KR20120008345A - 레이저 조사 장치 - Google Patents

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KR20120008345A
KR20120008345A KR1020100069154A KR20100069154A KR20120008345A KR 20120008345 A KR20120008345 A KR 20120008345A KR 1020100069154 A KR1020100069154 A KR 1020100069154A KR 20100069154 A KR20100069154 A KR 20100069154A KR 20120008345 A KR20120008345 A KR 20120008345A
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slit light
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최재범
오재환
장영진
진성현
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삼성모바일디스플레이주식회사
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Abstract

본 발명의 실시예에 따른 레이저 조사 장치는 복수의 화소 영역들을 포함하는 반도체층에 레이저광을 조사한다. 레이저 조사 장치는 상기 레이저광을 발생시키는 레이저 발생부와, 상기 레이저광을 전달받아 제1 조사 방향을 따라 제1 레이저 슬릿광을 조사하는 제1 광학계와, 상기 레이저광을 전달받아 상기 제1 조사 방향과 동일한 방향으로 평행한 제2 조사 방향을 따라 제2 레이저 슬릿광을 조사하는 제2 광학계와, 상기 레이저 발생부에서 발생된 상기 레이저광을 상기 제1 광학계와 상기 제2 광학계로 시분할하여 전달하는 광스위칭부를 포함한다. 상기 제1 레이저 슬릿광 및 상기 제2 레이저 슬릿광은 각각 상기 복수의 화소 영역들마다 동일한 위치의 일부 영역을 결정화시킨다.

Description

레이저 조사 장치{LASER IRRADIATION APPARATUS}
본 발명의 실시예는 레이저 조사 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체층에 레이저광을 조사하여 결정화시키는 레이저 조사 장치에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode display) 및 액정 표시 장치(liquid crystal display) 등과 같은 대부분의 평판형 표시 장치들은 박막 트랜지스터(thin film transistor)를 포함한다. 특히, 저온 다결정 규소 박막 트랜지스터(LTPS TFT)는 전자 이동도(carrier mobility)가 우수하여 고속 동작 회로에 적용이 가능하며 CMOS 회로 구성도 가능하다는 장점이 있어 널리 사용되고 있다.
저온 다결정 규소 박막 트랜지스터는 비정질 규소막을 결정화시켜 형성된 다결정 규소막을 포함한다. 비정질 규소막을 결정화하는 방법은 고상 결정화법(solid phase crystallization), 엑시머 레이저 결정화법(excimer laser crystallization), 및 금속 촉매를 이용한 결정화 방법 등이 있다.
다양한 결정화 방법 중 레이저를 이용한 결정화 방법은 저온 공정이 가능하여 상대적으로 기판에 미치는 열적 영향이 적고, 100cm2/Vs 이상의 상대적으로 높은 전자 이동도를 갖는 우수한 특성의 다결정 규소막을 만들 수 있기 때문에 널리 이용되고 있다.
하지만, 레이저를 이용한 결정화 방법은 슬릿 패턴의 레이저광으로 반도체층을 일일이 스캔하여야 한다. 따라서, 레이저를 이용한 결정화 방법은 다른 결정화 방법에 비해 단위 시간당 처리량이 현저히 떨어지는 문제점이 있다.
본 발명의 실시예들은 단위 시간당 처리량을 향상시킨 레이저 조사 장치를 제공한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 레이저 조사 장치는 복수의 화소 영역들을 포함하는 반도체층에 레이저광을 조사한다. 레이저 조사 장치는 상기 레이저광을 발생시키는 레이저 발생부와, 상기 레이저광을 전달받아 제1 조사 방향을 따라 제1 레이저 슬릿광을 조사하는 제1 광학계와, 상기 레이저광을 전달받아 상기 제1 조사 방향과 동일한 방향으로 평행한 제2 조사 방향을 따라 제2 레이저 슬릿광을 조사하는 제2 광학계와, 상기 레이저 발생부에서 발생된 상기 레이저광을 상기 제1 광학계와 상기 제2 광학계로 시분할하여 전달하는 광스위칭부를 포함한다. 상기 제1 레이저 슬릿광 및 상기 제2 레이저 슬릿광은 각각 상기 복수의 화소 영역들마다 동일한 위치의 일부 영역을 결정화시킨다.
