TW201924924A - 黏合劑組成物以及利用其的黏合膜 - Google Patents

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Abstract

本發明涉及一種用於半導體晶片,尤其尺寸小的晶片的黏合製程的黏合膜以及用於形成所述黏合膜的黏合劑組成物。

Description

黏合劑組成物以及利用其的黏合膜
本發明涉及一種用於半導體晶片的黏合製程的黏合膜以及用於形成所述黏合膜的黏合劑組成物。
通常,當半導體晶片的尺寸為3mm×3mm或更小時,稱為小型半導體晶片。然而,由於所述小型半導體晶片的小尺寸,在110o C至150o C的高溫下執行的晶片黏合製程或引線鍵合製程中,半導體晶片因外力從黏合位置發生移動。如此,若半導體晶片發生移動,則存在包括半導體晶片的半導體封裝的可靠性降低的問題。
為了防止所述半導體晶片的移動,要求在晶片黏合製程或引線鍵合製程中使用的黏合膜具有優異的物性。關於這種黏合膜,大韓民國授權專利第10-0826420號公開了一種用於半導體組裝的黏合膜,其由半導體元件用黏合膜組成物而形成,該黏合膜組成物包含在主鏈具有雙鍵的橡膠類樹脂。然而,若在橡膠類樹脂的主鏈存在雙鍵,則會發生由於雙鍵的硫化,反而黏合膜的黏合性降低的問題。
現有技術文獻 專利文獻 大韓民國授權專利第10-0826420號
本發明提供一種黏合膜以及用於形成所述黏合膜的黏合劑組成物,所述黏合膜是用於半導體晶片的黏合製程的黏合膜,可顯示優秀的物性。
本發明提供一種黏合劑組成物,其中,包括:熱塑性樹脂;多官能環氧樹脂;熱固性環氧樹脂,在150o C下熔體黏度為0.1Pa•s以下;填充劑,平均粒徑D50為0.02μm至10μm;以及固化劑,所述填充劑的含量以組成物的總重量當作100重量份為準為5重量份至50重量份。
所述多官能環氧樹脂的軟化點可為50至100o C。
所述多官能環氧樹脂中環氧當量可為175g/eq以下,所述熱固性環氧樹脂中環氧當量可為200g/eq以下。
所述熱塑性樹脂與混合所述多官能環氧樹脂和所述熱固性環氧樹脂的混合比為95:5至50:50的重量比。
所述熱固性環氧樹脂與所述多官能環氧樹脂的混合比為10:90至50:50的重量比。
本發明的黏合劑組成物可進一步包括固化促進劑。
本發明提供一種包括由所述黏合劑組成物而形成的黏合層的黏合膜。
所述黏合膜的彈性模數在150o C下可為50至350MPa。
發明效果
利用本發明的黏合劑組成物而製備的黏合膜,即便適用於高溫工作環境的晶片黏合製程或引線鍵合製程,能夠最大限度地減小晃動或移動地固定一般尺寸甚至更小尺寸的半導體晶片。因此,本發明提高半導體封裝的可靠性,而且,可以縮短半導體封裝製程的時間。
下面說明本發明。
1. 黏合劑組成物
本發明的黏合劑組成物包括熱塑性樹脂、多官能環氧樹脂、熱固性環氧樹脂、填充劑、以及固化劑。
包含於本發明的黏合劑組成物的熱塑性樹脂的作用是提高黏合膜的初期黏附力、柔性等以及可形成黏合膜的形態。
所述熱塑性樹脂具體可為選自由丙烯酸酯共聚物、聚酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、苯氧基樹脂以及丁二烯-丙烯腈共聚物組成的組中的一種以上。
更具體而言,所述熱塑性樹脂可為包含一個以上的活性基(例如,極性基)的丙烯酸酯共聚物。包含所述一個以上的活性基的丙烯酸酯共聚物通過活性基其表面能量被適當調整,從而可與其他化合物的分子間進行交聯或其本身分子內進行交聯,可以提高黏合膜的黏合性(尤其,在半導體支撐材料中與表面能量較低的有機材料的介面黏合性)。所述活性基,具體可為選自由丙烯腈基、環氧基、羥基、以及羧基組成的組中的一種以上。
