JP3027013B2 - 半導体における不純物のドーピング方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体における不純物のドーピング方法および半導体装置の製造方法Info
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- JP3027013B2 JP3027013B2 JP3008042A JP804291A JP3027013B2 JP 3027013 B2 JP3027013 B2 JP 3027013B2 JP 3008042 A JP3008042 A JP 3008042A JP 804291 A JP804291 A JP 804291A JP 3027013 B2 JP3027013 B2 JP 3027013B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体における不純物の
ドーピング方法および半導体装置の製造方法に関するも
のであり、特に三次元集積回路装置や半導体メモリー装
置、あるいは、薄膜トランジスタをマトリクス状に集積
化したアクティブマトリックスアレイを用いた液晶表示
素子やイメージセンサなどに応用可能な、半導体におけ
る不純物のドーピング方法および半導体装置の製造方法
に関する。
ドーピング方法および半導体装置の製造方法に関するも
のであり、特に三次元集積回路装置や半導体メモリー装
置、あるいは、薄膜トランジスタをマトリクス状に集積
化したアクティブマトリックスアレイを用いた液晶表示
素子やイメージセンサなどに応用可能な、半導体におけ
る不純物のドーピング方法および半導体装置の製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜トランジスタをマトリクス状に集積
化した液晶ディスプレイ用半導体装置の製造方法を例に
とって、従来の技術を説明する。
化した液晶ディスプレイ用半導体装置の製造方法を例に
とって、従来の技術を説明する。
【０００３】液晶ディスプレイ用半導体装置に用いる薄
膜トランジスタの半導体活性層には、従来、約３００℃
以下の比較的低温において大面積にわたり成膜が可能な
非晶質シリコンが、主に用いられてきた。しかし、この
非晶質シリコンを用いた薄膜トランジスタは、電界効果
移動度が小さいので、薄膜トランジスタの駆動回路を同
一基板上へ作成することが困難である。そのため、近
年、非晶質シリコンに比べ電界効果移動度が大きく、駆
動回路を同一基板上に作成可能な多結晶シリコンを半導
体活性層に用いた薄膜トランジスタの研究が活発に行わ
れている。
膜トランジスタの半導体活性層には、従来、約３００℃
以下の比較的低温において大面積にわたり成膜が可能な
非晶質シリコンが、主に用いられてきた。しかし、この
非晶質シリコンを用いた薄膜トランジスタは、電界効果
移動度が小さいので、薄膜トランジスタの駆動回路を同
一基板上へ作成することが困難である。そのため、近
年、非晶質シリコンに比べ電界効果移動度が大きく、駆
動回路を同一基板上に作成可能な多結晶シリコンを半導
体活性層に用いた薄膜トランジスタの研究が活発に行わ
れている。
【０００４】たとえば、応用物理学会・応用電子物性分
科会・研究報告，No.432(1990)，p.p.25〜30には、ｎチ
ャネル多結晶シリコン薄膜トランジスタについて記載さ
れている。
科会・研究報告，No.432(1990)，p.p.25〜30には、ｎチ
ャネル多結晶シリコン薄膜トランジスタについて記載さ
れている。
【０００５】図１１に、このｎチャンネル多結晶シリコ
ン薄膜トランジスタの構造断面図を示す。以下、その製
造方法について説明すると、まず、石英基板１上にプラ
ズマＣＶＤ法により１５００Åの非晶質シリコンを堆積
し、４５０℃でプリアニール後、６００℃で７２時間窒
素雰囲気中でアニールする。これにより、多結晶シリコ
