RU2693506C1 - Способ изготовления полупроводникового прибора - Google Patents
Способ изготовления полупроводникового прибора Download PDFInfo
- Publication number
- RU2693506C1 RU2693506C1 RU2018137123A RU2018137123A RU2693506C1 RU 2693506 C1 RU2693506 C1 RU 2693506C1 RU 2018137123 A RU2018137123 A RU 2018137123A RU 2018137123 A RU2018137123 A RU 2018137123A RU 2693506 C1 RU2693506 C1 RU 2693506C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- field
- semiconductor device
- breakdown voltage
- heat treatment
- improved
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- JLVVSXFLKOJNIY-UHFFFAOYSA-N Magnesium ion Chemical compound [Mg+2] JLVVSXFLKOJNIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910001425 magnesium ion Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 7
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 abstract description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 2
- 238000004870 electrical engineering Methods 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с повышенным значением напряжения пробоя изолирующих областей. Изобретение обеспечивает повышение значений напряжения пробоя изолирующих областей, повышение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных. В способе изготовления полупроводникового прибора на подложке кремния n-типа проводимости формируют карман р-типа путем имплантации ионов магния с энергией 150 кэВ, дозой 1*1014 см-2, с последующей термообработкой при температуре 700-750°С в течение 5-15 мин в атмосфере водорода. Затем формируют структуру прибора, электроды стока, истока и затвора по стандартной технологии. 1 табл.
Description
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с повышенным значением напряжения пробоя изолирующих областей.
Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Пат. 5270226 США, МКИ HO1L 21/336] со слаболегированными стоками и повышенной надежностью, путем ионной имплантации в области стока и истока с использованием электрода затвора в качестве маски, имплантация проводится в несколько стадий, с поворотом подложки на 90 и 170°. В таких полупроводниковых приборах из-за проведения имплантации в несколько стадий образуется большое количество дефектов, которые ухудшают параметры приборов.
Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Пат. 5290720 США, МКИ HO1L 21/265] с формированием самосовмещенных силицидных затворных электродов. Исходная структура с поликремневыми затворами над соседними карманами р и n типа проводимости покрывается слоями диоксида кремния. Реактивным ионным травлением формируют пристеночные кремниевые спейсеры, проводится ионная имплантация в области стока и истока, затворные структуры покрываются тонким слоем диоксида кремния, создаются пристеночные спейсеры из нитрида кремния, наносится слой титана и проводится термообработка.
Недостатками способа являются:
- низкие значения напряжения пробоя изолирующих областей;
- высокие значения токов утечек;
- низкая технологичность.
Задача, решаемая изобретением: повышения значений напряжения пробоя изолирующих областей, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных.
Задача решается формированием р- кармана путем имплантации ионов магния с энергией 150 кэВ, дозой 1*1014 см-2, с последующей термообработкой при температуре 700-750°С в течении 5-15 мин в атмосфере водорода.
Технология способа состоит в следующем: на подложке кремния n-типа проводимости формируют карман р-типа путем имплантации ионов магния с энергией 150 кэВ, дозой 1*1014 см-2, с последующей термообработкой при температуре 700-750°С в течении 5-15 мин в атмосфере водорода. Затем формировали структуру прибора, электроды стока, истока и затвора по стандартной технологии.
По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы приборы. Результаты обработки представлены в таблице.
Экспериментальные исследования показали, что выход годных полупроводниковых приборов, на партии пластин сформированных в оптимальном режиме увеличился на 14,2%.
Технический результат: повышения значений напряжения пробоя изолирующих областей, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличения процента выхода годных.
Стабильность параметров во всем эксплуатационном интервале температур была нормальной и соответствовала требованиям.
Предложенный способ изготовления полупроводникового прибора формированием р -кармана путем имплантации ионов магния с энергией 150 кэВ, дозой 1*1014 см-2, с последующей термообработкой при температуре 700-750°С в течение 5-15 мин в атмосфере водорода, позволяет повысить процент выхода годных приборов и улучшить их надежность.
Claims (1)
- Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий подложку, процессы ионного легирования, термообработку, формирование диоксида кремния, активных областей стока, истока, канала, кармана р-типа, отличающийся тем, что карман р-типа формируют путем имплантации ионов магния с энергией 150 кэВ, дозой 1*1014 см-2, с последующей термообработкой при температуре 700-750°С в течение 5-15 мин в атмосфере водорода.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018137123A RU2693506C1 (ru) | 2018-10-22 | 2018-10-22 | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018137123A RU2693506C1 (ru) | 2018-10-22 | 2018-10-22 | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2693506C1 true RU2693506C1 (ru) | 2019-07-03 |
Family
ID=67252203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2018137123A RU2693506C1 (ru) | 2018-10-22 | 2018-10-22 | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2693506C1 (ru) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5290720A (en) * | 1990-12-07 | 1994-03-01 | At&T Bell Laboratories | Transistor with inverse silicide T-gate structure |
| US20050023578A1 (en) * | 2002-07-18 | 2005-02-03 | Micron Technology, Inc. | Stable PD-SOI devices and methods |
| RU2498448C1 (ru) * | 2012-05-14 | 2013-11-10 | Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар"" (ОАО "НПП "Пульсар") | Способ изготовления свч ldmos транзисторов |
| RU2643938C1 (ru) * | 2016-12-23 | 2018-02-06 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники" | Способ изготовления высокотемпературных КМОП КНИ интегральных схем |
-
2018
- 2018-10-22 RU RU2018137123A patent/RU2693506C1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5290720A (en) * | 1990-12-07 | 1994-03-01 | At&T Bell Laboratories | Transistor with inverse silicide T-gate structure |
| US20050023578A1 (en) * | 2002-07-18 | 2005-02-03 | Micron Technology, Inc. | Stable PD-SOI devices and methods |
| RU2498448C1 (ru) * | 2012-05-14 | 2013-11-10 | Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар"" (ОАО "НПП "Пульсар") | Способ изготовления свч ldmos транзисторов |
| RU2643938C1 (ru) * | 2016-12-23 | 2018-02-06 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники" | Способ изготовления высокотемпературных КМОП КНИ интегральных схем |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9870916B2 (en) | LDMOS transistor | |
| EP1814162A1 (en) | Silicon carbide mos field-effect transistor and process for producing the same | |
| KR960035908A (ko) | 모스 전계효과 트랜지스터의 제조방법 | |
| JP2004508717A5 (ru) | ||
| RU2693506C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2688851C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2674413C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2596861C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2641617C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2606246C2 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2688874C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2709603C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| US8878287B1 (en) | Split slot FET with embedded drain | |
| RU2723982C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2748455C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2723981C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2431904C2 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2748335C1 (ru) | Способ изготовления мелкозалегающих переходов | |
| RU2428764C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2660296C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2497229C2 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2688861C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2785083C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2752125C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2757539C1 (ru) | Способ изготовления мелкозалегающих переходов |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20201023 |