RU2497229C2 - Способ изготовления полупроводникового прибора - Google Patents
Способ изготовления полупроводникового прибора Download PDFInfo
- Publication number
- RU2497229C2 RU2497229C2 RU2011149856/28A RU2011149856A RU2497229C2 RU 2497229 C2 RU2497229 C2 RU 2497229C2 RU 2011149856/28 A RU2011149856/28 A RU 2011149856/28A RU 2011149856 A RU2011149856 A RU 2011149856A RU 2497229 C2 RU2497229 C2 RU 2497229C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- ions
- dose
- kev
- energy
- semiconductor device
- Prior art date
Links
Landscapes
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: полупроводниковый прибор формируют путем двойной имплантации в область канала сфокусированными пучками ионов бора дозой 6×1012-6×1013 см-2 с энергией 20 кэВ и ионов мышьяка с энергией 100 кэВ дозой (1-2)×1012 см-2 с последующим отжигом при температуре 900-1000°С в течение 5-15 секунд. Техническим результатом изобретения является снижение порогового напряжения в полупроводниковых приборах, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных. 1 табл.
Description
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевых транзисторов с пониженным значением порогового напряжения.
Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Пат. 5302846 США, МКИ H01L 29/46] путем расположения структуры транзистора в диффузионном кармане, ограниченном участками полевого окисла, а электрод затвора с боковой пристеночной изоляцией заглублен внутрь кармана, области стока - истока располагаются вблизи поверхности кармана и при этом канал вытянут вдоль одной из боковых поверхностей электрода затвора. В таких полупроводниковых приборах ухудшаются характеристики транзисторов.
Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Пат. 5108944 США, МКИ H01L 21/265] путем создания эпитаксиального слоя n-типа проводимости на поверхности подложки кремниевых пластин p-типа проводимости, в котором последующим легированием формируют изолирующие области и карманы для создания транзисторных структур, электроды затвора создают применяя технологию самосовмещения, а поликремниевые затворы полевого транзистора имеют тот же тип проводимости, что и области их стоков.
Недостатками способа являются:
- низкая технологическая воспроизводимость;
- низкое напряжение пробоя;
- ухудшение электрических параметров приборов.
Задача, решаемая изобретением: снижение значений пороговых напряжений полупроводниковых приборов, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных.
Задача решается путем двойной имплантации ионов As и В в область канала сфокусированными пучками ионов с последующим отжигом структуры при температуре 900-1000°С в течение 5-15 сек.
Технология способа состоит в следующем. На поверхности кремниевой подложки p-типа проводимости формируют области, покрытые слоями окисла. Затем легированием подложки ионами фосфора с дозой 2·1013 см-2 сквозь слой тонкого окисла создают области истока и стока. Далее в слое окисла вытравливают окна и проводят двойную имплантацию ионов As и В в область канала сфокусированными пучками ионов. Имплантацию ионов бора проводят дозой 6·1012-6·1013 см-2 с энергией 20 кэВ посередине канала, а имплантацию ионов As с энергией 100 кэВ проводят через подзатворный окисел при дозе (1-2)·1012 см-2 по краям канала, т.е. поблизости областей истока и стока. Затем проводят отжиг при температуре 900-1000°С в течение 5-15 сек. Поверх тонкого слоя окисла между стоком и истоком формируют поликремниевый затвор легированный фосфором. После по стандартной технологии создают контакты и формируют алюминиевые проводники. По предлагаемому способу были изготовлены полупроводниковые приборы. Результаты обработки представлены в таблице.
Параметры п/п приборов, изготовленных по стандартной технологии | Параметры п/п приборов, изготовленных по предлагаемой технологии | ||
Пороговое напряжение, В | Напряжение пробоя, В | Пороговое напряжение, В | Напряжение пробоя, В |
0,87 | 9,8 | 0,4 | 19,5 |
0,63 | 10,0 | 0,35 | 19,9 |
0,71 | 8,6 | 0,37 | 17,2 |
0,68 | 9,2 | 0,36 | 18,1 |
0,75 | 9,4 | 0,41 | 18,9 |
0,84 | 8,9 | 0,4 | 19,1 |
0,65 | 9,7 | 0,34 | 20,0 |
0,77 | 8,2 | 0,38 | 16,1 |
0,82 | 8,9 | 0,4 | 17,9 |
0,67 | 9,3 | 0,39 | 18,2 |
0,79 | 9,2 | 0,37 | 17,8 |
0,86 | 8,5 | 0,41 | 17,5 |
0,68 | 8,1 | 0,34 | 16,0 |
0,73 | 9,0 | 0,36 | 17,8 |
Экспериментальные исследования показали, что выход годных полупроводниковых приборов на партии приборов, сформированных в оптимальном режиме, увеличился на 24,6%.
