JP2003253220A - フィルム状接着剤及び半導体接着テープ - Google Patents
フィルム状接着剤及び半導体接着テープInfo
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- H01L2924/157—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2924/15738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
- H01L2924/15747—Copper [Cu] as principal constituent
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Abstract
(57)【要約】
【課題】銅部材に対して250℃以下の貼付が可能で、貼
付後の耐熱性、信頼性に優れたエレクトロニクス用材料
に最適なフィルム状接着剤を提供すること。 【解決手段】１分子中に少なくとも２個以上のイミド環
を含み、かつ９０℃〜２００℃のガラス転移点を有する
ポリイミド樹脂、硬化性化合物、該硬化性化合物の硬化
剤、及びシランカップリング剤とを含むフィルム状接着
剤であって、硬化したフィルムが２１０℃における弾性
率が１０〜１００ＭＰａであり、かつ吸水率が３重量％
以下であるフィルム状接着剤。
付後の耐熱性、信頼性に優れたエレクトロニクス用材料
に最適なフィルム状接着剤を提供すること。 【解決手段】１分子中に少なくとも２個以上のイミド環
を含み、かつ９０℃〜２００℃のガラス転移点を有する
ポリイミド樹脂、硬化性化合物、該硬化性化合物の硬化
剤、及びシランカップリング剤とを含むフィルム状接着
剤であって、硬化したフィルムが２１０℃における弾性
率が１０〜１００ＭＰａであり、かつ吸水率が３重量％
以下であるフィルム状接着剤。
Description
【０００１】
【発明の所属する分野】本発明は、耐熱性と低温加工性
を併せ持ち、エレクトロニクス用途、特に半導体実装材
料として適したシリコン基板や金属に対する接着力に優
れたフィルム状接着剤と、その製造方法、これを用いた
リードフレーム及び半導体装置に関するものである。
を併せ持ち、エレクトロニクス用途、特に半導体実装材
料として適したシリコン基板や金属に対する接着力に優
れたフィルム状接着剤と、その製造方法、これを用いた
リードフレーム及び半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体チップが高機能大容量化に
よって大型化する一方，パッケージの大きさはプリント
回路設計上の制約、電子機器小型化の要求などから従来
と変わらない、あるいはむしろ小さな外形を要求されて
いる。この傾向に対応して、半導体チップの高密度化と
高密度実装に対応した実装方式としてメモリー素子など
に採用されているダイパッドのないリードフレームの上
にチップを載せるＣＯＬ（チップ・オン・リード）構造
と、その発展形であるチップの上にリードを載せるＬＯ
Ｃ（リード・オン・チップ）構造などが幾つか提案さ
れ、採用・生産に至っている。
よって大型化する一方，パッケージの大きさはプリント
回路設計上の制約、電子機器小型化の要求などから従来
と変わらない、あるいはむしろ小さな外形を要求されて
いる。この傾向に対応して、半導体チップの高密度化と
高密度実装に対応した実装方式としてメモリー素子など
に採用されているダイパッドのないリードフレームの上
にチップを載せるＣＯＬ（チップ・オン・リード）構造
と、その発展形であるチップの上にリードを載せるＬＯ
Ｃ（リード・オン・チップ）構造などが幾つか提案さ
れ、採用・生産に至っている。
【０００３】この実装形態では、半導体チップとリード
フレーム、リードフレームとプレート、リードフレーム
同士など同種異種材質の接着界面が存在し、その接着信
頼性が素子の信頼性に非常に大きな影響を与える。素子
組立時の工程温度に耐える信頼性は勿論のこと、吸湿
時、湿熱時などの接着信頼性、さらに接着作業性も重要
な項目である。
フレーム、リードフレームとプレート、リードフレーム
同士など同種異種材質の接着界面が存在し、その接着信
頼性が素子の信頼性に非常に大きな影響を与える。素子
組立時の工程温度に耐える信頼性は勿論のこと、吸湿
時、湿熱時などの接着信頼性、さらに接着作業性も重要
な項目である。
【０００４】こうした半導体チップの更なる高機能大容
量化を目指して、リードフレームの材質をこれまでの主
流であった４２合金から銅に換えることが提案・実用化
されている。これは、銅材をリードフレームに用いるこ
とにより電気信号の高速化への対応が可能となり、大容
量半導体チップを用いた半導体装置の実用化を図ること
ができるためである。
量化を目指して、リードフレームの材質をこれまでの主
流であった４２合金から銅に換えることが提案・実用化
されている。これは、銅材をリードフレームに用いるこ
とにより電気信号の高速化への対応が可能となり、大容
量半導体チップを用いた半導体装置の実用化を図ること
ができるためである。
【０００５】従来の半導体接着テープには専らポリイミ
ド系接着剤が多く使用されているが、半導体接着テープ
をリードフレームに貼り付けて更に半導体チップをマウ
ントする工程においてこれら半導体接着テープの多くは
貼付温度が２５０℃〜４００℃以上と高く、リードフレ
ームおよび半導体チップなどの被着材への熱損傷が懸念
されている。この熱が原因で銅リードフレームの酸化、
半導体チップ上の配線劣化により生産工程における歩留
まりの低下を引き起こすという問題がある。
ド系接着剤が多く使用されているが、半導体接着テープ
をリードフレームに貼り付けて更に半導体チップをマウ
ントする工程においてこれら半導体接着テープの多くは
貼付温度が２５０℃〜４００℃以上と高く、リードフレ
ームおよび半導体チップなどの被着材への熱損傷が懸念
されている。この熱が原因で銅リードフレームの酸化、
半導体チップ上の配線劣化により生産工程における歩留
まりの低下を引き起こすという問題がある。
【０００６】これらの問題を解決する為に、接着テープ
の接着剤成分のガラス転移温度を下げて更なる低温加工
性を付与することが考えられる。しかし、単にガラス転
移点を下げるだけでは接着剤成分の耐熱性や高温・高湿
時の接着性が低下し、ワイヤーボンディングなどの高温
度雰囲気下が要求される状況下での組立作業が困難にな
ることや、半導体装置としての信頼性を損なう恐れがあ
る。
の接着剤成分のガラス転移温度を下げて更なる低温加工
性を付与することが考えられる。しかし、単にガラス転
移点を下げるだけでは接着剤成分の耐熱性や高温・高湿
時の接着性が低下し、ワイヤーボンディングなどの高温
度雰囲気下が要求される状況下での組立作業が困難にな
ることや、半導体装置としての信頼性を損なう恐れがあ
る。
【０００７】また、熱可塑性ポリイミド樹脂のＮ−メチ
ル−２−ピロリドンなどに溶解させた溶液にエポキシ化
合物およびその硬化剤などを添加して、支持体に塗布、
乾燥して得られる接着フィルムは低温貼付可能で、かつ
耐熱性にも優れるものである。しかし耐熱性向上を目的
としてポリイミド樹脂のガラス転移点を上げると、乾燥
工程において溶液中の溶媒の蒸発が起こりにくくなり、
高温度の乾燥画必要となる。この場合、添加した硬化成
分が乾燥時に硬化してしまい、テープの接着性の大幅な
低下を引き起こす場合がある。
ル−２−ピロリドンなどに溶解させた溶液にエポキシ化
合物およびその硬化剤などを添加して、支持体に塗布、
乾燥して得られる接着フィルムは低温貼付可能で、かつ
耐熱性にも優れるものである。しかし耐熱性向上を目的
としてポリイミド樹脂のガラス転移点を上げると、乾燥
工程において溶液中の溶媒の蒸発が起こりにくくなり、
高温度の乾燥画必要となる。この場合、添加した硬化成
分が乾燥時に硬化してしまい、テープの接着性の大幅な
低下を引き起こす場合がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前述の大容
量チップおよび銅配線リードフレームを用いた半導体装
置組立工程の問題点に鑑み、鋭意検討を重ねた結果なさ
れたもので、ガラス転移点９０℃〜２００℃の範囲にあ
るポリイミドに硬化成分を添加して得られるポリイミド
樹脂組成物およびその製造方法を提供するものである。
また、本発明はこのポリイミド樹脂組成物のフェニルエ
ーテルを溶媒とした溶液を、支持体の片面に流延成形、
硬化成分の架橋が起こりにくい低温度での乾燥後、支持
体から剥離して得る半導体用接着フィルム、および支持
フィルムの両面に流延成形、硬化成分の架橋が起こりに
くい低温度で乾燥させて得られる３層構造の半導体接着
フィルムおよびその製造方法を提供するものである。ま
た本発明はこれら半導体接着テープを打ち抜きによって
リードフレームに貼り付けた接着フィルム付きリードフ
レームを提供するものである。また、本発明はこの半導
体接着フィルムを介してリードフレームと半導体素子と
を接着させてなる半導体装置を提供するものである。
量チップおよび銅配線リードフレームを用いた半導体装
置組立工程の問題点に鑑み、鋭意検討を重ねた結果なさ
れたもので、ガラス転移点９０℃〜２００℃の範囲にあ
るポリイミドに硬化成分を添加して得られるポリイミド
樹脂組成物およびその製造方法を提供するものである。
また、本発明はこのポリイミド樹脂組成物のフェニルエ
ーテルを溶媒とした溶液を、支持体の片面に流延成形、
硬化成分の架橋が起こりにくい低温度での乾燥後、支持
体から剥離して得る半導体用接着フィルム、および支持
フィルムの両面に流延成形、硬化成分の架橋が起こりに
くい低温度で乾燥させて得られる３層構造の半導体接着
フィルムおよびその製造方法を提供するものである。ま
た本発明はこれら半導体接着テープを打ち抜きによって
