KR20030013316A - 기판처리장치 - Google Patents

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KR20030013316A
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동경 엘렉트론 주식회사
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Abstract

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로, 다른 처리유체를 공급하는 복수의 공급수단(61, 62, 63)을 기판(W) 주변부를 따라 상대적으로 이동시켜서, 기판(W)을 처리하는 기판처리장치에 있어서, 복수의 공급수단(61, 62, 63)을 기판(W) 주변에서 안쪽을 향하는 방향으로 늘어세워 배치하고 저속회전으로도 안정된 처리가 가능함과 동시에 레지스트처리의 스루풋을 향상시킬 수 있는 기판처리장치를 제공하는 데에 있다.

Description

기판처리장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은, 예를 들면 반도체웨이퍼와 LCD기판용 유리 등의 기판을 세정하는 기판처리장치에 관한 것이다.
반도체디바이스의 제조공정에 있어서, 반도체웨이퍼(이하, 「웨이퍼」라 한다.)에 동 등의 금속막을 적층하면, 웨이퍼 주변에서 금속막이 박리되기 쉬운 문제점이 있다. 웨이퍼 주변에서 박리가 일어나면, 거기에서 서서히 박리가 진행되어,반도체디바이스를 형성하는 영역까지 진행될 가능성이 있다. 이러한 현상을 방지하기 위해, 웨이퍼주변부의 금속막을 미리 제거하는 주변부제거처리가 이루어진다. 도 21은 종래의 기판처리장치에 의해 주변부제거처리를 하는 방법의 설명도이다. 유지수단에 의해 웨이퍼(W)를 회전시키고, 웨이퍼(W) 주변부에 노즐 등의 공급장치(140)에 의해 처리액을 공급하며, 금속막(141)의 구석을 비스듬하게 제거한다. 한편, 웨이퍼(W)의 중앙상부로부터 공급장치(142)로 순수를 공급하고, 처리액이 공급되고 있는 부분 이외에 처리액이 부착되는 것을 방지함과 동시에 처리액을 웨이퍼(W)의 외주로 흘려보낸다.
그러나, 기판처리장치에 있어서는 처리액을 웨이퍼의 외주로 흘려보내는 원심력을 얻기 위해, 상당히 높은 회전수가 필요했다. 또, 웨이퍼 전체에 순수를 공급하므로, 주변에만 하는 처리임에도 불구하고, 웨이퍼전체의 건조처리가 필요했다.
본 발명의 목적은 저속 회전으로도 안정적인 처리가 가능하고 처리의 스루풋을 향상시킬 수 있는 기판처리장치를 제공하는 데에 있다.
본 발명의 제 1 특징은 다른 처리유체를 기판에 공급하는 복수의 공급수단을 상기 기판의 주변부 근방으로 이간하여 배설하고, 상기 기판을 회전시키므로써 상기 복수의 공급수단을 상기 기판의 주변부를 따라 상대적으로 이동시켜서 상기 복수의 공급수단으로부터 상기 기판의 외주부로 처리유체를 공급하여 기판을 처리하는 기판처리장치에 있어서, 상기 복수의 공급수단을 상기 기판의 주변에서 안쪽을향하는 선상에 늘어세워서 배치한 것이다. 이 기판처리장치에 있어서는 안쪽에 배치된 공급수단에서 공급하는 처리유체에 의해 바깥쪽으로 배치된 공급수단에서 공급하는 약액 등의 처리유체를 기판 중심에서 떨어진 방향으로 흘려보낼 수 있다.
본 발명의 제 2 특징은 상기 기판 위쪽에 상기 기판상면에 근접한 위치와 상기 기판상면에서 떨어진 위치 사이에서 상대적으로 이동가능한 톱플레이트를 상기 기판에 대향하여 설치한 것이다. 이 경우, 처리중에 톱플레이트를 기판 상면에 근접시킨 위치로 이동하고 처리할 필요가 없는 면을 덮도록 하면, 처리할 필요가 없는 면에 처리유체가 비산하는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 제 3 특징은 상기 톱플레이트는 상기 기판보다 작은 지름으로 이루어져 있는 것이다.