상기 제1 레이저 슬릿광 및 상기 제2 레이저 슬릿광을 상기 제1 조사 방향 및 상기 제2 조사 방향으로 기설정된 거리만큼 이격된 위치에 조사할 수 있다.
상기 반도체층은 상기 제1 조사 방향 및 상기 제2 조사 방향으로 각각 서로 동일하게 배열된 제1 표시 영역 및 제2 표시 영역을 포함할 수 있다.
상기 제1 표시 영역의 화소 영역들과 상기 제2 표시 영역의 화소 영역들은 서로 동일하게 배열될 수 있다.
상기 기설정된 거리는 상기 복수의 화소 영역들의 상기 제1 조사 방향 길이 및 상기 제2 조사 방향 길이 보다 작을 수 있다.
상기 제1 레이저 슬릿광 및 상기 제2 레이저 슬릿광을 상기 제1 조사 방향 및 상기 제2 조사 방향으로 각각 서로 동일한 위치에 조사할 수 있다.
상기 반도체층은 상기 제1 조사 방향 및 상기 제2 조사 방향으로 기설정된 거리만큼 서로 어긋나도록 배열된 제1 표시 영역 및 제2 표시 영역을 포함할 수 있다.
상기 제1 표시 영역의 화소 영역들과 상기 제2 표시 영역의 화소 영역들은 서로 어긋나도록 배열될 수 있다.
상기 기설정된 거리는 상기 복수의 화소 영역들의 상기 제1 조사 방향 길이 및 상기 제2 조사 방향 길이 보다 작을 수 있다.
상기 제1 레이저 슬릿광 및 상기 제2 레이저 슬릿광의 장축은 상기 제1 조사 방향 및 상기 제2 조사 방향과 각각 교차할 수 있다.
상기한 레이저 조사 장치는 하나 이상의 추가 광학계를 더 포함할 수 있다. 상기 광스위칭부는 상기 레이저 발생부에서 발생된 상기 레이저광을 상기 제1 광학계, 상기 제2 광학계, 및 상기 추가의 광학계로 시분할하여 전달할 수 있다.
상기 추가의 광학계는 상기 제1 조사 방향과 동일한 방향으로 평행한 조사 방향을 따라 추가의 레이저 슬릿광을 조사할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 레이저 조사 장치는 단위 시간당 처리량을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치의 구성도이다.
도 2는 도 1의 레이저 조사 장치에 의해 결정화된 화소 영역들의 평면도이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시 장치의 구성도이다.
도 4는 도 3의 레이저 조사 장치에 의해 결정화된 화소 영역들의 평면도이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
또한, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다. 그리고 여러 실시예들에 있어서, 제1 실시예 이외의 제2 실시예에서는 제1 실시예와 다른 구성을 중심으로 설명한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
이하, 도 1 및 도 2를 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 레이저 조사 장치(901)를 설명한다.
도 1에 도시한 바와 같이, 레이저 조사 장치(901)는 레이저 발생부(910), 광스위칭부(920), 제1 광학계(931), 및 제2 광학계(932)를 포함한다. 레이저 발생부(910)는 결정화에 사용될 레이저광을 발생시킨다. 레이저 조사 장치(901)는 복수의 화소 영역들(PX)을 포함하는 반도체층(SC)에 레이저광을 조사하여 결정화시킨다.
