RU2757177C1 - Способ изготовления силицидных контактов из вольфрама - Google Patents
Способ изготовления силицидных контактов из вольфрама Download PDFInfo
- Publication number
- RU2757177C1 RU2757177C1 RU2021103815A RU2021103815A RU2757177C1 RU 2757177 C1 RU2757177 C1 RU 2757177C1 RU 2021103815 A RU2021103815 A RU 2021103815A RU 2021103815 A RU2021103815 A RU 2021103815A RU 2757177 C1 RU2757177 C1 RU 2757177C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- field
- technology
- temperature
- improving
- contact resistance
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
- H01L23/485—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body consisting of layered constructions comprising conductive layers and insulating layers, e.g. planar contacts
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления контактов из силицида вольфрама с пониженным значением контактного сопротивления. Способ реализуется следующим образом: на пластинах кремния р-типа проводимости с ориентацией (100), удельным сопротивлением 10 Ом⋅см, после формирования областей стока/истока и осаждения слоя подзатворного диэлектрика полевого транзистора формируется пленка силицида вольфрама SiW2электронно-лучевым испарением толщиной 150 нм из двух источников в вакууме 1⋅10-5Па, со скоростью роста 0,5 нм/с для Si и 0,2 нм/с для W, с последующим отжигом сначала при температуре 625°С в течение 30 мин, а затем при температуре 1000°С в течение 20 с, в инертной среде. Активные области n-канального полевого транзистора и электроды к ним формировали по стандартной технологии. Технический результат заключается в снижении контактного сопротивления, обеспечении технологичности, улучшении параметров приборов, повышении качества и увеличении процента выхода годных. 1 табл.
Description
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления контактов из силицида вольфрама с пониженным значением контактного сопротивления.
Известен способ изготовления контактной площадки [Пат. 5309025 США, МКИ H01L 23/09] на полупроводниковых кристаллах, имеющих повышенную прочность на отрыв. С этой целью на площадке создается матрица из островков металлизации в виде прямоугольных площадок, в которых нижний барьерный слой образован TiN, а верхним проводящим слоем служит Al, Ti или W. Затем на всю площадь контакта напыляется 2-й проводящий слой Al. В таких приборах из-за не технологичности формирования затвора образуется большое количество дефектов, которые ухудшают электрические параметры приборов.
Известен способ изготовления контактов [Пат. 5296386 США, МКИ H01L 21/265] к областям стока/истока полевого транзистора. Сущность метода заключается в создании промежуточного контактного слоя Si, обогащенного германием. Указанный слой формируют имплантацией ионов германия или эпитаксиальным выращиванием твердого раствора Si-Ge.
Недостатками этого способа являются: высокие значения контактного сопротивления; высокая дефектность; низкая технологичность.
Задача, решаемая изобретением: снижение контактного сопротивления, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных.
Задача решается формированием пленки силицида вольфрама SiW2 электронно-лучевым испарением толщиной 150 нм из двух источников в вакууме 1⋅10-5 Па, со скоростью роста 0,5 нм/с для Si и 0,2 нм/с для W, с последующим отжигом сначала при температуре 625°С в течение 30 мин, а затем при температуре 1000°С в течение 20 с, в инертной среде.
По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы полупроводниковые приборы. Результаты обработки представлены в таблице.
Экспериментальные исследования показали, что выход годных структур на партии пластин, сформированных в оптимальном режиме, увеличился на 18,8%.
Технический результат: снижение контактного сопротивления, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличения процента выхода годных.
Стабильность параметров во всем эксплуатационном интервале температур была нормальной и соответствовала требованиям.
Предложенный способ изготовления силицидных контактов из вольфрама путем формирования пленки силицида вольфрама SiW2 электронно-лучевым испарением толщиной 150 нм из двух источников в вакууме 1⋅10-5 Па, со скоростью роста 0,5 нм/с для Si и 0,2 нм/с для W, с последующим отжигом сначала при температуре 625°С в течение 30 мин, а затем при температуре 1000°С в течение 20 с, в инертной среде, позволяет повысит процент выхода годных приборов и улучшит их надежность.
