JP2018029128A - ドーパント導入方法 - Google Patents
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
3 制御部
4 ハロゲン加熱部
5 フラッシュ加熱部
6 チャンバー
7 保持部
65 熱処理空間
74 サセプタ
75 保持プレート
77 基板支持ピン
93 コンデンサ
95 電源ユニット
96 IGBT
106 ゲルマニウム原子
107 空孔
108 ボロン
120 放射温度計
FL フラッシュランプ
HL ハロゲンランプ
W 半導体ウェハー
Claims (5)
- 半導体基板にドーパントを注入して活性化させるドーパント導入方法であって、
半導体基板の表面にイオン注入を行って当該表面の結晶中に空孔を形成する空孔形成工程と、
前記半導体基板の表面にドーパントを注入するドーパント注入工程と、
前記半導体基板の表面を加熱して前記ドーパントを活性化させるアニール工程と、
を備えることを特徴とするドーパント導入方法。 - 請求項1記載のドーパント導入方法において、
前記空孔形成工程でのイオン注入のドーズ量は、前記ドーパント注入工程にて前記ドーパントが注入される前記半導体基板の表面からの深さ位置がアモルファス化されるドーズ量未満とすることを特徴とするドーパント導入方法。 - 請求項1または請求項2記載のドーパント導入方法において、
前記空孔形成工程でのイオン注入にて前記ドーパントを前記半導体基板の表面に注入して前記空孔形成工程と前記ドーパント注入工程とを並行して行うことを特徴とするドーパント導入方法。 - 請求項1から請求項3のいずれかに記載のドーパント導入方法において、
前記半導体基板は、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウムまたはシリコンにて形成されることを特徴とするドーパント導入方法。 - 請求項1から請求項4のいずれかに記載のドーパント導入方法において、
前記アニール工程では、前記半導体基板の表面にフラッシュランプからフラッシュ光を照射して当該表面を加熱することを特徴とするドーパント導入方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11695046B2 (en) | 2020-12-07 | 2023-07-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device with reduced contact resistance |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6190429A (ja) * | 1984-10-09 | 1986-05-08 | Sharp Corp | 接合層形成方法 |
JPS62259435A (ja) * | 1986-05-02 | 1987-11-11 | Nec Corp | アニ−ル方法及びアニ−ル装置 |
JPH03174721A (ja) * | 1989-09-08 | 1991-07-29 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH0594958A (ja) * | 1991-10-02 | 1993-04-16 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH05275362A (ja) * | 1992-03-25 | 1993-10-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH08181085A (ja) * | 1994-12-21 | 1996-07-12 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2000349039A (ja) * | 1999-06-02 | 2000-12-15 | Nec Corp | 浅い拡散層を有する半導体装置の製造方法 |
JP2003347234A (ja) * | 2002-05-27 | 2003-12-05 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | Iii族窒化物膜の製造方法 |
JP2004186677A (ja) * | 2002-11-07 | 2004-07-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体素子の評価方法、当該半導体素子の作製方法、当該半導体素子を有するデバイスの設計管理システム、当該半導体素子へのドーズ量制御プログラム、当該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体、及びドーズ量制御装置 |
JP2007500433A (ja) * | 2003-07-28 | 2007-01-11 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 半導体基板におけるドーパントの拡散を低速化する方法およびこれにより製造されたデバイス |
JP2009181977A (ja) * | 2008-01-29 | 2009-08-13 | Toshiba Corp | 半導体装置および半導体の製造方法。 |
JP2009182109A (ja) * | 2008-01-30 | 2009-08-13 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2010021525A (ja) * | 2008-06-13 | 2010-01-28 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2013120823A (ja) * | 2011-12-07 | 2013-06-17 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理方法および熱処理装置 |
-
2016
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Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6190429A (ja) * | 1984-10-09 | 1986-05-08 | Sharp Corp | 接合層形成方法 |
JPS62259435A (ja) * | 1986-05-02 | 1987-11-11 | Nec Corp | アニ−ル方法及びアニ−ル装置 |
JPH03174721A (ja) * | 1989-09-08 | 1991-07-29 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH0594958A (ja) * | 1991-10-02 | 1993-04-16 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH05275362A (ja) * | 1992-03-25 | 1993-10-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH08181085A (ja) * | 1994-12-21 | 1996-07-12 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2000349039A (ja) * | 1999-06-02 | 2000-12-15 | Nec Corp | 浅い拡散層を有する半導体装置の製造方法 |
JP2003347234A (ja) * | 2002-05-27 | 2003-12-05 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | Iii族窒化物膜の製造方法 |
JP2004186677A (ja) * | 2002-11-07 | 2004-07-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体素子の評価方法、当該半導体素子の作製方法、当該半導体素子を有するデバイスの設計管理システム、当該半導体素子へのドーズ量制御プログラム、当該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体、及びドーズ量制御装置 |
JP2007500433A (ja) * | 2003-07-28 | 2007-01-11 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 半導体基板におけるドーパントの拡散を低速化する方法およびこれにより製造されたデバイス |
JP2009181977A (ja) * | 2008-01-29 | 2009-08-13 | Toshiba Corp | 半導体装置および半導体の製造方法。 |
JP2009182109A (ja) * | 2008-01-30 | 2009-08-13 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2010021525A (ja) * | 2008-06-13 | 2010-01-28 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2013120823A (ja) * | 2011-12-07 | 2013-06-17 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理方法および熱処理装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11695046B2 (en) | 2020-12-07 | 2023-07-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device with reduced contact resistance |
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