JP2005019516A - ダイボンド用接着フィルム、ダイシング・ダイボンド用接着フィルム、及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体チップと電極部材等との固着にあたり、ダイボンド時の作業性、生産性に優れていると共に、表面凹凸がある基板やチップに対して追従性がよく、吸湿耐半田リフロー性に優れたダイボンド用接着フィルムを提供すること。また、該ダイボンド用接着フィルムを用いたダイシング・ダイボンド用接着フィルムを提供すること。さらに、該熱硬化型ダイボンド用接着フィルムにより半導体素子がダイボンドされている半導体装置を提供すること。
【解決手段】硬化前における４０℃での引張貯蔵弾性率が０．１〜１００ＭＰａであり、かつ硬化後における２５０℃での引張貯蔵弾性率が０．５〜２００ＭＰａである熱硬化型ダイボンド用接着フィルム。
【選択図】 なし
【解決手段】硬化前における４０℃での引張貯蔵弾性率が０．１〜１００ＭＰａであり、かつ硬化後における２５０℃での引張貯蔵弾性率が０．５〜２００ＭＰａである熱硬化型ダイボンド用接着フィルム。
【選択図】 なし
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップと電極部材の固着材料として用いられる熱硬化型ダイボンド用接着フィルムに関する。また本発明は、当該熱硬化型ダイボンド用接着フィルムと粘着フィルムとが積層されているダイシング・ダイボンド用接着フィルムに関する。さらに本発明は、当該熱硬化型ダイボンド用接着フィルムを用いた半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体装置の製造過程においてリードフレームや電極部材への半導体チップの固着には、銀ペーストが用いられている。かかる固着処理は、リードフレームのダイパッド等の上にペースト状接着剤を塗工し、それに半導体チップを搭載してペースト状接着剤層を硬化させて行う。
【０００３】
しかしながら、ペースト状接着剤はその粘度挙動や劣化等により塗工量や塗工形状等に大きなバラツキを生じる。その結果、形成されるペースト状接着剤厚は不均一となるため半導体チップに係わる固着強度の信頼性が乏しい。すなわち、ペースト状接着剤の塗工量が不足すると半導体チップと電極部材との間の固着強度が低くなり、後続のワイヤーボンディング工程で半導体チップが剥離する。一方、ペースト状接着剤の塗工量が多すぎると半導体チップの上までペースト状接着剤が流延して特性不良を生じ、歩留まりや信頼性が低下する。このような固着処理における問題は、半導体チップの大型化に伴って特に顕著なものとなっている。そのため、ペースト状接着剤の塗工量の制御を頻繁に行う必要があり、作業性や生産性に支障をきたす。
【０００４】
このペースト状接着剤の塗工工程において、ペースト状接着剤をリードフレームや形成チップに別途塗布する方法がある。しかし、この方法では、ペースト状接着剤層の均一化が困難であり、またペースト状接着剤の塗布に特殊装置や長時間を必要とする。このため、ダイシング工程で半導体ウエハを接着保持するとともに、マウント工程に必要なチップ固着用の接着剤層をも付与するダイボンドフィルムが提案されている（特許文献１）。
【０００５】
このダイボンドフィルムは、支持基材上に接着剤層を剥離可能に設けてなるものであり、その接着剤層による保持下に半導体ウエハをダイシングしたのち、支持基材を延伸して形成チップを接着剤層とともに剥離し、これを個々に回収してその接着剤層を介してリードフレームなどの被着体に固着させるようにしたものである。
【０００６】
【特許文献１】
特開昭６０−５７３４２号公報
【発明が解決しようとする課題】
近年、有機基板上に半導体チップが搭載された半導体装置が多く用いられているが、チップ直下の基板表面には回路パターン等に起因する凹凸が多く、ダイボンド用接着フィルムを用いてダイボンディングを行った場合、凹凸に対する追従性が十分でないために密着性が不十分になり、耐半田リフロー性が十分に得られなかった。
【０００７】
本発明の目的は、このような事情に鑑みなされたもので、半導体チップと電極部材等との固着にあたり、ダイボンド時の作業性、生産性に優れていると共に、表面凹凸がある基板やチップに対して追従性がよく、吸湿耐半田リフロー性に優れたダイボンド用接着フィルムを提供することにある。また、該ダイボンド用接着フィルムを用いたダイシング・ダイボンド用接着フィルムを提供することにある。さらに、該熱硬化型ダイボンド用接着フィルムにより半導体素子がダイボンドされている半導体装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは上記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、下記ダイボンド用接着フィルムにより、上記目的を達成できることを見出し本発明を完成するに至った。
【０００９】
すなわち本発明は、硬化前における４０℃での引張貯蔵弾性率が０．１〜１００ＭＰａであり、かつ硬化後における２５０℃での引張貯蔵弾性率が０．５〜２００ＭＰａである熱硬化型ダイボンド用接着フィルム、に関する。
【００１０】
硬化前における４０℃での引張貯蔵弾性率が０．１〜１００ＭＰａの範囲内であれば、該ダイボンド用接着フィルムを表面凹凸がある基板やチップに対して追従性よく仮接着することができる。
【００１１】
硬化前における４０℃での引張貯蔵弾性率を特定しているのは、ダイボンド工程において該特性が基板やチップの表面凹凸に対する追従性に影響を与えるためである。また、５０℃程度においてすでに液状に近い状態になるような凹凸追従性に優れるものもあり、引張貯蔵弾性率を測定することが困難になるため４０℃での引張貯蔵弾性率を特定している。前記引張貯蔵弾性率は５〜５０ＭＰａであることが好ましい。前記引張貯蔵弾性率が０．１ＭＰａ未満の場合には、該接着フィルムが変形しやすくなり、この接着フィルムの変形によりダイボンド工程後にチップと基板間、あるいはチップとチップ間にボイドが発生する傾向にある。
一方、前記引張貯蔵弾性率が１００ＭＰａを超える場合には、ダイボンド工程時における接着フィルムの基板等の凹凸に対する追従性が悪くなる傾向にある。
【００１２】
また、硬化後における２５０℃での引張貯蔵弾性率を特定しているのは、該特性が吸湿耐半田リフロー性に影響を与えるためである。そして、吸湿耐半田リフロー試験は通常最高温度２４０〜２６０℃の条件で行われることも考慮している。硬化後における２５０℃での引張貯蔵弾性率が０．５〜２００ＭＰａであれば吸湿耐半田リフロー性に優れる。前記引張貯蔵弾性率は１０〜１００ＭＰａであることが好ましい。前記引張貯蔵弾性率が０．５〜２００ＭＰａの範囲を外れる場合には、吸湿半田リフロー時に剥離が発生しやすくなる傾向にある。
【００１３】
なお、前記引張貯蔵弾性率の詳しい測定方法は実施例の記載による。
【００１４】
前記接着フィルムは、原料として熱硬化性樹脂及び硬化剤を合計２０〜９５重量％、熱可塑性成分を３〜５０重量％含有してなることが好ましい。さらには、熱硬化性樹脂及び硬化剤を合計４０〜９０重量％、熱可塑性成分を５〜４０重量％含有してなることが好ましい。前記割合で原料を用いることにより比較的容易に目的とする引張貯蔵弾性率に調整することができる。
【００１５】
前記接着フィルムは、ウエハ貼り付け型であることが好ましい。ウエハ貼り付け型にすることにより、ウエハをダイシングすればチップ裏面にダイボンド材がすでに設けられている状態となり、各チップ毎にダイボンド材を設ける必要がなくなり製造効率が向上する。
【００１６】
また、前記熱硬化型ダイボンド用接着フィルムは、エポキシ樹脂を含有してなることが好ましい。熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いることにより低い溶融粘度と高耐熱性の両立が可能となる。
【００１７】
また本発明は、前記熱硬化型ダイボンド用接着フィルムと粘着フィルムとが積層されているダイシング・ダイボンド用接着フィルム、に関する。
【００１８】
さらに本発明は、前記熱硬化型ダイボンド用接着フィルムにより半導体素子がダイボンドされている半導体装置、に関する。
【００１９】
【発明の実施の形態】
本発明の熱硬化型ダイボンド用接着フィルムを形成する接着剤組成物の主材料である熱硬化性樹脂は特に制限されず、例えば、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル系樹脂、熱硬化性アクリル樹脂、フェノール樹脂、ジアリルフタレート樹脂、ベンゾシクロブテン等が挙げられる。これら熱硬化性樹脂は１種を単独で、または２種以上を併用して用いられる。特に、低い溶融粘度と高耐熱性の両立が可能であるエポキシ樹脂が好適に用いられる。
【００２０】
エポキシ樹脂は接着剤組成物として一般に用いられるものを特に制限なく使用できる。例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、及びヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型等のグリシジルアミン型等のエポキシ樹脂が用いられる。これらエポキシ樹脂は１種を単独で、または２種以上を併用して用いられる。
【００２１】
前記接着剤組成物には必要により硬化剤を配合することができる。硬化剤は公知のものを特に制限なく使用することができ、例えば、フェノール樹脂、酸無水物、アミン化合物、イミダゾール化合物、ポリアミン化合物、ヒドラジド化合物、ジシアンジアミド等があげられる。
【００２２】
前記接着剤組成物は、固形分（溶剤以外のもの）１００重量％に対して熱硬化性樹脂及び硬化剤を合計２０〜９５重量％含有するように調整することが好ましい。
【００２３】
前記接着剤組成物には熱可塑性成分を加えることが好ましい。熱可塑性成分は特に制限されないが、例えば、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンエーテル、ポリスチレン、アクリルゴム、ブチルゴム、ブタジエンゴム、アクリロニトリル−ブタジエンゴム等があげられる。