ンを固相成長させ、半導体活性層となる多結晶シリコン
層２を得る。次に１１５０℃で熱酸化膜３を形成後、ゲ
ート電極４を多結晶シリコンなどで形成する。ゲート電
極４をマスクとして自己整合的にリンをイオン注入法に
よりドープし、不純物半導体からなるソース領域５およ
びドレイン領域６を形成する。最後に層間絶縁層７を介
してソース電極８およびドレイン電極９を形成すること
で、ｎチャンネル多結晶シリコン薄膜トランジスタが完
成する。
ン薄膜トランジスタの構造断面図を示す。以下、その製
造方法について説明すると、まず、石英基板１上にプラ
ズマＣＶＤ法により１５００Åの非晶質シリコンを堆積
し、４５０℃でプリアニール後、６００℃で７２時間窒
素雰囲気中でアニールする。これにより、多結晶シリコ
ンを固相成長させ、半導体活性層となる多結晶シリコン
層２を得る。次に１１５０℃で熱酸化膜３を形成後、ゲ
ート電極４を多結晶シリコンなどで形成する。ゲート電
極４をマスクとして自己整合的にリンをイオン注入法に
よりドープし、不純物半導体からなるソース領域５およ
びドレイン領域６を形成する。最後に層間絶縁層７を介
してソース電極８およびドレイン電極９を形成すること
で、ｎチャンネル多結晶シリコン薄膜トランジスタが完
成する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述の多結晶シリコン
薄膜トランジスタからなる半導体装置の製造方法におい
ては、ソース・ドレイン領域となる不純物半導体層をイ
オン注入装置を用いて形成するために、イオン注入法を
用いてリンをドーピングしている。イオン注入法により
ドーピングを行うためには、まず熱酸化膜などを形成
し、不純物を導入したい部分の酸化膜にフォトエッチン
グ法で選択的に開口を設け、不純物原子のイオンを打ち
込み後、800〜900℃の高温でアニールを行う必要があ
る。しかし、この場合は、製造プロセスが非常に複雑
で、かつコストが高く、しかも高温でアニールを行うた
め、基板材料が限定されたり、３次元集積回路装置の場
合は下層の回路に悪影響を与えるといった問題点を有し
ていた。
薄膜トランジスタからなる半導体装置の製造方法におい
ては、ソース・ドレイン領域となる不純物半導体層をイ
オン注入装置を用いて形成するために、イオン注入法を
用いてリンをドーピングしている。イオン注入法により
ドーピングを行うためには、まず熱酸化膜などを形成
し、不純物を導入したい部分の酸化膜にフォトエッチン
グ法で選択的に開口を設け、不純物原子のイオンを打ち
込み後、800〜900℃の高温でアニールを行う必要があ
る。しかし、この場合は、製造プロセスが非常に複雑
で、かつコストが高く、しかも高温でアニールを行うた
め、基板材料が限定されたり、３次元集積回路装置の場
合は下層の回路に悪影響を与えるといった問題点を有し
ていた。
【０００７】また上述の例では、半導体活性層である多
結晶シリコン層２を得るために、まずプラズマＣＶＤ法
により非晶質シリコン層を堆積後、２段階にわたるアニ
ールにより多結晶シリコンを形成しているが、このアニ
ールは６００℃で７２時間行われる。したがって通常の
ガラス基板が使用できず、かつ、アニールが長時間にわ
たるためスループットにも問題を有していた。
結晶シリコン層２を得るために、まずプラズマＣＶＤ法
により非晶質シリコン層を堆積後、２段階にわたるアニ
ールにより多結晶シリコンを形成しているが、このアニ
ールは６００℃で７２時間行われる。したがって通常の
ガラス基板が使用できず、かつ、アニールが長時間にわ
たるためスループットにも問題を有していた。
【０００８】本発明はかかる点にかんがみ、半導体不純
物層の製造が容易で低コストの不純物のドーピング方法
を提供するとともに、不純物のドーピングと半導体活性
層のアニールを一括して行う半導体装置の製造方法を提
供する。
物層の製造が容易で低コストの不純物のドーピング方法
を提供するとともに、不純物のドーピングと半導体活性
