KR950007162A - 절연게이트형 반도체장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

개선된 특성을 갖지만 단순한 공정에 의해 얻어지는 역스태거형 박막 트랜지스터는 소스, 드레인 및 채널형성 영역을 이온주입, 이온도핑, 또는 플라즈마이온의 도핑에 의해 선택적으로 도핑하고나서 자외선, 가시광, 또는 근적외선을 단시간동안 조사함에 의한 급속 열어닐링을 실행함으로써 제조된다. 소스, 드레인 및 채널형성영역은 실제로 단일면내에 형성된다.

Description

절연게이트형 반도체장치 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1(A)도 내지 제1(D)도는 본 발명의 일실시예에 따라 TFT를 제조하는 공정에서 얻어진 개략적으로 그려진 단계-순차적 횡단면 구조를 보여준다,
제2(A)도 내지 제2(D)도는 TFT를 제조하기 위한 선행기술 공정에서 얻어진 개략적으로 그려진 단계 순차적 횡단면 구조를 보여준다,
제3도는 본 발명의 실시예1에 따른 TFT의 단계순차적 공정단계를 보여준다,
제4도는 본 발명의 실시예2에 따른 TFT의 단계순차적 공정단계를 보여준다.

Claims (23)

  1. 실질적으로 진성 비정질 반도체로부터 만들어진 채널형성영역; 및 상기 비정질 반도체의 것보다 높은 구조적 질서도를 갖는 N형 또는 P형 반도체로 만들어진 소스 및 드레인영역을 포함하며, 자외선, 가시광 또는 근적외선이 상기 N형 또는 P형 반도체에 조사된, 절연기판상에 제공된 역 스태거형 MIS 반도체장치의 절연게이트형 반도체장치.
  2. 제1항에 있어서, 게이트전극을 구성하는 물질의 산화물을 포함하는 절연물로 코팅된 게이트전극을 추가로 포함하는 절연게이트형 반도체장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 게이트전극이 탄탄을 포함하는 절연게이트형 반도체장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 N형 또는 P형 반도체가 라만분광 스펙트럼의 피크에 의해 관찰된 바 구조적 질서화를 나타내는 결정성 반도체를 포함하는 절연게이트형 반도체장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 N형 또는 P형 반도체가 상기 자외선, 상기 가시광 또는 상기 근적외선의 조사에 의해 가열된 절연게이트형 반도체장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 채널형성영역 및 상기 소스 및 드레인영역이 하나의 반도체막에 제공되는 절연게이트형 반도체장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 하나의 반도체막이 두개 이상의 반도체층을 포함하는 절연게이트형 반도체장치.
  8. 제1항에 있어서, 4 내지 0.5㎛의 파장이 상기 자외선, 상기 가시광 또는 상기 근적외선의 조사에 이용되는 절연게이트형 반도체장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 비정질 반도체의 것보다 높은 상기 구조적 질서도가 상기 자외선, 상기 가시광 또는 상기 근적외선의 조사에 의해 유발되는 절연게이트형 반도체장치.
  10. 제2항에 있어서, 상기 게이트전극을 구성하는 물질의 산화물을 포함하는 상기 절연물이 양극산화물을 포함하는 절연게이트형 반도체장치.
  11. 기판상 게이트전극을 형성하는 단계; 상기 게이트전극상에 게이트절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트 절연막상에 비정질 또는 다결정 반도체막을 형성하는 단계; 상기 반도체막상에 마스킹물질을 제공하는 단계; 마스크로서 상기 마스킹물질을 이용하여 상기 반도체막내로 불순물을 도입하는 단계; 및 자외선, 가시광, 또는 근적외선을 조사함으로써 상기 반도체막에 구조적 질서화를 제공하는 단계를 포함하는 절연게이트형 반도체장치.
  12. 제11항에 있어서, 소스, 드레인 및 채널형성영역이 상기 반도체막내에 형성되는 절연게이트형 반도체장치 제조방법.
  13. 제11항에 있어서, 상기 자외선, 상기 가시광, 또는 상기 근적외선이 상기 반도체막에 의해 흡수되는 절연게이트형 반도체장치 제조방법.
  14. 제11항에 있어서, 0.5 내지 4㎛의 파장이 상기 자외선, 상기 가시광, 또는 상기 근적외선의 조사에 이용되는 절연게이트형 반도체장치 제조방법.
  15. 제11항에 있어서, 상기 기판이 상기 조사동안 250 내지 500℃의 온도로 가열되는 절연게이트형 반도체장치 제조방법.
  16. 기판상 게이트전극을 형성하는 단계; 상기 게이트전극상에 게이트절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트 절연막상에 비정질 또는 다결정 반도체막을 형성하는 단계; 상기 반도체막상에 마스킹물질을 제공하는 단계; 마스크로서 상기 마스킹물질을 이용하여 상기 반도체막내로 불순물을 도입하는 단계; 및 상기 도입된 불순물을 따라 상기 반도체막의 적어도 일부분을 자외선, 가시광, 또는 근적외선을 조사함으로써 상기 반도체막의 적어도 일부분을 P형 또는 N형 전도성으로 되게하는 단계를 포함하는 절연게이트형 반도체장치의 제조방법.
  17. 제16항에 있어서, 소스, 드레인 및 채널형성영역이 상기 반도체막 내에 형성되는 방법.
  18. 제16항에 있어서, 상기 자외선, 상기 가시광, 또는 상기 근적외선이 상기 반도체막에 의해 흡수되는 방법.
  19. 제16항에 있어서, 0.5 내지 4㎛의 파장이 상기 자외선, 상기 가시광, 또는 상기 근적외선의 조사에 이용되는 방법.
  20. 제16항에 있어서, 상기 기판이 상기 조사동안 250 내지 500℃의 온도로 가열되는 방법.
  21. 기판상 게이트전극을 형성하는 단계; 상기 게이트전극상에 게이트절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극 위에 반도체막을, 사이에 상기 게이트절연층을 위치시키면서, 형성하는 단계; 불순물을 상기 반도체막의 일부분에 도입함으로써 소스 및 드레인영역을 상기 반도체막을 형성하는 단계; 및 상기 도입된 불순물을 활성화시키기 위해 자외선, 가시광, 또는 근적외선을 조사하는 단계를 포함하는 반도체장치의 제조방법.
  22. 실질적으로 진성 비정질 반도체로 부터 만들어진 채널형성영역; 및 상기 비정질 반도체의 것보다 높은 구조적 질서도를 갖는 N형 또는 P형 반도체로 만들어진 소스 및 드레인영역을 포함하며, 상기 채널형성영역 및 상기 소스 및 드레인영역이 하나의 반도체막에 제공되고, 자외선, 가시광 또는 근적외선이 상기 N형 또는 P형 반도체에 조사된, 절연기판상에 제공된 역 스태거형 MIS 반도체장치의 절연게이트형 반도체장치.
  23. 실질적으로 진성 비정질 반도체로 부터 만들어진 채널형성영역; 및 상기 비정질 반도체의 것보다 높은 구조적 질서도를 갖는 N형 또는 P형 반도체로 만들어진 소스 및 드레인영역을 포함하며, 4 내지 0.5㎛의 파장을 갖는 광이 상기 N형 또는 P형 반도체에 조사된, 절연기판상에 제공된 역 스태거형 MIS 반도체장치의 게이트절연형 반도체장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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