リードフレームに貼り付けた接着フィルム付きリードフ
レームを提供するものである。また、本発明はこの半導
体接着フィルムを介してリードフレームと半導体素子と
を接着させてなる半導体装置を提供するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、(１)１分子中
に少なくとも２個以上のイミド環を含み、かつ９０℃〜
２００℃のガラス転移点を有するポリイミド樹脂、硬化
性化合物、該硬化性化合物の硬化剤、及びシランカップ
リング剤とを含むフィルム状接着剤であって、硬化した
フィルムが２１０℃における弾性率が１０〜１００ＭＰ
ａであり、かつ吸水率が３重量％以下であるフィルム状
接着剤、(２)１００℃〜２００℃で合計５秒〜１時間の
熱履歴をうけることにより硬化してなる第（１）項記載
のフィルム状接着剤、（３）ポリイミド樹脂が、アミン
成分として、一般式（１）で表されるジアミノポリシロ
キサン、芳香族ジアミン、脂肪族ジアミン、式（２）又
は（３）で表されるノルボルネン環を含む脂環式ジアミ
ン、及び式（４）で表されるスピロアセタール環を含む
脂環式ジアミンの中から選ばれる少なくとも１つのジア
ミン化合物と、酸成分として、芳香族テトラカルボン酸
無水物とを反応させてイミド閉環し、かつ有機溶剤に可
溶なポリイミド樹脂を主たる構成成分とする第（１）又
は(２)項記載のフィルム接着剤、
に少なくとも２個以上のイミド環を含み、かつ９０℃〜
２００℃のガラス転移点を有するポリイミド樹脂、硬化
性化合物、該硬化性化合物の硬化剤、及びシランカップ
リング剤とを含むフィルム状接着剤であって、硬化した
フィルムが２１０℃における弾性率が１０〜１００ＭＰ
ａであり、かつ吸水率が３重量％以下であるフィルム状
接着剤、(２)１００℃〜２００℃で合計５秒〜１時間の
熱履歴をうけることにより硬化してなる第（１）項記載
のフィルム状接着剤、（３）ポリイミド樹脂が、アミン
成分として、一般式（１）で表されるジアミノポリシロ
キサン、芳香族ジアミン、脂肪族ジアミン、式（２）又
は（３）で表されるノルボルネン環を含む脂環式ジアミ
ン、及び式（４）で表されるスピロアセタール環を含む
脂環式ジアミンの中から選ばれる少なくとも１つのジア
ミン化合物と、酸成分として、芳香族テトラカルボン酸
無水物とを反応させてイミド閉環し、かつ有機溶剤に可
溶なポリイミド樹脂を主たる構成成分とする第（１）又
は(２)項記載のフィルム接着剤、
【化５】
【化６】
【化７】
（式中、Ｒ1，Ｒ2，Ｒ7，R８，R９，R１０，R１１，及
びR１２は炭素数１〜４で二価の脂肪族基または芳香族
基、Ｒ3，Ｒ4，Ｒ5，およびＲ6は一価の脂肪族基または
芳香族基を表し、ｋは１〜１００の整数である。） （４）硬化性化合物が、１分子中に少なくとも２個以上
のエポキシ基を有するエポキシ化合物、及び１分子中に
少なくとも２個以上のシアネート基を有するシアネート
化合物の中から選ばれる少なくとも１つの化合物である
第（１）〜（３）項いずれか記載のフィルム接着剤、
（５）硬化剤が、分子中に少なくとも１個のイミダゾー
ル環を含む化合物、及びフェノールノボラック構造を有
する化合物の中から選ばれる少なくとも１つの化合物で
ある第（１）〜（４）項いずれか記載のフィルム状接着
剤、（６）１分子中に少なくとも２個以上のイミド環を
含み、かつ９０℃〜２００℃のガラス転移点を有するポ
リイミド樹脂、硬化性化合物、該硬化性化合物の硬化
剤、及びシランカップリング剤とを含む接着剤組成物の
一般式（５）で表されるフェニルエーテルを溶媒とする
溶液を支持体の片面または両面に流延塗布し、加熱乾燥
させた後に、残存溶媒量が500ppm以下である半導体接着
テープ、
びR１２は炭素数１〜４で二価の脂肪族基または芳香族
基、Ｒ3，Ｒ4，Ｒ5，およびＲ6は一価の脂肪族基または
芳香族基を表し、ｋは１〜１００の整数である。） （４）硬化性化合物が、１分子中に少なくとも２個以上
のエポキシ基を有するエポキシ化合物、及び１分子中に
少なくとも２個以上のシアネート基を有するシアネート
化合物の中から選ばれる少なくとも１つの化合物である
第（１）〜（３）項いずれか記載のフィルム接着剤、
（５）硬化剤が、分子中に少なくとも１個のイミダゾー
ル環を含む化合物、及びフェノールノボラック構造を有
する化合物の中から選ばれる少なくとも１つの化合物で
ある第（１）〜（４）項いずれか記載のフィルム状接着
剤、（６）１分子中に少なくとも２個以上のイミド環を
含み、かつ９０℃〜２００℃のガラス転移点を有するポ
リイミド樹脂、硬化性化合物、該硬化性化合物の硬化
剤、及びシランカップリング剤とを含む接着剤組成物の
一般式（５）で表されるフェニルエーテルを溶媒とする
溶液を支持体の片面または両面に流延塗布し、加熱乾燥
させた後に、残存溶媒量が500ppm以下である半導体接着
テープ、
【化８】
（式中、Ｒ１３は水素原子または炭素原子数１〜６の１
価の炭化水素基であり、Ｒ１４は炭素原子数１〜６の１
価の炭化水素基を表す。） （７）第（６）項記載の半導体接着テープが貼り付いて
なることを特徴とするリードフレーム、（８）第（７）
項記載のリードフレームを用いてなる半導体装置、であ
る。
価の炭化水素基であり、Ｒ１４は炭素原子数１〜６の１
価の炭化水素基を表す。） （７）第（６）項記載の半導体接着テープが貼り付いて
なることを特徴とするリードフレーム、（８）第（７）
項記載のリードフレームを用いてなる半導体装置、であ
る。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明に用いる一般式（１）で表
されるジアミノポリシロキサンとしては、１，３−ビス
（３−アミノプロピル）テトラメチルシロキサンやα，
ω−ビス（３−アミノプロピル）ポリジメチルシロキサ
ン等が挙げられる。これらは一般式（４）で表されるフ
ェニルエーテルに溶解するものが好ましい。
されるジアミノポリシロキサンとしては、１，３−ビス
（３−アミノプロピル）テトラメチルシロキサンやα，
ω−ビス（３−アミノプロピル）ポリジメチルシロキサ
ン等が挙げられる。これらは一般式（４）で表されるフ
ェニルエーテルに溶解するものが好ましい。
【００１１】本発明に用いる芳香族もしくは脂肪族ジア
ミンとしては、３，３’−ジメチル−４，４’−ジアミ
ノビフェニル、４，６−ジメチル−ｍ−フェニレンジア
ミン、２，５−ジメチル−ｐ−フェニレンジアミン、
２，４−ジアミノメシチレン、４，４’−メチレンジ−
ｏ−トルイジン、４，４’−メチレンジアミン−２，６
−キシリジン、４，４’−メチレン−２，６−ジエチル
アニリン、２，４−トルエンジアミン、ｍ−フェニレン
ジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、４，４’−ジアミ
ノジフェニルプロパン、３，３’−ジアミノジフェニル
プロパン、４，４’−ジアミノジフェニルエタン、３，
３’−ジアミノジフェニルエタン、４，４’−ジアミノ
ジフェニルメタン、３，３’−ジアミノジフェニルメタ
ン、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，
３’−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’−ジア
ミノジフェニルスルフォン、３，３’−ジアミノジフェ
ニルスルフォン、４，４’−ジアミノジフェニルエ−テ
ル、３，３’−ジアミノジフェニルエ−テル、ベンジジ
ン、３，３’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジメチ
ル−４，４’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジメト
キシベンジジン、ビス（ｐ−アミノシクロヘキシル）メ
タン、ビス（ｐ−β−アミノ−ｔ−ブチルフェニル）エ
−テル、ビス（ｐ−β−メチル−δ−アミノペンチル）
ベンゼン、ｐ−ビス（２−メチル−４−アミノペンチ
ル）ベンゼン、１，５−ジアミノナフタレン、２，６−
ジアミノナフタレン、２，４−ビス（β−アミノ−ｔ−
ブチル）トルエン、２，４−ジアミノトルエン、ｍ−キ
シレン−２，５−ジアミン、ｐ−キシレン−２，５−ジ
アミン、ｍ−キシリレンジアミン、ｐ−キシリレンジア
ミン、２，６−ジアミノピリジン、２，５−ジアミノピ
リジン、２，５−ジアミノ−１，３，４−オキサジアゾ
−ル、１，４−ジアミノシクロヘキサン、ピペラジン、
メチレンジアミン、エチレンジアミン、テトラメチレン
ジアミン、ペンタメチレンジアミン、ヘキサメチレンジ
アミン、２，５−ジメチルヘキサメチレンジアミン、３
−メトキシヘキサメチレンジアミン、ヘプタメチレンジ
アミン、２，５−ジメチルヘプタメチレンジアミン、３
−メチルヘプタメチレンジアミン、４，４−ジメチルヘ
プタメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン、ノナ
メチレンジアミン、５−メチルノナメチレンジアミン、
デカメチレンジアミン、１，３−ビス（３−アミノフェ
ノキシ）ベンゼン、２，２−ビス［４−（４−アミノフ
ェノキシ）フェニル］プロパン、１，３−ビス（４−ア
ミノフェノキシ）ベンゼン、ビス−４−（４−アミノフ
ェノキシ）フェニルスルフォン、ビス−４−（３−アミ
ノフェノキシ）フェニルスルフォンなどを挙げることが
できる。中でも、２，２−ビス［４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニル］プロパン、１，３−ビス（３−アミ
ノフェノキシ）ベンゼン、または２，５（２，６）−ビ
ス（アミノメチル）ビシクロ[２．２．１]ヘプタン、３
（４），８（９）−ビス（アミノメチル）−トリシクロ
−５，２，１，０（２．６）デカン、３，９−ビス（３
−アミノプロピル）−２，４，８，１０テトラオキサス