【００２４】
前記接着剤組成物は、固形分（溶剤以外のもの）１００重量％に対して熱可塑性成分を３〜５０重量％含有するように調整することが好ましい。
【００２５】
また、前記接着剤組成物には必要に応じて硬化促進剤を配合することもできる。硬化促進剤は、従来から知られている種々の硬化促進剤が使用可能であり、例えば、アミン系、イミダゾール系、リン系、ホウ素系、リン−ホウ素系等の硬化促進剤があげられる。具体的には、エチルグアニジン、トリメチルグアニジン、フェニルグアニジン、ジフェニルグアニジン等のアルキル置換グアニジン類、３−（３，４−ジクロロフェニル）−１，１−ジメチル尿素、３−フェニル−１，１−ジメチル尿素、３−（４−クロロフェニル）−１，１−ジメチル尿素等の３−置換フェニル−１，１−ジメチル尿素類、２−メチルイミダゾリン、２−フェニルイミダゾリン、２−ウンデシルイミダゾリン、２−へプタデシルイミダゾリン等のイミダゾリン類、２−アミノピリジン等のモノアミノピリジン類、Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ−（２−ヒドロキシ−３−アリロキシプロピル）アミン−Ｎ−ラクトイミド等のアミンイミド系類、エチルホスフィン、プロピルホスフィン、ブチルホスフィン、フェニルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリオクチルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリシクロへキシルホスフィン、トリフェニルホスフィン／トリフェニルボラン錯体、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート等の有機リン系化合物、１，８−ジアザビシクロ〔５，４，０〕ウンデセン−７、１，５−ジアザビシクロ〔４，３，０〕ノネン−５等のジアザビシクロアルケン系化合物等があげられる。これら硬化促進剤は１種を単独で、または２種以上を併用して用いられる。また、これらをマイクロカプセルに封入したものからなる潜在性触媒は好適に用いられる。
【００２６】
また、前記接着剤組成物には必要に応じて有機材料や無機材料を加えることもできる。有機材料としては、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、表面調整剤、酸化防止剤、粘着付与剤等があげられる。無機材料としては、アルミナ、シリカ、窒化珪素等の各種充填剤、銅、銀、アルミ、ニッケル、半田等の金属粒子があげられる。その他、顔料や染料等があげられる。無機材料の配合割合は特に制限されないが、組成物（固形分）中に７５重量％以下が好ましく、さらに好ましくは６０重量％以下、特に好ましくは５０重量％以下である。これ以上の無機材料等を配合すると、溶融粘度が高くなり、被着体との十分な濡れが確保できない傾向にある。
【００２７】
本発明の熱硬化型ダイボンド用接着フィルムは、例えば、次のようにして作製することができる。すなわち、前記各成分を配合した接着剤組成物を、従来公知の有機溶剤に溶解させ、溶解装置を用いて均一に混合、分散して、液状ワニス（無機充填剤を使用する場合は分散液）等の接着剤組成物溶液を作製する。一方、支持体を予め準備し、この支持体上に従来公知の塗工機等を用いて上記接着剤組成物溶液を塗工した後、これを５０〜１６０℃で乾燥する。そして、上記支持体上に生成した接着剤組成物をその支持体から剥離することにより、目的とする接着フィルムを作製することができる。また、他の方法としては、トルエン等の溶剤を用いることなく接着剤組成物を加熱溶融押し出しすることによっても、目的とする接着フィルムを製造することができる。
【００２８】
上記溶解装置としては、例えば、フラスコ装置、ホモミキサ−装置等があげられる。また上記塗工機としては、熱風循環式乾燥装置を有するものが好ましい。
上記溶解装置および塗工機には、安全上、環境保全上の点で、排気装置．溶剤回収装置等を取り付けて作業することが好ましい。
【００２９】
上記支持体としては、特に限定されるものではなく、例えば、絶縁性フィルム、金属箔等があげられる。
【００３０】
絶縁性フィルム基材としては、ポリイミド基材、ポリエステル基材、ポリエチレンテレフタレート基材、フッ素樹脂製フィルム基材などの、耐熱性や耐薬品性を有するフィルム基材であればいずれも用いることができる。また、上記フィルム基材は、表面をシリコーン処理したフィルム基材および表面をシリコーン処理していないフィルム基材のいずれも使用することができる。なお、上記絶縁性フィルム基材としては、ポリエチレンテレフタレート基材が好ましい。
【００３１】
また、金属箔としてはアルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、インジウム、クロム、鉛、錫、亜鉛、パラジウム等があげられる。これらは１種を単独で、または合金として用いてもよい。
【００３２】
前記の絶縁性フィルムと金属箔は、それぞれ単独で用いてもよく、また両者を２層以上積層した、例えば金属箔／絶縁性フィルムなどの２層基材を用いてもよい。このような２層基材としては、例えば銅／ポリイミド２層基材などがあげられる。
【００３３】
上記有機溶剤としては、接着剤組成物の形成材料である各成分を溶解できるものであれば特に限定はないが、低沸点溶剤を用いることが好ましい。上記有機溶剤としては、ケトン系溶剤、グリコ−ルジエーテル系溶剤、含窒素系溶剤等があげられる。これらは１種を単独で、または２種以上を併用して用いられる。また、有機溶剤の一部は、接着剤組成物の各成分の溶解性を損なわない範囲で炭化水素系溶剤、エステル系溶剤、多価アルコール誘導体を使用してもよい。
【００３４】
上記ケトン系溶剤としては、特に限定はない。例えば、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、メチル−ｎ−ブチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチル−ｎ−プロピルケトン、ジ−ｎ−プロピルケトン、シクロへキサノン、アセトフェノン等があげられる。これらは１種を単独で、または２種以上を併用して用いられる。これらのなかでも、蒸発速度を早めるという点で、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロへキサノン、アセトフェノンが好適に用いられる。
【００３５】
上記グリコールジエーテル系溶剤としては、特に限定はない。例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル等があげられる。これらは１種を単独で、または２種以上を併用して用いられる。
【００３６】
上記炭化水素系溶剤としては、特に限定はい。例えば、トルエン、キシレン等があげられる。上記エステル系溶剤としては、特に限定はなく、例えば酢酸エチル、酢酸ブチル等があげられる。上記多価アルコール誘導体としては、特に限定はなく、例えばプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等があげられる。これらは１種を単独で、または２種以上を併用して用いられる。
【００３７】
本発明の熱硬化型ダイボンド用接着フィルムの厚さは、一般には１〜２００μｍである。接着フィルムはシート状、テープ状のいずれでもよい。また接着フィルムの形状や大きさはリードフレームや半導体チップなど、被着体に応じて適宜に変更することができる。また接着フィルムを予めフィルムを形成しておき、これをプレスなどにより前記支持体にラミネートしてもよい。
【００３８】
前記接着フィルムは、粘着フィルム（粘着剤層）を積層してダイシング・ダイボンド用接着フィルムとして用いることができる。
【００３９】
本発明のダイシング・ダイボンド用接着フィルムは、支持基材上に設けた粘着フィルム上に前記接着フィルムが積層されていることが好ましい。すなわち、支持基材／粘着フィルム／接着フィルムの順に積層されていることが好ましい。
【００４０】
粘着フィルムの形成に用いる粘着剤は特に制限されず各種粘着剤を用いることができる。なかでも、放射線硬化型粘着剤が好適である。放射線硬化型粘着剤は、紫外線等の放射線の照射により架橋度を増大させてその粘着力を容易に低下させることができる。
【００４１】
放射線硬化型粘着剤は、炭素−炭素二重結合等の放射線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを特に制限なく使用することができる。放射線硬化型粘着剤としては、たとえば、前記アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤に、放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した添加型の放射線硬化性粘着剤を例示できる。前記感圧性粘着剤としては、半導体ウエハやガラス等の汚染をきらう電子部品の超純水やアルコール等の有機溶剤による清浄洗浄性などの点から、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。
【００４２】
前記アクリル系ポリマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステルなどのアルキル基の炭素数１〜３０、特に炭素数４〜１８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステルなど）及び（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル（例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステルなど）の１種又は２種以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマーなどがあげられる。なお、（メタ）アクリル酸エステルとはアクリル酸エステルおよび／またはメタクリル酸エステルをいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。
