JP2019165157A

JP2019165157A - 熱処理方法および熱処理装置

Info

Publication number: JP2019165157A
Application number: JP2018053043A
Authority: JP
Inventors: 晃頌上田; Akimine Ueda; 英昭谷村; Hideaki TANIMURA
Original assignee: Screen Holdings Co Ltd
Current assignee: Screen Holdings Co Ltd
Priority date: 2018-03-20
Filing date: 2018-03-20
Publication date: 2019-09-26
Also published as: TW201941308A; WO2019181048A1

Abstract

【課題】基板に注入された不純物を規定の深さに精度良く拡散させて活性化することができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。【解決手段】不純物が注入された半導体ウェハーにハロゲンランプから光照射を行って半導体ウェハーを目標温度Ｔ１にまで昇温する。続いて、ハロゲンランプからの光照射を継続して半導体ウェハーを目標温度Ｔ１に所定時間維持することにより、不純物を規定の深さにまで精度良く拡散させる。その後、ハロゲンランプを消灯またはハロゲンランプから照射される光の強度を低下させることによって半導体ウェハーを目標温度から降温させる。半導体ウェハーが降温している途中で半導体ウェハーの表面にフラッシュランプからフラッシュ光を照射することによって、不純物のさらなる拡散を完全に抑制しつつ不純物の活性化のみを行う。【選択図】図８

Description

本発明は、不純物が注入された半導体ウェハー等の薄板状精密電子基板（以下、単に「基板」と称する）に光を照射することによって該基板を加熱して不純物を活性化させる熱処理方法および熱処理装置に関する。

半導体デバイスの製造プロセスにおいて、不純物導入は半導体ウェハー内にｐｎ接合を形成するための必須の工程である。現在、不純物導入は、イオン打ち込み法とその後のアニール法によってなされるのが一般的である。イオン打ち込み法は、ボロン（Ｂ）、ヒ素（Ａｓ）、リン（Ｐ）といった不純物の元素をイオン化させて高加速電圧で半導体ウェハーに衝突させて物理的に不純物注入を行う技術である。注入された不純物はアニール処理によって活性化される。この際に、アニール時間が数秒程度以上であると、打ち込まれた不純物が熱によって深く拡散し、その結果接合深さが要求よりも深くなり過ぎて良好なデバイス形成に支障が生じるおそれがある。

そこで、極めて短時間で半導体ウェハーを加熱するアニール技術として、近年フラッシュランプアニール（ＦＬＡ）が注目されている。フラッシュランプアニールは、キセノンフラッシュランプ（以下、単に「フラッシュランプ」とするときにはキセノンフラッシュランプを意味する）を使用して半導体ウェハーの表面にフラッシュ光を照射することにより、不純物が注入された半導体ウェハーの表面のみを極めて短時間（数ミリ秒以下）に昇温させる熱処理技術である。

キセノンフラッシュランプの放射分光分布は紫外域から近赤外域であり、従来のハロゲンランプよりも波長が短く、シリコンの半導体ウェハーの基礎吸収帯とほぼ一致している。よって、キセノンフラッシュランプから半導体ウェハーにフラッシュ光を照射したときには、透過光が少なく半導体ウェハーを急速に昇温することが可能である。また、数ミリ秒以下の極めて短時間のフラッシュ光照射であれば、半導体ウェハーの表面近傍のみを選択的に昇温できることも判明している。このため、キセノンフラッシュランプによる極短時間の昇温であれば、不純物を深く拡散させることなく、不純物活性化のみを実行することができるのである。

特許文献１には、処理チャンバーの下方に配置されたハロゲンランプによって半導体ウェハーを予備加熱した後、処理チャンバーの上方に配置されたフラッシュランプから半導体ウェハーの表面にフラッシュ光を照射するフラッシュランプアニール装置が開示されている。特許文献１に開示の装置では、不純物が注入された半導体ウェハーをハロゲンランプによって所定の予備加熱温度に昇温している状態でフラッシュ光を照射することによってウェハー表面を瞬間的に１０００℃以上の処理温度に昇温して不純物を活性化している。

特開２０１４−１７５６３０号公報

ところで、近年は半導体デバイスの微細化がますます進展してきており、不純物を僅かでも過度に深く拡散させることは望ましくない。特許文献１に開示のように、予備加熱温度に昇温している半導体ウェハーにフラッシュ光を照射すると、極短時間のフラッシュ光照射であっても不純物が若干は拡散することがあった。その一方、不純物を必要な領域にまで拡散させることは必要である。すなわち、注入された不純物を半導体デバイスの設計値通りに正確に拡散させることが要求されているのである。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、基板に注入された不純物を規定の深さに精度良く拡散させて活性化することができる熱処理方法および熱処理装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、請求項１の発明は、不純物が注入された基板に光を照射することによって該基板を加熱して前記不純物を活性化させる熱処理方法において、連続点灯ランプからの光照射によって前記基板を目標温度にまで昇温する昇温工程と、前記連続点灯ランプからの光照射によって前記基板を前記目標温度に所定時間維持する温度維持工程と、前記連続点灯ランプを消灯または前記連続点灯ランプから照射される光の強度を低下させることによって前記基板を前記目標温度から降温する降温工程と、を備え、前記降温工程の途中にてフラッシュランプから前記基板にフラッシュ光を照射することを特徴とする。

また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る熱処理方法において、前記目標温度は、７５０℃以上９００℃以下であることを特徴とする。