ピロ[５．５]ウンデカンなど分子中にノルボルネン環や
スピロアセタール環などの脂環構造を含むジアミンが、
フェニルエーテルへの溶解性に関して好ましい。上記の
ジアミンは、単独で用いても良く、２種類以上を組み合
わせて用いても良い。
ミンとしては、３，３’−ジメチル−４，４’−ジアミ
ノビフェニル、４，６−ジメチル−ｍ−フェニレンジア
ミン、２，５−ジメチル−ｐ−フェニレンジアミン、
２，４−ジアミノメシチレン、４，４’−メチレンジ−
ｏ−トルイジン、４，４’−メチレンジアミン−２，６
−キシリジン、４，４’−メチレン−２，６−ジエチル
アニリン、２，４−トルエンジアミン、ｍ−フェニレン
ジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、４，４’−ジアミ
ノジフェニルプロパン、３，３’−ジアミノジフェニル
プロパン、４，４’−ジアミノジフェニルエタン、３，
３’−ジアミノジフェニルエタン、４，４’−ジアミノ
ジフェニルメタン、３，３’−ジアミノジフェニルメタ
ン、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，
３’−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’−ジア
ミノジフェニルスルフォン、３，３’−ジアミノジフェ
ニルスルフォン、４，４’−ジアミノジフェニルエ−テ
ル、３，３’−ジアミノジフェニルエ−テル、ベンジジ
ン、３，３’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジメチ
ル−４，４’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジメト
キシベンジジン、ビス（ｐ−アミノシクロヘキシル）メ
タン、ビス（ｐ−β−アミノ−ｔ−ブチルフェニル）エ
−テル、ビス（ｐ−β−メチル−δ−アミノペンチル）
ベンゼン、ｐ−ビス（２−メチル−４−アミノペンチ
ル）ベンゼン、１，５−ジアミノナフタレン、２，６−
ジアミノナフタレン、２，４−ビス（β−アミノ−ｔ−
ブチル）トルエン、２，４−ジアミノトルエン、ｍ−キ
シレン−２，５−ジアミン、ｐ−キシレン−２，５−ジ
アミン、ｍ−キシリレンジアミン、ｐ−キシリレンジア
ミン、２，６−ジアミノピリジン、２，５−ジアミノピ
リジン、２，５−ジアミノ−１，３，４−オキサジアゾ
−ル、１，４−ジアミノシクロヘキサン、ピペラジン、
メチレンジアミン、エチレンジアミン、テトラメチレン
ジアミン、ペンタメチレンジアミン、ヘキサメチレンジ
アミン、２，５−ジメチルヘキサメチレンジアミン、３
−メトキシヘキサメチレンジアミン、ヘプタメチレンジ
アミン、２，５−ジメチルヘプタメチレンジアミン、３
−メチルヘプタメチレンジアミン、４，４−ジメチルヘ
プタメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン、ノナ
メチレンジアミン、５−メチルノナメチレンジアミン、
デカメチレンジアミン、１，３−ビス（３−アミノフェ
ノキシ）ベンゼン、２，２−ビス［４−（４−アミノフ
ェノキシ）フェニル］プロパン、１，３−ビス（４−ア
ミノフェノキシ）ベンゼン、ビス−４−（４−アミノフ
ェノキシ）フェニルスルフォン、ビス−４−（３−アミ
ノフェノキシ）フェニルスルフォンなどを挙げることが
できる。中でも、２，２−ビス［４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニル］プロパン、１，３−ビス（３−アミ
ノフェノキシ）ベンゼン、または２，５（２，６）−ビ
ス（アミノメチル）ビシクロ[２．２．１]ヘプタン、３
（４），８（９）−ビス（アミノメチル）−トリシクロ
−５，２，１，０（２．６）デカン、３，９−ビス（３
−アミノプロピル）−２，４，８，１０テトラオキサス
ピロ[５．５]ウンデカンなど分子中にノルボルネン環や
スピロアセタール環などの脂環構造を含むジアミンが、
フェニルエーテルへの溶解性に関して好ましい。上記の
ジアミンは、単独で用いても良く、２種類以上を組み合
わせて用いても良い。
【００１２】上記ジアミノポリシロキサンと芳香族もし
くは脂肪族ジアミンとの反応比率は、ポリイミド樹脂の
ガラス転移点が９０℃〜２００℃の範囲にある限りは特
に規定しないが、ジアミノポリシロキサンの反応比率
が、ジアミノポリシロキサンと芳香族もしくは脂肪族ジ
アミンの総モル数に対し、好ましくは５〜９５モル％で
ある。５モル％未満であると、得られるポリイミド樹脂
のフェニルエーテルへの溶解性が低下し、作業上問題が
生じる可能性がある。９５モル％を超えるとフィルムの
ガラス転移温度が著しく低下し、フィルムとしての強度
が保てない可能性がある。
くは脂肪族ジアミンとの反応比率は、ポリイミド樹脂の
ガラス転移点が９０℃〜２００℃の範囲にある限りは特
に規定しないが、ジアミノポリシロキサンの反応比率
が、ジアミノポリシロキサンと芳香族もしくは脂肪族ジ
アミンの総モル数に対し、好ましくは５〜９５モル％で
ある。５モル％未満であると、得られるポリイミド樹脂
のフェニルエーテルへの溶解性が低下し、作業上問題が
生じる可能性がある。９５モル％を超えるとフィルムの
ガラス転移温度が著しく低下し、フィルムとしての強度
が保てない可能性がある。
【００１３】本発明に用いる芳香族テトラカルボン酸二
無水物としては、３,３',４,４'−ビフェニルテトラカ
ルボン酸二無水物、３,３',４,４'−ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸二無水物、ピロメリット酸二無水物、
４,４'−オキシジフタル酸二無水物、エチレングリコー
ルビストリメリット酸二無水物、４，４‘−（４，４’
−イソプロピデンジフェノキシ）フタル酸二無水物など
が挙げられる。中でも、４,４'−オキシジフタル酸二無
水物、４，４‘−（４，４’−イソプロピデンジフェノ
キシ）フタル酸二無水物が、得られるポリイミド樹脂の
フェニルエーテルへの溶解性に関して好ましい。上記の
芳香族テトラカルボン酸二無水物は、単独で用いても良
く、２種類以上を組み合わせて用いても良い。
無水物としては、３,３',４,４'−ビフェニルテトラカ
ルボン酸二無水物、３,３',４,４'−ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸二無水物、ピロメリット酸二無水物、
４,４'−オキシジフタル酸二無水物、エチレングリコー
ルビストリメリット酸二無水物、４，４‘−（４，４’
−イソプロピデンジフェノキシ）フタル酸二無水物など
が挙げられる。中でも、４,４'−オキシジフタル酸二無
水物、４，４‘−（４，４’−イソプロピデンジフェノ
キシ）フタル酸二無水物が、得られるポリイミド樹脂の
フェニルエーテルへの溶解性に関して好ましい。上記の
芳香族テトラカルボン酸二無水物は、単独で用いても良
く、２種類以上を組み合わせて用いても良い。
【００１４】上記ジアミノシロキサン、ジアミン化合
物、芳香族テトラカルボン酸無水物を反応させてなるポ
リイミド樹脂はガラス転移温度が９０℃から２００℃の
範囲にあることが必要である。９０℃未満ではポリイミ
ド樹脂自体の耐熱性が低下し、ワイヤーボンディングが
行なわれる温度域（１８０〜２３０℃）における弾性率
が低く、ワイヤーボンディング時にテープと被着体との
間で剥離が生じる恐れがある。逆に２００℃を越える場
合ポリイミド樹脂のフェニルエーテルへの溶解性が低く
なり、フェニルエーテル溶液の状態でポリイミド樹脂が
析出する恐れがある。
物、芳香族テトラカルボン酸無水物を反応させてなるポ
リイミド樹脂はガラス転移温度が９０℃から２００℃の
範囲にあることが必要である。９０℃未満ではポリイミ
ド樹脂自体の耐熱性が低下し、ワイヤーボンディングが
行なわれる温度域（１８０〜２３０℃）における弾性率
が低く、ワイヤーボンディング時にテープと被着体との
間で剥離が生じる恐れがある。逆に２００℃を越える場
合ポリイミド樹脂のフェニルエーテルへの溶解性が低く
なり、フェニルエーテル溶液の状態でポリイミド樹脂が
析出する恐れがある。
【００１５】本発明のポリイミド樹脂組成物の重縮合反
応における酸成分とアミン成分の当量比は、得られるポ
リイミド樹脂の分子量を決定する重要な因子である。ま
た、ポリマーの分子量と物性、特に数平均分子量と機械
的性質の間に相関があることは良く知られている。数平
均分子量が大きいほど機械的性質が優れている。従っ
て、実用的に優れた強度を得るためには、ある程度高分
子量であることが必要である。
応における酸成分とアミン成分の当量比は、得られるポ
リイミド樹脂の分子量を決定する重要な因子である。ま
た、ポリマーの分子量と物性、特に数平均分子量と機械
的性質の間に相関があることは良く知られている。数平
均分子量が大きいほど機械的性質が優れている。従っ
て、実用的に優れた強度を得るためには、ある程度高分
子量であることが必要である。
【００１６】本発明に用いるポリイミド樹脂の製造で
は、酸成分とアミン成分の当量比ｒが ０.９００ ≦ ｒ ≦ １.０６ さらには、 ０.９７５ ≦ ｒ ≦ １.０２５ の範囲にあることが、機械的強度および耐熱性の両面か
ら好ましい。ただし、ｒ＝［全酸成分の当量数］／［全
アミン成分の当量数］である。ｒが０.９００未満で
は、分子量が低くてフィルムとした場合脆くなる。また
１.０６を越えると、未反応のカルボン酸が加熱時に脱
炭酸して、ガス発生や発泡の原因となり好ましくないこ
とがある。ポリイミド樹脂の分子量制御のために、ジカ
ルボン酸無水物あるいはモノアミンを添加することは、
上述の酸／アミンモル比ｒの範囲内であれば、特にこれ
を妨げない。
は、酸成分とアミン成分の当量比ｒが ０.９００ ≦ ｒ ≦ １.０６ さらには、 ０.９７５ ≦ ｒ ≦ １.０２５ の範囲にあることが、機械的強度および耐熱性の両面か