作為活性基包含所述環氧基或羥基的丙烯酸酯共聚物,具體可列舉長瀨康泰斯公司的SG-P3 TEA(環氧基為0.21eq/kg,分子量850,000,Tg 12o C)、SG-80H(環氧基為0.07eq/kg,分子量350,000,Tg 11o C)、SG-600 TEA(OH為20mgKOH/g,分子量1,200,000,Tg -37o C)或者SG-708-6(酸值9mgKOH/g,分子量700,000,Tg 4o C)等。而且,作為活性基包含羧基或丙烯腈的丙烯酸酯共聚物,具體可列舉瑞翁公司(ZEON)的Nipol DN003(丙烯腈50%,比重1.02),Nipol 1043(丙烯腈29%,比重0.97),Nipol 1042(丙烯腈33.5%,比重0.98)等。
所述熱塑性樹脂的含量,以黏合劑組成物的總重量份為準,可為10重量份至60重量份,具體而言,可為15重量份至50重量份,更具體而言,可為20重量份至45重量份。當所述熱塑性樹脂的含量小於10重量份時,黏合膜的柔性、初期黏附性等會降低,當超過60重量份時,黏合膜固化後無法確保充分的黏合力,因此,在高溫下晶片移動而導致可靠性降低。
本發明的黏合劑組成物所包含的多官能環氧樹脂的作用是提高黏合劑組成物的固化性以及黏合膜的黏合性等。
所述多官能環氧樹脂,具體可為選自由包含2個以上官能基的雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、苯酚醛清漆類環氧樹脂、甲酚醛型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂以及芳香族環氧樹脂組成的組中的一種以上。
所述多官能環氧樹脂為固相時,固相多官能環氧樹脂的軟化點(softening point)可為50o C至100o C。當所述固相多官能環氧樹脂的軟化點小於50o C時,在常溫下,由於黏合膜的表面發黏,因此,在拾取製程中,與切割膜的剝離不順利,導致工作性降低,當超過100o C時,由於環氧樹脂的分子量大,因此,在配合製程中不易溶解於有機溶劑或者所需溶解時間過長,導致工作效率降低。
而且,多官能環氧樹脂中環氧當量可為175g/eq以下(具體為160g/eq至175g/eq)。當所述多官能環氧樹脂的環氧當量超過175g/eq時,在高溫黏合製程中會難以防止半導體晶片的移動。
所述多官能環氧樹脂為雙酚A型環氧樹脂時,作為具體例可列舉日本環氧樹脂公司的Epicoat807、Epicoat815、Epicoat825、Epicoat827、Epicoat828、Epicoat834、Epicoat1001、Epicoat1002、Epicoat1003、Epicoat1055、Epicoat1004、Epicoat1004AF、Epicoat1007、Epicoat1009、Epicoat1003F、Epicoat1004F或者國都化學公司的YD-011、YD-012、YD-013K、YD-014、YD-017、YD-112、YD-113、YD-114、YD-115、YD-127、YD-128或者神化T&C公司的SE-187、SE-187P等。
而且,多官能環氧樹脂為雙酚F型環氧樹脂時,作為具體例可列舉國都化學公司的YDF-161、YDF-162、YDF-170、YDF-2001或神化T&C公司的SE-187P等。
而且,多官能環氧樹脂為苯酚醛清漆類環氧樹脂時,作為具體例可列舉日本化藥公司的EPPN-201、EPPN-501、EPPN-501HY、EPPN-502或國都化學公司的YDPN-631、YDPN-636、YDPN-638等。
而且,多官能環氧樹脂為甲酚醛型環氧樹脂時,作為具體例可列舉國都化學公司的YDCN-500-1P、YDCN-500-4P、YDCN-500-5P、YDCN-500-7P、YDCN-500-10P、YDCN-500-80P或者日本化藥公司的EOCN-102S、EOCN-103S、EOCN-104S、EOCN-1012、EOCN-1020、EOCN-1025、EOCN-1027等。