또한, 도시하지는 않았으나, 레이저 조사 장치(901)는 반도체층(SC)을 포함하는 기판(SS) 또는 제1 광학계(931) 및 제2 광학계(932)를 이송시키는 이송부를 더 포함할 수 있다. 이송부는 반도체층(SC)을 포함하는 기판(SS) 또는 제1 광학계(931) 및 제2 광학계(932)를 제1 조사 방향(SL1) 및 제2 조사 방향(SL2)으로 이송시킨다. 이때, 제2 조사 방향(SL2)은 제1 조사 방향(SL1)과 동일한 방향으로 평행하다. 이에, 레이저 조사 장치(901)는 반도체층(SC)을 제1 조사 방향(SL1) 및 제2 조사 방향(SL2)을 따라 스캔 조사할 수 있다.
반도체층(SC)은 제1 표시 영역(DA1)과 제2 표시 영역(DA2)으로 구분된다. 제1 표시 영역(DA1) 및 제2 표시 영역(DA2)은 제1 조사 방향(SL1) 및 제2 조사 방향(SL2)으로 각각 서로 동일하게 배열된다. 또한, 제1 표시 영역(DA1)의 화소 영역들(PX)과 제2 표시 영역(DA2)의 화소 영역들(PX)도 서도 동일하게 배열된다.
광스위칭부(920)는 레이저 발생부(910)가 생성한 레이저광을 제1 광학계와 제2 광학계로 시분할하여 전달한다. 구체적으로, 레이저 발생부(910)에서 발생된 레이저광이 하나의 화소 영역을 스캔 조사하는 시간을 일 주기로 할 때, 광스위칭부(920)는 먼저 1/2 주기 동안 제1 광학계(931)에 레이저광을 전달하고, 이어 나머지 1/2 주기 동안 제2 광학계(932)에 레이저광을 전달한다.
제1 광학계(931)는 레이저광을 제1 레이저 슬릿광(941)으로 변환시킨다. 그리고 제1 레이저 슬릿광(941)을 제1 조사 방향(SL1)을 따라 조사한다. 또한, 제2 광학계(932)는 레이저광을 제2 레이저 슬릿광(942)으로 변환시킨다. 그리고 제2 레이저 슬릿광(942)을 제2 조사 방향(SL2)을 따라 조사한다. 제1 조사 방향(SL1) 및 제2 조사 방향(SL2)이 동일한 방향으로 평행하므로, 제1 레이저 슬릿광(941) 및 제2 레이저 슬릿광(942)도 동일한 방향으로 나란히 조사된다. 또한, 제1 레이저 슬릿광(941) 및 제2 레이저 슬릿광(942)의 장축은 각각 제1 조사 방향(SL1) 및 제2 조사 방향(SL2)과 교차한다.
본 발명의 제1 실시예에서, 레이저 조사 장치(901)는 제1 레이저 슬릿광(941) 및 제2 레이저 슬릿광(942)을 제1 조사 방향(SL1) 및 제2 조사 방향(SL2)으로 기설정된 거리(d1) 만큼 이격된 위치에 조사한다. 여기서, 기설정된 거리(d1)는 복수의 화소 영역들(PX)의 제1 조사 방향(SL1) 길이(p1) 및 제2 조사 방향(SL2) 길이(p1) 보다 작다. 도 2에 도시한 바와 같이, 기설정된 거리(d1)가 화소 영역(PX)의 조사 방향(SL1, SL2) 길이(p1) 보다 작게 형성되어야 제1 레이저 슬릿광(941) 및 제2 레이저 슬릿광(942)은 화소 영역(PX)마다 서로 동일한 위치를 결정화시킬 수 있다.
구체적으로, 제1 레이저 슬릿광(941)이 제2 레이저 슬릿광(942)보다 제1 조사 방향(SL1) 및 제2 조사 방향(SL2)을 기준으로 앞선 위치에 조사된다.
