RU2717149C1 - Способ изготовления полупроводникового прибора - Google Patents
Способ изготовления полупроводникового прибора Download PDFInfo
- Publication number
- RU2717149C1 RU2717149C1 RU2019114630A RU2019114630A RU2717149C1 RU 2717149 C1 RU2717149 C1 RU 2717149C1 RU 2019114630 A RU2019114630 A RU 2019114630A RU 2019114630 A RU2019114630 A RU 2019114630A RU 2717149 C1 RU2717149 C1 RU 2717149C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- temperature
- argon
- field
- semiconductor device
- devices
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 6
- VVTSZOCINPYFDP-UHFFFAOYSA-N [O].[Ar] Chemical compound [O].[Ar] VVTSZOCINPYFDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910002115 bismuth titanate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 6
- 230000005669 field effect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000007847 structural defect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с повышенным значением крутизны характеристики. Технология способа состоит в следующем: на пластинах кремния р-типа проводимости с удельным сопротивлением 10 Ом*см, ориентацией (100) пленка титаната висмута наносится методом ВЧ распыления. Распыление проводят в газовой смеси аргон-кислород при давлении 6*10-3 мм рт.ст. и температуре 675°С с последующей термообработкой при температуре 600°С в течение 35 с в среде аргона. Затем формируют области полевого транзистора и контакты к этим областям по стандартной технологии. Изобретение обеспечивает улучшение параметров приборов, повышение качества и процента выхода годных.
Description
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с повышенным значением крутизны характеристики.
Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Заявка 1268023 Япония, МКИ H01L 21/223]путем нанесения на поверхность кремниевой подложки слоя диэлектрика и формированием в нем окон. Поверхность кремния в окнах окисляют, после чего наносят слой полупроводникового материала, содержащий как донорную, так и акцепторную примеси. Последний слой в дальнейшем используют в качестве источника диффузанта. Примеси выбирают так, что при повышенной температуре одна из них диффундирует в подложку, а другая - в противоположном направлении. В таких приборах при повышенных температурных режимах из-за различия коэффициентов диффузии примеси повышается дефектность структуры и ухудшаются электрические параметры приборов.
Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Патент 4985739 США, МКИ H01L 29/80] имеющий нижний и верхний изолированные друг от друга затворы. В полевом транзисторе использована структура, в которой одна система областей сток-исток окружает другую систему областей сток-исток. Нижний затвор - скрытый, верхний - соединяется с контактной площадкой через диффузионный барьер для предотвращения проникновения металла в структуру. Область канала и экранирующие области формируют с помощью ионной имплантации.
Недостатками этого способа являются:
- низкие значения крутизны характеристики;
- высокие значения порогового напряжения;
- низкая технологичность.
Задача, решаемая изобретением: повышение значений крутизны характеристики, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных.
Задача решается формированием подзатворного диэлектрика на поверхности кремниевой пластины из слоя сегнетоэлектрика титаната висмута Bi4Ti3O12, в газовой смеси аргон-кислород, при давлении 6*10-3 мм.рт.ст. и температуре 675°С, с последующей термообработкой при температуре 600°С в течение 35 с в среде аргона.
Технология способа состоит в следующем: на пластинах кремния р - типа проводимости с удельным сопротивлением 10 Ом*см, ориентацией (100) пленка титаната висмута наносится методом ВЧ распыления. Распыление проводят в газовой смеси аргон-кислород при давлении 6*10-3 мм.рт.ст. и температуре 675°С, с последующей термообработкой при температуре 600°С в течение 35 с в среде аргона. Затем формируют области полевого транзистора и контакты к этим областям по стандартной технологии.
По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы полупроводниковые приборы. Результаты обработки представлены в таблице.
Экспериментальные исследования показали, что выход годных структур на партии пластин, сформированных в оптимальном режиме, увеличился на 17,9%.
Технический результат: повышение значений крутизны характеристики, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличения процента выхода годных.