본 발명의 제 4 특징은 상기 톱플레이트는 상기 기판 사이에 불활성분위기를 토출하는 것이다.
본 발명의 제 5 특징은 상기 톱플레이트는 회전이 자유롭게 이루어져 있는 것이다.
본 발명의 제 6 특징은 상기 톱플레이트는 그 주변부에 상기 복수의 공급수단을 수용하는 함몰부를 갖는 것이다. 이 경우, 처리중에 복수의 공급수단은 함몰부에 수용된 상태로 공급을 하도록 하면, 다른 면을 모두 톱플레이트로 덮을 수 있다.
본 발명의 제 7 특징은 상기 기판 아래쪽에 상기 기판에 대향하면서 승강가능한 언더플레이트를 설치한 것이다.
본 발명의 제 8 특징은 상기 언더플레이트는 상기 기판을 세정하는 세정액의 공급구를 갖는 것이다.
본 발명의 제 9 특징은 상기 복수의 공급수단은, 이 복수의 공급수단이 늘어서있는 방향을 따라 상기 기판에 대해 이동가능하게 되어 있는 것이다.
본 발명의 제 10 특징은 상기 기판을 둘러싸는 아우터챔버가 더 설치되고, 상기 복수의 공급수단은 상기 아우터챔버의 안쪽과 바깥쪽 사이를 이동이 자유롭게 되어 있는 것이다.
본 발명의 제 11 특징은 상기 복수의 공급수단을 격납하는 공급수단격납부를 상기 아우터챔버의 바깥에 설치한 것이다.
본 발명의 제 12 특징은 상기 복수의 공급수단에 있어서, 안쪽으로 배치된 공급수단은 바깥쪽에 배치된 공급수단보다도 빠른 타이밍으로 처리유체를 공급하도록 제어되는 것이다.
본 발명의 제 13 특징은 상기 복수의 공급수단 중, 상기 기판의 가장 바깥쪽에 배치된 상기 공급수단은 상기 기판에 대해 약액을 공급하고, 가장 안쪽에 배치된 상기 공급수단은 상기 기판에 대해 불활성처리유체를 공급하는 것이다.
본 발명의 제 14 특징은 상기 불활성처리유체는 질소가스이고, 상기 약액과 상기 질소가스 사이에 순수를 흘려보내는 것이다.
이 경우, 가장 안쪽에 배치된 공급수단은 기판을 처리하지 않으므로, 기판 중심쪽 면을 처리하지 않고 주변부로 공급된 처리약 등을 흘려보낼 수 있다.
본 발명의 제 15 특징은 상기 약액은 상기 기판에 형성된 금속막을 제거하기위한 것이다.
본 발명의 제 16 특징은 상기 복수의 공급수단에 있어서, 보다 바깥쪽에 배치된 공급수단에 의해 공급되는 처리유체는, 보다 안쪽에 배치된 공급수단에 의해 공급되고 상기 기판의 표면을 흐르는 처리유체의 영역내에 공급되는 것이다. 이 경우, 안쪽으로 배치된 공급수단이 공급하는 처리유체에 의해 바깥쪽으로 배치된 공급수단에서 공급되는 처리유체가, 안쪽에 배치된 공급수단이 공급하는 처리유체가 흐르는 면보다 바깥쪽으로 흘러들어가는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 제 17 특징은 상기 복수의 공급수단에는 이 공급수단에서 토출된 처리유체가 상기 기판의 중심쪽으로 비산하지 않도록 하기위한 차폐판이 설치되어 있는 것이다.
본 발명의 제 18 특징은 상기 기판의 외주쪽에는 상기 회전하는 기판에 공급되는 원심력으로 비산한 처리유체를 받기 위한 환(環)상의 커버가 설치된 것이다.
본 발명의 제 19 특징은 상기 다른 처리유체에 의한 기판 처리를 기판 주변으로부터의 거리에 따라 단계적으로 행하는 것이다.
