JP2018098314A

JP2018098314A - シリコン基板の熱処理方法

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Publication number: JP2018098314A
Application number: JP2016240057A
Authority: JP
Inventors: 和彦布施; Kazuhiko Fuse; 英昭谷村; Hideaki TANIMURA; 加藤　慎一; Shinichi Kato; 慎一加藤
Original assignee: Screen Holdings Co Ltd
Current assignee: Screen Holdings Co Ltd
Priority date: 2016-12-12
Filing date: 2016-12-12
Publication date: 2018-06-21
Anticipated expiration: 2036-12-12
Also published as: JP6810591B2

Abstract

【課題】シリコン基板の表面には酸素析出物が存在せず、かつ、シリコン基板の内部には酸素析出物を高密度で存在させることができるシリコン基板の熱処理方法を提供する。【解決手段】チョクラルスキー法によって作製されたシリコン単結晶のインゴットからシリコン基板を切り出す。そのシリコン基板をハロゲンランプからの光照射によって第１ピーク温度Ｔｓに急速加熱した後、第１ピーク温度Ｔｓから冷却温度Ｔａに降温させることによって、シリコン基板の全体にて酸素析出物を発生させて均一に高密度化させる。そして、そのシリコン基板に０．１ミリ秒以上１０ミリ秒以下の照射時間にてフラッシュランプからフラッシュ光を照射してシリコン基板の表面を第２ピーク温度Ｔｐに瞬間的に加熱することによって、シリコン基板の表面のみから酸素析出物を消滅させる。【選択図】図９

Description

本発明は、シリコン基板における欠陥を制御するための熱処理方法に関する。

半導体用途のシリコン基板の大半はチョクラルスキー法（Ｃｚ法）によって作製されたシリコン単結晶のインゴットからスライスして製造される。チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を成長させる際、石英るつぼの表面から溶融シリコン中に酸素が溶け出すことが知られている。そして、溶融シリコン中に取り込まれた酸素は、シリコン単結晶が冷却される過程で過飽和状態となり、凝集して酸素析出物（ＢＭＤ:Bulk Micro Defectともいう）を形成する。シリコン単結晶のインゴットから切り出された時点でのシリコン基板中では酸素析出物の密度も低く、デバイス特性に与える影響は小さい。

しかしながら、周知の通り、半導体デバイスの製造工程ではシリコン基板に種々の熱処理が繰り返し施され、その過程で酸素析出物が高密度化することがある。特許文献１，２には、酸素析出物がデバイス活性領域であるシリコン基板の表面に発生すると、接合リーク等のデバイス特性に悪影響を及ぼすが、一方でデバイス活性領域以外のバルクに存在すると、デバイスプロセス中に混入した金属不純物を捕獲するゲッタリングサイトとして機能するため有効であることが開示されている。

国際公開第２０１２／００８０８７号国際公開第２０１２／１１４６５９号

このため、シリコン基板の表面近傍には酸素析出物が存在せず、かつ、シリコン基板の表面を除く内部には酸素析出物が高密度で存在することが好ましい。しかし、スパイクＲＴＡ(Rapid Thermal Annealing)等の従来の熱処理プロセスでは、酸素析出物をシリコン基板中に上述の如く偏って存在するように制御することは困難であった。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、シリコン基板の表面には酸素析出物が存在せず、かつ、シリコン基板の内部には酸素析出物を高密度で存在させることができるシリコン基板の熱処理方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、請求項１の発明は、シリコン基板の熱処理方法において、ハロゲンランプからの光照射によって前記シリコン基板を第１の温度に加熱する第１加熱工程と、前記ハロゲンランプを消灯または前記ハロゲンランプの出力を低下させて前記シリコン基板を前記第１の温度よりも低い第２の温度に降温させて前記シリコン基板内に酸素析出物を発生させる降温工程と、前記シリコン基板にフラッシュランプからフラッシュ光を照射して前記シリコン基板の表面を前記第２の温度よりも高い第３の温度に加熱して前記シリコン基板の表面から前記酸素析出物を消滅させる第２加熱工程と、を備えることを特徴とする。

また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係るシリコン基板の熱処理方法において、前記第２加熱工程におけるフラッシュ光の照射時間は０．１ミリ秒以上１０ミリ秒以下であることを特徴とする。

また、請求項３の発明は、請求項１または請求項２の発明に係るシリコン基板の熱処理方法において、前記第１加熱工程の前に、前記シリコン基板を収容するチャンバー内を１３３３０Ｐａ以下にまで減圧する減圧工程をさらに備えることを特徴とする。

また、請求項４の発明は、請求項１または請求項２の発明に係るシリコン基板の熱処理方法において、前記第２加熱工程の前に、前記シリコン基板を収容するチャンバー内に供給する窒素ガスの流量を増大させることを特徴とする。

請求項１から請求項４の発明によれば、ハロゲンランプからの光照射によって第１の温度に加熱したシリコン基板を第２の温度に降温させてシリコン基板内に酸素析出物を発生させ、当該シリコン基板にフラッシュ光を照射してシリコン基板の表面を第３の温度に加熱してシリコン基板の表面から酸素析出物を消滅させているため、シリコン基板の表面には酸素析出物が存在せず、かつ、シリコン基板の内部には酸素析出物を高密度で存在させることができる。

特に、請求項３の発明によれば、第１加熱工程の前に、シリコン基板を収容するチャンバー内を１３３３０Ｐａ以下にまで減圧するため、シリコン基板の表面から外方拡散した酸素析出物がシリコン基板の表面に再付着するのを防止することができる。

特に、請求項４の発明によれば、第２加熱工程の前に、シリコン基板を収容するチャンバー内に供給する窒素ガスの流量を増大させるため、シリコン基板の表面から外方拡散した酸素析出物がシリコン基板の表面に再付着するのを防止することができる。

本発明に係るシリコン基板の熱処理方法に使用する熱処理装置の構成を示す縦断面図である。保持部の全体外観を示す斜視図である。サセプタの平面図である。サセプタの断面図である。移載機構の平面図である。移載機構の側面図である。複数のハロゲンランプの配置を示す平面図である。フラッシュランプの駆動回路を示す図である。第１実施形態におけるシリコン基板の表面温度の変化を示す図である。熱処理前のシリコン基板中に存在する酸素析出物を模式的に示す図である。冷却温度にまで冷却されたシリコン基板中に存在する酸素析出物を模式的に示す図である。フラッシュ加熱後のシリコン基板中に存在する酸素析出物を模式的に示す図である。

以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。

＜第１実施形態＞
まず、本発明に係るシリコン基板の熱処理方法を実施するための熱処理装置について説明する。図１は、本発明に係るシリコン基板の熱処理方法に使用する熱処理装置１の構成を示す縦断面図である。図１の熱処理装置１は、基板として円板形状のシリコン基板Ｗに対してフラッシュ光照射を行うことによってそのシリコン基板Ｗを加熱するフラッシュランプアニール装置である。処理対象となるシリコン基板Ｗのサイズは特に限定されるものではないが、例えばφ３００ｍｍやφ４５０ｍｍである。なお、図１および以降の各図においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。