레이저 발생부(910)에서 생성된 레이저광은 광스위칭부(920)를 통해 먼저 제1 광학계(931)로 전달된다. 제1 광학계(931)에서 조사된 제1 레이저 슬릿광(941)은 제1 표시 영역(DA1)에 위치한 화소 영역(PX)의 일부 영역, 즉 도 2에 도시한 제1 화소 영역(PX1)의 결정화 영역(CA)을 결정화시킨다. 다음, 광스위칭부(920)가 제2 광학계(932)로 레이저광을 전달하면, 제2 광학계(932)에서 조사된 제2 레이저 슬릿광(942)은 제2 표시 영역(DA2)에 위치한 화소 영역(PX)의 일부, 즉 도 2에 도시한 제2 화소 영역(PX2)의 결정화 영역(CA)을 결정화시킨다. 이때, 반도체층(SC)이 형성된 기판(SS) 또는 제1 광학계(931) 및 제2 광학계(932)는 이송부(미도시)에 의해 제1 조사 방향(SL1) 및 제2 조사 방향(SL2)으로 상대적으로 이송된다.
따라서, 제1 레이저 슬릿광(941) 및 제2 레이저 슬릿광(942)은 동시에 조사되지 않으면서도 복수의 화소 영역들(PX)마다 동일한 위치의 일부 영역(CA)을 결정화시킬 수 있다.
하나의 화소 영역(PX)에서 결정화 영역(CA)은 박막 트랜지스터의 반도체층으로 사용될 수 있다. 그리고 비결정화 영역(NCA)에는 유기 발광 소자 등이 배치될 수 있다. 캐패시터는 결정화 영역(CA)에 형성될 수도 있으며, 비결정화 영역(NCA)에 형성될 수도 있다.
이와 같은 구성에 의하여, 본 발명의 제1 실시예에 따른 레이저 조사 장치(901)는 레이저 슬릿광(941, 942)을 조사하여 하나의 화소 영역(PX)을 전부 결정화시키지 않고 일부 영역(CA)만 결정화시킬 수 있다. 또한, 하나의 레이저 발생부(910)를 가지고 복수의 표시 영역들(DA1, DA2)을 함께 결정화시킬 수 있다. 따라서, 레이저 조사 장치(901)는 단위 시간당 처리량을 효과적으로 향상시킬 수 있다.
또한, 복수의 화소 영역들(PX)마다 제1 레이저 슬릿광(941) 및 제2 레이저 슬릿광(942)에 의해 서로 동일한 위치의 일부 영역(CA)이 결정화되므로, 결정화 이후 공정을 간소화시킬 수 있다. 복수의 화소 영역들(PX)마다 서로 다른 위치의 일부 영역이 결정화될 경우, 각 표시 영역들(DA1, DA2)마다 별도의 설계가 요구되나 추가 공정이 요구될 수도 있다.
이하, 도 3 및 도 4를 참조하여, 본 발명의 제2 실시예에 따른 레이저 조사 장치(902)를 설명한다.
도 3에 도사한 바와 같이, 레이저 조사 장치(902)는 레이저 발생부(910), 광스위칭부(920), 제1 광학계(931), 및 제2 광학계(932)를 포함한다. 또한, 도시하지는 않았으나, 레이저 조사 장치(902)는, 제1 실시예와 마찬가지로, 이송부를 더 포함할 수 있다.
반도체층(SC)은 제1 표시 영역(DA1)과 제2 표시 영역(DA2)으로 구분된다. 제1 표시 영역(DA1) 및 제2 표시 영역(DA2)은 제1 조사 방향(SL1) 및 제2 조사 방향(SL2)으로 기설정된 거리(d2)만큼 서로 어긋나도록 배열된다. 여기서, 기설정된 거리(d2)는 복수의 화소 영역들(PX)의 제1 조사 방향(SL1)과 나란한 길이(p2) 및 제2 조사 방향(SL2)과 나란한 길이(p2) 보다 작다. 도 3에서, 화소 영역(PX)의 제1 조사 방향(SL1)과 나란한 길이(p2), 즉 제1 조사 방향(SL1) 길이(p2)는 화소 영역(PX)의 장축 길이이나, 본 발명의 제2 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 화소 영역(PX)의 제1 조사 방향(SL1) 길이(P2)는 화소 영역(PX)의 단축 길이가 될 수도 있다. 또한, 화소 영역(PX)의 제2 조사 방향(SL2) 길이(p2)도 마찬가지이다.