【００４３】
前記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性などの改質を目的として、必要に応じ、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。このようなモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸などのカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸などの酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレートなどのヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などのスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどのリン酸基含有モノマー；アクリルアミド、アクリロニトリルなどがあげられる。これら共重合可能なのモノマー成分は、１種又は２種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の４０重量％以下が好ましい。
【００４４】
さらに、前記アクリル系ポリマーは、架橋させるため、多官能性モノマーなども、必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。このような多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレートなどがあげられる。これらの多官能性モノマーも１種又は２種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の３０重量％以下が好ましい。
【００４５】
前記アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は２種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等の何れの方式で行うこともできる。清浄な被着体への汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、アクリル系ポリマーの数平均分子量は、好ましくは３０万以上、さらに好ましくは４０万〜３００万程度である。
【００４６】
また、前記粘着剤には、ベースポリマーであるアクリル系ポリマー等の数平均分子量を高めるため、外部架橋剤を適宜に採用することもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤などのいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法があげられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、さらには、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、上記ベースポリマー１００重量部に対して、５重量部程度以下、さらには０．１〜５重量部配合するのが好ましい。さらに、粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤などの添加剤を用いてもよい。
【００４７】
配合する放射線硬化性のモノマー成分としては、たとえば、ウレタンオリゴマー、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリストールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレートなどがあげられる。また放射線硬化性のオリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系など種々のオリゴマーがあげられ、その分子量が１００〜３００００程度の範囲のものが適当である。放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、前記粘着剤層の種類に応じて、粘着剤層の粘着力を低下できる量を、適宜に決定することができる。一般的には、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば５〜５００重量部、好ましくは４０〜１５０重量部程度である。
【００４８】
また、放射線硬化型粘着剤としては、上記説明した添加型の放射線硬化性粘着剤のほかに、ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖または主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の放射線硬化性粘着剤があげられる。内在型の放射線硬化性粘着剤は、低分子成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がなく、または多くは含まないため、経時的にオリゴマー成分等が粘着剤在中を移動することなく、安定した層構造の粘着剤層を形成することができるため好ましい。
【００４９】
前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素−炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。このようなベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格としては、前記例示したアクリル系ポリマーがあげられる。
【００５０】
前記アクリル系ポリマーへの炭素−炭素二重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用できるが、炭素−炭素二重結合はポリマー側鎖に導入するのが分子設計が容易である。たとえば、予め、アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応しうる官能基および炭素−炭素二重結合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の放射線硬化性を維持したまま縮合または付加反応させる方法があげられる。
【００５１】
これら官能基の組合せの例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基などがあげられる。これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さから、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせにより、上記炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリマーと前記化合物のいずれの側にあってもよいが、前記の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、前記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。この場合、炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、たとえば、メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネートなどがあげられる。また、アクリル系ポリマーとしては、前記例示のヒドロキシ基含有モノマーや２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物などを共重合したものが用いられる。
【００５２】
前記内在型の放射線硬化性粘着剤は、前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマー（特にアクリル系ポリマー）を単独で使用することができるが、特性を悪化させない程度に前記放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合することもできる。放射線硬化性のオリゴマー成分等は、通常ベースポリマー１００重量部に対して３０重量部の範囲内であり、好ましくは０〜１０重量部の範囲である。
【００５３】
前記放射線硬化型粘着剤には、紫外線等により硬化させる場合には光重合開始剤を含有させる。光重合開始剤としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α´−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンなどのα−ケトール系化合物；メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフエノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１などのアセトフェノン系化合物；べンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテルなどのベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタールなどのケタール系化合物；２−ナフタレンスルホニルクロリドなどの芳香族スルホニルクロリド系化合物；１−フェノン−１，１―プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシムなどの光活性オキシム系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３′−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノンなどのベンゾフェノン系化合物；チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソンなどのチオキサンソン系化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシルホスフィノキシド；アシルホスフォナートなどがあげられる。光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば０．０５〜２０重量部程度である。
