SU665611A1 - Способ получения электронно-дырочных структур в антимониде индия - Google Patents

Abstract

1. Способ получения электронно-дырочных структур в антимониде индия, включающий легирование исходного материала, изготовление подложек, облучение ионами и создание инверсионного слоя последующим отжигом, отличающийся тем, что, с целью упрочнения имплантированного слоя, облучение проводят при температурах подложек от 0,6 Tдо 0,95 Tдозами от 6 • 10до 6 • 10сми греющими плотностями ионного тока от 10 до 50 мкА/см.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью увеличения концентраций электронов в упрочненном слое до 8 • 10см, антимонид индия легируют германием, облучают ионами аргона и проводят лазерный отжиг плотностью мощности от 6 до 56 квт/смпри длительности импульса от 6 • 10до 0,8 • 10с.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что антимонид индия легируют германием, облучают ионами аргона и проводят лазерный отжиг с плотностью мощности от 4 до 300 мвт/смпри длительности импульса от 5 • 10до 0,3 • 10с.4. Способ по п.1, 2 и 3, отличающийся тем, что, с целью увеличения концентрации электронов в упрочненном слое от 1,1 • 10до 2,5 • 10см, подложку облучают ионами теллура.5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что, с целью управления глубиной n-слоя в структурах n-n-p от 10 до 500 мкм, антимонид индия легируют германием до получения концентрации дырок от 1 • 10до 5 • 10см, а облучение осуществляют ионами теллура в течение времени от 20 до 2 • 10с.