본 발명의 제 20 특징은 상기 기판 위쪽에 상기 기판상면에 근접한 위치와 상기 기판상면에서 떨어진 위치 사이에서 상대적으로 이동가능한 톱플레이트를 상기 기판에 대향하여 설치하고 상기 톱플레이트는 상기 기판 사이에 불활성분위기를 토출하도록 이루어지고, 상기 복수의 공급수단은 이 복수의 공급수단이 늘어서 있는 방향을 따라 상기 기판에 대해 이동가능하도록 이루어진 것이다.
본 발명의 제 21 특징은 상기 기판 아래쪽에, 상기 기판에 대향하면서 승강가능한 언더플레이트를 설치하고 이 언더플레이트는 상기 기판을 세정하는 세정액의 공급구를 갖는 것이다.
또, 본 발명에 따르면, 기판 주변에서 안쪽을 향하는 방향으로 배치된 복수의 공급수단을 기판 주변부를 따라 상대적으로 이동시키고, 상기 복수의 공급수단에서 기판의 주변부로 각각 다른 처리유체를 공급하여 기판을 처리하는 데 있어서, 안쪽으로 배치된 공급수단에서 공급된 처리유체에 의해, 바깥쪽으로 배치된 공급수단에서 공급된 처리유체를 기판 중심에서 떨어진 방향으로 흐르는 것을 특징으로 하는 기판처리방법이 제공된다.
상기 복수의 공급수단 중, 가장 바깥쪽에 배치된 공급수단은 기판에 대해 약액을 공급하고 가장 안쪽에 배치된 공급수단은 기판에 대해 불활성 처리유체를 공급하는 것이 바람직하다. 또, 상기 복수의 공급수단 중, 가장 안쪽에 배치된 공급수단은 기판에 대해 순수를 공급해도 좋다.
본 발명에 있어서는, 상기 복수의 공급수단에 있어서, 안쪽에 배치된 공급수단은 바깥쪽으로 배치된 공급수단보다도 빠른 타이밍으로 처리유체를 공급하도록 제어되는 것이 바람직하다.
또, 상기 복수의 공급수단을 배치하는 방향에 따라, 상기 복수의 공급수단을 이동시키는 것이 바람직하다. 이 경우, 처리면 폭을 변화시킬 수 있다. 또한, 상기 복수의 공급수단을 이동시킬 때, 상기 다른 처리유체에 의한 기판 처리를 기판 주변으로부터의 거리에 따라 단계적으로 하는 것이 바람직하다.
도 1 은 세정처리시스템의 평면도이다.
도 2 는 세정처리시스템의 측면도이다.
도 3 은 세정처리시스템의 웨이퍼인수인계유닛, 주웨이퍼반송장치, 가열유닛, 냉각유닛의 개략배치를 도시하는 단면도이다.
도 4 는 본 발명의 실시예에 관한 기판처리유닛의 평면도이다.
도 5 는 에지암의 설명도이다.
도 6 은 약액공급노즐(61), 순수공급노즐(62), N2가스공급노즐(63)에서 공급되는 각 처리유체가 공급되는 웨이퍼(W)상의 면과, 공급된 처리유체가 흐르는 면의 설명도이다.
도 7 은 본 발명의 실시예에 관한 처리시스템의 단면도이다.
도 8 은 정지시에 있어서 유지부재 상태의 설명도이다.
도 9 는 중속회전시에 있어서 유지부재 상태의 설명도이다.
도 10 은 고속회전시에 있어서 유지부재 상태의 설명도이다.
도 11 은 언더플레이트 및 언더플레이트샤프트의 종단면도이다.
도 12 는 언더플레이트의 평면도이다.
도 13 은 아우터챔버의 상부를 확대하여 도시한 종단면도이다.
도 14 는 이너컵 내의 액방울을 미스트트랩으로 배출하는 공정 설명도이다.