層のアニールを一括して行う半導体装置の製造方法を提
供する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前述の不純物のドーピン
グに関する問題点を解決するため本発明は、半導体上
に、この半導体のドナーまたはアクセプタとなる不純物
と、感光性樹脂と、有機溶剤とを少なくとも含む感光性
ドーパント溶液を塗布するとともに、これを乾燥して感
光性ドーパント膜を形成し、この感光性ドーパント膜に
選択的に露光して感光性樹脂を感光させ、前記感光性ド
ーパント膜を現像して半導体上に選択的に感光性ドーパ
ント膜を形成し、この選択的に形成した感光性ドーパン
ト膜にレーザー光などのエネルギービームを照射して局
所的に融解し、感光性ドーパント膜中の不純物を融解し
た半導体中へ拡散後、結晶化させることにより、不純物
を半導体中にドーピングする。
グに関する問題点を解決するため本発明は、半導体上
に、この半導体のドナーまたはアクセプタとなる不純物
と、感光性樹脂と、有機溶剤とを少なくとも含む感光性
ドーパント溶液を塗布するとともに、これを乾燥して感
光性ドーパント膜を形成し、この感光性ドーパント膜に
選択的に露光して感光性樹脂を感光させ、前記感光性ド
ーパント膜を現像して半導体上に選択的に感光性ドーパ
ント膜を形成し、この選択的に形成した感光性ドーパン
ト膜にレーザー光などのエネルギービームを照射して局
所的に融解し、感光性ドーパント膜中の不純物を融解し
た半導体中へ拡散後、結晶化させることにより、不純物
を半導体中にドーピングする。
【００１０】また本発明は、半導体活性層を得るための
熱処理も、レーザー光などのエネルギービームの照射に
より、不純物のドーピングとの一括処理とする。
熱処理も、レーザー光などのエネルギービームの照射に
より、不純物のドーピングとの一括処理とする。
【００１１】
【作用】本発明は前記の工程でドーピングを行うことに
よって、ドナーあるいはアクセプタを含んだ不純物半導
体層の形成が容易となるとともに、コストの低減を図る
ことが可能となる。
よって、ドナーあるいはアクセプタを含んだ不純物半導
体層の形成が容易となるとともに、コストの低減を図る
ことが可能となる。
【００１２】また、本発明により半導体装置を製造する
ことによって、ドナーあるいはアクセプタを含んだ不純
物半導体層の形成と同時に、半導体活性層のアニールを
一括して行うことができるため、半導体装置の製造が簡
単になるとともに、コストの低減を図ることが可能とな
る。
ことによって、ドナーあるいはアクセプタを含んだ不純
物半導体層の形成と同時に、半導体活性層のアニールを
一括して行うことができるため、半導体装置の製造が簡
単になるとともに、コストの低減を図ることが可能とな
る。
【００１３】
【実施例】図１〜図４は、本発明の第一の実施例のドー
ピング方法の各プロセスごとの断面を示す。以下、これ
らの図面を用いて説明する。
ピング方法の各プロセスごとの断面を示す。以下、これ
らの図面を用いて説明する。
【００１４】まず、図１に示すように、Ｓｉ半導体１０
上に、たとえば、Ｓｉに対してアクセプタとなる不純物
であるボロン（Ｂ）の酸化物であるＢ2Ｏ3と、感光性樹
脂であるノボラック樹脂（たとえばクレゾールノボラッ
ク樹脂）およびナフトキノンアジドの混合物と、有機溶
剤としてのエチルセロソルブアセテートとを混合してな
る溶液を塗布し、これを乾燥して感光性ドーパント膜１
１を形成する。
上に、たとえば、Ｓｉに対してアクセプタとなる不純物
であるボロン（Ｂ）の酸化物であるＢ2Ｏ3と、感光性樹
脂であるノボラック樹脂（たとえばクレゾールノボラッ
ク樹脂）およびナフトキノンアジドの混合物と、有機溶
剤としてのエチルセロソルブアセテートとを混合してな
る溶液を塗布し、これを乾燥して感光性ドーパント膜１
１を形成する。
【００１５】次に図２に示すように、感光性ドーパント
膜１１にフォトマスク１２を用いて選択的に露光し、感
