SU884498A1 - Способ отжига структур полупроводник-диэлектрик - Google Patents
Способ отжига структур полупроводник-диэлектрикInfo
- Publication number
- SU884498A1 SU884498A1 SU3215251/25A SU3215251A SU884498A1 SU 884498 A1 SU884498 A1 SU 884498A1 SU 3215251/25 A SU3215251/25 A SU 3215251/25A SU 3215251 A SU3215251 A SU 3215251A SU 884498 A1 SU884498 A1 SU 884498A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- irradiation
- carried out
- energy
- kev
- dielectric
- Prior art date
Links
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
1. Способ отжига структур полупроводник-диэлектрик, включающий операцию импульсного облучения подложки с нанесенной на нее диэлектрической пленкой, отличающийся тем, что, с целью предотвращения повреждений структур, облучение проводят излучением, равномерно поглощающимся и в пленке, и в подложке.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что облучение проводят электронами с энергией 5 - 10000 кэВ.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что облучение проводят протонами с энергией 10 - 2500 кэВ.4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что облучение проводят ионами с энергией 15 - 1000 кэВ.5. Способ по п.1, отличающийся тем, что облучение проводят фотонами с энергией E в диапазоне E< E < 10E, где E- ширина запрещенной зоны диэлектрика.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU3215251/25A SU884498A1 (ru) | 1980-12-12 | 1980-12-12 | Способ отжига структур полупроводник-диэлектрик |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU3215251/25A SU884498A1 (ru) | 1980-12-12 | 1980-12-12 | Способ отжига структур полупроводник-диэлектрик |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU884498A1 true SU884498A1 (ru) | 1999-11-10 |
Family
ID=60525340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU3215251/25A SU884498A1 (ru) | 1980-12-12 | 1980-12-12 | Способ отжига структур полупроводник-диэлектрик |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU884498A1 (ru) |
-
1980
- 1980-12-12 SU SU3215251/25A patent/SU884498A1/ru active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| GB1449751A (en) | Annealing to control gate sensitivity of thyristors | |
| JPS5567132A (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| FR2445021A1 (fr) | Procede de fabrication de dispositifs semi-conducteurs reduisant leur temps de commutation par une irradiation par neutrons | |
| US4394180A (en) | Method of forming high resistivity regions in GaAs by deuteron implantation | |
| SU884498A1 (ru) | Способ отжига структур полупроводник-диэлектрик | |
| JPS53102677A (en) | Ion beam radiating unit | |
| Oraby et al. | Laser annealing of ohmic contacts on GaAs | |
| JPS57104218A (en) | Fabrication of semiconductor device | |
| JPS56112729A (en) | Exposure of electron beam | |
| JPS53109475A (en) | Manufacture for semiconductor device | |
| SU432797A1 (ru) | Способ генерации дырочных центров окраски в диэлектрике | |
| Dvurechensky et al. | The mechanisms of impurity redistribution on laser-annealing of ion-implanted semiconductors | |
| Krynicki | Annealing of ion implanted layers by laser beam | |
| JPS57111020A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS5661179A (en) | Preparation of semiconductor radiation detector | |
| SU646706A1 (ru) | Способ обработки полупроводниковых детекторов | |
| JPS5357974A (en) | Electron beam exposure method | |
| JPS57112013A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS57180173A (en) | Mis transistor and manufacture thereof | |
| JPS5481085A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS57143825A (en) | Formation of electrode | |
| GB2014363A (en) | Improvements in or relating to semiconductor devices | |
| JPS53145583A (en) | Semiconductor device and production of the same | |
| JPS57198625A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS54118771A (en) | Manufacture of semiconductor device |