熱処理装置１は、シリコン基板Ｗを収容するチャンバー６と、複数のフラッシュランプＦＬを内蔵するフラッシュ加熱部５と、複数のハロゲンランプＨＬを内蔵するハロゲン加熱部４と、を備える。チャンバー６の上側にフラッシュ加熱部５が設けられるとともに、下側にハロゲン加熱部４が設けられている。また、熱処理装置１は、チャンバー６の内部に、シリコン基板Ｗを水平姿勢に保持する保持部７と、保持部７と装置外部との間でシリコン基板Ｗの受け渡しを行う移載機構１０と、を備える。さらに、熱処理装置１は、ハロゲン加熱部４、フラッシュ加熱部５およびチャンバー６に設けられた各動作機構を制御してシリコン基板Ｗの熱処理を実行させる制御部３を備える。

チャンバー６は、筒状のチャンバー側部６１の上下に石英製のチャンバー窓を装着して構成されている。チャンバー側部６１は上下が開口された概略筒形状を有しており、上側開口には上側チャンバー窓６３が装着されて閉塞され、下側開口には下側チャンバー窓６４が装着されて閉塞されている。チャンバー６の天井部を構成する上側チャンバー窓６３は、石英により形成された円板形状部材であり、フラッシュ加熱部５から出射されたフラッシュ光をチャンバー６内に透過する石英窓として機能する。また、チャンバー６の床部を構成する下側チャンバー窓６４も、石英により形成された円板形状部材であり、ハロゲン加熱部４からの光をチャンバー６内に透過する石英窓として機能する。

また、チャンバー側部６１の内側の壁面の上部には反射リング６８が装着され、下部には反射リング６９が装着されている。反射リング６８，６９は、ともに円環状に形成されている。上側の反射リング６８は、チャンバー側部６１の上側から嵌め込むことによって装着される。一方、下側の反射リング６９は、チャンバー側部６１の下側から嵌め込んで図示省略のビスで留めることによって装着される。すなわち、反射リング６８，６９は、ともに着脱自在にチャンバー側部６１に装着されるものである。チャンバー６の内側空間、すなわち上側チャンバー窓６３、下側チャンバー窓６４、チャンバー側部６１および反射リング６８，６９によって囲まれる空間が熱処理空間６５として規定される。

チャンバー側部６１に反射リング６８，６９が装着されることによって、チャンバー６の内壁面に凹部６２が形成される。すなわち、チャンバー側部６１の内壁面のうち反射リング６８，６９が装着されていない中央部分と、反射リング６８の下端面と、反射リング６９の上端面とで囲まれた凹部６２が形成される。凹部６２は、チャンバー６の内壁面に水平方向に沿って円環状に形成され、シリコン基板Ｗを保持する保持部７を囲繞する。チャンバー側部６１および反射リング６８，６９は、強度と耐熱性に優れた金属材料（例えば、ステンレススチール）にて形成されている。

また、チャンバー側部６１には、チャンバー６に対してシリコン基板Ｗの搬入および搬出を行うための搬送開口部（炉口）６６が形設されている。搬送開口部６６は、ゲートバルブ１８５によって開閉可能とされている。搬送開口部６６は凹部６２の外周面に連通接続されている。このため、ゲートバルブ１８５が搬送開口部６６を開放しているときには、搬送開口部６６から凹部６２を通過して熱処理空間６５へのシリコン基板Ｗの搬入および熱処理空間６５からのシリコン基板Ｗの搬出を行うことができる。また、ゲートバルブ１８５が搬送開口部６６を閉鎖するとチャンバー６内の熱処理空間６５が密閉空間とされる。

また、チャンバー６の内壁上部には熱処理空間６５に処理ガスを供給するガス供給孔８１が形設されている。ガス供給孔８１は、凹部６２よりも上側位置に形設されており、反射リング６８に設けられていても良い。ガス供給孔８１はチャンバー６の側壁内部に円環状に形成された緩衝空間８２を介してガス供給管８３に連通接続されている。ガス供給管８３は処理ガス供給源８５に接続されている。また、ガス供給管８３の経路途中にはバルブ８４が介挿されている。バルブ８４が開放されると、処理ガス供給源８５から緩衝空間８２に処理ガスが送給される。緩衝空間８２に流入した処理ガスは、ガス供給孔８１よりも流体抵抗の小さい緩衝空間８２内を拡がるように流れてガス供給孔８１から熱処理空間６５内へと供給される。処理ガスとしては、例えば窒素（Ｎ_２）等の不活性ガス、または、水素（Ｈ_２）、アンモニア（ＮＨ_３）等の反応性ガス、或いはそれらを混合した混合ガスを用いることができる（本実施形態では窒素ガス）。

一方、チャンバー６の内壁下部には熱処理空間６５内の気体を排気するガス排気孔８６が形設されている。ガス排気孔８６は、凹部６２よりも下側位置に形設されており、反射リング６９に設けられていても良い。ガス排気孔８６はチャンバー６の側壁内部に円環状に形成された緩衝空間８７を介してガス排気管８８に連通接続されている。ガス排気管８８は排気部１９０に接続されている。また、ガス排気管８８の経路途中にはバルブ８９が介挿されている。バルブ８９が開放されると、熱処理空間６５の気体がガス排気孔８６から緩衝空間８７を経てガス排気管８８へと排出される。なお、ガス供給孔８１およびガス排気孔８６は、チャンバー６の周方向に沿って複数設けられていても良いし、スリット状のものであっても良い。

また、搬送開口部６６の先端にも熱処理空間６５内の気体を排出するガス排気管１９１が接続されている。ガス排気管１９１はバルブ１９２を介して排気部１９０に接続されている。バルブ１９２を開放することによって、搬送開口部６６を介してチャンバー６内の気体が排気される。

排気部１９０としては、真空ポンプや熱処理装置１が設置される工場の排気ユーティリティを用いることができる。排気部１９０として真空ポンプを採用し、バルブ８４を閉止してガス供給孔８１から何らのガス供給を行うことなく密閉空間である熱処理空間６５の雰囲気を排気すると、チャンバー６内を真空雰囲気にまで減圧することができる。また、排気部１９０として真空ポンプを用いていない場合であっても、ガス供給孔８１からガス供給を行うことなく排気を行うことにより、チャンバー６内を大気圧未満の気圧に減圧することができる。

図２は、保持部７の全体外観を示す斜視図である。保持部７は、基台リング７１、連結部７２およびサセプタ７４を備えて構成される。基台リング７１、連結部７２およびサセプタ７４はいずれも石英にて形成されている。すなわち、保持部７の全体が石英にて形成されている。