ら好ましい。ただし、ｒ＝［全酸成分の当量数］／［全
アミン成分の当量数］である。ｒが０.９００未満で
は、分子量が低くてフィルムとした場合脆くなる。また
１.０６を越えると、未反応のカルボン酸が加熱時に脱
炭酸して、ガス発生や発泡の原因となり好ましくないこ
とがある。ポリイミド樹脂の分子量制御のために、ジカ
ルボン酸無水物あるいはモノアミンを添加することは、
上述の酸／アミンモル比ｒの範囲内であれば、特にこれ
を妨げない。
【００１７】本発明に用いる反応溶媒は、式（５）で表
されるフェニルエーテルである事が好ましい。
されるフェニルエーテルである事が好ましい。
【００１８】ここで、式（５）で表されるフェニルエー
テルの代表的なものとして、アニソール、フェネトー
ル、メトキシトルエン等が挙げられるが、より低温の熱
処理でポリイミド樹脂フィルムが得られることから、ア
ニソールが最も好ましい。
テルの代表的なものとして、アニソール、フェネトー
ル、メトキシトルエン等が挙げられるが、より低温の熱
処理でポリイミド樹脂フィルムが得られることから、ア
ニソールが最も好ましい。
【００１９】この時、共沸用溶媒として上記のフェニル
エーテルと相溶性のある非極性溶媒を混合して使用して
も良い。前記非極性溶媒としては、トルエン、キシレ
ン、ソルベントナフサなどの芳香族炭化水素が好まし
い。混合溶媒における非極性溶媒の割合は、５０重量％
以下であることが好ましい。これは非極性溶媒が５０重
量％を越える場合は、溶媒の溶解力が低下し、原料であ
るジアミノポリシロキサンと芳香族もしくは脂肪族ジア
ミン、脂環式ジアミン又はポリイミド樹脂が析出する恐
れがあるためである。
エーテルと相溶性のある非極性溶媒を混合して使用して
も良い。前記非極性溶媒としては、トルエン、キシレ
ン、ソルベントナフサなどの芳香族炭化水素が好まし
い。混合溶媒における非極性溶媒の割合は、５０重量％
以下であることが好ましい。これは非極性溶媒が５０重
量％を越える場合は、溶媒の溶解力が低下し、原料であ
るジアミノポリシロキサンと芳香族もしくは脂肪族ジア
ミン、脂環式ジアミン又はポリイミド樹脂が析出する恐
れがあるためである。
【００２０】上述した成分、配合比によりポリイミド樹
脂を合成する場合、上記成分のジアミノポリシロキサン
と芳香族もしくは脂肪族ジアミンとを、フェニルエーテ
ルを主とする反応溶媒中に仕込み、７０〜８０℃程度に
加熱し、ジアミノポリシロキサンと芳香族もしくは脂肪
族ジアミンを溶解させる（Ａ液）。さらに、別の反応器
に上記成分のテトラカルボン酸二無水物を、フェニルエ
ーテルを主とする溶媒中に仕込み、還流が起きるまで加
熱昇温を行う（Ｂ液）。引き続き、前記Ａ液を、還流中
のＢ液内に添加して、ポリアミド化と脱水閉環反応を短
時間で進行させ、一般式（６）で表される繰り返し単位
と一般式（７）で表される繰り返し単位とを有するポリ
イミド樹脂の溶液が得られる。イミド化反応によって生
じた水は閉環反応を妨害するため、ディーン・スターク
（Ｄｅａｎ−Ｓｔａｒｋ）管などの装置を使用して系外
に排出する。
脂を合成する場合、上記成分のジアミノポリシロキサン
と芳香族もしくは脂肪族ジアミンとを、フェニルエーテ
ルを主とする反応溶媒中に仕込み、７０〜８０℃程度に
加熱し、ジアミノポリシロキサンと芳香族もしくは脂肪
族ジアミンを溶解させる（Ａ液）。さらに、別の反応器
に上記成分のテトラカルボン酸二無水物を、フェニルエ
ーテルを主とする溶媒中に仕込み、還流が起きるまで加
熱昇温を行う（Ｂ液）。引き続き、前記Ａ液を、還流中
のＢ液内に添加して、ポリアミド化と脱水閉環反応を短
時間で進行させ、一般式（６）で表される繰り返し単位
と一般式（７）で表される繰り返し単位とを有するポリ
イミド樹脂の溶液が得られる。イミド化反応によって生
じた水は閉環反応を妨害するため、ディーン・スターク
（Ｄｅａｎ−Ｓｔａｒｋ）管などの装置を使用して系外
に排出する。
【００２１】
【化９】
【化１０】
（式中、Ｒ１，Ｒ２，R１７は炭素数１〜４で二価の脂
肪族基または芳香族基、Ｒ3，Ｒ4，Ｒ5，およびＲ6は一
価の脂肪族基または芳香族基、Ｒ１５，Ｒ１６は四価の
脂肪族基または芳香族基を表し、ｋは１〜１００の整数
である。ｍ、ｎの割合は各成分合計１００モル％中、ｍ
が５〜９５モル％、ｎが５〜９５モル％である。）
肪族基または芳香族基、Ｒ3，Ｒ4，Ｒ5，およびＲ6は一
価の脂肪族基または芳香族基、Ｒ１５，Ｒ１６は四価の
脂肪族基または芳香族基を表し、ｋは１〜１００の整数
である。ｍ、ｎの割合は各成分合計１００モル％中、ｍ
が５〜９５モル％、ｎが５〜９５モル％である。）
【００２２】本発明に用いる硬化性化合物は、１分子中
に少なくとも２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化
合物、及び１分子中に少なくとも２個以上のシアネート
基を有するシアネート化合物の中から選ばれる少なくと
も１つの化合物である事が好ましい。本発明に用いるエ
ポキシ化合物（D）は、少なくとも１分子中に２個のエ
ポキシ基を有し、ポリイミド樹脂（C）との相溶性を有
するものであれば、特に限定されるものではないが、ポ
リイミド樹脂（C）を合成する際に使用する溶媒への溶
解性が良好なものが好ましい。例として、ビスフェノー
ルＡ型のジグリシジルエーテル、ビスフェノールＦ型の
ジグリシジルエーテル、ビスフェノールＡ−エピクロル
ヒドリン型エポキシ化合物、ジフェニルエーテル型エポ
キシ化合物、フェノールノボラック型エポキシ化合物、
クレゾールネボラック型エポキシ化合物、ビフェニル型
エポキシ化合物、水添ビスフェノールＡ型エポキシ化合
物等が挙げられる。
に少なくとも２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化
合物、及び１分子中に少なくとも２個以上のシアネート
基を有するシアネート化合物の中から選ばれる少なくと
も１つの化合物である事が好ましい。本発明に用いるエ
ポキシ化合物（D）は、少なくとも１分子中に２個のエ
ポキシ基を有し、ポリイミド樹脂（C）との相溶性を有
するものであれば、特に限定されるものではないが、ポ
リイミド樹脂（C）を合成する際に使用する溶媒への溶
解性が良好なものが好ましい。例として、ビスフェノー
ルＡ型のジグリシジルエーテル、ビスフェノールＦ型の
ジグリシジルエーテル、ビスフェノールＡ−エピクロル
ヒドリン型エポキシ化合物、ジフェニルエーテル型エポ
キシ化合物、フェノールノボラック型エポキシ化合物、
クレゾールネボラック型エポキシ化合物、ビフェニル型
エポキシ化合物、水添ビスフェノールＡ型エポキシ化合
物等が挙げられる。
【００２３】本発明に用いるシアネート化合物（E）は
少なくとも１分子中に２個のシアネート基を有し、ポリ
イミド樹脂との相溶性を有するものであれば特に限定さ
れるものではない。例として、ビスフェノール−Ａ−ジ
シアネート４，４‘−イソプロピリデンジフェニルシア
ネート、４，４’−エチリデンジフェニルジシアネー
ト、４，４‘−メチレンビス（２，６−ジメチルフェニ
ルシアネート）、オリゴ（３−メチレン−１，５−フェ
ニレンシアネート）などが挙げられる。
少なくとも１分子中に２個のシアネート基を有し、ポリ
イミド樹脂との相溶性を有するものであれば特に限定さ
れるものではない。例として、ビスフェノール−Ａ−ジ
シアネート４，４‘−イソプロピリデンジフェニルシア
ネート、４，４’−エチリデンジフェニルジシアネー
ト、４，４‘−メチレンビス（２，６−ジメチルフェニ
ルシアネート）、オリゴ（３−メチレン−１，５−フェ
ニレンシアネート）などが挙げられる。
【００２４】また、本発明のポリイミド樹脂組成物にお
けるエポキシ化合物（D）とシアネート化合物（Ｅ）の
総含有量は、ポリイミド樹脂（C）１００重量部に対し
て０．０１〜２００重量部が好ましい。含有量が０．０
１未満であると、高温時のフィルム強度が低下し、接着
力が低下する。含有量が２００重量部を超えるとエポキ
シ化合物やシアネート化合物の樹脂特性の影響を受け、
ポリイミド樹脂の特性である耐熱性や機械強度が損なわ
れる。
けるエポキシ化合物（D）とシアネート化合物（Ｅ）の
総含有量は、ポリイミド樹脂（C）１００重量部に対し
て０．０１〜２００重量部が好ましい。含有量が０．０
１未満であると、高温時のフィルム強度が低下し、接着
力が低下する。含有量が２００重量部を超えるとエポキ
シ化合物やシアネート化合物の樹脂特性の影響を受け、
ポリイミド樹脂の特性である耐熱性や機械強度が損なわ
れる。
【００２５】本発明に用いられる硬化剤（Ｆ）はエポキ
シ化合物（Ｄ）またはシアネート化合物（Ｅ）などの硬
化性化合物と反応し、硬化せしめる機能を有するもので
あれば特に限定されるものではない。またポリイミド樹
脂（C）やエポキシ化合物（D）との相溶性や、ポリイミ
ド樹脂（C）を合成する際に使用する溶媒への溶解性が
良好なものが好ましい。例として１−ベンジル−２−メ
チルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４
−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミ
ダゾールなどのイミダゾール化合物などが挙げられる。
シ化合物（Ｄ）またはシアネート化合物（Ｅ）などの硬
化性化合物と反応し、硬化せしめる機能を有するもので
あれば特に限定されるものではない。またポリイミド樹
脂（C）やエポキシ化合物（D）との相溶性や、ポリイミ
ド樹脂（C）を合成する際に使用する溶媒への溶解性が
良好なものが好ましい。例として１−ベンジル−２−メ
チルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４
−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミ
ダゾールなどのイミダゾール化合物などが挙げられる。
【００２６】本発明のポリイミド樹脂組成物における硬
化剤（Ｆ）の含有量は、エポキシ化合物（Ｄ）、及びシ
アネート化合物（Ｅ）の硬化性化合物の合計１００重量
部に対して０．０１〜５０重量部以下が好ましい。０．
０１未満であると、十分な硬化特性が得られない。５０
重量部を越えると硬化時に未反応の硬化剤が残存し、フ
ィルム状接着剤にした際、熱圧着した時に未反応成分が
溶出し、信頼性に悪影響を及ぼすこととなる。
化剤（Ｆ）の含有量は、エポキシ化合物（Ｄ）、及びシ
アネート化合物（Ｅ）の硬化性化合物の合計１００重量
部に対して０．０１〜５０重量部以下が好ましい。０．
０１未満であると、十分な硬化特性が得られない。５０
重量部を越えると硬化時に未反応の硬化剤が残存し、フ
ィルム状接着剤にした際、熱圧着した時に未反応成分が
溶出し、信頼性に悪影響を及ぼすこととなる。
【００２７】本発明に用いるシランカップリング剤
（Ｇ）は、ポリイミド樹脂（C）やエポキシ化合物
（D）、シアネート化合物（Ｅ）、硬化剤（Ｆ）との相
溶性や、ポリイミド樹脂（C）を合成する際に使用する
溶媒への溶解性が良好なものが好ましい。例として、ビ
ニルトリクロルシラン、ビニルトリエトキシシラン、γ
−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グ
リシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプ
トプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチ
ル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β
（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシ
シラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−
フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等が
挙げられ、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメト
キシシランが接着性の面で好ましい。
（Ｇ）は、ポリイミド樹脂（C）やエポキシ化合物
（D）、シアネート化合物（Ｅ）、硬化剤（Ｆ）との相
溶性や、ポリイミド樹脂（C）を合成する際に使用する
溶媒への溶解性が良好なものが好ましい。例として、ビ
ニルトリクロルシラン、ビニルトリエトキシシラン、γ
−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グ
リシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプ
トプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチ
ル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β
（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシ
シラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−
フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等が
挙げられ、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメト
キシシランが接着性の面で好ましい。
【００２８】本発明のポリイミド樹脂組成物におけるシ
ランカップリング剤（Ｇ）の含有量は、ポリイミド樹脂
（C）１００重量部に対して０．０１〜５０重量部が好
ましい。０．０１未満であると、十分な接着特性が得ら
れない。５０重量部を越えると、ポリイミド樹脂同士の
架橋が起きやすくなり、ポリイミド樹脂組成物溶液を調
製した際、溶液がゲル化しやすく、またフィルム状接着
剤にした際、熱圧着した時、被着体に対する濡れ性が低
下し、接着力が低下する。
ランカップリング剤（Ｇ）の含有量は、ポリイミド樹脂
（C）１００重量部に対して０．０１〜５０重量部が好
ましい。０．０１未満であると、十分な接着特性が得ら
れない。５０重量部を越えると、ポリイミド樹脂同士の
架橋が起きやすくなり、ポリイミド樹脂組成物溶液を調
製した際、溶液がゲル化しやすく、またフィルム状接着
剤にした際、熱圧着した時、被着体に対する濡れ性が低
下し、接着力が低下する。
【００２９】本発明のポリイミド樹脂組成物は、ポリイ
ミド樹脂（C）にエポキシ化合物（D）、シアネート化合
物（E）、硬化剤（Ｆ）及びシランカップリング剤
（Ｇ）を添加し混合することにより得られる。本発明の
ポリイミド樹脂組成物には、上記成分の他に、表面平滑
性を出すための平滑剤、レベリング剤、脱泡剤などの各
種添加剤を必要に応じて添加することができる。また、
ポリイミド樹脂溶液中の溶剤の蒸発速度を調節するため
に、均一に溶解する範囲で芳香族炭化水素系溶剤を使用
することができる。
ミド樹脂（C）にエポキシ化合物（D）、シアネート化合
物（E）、硬化剤（Ｆ）及びシランカップリング剤
（Ｇ）を添加し混合することにより得られる。本発明の
ポリイミド樹脂組成物には、上記成分の他に、表面平滑
性を出すための平滑剤、レベリング剤、脱泡剤などの各
種添加剤を必要に応じて添加することができる。また、
ポリイミド樹脂溶液中の溶剤の蒸発速度を調節するため
に、均一に溶解する範囲で芳香族炭化水素系溶剤を使用
することができる。
【００３０】本発明においてポリイミド樹脂組成物は、
接着剤として用いられ、これを用いて、フィルム状接着
剤とするには、上記で得られたポリイミド樹脂溶液を、
例えば、ロールや金属シート、又は、ポリエステルシー
トなどの離型シートの上に、フローコーター、ロールコ
ーターなどにより、流延あるいは塗布して、樹脂層から
なるフィルムを形成させ、加熱乾燥後、剥離してポリイ
ミド樹脂フィルムとすることができる。この際の加熱処
理は、通常５０〜１５０℃、より好ましくは５０〜１２
０℃で行われ、エポキシ樹脂等、硬化成分が架橋するこ
となくフィルム状接着剤を製造することが可能である。
熱処理時間については、通常０．１〜１時間程度で良
く、低温短時間で完全に溶剤を除去することが可能であ
り、フィルム状接着剤を熱圧着した際、残存溶剤による
発泡を抑制することができる。残存溶媒の量としては５
００ｐｐｍ以下であることが好ましい。
接着剤として用いられ、これを用いて、フィルム状接着
剤とするには、上記で得られたポリイミド樹脂溶液を、
例えば、ロールや金属シート、又は、ポリエステルシー
トなどの離型シートの上に、フローコーター、ロールコ
ーターなどにより、流延あるいは塗布して、樹脂層から
なるフィルムを形成させ、加熱乾燥後、剥離してポリイ
ミド樹脂フィルムとすることができる。この際の加熱処
理は、通常５０〜１５０℃、より好ましくは５０〜１２
０℃で行われ、エポキシ樹脂等、硬化成分が架橋するこ
となくフィルム状接着剤を製造することが可能である。
熱処理時間については、通常０．１〜１時間程度で良
く、低温短時間で完全に溶剤を除去することが可能であ
り、フィルム状接着剤を熱圧着した際、残存溶剤による
発泡を抑制することができる。残存溶媒の量としては５
００ｐｐｍ以下であることが好ましい。
【００３１】上記の方法で得られたフィルム接着剤は、
未処理の状態でガラス転移点が４０℃から１５０℃、よ
り好ましくは５０から１００℃の範囲にあることが好ま
しい。これは、リードフレームへの貼付およびダイマウ
ントに要する貼付温度を２５０℃以下にするために必要
な、接着剤の濡れ性を確保する為である。
未処理の状態でガラス転移点が４０℃から１５０℃、よ
り好ましくは５０から１００℃の範囲にあることが好ま
しい。これは、リードフレームへの貼付およびダイマウ
ントに要する貼付温度を２５０℃以下にするために必要
な、接着剤の濡れ性を確保する為である。
【００３２】上記の方法で得られたフィルム接着剤をリ
ードフレームおよび半導体素子に接着させた後、熱処理
することで耐熱性に優れたフィルムを得ることができる
が、その熱処理条件は１００〜２００℃で５秒から１時
間であることが好ましく、より好ましくは１００〜１５
０℃で５秒から３０分である。これは、２００℃を越え
る熱処理温度はリードフレームおよび半導体素子への熱
損傷を深刻にし、１００℃未満の熱処理温度では封止す
る際に未硬化成分の残存成分が揮発成分となって、リー
ドフレームへや半導体素子の汚染の原因となる恐れがあ
る。１時間を越える熱処理時間は生産性の低下を引き起
こし、５秒未満の熱処理時間では低温熱処理の場合と同
様、未硬化成分の残存成分が揮発成分となって、リード
フレームへや半導体素子の汚染の原因となる恐れがあ
る。
ードフレームおよび半導体素子に接着させた後、熱処理
することで耐熱性に優れたフィルムを得ることができる
が、その熱処理条件は１００〜２００℃で５秒から１時
間であることが好ましく、より好ましくは１００〜１５
０℃で５秒から３０分である。これは、２００℃を越え
る熱処理温度はリードフレームおよび半導体素子への熱
損傷を深刻にし、１００℃未満の熱処理温度では封止す
る際に未硬化成分の残存成分が揮発成分となって、リー
ドフレームへや半導体素子の汚染の原因となる恐れがあ
る。１時間を越える熱処理時間は生産性の低下を引き起
こし、５秒未満の熱処理時間では低温熱処理の場合と同
様、未硬化成分の残存成分が揮発成分となって、リード
フレームへや半導体素子の汚染の原因となる恐れがあ
る。
【００３３】本発明で得られるフィルム接着剤は吸水率