도 15 는 아우터챔버 내의 액방울을 미스트트랩으로 배출하는 공정 설명도이다.
도 16 은 웨이퍼(W) 이면을 패들세정하는 공정 설명도이다.
도 17 은 웨이퍼(W)주변부를 주변부제거처리하는 공정 설명도이다.
도 18 은 톱플레이트의 변형예를 도시하는 설명도이다.
도 19 는 본 발명의 실시예에 관한 기판처리유닛에 있어서 FFU와 배기기구를 설치한 경우의 설명도이다.
도 20 은 다른 실시예에 있어서, 웨이퍼(W)주변부를 주변부제거처리하는 공정 설명도이다.
도 21 은 기판처리장치에 있어서, 웨이퍼(W)주변부를 주변부제거처리하는 공정 설명도이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를, 기판의 일례로 웨이퍼의 주변부와 이면을 세정처리하도록 구성된 기판처리장치로서의 기판처리유닛에 기초하여 설명한다. 여기에서 말하는 세정처리란, 기판에 적층된 막 제거세정을 포함한다. 도 1은 본 실시예에 관한 기판처리유닛(12, 13)을 설치한 세정처리시스템(1)의 평면도이다. 도 2는 그 측면도이다. 이 세정처리시스템(1)은 웨이퍼(W)에 세정처리 및 세정처리 후의 열적 처리를 실시하는 세정처리부(2)와, 세정처리부(2)에 대해 웨이퍼(W)를 반입출하는 반입출부(3)로 구성되어 있다.
반입출부(3)는 복수매, 예를 들면 25장의 웨이퍼(W)가 소정 간격에서 대략 수평으로 수용가능한 용기(캐리어C)를 재치하기 위한 재치대(6)가 설치된 인아웃포트(4)와, 재치대(6)에 재치된 캐리어(C)와 세정처리부(2) 사이에서 웨이퍼의 인수인계를 행하는 웨이퍼반송장치(7)가 구비된 웨이퍼반송부(5)로 구성되어 있다.
웨이퍼(W)는 캐리어(C)의 한측면을 통해 반입출되고, 캐리어(C)의 측면에는 개폐가능한 개체가 설치되어 있다. 또, 캐리어(C)에는 웨이퍼(W)를 소정간격으로 유지하기 위한 선반이 내벽에 설치되어 있고, 웨이퍼(W)를 수용하는 25개의 슬롯이 형성되어 있다. 웨이퍼(W)는 표면(반도체디바이스를 형성하는 면)이 상면(웨이퍼(W)를 수평으로 유지한 경우에 위쪽이 되어 있는 면)이 되어 있는 상태에서 각 슬롯에 1장씩 수용된다.
인아웃포트(4)의 재치대(6)위에는 3개의 캐리어(C)를 수평면의 Y방향으로 배치하여 소정위치에 재치할 수 있도록 되어 있다. 캐리어(C)는 개체가 설치된 측면을 인아웃포트(4)와 웨이퍼반송부(5)의 경계벽(8)을 향해 재치된다. 경계벽(8)에있어서 캐리어(C)의 재치장소에 대응하는 위치에는 창부(9)가 형성되어 있고, 창부(9)의 웨이퍼반송부(5)쪽에는 창부(9)를 셔터 등으로 개폐하는 창부개폐기구(10)가 설치되어 있다.
이 창부개폐기구(10)는 캐리어(C)에 설치된 개체도 또 개폐가능하고, 창부(9)의 개폐와 동시에 캐리어(C)의 개체도 개폐한다. 창부개폐기구(10)는 캐리어(C)가 재치대의 소정위치에 재치되어 있지 않을 때는 동작하지 않으므로 인터로크를 설치하는 것이 바람직하다. 창부(9)를 개구하여 캐리어(C)의 웨이퍼반입출구와 웨이퍼반송부(5)를 연통시키면, 웨이퍼반송부(5)에 배설된 웨이퍼반송장치(7)의 캐리어(C)로의 액세스가 가능해지고, 웨이퍼(W)의 반송을 하는 가능한 상태가 된다. 창부(9)의 상부에는 미도시의 웨이퍼검출장치가 설치되어 있고, 캐리어(C)내에 수용된 웨이퍼(W)의 매수와 상태를 슬롯별로 검출할 수 있게 되어 있다. 이러한 웨이퍼검출장치는 창부개폐기구(10)에 장착시키는 것도 가능하다.
