식, 그라비아 방식, 닥터 코터 방식 등을 들 수 있고, 원하는 필름의 두께 등에 따라 적절히 선택된다. 도포는, 건조 후에 형성되는 필름의 두께가 원하는 두께가 되도록 행해진다. 이러한 두께는 당업자라면 용제 함유량으로부터 도출할 수 있다.
건조의 조건은 바니시에 사용되는 용제의 종류나 양, 바니시의 사용량이나 도포의 두께 등에 따라 적절히 설계되고, 특히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면, 60∼100℃이며, 대기압하에서 행할 수 있다.
다음으로, 본 발명의 필름상 접착제의 특성에 대해 서술한다.
본 발명의 필름상 접착제는 보이드 프리이며, 후술하는 실시예에 기재된 순서대로 보이드를 관찰했을 때에, 보이드가 관찰되지 않는다.
상술한 바와 같이, IC 칩의 미세화에 의해 인접하는 전극간의 피치나, IC와 기판 사이의 갭이 좁아짐으로써 보이드가 존재하면, 접속 강도의 저하나 배선간 쇼트 불량이 발생하기 쉬워진다. 본 발명의 필름상 접착제는 보이드 프리이기 때문에, 이들의 문제가 생기지 않는다.
본 발명의 필름상 접착제는 전기적 접속성 및 그 신뢰성이 우수하다.
본 발명의 필름상 접착제는 내크랙성이 높고, 후술하는 실시예에 기재된 순서대로 내크랙성 평가를 실시했을 때에, 크랙의 발생이 관찰되지 않는다.
본 발명의 필름상 접착제는 표면 평탄성이 양호하고, 후술하는 실시예에 기재된 순서대로 표면 평탄성 평가를 실시했을 때에, 요철의 존재가 관찰되지 않는다.
본 발명의 필름상 접착제는 단시간으로의 실장이 가능하고 생산성이 높다.
본 발명의 필름상 접착제는 플럭스 효과를 겸비하고 있어, 납땜 접속성이 우수하다.
본 발명의 필름상 접착제는 상기의 특성에 의해, NCF, 특히 구리 범프를 갖는 반도체 장치의 제조시에 사용하는 NCF로서 바람직하다.
다음으로, 본 발명의 필름상 접착제의 사용 순서를 이하에 나타낸다.
본 발명의 필름상 접착제를 이용하여 반도체 패키지를 실장하는 경우, 기판 위의 반도체 칩을 실장하는 위치에 필름상 접착제를 원하는 형상으로 라미네이터 등으로 첩부한다.
또한, 반도체 회로가 형성된 웨이퍼 위에 라미네이터 등으로 첩부한 후, 다이서 등에 의해 개개의 칩으로 잘라 낼 수도 있다. 라미네이션 조건은 특히 한정되지 않지만, 가열, 가압, 감압 등의 조건을 적절히 조합할 수 있다. 특히 미세한 요철에 보이드 등의 결함 없이 첩부하기 위해서는, 가열 온도는 40∼120℃, 감압도는 50kPa 이하, 압력은 0.5MPa 이상이 바람직하다.
필름상 접착제를 라미네이션 등에 의해 첩부한 후, 플립칩 본더 등에 의해 기판 위의 칩 탑재 위치에 가열 압착에 의해 반도체 칩을 실장한다. 가열 압착 조건은 특히 한정되지 않지만, 반도체 칩 사이즈, 범프 재질, 범프 수 등에 의해 가열 압착 조건을 적절히 선택할 수 있다.
가열 온도는 50∼300℃, 시간은 1∼20초, 압력은 5∼450N인 것이 바람직하다.