また、請求項３の発明は、請求項２の発明に係る熱処理方法において、前記温度維持工程では、前記基板を前記目標温度に１秒以上４秒以下維持することを特徴とする。

また、請求項４の発明は、不純物が注入された基板に光を照射することによって該基板を加熱して前記不純物を活性化させる熱処理装置において、前記基板を収容するチャンバーと、前記チャンバーに収容された前記基板に光を照射して目標温度に加熱する連続点灯ランプと、前記チャンバーに収容された前記基板にフラッシュ光を照射するフラッシュランプと、前記連続点灯ランプおよび前記フラッシュランプの発光を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記連続点灯ランプからの光照射によって前記目標温度にまで昇温した前記基板を前記目標温度に所定時間維持した後、前記連続点灯ランプを消灯または前記連続点灯ランプから照射される光の強度を低下させることによって前記基板を前記目標温度から降温している途中で前記基板にフラッシュ光を照射するように前記連続点灯ランプおよび前記フラッシュランプの発光を制御することを特徴とする。

また、請求項５の発明は、請求項４の発明に係る熱処理装置において、前記目標温度は、７５０℃以上９００℃以下であることを特徴とする。

また、請求項６の発明は、請求項５の発明に係る熱処理装置において、前記制御部は、前記基板を前記目標温度に１秒以上４秒以下維持することを特徴とする。

請求項１から請求項３の発明によれば、連続点灯ランプからの光照射によって基板を目標温度にまで昇温して所定時間維持して基板に注入された不純物を規定の深さに精度良く拡散させた後、基板が目標温度から降温している途中にてフラッシュランプから基板にフラッシュ光を照射しているため、規定の深さにまで拡散した不純物のさらなる拡散を完全に抑制しつつ不純物を活性化することができる。

請求項４から請求項６の発明によれば、連続点灯ランプからの光照射によって基板を目標温度にまで昇温して所定時間維持して基板に注入された不純物を規定の深さに精度良く拡散させた後、基板が目標温度から降温している途中にてフラッシュランプから基板にフラッシュ光を照射しているため、規定の深さにまで拡散した不純物のさらなる拡散を完全に抑制しつつ不純物を活性化することができる。

本発明に係る熱処理装置の構成を示す縦断面図である。保持部の全体外観を示す斜視図である。サセプタの平面図である。サセプタの断面図である。移載機構の平面図である。移載機構の側面図である。複数のハロゲンランプの配置を示す平面図である。半導体ウェハーの表面温度の変化を示す図である。

以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。

図１は、本発明に係る熱処理装置１の構成を示す縦断面図である。図１の熱処理装置１は、基板として円板形状の半導体ウェハーＷに対してフラッシュ光照射を行うことによってその半導体ウェハーＷを加熱するフラッシュランプアニール装置である。処理対象となる半導体ウェハーＷのサイズは特に限定されるものではないが、例えばφ３００ｍｍやφ４５０ｍｍである（本実施形態ではφ３００ｍｍ）。熱処理装置１に搬入される前の半導体ウェハーＷには不純物が注入されており、熱処理装置１による加熱処理によって注入された不純物の拡散および活性化処理が実行される。なお、図１および以降の各図においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。

熱処理装置１は、半導体ウェハーＷを収容するチャンバー６と、複数のフラッシュランプＦＬを内蔵するフラッシュ加熱部５と、複数のハロゲンランプＨＬを内蔵するハロゲン加熱部４と、を備える。チャンバー６の上側にフラッシュ加熱部５が設けられるとともに、下側にハロゲン加熱部４が設けられている。また、熱処理装置１は、チャンバー６の内部に、半導体ウェハーＷを水平姿勢に保持する保持部７と、保持部７と装置外部との間で半導体ウェハーＷの受け渡しを行う移載機構１０と、を備える。さらに、熱処理装置１は、ハロゲン加熱部４、フラッシュ加熱部５およびチャンバー６に設けられた各動作機構を制御して半導体ウェハーＷの熱処理を実行させる制御部３を備える。

チャンバー６は、筒状のチャンバー側部６１の上下に石英製のチャンバー窓を装着して構成されている。チャンバー側部６１は上下が開口された概略筒形状を有しており、上側開口には上側チャンバー窓６３が装着されて閉塞され、下側開口には下側チャンバー窓６４が装着されて閉塞されている。チャンバー６の天井部を構成する上側チャンバー窓６３は、石英により形成された円板形状部材であり、フラッシュ加熱部５から出射されたフラッシュ光をチャンバー６内に透過する石英窓として機能する。また、チャンバー６の床部を構成する下側チャンバー窓６４も、石英により形成された円板形状部材であり、ハロゲン加熱部４からの光をチャンバー６内に透過する石英窓として機能する。

また、チャンバー側部６１の内側の壁面の上部には反射リング６８が装着され、下部には反射リング６９が装着されている。反射リング６８，６９は、ともに円環状に形成されている。上側の反射リング６８は、チャンバー側部６１の上側から嵌め込むことによって装着される。一方、下側の反射リング６９は、チャンバー側部６１の下側から嵌め込んで図示省略のビスで留めることによって装着される。すなわち、反射リング６８，６９は、ともに着脱自在にチャンバー側部６１に装着されるものである。チャンバー６の内側空間、すなわち上側チャンバー窓６３、下側チャンバー窓６４、チャンバー側部６１および反射リング６８，６９によって囲まれる空間が熱処理空間６５として規定される。

チャンバー側部６１に反射リング６８，６９が装着されることによって、チャンバー６の内壁面に凹部６２が形成される。すなわち、チャンバー側部６１の内壁面のうち反射リング６８，６９が装着されていない中央部分と、反射リング６８の下端面と、反射リング６９の上端面とで囲まれた凹部６２が形成される。凹部６２は、チャンバー６の内壁面に水平方向に沿って円環状に形成され、半導体ウェハーＷを保持する保持部７を囲繞する。チャンバー側部６１および反射リング６８，６９は、強度と耐熱性に優れた金属材料（例えば、ステンレススチール）にて形成されている。