또한, 제1 표시 영역(DA1)의 화소 영역들(PX)과 제2 표시 영역(DA2)의 화소 영역들(PX)도 서도 어긋나도록 배열된다. 도 2에 도시한 바와 같이, 기설정된 거리(d2)가 화소 영역(PX)의 조사 방향(SL1, SL2) 길이(p2) 보다 작게 형성되어야 제1 레이저 슬릿광(951) 및 제2 레이저 슬릿광(952)은 화소 영역(PX)마다 서로 동일한 위치를 결정화시킬 수 있다.
광스위칭부(920)는 레이저 발생부(910)가 생성한 레이저광을 제1 광학계(931)와 제2 광학계(932)로 시분할하여 전달한다.
제1 광학계(931) 및 제2 광학계(932)는 레이저광을 제1 레이저 슬릿광(951) 및 제2 레이저 슬릿광(952)으로 변환시킨다. 그리고 제1 레이저 슬릿광(951) 및 제2 레이저 슬릿광(952)을 제1 조사 방향(SL1) 및 제2 조사 방향(SL2)을 따라 조사한다.
본 발명의 제2 실시예에서, 레이저 조사 장치(902)는 제1 레이저 슬릿광(951) 및 제2 레이저 슬릿광(952)을 제1 조사 방향(SL1) 및 제2 조사 방향(SL2)으로 각각 동일한 위치에 조사한다.
광스위칭부(920)를 통해 먼저 레이저광을 전달받은 제1 광학계(931)는 제1 레이저 슬릿광(951)을 조사하여 제1 표시 영역(DA1)에 위치한 화소 영역(PX)의 일부 영역, 즉 도 4에 도시한 제1 화소 영역(PX1)의 결정화 영역(CA)을 결정화시킨다. 다음, 광스위칭부(920)가 제2 광학계(932)로 레이저광을 전달하면, 제2 광학계(932)는 제2 레이저 슬릿광(952)을 조사하여 제2 표시 영역(DA2)의 화소 영역(PX)의 일부 영역, 즉 도 4에 도시한 제2 화소 영역(PX2)의 결정화 영역(CA)을 결정화시킨다. 이때, 반도체층(SC)이 형성된 기판(SS) 또는 제1 광학계(931) 및 제2 광학계(932)는 이송부(미도시)에 의해 제1 조사 방향(SL1) 및 제2 조사 방향(SL2)으로 상대적으로 이송된다.
제1 표시 영역(DA1)과 제2 표시 영역(DA2)이 어긋나도록 배열되므로, 제1 레이저 슬릿광(951) 및 제2 레이저 슬릿광(952)이 교호적으로 조사되어도, 제1 레이저 슬릿광(951) 및 제2 레이저 슬릿광(952)은 각각 복수의 화소 영역들(PX)마다 동일한 위치의 일부 영역(CA)을 결정화시킨다.
이후 공정에서 제1 표시 영역(DA1) 및 제2 표시 영역(DA2)을 기준으로 커팅하면, 제1 표시 영역(DA1)과 제2 표시 영역(DA2)은 각각 서로 동일한 패턴으로 형성된 결정화 영역(CA)과 비결정화 영역(NCA)을 포함하는 복수의 화소 영역들(PX)을 포함할 수 있다.
이와 같이, 제1 광학계(931) 및 제2 광학계(932)를 통해 조사된 제1 레이저 슬릿광(951) 및 제2 레이저 슬릿광(952)은 동시에 조사되지 않으면서도 각각 복수의 화소 영역들(PX)마다 동일한 위치의 일부 영역(CA)을 결정화시킨다.
