RU2654960C1 - Способ изготовления полупроводникового прибора - Google Patents
Способ изготовления полупроводникового прибора Download PDFInfo
- Publication number
- RU2654960C1 RU2654960C1 RU2017114720A RU2017114720A RU2654960C1 RU 2654960 C1 RU2654960 C1 RU 2654960C1 RU 2017114720 A RU2017114720 A RU 2017114720A RU 2017114720 A RU2017114720 A RU 2017114720A RU 2654960 C1 RU2654960 C1 RU 2654960C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- helium
- semiconductor device
- field
- gate
- layer
- Prior art date
Links
Landscapes
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевых транзисторов с пониженным сопротивлением затвора. Технический результат: снижение сопротивления затвора, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличения процента выхода годных. В способе изготовления полупроводникового прибора после формирования подзатворного диэлектрика поверх этого слоя осаждают слой окиси олова SnO2 разложением SnCl4 в присутствии кислорода, с использованием газа носителя - гелия, при расходе кислорода 0,2 л/мин, гелия - 0,8 л/мин, при температуре подложки 400-450°С и скорости осаждения окиси олова 20 нм/мин, толщиной 70 нм, с последующим отжигом при температуре 300°С в течение 25 минут. Затем формируют n-канальные полевые транзисторы и электроды стока, истока и затвора по стандартной технологии.
Description
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевых транзисторов с пониженным сопротивлением затвора.
Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Пат. №5302846, США, МКИ HO1L 29/46] с пониженным сопротивлением затвора, путем формирования структуры полевого транзистора в диффузионном кармане, ограниченном участками полевого окисла. Электрод затвора с боковой пристеночной изоляцией заглублен внутрь кармана, области стока/истока располагаются вблизи поверхности кармана, при этом канал вытянут вдоль одной из боковых поверхностей электрода затвора. В таких полупроводниковых структурах из-за нетехнологичности процесса создания диффузионного кармана образуется большое количество дефектов, которые ухудшают параметры приборов.
Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Пат. №5296386 США, МКИ HOIL 21/265] с пониженным сопротивлением областей стока и истока путем создания промежуточного контактного слоя кремния, обогащенного германием. Этот слой формируют имплантацией германия или эпитаксиальным выращиванием твердого раствора кремний-германий.
Недостатками способа являются: высокие значения сопротивления затвора; повышенные значения токов утечек; низкая технологичность.
Задача, решаемая изобретением: снижение сопротивления затвора, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных.
Задача решается путем формирования поверх слоя подзатворного диэлектрика SiO2 окиси олова SnO2 толщиной 70 нм со скоростью осаждения окиси олова 20 нм/мин, при температуре подложки 400-450°С, расходе кислорода 0,2 л/мин, гелия - 0,8 л/мин.
Технология способа состоит в следующем: после формирования подзатворного диэлектрика SiO2, поверх этого слоя осаждают окись олова SnO2 разложением SnCl4 в присутствии кислорода, с использованием газа носителя - гелия, при расходе кислорода 0,2 л/мин, гелия - 0,8 л/мин, при температуре подложки 400-450°С и скорости осаждения окиси олова 20 нм/мин, толщиной 70 нм, с последующим отжигом при температуре 300°С в течение 25 минут. Затем формировали n-канальные полевые транзисторы и электроды стока, истока и затвора по стандартной технологии.
По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы приборы. Результаты обработки представлены в таблице.
Экспериментальные исследования показали, что выход годных полупроводниковых приборов, на партии пластин сформированных в оптимальном режиме увеличился на 19,6%.
Технический результат: снижение сопротивления затвора, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличения процента выхода годных.
Стабильность параметров во всем эксплуатационном интервале температур была нормальной и соответствовала требованиям.
