RU2011118461A - Способ формирования легированных областей полупроводникового прибора - Google Patents
Способ формирования легированных областей полупроводникового прибора Download PDFInfo
- Publication number
- RU2011118461A RU2011118461A RU2011118461/28A RU2011118461A RU2011118461A RU 2011118461 A RU2011118461 A RU 2011118461A RU 2011118461/28 A RU2011118461/28 A RU 2011118461/28A RU 2011118461 A RU2011118461 A RU 2011118461A RU 2011118461 A RU2011118461 A RU 2011118461A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- semiconductor device
- forming doped
- doped areas
- regions
- doped
- Prior art date
Links
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Способ формирования легированных областей полупроводникового прибора, включающий процессы легирования, отличающийся тем, что для создания легированных рабочих областей прибора на сформированную подложку наносят пленку с легирующей смесью и подвергают обработке лазерным лучом с плотностью энергий в импульсе 200-500 мДж/см2, длительностью импульсов 35 нс и длиной волны излучения 308 нм.
Claims (1)
- Способ формирования легированных областей полупроводникового прибора, включающий процессы легирования, отличающийся тем, что для создания легированных рабочих областей прибора на сформированную подложку наносят пленку с легирующей смесью и подвергают обработке лазерным лучом с плотностью энергий в импульсе 200-500 мДж/см2, длительностью импульсов 35 нс и длиной волны излучения 308 нм.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2011118461/28A RU2476955C2 (ru) | 2011-05-06 | 2011-05-06 | Способ формирования легированных областей полупроводникового прибора |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2011118461/28A RU2476955C2 (ru) | 2011-05-06 | 2011-05-06 | Способ формирования легированных областей полупроводникового прибора |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2011118461A true RU2011118461A (ru) | 2012-11-20 |
RU2476955C2 RU2476955C2 (ru) | 2013-02-27 |
Family
ID=47322757
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2011118461/28A RU2476955C2 (ru) | 2011-05-06 | 2011-05-06 | Способ формирования легированных областей полупроводникового прибора |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2476955C2 (ru) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016068741A1 (ru) * | 2014-10-28 | 2016-05-06 | Общество С Ограниченной Ответственностью "Солэкс-С" | Способ лазерного легирования и устройство для его реализации |
RU2597647C2 (ru) * | 2014-12-15 | 2016-09-20 | Акционерное общество "Рязанский завод металлокерамических приборов" (АО "РЗМКП") | Способ легирования полупроводниковых пластин |
RU2654819C1 (ru) * | 2017-04-26 | 2018-05-22 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ" | Способ изготовления полупроводниковых структур |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU665611A1 (ru) * | 1977-07-18 | 2001-09-20 | Научно-исследовательский институт механики МГУ им. М.В.Ломоносова | Способ получения электронно-дырочных структур в антимониде индия |
JPH0691032B2 (ja) * | 1985-06-27 | 1994-11-14 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP3027013B2 (ja) * | 1991-01-28 | 2000-03-27 | 松下電器産業株式会社 | 半導体における不純物のドーピング方法および半導体装置の製造方法 |
JP5305431B2 (ja) * | 2008-06-19 | 2013-10-02 | 国立大学法人東京農工大学 | 太陽光発電に用いられる半導体への不純物導入方法 |
-
2011
- 2011-05-06 RU RU2011118461/28A patent/RU2476955C2/ru not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2476955C2 (ru) | 2013-02-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2013110380A5 (ja) | 酸化物半導体膜の作製方法及び半導体装置の作製方法 | |
JP2009520376A5 (ru) | ||
WO2009100015A3 (en) | Engineering flat surfaces on materials doped via pulsed laser irradiation | |
MY154270A (en) | Methods of temporally varying the laser intensity during scribing a photovoltaic device | |
MY184451A (en) | Processed silicon wafer, silicon chip, and method and apparatus for production thereof | |
EP2365535A3 (en) | Substrate for fabricating light emitting device and method for fabricating the light emitting device | |
GB201022131D0 (en) | Device and methods for dermatological treatment using fractional laser technology | |
MX2016016001A (es) | Sistemas y metodos para distribución de sutura. | |
JP2016516516A5 (ru) | ||
RU2011118461A (ru) | Способ формирования легированных областей полупроводникового прибора | |
WO2016077587A3 (en) | Creation of hyperdoped semiconductors with concurrent high crystallinity and high sub-bandgap absorptance using nanosecond laser annealing | |
JP2009200480A5 (ru) | ||
JP2013537364A5 (ru) | ||
EP2674968A3 (en) | Semiconductor device manufacturing method and laser annealing apparatus | |
WO2016182928A3 (en) | Photovoltaic devices with fine-line metallization and methods for manufacture | |
Kang et al. | Enhancement of ultra-violet light absorption of surface-textured silicon induced by nanosecond laser irradiations | |
JP2011165717A5 (ru) | ||
EP2741314A3 (en) | Method of manufacturing a poly-crystalline silicon layer, method of manufacturing an organic light-emitting display apparatus including the same, and organic light-emitting display apparatus manufactured by using the same | |
WO2011107092A3 (de) | Verfahren zur dotierung eines halbleitersubstrats und solarzelle mit zweistufiger dotierung | |
Parvin et al. | Efficiency enhancement using ArF laser induced micro/nanostructures on the polymeric layer of solar cell | |
TW200633028A (en) | Semiconductor device and method for producing the same | |
MY183542A (en) | Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device | |
JP2012153977A5 (ru) | ||
JP2010087485A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
MY164423A (en) | Process of texturing silicon surface for optimal sunlight capture in solar cells |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20140507 |