光性樹脂を感光させる。この感光性ドーパント膜１１を
アルカリ系水溶液にて現像すると、露光された部分の感
光性ドーパント膜１１が溶解し、図３に示すように、半
導体上に選択的に感光性ドーパント膜１１ａが形成され
る。この選択的に形成された感光性ドーパント膜１１ａ
に、図４に示すようにエネルギービームとしてたとえば
Ａｒレーザー光１３を、パワー密度１０4〜１０5Ｗ／ｃ
ｍ2、走査速度１〜１０ｃｍ／秒でスキャンしながら照
射すると、Ｓｉ半導体が融解し、不純物であるＢが感光
性ドーパント膜１１ａからＳｉ半導体１０中に拡散す
る。融解したＳｉが照射後に冷却され結晶化すると、ド
ーピングされた領域１４が形成される。
膜１１にフォトマスク１２を用いて選択的に露光し、感
光性樹脂を感光させる。この感光性ドーパント膜１１を
アルカリ系水溶液にて現像すると、露光された部分の感
光性ドーパント膜１１が溶解し、図３に示すように、半
導体上に選択的に感光性ドーパント膜１１ａが形成され
る。この選択的に形成された感光性ドーパント膜１１ａ
に、図４に示すようにエネルギービームとしてたとえば
Ａｒレーザー光１３を、パワー密度１０4〜１０5Ｗ／ｃ
ｍ2、走査速度１〜１０ｃｍ／秒でスキャンしながら照
射すると、Ｓｉ半導体が融解し、不純物であるＢが感光
性ドーパント膜１１ａからＳｉ半導体１０中に拡散す
る。融解したＳｉが照射後に冷却され結晶化すると、ド
ーピングされた領域１４が形成される。
【００１６】このとき、Ｂの濃度は１０19〜１０22ｃｍ
-3であり、１０2〜１０3Ｓ／ｃｍの導電率が得られた。
なお、上記実施例では、ドーパントとの不純物としてア
クセプタとなるＢを用いたが、ドナーとなる不純物とし
てたとえばリン（Ｐ）を用いたい場合には、Ｐの酸化物
であるＰ2Ｏ5をＢ2Ｏ3の代わりに用いればよい。さら
に、バインダとして珪素化合物ＲｎＳｉ（ＯＨ）4-nな
どを感光性ドーパント膜１１に混合してもよい。
-3であり、１０2〜１０3Ｓ／ｃｍの導電率が得られた。
なお、上記実施例では、ドーパントとの不純物としてア
クセプタとなるＢを用いたが、ドナーとなる不純物とし
てたとえばリン（Ｐ）を用いたい場合には、Ｐの酸化物
であるＰ2Ｏ5をＢ2Ｏ3の代わりに用いればよい。さら
に、バインダとして珪素化合物ＲｎＳｉ（ＯＨ）4-nな
どを感光性ドーパント膜１１に混合してもよい。
【００１７】また、エネルギービームとしてＡｒレーザ
ー光１３を用いたが、他のエネルギービームとして、た
とえばＸｅＣｌやＡｒＦを用いるエキシマレーザーや、
赤外線ランプなどを用いてもよい。
ー光１３を用いたが、他のエネルギービームとして、た
とえばＸｅＣｌやＡｒＦを用いるエキシマレーザーや、
赤外線ランプなどを用いてもよい。
【００１８】図５〜図１０は、本発明の第二の実施例と
して、ｎ型多結晶シリコン薄膜トランジスタからなる半
導体装置の製造方法の各プロセスごとの断面図を示す。
以下、この図面を用いて説明する。
して、ｎ型多結晶シリコン薄膜トランジスタからなる半
導体装置の製造方法の各プロセスごとの断面図を示す。
以下、この図面を用いて説明する。
【００１９】図５に示すように、ガラス基板１５上に、
たとえばスパッタ法でＣｒ膜を形成し、フォトエッチン
グにより加工してゲート電極１６を形成する。次に、プ
ラズマＣＶＤ法により、ゲート絶縁層としての窒化シリ
コン層１７と半導体層としての非晶質シリコン層とを連
続成膜する。そして、非晶質シリコン層をフォトエッチ
ング処理して、半導体活性層とソース・ドレイン領域と
なる部分だけを残し、非晶質シリコン半導体層１８を形
成する。
たとえばスパッタ法でＣｒ膜を形成し、フォトエッチン
グにより加工してゲート電極１６を形成する。次に、プ
ラズマＣＶＤ法により、ゲート絶縁層としての窒化シリ
コン層１７と半導体層としての非晶質シリコン層とを連
続成膜する。そして、非晶質シリコン層をフォトエッチ
ング処理して、半導体活性層とソース・ドレイン領域と
