KR20030030908A - 레이저 어닐링 장치, tft 기판 및 이의 어닐링 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (21)
- 샘플을 지지하는 상태에서 이동가능한 스테이지 수단과,레이저 빔을 방사하기 위한 레이저 빔 소스 수단과,상기 레이저 빔 소스 수단으로부터 방사된 레이저 빔의 에너지를 시간의 관점에서 변조하기 위한 변조 수단과,소정의 공간 에너지 분포를 갖도록 레이저 빔 소스 수단으로부터 방사된 상기 레이저 빔을 조정하기 위한 에너지 분포 조정 수단과,상기 레이저 빔 소스 수단으로부터 방사된 상기 레이저 빔의 간섭을 감소하기 위한 간섭 감소 수단과,상기 변조 수단, 상기 에너지 분포 조정 수단 및 상기 간섭 감소 수단을 통해 통과된 레이저 빔을 상기 샘플의 표면 상으로 투영하기 위한 투영 광학 시스템 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 어닐링 장치.
- 샘플을 지지하는 상태에서 이동가능한 스테이지 수단과,레이저 빔을 방사하기 위한 레이저 빔 소스 수단과,상기 레이저 빔 소스 수단으로부터 방사된 레이저 빔의 에너지를 시간의 관점에서 변조하기 위한 변조 수단과,레이저 빔 소스 수단으로부터 방사된 상기 레이저 빔의 횡단 형상을 형성하기 위한 형상 수단과,상기 레이저 빔 소스 수단으로부터 방사된 상기 레이저 빔의 간섭을 감소시키기 위한 간섭 감소 수단과,상기 변조 수단, 상기 형상 수단 및 상기 간섭 감소 수단을 통과한 레이저 빔을 상기 샘플의 표면상으로 투영하기 위한 투영 광학 시스템 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 어닐링 장치.
- 샘플을 지지하는 상태에서 이동가능한 스테이지 수단과,레이저 빔을 방사하기 위한 레이저 빔 소스 수단과,상기 레이저 빔 소스 수단으로부터 방사되고 셔터 수단이 작동될 때 시간 주기 내에 상기 셔터 수단을 통해 통과된 레이저 빔의 에너지를 변조하기 위한 변조 수단과,레이저 빔 소스 수단으로부터 방사된 상기 레이저 빔을 소정의 공간 에너지 분포를 갖도록 조정하기 위한 에너지 분포 조정 수단과,상기 레이저 빔 소스 수단으로부터 방사된 상기 레이저 빔의 간섭을 감소시키기 위한 간섭 감소 수단과,상기 변조 수단, 상기 에너지 분포 조정 수단 및 상기 간섭 감소 수단을 통과한 레이저 빔을 상기 샘플의 표면상으로 투영하기 위한 투영 광학 시스템 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 어닐링 장치.
- 샘플을 지지하는 상태에서 이동가능한 스테이지 수단과,레이저 빔을 방사하기 위한 레이저 빔 소스 수단과,상기 레이저 빔 소스 수단으로부터 방사되고 셔터 수단을 통과한 레이저 빔의 에너지를 시간의 관점에서 변조하기 위한 변조 수단과,레이저 빔 소스 수단으로부터 방사된 상기 레이저 빔의 공간 에너지 분포를 조정하기 위한 에너지 분포 조정 수단과,상기 변조 수단 및 상기 에너지 분포 조정 수단을 통과한 레이저 빔을 상기 샘플의 표면상으로 투영하기 위한 투영 광학 시스템 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 어닐링 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 레이저 빔을 시간의 관점에서 변조하기 위한 상기 변조 수단은 전기 광학 변조기인 것을 특징으로 하는 레이저 어닐링 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 에너지 분포 제어 수단은 빔-균질화기, 소정의 투과율을 갖는 필터 및 직사각형 슬릿을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 어닐링 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 간섭 감소 수단은 고속에서 회전하는 확산기인 것을 특징으로 하는 레이저 어닐링 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 레이저 빔 소스 수단은 YVO4레이저의 보조 고조파를 발생하는 것을 특징으로 하는 레이저 어닐링 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 투영 광학 시스템의 초점 위치와 상기 샘플 표면 사이의 관계를 제어하기 위한 자동 초점 기구를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 어닐링 장치.
- 샘플의 표면상에 형성된 박막을 어닐링하기 위한 레이저 어닐링 방법이며,레이저 빔 소스로부터 방사된 레이저 빔의 에너지를 시간의 관점에서 변조하는 단계와,레이저 빔의 변조되어진 에너지 분포를 조정하는 단계와,상기 표면상에 형성된 박막을 갖는 샘플의 표면을 주사하기 위해, 조정되어진 상기 에너지 분포 및 시간 관점에서 변조된 상기 레이저 빔의 에너지를 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 어닐링 방법.
- 샘플의 표면상에 소정 영역의 박막을 어닐링 하기 위한 레이저 어닐링 방법이며,레이저 빔 소스로부터 조사된 레이저 빔의 에너지를 시간 관점에서 변조하는 단계와,변조되어진 레이저 빔의 에너지를 횡단 형상으로 형성하기 위한 단계와,상기 표면상에 형성된 박막을 갖는 샘플의 표면을 주사하기 위해, 형성되어진 상기 횡단면 형상 및 시간 관점에서 변조된 상기 레이저 빔의 에너지를 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 어닐링 방법.
- 샘플의 표면상에 박막을 부분적으로 어닐링하기 위한 레이저 어닐링 방법이며,레이저 빔 소스로부터 방사된 레이저 빔의 에너지를 시간 관점에서 변조하는 단계와,시간 관점에서 변조된 상기 레이저 빔의 에너지 분포를 조정하는 단계와,상기 표면상에 형성된 박막을 갖는 샘플의 표면상으로, 조정되어진 상기 에너지 분포 및 시간 관점에서 변조되어진 상기 레이저 빔의 에너지를 간헐적으로 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 어닐링 방법.
- 제10항에 있어서, 상기 레이저 빔은 전기-광학 변조기를 이용하여 시간 관점에서 변조되는 것을 특징으로 하는 레이저 어닐링 방법.
- 제10항에 있어서, 상기 레이저 빔 에너지 분포는 빔-균질화기, 소정의 투과율을 갖는 필터, 및 직사각형 슬릿을 이용하여 조정되는 것을 특징으로 하는 레이저 어닐링 방법.
- 연속하는 레이저 빔을 시간 변조 수단을 이용하여 소정의 파형을 갖는 펄스화된 레이저 빔으로 변환시키는 단계와,상기 펄스화된 레이저 빔을 공간 변조 수단을 이용하여 소정의 에너지 분포를 갖는 레이저 빔으로 변환시키는 단계와,상기 소정의 에너지 분포를 갖는 상기 레이저 빔을 집중시키는 단계와,절연막이 사이에 개재된 유리 기판 상에 형성된 비결정질 또는 다결정 실리콘 막 위로 주사하는 중에 소정 영역 상으로만 집중된 레이저 빔을 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 어닐링 방법.
- 연속하는 레이저 빔을 시간 변조 수단을 이용하여 소정 파형을 갖는 펄스화된 레이저 빔으로 변환하는 단계와,상기 펄스화된 레이저 빔을 공간 변조 수단을 이용하여 소정의 에너지 분포를 갖는 레이저 빔으로 변환하는 단계와,비간섭 광학 시스템을 이용하여 상기 레이저 빔의 간섭을 감소시킨 후에 상기 레이저 빔을 집중하는 단계와,절연막이 사이에 개재된 유리 기판 상에 형성된 비결정질 또는 다결정 실리콘 막 위로 주사하는 중에 소정의 영역 상으로만 집중된 레이저 빔을 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 어닐링 방법.
- 절연막이 사이에 개재된 유리 기판 상에 형성된 비결정질 실리콘 막의 전체 표면상으로 엑시머 레이저를 조사하고, 상기 비결정질 실리콘 막을 다결정 실리콘 막으로 변환하는 단계와,구동 회로를 형성하기 위한 영역 상으로만 소정의 펄스 파형 및 소정의 에너지 분포를 갖는 직사각형 또는 선형 레이저 빔인 레이저 빔을 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 어닐링 방법.
- 절연막이 사이에 개재된 유리 기판 상에 형성된 비결정질 실리콘 막의 전체 표면상으로 엑시머 레이저를 조사하고, 상기 비결정질 실리콘 막을 다결정 실리콘 막으로 변환하는 단계와,상기 다결정 실리콘 막 상의 복수의 위치에 레이저 빔을 조사하고, 정렬 마크를 형성하는 단계와,상기 정렬 마크의 위치를 근거하여 상기 정렬 마크를 탐지하고, 구동 회로를 형성하기 위한 영역 상으로만 소정의 펄스 파형 및 소정의 에너지 분포를 갖는 직사각 또는 선형 레이저 빔인 레이저 빔을 조사하는 단계를 포함하고,상기 정렬 마크는 적어도 하나의 하류 부문의 포토-레지스트 공정 내에 위치설정하기 위해 이용되는 것을 특징으로 하는 레이저 어닐링 방법.
- 유리 기판 상에 형성된 구동 회로 부분 및 화소 부분을 갖는 TFT 기판이며,상기 구동 회로를 구성하는 트랜지스터의 적어도 하나의 활성층(활성 영역)은 전류의 방향을 가로지른 결정립 경계부를 갖지 않는 결정을 포함하는 다결정 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 TFT 기판.
- 유리 기판 상에 형성된 구동 회로 부분 및 화소 부분을 갖는 TFT 기판이며,상기 화소 부분을 형성하는 절환 트랜지스터의 활성층(활성 영역)은 비결정질 또는 다결정 실리콘을 포함하며,상기 구동 회로를 구성하는 트랜지스터의 활성 영역의 다결정 실리콘은 상기 절환 트랜지스터의 활성층(활성 영역)을 구성하는 비결정질 실리콘 또는 다결정 실리콘보다 더 큰 결정립 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 TFT 기판.
- 실리콘 막을 갖는 유리 기판 상에 화소 부분의 주위에 형성된 구동회로 부분 및 화소 부분을 갖는 TFT 기판이며,상기 구동 회로를 구성하는 트랜지스터의 상기 게이트 전극, 소스 전극, 및 드레인 전극은 동일한 실리콘 결정립 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 TFT 기판.
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