RU2680989C1 - Способ изготовления полупроводникового прибора - Google Patents
Способ изготовления полупроводникового прибора Download PDFInfo
- Publication number
- RU2680989C1 RU2680989C1 RU2018116959A RU2018116959A RU2680989C1 RU 2680989 C1 RU2680989 C1 RU 2680989C1 RU 2018116959 A RU2018116959 A RU 2018116959A RU 2018116959 A RU2018116959 A RU 2018116959A RU 2680989 C1 RU2680989 C1 RU 2680989C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- oxidation
- dry
- trichlorethylene
- oxygen
- manufacturing
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 15
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 15
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 6
- 230000005669 field effect Effects 0.000 abstract description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 238000004870 electrical engineering Methods 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевых транзисторов с пониженной дефектностью. Изобретение обеспечивает снижение дефектности, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных. В способе изготовления полупроводникового прибора подзатворный оксид формируют при температуре 1060°С путем введения в окислительную среду трихлорэтилена по следующей схеме: сначала проводят окисление при потоке кислорода (сухой) 100 см/мин в течение 5 мин, затем окисление при потоке кислорода (сухой) 1000 см/мин и введения в окислительную среду трихлорэтилена при скорости потока 40-50 см/мин в течение 60 мин, с последующим окислением при потоке кислорода (сухой) 1000 см/мин в течение 15 мин и термообработкой в азоте при температуре 625°С в течение 15 мин. 1 табл.
Description
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевых транзисторов с пониженной дефектностью.
Известен способ изготовления полевого транзистора [Патент 5323046 США, МКИ H01L 29/04], обеспечивающий малое влияние технологических операций на качество подзатворного оксидного слоя. После формирования изолированного электрода затвора создается n+ область стока с использованием электрода затвора в качестве маски, затем изготовляется n+ область удаленная от затвора и перекрывающая со стоком и формируют контакт стока. При изготовлении приборов с применением электрода затвора в качестве маски повышается дефектность структуры и ухудшаются электрические параметры изделий.
Известен способ изготовления полевого транзистора [Патент 5393683 США, МКИ H01L 21/265] который предусматривает формирование двухслойного затворного оксида на кремниевой подложке. Сначала окисляют подложки в кислородосодержащей атмосфере, а затем окисляют в атмосфере NO2. Соотношение слоев по толщине (в %) составляет 80:20 от суммарной толщины слоя.
Недостатками этого способа являются: высокая дефектность, повышенные значения тока утечки; низкая технологичность.
Задача, решаемая изобретением: снижение дефектности, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных.
Задача решается формированием слоя подзатворного оксида при температуре 1060°С путем введения в окислительную среду трихлорэтилена по следующей схеме: сначала проводят окисление при потоке кислорода (сухой) 100 см3/мин в течении 5 мин, затем окисление при потоке кислорода(сухой) 1000 см3/мин и введения в окислительную среду трихлорэтилена при скорости потока 40-50 см3/мин в течении 60 мин, с последующим окислением при потоке кислорода(сухой) 1000 см3/мин в течении 15 мин и термообработкой в азоте при температуре 625°С в течении 15 мин.
Технология способа состоит в следующем: на пластинах кремния n - типа проводимости с удельным сопротивлением 4,5 Ом*см, ориентации (111) формировали слой подзатворного оксида при температуре 1060°С толщиной 50 нм путем введения в окислительную среду трихлорэтилена по следующей схеме: сначала проводят окисление при потоке кислорода (сухой) 100 см3/мин в течении 5 мин, затем окисление при потоке кислорода (сухой) 1000 см3/мин и введения в окислительную среду трихлорэтилена при скорости потока 40-50 см3/мин в течении 60 мин, с последующим окислением при потоке кислорода (сухой) 1000 см3/мин в течении 15 мин и термообработкой в азоте при температуре 625°С в течении 15 мин. В последующем формировали активные области полевого транзистора и контакты по стандартной технологии.
Введения в окислительную среду трихлорэтилена улучшает параметры вследствие того, что атомы хлора связывают и нейтрализуют подвижные ионы в оксиде в близи поверхности кремния. Что приводит к уменьшению плотности поверхностных состояний. По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы полупроводниковые приборы. Результаты обработки представлены в таблице.
Экспериментальные исследования показали, что выход годных структур на партии пластин, сформированных в оптимальном режиме, увеличился на 18,1%.
