JP2010087485A5 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents

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  1. 単結晶半導体基板に加速されたイオンを照射して前記単結晶半導体基板の表面から所定の深さの領域に脆化領域を形成し、
    絶縁層を介して前記単結晶半導体基板とベース基板とを貼り合わせ、
    前記脆化領域において前記単結晶半導体基板を分離して前記ベース基板上に前記絶縁層を介して単結晶半導体層を形成し、
    前記単結晶半導体層にレーザー光を照射して前記単結晶半導体層を部分溶融させた後、第1の熱処理を行い、
    前記単結晶半導体層に導電型を付与する不純物元素を添加して前記単結晶半導体層中に不純物領域を形成し、
    前記不純物領域が形成された単結晶半導体層に前記第1の熱処理の温度より低い温度で第2の熱処理を行い、
    前記第1の熱処理の温度を、640℃以上、且つ前記単結晶半導体層を溶融させない温度であって、前記ベース基板の歪み点以下とし、
    前記第2の熱処理の温度を550℃以上とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
  2. 請求項1において、
    前記単結晶半導体層上方にゲート電極を形成した後、前記不純物領域を形成し、
    前記不純物領域は、ソース領域及びドレイン領域であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
  3. 請求項1又は2において、
    前記レーザー光を照射した後であって前記第1の熱処理を行う前に、前記単結晶半導体層に対して薄膜化処理を施すことを特徴とする半導体装置の作製方法。
  4. 請求項1乃至のいずれか一において、
    前記ベース基板として、ガラス基板を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
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