而且,多官能環氧樹脂為芳香族環氧樹脂時,作為具體例可列舉Printech公司的VG-3101、VG-3101L等。
所述多官能環氧樹脂的含量,以黏合劑組成物的總重量份為準,可為3重量份至30重量份,具體而言,可為5重量份至20重量份,更具體而言,可為7重量份至15重量份。當所述多官能環氧樹脂的含量小於3重量份時,黏合劑組成物的固化性以及黏合膜的黏合性會降低,當超過30重量份時,由於黏合膜過於變硬而黏合膜易碎,而且,在晶片黏合製程中,無法填埋基板的凹凸部位,因此,在基板和黏合膜之間會形成氣泡。
本發明的黏合劑組成物中所包含的熱固性環氧樹脂的作用是提高黏合劑組成物的固化性以及黏合膜的黏合性等。
所述熱固性環氧樹脂在150o C下熔體黏度為0.1 Pa·s以下(具體為0.001至0.1 Pa·s),具體而言,可為選自由聯苯環氧樹脂及低黏度結晶性環氧樹脂而組成的組中的一種以上。
而且,熱固性環氧樹脂中環氧當量可為200g/eq以下(具體為180g/eq至200g/eq)。當所述熱固性環氧樹脂的環氧當量超過200g/eq時,在高溫的黏合製程中,難以防止半導體晶片移動。
作為所述熱固性環氧樹脂的具體例,可列舉東都化成公司的YDC-1312(環氧當量180g/eq、150o C 黏度0.01 Pa·s)、YSLV-80XY(環氧當量195g/eq、150o C黏度0.01Pa·s)、YSLV-120TE(環氧當量245g/eq、150o C黏度0.1Pa·s)或者YUCACELL公司的YX-4000(環氧當量192g/eq、150o C黏度0.005Pa·s)等。
所述熱固性環氧樹脂的含量,以黏合劑組成物的總重量份為準可為1重量份至30重量份,具體而言,可為1重量份至20重量份,更具體而言,可為1重量份至10重量份。所述熱固性環氧樹脂的含量小於1重量份時,黏合膜過於變硬而導致黏合膜易碎,而且,在晶片黏合製程中,無法填埋基板的凹凸部位,會形成氣泡,當超過30重量份時,常溫下,黏合膜的表面發黏,而在拾取製程中,與切割膜的剝離不順利,導致工作性降低。
另外,在本發明的黏合劑組成物中,所述熱固性環氧樹脂(a)和所述多官能環氧樹脂(b)的混合比(a:b)可為10:90至50:50的重量比。 當各成分的使用量低於所述範圍時,填充劑的填充性降低,或者基板的凹凸填埋性發生不良,當各成分的使用量超過所述範圍時,黏合劑組成物流出半導體晶片外,會導致收率及可靠性降低。
而且,在本發明的黏合劑組成物中,所述熱塑性樹脂(c)與混合多官能環氧樹脂和所述熱固性環氧樹脂的環氧樹脂(d)的混合比(c:d)可為95:5至50:50重量比,具體而言,可為90:10至60:40重量比,更具體而言,可為80:20至65:35重量比。當各成分的使用量低於所述範圍時,黏合劑組成物過於變硬而導致黏合膜易碎,或者在擠壓加熱固化製程、或環氧模塑製程中不能充分去除晶片黏合製程中發生的氣泡。而且,當各成分超過所述範圍時,由於黏合膜的黏合性降低,因此,在高溫的黏合製程中難以防止半導體晶片移動。
包含在本發明的黏合劑組成物中的填充劑的作用是提高黏合膜的機械強度。
所述填充劑的平均粒徑(D50)為0.02μm至10μm,更具體地,可為0.3μm至5μm。由於所述填充劑的粒徑在所述範圍內,因此可以提高黏合膜的彈性模數。
所述填充劑,具體可為選自由二氧化矽(例如熔融二氧化矽、幹式二氧化矽)、氧化鋁(例如球形、角形、板狀或片狀氧化鋁)、銀、鍍金珠、矽珠、碳黑、氫氧化鋁、氫氧化鎂、氮化硼、二氧化鈦和陶瓷組成的組中的一種以上。