웨이퍼반송부(5)에 배설된 웨이퍼반송장치(7)는 Y방향과 Z방향으로 이동가능하고, 또한 X-Y평면내(θ방향)에서 회전이 자유롭게 구성되어 있다. 또, 웨이퍼반송장치(7)는 웨이퍼(W)를 파악하는 취출수납암(11)을 갖고, 이 취출수납암(11)은 X방향으로 슬라이드가 자유롭게 되어 있다. 이렇게 해서 웨이퍼반송장치(7)는 재치대(6)에 재치된 모든 캐리어(C)의 임의 높이의 슬롯에 액세스하고 또 세정처리부(2)에 배설된 상하 2대의 웨이퍼인수인계유닛(16, 17)에 액세스하고, 인아웃포트(4)쪽에서 세정처리부(2)쪽으로, 반대로 세정처리부(2)쪽에서 인아웃포트(4)쪽으로 웨이퍼(W)를 반송할 수 있게 되어 있다.
세정처리부(2)는 주웨이퍼반송장치(18)와, 2대의 웨이퍼인수인계유닛(16, 17)과, 본 실시예에 관한 2대의 기판처리유닛(12, 13)과, 기판세정유닛(14, 15)과, 웨이퍼(W)를 가열하여 건조시키는 3대의 가열유닛(19, 20, 21)과, 가열된 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각유닛(22)을 구비하고 있다. 주웨이퍼반송장치(18)는 웨이퍼인수인계유닛(16, 17), 기판처리유닛(12, 13), 기판세정유닛(14, 15), 가열유닛(19, 20, 21), 냉각유닛(22)의 모든 유닛에 액세스가능하도록 배설되어 있다. 웨이퍼인수인계유닛(16, 17)은 웨이퍼반송부(5) 사이에 웨이퍼(W)의 인수인계를 하기 위해 웨이퍼(W)를 일시적으로 재치한다.
또, 세정처리부(2)는 세정처리시스템(1) 전체를 가동시키기 위한 전원인 전장유닛(23)과, 세정처리시스템(1)내에 배설된 각종장치 및 세정처리시스템(1) 전체의 동작제어를 하는 기계제어유닛(24)과, 기판처리유닛(12, 13) 및 기판세정유닛(14, 15)으로 송액하는 소정의 세정액을 저장하는 약액저장유닛(25)이 배설되어 있다. 전장유닛(23)은 미도시의 주전원과 접속된다. 세정처리부(2)의 천정부에는 각 유닛 및 주웨이퍼반송장치(18)에 청정한 공기를 다운플로하기 위한 팬필터유닛(FFU, 26)이 배설되어 있다.
전장유닛(23)과 약액저장유닛(25)과 기계제어유닛(24)을 세정처리부(2)의 바깥쪽으로 설치하므로써, 또는 외부로 인출하므로써, 이 면(Y방향)에서 웨이퍼인수인계유닛(16, 17), 주웨이퍼반송장치(18), 가열유닛(19, 20, 21), 냉각유닛(22)의 유지, 관리를 쉽게 할 수 있다.
도 3은 웨이퍼인수인계유닛(16, 17)과 웨이퍼인수인계유닛(16, 17)의 X방향으로 인접하는 주웨이퍼반송장치(18) 및 가열유닛(19, 20, 21), 냉각유닛(22)의 개략배치를 도시하는 단면도이다. 웨이퍼인수인계유닛(16, 17)은 상하 2단으로 적층 배치되어 있고, 예를 들면 하단의 웨이퍼인수인계유닛(17)은 인아웃포트(4)쪽에서 세정처리부(2)쪽으로 반송하는 웨이퍼(W)를 재치하기 위해 이용하고 상단의 웨이퍼인수인계유닛(16)은 세정처리부(2)쪽에서 인아웃포트(4)쪽으로 반송하는 웨이퍼(W)을 재치하기 위해 이용할 수 있다.