また、チャンバー側部６１には、チャンバー６に対して半導体ウェハーＷの搬入および搬出を行うための搬送開口部（炉口）６６が形設されている。搬送開口部６６は、ゲートバルブ１８５によって開閉可能とされている。搬送開口部６６は凹部６２の外周面に連通接続されている。このため、ゲートバルブ１８５が搬送開口部６６を開放しているときには、搬送開口部６６から凹部６２を通過して熱処理空間６５への半導体ウェハーＷの搬入および熱処理空間６５からの半導体ウェハーＷの搬出を行うことができる。また、ゲートバルブ１８５が搬送開口部６６を閉鎖するとチャンバー６内の熱処理空間６５が密閉空間とされる。

さらに、チャンバー側部６１には、貫通孔６１ａが穿設されている。チャンバー側部６１の外壁面の貫通孔６１ａが設けられている部位には放射温度計２０が取り付けられている。貫通孔６１ａは、後述するサセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷの下面から放射された赤外光を放射温度計２０に導くための円筒状の孔である。貫通孔６１ａは、その貫通方向の軸がサセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷの主面と交わるように、水平方向に対して傾斜して設けられている。貫通孔６１ａの熱処理空間６５に臨む側の端部には、放射温度計２０が測定可能な波長領域の赤外光を透過させるフッ化バリウム材料からなる透明窓２１が装着されている。

また、チャンバー６の内壁上部には熱処理空間６５に処理ガスを供給するガス供給孔８１が形設されている。ガス供給孔８１は、凹部６２よりも上側位置に形設されており、反射リング６８に設けられていても良い。ガス供給孔８１はチャンバー６の側壁内部に円環状に形成された緩衝空間８２を介してガス供給管８３に連通接続されている。ガス供給管８３は処理ガス供給源８５に接続されている。また、ガス供給管８３の経路途中にはバルブ８４が介挿されている。バルブ８４が開放されると、処理ガス供給源８５から緩衝空間８２に処理ガスが送給される。緩衝空間８２に流入した処理ガスは、ガス供給孔８１よりも流体抵抗の小さい緩衝空間８２内を拡がるように流れてガス供給孔８１から熱処理空間６５内へと供給される。処理ガスとしては、例えば窒素（Ｎ_２）等の不活性ガス、または、水素（Ｈ_２）、アンモニア（ＮＨ_３）等の反応性ガス、或いはそれらを混合した混合ガスを用いることができる（本実施形態では窒素ガス）。

一方、チャンバー６の内壁下部には熱処理空間６５内の気体を排気するガス排気孔８６が形設されている。ガス排気孔８６は、凹部６２よりも下側位置に形設されており、反射リング６９に設けられていても良い。ガス排気孔８６はチャンバー６の側壁内部に円環状に形成された緩衝空間８７を介してガス排気管８８に連通接続されている。ガス排気管８８は排気部１９０に接続されている。また、ガス排気管８８の経路途中にはバルブ８９が介挿されている。バルブ８９が開放されると、熱処理空間６５の気体がガス排気孔８６から緩衝空間８７を経てガス排気管８８へと排出される。なお、ガス供給孔８１およびガス排気孔８６は、チャンバー６の周方向に沿って複数設けられていても良いし、スリット状のものであっても良い。また、処理ガス供給源８５および排気部１９０は、熱処理装置１に設けられた機構であっても良いし、熱処理装置１が設置される工場のユーティリティであっても良い。

また、搬送開口部６６の先端にも熱処理空間６５内の気体を排出するガス排気管１９１が接続されている。ガス排気管１９１はバルブ１９２を介して排気部１９０に接続されている。バルブ１９２を開放することによって、搬送開口部６６を介してチャンバー６内の気体が排気される。

図２は、保持部７の全体外観を示す斜視図である。保持部７は、基台リング７１、連結部７２およびサセプタ７４を備えて構成される。基台リング７１、連結部７２およびサセプタ７４はいずれも石英にて形成されている。すなわち、保持部７の全体が石英にて形成されている。

基台リング７１は円環形状から一部が欠落した円弧形状の石英部材である。この欠落部分は、後述する移載機構１０の移載アーム１１と基台リング７１との干渉を防ぐために設けられている。基台リング７１は凹部６２の底面に載置されることによって、チャンバー６の壁面に支持されることとなる（図１参照）。基台リング７１の上面に、その円環形状の周方向に沿って複数の連結部７２（本実施形態では４個）が立設される。連結部７２も石英の部材であり、溶接によって基台リング７１に固着される。

サセプタ７４は基台リング７１に設けられた４個の連結部７２によって支持される。図３は、サセプタ７４の平面図である。また、図４は、サセプタ７４の断面図である。サセプタ７４は、保持プレート７５、ガイドリング７６および複数の基板支持ピン７７を備える。保持プレート７５は、石英にて形成された略円形の平板状部材である。保持プレート７５の直径は半導体ウェハーＷの直径よりも大きい。すなわち、保持プレート７５は、半導体ウェハーＷよりも大きな平面サイズを有する。

保持プレート７５の上面周縁部にガイドリング７６が設置されている。ガイドリング７６は、半導体ウェハーＷの直径よりも大きな内径を有する円環形状の部材である。例えば、半導体ウェハーＷの直径がφ３００ｍｍの場合、ガイドリング７６の内径はφ３２０ｍｍである。ガイドリング７６の内周は、保持プレート７５から上方に向けて広くなるようなテーパ面とされている。ガイドリング７６は、保持プレート７５と同様の石英にて形成される。ガイドリング７６は、保持プレート７５の上面に溶着するようにしても良いし、別途加工したピンなどによって保持プレート７５に固定するようにしても良い。或いは、保持プレート７５とガイドリング７６とを一体の部材として加工するようにしても良い。

