DE19513749B4 - Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung des Emissionsfaktors von Halbleitermaterialien durch Bestrahlung mit elektromagnetischen Wellen - Google Patents

Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung des Emissionsfaktors von Halbleitermaterialien durch Bestrahlung mit elektromagnetischen Wellen Download PDF

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Abstract

Verfahren zur Bestimmung eines Emissionsfaktors eines Halbleitermaterials mittels eines auf Reflexionsmessung basierenden Meßsystems mit einer ersten Strahlungsquelle und einem Strahlungsempfänger, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleitermaterial mit einer schmalbandigen zweiten Strahlungsquelle, deren Photonenergie gleich oder größer der Energie des Bandabstandes des Halbleiters ist, so bestrahlt wird, daß das Halbleitermaterial für den Wellenlängenbereich des Meßsystems undurchlässig wird.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung entsprechend des Oberbegriffs der Ansprüche 1 und 3.
  • Aus Instruments & Control Systems, May 1964, S. 87 – 89, ist ein Verfahren entsprechend dem Gegenstand des Anspruchs 1 der vorliegenden Erfindung zur Bestimmung des Emissionsfaktors von Materialien, die für elektromagnetische Strahlung undurchlässig sind, bekannt.
  • Aus dem US-Patent 5,226,732 ist bekannt, daß Halbleiter in einer Prozeßkammer durch Erwärmen oder durch Bestrahlung mit geeignetem Licht in einen Zustand gebracht werden können, daß sie für elektromagnetische Strahlung undurchlässig sind.
  • US-Patent 4,989,991 offenbart ein Verfahren zur Messung der Temperatur eines Halbleiterwafers, der auf einem wärmeleitfähigen Suszeptor abgelegt ist und sich im thermischen Gleichgewicht mit dem Suszeptor befindet. Über die Messung der Temperatur an einer Stelle des Suszeptors wird auf die Waferfemperatur geschlossen.
  • Gemäß der europäischen Patentanmeldung EP 0 618 430 wird eine Oberflächentem- peratur eines Halbleiterwafers bestimmt, indem eine vom Wafer ausgehende Strahlung sowie eine auf den Wafer einstrahlende Strahlung gemessen werden.
    •
  • Das Ziel dieser Erfindung ist die Einführung einer neuen optischen Temperaturmeßmethode in der Halbleiterbearbeitung (Schnellheizsystemen), wenn die Halbleitermaterialien auf Grund ihrer Materialeigenschaften für Strahlung, in einem gewissen Bereich, noch optisch transparent sind und daher die Messung des Reflexionsgrades in diesem durch indirekte Reflexionen (mehrfach Reflexionen) verfälscht wird. Das Ziel der Erfindung wird mittels des eingangs genannten Verfahrens, der genannten Vorrichtung und durch den kennzeichnenden Teil der Ansprüche 1 und 3 erreicht.
  • Durch die Bestrahlung mit elektromagnetischen Wellen findet eine Elektronenanregung (Elektronenübergang vom Valenzband ins Leitungsband) des Halbleitermaterials statt und deshalb wird der Halbleiter opaque d.h. er ist für elektromagnetische Wellen undurchlässig. Dadurch läßt sich der Reflexionsgrad einfach aus einer direkten Messung, ohne den Einfluß aus den indirekten Reflexionen zu haben, bestimmen. Da ja durch die Elektronenanregung die Transmission des bestrahlten Materials aufgehoben wird. Somit ist es nun möglich den Emissionsfaktor des Halbleitermaterials, für den Zustand der Undurchlässigkeit, bei Raumtemperatur zu bestimmen.
  • Für diesen Fall gilt nun die einfache Formel für undurchsichtiges Material (τ = 0) unter Einbeziehung des Kirchhoffschen Gesetzes und des Energieerhaltungssatzes: α + ρ = ε + ρ = 1a = absorbierter Faktor ρ = reflektierter Faktor ε = emittierter Faktor τ = transmittierter Faktor
  • Die Meßmethode kann sowohL für eine externe Bestimmung des Emissionswertes, wie auch für eine interne (im Bearbeitungsprozeß) Bestimmung verwendet werden. Somit ist ein Problem, das bei der optischen Temperaturmessung von Halbleitermaterialien bei niedrigen Temperaturen auftritt gelöst.
  • Es ist z.B. bekannt, daß schwach dotierte Si-Wafer im infrarot Bereich von über 1.1 μm bis etwa 600 °C semitransparent sind. Durch die Bestrahlung kann sofort der Emissionswert, des Halbleitermaterials, aus obiger Formel bestimmt werden. Infolgedessen kann die exakte Temperatur des Halbleitermaterials über die Messung der Photonenemission gemessen und bestimmt werden. Des weiteren wird das Störsignal der Messung der Photonenemission durch Reduzierung der Hintergrundstrahlung vermindert, da keine indirekte Reflexion mehr auftreten kann.
    •