본 발명의 반도체 장치는 반도체 장치의 제조시에 본 발명의 필름상 접착제로서 사용한 것인 한 특히 한정되지 않는다. 본 발명의 반도체 장치의 구체예로는, 플립 칩 구조를 갖는 반도체 장치를 들 수 있다. 플립 칩은, 범프로 불리는 돌기 형상의 전극을 갖고 있고, 이 전극을 통해 기판 등의 전극과 접속된다. 범프 재질로는, 땜납, 금, 구리 등을 들 수 있다. 플립 칩과 접속되는 기판으로는 FR-4 등의 단층, 또는 적층된 유기 기판, 실리콘, 유리, 세라믹 등의 무기 기판이 있고, 구리 및 구리 위로의 금 도금 또는 주석 도금, 땜납층 등을 형성한 전극이 이용된다. 플립 칩 구조의 반도체 장치로는, DRAM(Dynamic Random Access Memory) 등의 메모리 디바이스, CPU(Central Processing Unit), GPU(Graphics Processing Unit) 등의 프로세서 디바이스, LED(Light Emitting Diode) 등의 발광소자, LCD(Liquid Crystal Display) 등에 사용되는 드라이버 IC 등을 들 수 있다.
한편, 상술한 필름상 접착제의 특성에 의해, 본 발명의 반도체 장치는 구리 펌프를 갖는 것이 바람직하다.
실시예
이하, 실시예에 의해 본 발명을 상세히 설명하지만, 본 발명은 이들에 한정되지 않는다.
(실시예 1∼13, 비교예 1∼14)
하기 표에 나타내는 배합 비율이 되도록, 각 원료를 배합하고 도공용 바니시를 제조하였다. 여기서, (A)∼(C) 성분은, 각각 메틸에틸케톤에 50wt%의 농도가 되도록 용해시킨 후, 이들을 소정의 배합 비율이 되도록 혼합하였다. 다음으로, (E)∼(H) 성분을 소정량 첨가하여 분산시켰다. 분산 후, 추가로 (D) 성분을 첨가하고 균일하게 되도록 교반하여 도공용 바니시를 제조하였다. 도공용 바니시를 이형 처리된 50㎛ 후의 PET(폴리에틸렌테레프탈레이트) 위에 도공하고, 80℃에서 10분간 건조하여 메틸에틸케톤을 제거하고, 35㎛ 두께의 필름을 제작하였다. 여기서, 표 중의 각 조성에 관한 수치는 질량부를 나타내고 있다.
필름상 접착제의 작성시에 사용한 성분은 이하와 같다.
(A) 에폭시 수지
(A1) 페놀 노볼락형 에폭시 수지(연화점 약 50℃), 상품명 YDPN638(신일철주금 화학 주식회사 제조)
(A2) 액상 에폭시 수지
(A2a) 비스페놀 A형 에폭시 수지/비스페놀 F형 에폭시 수지 혼합 타입, 상품명 EXA835LV(DIC 주식회사 제조)
(A2b) 비스페놀 A형 에폭시 수지, 상품명 HX3088(아사히카세이 이머티리얼즈 주식회사 제조)의 에폭시 성분
(B) 비스페놀 F형 페녹시 수지, 상품명 FX-316(신일철주금 화학 주식회사 제조)
(B') 비스페놀 F형 페녹시 수지, 상품명 1256(미츠비시화학 주식회사 제조)
(C) 페놀 수지계 경화제
크레졸 노볼락형 페놀 수지, 상품명 KA-1180(DIC 주식회사 제조)
(C') 에틸렌글리콜 비스안히드로트리멜리테이트, 상품명 TMEG-S(신일본이화 주식회사 제조)
(D) 변성 이미다졸 화합물
마이크로캡슐형 변성 이미다졸 화합물, 상품명 HX3088(아사히카세이 이머티리얼즈 주식회사 제조)의 변성 이미다졸 화합물 성분
(E) 실리카 필러
상품명 Sciqas(사카이 화학공업 주식회사 제조), 평균 입경 0.1㎛
(F) 옥시퀴놀린, 와코 순약공업 주식회사 제조
(F') 페놀프탈린, 도쿄 화성공업 주식회사 제조
(G) 부타디엔·아크릴로니트릴·메타크릴산 공중합체
상품명 XER-32 C(JSR 주식회사 제조)
(G') 부타디엔·아크릴로니트릴 공중합체
상품명 N2205(JSR 주식회사 제조)
(H) 실란 커플링제
페닐아미노프로필실란, 상품명 KBM573(신에츠화학 주식회사 제조)
상기의 순서대로 제작한 필름을 이용하여 이하의 평가를 실시하였다.
