RU2476955C2 - Способ формирования легированных областей полупроводникового прибора - Google Patents
Способ формирования легированных областей полупроводникового прибора Download PDFInfo
- Publication number
- RU2476955C2 RU2476955C2 RU2011118461/28A RU2011118461A RU2476955C2 RU 2476955 C2 RU2476955 C2 RU 2476955C2 RU 2011118461/28 A RU2011118461/28 A RU 2011118461/28A RU 2011118461 A RU2011118461 A RU 2011118461A RU 2476955 C2 RU2476955 C2 RU 2476955C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- semiconductor device
- alloyed
- areas
- formation
- semiconductor
- Prior art date
Links
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов. Технический результат изобретения - снижение плотности дефектов в полупроводниковых структурах, обеспечение технологичности, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных приборов. Сущность изобретения: в способе формирования легированных областей полупроводникового прибора для создания легированных рабочих областей полупроводникового прибора на сформированную подложку наносят пленку с легирующей смесью и подвергают обработке лазерным лучом длительностью импульсов 35 нс, длиной волны излучения 308 нм и с плотностью энергий в импульсе 200-500
мДж/см2. 1 табл.
Description
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженной плотностью дефектов.
Известен способ создания прибора [Пат. 5144394, США, МКИ H01L 29/06] путем формирования контактных областей истоков и стоков МОП-ПТ на поверхности кремниевых подложек с использованием процессов ионного легирования и диффузии; p-n переходы на внутренних границах указанных областей являются также границами канала МОП-ПТ. Для изоляции отдельных транзисторных структур используют слой толстого полевого окисла. Поверх контактных областей формируют более тонкий слой окисла; его используют также для изоляции тех частей активной структуры, положением которых определяется ширина канала МОП-ПТ. В таких структурах образуются дефекты, которые ухудшают параметры полупроводниковых структур.
Известен способ формирования легированных областей прибора [Пат. 5087576, США, МКИ H01L 21/265] путем имплантации ионов примеси при повышенной температуре подложки, позволяющий уменьшить степень имплантированного повреждения. Предварительно очищенная подложка имплантируется ионами Al+, Ga+ и N2 + при температуре 350-750°С. Образующийся сильнолегированный и поврежденный приповерхностный слой удаляется предварительным окислением при температуре 1000-1300°С с последующим травлением. Затем подложка подвергается отжигу при 1200°С для полной активации легирующей примеси. Недостатками этого способа являются:
- повышенная плотность дефектов в полупроводниковых структурах;
- образование механических напряжений;
- сложность технологического процесса.
Задача, решаемая изобретением: снижение плотности дефектов в полупроводниковых структурах, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров структур, повышение качества и увеличение процента выхода годных.
Задача решается путем формирования легированных рабочих областей полупроводникового прибора обработкой пленки с легирующей смесью лазерным лучом с плотностью энергий в импульсе 200-500 мДж/см2, длительностью импульсов 35 нс и с длиной волны излучения 308 нм.
Технология способа состоит в следующем: на стеклянной подложке формируют тонкий слой кремния, далее на поверхность кремниевого слоя наносят пленку с легирующей смесью методом центрифугирования, после этого поверхность сформированной структуры обрабатывают лазерным лучом длительностью импульсов 35 нс, длиной волны излучения 308 нм и с плотностью энергий в импульсе 200-500 мДж/см2. После облучения прозрачной для лазерного луча легирующей пленки происходит локальное подплавление поверхностного слоя кремния и в эту область поступает легирующий элемент из пленки с легирующей смесью для формирования областей истока и стока транзисторной структуры. Далее формируют затворную систему и контакты к рабочим областям полупроводникового прибора по стандартной технологии.
По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы полупроводниковые приборы. Результаты исследований представлены в таблице 1.
Таблица 1. | |||
Параметры п/п структур, изготовленных по стандартной технологии | Параметры п/п структур, изготовленных по предлагаемой технологии | ||
Подвижность носителей, см2/В·с | Плотность дефектов, см-2 | Подвижность носителей, см2/В·с | Плотность дефектов, см-2 |
86 | 8,5·105 | 175 | 6,3·103 |
95 | 7,9·105 | 182 | 5,7·103 |
78 | 6,4·105 | 149 | 4,8·103 |
82 | 9,1·105 | 154 | 7,2·103 |
94 | 5,6·105 | 181 | 3,7·103 |
89 | 4,7·105 | 172 | 2,9·103 |
75 | 7,3·105 | 146 | 5,5·103 |
83 | 8,2·105 | 158 | 6,1·103 |
71 | 4,4·105 | 140 | 2,7·103 |
69 | 5,2·105 | 137 | 3,4·103 |
99 | 3,8·105 | 183 | 2,5·103 |
Экспериментальные исследования показали, что выход годных полупроводниковых приборов, на партии приборов, сформированных в оптимальном режиме, увеличился на 20,8%.