이와 같은 구성에 의하여, 본 발명의 제2 실시예에 따른 레이저 조사 장치(902)도 레이저 슬릿광(951, 952)을 조사하여 하나의 화소 영역을 전부 결정화시키지 않고 일부 영역(CA)만 결정화시킬 수 있으며, 하나의 레이저 발생부(910)를 가지고 복수의 표시 영역들(DA1, DA2)을 함께 결정화시킬 수 있다. 따라서, 레이저 조사 장치(902)는 단위 시간당 처리량을 효과적으로 향상시킬 수 있다.
또한, 복수의 화소 영역들(PX)마다 제1 레이저 슬릿광(951) 및 제2 레이저 슬릿광(952)에 의해 서로 동일한 위치의 일부 영역(CA)이 결정화되므로, 결정화 이후 공정을 간소화시킬 수 있다.
이하, 도 5 및 도 6을 참조하여, 본 발명의 제3 실시예 및 제4 실시예에 따른 레이저 조사 장치들(903, 904)를 설명한다.
본 발명의 제3 실시예에 따른 레이저 조사 장치(903)는 제1 실시예에 따른 레이저 조사 장치(901)에 광학계(933)가 추가된다. 그리고 본 발명의 제4 실시예에 따른 레이저 조사 장치(904)는 제2 실시예에 광학계(933)가 추가된다. 이때, 추가되는 광학계(933)는 하나 이상일 수 있다. 또한, 광스위칭부(920)는 제1 광학계(931) 및 제2 광학계(932) 이외에 추가의 광학계(933)에도 레이저광을 시분할하여 전달한다. 또한, 추가의 광학계(933)는 추가의 레이저 슬릿광(943, 953)을 조사한다. 그리고 추가의 레이저 슬릿광(943, 953)은 추가의 조사 방향(SL3)을 따라 조사된다. 추가의 조사 방향(SL3)은 제1 조사 방향(SL1)과 동일한 방향으로 평행하다. 반도체층(SC)은 제1 표시 영역(DA1), 제2 표시 영역(DA2), 및 추가의 표시 영역(DA3)로 구분된다.
본 발명의 제3 실시예에 따른 레이저 조사 장치는 제1 레이저 슬릿광(941), 제2 레이저 슬릿광(942), 및 추가의 레이저 슬릿광(943)을 각각 기설정된 거리(d3) 만큼 서로 이격된 위치에 조사한다. 여기서, 기설정된 거리(d3)들은 각각 화소 영역(PX)의 조사 방향(SL1, SL2, SL3) 길이 보다 작게 형성된다.
본 발명의 제4 실시예에서는, 제1 표시 영역(DA1), 제2 표시 영역(DA2), 및 추가의 표시 영역(DA3)이 제1 조사 방향(SL1), 제2 조사 방향(SL2), 및 추가의 조사 방향(SL3)으로 기설정된 거리(d4)만큼 서로 어긋나도록 배열된다. 여기서, 기설정된 거리(d4)는 복수의 화소 영역들(PX)의 조사 방향(SL1, SL2, SL3) 길이 보다 작다. 또한, 제1 표시 영역(DA1)의 화소 영역들(PX)과 제2 표시 영역(DA2)의 화소 영역들(PX)도 서도 어긋나도록 배열된다.
이와 같은 구성에 의하여, 레이저 조사 장치(903, 904)는 셋 이상의 광학계(931, 932, 933)들을 가지고 효과적으로 작업을 수행할 수 있다.
본 발명을 앞서 기재한 바에 따라 바람직한 실시예를 통해 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며 다음에 기재하는 특허청구범위의 개념과 범위를 벗어나지 않는 한, 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것을 본 발명이 속하는 기술 분야에 종사하는 자들은 쉽게 이해할 것이다.