Технический результат: снижение значений пороговых напряжений, обеспечение технологичности, улучшение параметров, повышение надежности и увеличения процента выхода годных приборов.
Стабильность параметров во всем эксплуатационном интервале температур была нормальной и соответствовала требованиям.
Предложенный способ изготовления полупроводникового прибора путем двойной имплантации ионов As и В в область канала сфокусированными пучками ионов бора с энергией 20 кэВ дозой 6·1012-6·1013 см-2 и ионов As с энергией 100 кэВ дозой (1-2)·1012 см-2 с последующим отжигом при температуре 900-1000°С в течение 5-15 сек позволяет повысить процент выхода годных приборов и улучшить их надежность.
Claims (1)
- Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий полупроводниковую пластину кремния, процессы легирования, формирования активных областей прибора, отличающийся тем, что после формирования областей истока и стока проводят двойную имплантацию ионов As и В в область канала сфокусированными пучками ионов бора дозой 6·1012-6·1013 см-2 с энергией 20 кэВ и ионов As с энергией 100 кэВ дозой (1-2)·1012 см-2 с последующим отжигом при температуре 900-1000°С в течение 5-15 с.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2011149856/28A RU2497229C2 (ru) | 2011-12-07 | 2011-12-07 | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2011149856/28A RU2497229C2 (ru) | 2011-12-07 | 2011-12-07 | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2011149856A RU2011149856A (ru) | 2013-06-20 |
RU2497229C2 true RU2497229C2 (ru) | 2013-10-27 |
Family
ID=48784951
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2011149856/28A RU2497229C2 (ru) | 2011-12-07 | 2011-12-07 | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2497229C2 (ru) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5108944A (en) * | 1986-03-28 | 1992-04-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing a semiconductor device |
RU2189089C2 (ru) * | 2000-08-24 | 2002-09-10 | Государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Пульсар" | Способ изготовления мощного дмоп-транзистора |
US20060148184A1 (en) * | 2004-12-31 | 2006-07-06 | Sung Woong J | Method for forming LDMOS channel |
RU2361318C2 (ru) * | 2006-07-18 | 2009-07-10 | Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-Производственное Предприятие "Пульсар" | Способ изготовления мощных полевых транзисторов с изолированным затвором |
RU2364984C1 (ru) * | 2008-03-04 | 2009-08-20 | Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-Производственное Предприятие "Пульсар" | Способ изготовления свч мощных полевых ldmos транзисторов |
-
2011
- 2011-12-07 RU RU2011149856/28A patent/RU2497229C2/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5108944A (en) * | 1986-03-28 | 1992-04-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing a semiconductor device |
RU2189089C2 (ru) * | 2000-08-24 | 2002-09-10 | Государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Пульсар" | Способ изготовления мощного дмоп-транзистора |
US20060148184A1 (en) * | 2004-12-31 | 2006-07-06 | Sung Woong J | Method for forming LDMOS channel |
RU2361318C2 (ru) * | 2006-07-18 | 2009-07-10 | Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-Производственное Предприятие "Пульсар" | Способ изготовления мощных полевых транзисторов с изолированным затвором |
RU2364984C1 (ru) * | 2008-03-04 | 2009-08-20 | Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-Производственное Предприятие "Пульсар" | Способ изготовления свч мощных полевых ldmos транзисторов |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2011149856A (ru) | 2013-06-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101381038B1 (ko) | 전력 mosfet 및 그 형성 방법 | |
US10395931B2 (en) | LDMOS transistor, ESD device, and fabrication method thereof | |
US8030705B2 (en) | Semiconductor device and method of fabricating the same | |
JPH09270466A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
KR101332590B1 (ko) | 개선된 성능을 갖는 파워 반도체 장치 및 방법 | |
TW201409698A (zh) | 半導體裝置 | |
US9608057B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device | |
KR101699585B1 (ko) | 고전압 반도체 소자 및 그 제조 방법 | |
US20120012931A1 (en) | Soi mos device having bts structure and manufacturing method thereof | |
JP2558961B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
CN102420228B (zh) | 抑制gidl效应的后栅极工艺半导体器件及其制备方法 | |
US8723256B1 (en) | Semiconductor device and fabricating method thereof | |
TWI555095B (zh) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
RU2476955C2 (ru) | Способ формирования легированных областей полупроводникового прибора | |
US20150008492A1 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing same | |
RU2497229C2 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2596861C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2641617C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
CN109390409B (zh) | 一种阈值可调式高压金属氧化物半导体器件及其制备方法 | |
RU2428764C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2431904C2 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2606246C2 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2693506C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2418343C1 (ru) | Способ изготовления полупроводниковой структуры | |
RU2586444C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20151208 |