【００５４】
また放射線硬化型粘着剤としては、たとえば、特開昭６０−１９６９５６号公報に開示されている、不飽和結合を２個以上有する付加重合性化合物、エポキシ基を有するアルコキシシランなどの光重合性化合物と、カルボニル化合物、有機硫黄化合物、過酸化物、アミン、オニウム塩系化合物などの光重合開始剤とを含有するゴム系粘着剤やアクリル系粘着剤などがあげられる。
【００５５】
前記粘着フィルムの厚さは、特に限定されないが、１〜５０μｍ程度であるのが好ましい。好ましくは２〜３０μｍ、さらには５〜２５μｍが好ましい。
【００５６】
粘着フィルムを積層する支持基材は、ダイシング・ダイボンド用接着フィルムの強度母体となるものである。例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、金属（箔）、紙などがあげられる。
【００５７】
また支持基材の材料としては、前記樹脂の架橋体などのポリマーがあげられる。前記プラスチックィルムは、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一軸または二軸の延伸処理を施したものを用いてもよい。延伸処理等により熱収縮性を付与した樹脂シートによれば、ダイシング後にその支持基材を熱収縮させることにより粘着フィルムと接着フィルムとの接着面積を低下させて、チップ状ワークの回収の容易化を図ることができる。
【００５８】
支持基材の表面は、隣接する層との密着性、保持性などを高めるため、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的または物理的処理、下塗剤（例えば、後述する粘着物質）によるコーティング処理を施すことができる。
【００５９】
前記支持基材は、同種または異種のものを適宜に選択して使用することができ、必要に応じて数種をブレンドしてたものを用いることができる。また、支持基材には、帯電防止能を付与するため、上記の支持基材上に金属、合金、これらの酸化物などからなる厚さが３０〜５００Å程度の導電性物質の蒸着層を設けることができる。支持基材は単層あるいは２種以上の複層でもよい。なお、粘着フィルムが放射線硬化型の場合にはＸ線、紫外線、電子線等の放射線を少なくとも一部透過するものを用いる。
【００６０】
支持基材の厚さは、特に制限されず適宜に決定できるが、一般的には５〜２００μｍ程度である。
【００６１】
次に、本発明のダイボンド用接着フィルムを用いた半導体素子の接着方法について説明する。本発明のダイボンド用接着フィルムは、リール等に長尺状態の巻回したリボンとするのが好ましい。これを、カッターなど適宜の手段により所定の寸法（長さや形状等）に切断し、厚さや量などの均一性に優れた接着剤層を供給する。
【００６２】
このようにして形成した切断片は電極部材、例えばリードフレームのダイパッド上に仮接着され、その上に半導体チップを載せて加熱する。加熱処理は、例えばヒーター、超音波、紫外線など、公知の適宜の手段を用いてよい。加熱温度は通常は５０〜３００℃、好ましくは１００〜２５０℃であり、加熱時間は０．１秒間〜３０分間、好ましくは０．５秒間〜３分間である。このような加熱により、接着剤層中の樹脂を硬化させ、半導体チップと電極部材とを固着する。
【００６３】
また、本発明のダイボンド用接着フィルムは、ダイシング・ダイボンド用接着フィルムに用いることができる。ダイボンド用接着フィルムを仮接着用装置上に固定し、シリコンウエハの片面を前記ダイボンド用接着フィルムに室温〜９０℃にて仮接着して固定する。次いで、前記ダイシング用粘着フィルム（上記支持基材上に粘着フィルムを形成したもの）をダイボンド用接着フィルム面に貼り付けてダイシング・ダイボンド用接着フィルムを作製する。
【００６４】
次いで、ダイシング装置により、ダイシング・ダイボンド用接着フィルムが仮接着されたシリコンウエハを半導体チップに切断する。次いで、粘着フィルムと接着フィルムの界面を剥離して、ダイボンド用接着フィルム（接着剤層）を保持した半導体チップを得る。粘着フィルムが放射線硬化型粘着剤により形成されている場合には、放射線の照射により、界面の粘着力を低下させる。このようにして、接着剤層が仮接着された半導体チップを電極部材、例えばリードフレームのダイパッド上に載せて加熱する。なお、加熱処理は通常前記と同様の手段、処理条件で行うことができる。
【００６５】
なお、前記では半導体ウエハを、被切断体として例示したが、被切断体としては、他に、例えば、多層基板、一括封止モジュールなどがあげられる。また半導体素子としては、リードフレームの他に、ＴＡＢフィルム、基板または別途作製したチップ状ワークなどがあげられる。
【００６６】
【実施例】
以下に、本発明を実施例および比較例をあげて本発明を説明する。各例で用いた成分を下記に示す。
【００６７】
〔エポキシ樹脂（Ａ）〕
【化１】
Ａ１：ノボラック型エポキシ樹脂（但し、Ｇはグリシジル基、ＲはＣＨ３ 、ｎは１以上の整数、エポキシ当量１９５ｇ／ｅｑ、軟化点８０℃）
Ａ２：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（但し、エポキシ当量１８５ｇ／ｅｑ、粘度１５Ｐａ・ｓ）
【化２】
Ａ３：トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂（但し、Ｇはグリシジル基、ＲはＨ、ｎは１以上の整数、エポキシ当量１６９ｇ／ｅｑ、軟化点５３℃）
〔フェノール樹脂（Ｂ）〕
【化３】
Ｂ１：フェノールノボラック樹脂（但し、ｎは１以上の整数、水酸基当量１０６ｇ／ｅｑ、軟化点６０℃）
【化４】
Ｂ２：フェノールアラルキル樹脂（但し、ｎは０または１以上の整数、水酸基当量１６８ｇ／ｅｑ、軟化点６０℃）
〔合成ゴム（Ｃ）〕
【化５】
Ｃ１：上記一般式で表わされる繰り返し単位を主要構成成分とするアクリロニトリル−ブタジエンゴム（但し、ｘ及びｙはそれぞれ独立に１以上の整数、アクリロニトリル含有量４０重量％）
【化６】
Ｃ２：上記一般式で表わされる繰り返し単位を主要構成成分とするカルボキシル化アクリルゴム（但し、Ｒは−ＣＨ２ ＣＨ３ 、ｘは１以上の整数、ムーニー粘度４Ｐａ・ｓ）
〔硬化促進剤（Ｄ）〕
Ｄ１：テトラフェニルホスホニウムテトラ（４−メチルフェニル）ボレート
Ｄ２：トリフェニルホスフィン
〔硬化剤〕
７，１１−オクタデカジエン−１，１８−ジカルボヒドラジド
〔無機充填剤〕
平均粒径０．５μｍの球状溶融シリカ
実施例１〜８、比較例１〜４
上記各成分を下記表１に示す割合（数値は重量部である）で配合し、撹拌装置付きガラスフラスコ中でメチルエチルケトンを用いて溶解し、接着剤組成物溶液を作製した。次いで、この接着剤組成物溶液を、表面をシリコーン処理したポリエチレンテレフタレート基材（厚み５０μｍ）上に、アプリケーターを用いて塗工し、１２０℃にて５分加熱、乾燥を行った。次いで、上記ポリエチレンテレフタレート基材から剥離することにより目的とする厚み５０μｍのダイボンド用接着フィルムを作製した。
【００６８】
【表１】
得られた実施例１〜８および比較例１〜４の接着フィルムを用いて、下記に示す基準に従い、各種評価を行った。結果を表３に示す。
【００６９】
〔硬化前における４０℃での引張貯蔵弾性率〕
作製したダイボンド用接着フィルムを幅１０ｍｍの短冊状にカッターナイフで切り出し、固体粘弾性測定装置（ＲＳＡＩＩ、レオメトリックサイエンティフィック社製）にて、０〜５０℃の引張貯蔵弾性率を周波数１０Ｈｚにて測定した。
【００７０】
〔硬化後における２５０℃での引張貯蔵弾性率〕
作製したダイボンド用接着フィルムを１５０℃で１時間さらに１７５℃で１時間乾燥機内で熱硬化させた。その後、幅１０ｍｍの短冊状にカッターナイフで切り出し、固体粘弾性測定装置（ＲＳＡＩＩ、レオメトリックサイエンティフィック社製）にて、０〜２６０℃の引張貯蔵弾性率を周波数１Ｈｚにて測定した。
【００７１】
〔凹凸追従性の評価〕
作製したダイボンド用接着フィルムをチップに貼り合わせ、該サンプルを基板上にダイボンド硬化し、樹脂封止前のサンプルのダイボンド材と基板界面を超音波顕微鏡で観察し、ダイボンド材と基板界面の濡れていない部分の面積割合を観察した。濡れ不良面積（％）を表３に示す。
【００７２】
〔吸湿耐半田リフロー性の評価〕
作製したダイボンド用接着フィルムを用いて、表２に示す条件にて吸湿耐半田リフロー試験を行った後、超音波顕微鏡でチップと基板の界面に剥離が発生しているかどうかをチップ１０個について観察した。剥離が発生していた個数を表３に示す。
【００７３】
【表２】
【表３】
上記表３の結果から、実施例では表面凹凸がある基板に対して追従性よく仮接着することができ、かつ吸湿半田リフロー後にチップ−基板界面に剥離が全く発生せず耐吸湿半田リフロー性に優れることがわかる。一方、比較例は表面凹凸がある基板に対して追従性が悪かったり、硬化後の２５０℃における引張貯蔵弾性率が小さすぎたり、大きすぎたりするために耐吸湿半田リフロー性に劣ることがわかる。
