RU2688861C1 - Способ изготовления полупроводникового прибора - Google Patents
Способ изготовления полупроводникового прибора Download PDFInfo
- Publication number
- RU2688861C1 RU2688861C1 RU2018108935A RU2018108935A RU2688861C1 RU 2688861 C1 RU2688861 C1 RU 2688861C1 RU 2018108935 A RU2018108935 A RU 2018108935A RU 2018108935 A RU2018108935 A RU 2018108935A RU 2688861 C1 RU2688861 C1 RU 2688861C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- increase
- contact resistance
- silicide
- semiconductor device
- palladium
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
Abstract
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления приборов с пониженным контактным сопротивлением. Целью изобретения является снижение контактного сопротивления, обеспечение технологичности, улучшение параметров работы приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных. Сущность: силицидные контакты к элементам формируют на основе силицида палладия Pd2Si путем нанесения электронно-лучевым распылением пленки палладия толщиной 50 нм в вакууме 2,7⋅10Па, со скоростью осаждения 0,5 нм/с, при температуре подложки 100°C с последующей термообработкой при температуре 250°C в течение 30 мин в инертной среде. Технический результат заключается в снижении контактного сопротивления, обеспечении технологичности, улучшении параметров структур, повышении качества и увеличении процента выхода годных. 1 табл.
Description
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления приборов с пониженным контактным сопротивлением.
Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Патент 5323053 США, МКИ H01L 29/48] с улучшенными характеристиками контактов к областям стока/истока. В n+ областях стока/истока в подложке кремния p-типа проводимости с ориентацией (100) вытравливаются V-канавки, на (111) - стенках которого выращиваются эпитаксиальные слои силицида иттрия. Эти слои с малой высотой барьеров Шоттки обеспечивают низкие контактные сопротивления.
В таких приборах из-за нетехнологичности процесса формирования силицида иттрия ухудшаются характеристики приборов и повышаются токи утечки.
Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Патент 5322809 США, МКИ H01L 21/336], который предусматривает формирование силицидных контактов. Структура транзистора размещена в изолирующем кармане на подложке кремния и содержит поликремниевый электрод затвора с элементами боковой изоляции из нитрида кремния, расположенный между ионно-легированными областями исток-сток. Силицидные контакты к элементам формируют одновременно с помощью напыления титана и последующей термообработки в атмосфере азота N2.
Недостатками этого способа являются: повышенные значения контактного сопротивления; низкая технологичность; высокая дефектность.
Задача, решаемая изобретением: снижение контактного сопротивления, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных.
Задача решается формированием слоя силицида палладия Pd2Si путем нанесения электронно-лучевым распылением пленки палладия в вакууме 2,7*10-5 Па толщиной 50 нм, со скоростью осаждения 0,5 нм/с, при температуре подложки 100°C с последующей термообработки при температуре 250°C в течение 30 мин в инертной среде.
Технология способа состоит в следующем: на n+ областях стока/истока сформированные на пластинах кремния p-типа проводимости, формировали пленку палладия толщиной 50 нм электронно-лучевым распылением в вакууме 2,7*10-5 Па со скоростью осаждения 0,5 нм/с, при температуре подложки 100°C. Затем для формирования слоя силицида палладия Pd2Si проводили термообработку при температуре 250°C в течение 30 мин в инертной среде. В последующем формировали слой металлизации по стандартной технологии.
По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы полупроводниковые приборы. Результаты обработки представлены в таблице.
Экспериментальные исследования показали, что выход годных структур на партии пластин, сформированных в оптимальном режиме, увеличился на 14,7%.
Предложенный способ изготовления полупроводникового прибора формированием слоя силицида палладия Pd2Si путем нанесения электроннолучевым распылением пленки палладия толщиной 50 нм в вакууме 2,7*10-5 Па, со скоростью осаждения 0,5 нм/с, при температуре подложки 100°C с последующей термообработки при температуре 250°C в течение 30 мин. в инертной среде, позволяет повысит процент выхода годных приборов и улучшит их надежность.
Технический результат: снижение контактного сопротивления, обеспечение технологичности, улучшение параметров структур, повышение качества и увеличения процента выхода годных.