(필름 특성)
내크랙: PET 위에 형성된 필름을 필름 절단기로 10㎜ 폭으로 절단하고, 필름 측면에 있어서의 균열, 파편의 발생의 유무를 확인하였다. 평가 결과를 하기 표에 나타낸다. 표 중의 평가는 이하와 같다.
발생무 ○
발생유 ×
표면 평탄성: PET 위에 형성된 필름을 육안으로 관찰하여, 패임, 줄 무늬의 발생 유무를 확인하였다. 표 중의 평가는 이하와 같다.
발생무 ○
발생유 ×
상기의 순서대로 제작한 필름을 NCF로서 사용하여, 하기 순서에 의해 기판 위에 반도체 칩을 실장하였다. 사용한 기판은 저항값 측정 패드와 솔더 레지스트 개구부를 갖고 있다. 사용한 반도체 칩은 7.3㎜ 각으로 구리 범프를 갖고 있다.
기판을 미리 질소 분위기하에서 가열 건조를 행하였다. 기판의 가열 건조 종료 후, 상기의 순서대로 제작한 필름을 약 8㎜□로 잘라 내어, 기판 칩 탑재 위치에 올려 놓았다. 그 후, 라미네이터(주식회사 메이키 제작소사 제조, 상품명 MLP500/600)로 라미네이트를 행하였다. 라미네이터 후, 플립칩 본더(파나소닉 팩토리 솔루션즈 주식회사 제조, 상품명 FCB3)에서 접속을 행하였다. 접속 후, 가열 오븐 안에서 165℃로 60분간 후경화를 행하였다.
상기의 순서대로 기판 위에 반도체 칩을 실장한 시험편을 사용하여, 이하의 평가를 실시하였다.
(보이드(초기))
C-SAM: 상기의 순서대로 제작한 시험편에 대해, 초음파 탐상 장치로 칩 아래의 상태 관찰을 행하였다. 화상 위에 보이드가 관찰된 것을 불량품으로 하였다. 7시험편에 대해 평가를 행하였다. 결과를 하기 표에 나타낸다. 표 중의 기재는, 이상값이 된 샘플 수/측정 샘플 수를 나타내고 있다.
평면 연마: 상기의 순서대로 제작한 시험편에 대해, 칩 부분을 연마로 제거하고, 솔더 레지스트 개구부를 관찰하였다. 현미경으로 관찰하여 보이드가 관찰된 것을 불량품으로 하였다. 2시험편에 대해 평가를 행하였다. 결과를 하기 표에 나타낸다. 표 중의 기재는 이상값이 된 샘플 수/측정 샘플 수를 나타내고 있다.
(접속(초기))
저항값: 상기의 순서대로 제작한 시험편의 저항값을 기판 위에 형성된 저항값 측정 패드를 이용하여 저항값을 측정하였다. 28∼32Ω의 저항값을 나타낸 것을 합격으로 하였다. 결과를 하기 표에 나타낸다. 표 중의 기재는 이상값이 된 샘플 수/측정 샘플 수를 나타내고 있다. 또한, 모든 샘플이 합격이었던 경우의 접속 상태를 ○로 하고, 1샘플이라도 불합격이 있었을 경우는 접속 상태를 ×로 하였다.
접속 상태: 상기의 순서대로 제작한 시험편에 대해, 칩 부분을 연마로 제거하고, 광학 현미경으로 땜납 형상을 상면으로부터 관찰하였다. 기판 전극 위에 젖음 퍼짐성이 확인된 것을 ○로 하고, 젖음 퍼짐성이 확인되지 않은 것을 ×로 하였다. 한편, 젖음 퍼짐성은 땜납색이 기판 전극상에 퍼지고 있는 것이 확인되는지 아닌지로 판정하였다.
(흡습 리플로우)
상기의 순서대로 C-SAM에 의한 관찰과 저항값의 측정을 행한 5시험편을 30℃/60%RH의 환경하에서 192시간 방치한 후, 260℃ 리플로우를 3회 통과시켰다. 흡습 리플로우의 실시 후, 상기와 동일한 순서대로 C-SAM에 의한 관찰과 저항값의 측정을 실시하였다.
Figure pct00001
Figure pct00002
Figure pct00003
Figure pct00004
실시예 1∼13은 모두 필름 특성(내크랙성, 표면 평탄성)이 양호하였다. 또한, 상기의 순서대로 제작한 시험편의 보이드 및 접속성의 평가가, 제작 초기 및 접속성 흡습 리플로우 후의 모두가 양호하였다. 여기서, 실시예 2, 3은 (C) 성분의 페놀 수지계 경화제의 함유량을 변경한 실시예이다. 실시예 4∼6은 (G) 성분의 부타디엔·아크릴로니트릴·메타크릴산 공중합체의 함유량을 변경한 실시예이다. 실시예 7, 8은 (D) 성분의 변성 이미다졸 화합물의 함유량을 변경한 실시예이다. 실시예 9, 10은 (E) 성분의 실리카 필러의 함유량을 변경한 실시예이다. 실시예 11∼13은 (F) 성분의 옥시퀴놀린의 함유량을 변경한 실시예이다. 실시예 13은 실시예 11에 대해 (C) 성분의 페놀 수지계 경화제의 함유량을 변경하였다.
비교예 1은 (C) 성분의 페놀 수지계 경화제를 함유하지 않는 예이며, 상기의 순서대로 제작한 시험편의 작성 초기의 보이드의 평가가 불합격이었다. 이 때문에, 흡습 리플로우 후의 평가는 실시하지 않았다. 비교예 2는 (D) 성분의 변성 이미다졸 화합물의 함유량이 1.9질량부 미만의 예이며, 상기의 순서대로 제작한 시험편의 작성 초기의 보이드의 평가가 불합격이었다. 이 때문에, 흡습 리플로우 후의 평가는 실시하지 않았다. 비교예 3은 (D) 성분의 변성 이미다졸 화합물의 함유량이 5질량부 초과의 예이며, 상기의 순서대로 제작한 시험편의 작성 초기의 접속성의 평가가 불합격이었다. 이 때문에, 흡습 리플로우 후의 평가는 실시하지 않았다. 비교예 4는 (F) 성분의 옥시퀴놀린의 함유량이 2.5질량부 미만의 예이며, 상기의 순서대로 제작한 시험편의 흡습 리플로우 후의 접속성의 평가가 불합격이었다. 비교예 5는 (F) 성분의 옥시퀴놀린의 함유량이 10질량부 초과의 예이며, 상기의 순서대로 제작한 시험편의 작성 초기의 보이드의 평가가 불합격이었다. 이 때문에, 흡습 리플로우 후의 평가는 실시하지 않았다. 비교예 6은 (F) 성분의 옥시퀴놀린이 아니라, (F') 성분으로서 페놀프탈린을 사용한 예이며, 필름의 표면 평탄성 및 상기의 순서대로 제작한 시험편의 작성 초기의 보이드의 평가가 불합격이었다. 이 때문에, 흡습 리플로우 후의 평가는 실시하지 않았다. 비교예 7은 (B) 성분의 비스페놀 F형 페녹시 수지를 함유하지 않는 예이며, 상기의 순서대로 제작한 시험편의 작성 초기의 보이드의 평가 및 접속의 평가가 불합격이었다. 이 때문에, 흡습 리플로우 후의 평가는 실시하지 않았다. 비교예 8은 (A) 성분의 에폭시 수지에 대한 (C) 성분의 페놀 수지계 경화제의 당량비가 0.25 미만의 예이며, 상기의 순서대로 제작한 시험편의 흡습 리플로우 후의 보이드의 평가 및 접속의 평가가 불합격이었다. 비교예 9는 (G) 성분의 부타디엔·아크릴로니트릴·메타크릴산 공중합체가 아니라, (G') 성분의 부타디엔·아크릴로니트릴 공중합체를 사용한 예이며, 상기의 순서대로 제작한 시험편의 작성 초기의 보이드의 평가 및 접속의 평가가 불합격이었다. 이 때문에, 흡습 리플로우 후의 평가는 실시하지 않았다. 