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップと電極部材の固着材料として用いられる熱硬化型ダイボンド用接着フィルムに関する。また本発明は、当該熱硬化型ダイボンド用接着フィルムと粘着フィルムとが積層されているダイシング・ダイボンド用接着フィルムに関する。さらに本発明は、当該熱硬化型ダイボンド用接着フィルムを用いた半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体装置の製造過程においてリードフレームや電極部材への半導体チップの固着には、銀ペーストが用いられている。かかる固着処理は、リードフレームのダイパッド等の上にペースト状接着剤を塗工し、それに半導体チップを搭載してペースト状接着剤層を硬化させて行う。
【０００３】
しかしながら、ペースト状接着剤はその粘度挙動や劣化等により塗工量や塗工形状等に大きなバラツキを生じる。その結果、形成されるペースト状接着剤厚は不均一となるため半導体チップに係わる固着強度の信頼性が乏しい。すなわち、ペースト状接着剤の塗工量が不足すると半導体チップと電極部材との間の固着強度が低くなり、後続のワイヤーボンディング工程で半導体チップが剥離する。一方、ペースト状接着剤の塗工量が多すぎると半導体チップの上までペースト状接着剤が流延して特性不良を生じ、歩留まりや信頼性が低下する。このような固着処理における問題は、半導体チップの大型化に伴って特に顕著なものとなっている。そのため、ペースト状接着剤の塗工量の制御を頻繁に行う必要があり、作業性や生産性に支障をきたす。
【０００４】
このペースト状接着剤の塗工工程において、ペースト状接着剤をリードフレームや形成チップに別途塗布する方法がある。しかし、この方法では、ペースト状接着剤層の均一化が困難であり、またペースト状接着剤の塗布に特殊装置や長時間を必要とする。このため、ダイシング工程で半導体ウエハを接着保持するとともに、マウント工程に必要なチップ固着用の接着剤層をも付与するダイボンドフィルムが提案されている（特許文献１）。
【０００５】
このダイボンドフィルムは、支持基材上に接着剤層を剥離可能に設けてなるものであり、その接着剤層による保持下に半導体ウエハをダイシングしたのち、支持基材を延伸して形成チップを接着剤層とともに剥離し、これを個々に回収してその接着剤層を介してリードフレームなどの被着体に固着させるようにしたものである。
【０００６】
【特許文献１】
特開昭６０−５７３４２号公報
【発明が解決しようとする課題】
近年、有機基板上に半導体チップが搭載された半導体装置が多く用いられているが、チップ直下の基板表面には回路パターン等に起因する凹凸が多く、ダイボンド用接着フィルムを用いてダイボンディングを行った場合、凹凸に対する追従性が十分でないために密着性が不十分になり、耐半田リフロー性が十分に得られなかった。
【０００７】
本発明の目的は、このような事情に鑑みなされたもので、半導体チップと電極部材等との固着にあたり、ダイボンド時の作業性、生産性に優れていると共に、表面凹凸がある基板やチップに対して追従性がよく、吸湿耐半田リフロー性に優れたダイボンド用接着フィルムを提供することにある。また、該ダイボンド用接着フィルムを用いたダイシング・ダイボンド用接着フィルムを提供することにある。さらに、該熱硬化型ダイボンド用接着フィルムにより半導体素子がダイボンドされている半導体装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは上記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、下記ダイボンド用接着フィルムにより、上記目的を達成できることを見出し本発明を完成するに至った。
【０００９】
すなわち本発明は、硬化前における４０℃での引張貯蔵弾性率が０．１〜１００ＭＰａであり、かつ硬化後における２５０℃での引張貯蔵弾性率が０．５〜２００ＭＰａである熱硬化型ダイボンド用接着フィルム、に関する。
【００１０】
硬化前における４０℃での引張貯蔵弾性率が０．１〜１００ＭＰａの範囲内であれば、該ダイボンド用接着フィルムを表面凹凸がある基板やチップに対して追従性よく仮接着することができる。
【００１１】
硬化前における４０℃での引張貯蔵弾性率を特定しているのは、ダイボンド工程において該特性が基板やチップの表面凹凸に対する追従性に影響を与えるためである。また、５０℃程度においてすでに液状に近い状態になるような凹凸追従性に優れるものもあり、引張貯蔵弾性率を測定することが困難になるため４０℃での引張貯蔵弾性率を特定している。前記引張貯蔵弾性率は５〜５０ＭＰａであることが好ましい。前記引張貯蔵弾性率が０．１ＭＰａ未満の場合には、該接着フィルムが変形しやすくなり、この接着フィルムの変形によりダイボンド工程後にチップと基板間、あるいはチップとチップ間にボイドが発生する傾向にある。
一方、前記引張貯蔵弾性率が１００ＭＰａを超える場合には、ダイボンド工程時における接着フィルムの基板等の凹凸に対する追従性が悪くなる傾向にある。
【００１２】
また、硬化後における２５０℃での引張貯蔵弾性率を特定しているのは、該特性が吸湿耐半田リフロー性に影響を与えるためである。そして、吸湿耐半田リフロー試験は通常最高温度２４０〜２６０℃の条件で行われることも考慮している。硬化後における２５０℃での引張貯蔵弾性率が０．５〜２００ＭＰａであれば吸湿耐半田リフロー性に優れる。前記引張貯蔵弾性率は１０〜１００ＭＰａであることが好ましい。前記引張貯蔵弾性率が０．５〜２００ＭＰａの範囲を外れる場合には、吸湿半田リフロー時に剥離が発生しやすくなる傾向にある。
【００１３】
なお、前記引張貯蔵弾性率の詳しい測定方法は実施例の記載による。
【００１４】
前記接着フィルムは、原料として熱硬化性樹脂及び硬化剤を合計２０〜９５重量％、熱可塑性成分を３〜５０重量％含有してなることが好ましい。さらには、熱硬化性樹脂及び硬化剤を合計４０〜９０重量％、熱可塑性成分を５〜４０重量％含有してなることが好ましい。前記割合で原料を用いることにより比較的容易に目的とする引張貯蔵弾性率に調整することができる。
【００１５】
前記接着フィルムは、ウエハ貼り付け型であることが好ましい。ウエハ貼り付け型にすることにより、ウエハをダイシングすればチップ裏面にダイボンド材がすでに設けられている状態となり、各チップ毎にダイボンド材を設ける必要がなくなり製造効率が向上する。
【００１６】
また、前記熱硬化型ダイボンド用接着フィルムは、エポキシ樹脂を含有してなることが好ましい。熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いることにより低い溶融粘度と高耐熱性の両立が可能となる。
【００１７】
また本発明は、前記熱硬化型ダイボンド用接着フィルムと粘着フィルムとが積層されているダイシング・ダイボンド用接着フィルム、に関する。
【００１８】
さらに本発明は、前記熱硬化型ダイボンド用接着フィルムにより半導体素子がダイボンドされている半導体装置、に関する。
【００１９】
【発明の実施の形態】
本発明の熱硬化型ダイボンド用接着フィルムを形成する接着剤組成物の主材料である熱硬化性樹脂は特に制限されず、例えば、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル系樹脂、熱硬化性アクリル樹脂、フェノール樹脂、ジアリルフタレート樹脂、ベンゾシクロブテン等が挙げられる。これら熱硬化性樹脂は１種を単独で、または２種以上を併用して用いられる。特に、低い溶融粘度と高耐熱性の両立が可能であるエポキシ樹脂が好適に用いられる。
【００２０】
エポキシ樹脂は接着剤組成物として一般に用いられるものを特に制限なく使用できる。例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、及びヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型等のグリシジルアミン型等のエポキシ樹脂が用いられる。これらエポキシ樹脂は１種を単独で、または２種以上を併用して用いられる。
【００２１】
前記接着剤組成物には必要により硬化剤を配合することができる。硬化剤は公知のものを特に制限なく使用することができ、例えば、フェノール樹脂、酸無水物、アミン化合物、イミダゾール化合物、ポリアミン化合物、ヒドラジド化合物、ジシアンジアミド等があげられる。
【００２２】
前記接着剤組成物は、固形分（溶剤以外のもの）１００重量％に対して熱硬化性樹脂及び硬化剤を合計２０〜９５重量％含有するように調整することが好ましい。
【００２３】
前記接着剤組成物には熱可塑性成分を加えることが好ましい。熱可塑性成分は特に制限されないが、例えば、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンエーテル、ポリスチレン、アクリルゴム、ブチルゴム、ブタジエンゴム、アクリロニトリル−ブタジエンゴム等があげられる。
【００２４】
前記接着剤組成物は、固形分（溶剤以外のもの）１００重量％に対して熱可塑性成分を３〜５０重量％含有するように調整することが好ましい。
【００２５】
また、前記接着剤組成物には必要に応じて硬化促進剤を配合することもできる。硬化促進剤は、従来から知られている種々の硬化促進剤が使用可能であり、例えば、アミン系、イミダゾール系、リン系、ホウ素系、リン−ホウ素系等の硬化促進剤があげられる。具体的には、エチルグアニジン、トリメチルグアニジン、フェニルグアニジン、ジフェニルグアニジン等のアルキル置換グアニジン類、３−（３，４−ジクロロフェニル）−１，１−ジメチル尿素、３−フェニル−１，１−ジメチル尿素、３−（４−クロロフェニル）−１，１−ジメチル尿素等の３−置換フェニル−１，１−ジメチル尿素類、２−メチルイミダゾリン、２−フェニルイミダゾリン、２−ウンデシルイミダゾリン、２−へプタデシルイミダゾリン等のイミダゾリン類、２−アミノピリジン等のモノアミノピリジン類、Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ−（２−ヒドロキシ−３−アリロキシプロピル）アミン−Ｎ−ラクトイミド等のアミンイミド系類、エチルホスフィン、プロピルホスフィン、ブチルホスフィン、フェニルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリオクチルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリシクロへキシルホスフィン、トリフェニルホスフィン／トリフェニルボラン錯体、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート等の有機リン系化合物、１，８−ジアザビシクロ〔５，４，０〕ウンデセン−７、１，５−ジアザビシクロ〔４，３，０〕ノネン−５等のジアザビシクロアルケン系化合物等があげられる。これら硬化促進剤は１種を単独で、または２種以上を併用して用いられる。また、これらをマイクロカプセルに封入したものからなる潜在性触媒は好適に用いられる。