なる部分だけを残し、非晶質シリコン半導体層１８を形
成する。
【００２０】次に、Ｓｉに対してドナーとなる不純物で
あるリン（Ｐ）の酸化物であるＰ2Ｏ5と、感光性樹脂で
あるノボラック樹脂（たとえばクレゾールノボラック樹
脂）およびナフトキノンアジドの混合物と、有機溶剤と
してのエチルセロソルブアセテートとを混合してなる溶
液を塗布し、これを乾燥して、図６に示すように感光性
ドーパント膜１９を形成する。また、この感光性ドーパ
ント膜１９にフォトマスク２０を用いて選択的に露光
し、感光性樹脂を感光させる。この感光性ドーパント膜
１９をアルカリ系水溶液にて現像すると、露光された部
分の感光性ドーパント膜１９が溶解し、図７に示すよう
に、半導体上に選択的に感光性ドーパント膜１９ａが形
成される。
あるリン（Ｐ）の酸化物であるＰ2Ｏ5と、感光性樹脂で
あるノボラック樹脂（たとえばクレゾールノボラック樹
脂）およびナフトキノンアジドの混合物と、有機溶剤と
してのエチルセロソルブアセテートとを混合してなる溶
液を塗布し、これを乾燥して、図６に示すように感光性
ドーパント膜１９を形成する。また、この感光性ドーパ
ント膜１９にフォトマスク２０を用いて選択的に露光
し、感光性樹脂を感光させる。この感光性ドーパント膜
１９をアルカリ系水溶液にて現像すると、露光された部
分の感光性ドーパント膜１９が溶解し、図７に示すよう
に、半導体上に選択的に感光性ドーパント膜１９ａが形
成される。
【００２１】この選択的に形成された感光性ドーパント
膜１９ａおよび非晶質シリコン１８に対し、図８に示す
ように、エネルギービームとして、たとえばＸｅＣｌを
用いたエキシマレーザー光２１（波長３０８ｎｍ）を、
パワー密度１００〜５００ｍＪ／ｃｍ2、パルス幅３０
〜４０ｎｓｅｃで同時に照射する。すると、非晶質シリ
コンは融解し、不純物であるＰが感光性ドーパント膜１
９ａから融解したシリコン中に拡散する。融解したＳｉ
が照射後に冷却され固化すると、高濃度に不純物がドー
ピングされたソース領域２２およびドレイン領域２３が
できる。そして、同時に半導体活性層２４となる部分に
は、非晶質シリコンが融解結晶化して多結晶シリコンが
形成される。
膜１９ａおよび非晶質シリコン１８に対し、図８に示す
ように、エネルギービームとして、たとえばＸｅＣｌを
用いたエキシマレーザー光２１（波長３０８ｎｍ）を、
パワー密度１００〜５００ｍＪ／ｃｍ2、パルス幅３０
〜４０ｎｓｅｃで同時に照射する。すると、非晶質シリ
コンは融解し、不純物であるＰが感光性ドーパント膜１
９ａから融解したシリコン中に拡散する。融解したＳｉ
が照射後に冷却され固化すると、高濃度に不純物がドー
ピングされたソース領域２２およびドレイン領域２３が
できる。そして、同時に半導体活性層２４となる部分に
は、非晶質シリコンが融解結晶化して多結晶シリコンが
形成される。
【００２２】次に、たとえばフッ酸または発煙硝酸にて
ドーピング領域上の残存物をエッチングあるいは酸化除
去すると、図９に示すように、ソース領域２２と、ドレ
イン領域２３と、半導体活性層２４からなる多結晶シリ
コンとが形成された状態になる。
ドーピング領域上の残存物をエッチングあるいは酸化除
去すると、図９に示すように、ソース領域２２と、ドレ
イン領域２３と、半導体活性層２４からなる多結晶シリ
コンとが形成された状態になる。
【００２３】次に、多結晶シリコンの粒界のトラップ密
度を下げるため水素プラズマ処理を行い、また、図示は
しないがゲート電極を取り出すためのスルーホールを形
成する。 最後に、図１０に示すように、たとえばＡｌ
を用いてソース電極２５およびドレイン電極２６を形成
すれば、ｎチャンネル多結晶シリコン薄膜トランジスタ
からなる半導体装置が完成する。
度を下げるため水素プラズマ処理を行い、また、図示は
しないがゲート電極を取り出すためのスルーホールを形
成する。 最後に、図１０に示すように、たとえばＡｌ
を用いてソース電極２５およびドレイン電極２６を形成
