RU2755175C1 - Способ изготовления полупроводникового прибора - Google Patents
Способ изготовления полупроводникового прибора Download PDFInfo
- Publication number
- RU2755175C1 RU2755175C1 RU2020136140A RU2020136140A RU2755175C1 RU 2755175 C1 RU2755175 C1 RU 2755175C1 RU 2020136140 A RU2020136140 A RU 2020136140A RU 2020136140 A RU2020136140 A RU 2020136140A RU 2755175 C1 RU2755175 C1 RU 2755175C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- manufacturing
- sio
- temperature
- deposition
- gate oxide
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 5
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления диоксида кремния с пониженными значениями токов утечек. Предложен способ изготовления полупроводникового прибора, включающий процессы формирования активных областей прибора, затворного оксида на полупроводниковой подложке, отличающееся тем, что формирование затворного оксида проводят осаждением пленки SiO2 из плазмы при отношении концентрации N2O/SiH4, равным 11, и скорости потока газа 3 дм3/мин, при скорости осаждения пленок SiO2 0,5 нм/с, и температуре 200°С, и ВЧ-мощности 20 Вт, с последующим отжигом при температуре 300°С в течение 60 мин. Технический результат заключается в снижении тока утечки, обеспечении технологичности, улучшении параметров структур, повышении качества и увеличении процента выхода годных. 1 табл.
Description
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления диоксида кремния с пониженными значениями токов утечек.
Известен способ изготовления прибора [Патент 4889829 США, МКИ H01L 21/76], включающего КНД-структуру с большим напряжением пробоя. Высокая надежность достигается путем формирования термической пленки SiО2 на кремниевой подложке, между формируемым в последствии методом осаждения изолирующим слоем и подложкой. Далее осаждают слой поликремния, предназначенный для создания структуры КНД и локальным окислением формируют изолирующие области. Из-за различия применяемых материалов при изготовлении приборов повышается дефектность структуры и ухудшаются электрические параметры изделий.
Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Патент 5393683 США, МКИ H01L 21/265] который предусматривает формирование двухслойного затворного оксида на кремниевой подложке. Сначала окислением подложки в кислородосодержащей атмосфере, а затем окислением в атмосфере N2O. Соотношение слоев по толщине (в %) 80:20 от суммарной толщины слоя.
Недостатками этого способа являются: повышенные значения тока утечки; низкая технологичность; высокая дефектность.
Задача, решаемая изобретением: снижение значения токов утечек, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных.
Задача решается формированием пленок SiO2 осаждением из плазмы при отношении концентрации N2O/SiH4 равным 11 и скорости потока газа 3 дм3/мин, при скорости осаждения пленок SiO2 0,5 нм/с, и температуре 200°С и ВЧ-мощности 20 Вт, с последующим отжигом при температуре 300°С в течение 60 мин.
Технология способа состоит в следующем: на пластинах кремния р -типа проводимости, ориентации (100) формируют пленку SiO2 осаждением из плазмы при отношении концентрации N2O/SiH4 равным 11 и скорости потока газа 3 дм3/мин, при скорости осаждения пленок SiO2 0,5 нм/с, и температуре 200°С и ВЧ-мощности 20 Вт, с последующим отжигом при температуре 300°С в течение 60 мин.
По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы полупроводниковые приборы. Результаты обработки представлены в таблице.
Экспериментальные исследования показали, что выход годных структур на партии пластин, сформированных в оптимальном режиме, увеличился на 16,1%.
Технический результат: снижение тока утечки, обеспечение технологичности, улучшение параметров структур, повышение качества и увеличения процента выхода годных.
Claims (1)
- Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий процессы формирования активных областей прибора, затворного оксида на полупроводниковой подложке, отличающийся тем, что формирование затворного оксида проводят осаждением пленки SiO2 из плазмы при отношении концентрации N2O/SiH4, равным 11, и скорости потока газа 3 дм3/мин, при скорости осаждения пленок SiO2 0,5 нм/с, и температуре 200°С, и ВЧ-мощности 20 Вт, с последующим отжигом при температуре 300°С в течение 60 мин.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2020136140A RU2755175C1 (ru) | 2020-11-02 | 2020-11-02 | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2020136140A RU2755175C1 (ru) | 2020-11-02 | 2020-11-02 | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2755175C1 true RU2755175C1 (ru) | 2021-09-13 |
Family
ID=77745813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2020136140A RU2755175C1 (ru) | 2020-11-02 | 2020-11-02 | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2755175C1 (ru) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU940605A1 (ru) * | 1980-12-25 | 1997-01-10 | В.И. Диковский | Способ изготовления кремниевых транзисторов с тонкопленочными резисторами |
| JP2001085424A (ja) * | 1999-09-14 | 2001-03-30 | Toshiba Microelectronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2005045126A (ja) * | 2003-07-24 | 2005-02-17 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 半導体装置の製造方法 |
| RU2515334C1 (ru) * | 2012-11-19 | 2014-05-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова (КБГУ) | Способ изготовления тонкопленочного транзистора |
-
2020
- 2020-11-02 RU RU2020136140A patent/RU2755175C1/ru active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU940605A1 (ru) * | 1980-12-25 | 1997-01-10 | В.И. Диковский | Способ изготовления кремниевых транзисторов с тонкопленочными резисторами |
| JP2001085424A (ja) * | 1999-09-14 | 2001-03-30 | Toshiba Microelectronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2005045126A (ja) * | 2003-07-24 | 2005-02-17 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 半導体装置の製造方法 |
| RU2515334C1 (ru) * | 2012-11-19 | 2014-05-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова (КБГУ) | Способ изготовления тонкопленочного транзистора |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11610992B2 (en) | Semiconductor device | |
| KR100809327B1 (ko) | 반도체 소자 및 그 제조방법 | |
| RU2584273C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2755175C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2466476C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2539801C1 (ru) | Способ изготовления тонкого слоя диоксида кремния | |
| RU2677500C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2522930C2 (ru) | Способ изготовления тонкопленочного транзистора | |
| RU2674413C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2688881C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2606780C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2688864C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2734094C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2515334C1 (ru) | Способ изготовления тонкопленочного транзистора | |
| US7022626B2 (en) | Dielectrics with improved leakage characteristics | |
| RU2654819C1 (ru) | Способ изготовления полупроводниковых структур | |
| RU2680989C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2756003C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2754995C1 (ru) | Способ изготовления тонкопленочного транзистора | |
| RU2748455C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| JP2000164592A (ja) | 界面に窒素を取り込む積層型又は複合型ゲ―ト誘電体 | |
| RU2805132C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2723982C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2752125C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2787299C1 (ru) | Способ формирования полевых транзисторов |