基台リング７１は円環形状から一部が欠落した円弧形状の石英部材である。この欠落部分は、後述する移載機構１０の移載アーム１１と基台リング７１との干渉を防ぐために設けられている。基台リング７１は凹部６２の底面に載置されることによって、チャンバー６の壁面に支持されることとなる（図１参照）。基台リング７１の上面に、その円環形状の周方向に沿って複数の連結部７２（本実施形態では４個）が立設される。連結部７２も石英の部材であり、溶接によって基台リング７１に固着される。

サセプタ７４は基台リング７１に設けられた４個の連結部７２によって支持される。図３は、サセプタ７４の平面図である。また、図４は、サセプタ７４の断面図である。サセプタ７４は、保持プレート７５、ガイドリング７６および複数の基板支持ピン７７を備える。保持プレート７５は、石英にて形成された略円形の平板状部材である。保持プレート７５の直径はシリコン基板Ｗの直径よりも大きい。すなわち、保持プレート７５は、シリコン基板Ｗよりも大きな平面サイズを有する。

保持プレート７５の上面周縁部にガイドリング７６が設置されている。ガイドリング７６は、シリコン基板Ｗの直径よりも大きな内径を有する円環形状の部材である。例えば、シリコン基板Ｗの直径がφ３００ｍｍの場合、ガイドリング７６の内径はφ３２０ｍｍである。ガイドリング７６の内周は、保持プレート７５から上方に向けて広くなるようなテーパ面とされている。ガイドリング７６は、保持プレート７５と同様の石英にて形成される。ガイドリング７６は、保持プレート７５の上面に溶着するようにしても良いし、別途加工したピンなどによって保持プレート７５に固定するようにしても良い。或いは、保持プレート７５とガイドリング７６とを一体の部材として加工するようにしても良い。

保持プレート７５の上面のうちガイドリング７６よりも内側の領域がシリコン基板Ｗを保持する平面状の保持面７５ａとされる。保持プレート７５の保持面７５ａには、複数の基板支持ピン７７が立設されている。本実施形態においては、保持面７５ａの外周円（ガイドリング７６の内周円）と同心円の周上に沿って３０°毎に計１２個の基板支持ピン７７が立設されている。１２個の基板支持ピン７７を配置した円の径（対向する基板支持ピン７７間の距離）はシリコン基板Ｗの径よりも小さく、シリコン基板Ｗの径がφ３００ｍｍであればφ２７０ｍｍ〜φ２８０ｍｍ（本実施形態ではφ２７０ｍｍ）である。それぞれの基板支持ピン７７は石英にて形成されている。複数の基板支持ピン７７は、保持プレート７５の上面に溶接によって設けるようにしても良いし、保持プレート７５と一体に加工するようにしても良い。

図２に戻り、基台リング７１に立設された４個の連結部７２とサセプタ７４の保持プレート７５の周縁部とが溶接によって固着される。すなわち、サセプタ７４と基台リング７１とは連結部７２によって固定的に連結されている。このような保持部７の基台リング７１がチャンバー６の壁面に支持されることによって、保持部７がチャンバー６に装着される。保持部７がチャンバー６に装着された状態においては、サセプタ７４の保持プレート７５は水平姿勢（法線が鉛直方向と一致する姿勢）となる。すなわち、保持プレート７５の保持面７５ａは水平面となる。

チャンバー６に搬入されたシリコン基板Ｗは、チャンバー６に装着された保持部７のサセプタ７４の上に水平姿勢にて載置されて保持される。このとき、シリコン基板Ｗは保持プレート７５上に立設された１２個の基板支持ピン７７によって支持されてサセプタ７４に保持される。より厳密には、１２個の基板支持ピン７７の上端部がシリコン基板Ｗの下面に接触して当該シリコン基板Ｗを支持する。１２個の基板支持ピン７７の高さ（基板支持ピン７７の上端から保持プレート７５の保持面７５ａまでの距離）は均一であるため、１２個の基板支持ピン７７によってシリコン基板Ｗを水平姿勢に支持することができる。

また、シリコン基板Ｗは複数の基板支持ピン７７によって保持プレート７５の保持面７５ａから所定の間隔を隔てて支持されることとなる。基板支持ピン７７の高さよりもガイドリング７６の厚さの方が大きい。従って、複数の基板支持ピン７７によって支持されたシリコン基板Ｗの水平方向の位置ずれはガイドリング７６によって防止される。

また、図２および図３に示すように、サセプタ７４の保持プレート７５には、上下に貫通して開口部７８が形成されている。開口部７８は、放射温度計１２０（図１参照）がサセプタ７４に保持されたシリコン基板Ｗの下面から放射される放射光（赤外光）を受光するために設けられている。すなわち、放射温度計１２０が開口部７８を介してサセプタ７４に保持されたシリコン基板Ｗの下面から放射された光を受光し、別置のディテクタによってそのシリコン基板Ｗの温度が測定される。さらに、サセプタ７４の保持プレート７５には、後述する移載機構１０のリフトピン１２がシリコン基板Ｗの受け渡しのために貫通する４個の貫通孔７９が穿設されている。

図５は、移載機構１０の平面図である。また、図６は、移載機構１０の側面図である。移載機構１０は、２本の移載アーム１１を備える。移載アーム１１は、概ね円環状の凹部６２に沿うような円弧形状とされている。それぞれの移載アーム１１には２本のリフトピン１２が立設されている。各移載アーム１１は水平移動機構１３によって回動可能とされている。水平移動機構１３は、一対の移載アーム１１を保持部７に対してシリコン基板Ｗの移載を行う移載動作位置（図５の実線位置）と保持部７に保持されたシリコン基板Ｗと平面視で重ならない退避位置（図５の二点鎖線位置）との間で水平移動させる。水平移動機構１３としては、個別のモータによって各移載アーム１１をそれぞれ回動させるものであっても良いし、リンク機構を用いて１個のモータによって一対の移載アーム１１を連動させて回動させるものであっても良い。

また、一対の移載アーム１１は、昇降機構１４によって水平移動機構１３とともに昇降移動される。昇降機構１４が一対の移載アーム１１を移載動作位置にて上昇させると、計４本のリフトピン１２がサセプタ７４に穿設された貫通孔７９（図２，３参照）を通過し、リフトピン１２の上端がサセプタ７４の上面から突き出る。一方、昇降機構１４が一対の移載アーム１１を移載動作位置にて下降させてリフトピン１２を貫通孔７９から抜き取り、水平移動機構１３が一対の移載アーム１１を開くように移動させると各移載アーム１１が退避位置に移動する。一対の移載アーム１１の退避位置は、保持部７の基台リング７１の直上である。基台リング７１は凹部６２の底面に載置されているため、移載アーム１１の退避位置は凹部６２の内側となる。なお、移載機構１０の駆動部（水平移動機構１３および昇降機構１４）が設けられている部位の近傍にも図示省略の排気機構が設けられており、移載機構１０の駆動部周辺の雰囲気がチャンバー６の外部に排出されるように構成されている。