所述填充劑的含量,以黏合劑組成物的總重量份為準為5重量份至50重量份,具體而言,可為7重量份至40重量份,更具體而言,可為10重量份至30重量份。當所述填充劑的含量小於5重量份時,黏合膜的機械強度降低,超過50重量份時,由於黏合膜變硬而易碎,工作性會降低。
本發明的黏合劑組成物中所包含的固化劑的作用是誘導黏合劑組成物的固化反應。
所述固化劑,具體可為選自由雙酚類樹脂(例如雙酚A、雙酚F、雙酚S)、苯酚醛清漆類環氧樹脂、雙酚A類酚醛清漆樹脂以及酚醛樹脂(例如,二甲苯、甲酚酚醛清漆類、聯苯類)而組成的組中的一種以上。
當所述固化劑為酚醛樹脂時,作為其具體例,可列舉MEIHUA塑膠產業株式會社的H-1、H-4、HF-1M、HF-3M、HF-4M、HF-45或者對二甲苯系列的MEIHUA塑膠產業株式會社的MEH-78004S、MEH-7800SS、MEH-7800S、MEH-7800M、MEH-7800H、MEH-7800HH、MEH-78003H或者可隆化工株式會社的KPH-F3065或者聯苯系列的MEIHUA塑膠產業株式會社的MEH-7851SS、MEH-7851S、MEH7851M、MEH-7851H、MEH-78513H、MEH-78514H或者可隆化工株式會社的KPH-F4500或者三苯甲基類的MEIHUA塑膠產業株式會社的MEH-7500、MEH-75003S、MEH-7500SS、MEH-7500S、MEH-7500H等。
所述固化劑可使用與黏合劑組成物中包含的環氧樹脂(多官能環氧樹脂及熱固性環氧樹脂)的固化密度為40至120,具體而言,50至110,更具體地60至90的固化劑。此時,固化密度可為由以下數學式獲得的值。 [數學式] (所投入固化劑的羥基總當量/所投入環氧樹脂的環氧總當量)×100
所述固化劑的含量,以黏合劑組成物的總重量當作100重量份為準,可為1重量份至20重量份,具體地可為3重量份至15重量份,更具體地可為5重量份至10重量份。當所述固化劑的含量小於1重量份時,可能存在未反應的環氧樹脂,當超過20重量份時,固化劑會被殘留引起可靠性不良。
本發明的黏合劑組成物可進一步包含固化促進劑以提高固化反應性。所述固化促進劑可以是在黏合膜的製備溫度條件下具有低反應性並且在120至180o C的黏合劑組成物的固化溫度條件下具有高反應性的化合物。
所述固化促進劑的具體例可列舉四國化成公司的2MZ-A、C11Z-A、2MA-OK、2PHZ、2P4MHZ或HOKO化工公司的TPP、TBP、TBP、TPP-K、TPP-MK、TPPO、DPPE、DPPB等。
所述固化促進劑的含量,以黏合劑組成物的總重量當作100重量份為準,可為0.01重量份至5重量份,具體地可為0.05重量份至3重量份,更具體地可為0.1重量份至1重量份。當所述固化促進劑的含量小於0.01重量份時,固化製程中固化性降低,導致半導體晶片的晃動及可靠性不良。當固化促進劑的含量超過5重量份時,在黏合膜的製備製程中,因熱會發生副反應或者導致黏合膜的長期保管性降低。
而且,本發明的黏合劑組成物還可包含通常用於半導體製程用黏合劑組成物中的添加劑,以提高其物性或調整黏度。所述添加劑可列舉溶劑,如丙酮,甲基乙基酮,甲苯、乙酸乙酯等;黏附促進劑;偶聯劑;抗靜電劑;快速固化劑;熱固化助劑;黏合促進劑;潤濕性改進劑;或者均化劑等。所述偶聯劑可以提高黏合膜的彈性模數和耐熱性,其含量以黏合劑組成物的總重量當作100重量份為準,可為0.01重量份至2重量份,所述偶聯劑的具體例可列舉新越公司的KBM-402和KBM-403等。
所述本發明的黏合劑組成物可通過通常的習知方法製備。具體而言,使用珠磨機,三輥磨機(3Roll mill)、籃式砂磨機(basket mill)、臥式砂磨機(dyno mill)、行星式磨機(planetary)等混合設備,在室溫至適當升溫的溫度下進行分散及混合,從而,可以製備本發明的黏合劑組成物。
2. 黏合膜