Технический результат: снижение дефектности, обеспечение технологичности, улучшение параметров, повышение качества и увеличения процента выхода годных.
Предложенный способ изготовления полупроводникового прибора формированием подзатворного оксида при температуре 1060°С путем введения в окислительную среду трихлорэтилена по следующей схеме: сначала проводят окисление при потоке кислорода (сухой) 100 см3/мин в течении 5 мин, затем окисление при потоке кислорода (сухой) 1000 см3/мин и введения в окислительную среду трихлорэтилена при скорости потока 40-50 см3/мин в течении 60 мин, с последующим окислением при потоке кислорода (сухой) 1000 см3/мин в течении 15 мин и термообработкой в азоте при температуре 625°С в течении 15 мин, позволяет повысит процент выхода годных приборов и улучшит их надежность.
Claims (1)
- Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий подложку, процессы формирования областей стока, истока, затвора, контактов к этим областям и подзатворного оксида, отличающийся тем, что подзатворный оксид формируют при температуре 1060°С путем введения в окислительную среду трихлорэтилена по следующей схеме: сначала проводят окисление при потоке кислорода (сухой) 100 см3/мин в течение 5 мин, затем окисление при потоке кислорода (сухой) 1000 см3/мин и введении в окислительную среду трихлорэтилена при скорости потока 40-50 см3/мин в течение 60 мин, с последующим окислением при потоке кислорода (сухой) 1000 см3/мин в течение 15 мин и термообработкой в азоте при температуре 625°С в течение 15 мин.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018116959A RU2680989C1 (ru) | 2018-05-07 | 2018-05-07 | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018116959A RU2680989C1 (ru) | 2018-05-07 | 2018-05-07 | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2680989C1 true RU2680989C1 (ru) | 2019-03-01 |
Family
ID=65632660
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2018116959A RU2680989C1 (ru) | 2018-05-07 | 2018-05-07 | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2680989C1 (ru) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5132244A (en) * | 1988-12-21 | 1992-07-21 | At&T Bell Laboratories | Growth-modified thermal oxidation for thin oxides |
| US5393683A (en) * | 1992-05-26 | 1995-02-28 | Micron Technology, Inc. | Method of making semiconductor devices having two-layer gate structure |
| RU2297692C2 (ru) * | 2003-11-27 | 2007-04-20 | Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" | Способ формирования затворных областей кмоп-транзисторов |
| SU1371456A1 (ru) * | 1986-02-12 | 2012-06-20 | Физико-технический институт АН БССР | Способ создания тонких слоев оксида кремния |
| RU2539801C1 (ru) * | 2013-07-01 | 2015-01-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) | Способ изготовления тонкого слоя диоксида кремния |
-
2018
- 2018-05-07 RU RU2018116959A patent/RU2680989C1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1371456A1 (ru) * | 1986-02-12 | 2012-06-20 | Физико-технический институт АН БССР | Способ создания тонких слоев оксида кремния |
| US5132244A (en) * | 1988-12-21 | 1992-07-21 | At&T Bell Laboratories | Growth-modified thermal oxidation for thin oxides |
| US5393683A (en) * | 1992-05-26 | 1995-02-28 | Micron Technology, Inc. | Method of making semiconductor devices having two-layer gate structure |
| RU2297692C2 (ru) * | 2003-11-27 | 2007-04-20 | Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" | Способ формирования затворных областей кмоп-транзисторов |
| RU2539801C1 (ru) * | 2013-07-01 | 2015-01-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) | Способ изготовления тонкого слоя диоксида кремния |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4647211B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP5584823B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置 | |
| WO2018223476A1 (zh) | 铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制作方法 | |
| RU2680989C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2688864C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2671294C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2688851C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2688881C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2674413C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| JPH09129889A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2010103296A (ja) | 酸化ゲルマニウムの製造方法およびそれを用いた半導体デバイスの製造方法 | |
| TWI724694B (zh) | 氮化鎵高電子遷移率電晶體及其製造方法 | |
| RU2723982C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2748455C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| CN109309056A (zh) | 半导体结构及其形成方法 | |
| RU2515334C1 (ru) | Способ изготовления тонкопленочного транзистора | |
| JP4541489B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| RU2805132C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2654960C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2719622C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2755175C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| KR20050105806A (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
| RU2709603C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2752125C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| CN110739308A (zh) | 一种碳化硅cmos晶体管及其结构制造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20200508 |