팬필터유닛(FFU, 26)로부터의 다운플로 일부는 웨이퍼인수인계유닛(16, 17)과, 그 상부의 공간을 통해 웨이퍼반송부(5)를 향해 유출하는 구조로 되어 있다. 이에 의해 웨이퍼반송부(5)에서 세정처리부(2)로 파티클 등이 침입하는 것을 방지하고, 세정처리부(2)의 청정도가 유지되도록 되어 있다.
주웨이퍼반송장치(7)는 Z방향으로 배치된 수직벽(27, 28) 및 이들 간의 측면개구부(29)를 갖는 통형상유지체(30)와, 그 안쪽에 통형상유지체(30)를 따라 Z방향으로 승강이 자유롭게 설치된 웨이퍼반송체(31)를 갖고 있다. 통형상유지체(30)는 모터(32)의 회전구동력에 의해 회전가능해져 있고, 그와 함께 웨이퍼반송체(31)도 일체로 회전되게 되어 있다.
웨이퍼반송체(31)는 반송기대(33)와, 반송기대(33)를 따라 전후로 이동가능한 3개의 반송암(34, 35, 36)을 구비하고 있고 반송암(34. 35. 36)은 통형상유지체(30)의 측면개구부(29)를 통과가능한 크기를 갖고 있다. 이 반송암(34, 35, 36)은 반송기대(33)내에 내장된 모터 및 벨트기구에 의해 각각 독립적으로 진퇴이동할 수 있게 되어있다. 웨이퍼반송체(31)는 모터(37)에 의해벨트(38)를 구동시키므로써 승강하도록 되어 있다. 또한 부호(39)는 구동풀리, 40은 세로이동풀리이다.
웨이퍼(W)의 강제냉각을 하는 냉각유닛(22) 위에는 가열유닛(19, 20, 21)이 3대 적층 배설되어 있다. 또한, 웨이퍼인수인계유닛(16, 17)의 상부공간에 냉각유닛(22), 가열유닛(19, 20, 21)을 설치하는 것도 가능하다. 이 경우에는 도 1에 도시하는 냉각유닛(22), 가열유닛(19, 20, 21)의 위치를 그 외의 유틸리티공간으로 이용할 수 있다.
기판처리유닛(12, 13)은 상하 2단으로 배설되어 있다. 또, 기판처리유닛(12, 13)은 웨이퍼(W) 이면의 세정과, 웨이퍼(W)표면의 주변부 제거처리와 세정(Back-Bevel세정처리)을 할 수 있고, 동일한 구성을 갖는다. 그래서 본 실시예에 관한 기판처리유닛(12)을 예로 하여 그 구조에 관해 아래에 상세히 설명하기로 한다.
도 4는 기판처리유닛(12)의 평면도이다. 기판처리유닛(12)의 유닛챔버(42)내에는 웨이퍼(W)를 수납하는 밀폐구조의 아우터챔버(43)와 에지암격납부(44)를 구비하고 있다. 유닛챔버(42)에는 개구(45)가 형성되고, 개구(45)를 미도시의 개폐기구에 의해 개폐하는 유닛챔버용 메커셔터(46)가 설치되어 있으며, 반송암에 의해 기판처리유닛(12)에 대해 개구(45)로부터 웨이퍼(W)가 반입출될 때에는 이 유닛챔버용 메커셔터(46)가 열리게 되어 있다. 유닛챔버용메커셔터(46)는 유닛챔버(42)의 내부에서 개구(45)를 개폐하도록 되어 있고 유닛챔버(42) 내가 양압이 된 경우에도 유닛챔버(42) 내부의 분위기가 외부로 새지 않는다.