保持プレート７５の上面のうちガイドリング７６よりも内側の領域が半導体ウェハーＷを保持する平面状の保持面７５ａとされる。保持プレート７５の保持面７５ａには、複数の基板支持ピン７７が立設されている。本実施形態においては、保持面７５ａの外周円（ガイドリング７６の内周円）と同心円の周上に沿って３０°毎に計１２個の基板支持ピン７７が立設されている。１２個の基板支持ピン７７を配置した円の径（対向する基板支持ピン７７間の距離）は半導体ウェハーＷの径よりも小さく、半導体ウェハーＷの径がφ３００ｍｍであればφ２７０ｍｍ〜φ２８０ｍｍ（本実施形態ではφ２７０ｍｍ）である。それぞれの基板支持ピン７７は石英にて形成されている。複数の基板支持ピン７７は、保持プレート７５の上面に溶接によって設けるようにしても良いし、保持プレート７５と一体に加工するようにしても良い。

図２に戻り、基台リング７１に立設された４個の連結部７２とサセプタ７４の保持プレート７５の周縁部とが溶接によって固着される。すなわち、サセプタ７４と基台リング７１とは連結部７２によって固定的に連結されている。このような保持部７の基台リング７１がチャンバー６の壁面に支持されることによって、保持部７がチャンバー６に装着される。保持部７がチャンバー６に装着された状態においては、サセプタ７４の保持プレート７５は水平姿勢（法線が鉛直方向と一致する姿勢）となる。すなわち、保持プレート７５の保持面７５ａは水平面となる。

チャンバー６に搬入された半導体ウェハーＷは、チャンバー６に装着された保持部７のサセプタ７４の上に水平姿勢にて載置されて保持される。このとき、半導体ウェハーＷは保持プレート７５上に立設された１２個の基板支持ピン７７によって支持されてサセプタ７４に保持される。より厳密には、１２個の基板支持ピン７７の上端部が半導体ウェハーＷの下面に接触して当該半導体ウェハーＷを支持する。１２個の基板支持ピン７７の高さ（基板支持ピン７７の上端から保持プレート７５の保持面７５ａまでの距離）は均一であるため、１２個の基板支持ピン７７によって半導体ウェハーＷを水平姿勢に支持することができる。

また、半導体ウェハーＷは複数の基板支持ピン７７によって保持プレート７５の保持面７５ａから所定の間隔を隔てて支持されることとなる。基板支持ピン７７の高さよりもガイドリング７６の厚さの方が大きい。従って、複数の基板支持ピン７７によって支持された半導体ウェハーＷの水平方向の位置ずれはガイドリング７６によって防止される。

また、図２および図３に示すように、サセプタ７４の保持プレート７５には、上下に貫通して開口部７８が形成されている。開口部７８は、放射温度計２０が半導体ウェハーＷの下面から放射される放射光（赤外光）を受光するために設けられている。すなわち、放射温度計２０が開口部７８およびチャンバー側部６１の貫通孔６１ａに装着された透明窓２１を介して半導体ウェハーＷの下面から放射された光を受光して当該半導体ウェハーＷの温度を測定する。さらに、サセプタ７４の保持プレート７５には、後述する移載機構１０のリフトピン１２が半導体ウェハーＷの受け渡しのために貫通する４個の貫通孔７９が穿設されている。

図５は、移載機構１０の平面図である。また、図６は、移載機構１０の側面図である。移載機構１０は、２本の移載アーム１１を備える。移載アーム１１は、概ね円環状の凹部６２に沿うような円弧形状とされている。それぞれの移載アーム１１には２本のリフトピン１２が立設されている。移載アーム１１およびリフトピン１２は石英にて形成されている。各移載アーム１１は水平移動機構１３によって回動可能とされている。水平移動機構１３は、一対の移載アーム１１を保持部７に対して半導体ウェハーＷの移載を行う移載動作位置（図５の実線位置）と保持部７に保持された半導体ウェハーＷと平面視で重ならない退避位置（図５の二点鎖線位置）との間で水平移動させる。水平移動機構１３としては、個別のモータによって各移載アーム１１をそれぞれ回動させるものであっても良いし、リンク機構を用いて１個のモータによって一対の移載アーム１１を連動させて回動させるものであっても良い。

また、一対の移載アーム１１は、昇降機構１４によって水平移動機構１３とともに昇降移動される。昇降機構１４が一対の移載アーム１１を移載動作位置にて上昇させると、計４本のリフトピン１２がサセプタ７４に穿設された貫通孔７９（図２，３参照）を通過し、リフトピン１２の上端がサセプタ７４の上面から突き出る。一方、昇降機構１４が一対の移載アーム１１を移載動作位置にて下降させてリフトピン１２を貫通孔７９から抜き取り、水平移動機構１３が一対の移載アーム１１を開くように移動させると各移載アーム１１が退避位置に移動する。一対の移載アーム１１の退避位置は、保持部７の基台リング７１の直上である。基台リング７１は凹部６２の底面に載置されているため、移載アーム１１の退避位置は凹部６２の内側となる。なお、移載機構１０の駆動部（水平移動機構１３および昇降機構１４）が設けられている部位の近傍にも図示省略の排気機構が設けられており、移載機構１０の駆動部周辺の雰囲気がチャンバー６の外部に排出されるように構成されている。