Технический результат: снижение плотности дефектов в полупроводниковых структурах, обеспечение технологичности, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных приборов.
Стабильность параметров во всем эксплуатационном интервале температур была нормальной и соответствовала требованиям.
Предлагаемый способ формирования легированных рабочих областей полупроводникового прибора позволяет повысить процент выхода годных приборов и улучшить их надежность.
Claims (1)
- Способ формирования легированных областей полупроводникового прибора, включающий процессы легирования, отличающийся тем, что для создания легированных рабочих областей прибора на сформированную подложку наносят пленку с легирующей смесью и подвергают обработке лазерным лучом с плотностью энергий в импульсе 200-500 мДж/см2, длительностью импульсов 35 нс и длиной волны излучения 308 нм.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2011118461/28A RU2476955C2 (ru) | 2011-05-06 | 2011-05-06 | Способ формирования легированных областей полупроводникового прибора |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2011118461/28A RU2476955C2 (ru) | 2011-05-06 | 2011-05-06 | Способ формирования легированных областей полупроводникового прибора |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2011118461A RU2011118461A (ru) | 2012-11-20 |
RU2476955C2 true RU2476955C2 (ru) | 2013-02-27 |
Family
ID=47322757
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2011118461/28A RU2476955C2 (ru) | 2011-05-06 | 2011-05-06 | Способ формирования легированных областей полупроводникового прибора |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2476955C2 (ru) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016068741A1 (ru) * | 2014-10-28 | 2016-05-06 | Общество С Ограниченной Ответственностью "Солэкс-С" | Способ лазерного легирования и устройство для его реализации |
RU2597647C2 (ru) * | 2014-12-15 | 2016-09-20 | Акционерное общество "Рязанский завод металлокерамических приборов" (АО "РЗМКП") | Способ легирования полупроводниковых пластин |
RU2654819C1 (ru) * | 2017-04-26 | 2018-05-22 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ" | Способ изготовления полупроводниковых структур |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS622531A (ja) * | 1985-06-27 | 1987-01-08 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH04250617A (ja) * | 1991-01-28 | 1992-09-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体における不純物のドーピング方法および半導体装置の製造方法 |
SU665611A1 (ru) * | 1977-07-18 | 2001-09-20 | Научно-исследовательский институт механики МГУ им. М.В.Ломоносова | Способ получения электронно-дырочных структур в антимониде индия |
JP2010003834A (ja) * | 2008-06-19 | 2010-01-07 | Tokyo Univ Of Agriculture & Technology | 太陽光発電に用いられる半導体への不純物導入方法 |
-
2011
- 2011-05-06 RU RU2011118461/28A patent/RU2476955C2/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU665611A1 (ru) * | 1977-07-18 | 2001-09-20 | Научно-исследовательский институт механики МГУ им. М.В.Ломоносова | Способ получения электронно-дырочных структур в антимониде индия |
JPS622531A (ja) * | 1985-06-27 | 1987-01-08 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH04250617A (ja) * | 1991-01-28 | 1992-09-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体における不純物のドーピング方法および半導体装置の製造方法 |
JP2010003834A (ja) * | 2008-06-19 | 2010-01-07 | Tokyo Univ Of Agriculture & Technology | 太陽光発電に用いられる半導体への不純物導入方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016068741A1 (ru) * | 2014-10-28 | 2016-05-06 | Общество С Ограниченной Ответственностью "Солэкс-С" | Способ лазерного легирования и устройство для его реализации |
RU2597647C2 (ru) * | 2014-12-15 | 2016-09-20 | Акционерное общество "Рязанский завод металлокерамических приборов" (АО "РЗМКП") | Способ легирования полупроводниковых пластин |
RU2654819C1 (ru) * | 2017-04-26 | 2018-05-22 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ" | Способ изготовления полупроводниковых структур |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2011118461A (ru) | 2012-11-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR950007162A (ko) | 절연게이트형 반도체장치 및 그 제조방법 | |
JP2007287945A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
US6458200B1 (en) | Method for fabricating thin-film transistor | |
RU2476955C2 (ru) | Способ формирования легированных областей полупроводникового прибора | |
US6372585B1 (en) | Semiconductor device method | |
RU2688851C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2522930C2 (ru) | Способ изготовления тонкопленочного транзистора | |
RU2596861C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
US20190221672A1 (en) | Low temperature polysilicon thin film transistor and preparation method thereof | |
RU2515334C1 (ru) | Способ изготовления тонкопленочного транзистора | |
RU2428764C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2770135C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
JP2002246329A (ja) | 半導体基板の極浅pn接合の形成方法 | |
RU2723981C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2709603C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2606246C2 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2641617C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2610056C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2418343C1 (ru) | Способ изготовления полупроводниковой структуры | |
RU2785083C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2586444C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
JP3774278B2 (ja) | 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法 | |
RU2819702C1 (ru) | Способ изготовления тонкопленочного транзистора | |
RU2626075C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2723982C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20140507 |