本發明提供一種包含由所述黏合劑組成物形成的黏合層的黏合膜。具體而言,本發明的黏合膜可包含至少一個基材層以及由所述黏合劑組成物形成的至少一個黏合層。
所述基材層可以由聚對苯二甲酸乙二醇酯類樹脂、聚烯烴類樹脂、聚氯乙烯類樹脂等而製成,其厚度通常可以在公知範圍內確定。
所述黏合層由上述的黏合劑組成物而製成,其厚度可為1μm至20μm,具體而言,可為2μm至20μm,更具體而言,可為5μm至20μm。當所述黏合層的厚度小於1μm時,黏合膜的成膜性、黏合性等可能發生不良,當超過20μm時,因熱收縮引起的變形量及應力變大而導致半導體晶片的彎曲。
具體而言,本發明的黏合膜可由基材層/黏合層、基材層/黏合層/基材層、基材層/黏附層/黏合層、基材層/黏合層/黏附層/基材層等結構而製成。
所述本發明的黏合膜可通過常規的公知方法製備。具體而言,根據需要,將所述黏合劑組成物用可稀釋的有機溶劑稀釋,以容易製備塗膜的方式調整黏度後塗佈在基材材料上並進行乾燥過程,由此可以製備本發明的黏合膜。所述塗佈和乾燥方法,可列舉棒塗、凹面塗佈、凹逗號塗佈、凹逆轉輥塗佈、凹輥刮刀塗佈、凹模具塗佈和唇口塗佈。
由於本發明的黏合膜包括由所述黏合劑組成物而形成的黏合層,因此,黏合性、耐熱性等出色,可顯示最佳的彈性模數。具體而言,本發明的黏合膜的彈性模數在150o C下可為50至350MPa,隨著表現出上述的彈性模數,可以有效地用作用於製備半導體封裝的晶片黏合膜或切割晶片黏合膜。
下面,通過實施例詳細說明本發明。然而,以下實施例是本發明的例示而已,本發明並不局限於以下實施例。
[實施例1]
混合了45.55g的反應性丙烯酸酯共聚物1、11.39g的反應性丙烯酸酯共聚物2、2.73g的熱固性環氧樹脂、9.57g的多官能環氧樹脂1、1.37g的多官能環氧樹脂2。接著,進一步投入20.28g的平均粒徑為1.24μm的填充劑1(二氧化矽)、5.47g的固化劑1和2.55g的固化劑2以製備混合物。
在混合於混合物中的固相樹脂被熔化後,依次投入0.64g的固化促進劑和0.45g的矽烷偶聯劑,並將混合物充分攪拌1小時以製備黏合劑組成物。此時,為了黏合劑組成物的適當的黏度和溶解性,進一步投入甲基乙基酮,使得黏合劑組成物中的總固含量成為30%至35%。
[實施例2至5]
除了適用以下表1的組成之外,通過與實施例1相同過程製備黏合劑組成物。 [表1]
[比較例1至4]
除了適用以下表2的組成之外,通過與實施例1相同過程製備黏合劑組成物。 [表2]
[製造例1至5及比較製造例1至4]
將在實施例及比較例中分別製備的黏合劑組成物塗佈在經截面剝離處理的厚度為36μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯剝離膜上,然後在80o C下乾燥5分鐘,在100o C下乾燥5分鐘,形成厚度為20μm的黏合層,經過此過程製備了黏合膜。
[實驗例]
通過下面的方法評價在製造例及比較製造例中分別製造的黏合膜的物性,將其結果表示在表3。
1. 剪切強度:將製備的黏合膜在70o C的溫度下層壓在8英寸的700μm的晶片上,然後使用切割機(DISCO公司,DFD6361)切割成3mm×3mm的晶片,然後使用晶片貼裝裝置(Secron公司,SDB-30US)在120o C、1kg、1秒的條件下進行附著之後,在175o C下固化2小時以製備用於測量剪切強度的樣品。另外,將製備的部分樣品在溫度85o C、相對濕度85%的高溫/高濕設備中儲存24小時以另外製備樣品。使用晶片剪切實驗儀(DAGE-4000PXY)測量所製備的樣品的剪切強度。
2. 彈性模數:將黏合膜在70o C下層壓為500μm,將層壓樣品在175o C下固化2小時之後切成10mm的寬度。使用測量設備(Perkinelmer公司,DMA8000)進行測量,以頻率10Hz、溫度範圍-20o C至-300o C,升溫溫度為5o C/min的條件下測量拉伸彈性模數。