図１に戻り、チャンバー６の上方に設けられたフラッシュ加熱部５は、筐体５１の内側に、複数本（本実施形態では３０本）のキセノンフラッシュランプＦＬからなる光源と、その光源の上方を覆うように設けられたリフレクタ５２と、を備えて構成される。また、フラッシュ加熱部５の筐体５１の底部にはランプ光放射窓５３が装着されている。フラッシュ加熱部５の床部を構成するランプ光放射窓５３は、石英により形成された板状の石英窓である。フラッシュ加熱部５がチャンバー６の上方に設置されることにより、ランプ光放射窓５３が上側チャンバー窓６３と相対向することとなる。フラッシュランプＦＬはチャンバー６の上方からランプ光放射窓５３および上側チャンバー窓６３を介して熱処理空間６５にフラッシュ光を照射する。

複数のフラッシュランプＦＬは、それぞれが長尺の円筒形状を有する棒状ランプであり、それぞれの長手方向が保持部７に保持されるシリコン基板Ｗの主面に沿って（つまり水平方向に沿って）互いに平行となるように平面状に配列されている。よって、フラッシュランプＦＬの配列によって形成される平面も水平面である。

図８は、フラッシュランプＦＬの駆動回路を示す図である。同図に示すように、コンデンサ９３と、コイル９４と、フラッシュランプＦＬと、ＩＧＢＴ（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）９６とが直列に接続されている。また、図８に示すように、制御部３は、パルス発生器３１および波形設定部３２を備えるとともに、入力部３３に接続されている。入力部３３としては、キーボード、マウス、タッチパネル等の種々の公知の入力機器を採用することができる。入力部３３からの入力内容に基づいて波形設定部３２がパルス信号の波形を設定し、その波形に従ってパルス発生器３１がパルス信号を発生する。

フラッシュランプＦＬは、その内部にキセノンガスが封入されその両端部に陽極および陰極が配設された棒状のガラス管（放電管）９２と、該ガラス管９２の外周面上に付設されたトリガー電極９１とを備える。コンデンサ９３には、電源ユニット９５によって所定の電圧が印加され、その印加電圧（充電電圧）に応じた電荷が充電される。また、トリガー電極９１にはトリガー回路９７から高電圧を印加することができる。トリガー回路９７がトリガー電極９１に電圧を印加するタイミングは制御部３によって制御される。

ＩＧＢＴ９６は、ゲート部にＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field effect transistor）を組み込んだバイポーラトランジスタであり、大電力を取り扱うのに適したスイッチング素子である。ＩＧＢＴ９６のゲートには制御部３のパルス発生器３１からパルス信号が印加される。ＩＧＢＴ９６のゲートに所定値以上の電圧（Highの電圧）が印加されるとＩＧＢＴ９６がオン状態となり、所定値未満の電圧（Lowの電圧）が印加されるとＩＧＢＴ９６がオフ状態となる。このようにして、フラッシュランプＦＬを含む駆動回路はＩＧＢＴ９６によってオンオフされる。ＩＧＢＴ９６がオンオフすることによってフラッシュランプＦＬと対応するコンデンサ９３との接続が断続され、フラッシュランプＦＬに流れる電流がオンオフ制御される。

コンデンサ９３が充電された状態でＩＧＢＴ９６がオン状態となってガラス管９２の両端電極に高電圧が印加されたとしても、キセノンガスは電気的には絶縁体であることから、通常の状態ではガラス管９２内に電気は流れない。しかしながら、トリガー回路９７がトリガー電極９１に高電圧を印加して絶縁を破壊した場合には両端電極間の放電によってガラス管９２内に電流が瞬時に流れ、そのときのキセノンの原子あるいは分子の励起によって光が放出される。

図８に示すような駆動回路は、フラッシュ加熱部５に設けられた複数のフラッシュランプＦＬのそれぞれに個別に設けられている。本実施形態では、３０本のフラッシュランプＦＬが平面状に配列されているため、それらに対応して図８に示す如き駆動回路が３０個設けられている。よって、３０本のフラッシュランプＦＬのそれぞれに流れる電流が対応するＩＧＢＴ９６によって個別にオンオフ制御されることとなる。

また、リフレクタ５２は、複数のフラッシュランプＦＬの上方にそれら全体を覆うように設けられている。リフレクタ５２の基本的な機能は、複数のフラッシュランプＦＬから出射されたフラッシュ光を熱処理空間６５の側に反射するというものである。リフレクタ５２はアルミニウム合金板にて形成されており、その表面（フラッシュランプＦＬに臨む側の面）はブラスト処理により粗面化加工が施されている。

チャンバー６の下方に設けられたハロゲン加熱部４は、筐体４１の内側に複数本（本実施形態では４０本）のハロゲンランプＨＬを内蔵している。ハロゲン加熱部４は、複数のハロゲンランプＨＬによってチャンバー６の下方から下側チャンバー窓６４を介して熱処理空間６５への光照射を行ってシリコン基板Ｗを加熱する光照射部である。

図７は、複数のハロゲンランプＨＬの配置を示す平面図である。４０本のハロゲンランプＨＬは上下２段に分けて配置されている。保持部７に近い上段に２０本のハロゲンランプＨＬが配設されるとともに、上段よりも保持部７から遠い下段にも２０本のハロゲンランプＨＬが配設されている。各ハロゲンランプＨＬは、長尺の円筒形状を有する棒状ランプである。上段、下段ともに２０本のハロゲンランプＨＬは、それぞれの長手方向が保持部７に保持されるシリコン基板Ｗの主面に沿って（つまり水平方向に沿って）互いに平行となるように配列されている。よって、上段、下段ともにハロゲンランプＨＬの配列によって形成される平面は水平面である。

また、図７に示すように、上段、下段ともに保持部７に保持されるシリコン基板Ｗの中央部に対向する領域よりも周縁部に対向する領域におけるハロゲンランプＨＬの配設密度が高くなっている。すなわち、上下段ともに、ランプ配列の中央部よりも周縁部の方がハロゲンランプＨＬの配設ピッチが短い。このため、ハロゲン加熱部４からの光照射による加熱時に温度低下が生じやすいシリコン基板Ｗの周縁部により多い光量の照射を行うことができる。

また、上段のハロゲンランプＨＬからなるランプ群と下段のハロゲンランプＨＬからなるランプ群とが格子状に交差するように配列されている。すなわち、上段に配置された２０本のハロゲンランプＨＬの長手方向と下段に配置された２０本のハロゲンランプＨＬの長手方向とが互いに直交するように計４０本のハロゲンランプＨＬが配設されている。