아우터챔버(43)에는 개구(47)가 형성되고 개구(47)를 미도시의 실린더구동기구에 의해 개폐하는 아우터챔버용메커셔터(48)가 설치되어 있고, 반송암(34)에 의해 아우터챔버(43)에 대해 개구(47)로부터 웨이퍼(W)가 반입출될 때에는 이 아우터챔버용메커셔터(48)가 열리도록 되어 있다. 아우터챔버용메커셔터(48)는 유닛챔버용메커셔터(46)와 공통의 개폐기구에 의해 개폐하도록 해도 좋다. 아우터챔버용메커셔터(48)는 아우터챔버(43)의 내부에서 개구(47)를 개폐하도록 되어 있으며, 아우터챔버(43) 내가 양압이 된 경우에도 아우터챔버(43) 내부 분위기가 외부로 새지 않는다.
또, 에지암격납부(44)에는 개구(49)가 형성되고 개구(49)를 미도시의 구동기구에 의해 개폐하는 에지암격납부용셔터(50)가 설치되어 있다. 에지암격납부(44)를 아우터챔버(43)와 분위기격리할 때는, 이 에지암격납부용셔터(50)를 닫는다. 에지암격납부용셔터(50)는 아우터챔버(43)의 내부에서 개구(49)를 개폐하도록 되어 있고, 유닛챔버(42) 내가 양압이 된 경우라도 유닛챔버(42) 내부의 분위기가 외부로 새지 않는다.
에지암격납부(44)내에는 약액, 순수 및 불활성가스로서의 N2를 토출가능한 에지암(60)이 격납되어 있다. 에지암(60)은 아우터챔버(43) 내에 수납되어 있고, 뒤에서 서술하는 스핀책(71)에서 유지된 웨이퍼(W) 주변부로 이동가능하다. 에지암(60)은 처리시 이외는 에지암격납부(44)에서 대피한다. 에지암(60)이 개구(49)에서 아우터챔버(43) 내로 이동할 때는 에지암격납부용셔터(50)가 열리게 되어 있다.
에지암(60)은 도 5에 도시하는 것과 같이 웨이퍼(W, 금속막 141)에 대해 약액을 공급하는 약액공급노즐(61), 불활성 액체로서의 순수를 공급하는 순수공급노즐(62), 불활성 가스로서의 N2가스를 공급하는 N2가스공급노즐(63)을 구비하고 있다. 약액공급노즐(61), 순수공급노즐(62), N2가스공급노즐(63)은 웨이퍼(W)의 중심과 주변부를 잇는 선위에 배치되어 있다. 즉, 도시한 예에서는 원형상을 이루는 웨이퍼(W)의 반경방향으로 배치되어 있다. 웨이퍼(W)표면에는 동 등의 금속막(141)이 적층되어 있고 약액공급노즐(61)은 금속막(141)을 제거하는 약액을 공급한다. 약액공급노즐(61)에 인접하고, 약액공급노즐(61)보다도 안쪽으로 배치된 순수공급노즐(62)은 주변부의 린스처리를 실시하는 순수를 공급한다. 순수공급노즐(62)에 인접하고 순수공급노즐(62)보다도 안쪽으로 배치된 N2가스공급노즐(63)은 주변부의 건조처리를 실시하는 N2가스를 공급한다.
약액공급노즐(61), 순수공급노즐(62), N2가스공급노즐(63)은 차폐판(64)에 유지되어 있고 약액공급노즐(61), 순수공급노즐(62), N2가스공급노즐(63)로부터의 웨이퍼(W)에 공급된 약액, 순수 및 N2가스의 비산을 차폐판(64)으로 방지하도록 되어 있다. 약액공급노즐(61), 순수공급노즐(62), N2가스공급노즐(63)은 웨이퍼(W)의 중심에서 떨어진 방향으로 경사져 지향하고 있다. 즉, 약액공급노즐(61), 순수공급노즐(62), N2가스공급노즐(63)의 선단부는 웨이퍼(W)의 외주방향을 향하고 있다. 또, 약액공급노즐(61)보다도 웨이퍼(W)의 외주쪽에, 흡인노즐(65)가 구비되고, 약액공급노즐(61), 순수공급노즐(62), N2가스공급노즐(63)로부터 웨이퍼(W)에 공급된 약액, 순수, N2가스 및 처리중에 발생하는 분취기를 흡인하도록 되어 있다.