비교예 10은 (G) 성분의 부타디엔·아크릴로니트릴·메타크릴산 공중합체의 함유량이 0.7질량부 미만의 예이며, 상기의 순서대로 제작한 시험편의 흡습 리플로우 후의 보이드의 평가 및 접속의 평가가 불합격이었다. 비교예 11은 (G) 성분의 부타디엔·아크릴로니트릴·메타크릴산 공중합체의 함유량이 2.3질량부 초과의 예이며, 상기의 순서대로 제작한 시험편의 작성 초기의 보이드의 평가 및 접속의 평가 중, 평면 연마에 의한 평가가 불합격이었다. 비교예 12는 (B) 성분의 비스페놀 F형 페녹시 수지가 아니라, (B') 성분의 비스페놀 F형 페녹시 수지를 사용한 예이며, 상기의 순서대로 제작한 시험편의 작성 초기의 접속의 평가가 불합격이었다. 이 때문에, 흡습 리플로우 후의 평가는 실시하지 않았다. 비교예 13은 (C) 페놀 수지계 경화제가 아니라, (C') 성분의 에틸렌글리콜 비스안히드로트리멜리테이트를 사용한 예이며, 상기의 순서대로 제작한 시험편의 작성 초기의 보이드의 평가가 불합격이었다. 이 때문에, 흡습 리플로우 후의 평가는 실시하지 않았다. 비교예 14는 (G) 성분의 부타디엔·아크릴로니트릴·메타크릴산 공중합체를 함유하지 않는 예이며, 상기의 순서대로 제작한 시험편의 흡습 리플로우 후의 보이드의 평가 및 접속의 평가가 불합격이었다.

Claims (7)

  1. (A) 에폭시 수지,
    (B) 비스페놀 F형 페녹시 수지,
    (C) 페놀 수지계 경화제,
    (D) 변성 이미다졸 화합물,
    (E) 실리카 필러,
    (F) 옥시퀴놀린, 및
    (G) 부타디엔·아크릴로니트릴·메타크릴산 공중합체를 함유하고, (A) 성분의 함유량이 19.3∼33.8질량부이며, (B) 성분의 함유량이 7.5∼9.1질량부이며, (D) 성분의 함유량이 1.9∼5질량부이며, (E) 성분의 함유량이 30∼60질량부이며, (F) 성분의 함유량이 2.5∼10질량부이며, (G) 성분의 함유량이 0.7∼2.3질량부이며, (A) 성분의 에폭시 수지는 페놀 노볼락형 에폭시 수지 및 액상 에폭시 수지를 함유하고, (A) 성분의 에폭시 수지에 차지하는 페놀 노볼락형 에폭시 수지의 비율이 46% 이상이며, (A) 성분에 대한 (C) 성분의 당량비가 0.25∼0.75인 것을 특징으로 하는 필름상 접착제.
  2. 제 1 항에 있어서,
    추가로, (H) 실란 커플링제를 함유하는 필름상 접착제.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 (C) 성분의 페놀 수지계 경화제가 크레졸 노볼락형 페놀 수지인 필름상 접착제.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    필름상 접착제에 포함되는 고형 수지 성분 100질량부에 대한 액상 성분의 질량부가 18∼33질량부인 필름상 접착제.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    (A) 성분, (B) 성분, (C) 성분, (D) 성분, 및 (G) 성분의 합계량에 대한 필름상 접착제에 포함되는 고형 수지 성분의 함유량의 비율이 70∼85인 필름상 접착제.
  6. 반도체 장치의 제조시에 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항의 필름상 접착제를 NCF로서 사용한 반도체 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    구리 범프를 갖는 반도체 장치.
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