Предложенный способ изготовления полупроводникового прибора путем формирования поверх слоя подзатворного диэлектрика SiO2 окиси олова SnO2 толщиной 70 нм со скоростью осаждения окиси олова 20 нм/мин, при температуре подложки 400-450°С, расходе кислорода 0,2 л/мин, гелия - 0,8 л/мин, позволяет повысить процент выхода годных приборов и улучшить их надежность.
Claims (1)
- Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий подложку, процессы формирования областей стока, истока, затвора и подзатворного диэлектрика, отличающийся тем, что после формирования подзатворного диэлектрика, поверх этого слоя осаждают окись олова SnO2 разложением SnCl4 в присутствии кислорода, с использованием газа носителя - гелия, при расходе кислорода 0,2 л/мин, гелия - 0,8 л/мин, при температуре подложки 400-450°C, со скоростью - 20 нм/мин, толщиной 70 нм, с последующим отжигом при температуре 300°C в течение 25 мин.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2017114720A RU2654960C1 (ru) | 2017-04-26 | 2017-04-26 | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2017114720A RU2654960C1 (ru) | 2017-04-26 | 2017-04-26 | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2654960C1 true RU2654960C1 (ru) | 2018-05-23 |
Family
ID=62202085
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2017114720A RU2654960C1 (ru) | 2017-04-26 | 2017-04-26 | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2654960C1 (ru) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20030218221A1 (en) * | 2002-05-21 | 2003-11-27 | the State of Oregon acting by and through the behalf of Oregon State University | Transistor structures and methods for making the same |
US20110121378A1 (en) * | 2005-08-29 | 2011-05-26 | Ahn Kie Y | ZrXHfYSn1-X-YO2 FILMS AS HIGH K GATE DIELECTRICS |
SU1282767A1 (ru) * | 1984-09-08 | 2012-06-20 | Физико-технический институт АН БССР | Способ создания подзатворного диэлектрика |
SU1345967A1 (ru) * | 1986-02-19 | 2012-06-27 | Н.В. Румак | |
SU1225430A1 (ru) * | 1984-07-13 | 2012-06-27 | Физико-технический институт АН БССР | Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика |
KR20150111390A (ko) * | 2014-03-20 | 2015-10-06 | (주)디엔에프 | 이중층 게이트 절연막을 포함하는 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법 |
-
2017
- 2017-04-26 RU RU2017114720A patent/RU2654960C1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU1225430A1 (ru) * | 1984-07-13 | 2012-06-27 | Физико-технический институт АН БССР | Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика |
SU1282767A1 (ru) * | 1984-09-08 | 2012-06-20 | Физико-технический институт АН БССР | Способ создания подзатворного диэлектрика |
SU1345967A1 (ru) * | 1986-02-19 | 2012-06-27 | Н.В. Румак | |
US20030218221A1 (en) * | 2002-05-21 | 2003-11-27 | the State of Oregon acting by and through the behalf of Oregon State University | Transistor structures and methods for making the same |
US20110121378A1 (en) * | 2005-08-29 | 2011-05-26 | Ahn Kie Y | ZrXHfYSn1-X-YO2 FILMS AS HIGH K GATE DIELECTRICS |
KR20150111390A (ko) * | 2014-03-20 | 2015-10-06 | (주)디엔에프 | 이중층 게이트 절연막을 포함하는 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20180261515A1 (en) | Semiconductor structures and fabrication methods thereof | |
RU2661546C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2466476C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2671294C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2654960C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2674413C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2677500C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2522930C2 (ru) | Способ изготовления тонкопленочного транзистора | |
RU2688851C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2515334C1 (ru) | Способ изготовления тонкопленочного транзистора | |
RU2633799C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2621372C2 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2688864C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
US20200303555A1 (en) | Oxide semiconductor thin-films with content gradient | |
RU2596861C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2606780C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
TWI416727B (zh) | P型金屬氧化層半導體場效電晶體及其製造方法 | |
RU2688881C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2680989C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
CN108122757A (zh) | 半导体结构及其制造方法 | |
RU2723982C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2748455C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2606246C2 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2805132C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2641617C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20190427 |