JP5898258B2 - 熱処理装置 - Google Patents
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims description 119
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 93
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 93
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 59
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 23
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 19
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 171
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 54
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 47
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 34
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 26
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 18
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 11
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 9
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 9
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 5
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 4
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 1
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
図1は、本発明の第1実施形態に係る熱処理装置1の構成を示す縦断面図である。本実施形態の熱処理装置1は、基板としてφ300mmの円板形状の半導体ウェハーWに対してフラッシュ光照射を行うことによってその半導体ウェハーWを加熱するフラッシュランプアニール装置である。熱処理装置1に搬入される前の半導体ウェハーWには不純物が注入されており、熱処理装置1による加熱処理によって注入された不純物の活性化処理が実行される。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。図13は、第2実施形態における補助照射部40の構成を示す図である。図13において、図9と同一の要素については同一の符号を付している。第2実施形態の補助照射部40は、第1実施形態の構成に加えてカム機構を備えている。すなわち、第2実施形態の補助照射部40は、回転モータ44に固設された従動節47および従動節47に当接するカム46を備える。なお、第2実施形態の熱処理装置1の構成は、補助照射部40にカム機構を備えている点を除いては第1実施形態と同様である。また、熱処理装置1における半導体ウェハーWの処理手順も第1実施形態と概ね同じである。
次に、本発明の第3実施形態について説明する。図15は、第3実施形態における補助照射部40の構成を示す図である。図15において、図9と同一の要素については同一の符号を付している。第3実施形態の補助照射部40は、第1,2実施形態のレーザ光出射部45に代えて、ガルバノミラー49を備えている。ガルバノミラー49は、2枚のミラーを個別に駆動電圧に応じた量だけ回動させることによって、入射されたレーザ光を反射しつつ2次元面内で(XY方向に)走査させることができる。なお、第3実施形態の熱処理装置1の構成は、補助照射部40がレーザ光出射部45に代えてガルバノミラー49を備えている点を除いては第1実施形態と同様である。また、熱処理装置1における半導体ウェハーWの処理手順も第1実施形態と概ね同じである。
次に、本発明の第4実施形態について説明する。図16は、第4実施形態における補助照射部40の構成を示す図である。図16において、図9と同一の要素については同一の符号を付している。第4実施形態の補助照射部40は、半導体ウェハーWの裏面周縁部に向けてアーク光を照射する。なお、第4実施形態の熱処理装置1の構成は、補助照射部40の構成を除いて第1実施形態と同様である。また、熱処理装置1における半導体ウェハーWの処理手順も第1実施形態と概ね同じである。
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記第2実施形態においては、カム機構によってレーザ光出射部45を上下動させるようにしていたが、これに限定されるものではなく、エアシリンダーやアクチュエータなどの他の昇降駆動機構によってレーザ光出射部45を鉛直方向に沿って往復移動させるようにしても良い。
2 シャッター機構
3 制御部
4 ハロゲン加熱部
5 フラッシュ加熱部
6 チャンバー
7 保持部
10 移載機構
40 補助照射部
41 レーザユニット
42 光ファイバー
43,144 レンズ
44 回転モータ
45 レーザ光出射部
45a 投光部
45b 導光部
46 カム
47 従動節
49 ガルバノミラー
63 上側チャンバー窓
64 下側チャンバー窓
65 熱処理空間
70 サセプタ
74 保持プレート
91 トリガー電極
141 アークランプ
142 楕円ミラー
143 反射板
FL フラッシュランプ
HL ハロゲンランプ
LP 照射スポット
W 半導体ウェハー
Claims (1)
- 基板に対してフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
基板を水平姿勢にて下方より保持する保持手段と、
前記保持手段に保持された基板に下方から光照射を行って予備加熱するハロゲンランプと、
前記保持手段に保持された基板に上方よりフラッシュ光を照射するフラッシュランプと、
前記保持手段に保持された基板の周縁部に向けて円環状にアーク光を照射する補助照射手段と、
を備え、
前記保持手段は石英にて形成され、
前記補助照射手段は、
楕円ミラーと、
前記楕円ミラーの内側の第一焦点位置に設置され、アーク光を放射するアークランプと、
前記楕円ミラーの外側の第二焦点位置に設置されたレンズと、
前記楕円ミラーの内側であって前記楕円ミラーの開口中央部に配置された反射板と、
を備え、
前記アークランプから放射されて前記楕円ミラーで反射された反射光のうち前記反射板と前記楕円ミラーの内面との隙間を通過した反射光が前記第二焦点位置に集光されることを特徴とする熱処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014094564A JP5898258B2 (ja) | 2014-05-01 | 2014-05-01 | 熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014094564A JP5898258B2 (ja) | 2014-05-01 | 2014-05-01 | 熱処理装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010207599A Division JP5558985B2 (ja) | 2010-09-16 | 2010-09-16 | 熱処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014160861A JP2014160861A (ja) | 2014-09-04 |
JP5898258B2 true JP5898258B2 (ja) | 2016-04-06 |
Family
ID=51612298
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014094564A Active JP5898258B2 (ja) | 2014-05-01 | 2014-05-01 | 熱処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5898258B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6554328B2 (ja) | 2015-05-29 | 2019-07-31 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置 |
US11938563B2 (en) | 2016-10-20 | 2024-03-26 | Jsw Aktina System Co., Ltd. | Annealed workpiece manufacturing method, laser anneal base stage, and laser anneal processing apparatus |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61161710A (ja) * | 1985-01-11 | 1986-07-22 | Seiko Epson Corp | 化合物半導体薄膜の製造法 |
JPS63260018A (ja) * | 1987-04-17 | 1988-10-27 | Hitachi Ltd | ランプアニ−ル装置 |
JPH08248348A (ja) * | 1995-03-08 | 1996-09-27 | Mejiro Precision:Kk | 集光光学照明装置 |
JPH09275077A (ja) * | 1996-04-05 | 1997-10-21 | Hitachi Ltd | 処理方法及びその装置並びにcvd成膜方法及びその装置 |
JPH10241437A (ja) * | 1997-02-27 | 1998-09-11 | Canon Inc | 光源装置、照明系及び画像投射装置 |
EP0864897A3 (en) * | 1997-02-27 | 1998-10-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Light source device, illuminating system and image projecting apparatus |
JPH10311962A (ja) * | 1997-05-14 | 1998-11-24 | Sony Corp | 光源装置 |
US6376806B2 (en) * | 2000-05-09 | 2002-04-23 | Woo Sik Yoo | Flash anneal |
JP2009164451A (ja) * | 2008-01-09 | 2009-07-23 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
JP5497992B2 (ja) * | 2008-03-25 | 2014-05-21 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 熱処理装置 |
-
2014
- 2014-05-01 JP JP2014094564A patent/JP5898258B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014160861A (ja) | 2014-09-04 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150416 |
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