Claims (7)

  1. Verfahren zur Bestimmung eines Emissionsfaktors eines Halbleitermaterials mittels eines auf Reflexionsmessung basierenden Meßsystems mit einer ersten Strahlungsquelle und einem Strahlungsempfänger, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleitermaterial mit einer schmalbandigen zweiten Strahlungsquelle, deren Photonenergie gleich oder größer der Energie des Bandabstandes des Halbleiters ist, so bestrahlt wird, daß das Halbleitermaterial für den Wellenlängenbereich des Meßsystems undurchlässig wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Strahlungsquelle eine Spektrallampe, eine Bogenlampe oder ein Laser ist.
  3. Vorrichtung zur Bestimmung eines Emissionsfaktors eines Halbleitermaterials mittels eines auf Reflexionsmessung basierenden Meßsystems mit einer ersten Strahlungsquelle und einem Strahlungsempfänger, gekennzeichnet durch eine schmalbandige zweiten Strahlungsquelle deren Photonenergie gleich oder größer der Energie des Bandabstandes des Halbleiters ist, um das Halbleitermaterials so zu bestrahlen, daß dieses für den Wellenlängenbereich des Meßsystems undurchlässig wird.
  4. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Strahlungsquelle und der Strahlungsempfänger derart angeordnet sind, daß der von der Strahlungsquelle ausgesandte Strahl und der vom Strahlungsempfänger empfangene Strahl betragsmäßig den gleichen Winkel zur Normalenrichtung auf das Halbleitersubstrat haben.
  5. Vorrichtung nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß sich das Halbleitermaterial in einer Reaktionskammer mit einer Heizquelle befindet.
  6. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 3 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß sich das Meßsystem oder Teile davon innerhalb oder außerhalb der Reaktionskammer befinden.
  7. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 3 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Strahlungsquelle eine Spektrallampe, eine Bogenlampe oder ein Laser ist.
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Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6082892A (en) * 1992-05-29 2000-07-04 C.I. Systems Ltd. Temperature measuring method and apparatus
US7155363B1 (en) * 1997-12-01 2006-12-26 Mks Instruments, Inc. Thermal imaging for semiconductor process monitoring
US6056434A (en) * 1998-03-12 2000-05-02 Steag Rtp Systems, Inc. Apparatus and method for determining the temperature of objects in thermal processing chambers
JP2000058423A (ja) * 1998-08-12 2000-02-25 Toshiba Corp 熱処理方法及び熱処理装置
US6132084A (en) * 1998-11-30 2000-10-17 General Electric Company Infrared non-contact temperature measurement for household appliances
AU3726100A (en) 1999-03-08 2000-09-28 C.I. Systems Ltd. Method and apparatus for active pyrometric measurement of the temperature of a body whose emissivity varies with wavelength
US6183127B1 (en) * 1999-03-29 2001-02-06 Eaton Corporation System and method for the real time determination of the in situ emissivity of a workpiece during processing
US6293696B1 (en) 1999-05-03 2001-09-25 Steag Rtp Systems, Inc. System and process for calibrating pyrometers in thermal processing chambers
US6151446A (en) * 1999-07-06 2000-11-21 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for thermally processing substrates including a processor using multiple detection signals
US6683695B1 (en) 1999-07-21 2004-01-27 Electronic Design To Market, Inc. Method and apparatus for detecting properties of reflective transparent surface coatings on a sheet of transparent material
US6647350B1 (en) * 2000-06-02 2003-11-11 Exactus, Inc. Radiometric temperature measurement system
US6594446B2 (en) * 2000-12-04 2003-07-15 Vortek Industries Ltd. Heat-treating methods and systems
EP1393354A1 (de) * 2001-05-23 2004-03-03 Mattson Thermal Products GmbH Verfahren und vorrichtung zum thermischen behandeln von substraten
KR101067901B1 (ko) * 2001-12-26 2011-09-28 맷슨 테크날러지 캐나다 인코퍼레이티드 온도 측정 및 열처리 방법과 시스템
US6849831B2 (en) * 2002-03-29 2005-02-01 Mattson Technology, Inc. Pulsed processing semiconductor heating methods using combinations of heating sources
US20030209326A1 (en) * 2002-05-07 2003-11-13 Mattson Technology, Inc. Process and system for heating semiconductor substrates in a processing chamber containing a susceptor
DE10393962B4 (de) 2002-12-20 2019-03-14 Mattson Technology Inc. Verfahren und Vorrichtung zum Stützen eines Werkstücks und zur Wärmebehandlung des Werkstücks
US6916572B2 (en) * 2003-03-19 2005-07-12 Ird Fuel Cells A/S Interlocking isolator for fuel cells
US20050106876A1 (en) * 2003-10-09 2005-05-19 Taylor Charles A.Ii Apparatus and method for real time measurement of substrate temperatures for use in semiconductor growth and wafer processing
WO2005059991A1 (en) * 2003-12-19 2005-06-30 Mattson Technology Canada Inc. Apparatuses and methods for suppressing thermally induced motion of a workpiece
US7781947B2 (en) * 2004-02-12 2010-08-24 Mattson Technology Canada, Inc. Apparatus and methods for producing electromagnetic radiation
US7417749B1 (en) 2004-09-01 2008-08-26 Electric Design To Market, Inc. Method and apparatus for protecting an optical transmission measurement when sensing transparent materials
US20060054843A1 (en) * 2004-09-13 2006-03-16 Electronic Design To Market, Inc. Method and apparatus of improving optical reflection images of a laser on a changing surface location
DE102004050165B4 (de) * 2004-10-14 2006-11-02 Hensoldt Ag Optisches Beobachtungsgerät mit einer Vorrichtung zum Schutz gegen einfallende Störstrahlung
DE102004061101B3 (de) * 2004-12-18 2006-01-19 Miele & Cie. Kg Verfahren zur Bestimmung des Emissionskoeffizienten ε2 einer zu beheizenden Fläche A2
WO2007005489A2 (en) * 2005-07-05 2007-01-11 Mattson Technology, Inc. Method and system for determining optical properties of semiconductor wafers
US20070076780A1 (en) * 2005-09-30 2007-04-05 Champetier Robert J Devices, systems and methods for determining temperature and/or optical characteristics of a substrate
US7652760B1 (en) 2006-04-05 2010-01-26 Electronic Design To Market, Inc. System for detecting coatings on transparent or semi-transparent materials
US7583368B1 (en) 2006-04-05 2009-09-01 Electronic Design To Market, Inc. Method of enhancing measurement of stress in glass
US7543981B2 (en) 2006-06-29 2009-06-09 Mattson Technology, Inc. Methods for determining wafer temperature
WO2008058397A1 (en) 2006-11-15 2008-05-22 Mattson Technology Canada, Inc. Systems and methods for supporting a workpiece during heat-treating
KR101610269B1 (ko) 2008-05-16 2016-04-07 맷슨 테크놀로지, 인크. 워크피스 파손 방지 방법 및 장치
US9070591B2 (en) * 2012-12-24 2015-06-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Adjusting intensity of laser beam during laser operation on a semiconductor device
JP6245209B2 (ja) * 2015-03-30 2017-12-13 Ｊｆｅスチール株式会社 温度計測装置、メッキ鋼板の加熱装置、メッキ鋼板のプレス装置、メッキ鋼板の加熱方法、およびメッキ鋼板のプレス方法
EP3495790B1 (de) * 2017-12-05 2024-06-12 Laser Systems & Solutions of Europe Vorrichtung und verfahren zur messung der oberflächentemperatur eines substrats
WO2020005366A1 (en) * 2018-06-26 2020-01-02 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for measuring temperature
JP7461214B2 (ja) * 2020-05-19 2024-04-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4989991A (en) * 1987-10-26 1991-02-05 Ag Processing Technologies, Inc. Emissivity calibration apparatus and method
US5226732A (en) * 1992-04-17 1993-07-13 International Business Machines Corporation Emissivity independent temperature measurement systems
EP0618430A1 (de) * 1993-04-02 1994-10-05 AT&T Corp. Halbleiter-Verarbeitungstechnik, mit pyrometrischer Messung durch Strahlung erwärmter Körper