図１に戻り、チャンバー６の上方に設けられたフラッシュ加熱部５は、筐体５１の内側に、複数本（本実施形態では３０本）のキセノンフラッシュランプＦＬからなる光源と、その光源の上方を覆うように設けられたリフレクタ５２と、を備えて構成される。また、フラッシュ加熱部５の筐体５１の底部にはランプ光放射窓５３が装着されている。フラッシュ加熱部５の床部を構成するランプ光放射窓５３は、石英により形成された板状の石英窓である。フラッシュ加熱部５がチャンバー６の上方に設置されることにより、ランプ光放射窓５３が上側チャンバー窓６３と相対向することとなる。フラッシュランプＦＬはチャンバー６の上方からランプ光放射窓５３および上側チャンバー窓６３を介して熱処理空間６５にフラッシュ光を照射する。

複数のフラッシュランプＦＬは、それぞれが長尺の円筒形状を有する棒状ランプであり、それぞれの長手方向が保持部７に保持される半導体ウェハーＷの主面に沿って（つまり水平方向に沿って）互いに平行となるように平面状に配列されている。よって、フラッシュランプＦＬの配列によって形成される平面も水平面である。複数のフラッシュランプＦＬが配列される領域は半導体ウェハーＷの平面サイズよりも大きい。

キセノンフラッシュランプＦＬは、その内部にキセノンガスが封入されその両端部にコンデンサーに接続された陽極および陰極が配設された円筒形状のガラス管（放電管）と、該ガラス管の外周面上に付設されたトリガー電極とを備える。キセノンガスは電気的には絶縁体であることから、コンデンサーに電荷が蓄積されていたとしても通常の状態ではガラス管内に電気は流れない。しかしながら、トリガー電極に高電圧を印加して絶縁を破壊した場合には、コンデンサーに蓄えられた電気がガラス管内に瞬時に流れ、そのときのキセノンの原子あるいは分子の励起によって光が放出される。このようなキセノンフラッシュランプＦＬにおいては、予めコンデンサーに蓄えられていた静電エネルギーが０．１ミリセカンドないし１００ミリセカンドという極めて短い光パルスに変換されることから、ハロゲンランプＨＬの如き連続点灯の光源に比べて極めて強い光を照射し得るという特徴を有する。すなわち、フラッシュランプＦＬは、１秒未満の極めて短い時間で瞬間的に発光するパルス発光ランプである。なお、フラッシュランプＦＬの発光時間は、フラッシュランプＦＬに電力供給を行うランプ電源のコイル定数によって調整することができる。

また、リフレクタ５２は、複数のフラッシュランプＦＬの上方にそれら全体を覆うように設けられている。リフレクタ５２の基本的な機能は、複数のフラッシュランプＦＬから出射されたフラッシュ光を熱処理空間６５の側に反射するというものである。リフレクタ５２はアルミニウム合金板にて形成されており、その表面（フラッシュランプＦＬに臨む側の面）はブラスト処理により粗面化加工が施されている。

チャンバー６の下方に設けられたハロゲン加熱部４は、筐体４１の内側に複数本（本実施形態では４０本）のハロゲンランプＨＬを内蔵している。ハロゲン加熱部４は、複数のハロゲンランプＨＬによってチャンバー６の下方から下側チャンバー窓６４を介して熱処理空間６５への光照射を行って半導体ウェハーＷを加熱する光照射部である。

図７は、複数のハロゲンランプＨＬの配置を示す平面図である。４０本のハロゲンランプＨＬは上下２段に分けて配置されている。保持部７に近い上段に２０本のハロゲンランプＨＬが配設されるとともに、上段よりも保持部７から遠い下段にも２０本のハロゲンランプＨＬが配設されている。各ハロゲンランプＨＬは、長尺の円筒形状を有する棒状ランプである。上段、下段ともに２０本のハロゲンランプＨＬは、それぞれの長手方向が保持部７に保持される半導体ウェハーＷの主面に沿って（つまり水平方向に沿って）互いに平行となるように配列されている。よって、上段、下段ともにハロゲンランプＨＬの配列によって形成される平面は水平面である。

また、図７に示すように、上段、下段ともに保持部７に保持される半導体ウェハーＷの中央部に対向する領域よりも周縁部に対向する領域におけるハロゲンランプＨＬの配設密度が高くなっている。すなわち、上下段ともに、ランプ配列の中央部よりも周縁部の方がハロゲンランプＨＬの配設ピッチが短い。このため、ハロゲン加熱部４からの光照射による加熱時に温度低下が生じやすい半導体ウェハーＷの周縁部により多い光量の照射を行うことができる。

また、上段のハロゲンランプＨＬからなるランプ群と下段のハロゲンランプＨＬからなるランプ群とが格子状に交差するように配列されている。すなわち、上段に配置された２０本のハロゲンランプＨＬの長手方向と下段に配置された２０本のハロゲンランプＨＬの長手方向とが互いに直交するように計４０本のハロゲンランプＨＬが配設されている。

ハロゲンランプＨＬは、ガラス管内部に配設されたフィラメントに通電することでフィラメントを白熱化させて発光させるフィラメント方式の光源である。ガラス管の内部には、窒素やアルゴン等の不活性ガスにハロゲン元素（ヨウ素、臭素等）を微量導入した気体が封入されている。ハロゲン元素を導入することによって、フィラメントの折損を抑制しつつフィラメントの温度を高温に設定することが可能となる。したがって、ハロゲンランプＨＬは、通常の白熱電球に比べて寿命が長くかつ強い光を連続的に照射できるという特性を有する。すなわち、ハロゲンランプＨＬは少なくとも１秒以上連続して発光する連続点灯ランプである。また、ハロゲンランプＨＬは棒状ランプであるため長寿命であり、ハロゲンランプＨＬを水平方向に沿わせて配置することにより上方の半導体ウェハーＷへの放射効率が優れたものとなる。

また、ハロゲン加熱部４の筐体４１内にも、２段のハロゲンランプＨＬの下側にリフレクタ４３が設けられている（図１）。リフレクタ４３は、複数のハロゲンランプＨＬから出射された光を熱処理空間６５の側に反射する。

