JPS63227015A - ランプ加熱装置 - Google Patents
ランプ加熱装置Info
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- JPS63227015A JPS63227015A JP6153387A JP6153387A JPS63227015A JP S63227015 A JPS63227015 A JP S63227015A JP 6153387 A JP6153387 A JP 6153387A JP 6153387 A JP6153387 A JP 6153387A JP S63227015 A JPS63227015 A JP S63227015A
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- JP
- Japan
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- semiconductor substrate
- lamp
- heating
- light
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- Pending
Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 45
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 27
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
- H01L21/2686—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation using incoherent radiation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、高集積、高機能の半導体素子の製造に用いる
半導体基板の加熱を制御性良く行なうためのランプ加熱
装置に関する。
半導体基板の加熱を制御性良く行なうためのランプ加熱
装置に関する。
従来の技術
第３図に従来例を示す。従来のランプ加熱装置は、複数
個のランプ１５を半導体基板１１の上面もしくは上下面
に置き、ランプ１６．半導体基板１６も共に静止状態に
て、加熱を開始させている。
個のランプ１５を半導体基板１１の上面もしくは上下面
に置き、ランプ１６．半導体基板１６も共に静止状態に
て、加熱を開始させている。
ランプ加熱を開始するとともに、半導体基板１１の温度
は急速に上昇し、一定温度にて一定時間、熱処理を行な
った後、ランプ出力を下げることＫよシ、半導体基板を
降温する。
は急速に上昇し、一定温度にて一定時間、熱処理を行な
った後、ランプ出力を下げることＫよシ、半導体基板を
降温する。
以上の如く、半導体基板は急速加熱及び冷却が行なわれ
、熱処理が完了する。
、熱処理が完了する。
発明が解決しようとする問題点
従来技術では、第３図に示すごとく、１枚の半導体基板
を熱処理するために、半導体基板の上下面、若しくは上
面又は下面のいずれかに、ランプ１５を多数個設置する
ことにより、半導体基板１１の加熱を行なっていた。
を熱処理するために、半導体基板の上下面、若しくは上
面又は下面のいずれかに、ランプ１５を多数個設置する
ことにより、半導体基板１１の加熱を行なっていた。
この場合、多数枚の半導体基板を処理するためＫは、半
導体基板を挿入するための搬入、搬出の作業が連続的に
行なえない等の不便さがあった。
導体基板を挿入するための搬入、搬出の作業が連続的に
行なえない等の不便さがあった。
本発明によると、半導体基板を連続的にランプ間に挿入
して多数枚の半導体基板を連続的に、効率よく加熱を行
なうことを可能とするものである。
して多数枚の半導体基板を連続的に、効率よく加熱を行
なうことを可能とするものである。
問題点を解決するための手段
本発明は、加熱すべき半導体基板の上面、もしくは上下
面に平行にランプを置くことによυ半導体基板を加熱す
る。このとき、ランプもしくは半導体基板を水平方向に
一定の速度で移動させることにより、急速加熱、急速冷
却を行なう。半導体基板は、半導体基板の片方の端から
加熱が始まり、一定の速度で他方の端まで加熱される。
面に平行にランプを置くことによυ半導体基板を加熱す
る。このとき、ランプもしくは半導体基板を水平方向に
一定の速度で移動させることにより、急速加熱、急速冷
却を行なう。半導体基板は、半導体基板の片方の端から
加熱が始まり、一定の速度で他方の端まで加熱される。
一方、ランプ照射部を過ぎると、順次、冷却が行なわれ
る。
る。
作 用
本発明においては、ランプ若しくは半導体基板を、一定
速度で移動させることによシ加熱を行なえることから、
半導体基板のランプ加熱部への搬入、搬出の作業が連続
的に行なえることになる。
速度で移動させることによシ加熱を行なえることから、
半導体基板のランプ加熱部への搬入、搬出の作業が連続
的に行なえることになる。
その結果、多数枚の半導体基板を、効率良く加熱でき、
高集積、高精度の半導体素子が量産可能となる。
高集積、高精度の半導体素子が量産可能となる。
実施例
第１図、第２図に本発明の一実施例を示す。第１図は平
面図で、加熱開始後、半導体基板１１を図の１０の矢印
の方向へ一定の速度で移動させる。
面図で、加熱開始後、半導体基板１１を図の１０の矢印
の方向へ一定の速度で移動させる。
第２図にランプ加熱開始前後の状態を示す。
ランプ１２からのランプ光１４によシ半導体基板１１は
第１図の左の端部から、順次加熱される。
第１図の左の端部から、順次加熱される。
ランプ光１４は、反射板１３で反射され半導体基板１４
に垂直な向きに照射される。
に垂直な向きに照射される。
半導体基板１１にランプ光が照射されると、急速に半導
体基板１１の温度が上昇し、所望の加熱温度に昇温され
る。半導体基板１１は一定の速度で、左の方向に移動し
第２図ａからｂとなるため、半導体基板にランプ光１４
が照射されなくなると、急速に温度が下がシ、熱伝導に
よる加熱のみになる。