ハロゲンランプＨＬは、ガラス管内部に配設されたフィラメントに通電することでフィラメントを白熱化させて発光させるフィラメント方式の光源である。ガラス管の内部には、窒素やアルゴン等の不活性ガスにハロゲン元素（ヨウ素、臭素等）を微量導入した気体が封入されている。ハロゲン元素を導入することによって、フィラメントの折損を抑制しつつフィラメントの温度を高温に設定することが可能となる。したがって、ハロゲンランプＨＬは、通常の白熱電球に比べて寿命が長くかつ強い光を連続的に照射できるという特性を有する。すなわち、ハロゲンランプＨＬは少なくとも１秒以上連続して発光する連続点灯ランプである。また、ハロゲンランプＨＬは棒状ランプであるため長寿命であり、ハロゲンランプＨＬを水平方向に沿わせて配置することにより上方のシリコン基板Ｗへの放射効率が優れたものとなる。

また、ハロゲン加熱部４の筐体４１内にも、２段のハロゲンランプＨＬの下側にリフレクタ４３が設けられている（図１）。リフレクタ４３は、複数のハロゲンランプＨＬから出射された光を熱処理空間６５の側に反射する。

制御部３は、熱処理装置１に設けられた上記の種々の動作機構を制御する。制御部３のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、制御部３は、各種演算処理を行う回路であるＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭおよび制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく磁気ディスクを備えている。制御部３のＣＰＵが所定の処理プログラムを実行することによって熱処理装置１における処理が進行する。また、図８に示したように、制御部３は、パルス発生器３１および波形設定部３２を備える。上述のように、入力部３３からの入力内容に基づいて、波形設定部３２がパルス信号の波形を設定し、それに従ってパルス発生器３１がＩＧＢＴ９６のゲートにパルス信号を出力する。

上記の構成以外にも熱処理装置１は、シリコン基板Ｗの熱処理時にハロゲンランプＨＬおよびフラッシュランプＦＬから発生する熱エネルギーによるハロゲン加熱部４、フラッシュ加熱部５およびチャンバー６の過剰な温度上昇を防止するため、様々な冷却用の構造を備えている。例えば、チャンバー６の壁体には水冷管（図示省略）が設けられている。また、ハロゲン加熱部４およびフラッシュ加熱部５は、内部に気体流を形成して排熱する空冷構造とされている。また、上側チャンバー窓６３とランプ光放射窓５３との間隙にも空気が供給され、フラッシュ加熱部５および上側チャンバー窓６３を冷却する。

次に、本発明に係るシリコン基板の熱処理方法について説明する。本実施形態において処理対象となるシリコン基板Ｗは、チョクラルスキー法によって作製されたシリコン単結晶のインゴットから切り出されたベアウェハーである。熱処理装置１による熱処理前のシリコン基板Ｗ内には、チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を成長させる際に石英るつぼから溶融シリコン中に溶け出した酸素がシリコン単結晶の冷却過程で過飽和状態となって凝集して形成された酸素析出物が存在している。

図１０は、熱処理前のシリコン基板Ｗ中に存在する酸素析出物を模式的に示す図である。シリコン単結晶のインゴットから切り出された熱処理前のシリコン基板Ｗ中には、シリコン単結晶の冷却過程で発生した酸素析出物２１が存在しているものの、その密度は低い。また、酸素析出物２１は偏ることなくシリコン基板Ｗの全体に均一に分布している。

かかるシリコン基板Ｗに対する熱処理が上記の熱処理装置１によって実行される。以下、熱処理装置１によるシリコン基板Ｗの熱処理について説明する。以下に説明する熱処理装置１の処理手順は、制御部３が熱処理装置１の各動作機構を制御することにより進行する。

まず、ゲートバルブ１８５が開いて搬送開口部６６が開放され、装置外部の搬送ロボットにより搬送開口部６６を介してシリコン基板Ｗがチャンバー６内の熱処理空間６５に搬入される。搬送ロボットによって搬入されたシリコン基板Ｗは保持部７の直上位置まで進出して停止する。そして、移載機構１０の一対の移載アーム１１が退避位置から移載動作位置に水平移動して上昇することにより、リフトピン１２が貫通孔７９を通ってサセプタ７４の保持プレート７５の上面から突き出てシリコン基板Ｗを受け取る。このとき、リフトピン１２は基板支持ピン７７の上端よりも上方にまで上昇する。

シリコン基板Ｗがリフトピン１２に載置された後、搬送ロボットが熱処理空間６５から退出し、ゲートバルブ１８５によって搬送開口部６６が閉鎖される。そして、一対の移載アーム１１が下降することにより、シリコン基板Ｗは移載機構１０から保持部７のサセプタ７４に受け渡されて水平姿勢にて下方より保持される。シリコン基板Ｗは、保持プレート７５上に立設された複数の基板支持ピン７７によって支持されてサセプタ７４に保持される。複数の基板支持ピン７７によって支持されたシリコン基板Ｗの下面と保持プレート７５の保持面７５ａとの間には所定の間隔が形成される。サセプタ７４の下方にまで下降した一対の移載アーム１１は水平移動機構１３によって退避位置、すなわち凹部６２の内側に退避する。

また、ゲートバルブ１８５によって搬送開口部６６が閉鎖されて熱処理空間６５が密閉空間とされた後、チャンバー６内の雰囲気調整が行われる。具体的にはバルブ８４が開放されてガス供給孔８１から熱処理空間６５に処理ガスが供給される。本実施形態では、処理ガスとして窒素ガス（Ｎ_２）がチャンバー６内の熱処理空間６５に供給される。また、バルブ８９が開放されてガス排気孔８６からチャンバー６内の気体が排気される。これにより、チャンバー６内の熱処理空間６５の上部から供給された処理ガスが下方へと流れて熱処理空間６５の下部から排気され、熱処理空間６５が窒素雰囲気に置換される。また、バルブ１９２が開放されることによって、搬送開口部６６からもチャンバー６内の気体が排気される。さらに、図示省略の排気機構によって移載機構１０の駆動部周辺の雰囲気も排気される。

図９は、第１実施形態におけるシリコン基板Ｗの表面温度の変化を示す図である。チャンバー６内が窒素雰囲気に置換され、シリコン基板Ｗが保持部７のサセプタ７４によって水平姿勢にて下方より保持された後、時刻ｔ１にハロゲン加熱部４の４０本のハロゲンランプＨＬが一斉に点灯してシリコン基板Ｗの急速加熱(ＲＴＡ:Rapid Thermal Annealing)が開始される。ハロゲンランプＨＬから出射されたハロゲン光は、石英にて形成された下側チャンバー窓６４およびサセプタ７４を透過してシリコン基板Ｗの下面から照射される。ハロゲンランプＨＬからの光照射を受けることによってシリコン基板Ｗが急速加熱されて温度が上昇する。なお、移載機構１０の移載アーム１１は凹部６２の内側に退避しているため、ハロゲンランプＨＬによる加熱の障害となることは無い。