【００２６】
また、前記接着剤組成物には必要に応じて有機材料や無機材料を加えることもできる。有機材料としては、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、表面調整剤、酸化防止剤、粘着付与剤等があげられる。無機材料としては、アルミナ、シリカ、窒化珪素等の各種充填剤、銅、銀、アルミ、ニッケル、半田等の金属粒子があげられる。その他、顔料や染料等があげられる。無機材料の配合割合は特に制限されないが、組成物（固形分）中に７５重量％以下が好ましく、さらに好ましくは６０重量％以下、特に好ましくは５０重量％以下である。これ以上の無機材料等を配合すると、溶融粘度が高くなり、被着体との十分な濡れが確保できない傾向にある。
【００２７】
本発明の熱硬化型ダイボンド用接着フィルムは、例えば、次のようにして作製することができる。すなわち、前記各成分を配合した接着剤組成物を、従来公知の有機溶剤に溶解させ、溶解装置を用いて均一に混合、分散して、液状ワニス（無機充填剤を使用する場合は分散液）等の接着剤組成物溶液を作製する。一方、支持体を予め準備し、この支持体上に従来公知の塗工機等を用いて上記接着剤組成物溶液を塗工した後、これを５０〜１６０℃で乾燥する。そして、上記支持体上に生成した接着剤組成物をその支持体から剥離することにより、目的とする接着フィルムを作製することができる。また、他の方法としては、トルエン等の溶剤を用いることなく接着剤組成物を加熱溶融押し出しすることによっても、目的とする接着フィルムを製造することができる。
【００２８】
上記溶解装置としては、例えば、フラスコ装置、ホモミキサ−装置等があげられる。また上記塗工機としては、熱風循環式乾燥装置を有するものが好ましい。
上記溶解装置および塗工機には、安全上、環境保全上の点で、排気装置．溶剤回収装置等を取り付けて作業することが好ましい。
【００２９】
上記支持体としては、特に限定されるものではなく、例えば、絶縁性フィルム、金属箔等があげられる。
【００３０】
絶縁性フィルム基材としては、ポリイミド基材、ポリエステル基材、ポリエチレンテレフタレート基材、フッ素樹脂製フィルム基材などの、耐熱性や耐薬品性を有するフィルム基材であればいずれも用いることができる。また、上記フィルム基材は、表面をシリコーン処理したフィルム基材および表面をシリコーン処理していないフィルム基材のいずれも使用することができる。なお、上記絶縁性フィルム基材としては、ポリエチレンテレフタレート基材が好ましい。
【００３１】
また、金属箔としてはアルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、インジウム、クロム、鉛、錫、亜鉛、パラジウム等があげられる。これらは１種を単独で、または合金として用いてもよい。
【００３２】
前記の絶縁性フィルムと金属箔は、それぞれ単独で用いてもよく、また両者を２層以上積層した、例えば金属箔／絶縁性フィルムなどの２層基材を用いてもよい。このような２層基材としては、例えば銅／ポリイミド２層基材などがあげられる。
【００３３】
上記有機溶剤としては、接着剤組成物の形成材料である各成分を溶解できるものであれば特に限定はないが、低沸点溶剤を用いることが好ましい。上記有機溶剤としては、ケトン系溶剤、グリコ−ルジエーテル系溶剤、含窒素系溶剤等があげられる。これらは１種を単独で、または２種以上を併用して用いられる。また、有機溶剤の一部は、接着剤組成物の各成分の溶解性を損なわない範囲で炭化水素系溶剤、エステル系溶剤、多価アルコール誘導体を使用してもよい。
【００３４】
上記ケトン系溶剤としては、特に限定はない。例えば、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、メチル−ｎ−ブチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチル−ｎ−プロピルケトン、ジ−ｎ−プロピルケトン、シクロへキサノン、アセトフェノン等があげられる。これらは１種を単独で、または２種以上を併用して用いられる。これらのなかでも、蒸発速度を早めるという点で、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロへキサノン、アセトフェノンが好適に用いられる。
【００３５】
上記グリコールジエーテル系溶剤としては、特に限定はない。例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル等があげられる。これらは１種を単独で、または２種以上を併用して用いられる。
【００３６】
上記炭化水素系溶剤としては、特に限定はい。例えば、トルエン、キシレン等があげられる。上記エステル系溶剤としては、特に限定はなく、例えば酢酸エチル、酢酸ブチル等があげられる。上記多価アルコール誘導体としては、特に限定はなく、例えばプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等があげられる。これらは１種を単独で、または２種以上を併用して用いられる。
【００３７】
本発明の熱硬化型ダイボンド用接着フィルムの厚さは、一般には１〜２００μｍである。接着フィルムはシート状、テープ状のいずれでもよい。また接着フィルムの形状や大きさはリードフレームや半導体チップなど、被着体に応じて適宜に変更することができる。また接着フィルムを予めフィルムを形成しておき、これをプレスなどにより前記支持体にラミネートしてもよい。
【００３８】
前記接着フィルムは、粘着フィルム（粘着剤層）を積層してダイシング・ダイボンド用接着フィルムとして用いることができる。
【００３９】
本発明のダイシング・ダイボンド用接着フィルムは、支持基材上に設けた粘着フィルム上に前記接着フィルムが積層されていることが好ましい。すなわち、支持基材／粘着フィルム／接着フィルムの順に積層されていることが好ましい。
【００４０】
粘着フィルムの形成に用いる粘着剤は特に制限されず各種粘着剤を用いることができる。なかでも、放射線硬化型粘着剤が好適である。放射線硬化型粘着剤は、紫外線等の放射線の照射により架橋度を増大させてその粘着力を容易に低下させることができる。
【００４１】
放射線硬化型粘着剤は、炭素−炭素二重結合等の放射線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを特に制限なく使用することができる。放射線硬化型粘着剤としては、たとえば、前記アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤に、放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した添加型の放射線硬化性粘着剤を例示できる。前記感圧性粘着剤としては、半導体ウエハやガラス等の汚染をきらう電子部品の超純水やアルコール等の有機溶剤による清浄洗浄性などの点から、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。
【００４２】
前記アクリル系ポリマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステルなどのアルキル基の炭素数１〜３０、特に炭素数４〜１８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステルなど）及び（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル（例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステルなど）の１種又は２種以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマーなどがあげられる。なお、（メタ）アクリル酸エステルとはアクリル酸エステルおよび／またはメタクリル酸エステルをいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。
【００４３】
前記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性などの改質を目的として、必要に応じ、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。このようなモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸などのカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸などの酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレートなどのヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などのスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどのリン酸基含有モノマー；アクリルアミド、アクリロニトリルなどがあげられる。これら共重合可能なのモノマー成分は、１種又は２種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の４０重量％以下が好ましい。