体基板１１の温度が上昇し、所望の加熱温度に昇温され
る。半導体基板１１は一定の速度で、左の方向に移動し
第２図ａからｂとなるため、半導体基板にランプ光１４
が照射されなくなると、急速に温度が下がシ、熱伝導に
よる加熱のみになる。
第２図の様に、半導体基板全体を加熱することにより、
１枚の半導体基板のランプ加熱は終了する。
１枚の半導体基板のランプ加熱は終了する。
この場合、ランプ加熱は半導体基板の上方にだけあって
も良いし、第２図のように半導体基板の両面にあっても
よい。
も良いし、第２図のように半導体基板の両面にあっても
よい。
１枚の半導体基板の加熱が終了すると、次の半導体基板
を順次、ランプ光のもとに挿入することにより、効率的
にランプ加熱が可能となる。
を順次、ランプ光のもとに挿入することにより、効率的
にランプ加熱が可能となる。
発明の効果
本発明によシ、ランプ加熱による半導体基板の熱処理が
効率的に行なえ、高集積、高機能の半導体素子の製造に
寄与するものである。
効率的に行なえ、高集積、高機能の半導体素子の製造に
寄与するものである。
第１図は本発明の一実施例によるランプ加熱装置の要部
概略平面図、第２図ａ、ｂは第１図における装置の概略
断面図、第３図は従来のランプ加熱装置の概略断面図で
ある。 １１・・・・・・半導体基板、１２・・・・・・ランプ
、１３・・・・・・反射板、１４・・・・・・ランプ光
。
概略平面図、第２図ａ、ｂは第１図における装置の概略
断面図、第３図は従来のランプ加熱装置の概略断面図で
ある。 １１・・・・・・半導体基板、１２・・・・・・ランプ
、１３・・・・・・反射板、１４・・・・・・ランプ光
。
Claims (1)
- 半導体基板に対し所定の位置関係で配置された少なくと
も１本のランプと、前記ランプと半導体基板のどちらか
一方を一方向に動かせる手段を有し、前記半導体基板に
前記ランプの光を照射するように構成したランプ加熱装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6153387A JPS63227015A (ja) | 1987-03-17 | 1987-03-17 | ランプ加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6153387A JPS63227015A (ja) | 1987-03-17 | 1987-03-17 | ランプ加熱装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63227015A true JPS63227015A (ja) | 1988-09-21 |
Family
ID=13173837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6153387A Pending JPS63227015A (ja) | 1987-03-17 | 1987-03-17 | ランプ加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63227015A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5367606A (en) * | 1992-04-16 | 1994-11-22 | Texas Instruments Incorporated | Multi-zone illuminator with embedded process control sensors |
| US6437366B1 (en) | 1993-08-12 | 2002-08-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Insulated gate semiconductor device and process for fabricating the same |
| US6500703B1 (en) | 1993-08-12 | 2002-12-31 | Semicondcutor Energy Laboratory Co., Ltd. | Insulated gate semiconductor device and process for fabricating the same |
-
1987
- 1987-03-17 JP JP6153387A patent/JPS63227015A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5367606A (en) * | 1992-04-16 | 1994-11-22 | Texas Instruments Incorporated | Multi-zone illuminator with embedded process control sensors |
| US6437366B1 (en) | 1993-08-12 | 2002-08-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Insulated gate semiconductor device and process for fabricating the same |
| US6500703B1 (en) | 1993-08-12 | 2002-12-31 | Semicondcutor Energy Laboratory Co., Ltd. | Insulated gate semiconductor device and process for fabricating the same |
| US7381598B2 (en) | 1993-08-12 | 2008-06-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Insulated gate semiconductor device and process for fabricating the same |
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