Предложенный способ изготовления полупроводникового прибора путем формирования подзатворного диэлектрика из слоя сегнетоэлектрика титаната висмута Bi4Ti3O12 на поверхности кремниевой пластины, в газовой смеси аргон-кислород при давлении 6*10-3 мм.рт.ст. и температуре 675°С, с последующей термообработкой при температуре 600°С в течение 35 с в среде аргона, позволяет повысит процент выхода годных приборов и улучшит их надежность.
Claims (1)
- Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий подложку, процессы формирования областей стока, истока, затвора и подзатворного диэлектрика, отличающийся тем, что подзатворный диэлектрик на поверхности кремниевой пластины формируют из слоя сегнетоэлектрика титаната висмута Bi4Ti3O12 в газовой смеси аргон-кислород при давлении 6*10-3 мм рт.ст. и температуре 675°С с последующей термообработкой при температуре 600°С в течение 35 с в среде аргона
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2019114630A RU2717149C1 (ru) | 2019-05-13 | 2019-05-13 | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2019114630A RU2717149C1 (ru) | 2019-05-13 | 2019-05-13 | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2717149C1 true RU2717149C1 (ru) | 2020-03-18 |
Family
ID=69898646
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2019114630A RU2717149C1 (ru) | 2019-05-13 | 2019-05-13 | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2717149C1 (ru) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7892917B2 (en) * | 2002-08-06 | 2011-02-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for forming bismuth titanium silicon oxide thin film |
| RU2466476C1 (ru) * | 2011-05-03 | 2012-11-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова | Способ изготовления полупроводникового прибора |
| RU2584273C1 (ru) * | 2015-02-25 | 2016-05-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Чеченский государственный университет (ФГБОУ ВПО Чеченский государственный университет) | Способ изготовления полупроводникового прибора |
| RU2661546C1 (ru) * | 2017-06-07 | 2018-07-17 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) | Способ изготовления полупроводникового прибора |
| RU2674413C1 (ru) * | 2017-12-29 | 2018-12-07 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет" | Способ изготовления полупроводникового прибора |
-
2019
- 2019-05-13 RU RU2019114630A patent/RU2717149C1/ru active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7892917B2 (en) * | 2002-08-06 | 2011-02-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for forming bismuth titanium silicon oxide thin film |
| RU2466476C1 (ru) * | 2011-05-03 | 2012-11-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова | Способ изготовления полупроводникового прибора |
| RU2584273C1 (ru) * | 2015-02-25 | 2016-05-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Чеченский государственный университет (ФГБОУ ВПО Чеченский государственный университет) | Способ изготовления полупроводникового прибора |
| RU2661546C1 (ru) * | 2017-06-07 | 2018-07-17 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) | Способ изготовления полупроводникового прибора |
| RU2674413C1 (ru) * | 2017-12-29 | 2018-12-07 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет" | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4459739A (en) | Thin film transistors | |
| KR950012767A (ko) | 반도체장치 및 그의 제조방법 | |
| FR2577348A1 (fr) | Procede de formation de regions de silicium isolees et de dispositifs a effet de champ sur un substrat de silicium | |
| JPH0212835A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| US4422090A (en) | Thin film transistors | |
| JPH10209445A (ja) | Ｍｏｓｆｅｔおよびその製造方法 | |
| RU2717149C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| JPH0329301B2 (ru) | ||
| RU2674413C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2688851C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| JPS6366969A (ja) | 高耐圧多結晶シリコン薄膜トランジスタ | |
| RU2688864C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2798455C1 (ru) | Способ изготовления тонкопленочного транзистора | |
| JP3520346B2 (ja) | 半導体装置 | |
| RU2610056C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2688861C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2748455C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2757177C1 (ru) | Способ изготовления силицидных контактов из вольфрама | |
| RU2680989C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| KR101816877B1 (ko) | 박막 트랜지스터 및 박막 트랜지스터 제조 방법 | |
| JPS6344769A (ja) | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 | |
| RU2822580C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2693506C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2818689C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2748335C1 (ru) | Способ изготовления мелкозалегающих переходов |