ハロゲンランプＨＬによる急速加熱を行うときには、シリコン基板Ｗの温度が放射温度計１２０によって測定されている。すなわち、サセプタ７４に保持されたシリコン基板Ｗの下面から開口部７８を介して放射された赤外光を放射温度計１２０が受光して昇温中のウェハー温度を測定する。測定されたシリコン基板Ｗの温度は制御部３に伝達される。制御部３は、ハロゲンランプＨＬからの光照射によって昇温するシリコン基板Ｗの温度が所定の第１ピーク温度Ｔｓ（第１の温度）に到達したか否かを監視しつつ、ハロゲンランプＨＬの出力を制御する。すなわち、制御部３は、放射温度計１２０による測定値に基づいて、シリコン基板Ｗの温度が第１ピーク温度ＴｓとなるようにハロゲンランプＨＬの出力をフィードバック制御する。ハロゲンランプＨＬによる急速加熱時のシリコン基板Ｗの昇温レートは５０℃／秒以上である。また、ハロゲンランプＨＬによる第１ピーク温度Ｔｓは、１１００℃以上１３００℃以下である。

時刻ｔ２にシリコン基板Ｗの温度が第１ピーク温度Ｔｓに到達した後、制御部３はシリコン基板Ｗをその第１ピーク温度Ｔｓに０．５秒〜５秒程度維持する。具体的には、放射温度計１２０によって測定されるシリコン基板Ｗの温度が第１ピーク温度Ｔｓに到達した時刻ｔ２に制御部３がハロゲンランプＨＬの出力を調整し、シリコン基板Ｗの温度をほぼ第１ピーク温度Ｔｓに０．５秒〜５秒程度維持している。

ハロゲンランプＨＬによる急速加熱時には、シリコン基板Ｗの全体が均一に第１ピーク温度Ｔｓに昇温する。ハロゲンランプＨＬによる急速加熱の段階においては、より放熱が生じやすいシリコン基板Ｗの周縁部の温度が中央部よりも低下する傾向にあるが、ハロゲン加熱部４におけるハロゲンランプＨＬの配設密度は、シリコン基板Ｗの中央部に対向する領域よりも周縁部に対向する領域の方が高くなっている。このため、放熱が生じやすいシリコン基板Ｗの周縁部に照射される光量が多くなり、シリコン基板Ｗの面内温度分布を均一なものとすることができる。

時刻ｔ２にシリコン基板Ｗの温度が第１ピーク温度Ｔｓに到達してから所定時間（０．５秒〜５秒）が経過した時点でハロゲン加熱部４の４０本のハロゲンランプＨＬが消灯する。ハロゲンランプＨＬが消灯することによって、シリコン基板Ｗの温度が第１ピーク温度Ｔｓから急速に降温する。降温中のシリコン基板Ｗの温度は放射温度計１２０によって測定され、その測定結果は制御部３に伝達される。制御部３は、放射温度計１２０の測定結果よりシリコン基板Ｗの温度が所定の冷却温度Ｔａ（第２の温度）まで降温したか否かを監視する。降温時のシリコン基板Ｗの降温レートは５０℃／秒以上である。なお、冷却温度Ｔａは第１ピーク温度Ｔｓよりも当然に低温であり、６００℃以上８００℃以下である。

ハロゲンランプＨＬからの光照射によって第１ピーク温度Ｔｓにまで急速加熱したシリコン基板Ｗを第１ピーク温度Ｔｓから冷却温度Ｔａにまで冷却する過程でシリコン単結晶中に固溶していた酸素が凝集して酸素析出物が多量に形成される。図１１は、冷却温度Ｔａにまで冷却されたシリコン基板Ｗ中に存在する酸素析出物を模式的に示す図である。図１１を図１０と比較すると明らかなように、シリコン基板Ｗを第１ピーク温度Ｔｓから冷却温度Ｔａにまで冷却する過程で酸素析出物２１が多量に形成されて高密度化している。このとき、酸素析出物２１は偏ることなくシリコン基板Ｗの全体にて均一に高密度化する。

シリコン基板Ｗの温度が冷却温度Ｔａにまで降温した時刻ｔ３にフラッシュ加熱部５のフラッシュランプＦＬからシリコン基板Ｗの表面にフラッシュ光照射を行う。フラッシュランプＦＬがフラッシュ光照射を行うに際しては、予め電源ユニット９５によってコンデンサ９３に電荷を蓄積しておく。そして、コンデンサ９３に電荷が蓄積された状態にて、制御部３のパルス発生器３１からＩＧＢＴ９６にパルス信号を出力してＩＧＢＴ９６をオンオフ駆動する。

パルス信号の波形は、パルス幅の時間（オン時間）とパルス間隔の時間（オフ時間）とをパラメータとして順次設定したレシピを入力部３３から入力することによって規定することができる。このようなレシピをオペレータが入力部３３から制御部３に入力すると、それに従って制御部３の波形設定部３２はオンオフを繰り返すパルス波形を設定する。そして、波形設定部３２によって設定されたパルス波形に従ってパルス発生器３１がパルス信号を出力する。その結果、ＩＧＢＴ９６のゲートには設定された波形のパルス信号が印加され、ＩＧＢＴ９６のオンオフ駆動が制御されることとなる。具体的には、ＩＧＢＴ９６のゲートに入力されるパルス信号がオンのときにはＩＧＢＴ９６がオン状態となり、パルス信号がオフのときにはＩＧＢＴ９６がオフ状態となる。

また、パルス発生器３１から出力するパルス信号がオンになるタイミングと同期して制御部３がトリガー回路９７を制御してトリガー電極９１に高電圧（トリガー電圧）を印加する。コンデンサ９３に電荷が蓄積された状態にてＩＧＢＴ９６のゲートにパルス信号が入力され、かつ、そのパルス信号がオンになるタイミングと同期してトリガー電極９１に高電圧が印加されることにより、パルス信号がオンのときにはガラス管９２内の両端電極間で必ず電流が流れ、そのときのキセノンの原子あるいは分子の励起によって光が放出される。

このようにしてフラッシュ加熱部５の３０本のフラッシュランプＦＬが発光し、保持部７に保持されたシリコン基板Ｗの表面にフラッシュ光が照射される。本実施の形態では、回路中にスイッチング素子たるＩＧＢＴ９６を接続してそのゲートにパルス信号を出力することにより、コンデンサ９３からフラッシュランプＦＬへの電荷の供給をＩＧＢＴ９６によって断続してフラッシュランプＦＬに流れる電流をオンオフ制御している。その結果、いわばフラッシュランプＦＬの発光がチョッパ制御されることとなり、コンデンサ９３に蓄積された電荷が分割して消費され、極めて短い時間の間にフラッシュランプＦＬが点滅を繰り返す。なお、回路を流れる電流値が完全に”０”になる前に次のパルスがＩＧＢＴ９６のゲートに印加されて電流値が再度増加するため、フラッシュランプＦＬが点滅を繰り返している間も発光出力が完全に”０”になるものではない。