Claims (1)
- Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий подложку, процессы формирования областей стока, истока, затвора, контактов к этим областям и подзатворного диэлектрика, отличающийся тем, что силицидные контакты к элементам формируют на основе силицида палладия Pd2Si путем нанесения электронно-лучевым распылением пленки палладия толщиной 50 нм в вакууме 2,7*10-5 Па со скоростью осаждения 0,5 нм/с, при температуре подложки 100°C с последующей термообработкой при температуре 250°C в течение 30 мин в инертной среде.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018108935A RU2688861C1 (ru) | 2018-03-12 | 2018-03-12 | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018108935A RU2688861C1 (ru) | 2018-03-12 | 2018-03-12 | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2688861C1 true RU2688861C1 (ru) | 2019-05-22 |
Family
ID=66636946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2018108935A RU2688861C1 (ru) | 2018-03-12 | 2018-03-12 | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2688861C1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2786689C1 (ru) * | 2022-02-02 | 2022-12-23 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) | Способ формирования силицида |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7229920B2 (en) * | 2005-01-11 | 2007-06-12 | United Microelectronics Corp. | Method of fabricating metal silicide layer |
| RU2006114833A (ru) * | 2003-10-03 | 2007-11-10 | Спиннэйкер Семикондактор, Инк. (Us) | Способ изготовления полевого транзистора моп-структуры с барьером шотки с использованием процесса изотропного травления |
| RU2369669C2 (ru) * | 2007-08-09 | 2009-10-10 | Сабир Абенович Айтхожин | Подложка для выращивания эпитаксиальных слоев нитрида галлия |
| RU2392688C1 (ru) * | 2009-05-20 | 2010-06-20 | Федеральное агентство по образованию Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Рязанский государственный радиотехнический университет | Способ создания омических контактов в тонкопленочных устройствах на аморфных нелегированных полупроводниках |
| US20120181636A1 (en) * | 2007-07-17 | 2012-07-19 | Aditi Chandra | Printing of Contact Metal and Interconnect Metal Via Seed Printing and Plating |
| RU2591237C1 (ru) * | 2015-05-20 | 2016-07-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет" (ФГБОУ ВО "Чеченский государственный университет") | Способ изготовления полупроводникового прибора |
| RU2610056C1 (ru) * | 2015-11-19 | 2017-02-07 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Чеченский государственный университет (ФГБОУ ВО "Чеченский государственный университет") | Способ изготовления полупроводникового прибора |
-
2018
- 2018-03-12 RU RU2018108935A patent/RU2688861C1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2006114833A (ru) * | 2003-10-03 | 2007-11-10 | Спиннэйкер Семикондактор, Инк. (Us) | Способ изготовления полевого транзистора моп-структуры с барьером шотки с использованием процесса изотропного травления |
| US7229920B2 (en) * | 2005-01-11 | 2007-06-12 | United Microelectronics Corp. | Method of fabricating metal silicide layer |
| US20120181636A1 (en) * | 2007-07-17 | 2012-07-19 | Aditi Chandra | Printing of Contact Metal and Interconnect Metal Via Seed Printing and Plating |
| RU2369669C2 (ru) * | 2007-08-09 | 2009-10-10 | Сабир Абенович Айтхожин | Подложка для выращивания эпитаксиальных слоев нитрида галлия |
| RU2392688C1 (ru) * | 2009-05-20 | 2010-06-20 | Федеральное агентство по образованию Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Рязанский государственный радиотехнический университет | Способ создания омических контактов в тонкопленочных устройствах на аморфных нелегированных полупроводниках |
| RU2591237C1 (ru) * | 2015-05-20 | 2016-07-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет" (ФГБОУ ВО "Чеченский государственный университет") | Способ изготовления полупроводникового прибора |
| RU2610056C1 (ru) * | 2015-11-19 | 2017-02-07 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Чеченский государственный университет (ФГБОУ ВО "Чеченский государственный университет") | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2786689C1 (ru) * | 2022-02-02 | 2022-12-23 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) | Способ формирования силицида |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5274594B2 (ja) | 自己整合されたデュアル応力層を用いるｃｍｏｓ構造体及び方法 | |
| US20090134402A1 (en) | Silicon carbide mos field-effect transistor and process for producing the same | |
| US20100193876A1 (en) | METHOD TO REDUCE MOL DAMAGE ON NiSi | |
| US10553719B2 (en) | Semiconductor devices and fabrication method thereof | |
| US20160284827A1 (en) | High electron mobility transistor with indium nitride layer | |
| WO2011160591A1 (zh) | Vdmos器件及其制作方法 | |
| US20080057636A1 (en) | Strained semiconductor device and method of making same | |
| KR20090039584A (ko) | 반도체 집적 회로 장치의 제조 방법 및 그에 의해 제조된반도체 집적 회로 장치 | |
| JPWO2009157042A1 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| RU2584273C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| US20140124837A1 (en) | Nitride semiconductor device and method for manufacturing same | |
| TW201330253A (zh) | 具有改進的矽化物厚度均勻性之金屬氧化物半導體場效電晶體積體電路及其製造方法 | |
| RU2688861C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2688851C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2674413C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| KR20110067512A (ko) | 인헨스먼트 노멀리 오프 질화물 반도체 소자 및 그 제조방법 | |
| US10032894B2 (en) | Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device | |
| CN110676172A (zh) | 一种实现低导通电阻的增强型氮化镓晶体管的方法 | |
| RU2671294C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2734094C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2688874C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| JP6690333B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
| RU2757177C1 (ru) | Способ изготовления силицидных контактов из вольфрама | |
| RU2515334C1 (ru) | Способ изготовления тонкопленочного транзистора | |
| RU2719622C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20200313 |