制御部３は、熱処理装置１に設けられた上記の種々の動作機構を制御する。例えば、制御部３は、ハロゲンランプＨＬおよびフラッシュランプＦＬの発光を制御する。制御部３のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、制御部３は、各種演算処理を行う回路であるＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭおよび制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく磁気ディスクを備えている。制御部３のＣＰＵが所定の処理プログラムを実行することによって熱処理装置１における処理が進行する。

上記の構成以外にも熱処理装置１は、半導体ウェハーＷの熱処理時にハロゲンランプＨＬおよびフラッシュランプＦＬから発生する熱エネルギーによるハロゲン加熱部４、フラッシュ加熱部５およびチャンバー６の過剰な温度上昇を防止するため、様々な冷却用の構造を備えている。例えば、チャンバー６の壁体には水冷管（図示省略）が設けられている。また、ハロゲン加熱部４およびフラッシュ加熱部５は、内部に気体流を形成して排熱する空冷構造とされている。また、上側チャンバー窓６３とランプ光放射窓５３との間隙にも空気が供給され、フラッシュ加熱部５および上側チャンバー窓６３を冷却する。

次に、熱処理装置１における半導体ウェハーＷの処理手順について説明する。ここで処理対象となる半導体ウェハーＷはイオン注入法によりボロン（Ｂ）、ヒ素（Ａｓ）、リン（Ｐ）等の不純物（イオン）が添加されたシリコンの半導体基板である。その不純物の拡散および活性化が熱処理装置１による加熱処理により実行される。以下に説明する熱処理装置１の処理手順は、制御部３が熱処理装置１の各動作機構を制御することにより進行する。

まず、給気のためのバルブ８４が開放されるとともに、排気用のバルブ８９，１９２が開放されてチャンバー６内に対する給排気が開始される。バルブ８４が開放されると、ガス供給孔８１から熱処理空間６５に窒素ガスが供給される。また、バルブ８９が開放されると、ガス排気孔８６からチャンバー６内の気体が排気される。これにより、チャンバー６内の熱処理空間６５の上部から供給された窒素ガスが下方へと流れ、熱処理空間６５の下部から排気される。

また、バルブ１９２が開放されることによって、搬送開口部６６からもチャンバー６内の気体が排気される。さらに、図示省略の排気機構によって移載機構１０の駆動部周辺の雰囲気も排気される。なお、熱処理装置１における半導体ウェハーＷの熱処理時には窒素ガスが熱処理空間６５に継続的に供給されており、その供給量は処理工程に応じて適宜変更される。

続いて、ゲートバルブ１８５が開いて搬送開口部６６が開放され、装置外部の搬送ロボットにより搬送開口部６６を介して不純物注入後の半導体ウェハーＷがチャンバー６内の熱処理空間６５に搬入される。このときには、半導体ウェハーＷの搬入にともなって装置外部の雰囲気を巻き込むおそれがあるが、チャンバー６には窒素ガスが供給され続けているため、搬送開口部６６から窒素ガスが流出して、そのような外部雰囲気の巻き込みを最小限に抑制することができる。

搬送ロボットによって搬入された半導体ウェハーＷは保持部７の直上位置まで進出して停止する。そして、移載機構１０の一対の移載アーム１１が退避位置から移載動作位置に水平移動して上昇することにより、リフトピン１２が貫通孔７９を通ってサセプタ７４の保持プレート７５の上面から突き出て半導体ウェハーＷを受け取る。このとき、リフトピン１２は基板支持ピン７７の上端よりも上方にまで上昇する。

半導体ウェハーＷがリフトピン１２に載置された後、搬送ロボットが熱処理空間６５から退出し、ゲートバルブ１８５によって搬送開口部６６が閉鎖される。そして、一対の移載アーム１１が下降することにより、半導体ウェハーＷは移載機構１０から保持部７のサセプタ７４に受け渡されて水平姿勢にて下方より保持される。半導体ウェハーＷは、保持プレート７５上に立設された複数の基板支持ピン７７によって支持されてサセプタ７４に保持される。また、半導体ウェハーＷは、パターン形成がなされて不純物が注入された表面を上面として保持部７に保持される。複数の基板支持ピン７７によって支持された半導体ウェハーＷの裏面（表面とは反対側の主面）と保持プレート７５の保持面７５ａとの間には所定の間隔が形成される。サセプタ７４の下方にまで下降した一対の移載アーム１１は水平移動機構１３によって退避位置、すなわち凹部６２の内側に退避する。

図８は、半導体ウェハーＷの表面温度の変化を示す図である。半導体ウェハーＷが石英にて形成された保持部７のサセプタ７４によって水平姿勢にて下方より保持された後、時刻ｔ１にハロゲン加熱部４の４０本のハロゲンランプＨＬが一斉に点灯して半導体ウェハーＷの加熱が開始される。ハロゲンランプＨＬから出射されたハロゲン光は、石英にて形成された下側チャンバー窓６４およびサセプタ７４を透過して半導体ウェハーＷの下面に照射される。ハロゲンランプＨＬからの光照射を受けることによって半導体ウェハーＷが急速加熱されてウェハー温度が上昇する。なお、移載機構１０の移載アーム１１は凹部６２の内側に退避しているため、ハロゲンランプＨＬによる加熱の障害となることは無い。

