JP2021182582A - 熱処理装置 - Google Patents
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Abstract
Description
以下、本実施の形態に関する熱処理装置および熱処理方法について説明する。
図1は、本実施の形態に関する熱処理装置100の構成の例を概略的に示す平面図である。また、図2は、本実施の形態に関する熱処理装置100の構成の例を概略的に示す正面図である。
次に、熱処理装置100における半導体ウエハWの処理手順について説明する。図11は、半導体ウエハWの処理手順を示すフローチャートである。以下に説明する熱処理装置100の処理手順は、制御部3が熱処理装置100の各動作機構を制御することにより進行する。
本実施の形態に関する熱処理装置、および、について説明する。なお、以下の説明においては、以上に記載された実施の形態で説明された構成要素と同様の構成要素については同じ符号を付して図示し、その詳細な説明については適宜省略するものとする。
図13は、本実施の形態に関する熱処理部160Aの構成を概略的に示す断面図である。
本実施の形態に関する熱処理装置、および、について説明する。なお、以下の説明においては、以上に記載された実施の形態で説明された構成要素と同様の構成要素については同じ符号を付して図示し、その詳細な説明については適宜省略するものとする。
図16は、本実施の形態に関する熱処理部160Cの構成を概略的に示す断面図である。
次に、以上に記載された実施の形態によって生じる効果の例を示す。なお、以下の説明においては、以上に記載された実施の形態に例が示された具体的な構成に基づいて当該効果が記載されるが、同様の効果が生じる範囲で、本願明細書に例が示される他の具体的な構成と置き換えられてもよい。
以上に記載された実施の形態では、それぞれの構成要素の材質、材料、寸法、形状、相対的配置関係または実施の条件などについても記載する場合があるが、これらはすべての局面においてひとつの例であって、本願明細書に記載されたものに限られることはないものとする。
4 ハロゲン加熱部
4A LED加熱部
5 加熱部
5A フラッシュ加熱部
6,6A チャンバー
7,7C 保持部
10 移載機構
11 移載アーム
12 リフトピン
13 水平移動機構
14 昇降機構
20,20A 下部放射温度計
21,26 透明窓
22,27 温度測定ユニット
24,24A,24C,29 赤外線センサー
25 上部放射温度計
33 表示部
34 入力部
41,51 筐体
43,52 リフレクタ
53 ランプ光放射窓
61a,61b,79,220 貫通孔
61 チャンバー筐体
62 凹部
63 上側チャンバー窓
64 下側チャンバー窓
65,65A 熱処理空間
66 搬送開口部
68,69 反射リング
71 基台リング
72 連結部
74,74C サセプタ
75,75C 保持プレート
75a 保持面
76 ガイドリング
77 支持ピン
78 開口部
81 ガス供給孔
82,87 緩衝空間
83 ガス供給管
84,89,192 バルブ
85 処理ガス供給源
86 ガス排気孔
88,191 ガス排気管
100 熱処理装置
101 インデクサ部
110 ロードポート
120 受渡ロボット
121 ハンド
130,140 冷却部
131 第1クールチャンバー
141 第2クールチャンバー
150 搬送ロボット
151a,151b 搬送ハンド
160,160A,160B,160C 熱処理部
170 搬送チャンバー
181,182,183,184,185 ゲートバルブ
190 排気部
201 遮光部材
210 LEDランプ
230 アライメント部
231 アライメントチャンバー
261 チャンバー側部
Claims (11)
- 基板を収容するためのチャンバーと、
石英からなり、かつ、前記チャンバー内において前記基板を第1の側から支持するための支持部と、
前記基板に対して前記第1の側とは反対側の第2の側に配置され、かつ、フラッシュ光を照射することによって前記基板を加熱するためのフラッシュランプと、
前記基板の前記第2の側に配置され、かつ、前記基板を連続加熱するための連続点灯ランプと、
前記チャンバー内において前記基板の前記第1の側と前記第2の側とを区切り、かつ、平面視で前記基板を囲んで配置される遮光部材と、
前記基板の前記第1の側に配置され、かつ、前記基板の温度を測定するための少なくとも1つの放射温度計とを備え、
前記放射温度計は、前記支持部を透過可能な波長の光を受光して、前記基板の温度を測定する、
熱処理装置。 - 石英からなり、かつ、基板を第1の側から支持するための支持部と、
前記基板に対して前記第1の側とは反対側の第2の側に配置され、かつ、フラッシュ光を照射することによって前記基板を加熱するためのフラッシュランプと、
前記基板の前記第1の側に配置され、かつ、前記基板を連続加熱するための少なくとも1つのLEDランプと、
石英からなり、かつ、前記フラッシュランプと前記基板との間、および、前記LEDランプと前記支持部との間にそれぞれ配置される石英窓と、
前記基板の前記第1の側に配置され、かつ、前記基板の温度を測定するための少なくとも1つの放射温度計とを備え、
前記放射温度計は、前記支持部を透過可能な波長の光を受光して、前記基板の温度を測定する、
熱処理装置。 - 請求項2に記載の熱処理装置であり、
前記放射温度計は、前記LEDランプの発光波長を受光する前記波長から除外する、
熱処理装置。 - 請求項2または3に記載の熱処理装置であり、
前記LEDランプは、前記基板の前記第1の側の面に対向して複数配置される、
熱処理装置。 - 請求項2から4のうちのいずれか1つに記載の熱処理装置であり、
前記基板の前記第2の側に配置され、かつ、前記基板を連続加熱するための連続点灯ランプをさらに備える、
熱処理装置。 - 請求項5に記載の熱処理装置であり、
前記LEDランプは、前記フラッシュランプの最大発光強度を示す波長以上、かつ、前記連続点灯ランプの最大発光強度を示す波長以下の波長で前記基板に指向性の光を照射することによって、前記基板を連続加熱する、
熱処理装置。 - 石英からなり、かつ、基板を支持するための支持部と、
前記基板に対して第1の側とは反対側の第2の側に配置され、かつ、フラッシュ光を照射することによって前記基板を加熱するためのフラッシュランプと、
前記基板の前記第2の側に配置され、かつ、前記基板を連続加熱するための連続点灯ランプと、
前記基板の前記第1の側に配置され、かつ、前記基板の温度を測定するための少なくとも1つの放射温度計とを備え、
前記支持部は、少なくとも、前記放射温度計の光軸と交わる位置を除いて配置される、
熱処理装置。 - 請求項7に記載の熱処理装置であり、
前記支持部の前記放射温度計の光軸と交わる位置には、貫通孔が形成される、
熱処理装置。 - 請求項1から8のうちのいずれか1つに記載の熱処理装置であり、
前記放射温度計の光軸が、前記基板の主面と直交する、
熱処理装置。 - 請求項1から9のうちのいずれか1つに記載の熱処理装置であり、
前記放射温度計の測定可能な波長領域が、3μm以下である、
熱処理装置。 - 請求項1、7および8のうちのいずれか1つに記載の熱処理装置であり、
前記連続点灯ランプは、ハロゲンランプである、
熱処理装置。
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