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55144513A (en) * 1979-04-28 1980-11-11 Jeol Ltd Measuring method of emissivity
US4465382A (en) * 1980-03-04 1984-08-14 Nippon Steel Corporation Method of and an apparatus for measuring surface temperature and emmissivity of a heated material
JPS6049849B2 (ja) * 1980-08-01 1985-11-05 新日本製鐵株式会社 物体の表面温度と放射率の測定装置
US4919542A (en) * 1988-04-27 1990-04-24 Ag Processing Technologies, Inc. Emissivity correction apparatus and method
US5271084A (en) * 1990-05-23 1993-12-14 Interuniversitair Micro Elektronica Centrum Vzw Method and device for measuring temperature radiation using a pyrometer wherein compensation lamps are used
US5114242A (en) * 1990-12-07 1992-05-19 Ag Processing Technologies, Inc. Bichannel radiation detection method
US5501637A (en) * 1993-08-10 1996-03-26 Texas Instruments Incorporated Temperature sensor and method

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4989991A (en) * 1987-10-26 1991-02-05 Ag Processing Technologies, Inc. Emissivity calibration apparatus and method
US5226732A (en) * 1992-04-17 1993-07-13 International Business Machines Corporation Emissivity independent temperature measurement systems
EP0618430A1 (de) * 1993-04-02 1994-10-05 AT&T Corp. Halbleiter-Verarbeitungstechnik, mit pyrometrischer Messung durch Strahlung erwärmter Körper

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Z: Instruments & Control Systems, May 1964, S. 87-89 *

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US5727017A (en) 1998-03-10
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