Claims (1)
- Способ изготовления силицидных контактов из вольфрама, включающий процессы формирования активных областей полевого транзистора и электродов к ним, подзатворного диэлектрика, силицида, отличающийся тем, что силицид формируют путем осаждения пленки силицида вольфрама SiW2 электронно-лучевым испарением толщиной 150 нм из двух источников в вакууме 1⋅10-5 Па, со скоростью роста 0,5 нм/с для Si и 0,2 нм/с для W, с последующим отжигом сначала при температуре 625°С в течение 30 мин, а затем при температуре 1000°С в течение 20 с, в инертной среде.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2021103815A RU2757177C1 (ru) | 2021-02-15 | 2021-02-15 | Способ изготовления силицидных контактов из вольфрама |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2021103815A RU2757177C1 (ru) | 2021-02-15 | 2021-02-15 | Способ изготовления силицидных контактов из вольфрама |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2757177C1 true RU2757177C1 (ru) | 2021-10-11 |
Family
ID=78286405
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2021103815A RU2757177C1 (ru) | 2021-02-15 | 2021-02-15 | Способ изготовления силицидных контактов из вольфрама |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2757177C1 (ru) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2102818C1 (ru) * | 1992-04-15 | 1998-01-20 | Соломон Давидович Эдлин | Полевой транзистор с p-n переходом и способ его изготовления |
RU2375785C1 (ru) * | 2008-07-14 | 2009-12-10 | Учреждение Российской Академии наук Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов | Способ изготовления тонкопленочной металлической структуры вольфрама на кремнии |
RU2688851C1 (ru) * | 2018-02-01 | 2019-05-22 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) | Способ изготовления полупроводникового прибора |
US20190355830A1 (en) * | 2018-05-15 | 2019-11-21 | International Business Machines Corporation | Stacked vertical transport field effect transistor electrically erasable programmable read only memory (eeprom) devices |
-
2021
- 2021-02-15 RU RU2021103815A patent/RU2757177C1/ru active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2102818C1 (ru) * | 1992-04-15 | 1998-01-20 | Соломон Давидович Эдлин | Полевой транзистор с p-n переходом и способ его изготовления |
RU2375785C1 (ru) * | 2008-07-14 | 2009-12-10 | Учреждение Российской Академии наук Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов | Способ изготовления тонкопленочной металлической структуры вольфрама на кремнии |
RU2688851C1 (ru) * | 2018-02-01 | 2019-05-22 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) | Способ изготовления полупроводникового прибора |
US20190355830A1 (en) * | 2018-05-15 | 2019-11-21 | International Business Machines Corporation | Stacked vertical transport field effect transistor electrically erasable programmable read only memory (eeprom) devices |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2019056657A1 (zh) | 低温多晶硅薄膜晶体管及其制备方法和阵列基板 | |
RU2757177C1 (ru) | Способ изготовления силицидных контактов из вольфрама | |
JPS61234041A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
RU2688851C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2674413C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2734094C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2476955C2 (ru) | Способ формирования легированных областей полупроводникового прибора | |
RU2688861C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2748455C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
US20170271486A1 (en) | Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device | |
RU2791442C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
JPH08181302A (ja) | 半導体装置及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ及びその製造方法、並びに液晶表示装置 | |
RU2818689C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2748335C1 (ru) | Способ изготовления мелкозалегающих переходов | |
RU2650350C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
JPS59188978A (ja) | シヨツトキゲ−ト型fetの製造方法 | |
RU2610056C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2752125C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2751983C1 (ru) | Способ изготовления силицида титана | |
RU2594615C2 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2709603C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2791268C1 (ru) | Способ формирования полевых транзисторов | |
RU2717149C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2819702C1 (ru) | Способ изготовления тонкопленочного транзистора | |
RU2723981C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора |