JP2013110380A5 - 酸化物半導体膜の作製方法及び半導体装置の作製方法 - Google Patents

Claims (12)

1. 絶縁性の金属酸化膜に接してインジウム又は亜鉛の少なくとも一方の酸化物を含む酸化物半導体膜を形成し、
   前記酸化物半導体膜にエネルギービームを照射して、該酸化物半導体膜に結晶領域が含まれるように加熱することを特徴とする酸化物半導体膜の作製方法。
2. インジウム又は亜鉛の酸化物の融点よりも高い融点を有する絶縁性の金属酸化膜に接してインジウム又は亜鉛の少なくとも一方の酸化物を含む酸化物半導体膜を形成し、
   前記酸化物半導体膜にエネルギービームを照射して、該酸化物半導体膜に結晶領域が含まれるように加熱することを特徴とする酸化物半導体膜の作製方法。
3. 請求項１又は２において、前記絶縁性の金属酸化膜として、酸化アルミニウム膜又はイットリア安定化ジルコニア膜を形成することを特徴とする酸化物半導体膜の作製方法。
4. 請求項１乃至３のいずれか一項において、前記エネルギービームは、前記酸化物半導体膜のバンドギャップ以上のエネルギーを有するレーザ光であることを特徴とする酸化物半導体膜の作製方法。
5. 請求項１乃至４のいずれか一項において、
   前記エネルギービームの照射により、前記酸化物半導体膜にｃ軸配向した結晶領域を含ませることを特徴とする酸化物半導体膜の作製方法。
6. 絶縁性の金属酸化膜を形成し、
   前記絶縁性の金属酸化膜に接して、インジウム又は亜鉛の少なくとも一方の酸化物を含む酸化物半導体膜を形成し、
   前記酸化物半導体膜にエネルギービームを照射して結晶領域を含む酸化物半導体膜を形成し、
   前記結晶領域を含む酸化物半導体膜をチャネル形成領域とするトランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
7. インジウム又は亜鉛の酸化物の融点よりも高い融点を有する絶縁性の金属酸化膜を形成し、
   前記絶縁性の金属酸化膜に接して、インジウム又は亜鉛の少なくとも一方の酸化物を含む酸化物半導体膜を形成し、
   前記酸化物半導体膜にエネルギービームを照射して結晶領域を含む酸化物半導体膜を形成し、
   前記結晶領域を含む酸化物半導体膜をチャネル形成領域とするトランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
8. 請求項６又は７において、
   前記絶縁性の金属酸化膜として、酸化アルミニウム膜又はイットリア安定化ジルコニア膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
9. 請求項６乃至８のいずれか一項において、
   前記エネルギービームは、前記酸化物半導体膜のバンドギャップ以上のエネルギーを有するレーザ光であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
10. 請求項６乃至９のいずれか一項において、
    前記エネルギービームの照射により、前記酸化物半導体膜にｃ軸配向した結晶領域を含ませること半導体装置の作製方法。
11. 請求項６乃至１０のいずれか一項において、
    前記絶縁性の金属酸化膜を形成する前に、ゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
12. 請求項６乃至１１のいずれか一項において、
    前記結晶領域を含む酸化物半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。