【００４４】
さらに、前記アクリル系ポリマーは、架橋させるため、多官能性モノマーなども、必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。このような多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレートなどがあげられる。これらの多官能性モノマーも１種又は２種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の３０重量％以下が好ましい。
【００４５】
前記アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は２種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等の何れの方式で行うこともできる。清浄な被着体への汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、アクリル系ポリマーの数平均分子量は、好ましくは３０万以上、さらに好ましくは４０万〜３００万程度である。
【００４６】
また、前記粘着剤には、ベースポリマーであるアクリル系ポリマー等の数平均分子量を高めるため、外部架橋剤を適宜に採用することもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤などのいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法があげられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、さらには、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、上記ベースポリマー１００重量部に対して、５重量部程度以下、さらには０．１〜５重量部配合するのが好ましい。さらに、粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤などの添加剤を用いてもよい。
【００４７】
配合する放射線硬化性のモノマー成分としては、たとえば、ウレタンオリゴマー、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリストールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレートなどがあげられる。また放射線硬化性のオリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系など種々のオリゴマーがあげられ、その分子量が１００〜３００００程度の範囲のものが適当である。放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、前記粘着剤層の種類に応じて、粘着剤層の粘着力を低下できる量を、適宜に決定することができる。一般的には、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば５〜５００重量部、好ましくは４０〜１５０重量部程度である。
【００４８】
また、放射線硬化型粘着剤としては、上記説明した添加型の放射線硬化性粘着剤のほかに、ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖または主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の放射線硬化性粘着剤があげられる。内在型の放射線硬化性粘着剤は、低分子成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がなく、または多くは含まないため、経時的にオリゴマー成分等が粘着剤在中を移動することなく、安定した層構造の粘着剤層を形成することができるため好ましい。
【００４９】
前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素−炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。このようなベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格としては、前記例示したアクリル系ポリマーがあげられる。
【００５０】
前記アクリル系ポリマーへの炭素−炭素二重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用できるが、炭素−炭素二重結合はポリマー側鎖に導入するのが分子設計が容易である。たとえば、予め、アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応しうる官能基および炭素−炭素二重結合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の放射線硬化性を維持したまま縮合または付加反応させる方法があげられる。
【００５１】
これら官能基の組合せの例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基などがあげられる。これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さから、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせにより、上記炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリマーと前記化合物のいずれの側にあってもよいが、前記の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、前記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。この場合、炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、たとえば、メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネートなどがあげられる。また、アクリル系ポリマーとしては、前記例示のヒドロキシ基含有モノマーや２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物などを共重合したものが用いられる。
【００５２】
前記内在型の放射線硬化性粘着剤は、前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマー（特にアクリル系ポリマー）を単独で使用することができるが、特性を悪化させない程度に前記放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合することもできる。放射線硬化性のオリゴマー成分等は、通常ベースポリマー１００重量部に対して３０重量部の範囲内であり、好ましくは０〜１０重量部の範囲である。
【００５３】
前記放射線硬化型粘着剤には、紫外線等により硬化させる場合には光重合開始剤を含有させる。光重合開始剤としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α´−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンなどのα−ケトール系化合物；メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフエノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１などのアセトフェノン系化合物；べンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテルなどのベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタールなどのケタール系化合物；２−ナフタレンスルホニルクロリドなどの芳香族スルホニルクロリド系化合物；１−フェノン−１，１―プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシムなどの光活性オキシム系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３′−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノンなどのベンゾフェノン系化合物；チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソンなどのチオキサンソン系化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシルホスフィノキシド；アシルホスフォナートなどがあげられる。光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば０．０５〜２０重量部程度である。
【００５４】
また放射線硬化型粘着剤としては、たとえば、特開昭６０−１９６９５６号公報に開示されている、不飽和結合を２個以上有する付加重合性化合物、エポキシ基を有するアルコキシシランなどの光重合性化合物と、カルボニル化合物、有機硫黄化合物、過酸化物、アミン、オニウム塩系化合物などの光重合開始剤とを含有するゴム系粘着剤やアクリル系粘着剤などがあげられる。
【００５５】
前記粘着フィルムの厚さは、特に限定されないが、１〜５０μｍ程度であるのが好ましい。好ましくは２〜３０μｍ、さらには５〜２５μｍが好ましい。
【００５６】