901, 902, 9103, 904: 레이저 조사 장치
910: 레이저 발생부 920: 광스위칭부
931: 제1 광학계 932: 제2 광학계
941, 951: 제1 레이저 슬릿광 942, 952: 제2 레이저 슬릿광
DA1: 제1 표시 영역 DA2: 제2 표시 영역
PX: 화소 영역 SS: 기판
SC: 반도체층 SL1: 제1 조사 방향
SL2: 제2 조사 방향 CA: 결정화 영역

Claims (12)

  1. 복수의 화소 영역들을 포함하는 반도체층에 레이저광을 조사하는 레이저 조사 장치에 있어서,
    상기 레이저광을 발생시키는 레이저 발생부;
    상기 레이저광을 전달받아 제1 조사 방향을 따라 제1 레이저 슬릿광을 조사하는 제1 광학계;
    상기 레이저광을 전달받아 상기 제1 조사 방향과 동일한 방향으로 평행한 제2 조사 방향을 따라 제2 레이저 슬릿광을 조사하는 제2 광학계;
    상기 레이저 발생부에서 발생된 상기 레이저광을 상기 제1 광학계와 상기 제2 광학계로 시분할하여 전달하는 광스위칭부
    를 포함하며,
    상기 제1 레이저 슬릿광 및 상기 제2 레이저 슬릿광은 각각 상기 복수의 화소 영역들마다 동일한 위치의 일부 영역을 결정화시키는 레이저 조사 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 제1 레이저 슬릿광 및 상기 제2 레이저 슬릿광을 상기 제1 조사 방향 및 상기 제2 조사 방향으로 기설정된 거리만큼 이격된 위치에 조사하는 레이저 조사 장치.
  3. 제2항에서,
    상기 반도체층은 상기 제1 조사 방향 및 상기 제2 조사 방향으로 각각 서로 동일하게 배열된 제1 표시 영역 및 제2 표시 영역을 포함하는 레이저 조사 장치.
  4. 제3항에서,
    상기 제1 표시 영역의 화소 영역들과 상기 제2 표시 영역의 화소 영역들은 서로 동일하게 배열된 레이저 조사 장치.
  5. 제2항에서,
    상기 기설정된 거리는 상기 복수의 화소 영역들의 상기 제1 조사 방향 길이 및 상기 제2 조사 방향 길이 보다 작은 레이저 조사 장치.
  6. 제1항에서,
    상기 제1 레이저 슬릿광 및 상기 제2 레이저 슬릿광을 상기 제1 조사 방향 및 상기 제2 조사 방향으로 각각 서로 동일한 위치에 조사하는 레이저 조사 장치.
  7. 제6항에서,
    상기 반도체층은 상기 제1 조사 방향 및 상기 제2 조사 방향으로 기설정된 거리만큼 서로 어긋나도록 배열된 제1 표시 영역 및 제2 표시 영역을 포함하는 레이저 조사 장치.
  8. 제7항에서,
    상기 제1 표시 영역의 화소 영역들과 상기 제2 표시 영역의 화소 영역들은 서로 어긋나도록 배열된 레이저 조사 장치.
  9. 제7항에서,
    상기 기설정된 거리는 상기 복수의 화소 영역들의 상기 제1 조사 방향 길이 및 상기 제2 조사 방향 길이 보다 작은 레이저 조사 장치.
  10. 제1항에서,
    상기 제1 레이저 슬릿광 및 상기 제2 레이저 슬릿광의 장축은 상기 제1 조사 방향 및 상기 제2 조사 방향과 각각 교차하는 레이저 조사 장치.
  11. 제1항 내지 제0항 중 어느 한 항에서,
    하나 이상의 추가 광학계를 더 포함하며,
    상기 광스위칭부는 상기 레이저 발생부에서 발생된 상기 레이저광을 상기 제1 광학계, 상기 제2 광학계, 및 상기 추가의 광학계로 시분할하여 전달하는 레이저 조사 장치.
  12. 제11항에서,
    상기 추가의 광학계는 상기 제1 조사 방향과 동일한 방향으로 평행한 조사 방향을 따라 추가의 레이저 슬릿광을 조사하는 레이저 조사 장치.
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