ハロゲンランプＨＬによる加熱を行うときには、半導体ウェハーＷの温度が放射温度計２０によって測定されている。すなわち、サセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷの下面から開口部７８を介して放射された赤外光を透明窓２１を通して放射温度計２０が受光して昇温中のウェハー温度を測定する。測定された半導体ウェハーＷの温度は制御部３に伝達される。制御部３は、ハロゲンランプＨＬからの光照射によって昇温する半導体ウェハーＷの温度が所定の目標温度Ｔ１に到達したか否かを監視しつつ、ハロゲンランプＨＬの出力を制御する。すなわち、制御部３は、放射温度計２０による測定値に基づいて、半導体ウェハーＷの温度が目標温度Ｔ１となるようにハロゲンランプＨＬの出力をフィードバック制御する。目標温度Ｔ１は、７５０℃以上９００℃以下である。

時刻ｔ２に半導体ウェハーＷの温度が目標温度Ｔ１に到達した後、制御部３は半導体ウェハーＷの温度がその目標温度Ｔ１を維持するようにハロゲンランプＨＬの出力を調整する。ハロゲンランプＨＬからの光照射によって半導体ウェハーＷの温度は目標温度Ｔ１に時刻ｔ３まで維持される。半導体ウェハーＷの温度が目標温度Ｔ１に維持される時刻ｔ２から時刻ｔ３までの時間は１秒以上４秒以下である。なお、ハロゲンランプＨＬからの光照射によって半導体ウェハーＷを目標温度Ｔ１にまで昇温する時刻ｔ１から時刻ｔ２までが昇温工程であり、ハロゲンランプＨＬからの光照射によって半導体ウェハーＷを目標温度Ｔ１に維持する時刻ｔ２から時刻ｔ３までが温度維持工程である。

時刻ｔ２から時刻ｔ３まで半導体ウェハーＷを目標温度Ｔ１に維持するソーク処理を実行することによって、半導体ウェハーＷの表面に注入されていた不純物が拡散する。この温度維持工程では、半導体デバイスの設計値に従った規定の深さにまで不純物を正確に拡散させることが求められる。シリコン中における拡散係数は不純物の種類によって異なるため、不純物の種類と不純物拡散が必要とされる深さによって目標温度Ｔ１および時刻ｔ２から時刻ｔ３までの温度維持時間が決定される。ハロゲンランプＨＬの発光時間および発光出力の制御は比較的容易であり、半導体ウェハーＷの温度を目標温度Ｔ１に時刻ｔ２から時刻ｔ３まで正確に維持することによって、注入された不純物を規定の深さに精度良く拡散させることができる。

次に、時刻ｔ３にハロゲンランプＨＬが消灯する。ハロゲンランプＨＬが消灯することによって半導体ウェハーＷの温度が目標温度Ｔ１から降温する。すなわち、半導体ウェハーＷの温度が目標温度Ｔ１から降温する時刻ｔ３以降が降温工程である。

本実施形態では、降温工程の途中の時刻ｔ４にフラッシュ加熱部５のフラッシュランプＦＬから半導体ウェハーＷにフラッシュ光を照射する。フラッシュランプＦＬから放射されたフラッシュ光はサセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷの表面に照射される。フラッシュ光を照射する時刻ｔ４での半導体ウェハーＷの温度Ｔ２は例えば６００℃以下である。

フラッシュランプＦＬから半導体ウェハーＷに照射されるフラッシュ光は、予めコンデンサーに蓄えられていた静電エネルギーが極めて短い光パルスに変換された、照射時間が０．１ミリセカンド以上１００ミリセカンド以下程度の極めて短く強い閃光である。このようなフラッシュ光が時刻ｔ４に半導体ウェハーＷの表面に照射されることによって、当該表面が瞬間的に加熱されるフラッシュ加熱が実行される。フラッシュ加熱される半導体ウェハーＷの表面温度は、瞬間的に活性化温度Ｔ３にまで上昇した後、急速に下降する。半導体ウェハーＷの表面温度が瞬間的に活性化温度Ｔ３にまで昇温することによって、当該表面に注入されていた不純物が活性化する。なお、典型的には、活性化温度Ｔ３は目標温度Ｔ１よりも高温である。

ここで重要なことは、フラッシュ加熱時には不純物の活性化のみを行って不純物を僅かでも拡散させないことである。すなわち、上記の温度維持工程にて半導体ウェハーＷの温度を目標温度Ｔ１に時刻ｔ２から時刻ｔ３まで維持することによって、注入された不純物を規定の深さに精度良く拡散させており、それ以上僅かでも不純物が拡散すると接合深さが要求よりも深くなり過ぎてデバイス特性が低下することとなる。本実施形態では、半導体ウェハーＷの温度が目標温度Ｔ１から降温する降温工程の途中で半導体ウェハーＷの表面にフラッシュ光を照射しているため、不純物の拡散を完全に抑制しつつ不純物の活性化のみを行うことができる。

フラッシュ加熱が終了した後、半導体ウェハーＷの温度がさらに降温する。降温中の半導体ウェハーＷの温度は放射温度計２０によって測定され、その測定結果は制御部３に伝達される。制御部３は、放射温度計２０の測定結果より半導体ウェハーＷの温度が所定温度まで降温したか否かを監視する。そして、半導体ウェハーＷの温度が所定以下にまで降温した後、移載機構１０の一対の移載アーム１１が再び退避位置から移載動作位置に水平移動して上昇することにより、リフトピン１２がサセプタ７４の上面から突き出て熱処理後の半導体ウェハーＷをサセプタ７４から受け取る。続いて、ゲートバルブ１８５により閉鎖されていた搬送開口部６６が開放され、リフトピン１２上に載置された半導体ウェハーＷが装置外部の搬送ロボットにより搬出され、熱処理装置１における半導体ウェハーＷの加熱処理が完了する。