すれば、ｎチャンネル多結晶シリコン薄膜トランジスタ
からなる半導体装置が完成する。
【００２４】この薄膜トランジスタの電界効果移動度は
約１００ｃｍ2／Ｖ・ｓｅｃであり、またＯＮ／ＯＦＦ
電流比は１０6が得られた。図示はしないが、感光性ド
ーパント膜にＢ2Ｏ3を含ませることにより、同様の方法
でｐチャンネル多結晶シリコン薄膜トランジスタも同一
基板上につくり込み、Ｃ−ＭＯＳからなる半導体装置が
製造できた。
約１００ｃｍ2／Ｖ・ｓｅｃであり、またＯＮ／ＯＦＦ
電流比は１０6が得られた。図示はしないが、感光性ド
ーパント膜にＢ2Ｏ3を含ませることにより、同様の方法
でｐチャンネル多結晶シリコン薄膜トランジスタも同一
基板上につくり込み、Ｃ−ＭＯＳからなる半導体装置が
製造できた。
【００２５】また、上記実施例の感光性ドーパント膜に
は、バインダとして珪素化合物ＲｎＳｉ（ＯＨ）4-nな
どを混合することもできる。また、上記実施例ではトラ
ンジスタ構造が逆スタガ型であったが、順スタガ型やコ
プラナ型などの構造のトランジスタも同様に製造でき
る。
は、バインダとして珪素化合物ＲｎＳｉ（ＯＨ）4-nな
どを混合することもできる。また、上記実施例ではトラ
ンジスタ構造が逆スタガ型であったが、順スタガ型やコ
プラナ型などの構造のトランジスタも同様に製造でき
る。
【００２６】また、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その範囲内で様々な変更が可能である。
のではなく、その範囲内で様々な変更が可能である。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、イ
オン注入装置やフォトエッチングが不要な、簡単で低コ
ストのドーピング方法が提供することができる。また、
半導体活性層のアニールとドーピングとが一括して行
え、簡単で低コストの半導体装置が製造できるため、そ
の産業上の効果は大きい。
オン注入装置やフォトエッチングが不要な、簡単で低コ
ストのドーピング方法が提供することができる。また、
半導体活性層のアニールとドーピングとが一括して行
え、簡単で低コストの半導体装置が製造できるため、そ
の産業上の効果は大きい。
【図１】本発明にもとづくドーピング方法の実施例にお
ける初期のプロセスを説明する概略断面図である。
ける初期のプロセスを説明する概略断面図である。
【図２】図１のプロセスに続くプロセスを説明する概略
断面図である。
断面図である。
【図３】図２のプロセスに続くプロセスを説明する概略
断面図である。
断面図である。
【図４】図３のプロセスに続くプロセスを説明する概略
断面図である。
断面図である。
【図５】本発明にもとづく半導体装置の製造方法の実施
例における初期のプロセスを説明する概略断面図であ
る。
例における初期のプロセスを説明する概略断面図であ
る。
【図６】図５のプロセスに続くプロセスを説明する概略
断面図である。
断面図である。
【図７】図６のプロセスに続くプロセスを説明する概略
断面図である。
断面図である。
【図８】図７のプロセスに続くプロセスを説明する概略
断面図である。
断面図である。
【図９】図８のプロセスに続くプロセスを説明する概略
断面図である。
断面図である。
【図１０】図９のプロセスに続くプロセスを説明する概
略断面図である。
略断面図である。
【図１１】従来の半導体装置の概略断面図である。