が３重量％以下であることが好ましい。これはフィルム
接着剤を用いて半導体装置を組み立てる場合、フィルム
接着剤の吸水性が半導体装置の信頼性に影響を及ぼす場
合があるためである。
が３重量％以下であることが好ましい。これはフィルム
接着剤を用いて半導体装置を組み立てる場合、フィルム
接着剤の吸水性が半導体装置の信頼性に影響を及ぼす場
合があるためである。
【００３４】本発明のフィルム接着剤は、低温度短時間
の熱処理で硬化したフィルムの２１０℃における弾性率
が３０から１００ＭＰａの範囲にあることが好ましい。
この弾性率の範囲にあれば、ワイヤーボンディングを問
題無く行なうことができる。
の熱処理で硬化したフィルムの２１０℃における弾性率
が３０から１００ＭＰａの範囲にあることが好ましい。
この弾性率の範囲にあれば、ワイヤーボンディングを問
題無く行なうことができる。
【００３５】また本発明のフィルム接着剤を半導体装置
の組立に用いたとき、低吸水性・高温時の接着性に優れ
ていることから高信頼性の半導体装置を提供することが
可能となる。
の組立に用いたとき、低吸水性・高温時の接着性に優れ
ていることから高信頼性の半導体装置を提供することが
可能となる。
【００３６】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に詳細に説明
するが、本発明は、何らこれらに限定されるものではな
い。なお、実施例における略号は以下の通りである。 ＰＩ：ポリイミド ＢＰＤＡ：３,３',４,４'−ビフェニルテトラカルボン
酸二無水物 ＢＰＡＤＡ：ビスフェノールＡ酸無水物 ＯＤＰＡ：４，４’−オキシジフタル酸二無水物 ＢＡＰＰ：２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル］プロパン ＡＰＢ： １，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベン
ゼン ＴＣＤＤ：３（４），８（９）−ビス（アミノメチル）
−トリシクロ−５，２，１，０（２．６）デカン ＮＢＤＡ：２，５（２，６）−ビス（アミノメチル）ビ
シクロ[２．２．１]ヘプタン ＡＴＵ：３，９−ビス（３−アミノプロピル）−２，
４，８，１０テトラオキサスピロ[５．５]ウンデカン ＡＰＰＳ−１：α，ω−ビス（３−アミノプロピル）ポ
リジメチルシロキサン（平均分子量２４９）（式（１）
においてｋ＝１） ＡＰＰＳ−９：α，ω−ビス（３−アミノプロピル）ポ
リジメチルシロキサン（平均分子量８３７）（式（１）
においてｋ＝９） ＮＭＰ：Ｎ−メチル−２−ピロリドン Ｅｐ−１：クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本
化薬（株）製、商品名ＥＯＣＮ−１０２０−８０、エポ
キシ当量２００） Ｅｐ−２：ビフェニル型エポキシ樹脂（油化シェル
（株）製、商品名ＹＸ−４０００ＨＫ、エポキシ当量１
９５） Ｃｙｎ−１：ビスフェノールＡ型ジイソシアネート樹脂
（ロンザ（株）製、商品名ＡｒｏｃｙＬ１０） Ｃｕ−１：１−ベンジル−２−メチルイミダゾール（四
国化成（株）製、商品名１Ｂ２ＭＺ） Ｃｕ−２：１−（２−シアノエチル）−２−エチル−４
−メチルイミダゾール（四国化成（株）製、商品名２Ｅ
４ＭＺ−ＣＮ） Ｓｉ−１：アミノシランカップリング剤（信越化学工業
（株）製、商品名ＫＢＭ−５７３） Ｓｉ−２：エポキシシランカップリング剤（信越化学工
業（株）製、商品名ＫＢＭ４０３Ｅ）
するが、本発明は、何らこれらに限定されるものではな
い。なお、実施例における略号は以下の通りである。 ＰＩ：ポリイミド ＢＰＤＡ：３,３',４,４'−ビフェニルテトラカルボン
酸二無水物 ＢＰＡＤＡ：ビスフェノールＡ酸無水物 ＯＤＰＡ：４，４’−オキシジフタル酸二無水物 ＢＡＰＰ：２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル］プロパン ＡＰＢ： １，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベン
ゼン ＴＣＤＤ：３（４），８（９）−ビス（アミノメチル）
−トリシクロ−５，２，１，０（２．６）デカン ＮＢＤＡ：２，５（２，６）−ビス（アミノメチル）ビ
シクロ[２．２．１]ヘプタン ＡＴＵ：３，９−ビス（３−アミノプロピル）−２，
４，８，１０テトラオキサスピロ[５．５]ウンデカン ＡＰＰＳ−１：α，ω−ビス（３−アミノプロピル）ポ
リジメチルシロキサン（平均分子量２４９）（式（１）
においてｋ＝１） ＡＰＰＳ−９：α，ω−ビス（３−アミノプロピル）ポ
リジメチルシロキサン（平均分子量８３７）（式（１）
においてｋ＝９） ＮＭＰ：Ｎ−メチル−２−ピロリドン Ｅｐ−１：クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本
化薬（株）製、商品名ＥＯＣＮ−１０２０−８０、エポ
キシ当量２００） Ｅｐ−２：ビフェニル型エポキシ樹脂（油化シェル
（株）製、商品名ＹＸ−４０００ＨＫ、エポキシ当量１
９５） Ｃｙｎ−１：ビスフェノールＡ型ジイソシアネート樹脂
（ロンザ（株）製、商品名ＡｒｏｃｙＬ１０） Ｃｕ−１：１−ベンジル−２−メチルイミダゾール（四
国化成（株）製、商品名１Ｂ２ＭＺ） Ｃｕ−２：１−（２−シアノエチル）−２−エチル−４
−メチルイミダゾール（四国化成（株）製、商品名２Ｅ
４ＭＺ−ＣＮ） Ｓｉ−１：アミノシランカップリング剤（信越化学工業
（株）製、商品名ＫＢＭ−５７３） Ｓｉ−２：エポキシシランカップリング剤（信越化学工
業（株）製、商品名ＫＢＭ４０３Ｅ）
【００３７】（ＰＩ−１の合成）三角フラスコに、アニ
ソール２６．０ｇを入れ、さらに２，２−ビス［４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン８６．２
ｇ（０．２１モル）、２，５（２，６）−ビス（アミノ
メチル）ビシクロ[２．２．１]ヘプタン４．６３ｇ
（０．０３モル）とα，ω−ビス（３−アミノプロピ
ル）ポリジメチルシロキサン（平均分子量８３７）（式
（１）においてｋ＝９）５０．２２ｇ（０．０６モル）
を投入し、７０℃に加熱し、溶解するまで撹拌を行った
（Ａ液）。
ソール２６．０ｇを入れ、さらに２，２−ビス［４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン８６．２
ｇ（０．２１モル）、２，５（２，６）−ビス（アミノ
メチル）ビシクロ[２．２．１]ヘプタン４．６３ｇ
（０．０３モル）とα，ω−ビス（３−アミノプロピ
ル）ポリジメチルシロキサン（平均分子量８３７）（式
（１）においてｋ＝９）５０．２２ｇ（０．０６モル）
を投入し、７０℃に加熱し、溶解するまで撹拌を行った
（Ａ液）。
【００３８】次に、乾燥窒素ガス導入管、冷却器、温度
計、滴下ロート、攪拌機を備えた三口フラスコに、アニ
ソール５２４．２ｇ、トルエン１３７．０ｇを入れ、窒
素ガスを流した。次に、酸成分である３,３',４,４'−
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物８８．３ｇ（０．
３モル）を投入し、トルエンを満たしたディーン・スタ
ーク管をフラスコに装着し、油浴にて系を還流が発生す
るまで加熱した。次に、前記Ａ液を滴下ロートに投入
し、フラスコ内に１時間かけて滴下した。その間に発生
する水は、ディーン・スターク管を用いて系外に除い
た。３時間加熱した後、冷却し、目的とするポリイミド
樹脂の溶液を得た。得られたポリイミド樹脂は、東ソー
株式会社製ＧＰＣ測定装置を用いて、ポリスチレン換算
で測定のところ、Ｍｗ＝３８２００であった。
計、滴下ロート、攪拌機を備えた三口フラスコに、アニ
ソール５２４．２ｇ、トルエン１３７．０ｇを入れ、窒
素ガスを流した。次に、酸成分である３,３',４,４'−
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物８８．３ｇ（０．
３モル）を投入し、トルエンを満たしたディーン・スタ
ーク管をフラスコに装着し、油浴にて系を還流が発生す
るまで加熱した。次に、前記Ａ液を滴下ロートに投入
し、フラスコ内に１時間かけて滴下した。その間に発生
する水は、ディーン・スターク管を用いて系外に除い
た。３時間加熱した後、冷却し、目的とするポリイミド
樹脂の溶液を得た。得られたポリイミド樹脂は、東ソー
株式会社製ＧＰＣ測定装置を用いて、ポリスチレン換算
で測定のところ、Ｍｗ＝３８２００であった。
【００３９】（ＰＩ−２の合成）乾燥窒素ガス導入管、
冷却器、温度計、攪拌機を備えた三口フラスコに、アニ
ソール５９２．８ｇ、トルエン１４８．１９ｇを入れ、
窒素ガスを流した。次に、アミン成分である２，２−ビ
ス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン
９０．３１ｇ（０．２２モル）とα，ω−ビス（３−ア
ミノプロピル）ポリジメチルシロキサン（平均分子量８
３７）（式（１）においてｋ＝９）１３．６７ｇ（０．
０５５モル）、そして酸成分であるビスフェノールＡ酸
無水物１４３．００ｇ（０．２７５モル）を投入し、ト
ルエンを満たしたディーン・スターク管をフラスコに装
着し、油浴にて系を還流が発生するまで加熱した。その
間に発生する水は、ディーン・スターク管を用いて系外
に除いた。１時間加熱した後、冷却し、目的とするポリ
イミド樹脂の溶液を得た。得られたポリイミド樹脂は、
東ソー株式会社製ＧＰＣ測定装置を用いて、ポリスチレ
ン換算で測定のところ、Ｍｗ＝３８０００であった。
冷却器、温度計、攪拌機を備えた三口フラスコに、アニ
ソール５９２．８ｇ、トルエン１４８．１９ｇを入れ、
窒素ガスを流した。次に、アミン成分である２，２−ビ
ス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン
９０．３１ｇ（０．２２モル）とα，ω−ビス（３−ア
ミノプロピル）ポリジメチルシロキサン（平均分子量８
３７）（式（１）においてｋ＝９）１３．６７ｇ（０．
０５５モル）、そして酸成分であるビスフェノールＡ酸
無水物１４３．００ｇ（０．２７５モル）を投入し、ト
ルエンを満たしたディーン・スターク管をフラスコに装
着し、油浴にて系を還流が発生するまで加熱した。その
間に発生する水は、ディーン・スターク管を用いて系外
に除いた。１時間加熱した後、冷却し、目的とするポリ
イミド樹脂の溶液を得た。得られたポリイミド樹脂は、
東ソー株式会社製ＧＰＣ測定装置を用いて、ポリスチレ
ン換算で測定のところ、Ｍｗ＝３８０００であった。
【００４０】（ＰＩ−３の合成）三角フラスコに、アニ
ソール４６５．２５ｇを入れ、さらに２，２−ビス［４
−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン８２．
１ｇ（０．２０モル）、３（４），８（９）−ビス（ア
ミノメチル）−トリシクロ−５，２，１，０（２．６）
デカン１５．５４ｇ（０．０８モル）、α，ω−ビス
（３−アミノプロピル）ポリジメチルシロキサン（平均
分子量２４９）（式（１）においてｋ＝１）６．１７ｇ
（０．０４モル）、２，５（２，６）−ビス（アミノメ
チル）ビシクロ[２．２．１]ヘプタン１０．９６ｇ
（０．０４モル）、３，９−ビス（３−アミノプロピ
ル）−２，４，８，１０テトラオキサスピロ[５．５]ウ
ンデカン９．９４ｇ（０．０４モル）を投入し、７０℃
に加熱し、溶解するまで撹拌を行った（Ａ液）。
ソール４６５．２５ｇを入れ、さらに２，２−ビス［４
−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン８２．
１ｇ（０．２０モル）、３（４），８（９）−ビス（ア
ミノメチル）−トリシクロ−５，２，１，０（２．６）
デカン１５．５４ｇ（０．０８モル）、α，ω−ビス
（３−アミノプロピル）ポリジメチルシロキサン（平均
分子量２４９）（式（１）においてｋ＝１）６．１７ｇ
（０．０４モル）、２，５（２，６）−ビス（アミノメ
チル）ビシクロ[２．２．１]ヘプタン１０．９６ｇ
（０．０４モル）、３，９−ビス（３−アミノプロピ
ル）−２，４，８，１０テトラオキサスピロ[５．５]ウ
ンデカン９．９４ｇ（０．０４モル）を投入し、７０℃
に加熱し、溶解するまで撹拌を行った（Ａ液）。
【００４１】次に、乾燥窒素ガス導入管、冷却器、温度
計、滴下ロート、攪拌機を備えた三口フラスコにアニソ
ール１３１．８８ｇ、トルエン１４９．２８ｇを入れ、
窒素ガスを流した。次に、酸成分である４，４’−オキ
シジフタル酸二無水物１２４．１ｇ（０．４モル）を投
入し、トルエンを満たしたディーン・スターク管をフラ
スコに装着し、油浴にて系を還流が発生するまで加熱し
た。次に、前記Ａ液を滴下ロートに投入し、フラスコ内
に１時間かけて滴下した。その間に発生する水は、ディ
ーン・スターク管を用いて系外に除いた。３時間加熱し
た後、冷却し、目的とするポリイミド樹脂の溶液を得
た。得られたポリイミド樹脂は、東ソー株式会社製ＧＰ
Ｃ測定装置を用いて、ポリスチレン換算で測定のとこ
ろ、Ｍｗ＝５２０００であった。
計、滴下ロート、攪拌機を備えた三口フラスコにアニソ
ール１３１．８８ｇ、トルエン１４９．２８ｇを入れ、
窒素ガスを流した。次に、酸成分である４，４’−オキ
シジフタル酸二無水物１２４．１ｇ（０．４モル）を投
入し、トルエンを満たしたディーン・スターク管をフラ
スコに装着し、油浴にて系を還流が発生するまで加熱し
た。次に、前記Ａ液を滴下ロートに投入し、フラスコ内
に１時間かけて滴下した。その間に発生する水は、ディ
ーン・スターク管を用いて系外に除いた。３時間加熱し
た後、冷却し、目的とするポリイミド樹脂の溶液を得
た。得られたポリイミド樹脂は、東ソー株式会社製ＧＰ
Ｃ測定装置を用いて、ポリスチレン換算で測定のとこ
ろ、Ｍｗ＝５２０００であった。
【００４２】（ＰＩ−４の合成）三角フラスコに、アニ
ソール４３８．５０ｇを入れ、さらに１，３−ビス（３
−アミノフェノキシ）ベンゼン４３．８５ｇ（０．１５
モル）とα，ω−ビス（３−アミノプロピル）ポリジメ
チルシロキサン（平均分子量８３７）（式（１）におい
てｋ＝９）１２５．５５ｇ（０．１５モル）を投入し、
７０℃に加熱し、溶解するまで撹拌を行った（Ａ液）。
ソール４３８．５０ｇを入れ、さらに１，３−ビス（３
−アミノフェノキシ）ベンゼン４３．８５ｇ（０．１５
モル）とα，ω−ビス（３−アミノプロピル）ポリジメ
チルシロキサン（平均分子量８３７）（式（１）におい
てｋ＝９）１２５．５５ｇ（０．１５モル）を投入し、
７０℃に加熱し、溶解するまで撹拌を行った（Ａ液）。
【００４３】次に、乾燥窒素ガス導入管、冷却器、温度
計、滴下ロート、攪拌機を備えた三口フラスコに、アニ
ソール３４８．９０ｇを入れ、窒素ガスを流した。次
に、酸成分である４，４’−オキシジフタル酸二無水物
９３．０７ｇ（０．３０モル）を投入し、ディーン・ス
ターク管をフラスコに装着し、油浴にて系を還流が発生
するまで加熱した。次に、前記Ａ液を滴下ロートに投入
し、フラスコ内に１時間かけて滴下した。その間に発生
する水は、ディーン・スターク管を用いて系外に除い
た。３時間加熱した後、冷却し、目的とするポリイミド
樹脂の溶液を得た。得られたポリイミド樹脂は、東ソー
株式会社製ＧＰＣ測定装置を用いて、ポリスチレン換算
で測定のところ、Ｍｗ＝５５４００であった。
計、滴下ロート、攪拌機を備えた三口フラスコに、アニ
ソール３４８．９０ｇを入れ、窒素ガスを流した。次
に、酸成分である４，４’−オキシジフタル酸二無水物
９３．０７ｇ（０．３０モル）を投入し、ディーン・ス
ターク管をフラスコに装着し、油浴にて系を還流が発生
するまで加熱した。次に、前記Ａ液を滴下ロートに投入
し、フラスコ内に１時間かけて滴下した。その間に発生
する水は、ディーン・スターク管を用いて系外に除い
た。３時間加熱した後、冷却し、目的とするポリイミド
樹脂の溶液を得た。得られたポリイミド樹脂は、東ソー
株式会社製ＧＰＣ測定装置を用いて、ポリスチレン換算
で測定のところ、Ｍｗ＝５５４００であった。
【００４４】（ＰＩ−５の合成）乾燥窒素ガス導入管、
冷却器、温度計、攪拌機を備えた三口フラスコにＮＭＰ
５９４．６３ｇを入れ、窒素ガスを流した。次にアミン
成分である３，９−ビス（３−アミノプロピル）−２，
４，８，１０テトラオキサスピロ[５．５]ウンデカン２
９．１５ｇ（０．１５モル）とＡＰＰＳ−９ １２５．
６ｇ（０．１５０モル）を投入し、均一になるまで撹拌
した。均一に溶解後、系を氷水浴で２０℃に保ちなが
ら、酸成分であるＯＤＰＡ ９３．０７ｇ（０．３０モ
ル）を粉末状のまま１０分間かけて添加し、その後２時
間撹拌を続けポリアミド酸溶液を得た。この間フラスコ
は２０℃を保った。その後、窒素ガス導入管と冷却器を
外し、トルエンを満たしたディーン・スターク管をフラ
スコに装着し、系にトルエン １４８．７０ｇを添加し
た。氷水浴から油浴に替えて系を加熱し発生する水を系
外に除いた。３時間加熱した後冷却し、ポリイミド溶液
ＰＩ−５を得た。
冷却器、温度計、攪拌機を備えた三口フラスコにＮＭＰ
５９４．６３ｇを入れ、窒素ガスを流した。次にアミン
成分である３，９−ビス（３−アミノプロピル）−２，
４，８，１０テトラオキサスピロ[５．５]ウンデカン２
９．１５ｇ（０．１５モル）とＡＰＰＳ−９ １２５．
６ｇ（０．１５０モル）を投入し、均一になるまで撹拌
した。均一に溶解後、系を氷水浴で２０℃に保ちなが
ら、酸成分であるＯＤＰＡ ９３．０７ｇ（０．３０モ
ル）を粉末状のまま１０分間かけて添加し、その後２時
間撹拌を続けポリアミド酸溶液を得た。この間フラスコ
は２０℃を保った。その後、窒素ガス導入管と冷却器を
外し、トルエンを満たしたディーン・スターク管をフラ
スコに装着し、系にトルエン １４８．７０ｇを添加し
た。氷水浴から油浴に替えて系を加熱し発生する水を系
外に除いた。３時間加熱した後冷却し、ポリイミド溶液
ＰＩ−５を得た。
【００４５】上記で得たポリイミドＰＩ−１〜５の配合
表を表１に示す。表中の配合数値はモル比を表わす。こ
れらポリイミド溶液をシリコン離型処理二軸延伸ポリエ
ステルフィルムにロールコーターで、厚みが２５μｍに
なるように塗布し、８０℃で２分、１３０℃で２分、１
８０℃で２分乾燥を行い、ポリイミド樹脂フィルムを得
た。このフィルムのガラス転移点を熱機械分析装置（Ｔ
ＭＡ，セイコーインスツルメンツ社製，ＳＳ−６００
０）を用いて測定した結果を併せて表１に示す。
表を表１に示す。表中の配合数値はモル比を表わす。こ
れらポリイミド溶液をシリコン離型処理二軸延伸ポリエ
ステルフィルムにロールコーターで、厚みが２５μｍに
なるように塗布し、８０℃で２分、１３０℃で２分、１
８０℃で２分乾燥を行い、ポリイミド樹脂フィルムを得
た。このフィルムのガラス転移点を熱機械分析装置（Ｔ
ＭＡ，セイコーインスツルメンツ社製，ＳＳ−６００
０）を用いて測定した結果を併せて表１に示す。
【００４６】
【表１】
【００４７】実施例１〜６及び比較例１〜４
上記で得たポリイミド溶液と各成分について表２に示す
配合により混合して、実施例１〜６、及び比較例１〜４
の接着剤溶液を調合した。表中の配合の数値は重量部を
表わす。
配合により混合して、実施例１〜６、及び比較例１〜４
の接着剤溶液を調合した。表中の配合の数値は重量部を
表わす。
【００４８】（フィルム状接着剤の作製）市販のポリイ
ミドフィルム上に、上記ポリイミド樹脂の溶液をロール
コーターで、表裏両面に厚みが２５μｍになるように塗
布し、５０℃で２分、９０℃で２分、１２０℃で２分乾
燥を行い、ポリイミド樹脂フィルムを得た。
ミドフィルム上に、上記ポリイミド樹脂の溶液をロール
コーターで、表裏両面に厚みが２５μｍになるように塗