本実施形態においては、不純物が注入された半導体ウェハーＷにハロゲンランプＨＬから光照射を行い、その半導体ウェハーＷを目標温度Ｔ１に昇温し、さらに時刻ｔ２から時刻ｔ３まで目標温度Ｔ１に正確に維持することによって、注入された不純物を規定の深さに精度良く拡散させている。そして、ハロゲンランプＨＬを消灯し、半導体ウェハーＷの温度が目標温度Ｔ１から降温する降温工程の途中で半導体ウェハーＷの表面にフラッシュランプＦＬからフラッシュ光を照射している。

ここで仮に、半導体ウェハーＷが目標温度Ｔ１に昇温している状態でフラッシュ光照射を行うと、そのフラッシュ光照射によるフラッシュ加熱によっても不純物が若干拡散する。そうすると、規定の深さに精度良く拡散されている不純物が規定の深さを超えてさらに拡散し、その結果所望の接合深さが得られないこととなる。

そこで、本実施形態においては、半導体ウェハーＷの温度が目標温度Ｔ１から降温する降温工程の途中で半導体ウェハーＷの表面にフラッシュ光を照射することによって、不純物の拡散を完全に抑制しつつ不純物の活性化のみを行っている。これにより、半導体ウェハーＷに注入された不純物を規定の深さに精度良く拡散させて活性化することができる。

以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態においては、時刻ｔ３以降の降温工程でハロゲンランプＨＬを消灯させていたが、これに代えて、ハロゲンランプＨＬから照射される光の強度を低下させることによって半導体ウェハーＷを目標温度Ｔ１から降温するようにしても良い。

また、処理対象となる半導体ウェハーＷは、シリコンの半導体基板に限定されるものではなく、ゲルマニウムまたはシリコンゲルマニウムの半導体基板であっても良い。不純物が注入されたゲルマニウム等の半導体基板にハロゲンランプＨＬから光照射して所定時間目標温度Ｔ１に維持し、その後半導体基板が目標温度Ｔ１から降温している途中でフラッシュ光を照射すれば、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。

また、本発明に係る技術はポリシリコンのゲート電極が形成された半導体基板に適用するようにしても良い。すなわち、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）のゲート電極としてポリシリコンを成膜し、そのポリシリコンゲート電極に不純物を注入した半導体基板にハロゲンランプＨＬから光照射して所定時間目標温度Ｔ１に維持して不純物をゲート電極中に拡散させる。その後、半導体基板が目標温度Ｔ１から降温している途中でフラッシュランプＦＬからフラッシュ光を照射して不純物を活性化させる。

また、上記実施形態においては、フラッシュ加熱部５に３０本のフラッシュランプＦＬを備えるようにしていたが、これに限定されるものではなく、フラッシュランプＦＬの本数は任意の数とすることができる。また、フラッシュランプＦＬはキセノンフラッシュランプに限定されるものではなく、クリプトンフラッシュランプであっても良い。また、ハロゲン加熱部４に備えるハロゲンランプＨＬの本数も４０本に限定されるものではなく、任意の数とすることができる。

また、上記実施形態においては、１秒以上連続して発光する連続点灯ランプとしてフィラメント方式のハロゲンランプＨＬを用いて半導体ウェハーＷの加熱を行っていたが、これに限定されるものではない。ハロゲンランプＨＬに代えて放電型のアークランプ（例えば、キセノンアークランプ）を連続点灯ランプとして用い、アークランプからの光照射によって半導体ウェハーＷを目標温度Ｔ１に昇温して維持するようにしても良い。

１熱処理装置
３制御部
４ハロゲン加熱部
５フラッシュ加熱部
６チャンバー
７保持部
１０移載機構
２０放射温度計
６３上側チャンバー窓
６４下側チャンバー窓
６５熱処理空間
７４サセプタ
ＦＬフラッシュランプ
ＨＬハロゲンランプ
Ｗ半導体ウェハー

Claims

不純物が注入された基板に光を照射することによって該基板を加熱して前記不純物を活性化させる熱処理方法であって、
連続点灯ランプからの光照射によって前記基板を目標温度にまで昇温する昇温工程と、
前記連続点灯ランプからの光照射によって前記基板を前記目標温度に所定時間維持する温度維持工程と、
前記連続点灯ランプを消灯または前記連続点灯ランプから照射される光の強度を低下させることによって前記基板を前記目標温度から降温する降温工程と、
を備え、
前記降温工程の途中にてフラッシュランプから前記基板にフラッシュ光を照射することを特徴とする熱処理方法。
請求項１記載の熱処理方法において、
前記目標温度は、７５０℃以上９００℃以下であることを特徴とする熱処理方法。
請求項２記載の熱処理方法において、
前記温度維持工程では、前記基板を前記目標温度に１秒以上４秒以下維持することを特徴とする熱処理方法。
不純物が注入された基板に光を照射することによって該基板を加熱して前記不純物を活性化させる熱処理装置であって、
前記基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバーに収容された前記基板に光を照射して目標温度に加熱する連続点灯ランプと、
前記チャンバーに収容された前記基板にフラッシュ光を照射するフラッシュランプと、
前記連続点灯ランプおよび前記フラッシュランプの発光を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記連続点灯ランプからの光照射によって前記目標温度にまで昇温した前記基板を前記目標温度に所定時間維持した後、前記連続点灯ランプを消灯または前記連続点灯ランプから照射される光の強度を低下させることによって前記基板を前記目標温度から降温している途中で前記基板にフラッシュ光を照射するように前記連続点灯ランプおよび前記フラッシュランプの発光を制御することを特徴とする熱処理装置。
請求項４記載の熱処理装置において、
前記目標温度は、７５０℃以上９００℃以下であることを特徴とする熱処理装置。
請求項５記載の熱処理装置において、
前記制御部は、前記基板を前記目標温度に１秒以上４秒以下維持することを特徴とする熱処理装置。