3. 鉛耐熱性:將黏合膜在80o C的溫度下層壓在聚醯亞胺膜(SKC KOLON PI公司,IF70)上,然後切成寬度25mm、尺寸500mm,在120o C的溫度下層壓在載玻片上,製備樣品。將樣品在175o C下固化2小時並浸入260o C的水浴中30秒鐘,然後通過顯微鏡觀察確認是否產生氣泡。此外,將製備的部分樣品在溫度85o C、相對濕度85%的高溫/高濕設備中儲存24小時後,浸入260o C水浴中30秒以評價吸濕後的耐熱性,將沒有發生氣泡的表示為PASS、發生氣泡的表示為VOID。
4. 注塑成型後SAT分析:將晶片黏接到PCB線路板後,通過預固化製程進行環氧樹脂注塑成型製程,得到模制封裝。然後,在180o C下進行後固化2小時,並且使用OKOS公司的SAT設備(Scanning Acoustic Tomography,超音波斷層掃描)測量封裝內部的缺陷(氣泡現象的位置)。沒有發生氣泡的表示為「無」,發生氣泡的表示為「有」。
5. 引線鍵合工作性:使用Shinkawa公司的Die Bonder(SPA-300)設備將切成橫3mm、長3mm的半導體晶片黏合到130o C加熱器塊上的PCB線路板上。將與所述半導體晶片黏合的PCB基板在125o C下固化60分鐘。接著,使用Shinkawa公司的引線鍵合機(UTC-2000)在150o C下用金線連接半導體晶片的鋁電極和引線電極。在引線鍵合製程中,若沒有發生晶片移動(chip shift),則表示為「無」,若發生半導體晶片的移動,則表示為「有」。 [表3]
參照表3可知使用本發明的黏合劑組成物製備的製造例1至5的黏合膜具有50至350MPa的彈性模數,耐鉛熱性出色,並且在注塑成型後沒有發生空隙(void)。而且,可知在溫度150o C下的剪切強度高於比較製造例的黏合膜的剪切強度,從而,黏合性出色,而且,在黏合製程中可以最大限度地減小半導體晶片的移動。

Claims (7)

  1. 一種黏合劑組成物,其中,包括: 熱塑性樹脂; 多官能環氧樹脂; 熱固性環氧樹脂,在150o C下熔體黏度為0.1Pa·s以下; 填充劑,平均粒徑為0.02μm至10μm;以及 固化劑; 所述填充劑的含量以組成物的總重量當作100重量份為準為5重量份至50重量份。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之黏合劑組成物,其中,所述多官能環氧樹脂的軟化點為50至100o C。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之黏合劑組成物,其中,所述多官能環氧樹脂中環氧當量為175g/eq以下,所述熱固性環氧樹脂中環氧當量為200g/eq以下。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之黏合劑組成物,其中,所述熱塑性樹脂與包括所述多官能環氧樹脂和所述熱固性環氧樹脂的環氧樹脂的混合比為95:5至50:50的重量比。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之黏合劑組成物,其中,所述熱固性環氧樹脂與所述多官能環氧樹脂的混合比為10:90至50:50的重量比。
  6. 一種黏合膜,其中,包含由如申請專利範圍第1至5項中任一項所述之黏合劑組成物形成的黏合層。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之黏合膜,其中,彈性模數在150o C下為50至350MPa。
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