布し、５０℃で２分、９０℃で２分、１２０℃で２分乾
燥を行い、ポリイミド樹脂フィルムを得た。
【００４９】次に、得られたフィルムを表２に示した乾
燥条件で乾燥し、フィルム状接着剤を得た。フィルム状
接着剤のガラス転移点、及び残存溶媒量を測定した結果
を表２に示す。フィルム状接着剤を更に表２に示した熱
処理条件で硬化させ、硬化したフィルムのガラス転移
点、弾性率、吸水率、及び接着強度の測定を行った結果
を表２に示す。
燥条件で乾燥し、フィルム状接着剤を得た。フィルム状
接着剤のガラス転移点、及び残存溶媒量を測定した結果
を表２に示す。フィルム状接着剤を更に表２に示した熱
処理条件で硬化させ、硬化したフィルムのガラス転移
点、弾性率、吸水率、及び接着強度の測定を行った結果
を表２に示す。
【００５０】ガラス転移点測定方法：サンプルを厚み２
５μｍ，幅３ｍｍの矩形に切り出し，熱機械分析装置
（ＴＭＡ，セイコーインスツルメンツ社製，ＳＳ−６０
００）を用いて昇温速度５ｍｍ／分，荷重２５ｍＮの条
件で測定を行なった。ＴＭＡ曲線の外層点をガラス転移
点とした。
５μｍ，幅３ｍｍの矩形に切り出し，熱機械分析装置
（ＴＭＡ，セイコーインスツルメンツ社製，ＳＳ−６０
００）を用いて昇温速度５ｍｍ／分，荷重２５ｍＮの条
件で測定を行なった。ＴＭＡ曲線の外層点をガラス転移
点とした。
【００５１】弾性率測定方法：断面積の既知な幅１ｃｍ
のフィルムサンプルを，動的粘弾性測定装置（ＤＭＳ，
セイコーインスツルメンツ社製，ＤＭＳ）を用いて，周
波数１０Ｈｚ，昇温速度３℃／分で測定を行なった。得
られた貯蔵弾性率Ｅ‘の値を弾性率とする。
のフィルムサンプルを，動的粘弾性測定装置（ＤＭＳ，
セイコーインスツルメンツ社製，ＤＭＳ）を用いて，周
波数１０Ｈｚ，昇温速度３℃／分で測定を行なった。得
られた貯蔵弾性率Ｅ‘の値を弾性率とする。
【００５２】吸水率測定方法：厚み２５μｍ，５ｃｍ×
５ｃｍの正方形に切り出したフィルムを５０℃乾燥機中
にて２４時間乾燥し，このときの重量をｗとする。次い
で２５℃の純水中に２４時間フィルムを浸漬し，取り出
し後重量を測定してその重量をＷとする。フィルムの吸
水率は次の式で表される。 吸水率（％）＝（Ｗ−ｗ）／ｗ×１００
５ｃｍの正方形に切り出したフィルムを５０℃乾燥機中
にて２４時間乾燥し，このときの重量をｗとする。次い
で２５℃の純水中に２４時間フィルムを浸漬し，取り出
し後重量を測定してその重量をＷとする。フィルムの吸
水率は次の式で表される。 吸水率（％）＝（Ｗ−ｗ）／ｗ×１００
【００５３】残存溶媒量測定方法：試料約５０ｍｇをパ
ージ＆トラップの試料管に入れ、流速５０ｍＬ／分のヘ
リウムガスで揮発分を追い出しながら、２５０℃×１５
分の加熱条件で試料を加熱する。この時発生した揮発分
を−８０℃でトラップし、試料加熱終了後トラップした
成分を急速加熱してＧＣ／ＭＳ計に導入する。各発生ガ
ス成分の定量については、既知濃度のｎ−デカンのトル
エン希釈溶液を用いて、試料と同じ加熱条件にてパージ
＆トラップ−ＧＣ／ＭＳ法測定を行い、各発生ガス成分
のピーク面積値を比較することによって各標準試料に対
する換算定量値を、試料重量に対する重量分率として算
出する。
ージ＆トラップの試料管に入れ、流速５０ｍＬ／分のヘ
リウムガスで揮発分を追い出しながら、２５０℃×１５
分の加熱条件で試料を加熱する。この時発生した揮発分
を−８０℃でトラップし、試料加熱終了後トラップした
成分を急速加熱してＧＣ／ＭＳ計に導入する。各発生ガ
ス成分の定量については、既知濃度のｎ−デカンのトル
エン希釈溶液を用いて、試料と同じ加熱条件にてパージ
＆トラップ−ＧＣ／ＭＳ法測定を行い、各発生ガス成分
のピーク面積値を比較することによって各標準試料に対
する換算定量値を、試料重量に対する重量分率として算
出する。
【００５４】接着強度測定方法：接着フィルムサンプル
を４２アロイのプレートに熱圧着して試験片を作成し、
圧力を開放後３００℃で３０秒間アニ−ルした。接着面
にかかる圧力はゲージ圧力と接着面積から計算の結果４
ｋｇｆ／ｃｍ2であった。この試験片について１８０℃
ピール強度の測定を行なった。
を４２アロイのプレートに熱圧着して試験片を作成し、
圧力を開放後３００℃で３０秒間アニ−ルした。接着面
にかかる圧力はゲージ圧力と接着面積から計算の結果４
ｋｇｆ／ｃｍ2であった。この試験片について１８０℃
ピール強度の測定を行なった。
【００５５】
【表２】
【００５６】
【発明の効果】本発明によれば、低温貼付性が要求され
る銅部材に対して250℃以下の貼付が可能なフィルム状
接着材を得ることができる。また貼付後の耐熱性、信頼
性については硬化成分を含むことから熱処理などの熱履
歴を与えることによって，高信頼性と耐熱性を要求する
エレクトロニクス用材料等に最適なフィルム状接着剤を
提供することができる。
る銅部材に対して250℃以下の貼付が可能なフィルム状
接着材を得ることができる。また貼付後の耐熱性、信頼
性については硬化成分を含むことから熱処理などの熱履
歴を与えることによって，高信頼性と耐熱性を要求する
エレクトロニクス用材料等に最適なフィルム状接着剤を
提供することができる。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｃ０９Ｊ 183/10 Ｃ０９Ｊ 183/10
Ｈ０１Ｌ 21/52 Ｈ０１Ｌ 21/52 Ｅ
Claims (8)
- 【請求項１】 １分子中に少なくとも２個以上のイミド
環を含み、かつ９０℃〜２００℃のガラス転移点を有す
るポリイミド樹脂、硬化性化合物、該硬化性化合物の硬
化剤、及びシランカップリング剤とを含むフィルム状接
着剤であって、硬化したフィルムが２１０℃における弾
性率が１０〜１００ＭＰａであり、かつ吸水率が３重量
％以下であることを特徴とするフィルム状接着剤。 - 【請求項２】 １００℃〜２００℃で合計５秒〜１時間
の熱履歴をうけることにより硬化してなる請求項１記載
のフィルム状接着剤。 - 【請求項３】 ポリイミド樹脂が、アミン成分として、
一般式（１）で表されるジアミノポリシロキサン、芳香
族ジアミン、脂肪族ジアミン、式（２）又は（３）で表
されるノルボルネン環を含む脂環式ジアミン、及び式
（４）で表されるスピロアセタール環を含む脂環式ジア
ミンの中から選ばれる少なくとも１つのジアミン化合物
と、酸成分として、芳香族テトラカルボン酸無水物とを
反応させてイミド閉環し、かつ有機溶剤に可溶なポリイ
ミド樹脂を主たる構成成分とする請求項１又は２記載の
フィルム接着剤。 【化１】 【化２】 【化３】 （式中、Ｒ1，Ｒ2，Ｒ7，R８，R９，R１０，R１１，及
びR１２は炭素数１〜４で二価の脂肪族基または芳香族
基、Ｒ3，Ｒ4，Ｒ5，およびＲ6は一価の脂肪族基または
芳香族基を表し、ｋは１〜１００の整数である。） - 【請求項４】 硬化性化合物が、１分子中に少なくとも
２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物、及び１
分子中に少なくとも２個以上のシアネート基を有するシ
アネート化合物の中から選ばれる少なくとも１つの化合
物である請求項１〜３いずれか記載のフィルム接着剤。 - 【請求項５】 硬化剤が、分子中に少なくとも１個のイ
ミダゾール環を含む化合物、及びフェノールノボラック
構造を有する化合物の中から選ばれる少なくとも１つの
化合物である請求項１〜４いずれか記載のフィルム状接
着剤。 - 【請求項６】 １分子中に少なくとも２個以上のイミド
環を含み、かつ９０℃〜２００℃のガラス転移点を有す
るポリイミド樹脂、硬化性化合物、該硬化性化合物の硬
化剤、及びシランカップリング剤とを含む接着剤組成物
の一般式（５）で表されるフェニルエーテルを溶媒とす
る溶液を支持体の片面または両面に流延塗布し、加熱乾
燥させた後に、残存溶媒量が500ppm以下であることを特
徴とする半導体接着テープ。 【化４】 （式中、Ｒ１３は水素原子または炭素原子数１〜６の１
価の炭化水素基であり、Ｒ１４は炭素原子数１〜６の１
価の炭化水素基を表す。） - 【請求項７】 請求項６記載の半導体接着テープが貼り
付いてなることを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項８】 請求項７記載のリードフレームを用いて
なる半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002052304A JP2003253220A (ja) | 2002-02-27 | 2002-02-27 | フィルム状接着剤及び半導体接着テープ |
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003253220A true JP2003253220A (ja) | 2003-09-10 |
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ID=28664044
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002052304A Pending JP2003253220A (ja) | 2002-02-27 | 2002-02-27 | フィルム状接着剤及び半導体接着テープ |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003253220A (ja) |
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-
2002
- 2002-02-27 JP JP2002052304A patent/JP2003253220A/ja active Pending
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