RU2011118461A - Способ формирования легированных областей полупроводникового прибора - Google Patents

Способ формирования легированных областей полупроводникового прибора Download PDF

Info

Publication number
RU2011118461A
RU2011118461A RU2011118461/28A RU2011118461A RU2011118461A RU 2011118461 A RU2011118461 A RU 2011118461A RU 2011118461/28 A RU2011118461/28 A RU 2011118461/28A RU 2011118461 A RU2011118461 A RU 2011118461A RU 2011118461 A RU2011118461 A RU 2011118461A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
semiconductor device
forming doped
doped areas
regions
doped
Prior art date
Application number
RU2011118461/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2476955C2 (ru
Inventor
Гасан Абакарович Мустафаев (RU)
Гасан Абакарович Мустафаев
Абдулла Гасанович Мустафаев (RU)
Абдулла Гасанович Мустафаев
Арслан Гасанович Мустафаев (RU)
Арслан Гасанович Мустафаев
Original Assignee
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет, Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова filed Critical Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет
Priority to RU2011118461/28A priority Critical patent/RU2476955C2/ru
Publication of RU2011118461A publication Critical patent/RU2011118461A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2476955C2 publication Critical patent/RU2476955C2/ru

Links

Landscapes

  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

Способ формирования легированных областей полупроводникового прибора, включающий процессы легирования, отличающийся тем, что для создания легированных рабочих областей прибора на сформированную подложку наносят пленку с легирующей смесью и подвергают обработке лазерным лучом с плотностью энергий в импульсе 200-500 мДж/см2, длительностью импульсов 35 нс и длиной волны излучения 308 нм.

Claims (1)

  1. Способ формирования легированных областей полупроводникового прибора, включающий процессы легирования, отличающийся тем, что для создания легированных рабочих областей прибора на сформированную подложку наносят пленку с легирующей смесью и подвергают обработке лазерным лучом с плотностью энергий в импульсе 200-500 мДж/см2, длительностью импульсов 35 нс и длиной волны излучения 308 нм.
RU2011118461/28A 2011-05-06 2011-05-06 Способ формирования легированных областей полупроводникового прибора RU2476955C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2011118461/28A RU2476955C2 (ru) 2011-05-06 2011-05-06 Способ формирования легированных областей полупроводникового прибора

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2011118461/28A RU2476955C2 (ru) 2011-05-06 2011-05-06 Способ формирования легированных областей полупроводникового прибора

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2011118461A true RU2011118461A (ru) 2012-11-20
RU2476955C2 RU2476955C2 (ru) 2013-02-27

Family

ID=47322757

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2011118461/28A RU2476955C2 (ru) 2011-05-06 2011-05-06 Способ формирования легированных областей полупроводникового прибора

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2476955C2 (ru)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016068741A1 (ru) * 2014-10-28 2016-05-06 Общество С Ограниченной Ответственностью "Солэкс-С" Способ лазерного легирования и устройство для его реализации
RU2597647C2 (ru) * 2014-12-15 2016-09-20 Акционерное общество "Рязанский завод металлокерамических приборов" (АО "РЗМКП") Способ легирования полупроводниковых пластин
RU2654819C1 (ru) * 2017-04-26 2018-05-22 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ" Способ изготовления полупроводниковых структур

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU665611A1 (ru) * 1977-07-18 2001-09-20 Научно-исследовательский институт механики МГУ им. М.В.Ломоносова Способ получения электронно-дырочных структур в антимониде индия
JPH0691032B2 (ja) * 1985-06-27 1994-11-14 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法
JP3027013B2 (ja) * 1991-01-28 2000-03-27 松下電器産業株式会社 半導体における不純物のドーピング方法および半導体装置の製造方法
JP5305431B2 (ja) * 2008-06-19 2013-10-02 国立大学法人東京農工大学 太陽光発電に用いられる半導体への不純物導入方法

Also Published As

Publication number Publication date
RU2476955C2 (ru) 2013-02-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2013110380A5 (ja) 酸化物半導体膜の作製方法及び半導体装置の作製方法
JP2009520376A5 (ru)
WO2009100015A3 (en) Engineering flat surfaces on materials doped via pulsed laser irradiation
MY154270A (en) Methods of temporally varying the laser intensity during scribing a photovoltaic device
MY184451A (en) Processed silicon wafer, silicon chip, and method and apparatus for production thereof
EP2365535A3 (en) Substrate for fabricating light emitting device and method for fabricating the light emitting device
GB201022131D0 (en) Device and methods for dermatological treatment using fractional laser technology
MX2016016001A (es) Sistemas y metodos para distribución de sutura.
JP2016516516A5 (ru)
RU2011118461A (ru) Способ формирования легированных областей полупроводникового прибора
WO2016077587A3 (en) Creation of hyperdoped semiconductors with concurrent high crystallinity and high sub-bandgap absorptance using nanosecond laser annealing
JP2009200480A5 (ru)
JP2013537364A5 (ru)
EP2674968A3 (en) Semiconductor device manufacturing method and laser annealing apparatus
WO2016182928A3 (en) Photovoltaic devices with fine-line metallization and methods for manufacture
Kang et al. Enhancement of ultra-violet light absorption of surface-textured silicon induced by nanosecond laser irradiations
JP2011165717A5 (ru)
EP2741314A3 (en) Method of manufacturing a poly-crystalline silicon layer, method of manufacturing an organic light-emitting display apparatus including the same, and organic light-emitting display apparatus manufactured by using the same
WO2011107092A3 (de) Verfahren zur dotierung eines halbleitersubstrats und solarzelle mit zweistufiger dotierung
Parvin et al. Efficiency enhancement using ArF laser induced micro/nanostructures on the polymeric layer of solar cell
TW200633028A (en) Semiconductor device and method for producing the same
MY183542A (en) Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device
JP2012153977A5 (ru)
JP2010087485A5 (ja) 半導体装置の作製方法
MY164423A (en) Process of texturing silicon surface for optimal sunlight capture in solar cells

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20140507