RU2418343C1 - Способ изготовления полупроводниковой структуры - Google Patents
Способ изготовления полупроводниковой структуры Download PDFInfo
- Publication number
- RU2418343C1 RU2418343C1 RU2009145369/28A RU2009145369A RU2418343C1 RU 2418343 C1 RU2418343 C1 RU 2418343C1 RU 2009145369/28 A RU2009145369/28 A RU 2009145369/28A RU 2009145369 A RU2009145369 A RU 2009145369A RU 2418343 C1 RU2418343 C1 RU 2418343C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- temperature
- hours
- getter
- manufacturing
- structures
- Prior art date
Links
Landscapes
- Thyristors (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Abstract
Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов. Технический результат изобретения - снижение значений токов утечек и подавление паразитного тиристорного эффекта в полупроводниковых структурах, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров структур, повышение качества и увеличение процента выхода годных. Сущность изобретения: в способе изготовления полупроводниковой структуры, включающем процессы ионного легирования и формирования геттера в кремниевой пластине, геттер формируют путем имплантации атомов кислорода в кремниевую пластину с концентрацией (1,6-1,8)·1016 см-3 с последующим отжигом пластин кремния в течение 4-6 часов в сухом кислороде при температуре 1100-1200°С и разгонной примеси в n-область в течение 6-9 часов в атмосфере азота при температуре 600-800°С. 1 табл.
Description
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженными токами утечки и устойчивых к тиристорному эффекту.
Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Заявка 2128474, Япония, МКИ H01L 29/784] путем создания в подложке двух p+-областей, внутри которых формируются n+ участки, а между p+-областями создается р-участок, этот участок и n+ области замыкаются общим электродом истока, сток располагается снизу подложки на промежуточном р+-слое. В таких полупроводниковых приборах из-за низкой технологичности процессов увеличивается разброс параметров и снижается качество и надежность приборов.
Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Пат. 4970568 США, МКИ H01L 27/02] путем формирования геттера в объеме кремниевой пластины с различной шириной бездефектной зоны под элементами с разной глубиной залегания активных областей. При формировании структур ширину бездефектной области под р-карманом, в котором располагают n-канальный транзистор, делают больше, чем ширина этой области под р-областями истока/стока р-канального транзистора.
Недостатками этого способа являются
- значительные утечки;
- низкая технологическая воспроизводимость;
- повышенная плотность дефектов.
Задача, решаемая изобретением: снижение значений токов утечек и подавление паразитного тиристорного эффекта в полупроводниковых структурах, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров структур, повышение качества и увеличение процента выхода годных.
Задача решается тем, что геттер формируют путем имплантации атомов кислорода в кремниевую пластину с концентрацией (1,6-1,8)·1016 см-3 с последующим отжигом пластин кремния в течение 4-6 часов в сухом кислороде при температуре 1100-1200°С и разгонной примеси в n-область в течение 6-9 часов в атмосфере азота при температуре 600-800°С.
Технология способа состоит в следующем: в исходные пластины р-Si с ориентацией (100) имплантируют атомы кислорода с концентрацией (1,6-1,8)·1016 см-3, после предварительного окисления и имплантации n-областей, пластины кремния отжигали в течение 4-6 часов в сухом кислороде при температуре 1100-1200°С, что обеспечивало кислородное обеднение приповерхностных областей пластины. Затем осуществляли разгонку примеси в n-область в атмосфере азота при температуре 600-800°С для формирования активных центров в объеме подложки. При последующих термических процессах формирования структур центры укрупняются и адсорбируют ионы металлов, обеспечивая приповерхностные области пластин низкой концентрацией кислорода и увеличение диффузионной длины неосновных носителей. В объеме пластины при этом создаются зоны с большой плотностью дефектов и малой диффузионной длины, тем самым обеспечивают уменьшение коэффициента усиления паразитных транзисторов по току и подавление паразитного тиристорного эффекта.
Затем формировали области полупроводникового прибора по стандартной технологии.
По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы полупроводниковые структуры. Результаты представлены в таблице.
