JP5701651B2 - 熱処理方法および熱処理装置 - Google Patents
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Description
図1は、本発明に係る熱処理装置1の構成を示す縦断面図である。本実施形態の熱処理装置1は、基板としてφ300mmの円板形状の半導体ウェハーWに対してフラッシュ光照射を行うことによってその半導体ウェハーWを加熱するフラッシュランプアニール装置である。熱処理装置1に搬入される前の半導体ウェハーWには不純物が注入されており、熱処理装置1による加熱処理によって注入された不純物の活性化処理が実行される。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。第2実施形態の熱処理装置の構成は第1実施形態と全く同じである。また、第2実施形態における半導体ウェハーWの処理手順についても概ね第1実施形態と同様(図9参照)であり、複数回のフラッシュ光照射を行う。
次に、本発明の第3実施形態について説明する。第3実施形態の熱処理装置の構成は第1実施形態と全く同じである。また、第3実施形態における半導体ウェハーWの処理手順についても概ね第1実施形態と同様(図9参照)であり、複数回のフラッシュ光照射を行う。
次に、本発明の第4実施形態について説明する。第4実施形態の熱処理装置の構成は第1実施形態と全く同じである。また、第4実施形態における半導体ウェハーWの処理手順についても概ね第1実施形態と同様(図9参照)であり、複数回(第4実施形態では少なくとも3回以上)のフラッシュ光照射を行う。
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記各実施形態においては、パルス発生器31から出力するパルス信号がオンになる毎にそのタイミングと同期してトリガー電極91に高電圧を印加するようにしていたが、これに限定されるものではなく、最初にパルス信号がオンになるときのみトリガー電極91に高電圧を印加するようにしても良い。このようにする場合、フラッシュ光照射の間に小刻みにIGBT96をオンオフ駆動させて小さなフラッシュを繰り返し発生させることにより、フラッシュランプFLに弱い電流を流し続けるようにしておいた方が、次のフラッシュ光照射時にフラッシュランプFLを確実に発光させることができる。もっとも、フラッシュ光照射の間隔(非照射時間)が10ミリ秒以内程度であれば、微弱電流を流し続けなくても次にIGBT96がオン状態となってコンデンサ93とフラッシュランプFLとを接続するだけでフラッシュランプFLを再発光させることが可能な場合もある。
2 シャッター機構
3 制御部
4 ハロゲン加熱部
5 フラッシュ加熱部
6 チャンバー
7 保持部
10 移載機構
21 シャッター板
22 スライド駆動機構
31 パルス発生器
32 波形設定部
33 入力部
61 チャンバー側部
62 凹部
63 上側チャンバー窓
64 下側チャンバー窓
65 熱処理空間
74 サセプター
91 トリガー電極
92 ガラス管
93 コンデンサ
94 コイル
96 IGBT
97 トリガー回路
FL フラッシュランプ
HL ハロゲンランプ
W 半導体ウェハー
Claims (4)
- 基板に対してフラッシュ光をn回(nは3以上の整数)照射することによって該基板を加熱する熱処理方法であって、
コンデンサに蓄積された電荷をフラッシュランプで放電させることによって基板に対してi回目(iは(n−2)以下の自然数)のフラッシュ光照射を行ってから前記コンデンサに残留している電荷を前記フラッシュランプで放電させることによって(i+1)回目のフラッシュ光照射を行うまでの非照射時間よりも、(i+1)回目のフラッシュ光照射を行ってから前記コンデンサに残留している電荷を前記フラッシュランプでさらに放電させることによって(i+2)回目のフラッシュ光照射を行うまでの非照射時間の方が短いことを特徴とする熱処理方法。 - 基板に対してフラッシュ光をn回(nは3以上の整数)照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内にて基板を保持する保持手段と、
前記保持手段に保持された基板にフラッシュ光を照射するフラッシュランプと、
前記フラッシュランプが発光するための電荷を蓄積するコンデンサと、
前記コンデンサと前記フラッシュランプとの接続を断続して前記フラッシュランプの発光を制御する発光制御手段と、
を備え、
前記発光制御手段は、前記フラッシュランプからi回目(iは(n−2)以下の自然数)のフラッシュ光照射を行ってから(i+1)回目のフラッシュ光照射を行うまでの非照射時間よりも、(i+1)回目のフラッシュ光照射を行ってから(i+2)回目のフラッシュ光照射を行うまでの非照射時間の方が短くなるように前記フラッシュランプの発光を制御することを特徴とする熱処理装置。 - 請求項2記載の熱処理装置において、
前記発光制御手段は、前記フラッシュランプ、前記コンデンサおよびコイルと直列に接続されたスイッチング素子を備えることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項3記載の熱処理装置において、
前記スイッチング素子は、絶縁ゲートバイポーラトランジスタであることを特徴とする熱処理装置。
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