ＩＧＢＴ９６によってフラッシュランプＦＬに流れる電流をオンオフ制御することにより、フラッシュランプＦＬの発光パターン（発光出力の時間波形）を自在に規定することができ、発光時間および発光強度を自由に調整することができる。ＩＧＢＴ９６のオンオフ駆動のパターンは、入力部３３から入力するパルス幅の時間とパルス間隔の時間とによって規定される。すなわち、フラッシュランプＦＬの駆動回路にＩＧＢＴ９６を組み込むことによって、入力部３３から入力するパルス幅の時間とパルス間隔の時間とを適宜に設定するだけで、フラッシュランプＦＬの発光パターンを自在に規定することができるのである。

具体的には、例えば、入力部３３から入力するパルス間隔の時間に対するパルス幅の時間の比率を大きくすると、フラッシュランプＦＬに流れる電流が増大して発光強度が強くなる。逆に、入力部３３から入力するパルス間隔の時間に対するパルス幅の時間の比率を小さくすると、フラッシュランプＦＬに流れる電流が減少して発光強度が弱くなる。また、入力部３３から入力するパルス間隔の時間とパルス幅の時間の比率を適切に調整すれば、フラッシュランプＦＬの発光強度が一定に維持される。さらに、入力部３３から入力するパルス幅の時間とパルス間隔の時間との組み合わせの総時間を長くすることによって、フラッシュランプＦＬに比較的長時間にわたって電流が流れ続けることとなり、フラッシュランプＦＬの発光時間が長くなる。本実施形態においては、フラッシュランプＦＬの発光時間が０．１ミリ秒〜１０ミリ秒の間に設定される。

このようにしてフラッシュランプＦＬからシリコン基板Ｗの表面に０．１ミリ秒以上１０ミリ秒以下の照射時間にてフラッシュ光が照射されてシリコン基板Ｗのフラッシュ加熱が行われる。照射時間が０．１ミリ秒以上１０ミリ秒以下の極めて短く強いフラッシュ光が照射されることによってシリコン基板Ｗの表面が瞬間的に第２ピーク温度Ｔｐ（第３の温度）にまで昇温する。フラッシュ加熱時の第２ピーク温度Ｔｐは、冷却温度Ｔａよりも高温であり、１２００℃以上である。なお、シリコン基板Ｗの表面とは後にデバイスパターンが形成されるシリコン基板Ｗの主面であり、サセプタ７４によって保持されるシリコン基板Ｗの上面である。また、シリコン基板Ｗの裏面とは表面の反対側のシリコン基板Ｗの主面である。

シリコン基板Ｗに０．１ミリ秒以上１０ミリ秒以下の照射時間にてフラッシュ光を照射してシリコン基板Ｗの表面を第２ピーク温度Ｔｐに瞬間的に加熱することにより、そのシリコン基板Ｗの表面から酸素析出物２１を消滅させることができる。図１２は、フラッシュ加熱後のシリコン基板Ｗ中に存在する酸素析出物を模式的に示す図である。上述したように、ハロゲンランプＨＬからの光照射によって第１ピーク温度Ｔｓにまで急速加熱したシリコン基板Ｗを第１ピーク温度Ｔｓから冷却温度Ｔａにまで冷却する過程では、表面を含むシリコン基板Ｗの全体にわたって均一に酸素析出物２１が高密度化する（図１１）。そのシリコン基板Ｗに０．１ミリ秒以上１０ミリ秒以下の極めて短い照射時間にて強度の強いフラッシュ光を照射すると、シリコン基板Ｗの表面のみが第２ピーク温度Ｔｐにまで瞬間的に昇温する一方でシリコン基板Ｗの表面以外の部分は冷却温度Ｔａからほとんど昇温しない。その結果、図１２に示すように、シリコン基板Ｗを第１ピーク温度Ｔｓから冷却温度Ｔａにまで冷却する過程で高密度化した酸素析出物２１のうち、瞬間的に第２ピーク温度Ｔｐにまで昇温したシリコン基板Ｗの表面に存在していた酸素析出物２１のみが外方拡散によって消滅し（アニールアウト）、シリコン基板Ｗの表面以外に高密度に存在していた酸素析出物２１はそのまま残留することとなる。また、瞬間的に第２ピーク温度Ｔｐにまで昇温するシリコン基板Ｗの表面においては結晶欠陥も回復することとなる。

フラッシュ加熱では、フラッシュ光の照射時間が０．１ミリ秒〜１０ミリ秒の極めて短時間であるため、シリコン基板Ｗの表面温度は瞬間的に第２ピーク温度Ｔｐにまで昇温した後、ただちに急速に降温する。降温中のシリコン基板Ｗの温度は放射温度計１２０によって測定され、その測定結果は制御部３に伝達される。制御部３は、放射温度計１２０の測定結果よりシリコン基板Ｗの温度が所定温度まで降温したか否かを監視する。そして、シリコン基板Ｗの温度が所定以下にまで降温した後、移載機構１０の一対の移載アーム１１が再び退避位置から移載動作位置に水平移動して上昇することにより、リフトピン１２がサセプタ７４の上面から突き出て熱処理後のシリコン基板Ｗをサセプタ７４から受け取る。続いて、ゲートバルブ１８５により閉鎖されていた搬送開口部６６が開放され、リフトピン１２上に載置されたシリコン基板Ｗが装置外部の搬送ロボットにより搬出され、熱処理装置１におけるシリコン基板Ｗの加熱処理が完了する。

第１実施形態においては、ハロゲンランプＨＬからの光照射によって第１ピーク温度Ｔｓにまで急速加熱したシリコン基板Ｗを第１ピーク温度Ｔｓから冷却温度Ｔａに降温させることによって、シリコン基板Ｗの全体において酸素析出物２１を発生させて均一に高密度化させている。そして、そのシリコン基板Ｗに０．１ミリ秒以上１０ミリ秒以下の照射時間にてフラッシュ光を照射してシリコン基板Ｗの表面を第２ピーク温度Ｔｐに瞬間的に加熱することによって、シリコン基板Ｗの表面のみから酸素析出物２１を消滅させている。

その結果、シリコン基板Ｗの表面には酸素析出物２１が存在せず、かつ、シリコン基板Ｗの表面を除く内部には酸素析出物２１が高密度で存在することとなる。デバイス活性領域であるシリコン基板Ｗの表面には酸素析出物２１が存在しないため、接合リーク等の酸素析出物２１によるデバイス特性への悪影響を防止することができる。一方、シリコン基板Ｗの表面を除く内部には酸素析出物２１が高密度で存在しているため、それら酸素析出物２１がプロセス中に混入した金属不純物を捕獲するゲッタリングサイトとして有効に機能することとなる。