Таблица | |||||
Параметры полупроводниковых структур, изготовленных по стандартной технологии | Параметры полупроводниковых структур, изготовленных по предлагаемой технологии | ||||
Инверсный коэффици-ент усиления | Ток утечки, Iут·10-11 А | Плотность дефектов, см-2 |
Инверсный коэффициент усиления | Ток утечки, Iут·10-11 А | Плотность дефектов, см-2 |
0,27 | 47,6 | 5·102 | 0,05 | 0,6 | 4,2 |
0,25 | 45,1 | 8·102 | 0,045 | 0,61 | 6,7 |
0.2 | 45,9 | 7·102 | 0,04 | 0.64 | 5,4 |
0,19 | 53,2 | 2·102 | 0,035 | 0,17 | 1,1 |
0,28 | 52,1 | 2,5·102 | 0,044 | 0,7 | 1,5 |
0,2 | 57 | 1·102 | 0,042 | 0,73 | 0,7 |
0,18 | 46,4 | 6·102 | 0,034 | 0,6 | 4,5 |
0,22 | 49,7 | 3,5·102 | 0,046 | 0,67 | 2,2 |
0,12 | 44,8 | 8.5·102 | 0,025 | 0,64 | 6,9 |
0,24 | 49 | 4·102 | 0,05 | 0,6 | 3,1 |
0,2 | 47,3 | 5,2·102 | 0,032 | 0,62 | 4,4 |
0,18 | 54,5 | 1,7·102 | 0,03 | 0,7 | 0,9 |
0,16 | 50,3 | 3·102 | 0,028 | 0,65 | 1,4 |
Экспериментальные исследования показали, что выход годных полупроводниковых структур, на партии пластин сформированных в оптимальном режиме, увеличился на 18%.
Технический результат: снижение значений токов утечек и подавление паразитного тиристорного эффекта, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров структур, повышение качества и увеличение процента выхода годных приборов.
Стабильность параметров во всем эксплутационном интервале температур была нормальной и соответствовала требованиям.
Предложенный способ изготовления полупроводниковой структуры формированием геттера путем имплантации атомов кислорода в кремниевую пластину с концентрацией (1,6-1,8)·1016 см-3 с последующим отжигом пластин кремния в течение 4-6 часов в сухом кислороде при температуре 1100-1200°С и разгонной примеси в n-область в течение 6-9 часов в атмосфере азота при температуре 600-800°С позволяет повысить процент выхода годных приборов, улучшить их качество и надежность.
Claims (1)
- Способ изготовления полупроводниковой структуры, включающий процессы ионного легирования и формирования геттера в кремниевой пластине, отличающийся тем, что геттер формируют путем имплантации атомов кислорода в кремниевую пластину с концентрацией (1,6-1,8)·1016 см-3 с последующим отжигом пластин кремния в течение 4-6 ч в сухом кислороде при температуре 1100-1200°С и разгонной примеси в n-область в течение 6-9 ч в атмосфере азота при температуре 600-800°С.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2009145369/28A RU2418343C1 (ru) | 2009-12-07 | 2009-12-07 | Способ изготовления полупроводниковой структуры |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2009145369/28A RU2418343C1 (ru) | 2009-12-07 | 2009-12-07 | Способ изготовления полупроводниковой структуры |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2418343C1 true RU2418343C1 (ru) | 2011-05-10 |
Family
ID=44732808
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2009145369/28A RU2418343C1 (ru) | 2009-12-07 | 2009-12-07 | Способ изготовления полупроводниковой структуры |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2418343C1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2646942C1 (ru) * | 2016-11-22 | 2018-03-12 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) | Способ изготовления полупроводниковой структуры |
-
2009
- 2009-12-07 RU RU2009145369/28A patent/RU2418343C1/ru not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2646942C1 (ru) * | 2016-11-22 | 2018-03-12 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) | Способ изготовления полупроводниковой структуры |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH06310719A (ja) | Ge−SiのSOI型MOSトランジスタ及びその製造方法 | |
WO2012073583A1 (en) | Method of forming an inpurity implantation layer | |
RU2418343C1 (ru) | Способ изготовления полупроводниковой структуры | |
RU2428764C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2476955C2 (ru) | Способ формирования легированных областей полупроводникового прибора | |
RU2674413C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
US7235450B2 (en) | Methods for fabricating semiconductor devices | |
RU2522930C2 (ru) | Способ изготовления тонкопленочного транзистора | |
RU2671294C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2659328C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2596861C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2431904C2 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2586444C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2709603C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2515334C1 (ru) | Способ изготовления тонкопленочного транзистора | |
RU2606246C2 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2641617C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
JP5540723B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
RU2626075C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2757539C1 (ru) | Способ изготовления мелкозалегающих переходов | |
RU2748455C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2660296C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2610056C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2497229C2 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2515335C2 (ru) | Способ изготовления полупроводниковой структуры |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20121208 |