１０ Ｓｉ半導体 １１ 感光性ドーパント膜 １１ａ 選択的に形成された感光性ドーパント膜 １３ Ａｒレーザー光 １４ ドーピングされた領域 １８ 非晶質シリコン １９ 感光性ドーパント膜 １９ａ 選択的に形成された感光性ドーパント膜 ２１ エキシマレーザー光 ２４ 半導体活性層（多結晶シリコン）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川村 哲也 大阪府門真市大字門真1006番地松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 宮田 豊 大阪府門真市大字門真1006番地松下電器 産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭64−57715（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−177323（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/22 H01L 21/268 H01L 21/336 H01L 29/786
Claims (8)
- 【請求項１】 半導体上に、この半導体のドナーまたは
アクセプタとなる不純物と、感光性樹脂と、有機溶剤と
を少なくとも含む溶液を塗布する工程と、この塗布した
溶液を乾燥して感光性ドーパント膜を形成する工程と、
この感光性ドーパント膜に選択的に露光して感光性樹脂
を感光させる工程と、前記感光性ドーパント膜を現像し
て半導体上に選択的に感光性ドーパント膜を形成する工
程と、この選択的に形成した感光性ドーパント膜にエネ
ルギービームの照射を行うことにより前記不純物を半導
体中にドーピングさせる工程とを含むことを特徴とする
半導体における不純物のドーピング方法。 - 【請求項２】 前記選択的に形成した感光性ドーパント
膜中の前記感光性樹脂を酸化して、前記感光した樹脂を
選択的に除去する工程を含むことを特徴とする請求項１
記載の半導体における不純物のドーピング方法。 - 【請求項３】 前記エネルギービームとしてレーザー光
を用いることを特徴とする請求項１記載の半導体におけ
る不純物のドーピング方法。 - 【請求項４】 前記半導体が珪素を主成分とする半導体
であることを特徴とする請求項１記載の半導体における
不純物のドーピング方法。 - 【請求項５】 半導体上に、この半導体のドナーまたは
アクセプタとなる不純物と、感光性樹脂と、有機溶剤と
を少なくとも含む溶液を塗布する工程と、この塗布した
溶液を乾燥して感光性ドーパント膜を形成する工程と、
この感光性ドーパント膜に選択的に露光して感光性樹脂
を感光させる工程と、前記感光性ドーパント膜を現像し
て半導体上に選択的に感光性ドーパント膜を形成する工
程と、この選択的に形成した感光性ドーパント膜と前記
半導体における半導体活性層として用いる領域とにエネ
ルギービームを照射して、前記不純物を半導体中にドー
ピングさせるとともに、これと一括して前記半導体活性
層をアニールする工程とを含むことを特徴とする半導体
装置の製造方法。 - 【請求項６】 前記選択的に形成した感光性ドーパント
膜中の前記感光性樹脂を酸化して、前記感光した樹脂を
選択的に除去する工程を含むことを特徴とする請求項５
記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 前記エネルギービームとしてレーザー光
を用いることを特徴とする請求項５記載の半導体装置の
製造方法。 - 【請求項８】 前記半導体が珪素を主成分とする非単結
晶半導体であることを特徴とする請求項５記載の半導体
装置の製造方法。
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|---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3008042A JP3027013B2 (ja) | 1991-01-28 | 1991-01-28 | 半導体における不純物のドーピング方法および半導体装置の製造方法 |
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| JPH04250617A JPH04250617A (ja) | 1992-09-07 |
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