また、第１実施形態においては、急速加熱後にハロゲンランプＨＬを消灯してフラッシュ光照射前にシリコン基板Ｗの温度を一旦冷却温度Ｔａにまで降温させている。シリコン基板Ｗの温度を一旦冷却温度Ｔａにまで降温させることによって、酸素析出物２１を高密度化させるとともに、急速加熱からフラッシュ加熱に至るサーマルバジェットを小さくしている。これにより、フラッシュ光照射時にシリコン基板Ｗの内部を冷却温度Ｔａからほとんど昇温させることなく、シリコン基板Ｗの表面のみを第２ピーク温度Ｔｐに加熱することができ、シリコン基板Ｗの内部には酸素析出物２１を残しつつ表面のみから酸素析出物２１を消滅させることができる。

＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。第２実施形態の熱処理装置１の全体構成は第１実施形態と同じである。また、第２実施形態の熱処理装置１におけるシリコン基板Ｗの処理手順も第１実施形態と概ね同じである。第２実施形態が第１実施形態と相違するのは、熱処理プロセスを減圧状態で実行している点である。

第１実施形態では常圧の窒素雰囲気中にてシリコン基板Ｗの熱処理プロセスを実行していたが、第２実施形態においては、１００Torr（約１３３３０Ｐａ）以下の減圧状態にてシリコン基板Ｗの急速加熱およびフラッシュ加熱を実行している。具体的には、ハロゲンランプＨＬによる急速加熱を開始する前に、シリコン基板Ｗを収容するチャンバー６内の熱処理空間６５を１３３３０Ｐａ以下にまで減圧する。そして、その減圧雰囲気下にて第１実施形態と同様のハロゲンランプＨＬによる急速加熱、ハロゲンランプＨＬを消灯しての冷却、および、フラッシュランプＦＬによるフラッシュ加熱を実行している。

１３３３０Ｐａ以下の減圧状態にてフラッシュ加熱を実行することによって、外方拡散した酸素析出物２１がシリコン基板Ｗの表面に再付着するのを防止することができる。このため、第２実施形態においては、第１実施形態と同様の効果に加えてより確実にシリコン基板Ｗの表面から酸素析出物２１を消滅させることができる。

＜第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態について説明する。第３実施形態の熱処理装置１の全体構成は第１実施形態と同じである。また、第３実施形態の熱処理装置１におけるシリコン基板Ｗの処理手順も第１実施形態と概ね同じである。第３実施形態が第１実施形態と相違するのは、チャンバー６内に供給する窒素ガスの流量を変化させている点である。

ハロゲンランプＨＬによる急速加熱を行う前からシリコン基板Ｗを収容するチャンバー６内には窒素ガスが供給され、熱処理空間６５は窒素雰囲気とされている。ハロゲンランプＨＬによる急速加熱を行っている間は、チャンバー６内に供給する窒素ガスの流量は例えば３０リットル／分である。第３実施形態においては、ハロゲンランプＨＬを消灯してシリコン基板Ｗを第１ピーク温度Ｔｓから冷却温度Ｔａに降温させている間に、チャンバー６内に供給する窒素ガスの流量を３０リットル／分から１００リットル／分に増大させている。そして、チャンバー６内に供給する窒素ガスの流量が１００リットル／分の状態にてフラッシュランプＦＬによるフラッシュ加熱を実行している。

チャンバー６内に供給する窒素ガスの流量を３０リットル／分から１００リットル／分に増大させた状態にてフラッシュ加熱を実行することによって、外方拡散した酸素析出物２１は窒素ガスの気流とともにチャンバー６外に排出されやすくなり、その酸素析出物２１がシリコン基板Ｗの表面に再付着するのを防止することができる。このため、第３実施形態においては、第１実施形態と同様の効果に加えてより確実にシリコン基板Ｗの表面から酸素析出物２１を消滅させることができる。

＜変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記各実施形態においては、急速加熱後にハロゲンランプＨＬを消灯してシリコン基板Ｗの温度を冷却温度Ｔａに降温させていたが、これに代えて、ハロゲンランプＨＬの出力を低下させてシリコン基板Ｗの温度を第１ピーク温度Ｔｓから冷却温度Ｔａにまで降温させるようにしても良い。

また、第３実施形態においては、チャンバー６内に供給する窒素ガスの流量を３０リットル／分から１００リットル／分に増大させていたが、これらの流量に限定されるものではなく、シリコン基板Ｗを降温させている間に窒素ガスの供給流量を増大させる形態であれば良い。

また、上記各実施形態においては、フラッシュ加熱部５に３０本のフラッシュランプＦＬを備えるようにしていたが、これに限定されるものではなく、フラッシュランプＦＬの本数は任意の数とすることができる。また、フラッシュランプＦＬはキセノンフラッシュランプに限定されるものではなく、クリプトンフラッシュランプであっても良い。また、ハロゲン加熱部４に備えるハロゲンランプＨＬの本数も４０本に限定されるものではなく、任意の数とすることができる。

１熱処理装置
３制御部
４ハロゲン加熱部
５フラッシュ加熱部
６チャンバー
７保持部
２１酸素析出物
６５熱処理空間
７４サセプタ
７５保持プレート
７７基板支持ピン
９３コンデンサ
９５電源ユニット
９６ＩＧＢＴ
１２０放射温度計
ＦＬフラッシュランプ
ＨＬハロゲンランプ
Ｗシリコン基板

Claims

シリコン基板の熱処理方法であって、
ハロゲンランプからの光照射によって前記シリコン基板を第１の温度に加熱する第１加熱工程と、
前記ハロゲンランプを消灯または前記ハロゲンランプの出力を低下させて前記シリコン基板を前記第１の温度よりも低い第２の温度に降温させて前記シリコン基板内に酸素析出物を発生させる降温工程と、
前記シリコン基板にフラッシュランプからフラッシュ光を照射して前記シリコン基板の表面を前記第２の温度よりも高い第３の温度に加熱して前記シリコン基板の表面から前記酸素析出物を消滅させる第２加熱工程と、
を備えることを特徴とするシリコン基板の熱処理方法。
請求項１記載のシリコン基板の熱処理方法において、
前記第２加熱工程におけるフラッシュ光の照射時間は０．１ミリ秒以上１０ミリ秒以下であることを特徴とするシリコン基板の熱処理方法。
請求項１または請求項２記載のシリコン基板の熱処理方法において、
前記第１加熱工程の前に、前記シリコン基板を収容するチャンバー内を１３３３０Ｐａ以下にまで減圧する減圧工程をさらに備えることを特徴とするシリコン基板の熱処理方法。
請求項１または請求項２記載のシリコン基板の熱処理方法において、
前記第２加熱工程の前に、前記シリコン基板を収容するチャンバー内に供給する窒素ガスの流量を増大させることを特徴とするシリコン基板の熱処理方法。