粘着フィルムを積層する支持基材は、ダイシング・ダイボンド用接着フィルムの強度母体となるものである。例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、金属（箔）、紙などがあげられる。
【００５７】
また支持基材の材料としては、前記樹脂の架橋体などのポリマーがあげられる。前記プラスチックィルムは、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一軸または二軸の延伸処理を施したものを用いてもよい。延伸処理等により熱収縮性を付与した樹脂シートによれば、ダイシング後にその支持基材を熱収縮させることにより粘着フィルムと接着フィルムとの接着面積を低下させて、チップ状ワークの回収の容易化を図ることができる。
【００５８】
支持基材の表面は、隣接する層との密着性、保持性などを高めるため、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的または物理的処理、下塗剤（例えば、後述する粘着物質）によるコーティング処理を施すことができる。
【００５９】
前記支持基材は、同種または異種のものを適宜に選択して使用することができ、必要に応じて数種をブレンドしてたものを用いることができる。また、支持基材には、帯電防止能を付与するため、上記の支持基材上に金属、合金、これらの酸化物などからなる厚さが３０〜５００Å程度の導電性物質の蒸着層を設けることができる。支持基材は単層あるいは２種以上の複層でもよい。なお、粘着フィルムが放射線硬化型の場合にはＸ線、紫外線、電子線等の放射線を少なくとも一部透過するものを用いる。
【００６０】
支持基材の厚さは、特に制限されず適宜に決定できるが、一般的には５〜２００μｍ程度である。
【００６１】
次に、本発明のダイボンド用接着フィルムを用いた半導体素子の接着方法について説明する。本発明のダイボンド用接着フィルムは、リール等に長尺状態の巻回したリボンとするのが好ましい。これを、カッターなど適宜の手段により所定の寸法（長さや形状等）に切断し、厚さや量などの均一性に優れた接着剤層を供給する。
【００６２】
このようにして形成した切断片は電極部材、例えばリードフレームのダイパッド上に仮接着され、その上に半導体チップを載せて加熱する。加熱処理は、例えばヒーター、超音波、紫外線など、公知の適宜の手段を用いてよい。加熱温度は通常は５０〜３００℃、好ましくは１００〜２５０℃であり、加熱時間は０．１秒間〜３０分間、好ましくは０．５秒間〜３分間である。このような加熱により、接着剤層中の樹脂を硬化させ、半導体チップと電極部材とを固着する。
【００６３】
また、本発明のダイボンド用接着フィルムは、ダイシング・ダイボンド用接着フィルムに用いることができる。ダイボンド用接着フィルムを仮接着用装置上に固定し、シリコンウエハの片面を前記ダイボンド用接着フィルムに室温〜９０℃にて仮接着して固定する。次いで、前記ダイシング用粘着フィルム（上記支持基材上に粘着フィルムを形成したもの）をダイボンド用接着フィルム面に貼り付けてダイシング・ダイボンド用接着フィルムを作製する。
【００６４】
次いで、ダイシング装置により、ダイシング・ダイボンド用接着フィルムが仮接着されたシリコンウエハを半導体チップに切断する。次いで、粘着フィルムと接着フィルムの界面を剥離して、ダイボンド用接着フィルム（接着剤層）を保持した半導体チップを得る。粘着フィルムが放射線硬化型粘着剤により形成されている場合には、放射線の照射により、界面の粘着力を低下させる。このようにして、接着剤層が仮接着された半導体チップを電極部材、例えばリードフレームのダイパッド上に載せて加熱する。なお、加熱処理は通常前記と同様の手段、処理条件で行うことができる。
【００６５】
なお、前記では半導体ウエハを、被切断体として例示したが、被切断体としては、他に、例えば、多層基板、一括封止モジュールなどがあげられる。また半導体素子としては、リードフレームの他に、ＴＡＢフィルム、基板または別途作製したチップ状ワークなどがあげられる。
【００６６】
【実施例】
以下に、本発明を実施例および比較例をあげて本発明を説明する。各例で用いた成分を下記に示す。
【００６７】
〔エポキシ樹脂（Ａ）〕
【化１】
Ａ２：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（但し、エポキシ当量１８５ｇ／ｅｑ、粘度１５Ｐａ・ｓ）
【化２】
〔フェノール樹脂（Ｂ）〕
【化３】
【化４】
〔合成ゴム（Ｃ）〕
【化５】
【化６】
〔硬化促進剤（Ｄ）〕
Ｄ１：テトラフェニルホスホニウムテトラ（４−メチルフェニル）ボレート
Ｄ２：トリフェニルホスフィン
〔硬化剤〕
７，１１−オクタデカジエン−１，１８−ジカルボヒドラジド
〔無機充填剤〕
平均粒径０．５μｍの球状溶融シリカ
実施例１〜８、比較例１〜４
上記各成分を下記表１に示す割合（数値は重量部である）で配合し、撹拌装置付きガラスフラスコ中でメチルエチルケトンを用いて溶解し、接着剤組成物溶液を作製した。次いで、この接着剤組成物溶液を、表面をシリコーン処理したポリエチレンテレフタレート基材（厚み５０μｍ）上に、アプリケーターを用いて塗工し、１２０℃にて５分加熱、乾燥を行った。次いで、上記ポリエチレンテレフタレート基材から剥離することにより目的とする厚み５０μｍのダイボンド用接着フィルムを作製した。
【００６８】
【表１】
【００６９】
〔硬化前における４０℃での引張貯蔵弾性率〕
作製したダイボンド用接着フィルムを幅１０ｍｍの短冊状にカッターナイフで切り出し、固体粘弾性測定装置（ＲＳＡＩＩ、レオメトリックサイエンティフィック社製）にて、０〜５０℃の引張貯蔵弾性率を周波数１０Ｈｚにて測定した。
【００７０】
〔硬化後における２５０℃での引張貯蔵弾性率〕
作製したダイボンド用接着フィルムを１５０℃で１時間さらに１７５℃で１時間乾燥機内で熱硬化させた。その後、幅１０ｍｍの短冊状にカッターナイフで切り出し、固体粘弾性測定装置（ＲＳＡＩＩ、レオメトリックサイエンティフィック社製）にて、０〜２６０℃の引張貯蔵弾性率を周波数１Ｈｚにて測定した。
【００７１】
〔凹凸追従性の評価〕
作製したダイボンド用接着フィルムをチップに貼り合わせ、該サンプルを基板上にダイボンド硬化し、樹脂封止前のサンプルのダイボンド材と基板界面を超音波顕微鏡で観察し、ダイボンド材と基板界面の濡れていない部分の面積割合を観察した。濡れ不良面積（％）を表３に示す。
【００７２】
〔吸湿耐半田リフロー性の評価〕
作製したダイボンド用接着フィルムを用いて、表２に示す条件にて吸湿耐半田リフロー試験を行った後、超音波顕微鏡でチップと基板の界面に剥離が発生しているかどうかをチップ１０個について観察した。剥離が発生していた個数を表３に示す。
【００７３】
【表２】
Claims (6)
- 硬化前における４０℃での引張貯蔵弾性率が０．１〜１００ＭＰａであり、かつ硬化後における２５０℃での引張貯蔵弾性率が０．５〜２００ＭＰａである熱硬化型ダイボンド用接着フィルム。
- 前記接着フィルムは、原料として熱硬化性樹脂及び硬化剤を合計２０〜９５重量％、熱可塑性成分を３〜５０重量％含有してなる請求項１記載の熱硬化型ダイボンド用接着フィルム。
- ウエハ貼り付け型である請求項１又は２記載の熱硬化型ダイボンド用接着フィルム。
- エポキシ樹脂を含有してなる請求項１〜３のいずれかに記載の熱硬化型ダイボンド用接着フィルム。
- 請求項１〜４のいずれかに記載の熱硬化型ダイボンド用接着フィルムと粘着フィルムとが積層されているダイシング・ダイボンド用接着フィルム。
- 請求項１〜４のいずれかに記載の熱硬化型ダイボンド用接着フィルムにより半導体素子がダイボンドされている半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003179422A JP4059497B2 (ja) | 2003-06-24 | 2003-06-24 | ダイボンド用接着フィルム、ダイシング・ダイボンド用接着フィルム、及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003179422A JP4059497B2 (ja) | 2003-06-24 | 2003-06-24 | ダイボンド用接着フィルム、ダイシング・ダイボンド用接着フィルム、及び半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005019516A true JP2005019516A (ja) | 2005-01-20 |
| JP4059497B2 JP4059497B2 (ja) | 2008-03-12 |
Family
ID=34180746
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003179422A Expired - Lifetime JP4059497B2 (ja) | 2003-06-24 | 2003-06-24 | ダイボンド用接着フィルム、ダイシング・ダイボンド用接着フィルム、及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4059497B2 (ja) |
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| JP4059497B2 (ja) | 2008-03-12 |
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Legal Events
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131228 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20161228 Year of fee payment: 9 |
|
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