웨이퍼(W)에 대해 약액공급노즐(61)이 약액을 공급할 때는, 약액의 공급을개시하기 전에 N2가스공급노즐(63)이 N2가스의 공급을 개시한다. 이 경우, 도 6에 도시하는 것과 같이, N2가스공급노즐(63)은 N2가스를 영역(68)의 위치에 공급한다. 영역(68)에 공급된 N2가스는 웨이퍼(W)의 표면(금속막 141의 표면)을 따라 외주방향을 향해 부채형상으로 흐르고 , 영역(68')의 형상으로 흐른다. 한편, 약액공급노즐(61)은 약액을 영역(66)의 위치로 공급하고, 영역(66)에 공급된 약액은 웨이퍼(W) 표면을 따라 외주방향을 향해, 부채형상의 영역(66')으로 흐르게 된다. 이 영역(66), 영역(66')은 모두 영역(68')의 범위내에 있고, 앞에서 서술한 바와 같이 약액공급노즐(61)에 의한 약액의 공급이 개시되기 전에 N2가스공급노즐(63)이 N2가스의 공급을 개시하므로써, 확실하게 약액이 영역(66)으로 공급되고, 영역(68')의 형상으로 흐르는 N2가스에 의해 웨이퍼(W)의 외주방향으로 흐르게 된다. 이렇게 약액공급노즐(61)에서 공급된 약액이 웨이퍼(W)의 중심쪽으로 흐를 우려가 없다. 또, 웨이퍼(W)에 대해 순수공급노즐(62)에 의해 순수를 공급할 때는 순수의 공급을 개시하기 전에 N2가스공급노즐(63)이 N2가스의 공급을 개시한다. 이 경우, 도 6에 도시하는 바와 같이, N2가스공급노즐(63)은 N2가스를 영역(68)의 위치에 공급한다. 영역(68)에 공급된 N2가스는 웨이퍼(W) 표면을 따라 외주방향을 향해 부채형상으로 흐르고, 영역(68')의 형상으로 흐른다. 한편, 순수공급노즐(62)은 순수를 영역(67)의 위치에 공급하고, 영역(67)으로 공급된 순수는 웨이퍼(W)의 표면을 따라 외주방향을 향해, 부채형상의 영역(67')로 흐르게 된다. 이 영역(67), 영역(67')은 모두 영역(68')의 범위내에 있고, 앞에서 서술한 것과 같이 순수공급노즐(62)에 의한 순수의 공급이 개시되기 전에 N2가스공급노즐(63)이 N2가스의 공급을 개시하므로써, 확실하게 순수가 영역(67)으로 공급되고, 영역(68')의 형상으로 흐르는 N2가스에 의해 웨이퍼(W)의 외주방향으로 흐르게 된다. 이렇게 순수공급노즐(62)로부터 공급되는 순수가 웨이퍼(W)의 중심쪽으로 흐를 우려가 없다. 또한, 영역(68')의 형상으로 흐르는 N2가스에 의해 약액과 순수를 확실히 흐르게 하기 위해 N2가스가 공급되는 영역(68)은 영역(66)과 영역(67)보다 넓은 면적을 갖는 것이 바람직하다. 즉, 도 6에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 원주방향에 있어서, 영역(68')의 폭이 영역(66')과 영역(67')보다도 확실하게 넓어지도록 공급할 수 있다.
도 7에 도시하는 바와 같이 아우터챔버(43) 내에는 웨이퍼(W)를 수납하는 이너컵(70)과, 이 이너컵(70) 내에서 웨이퍼(W)표면을 상면으로 하여 웨이퍼(W)를 회전이 자유롭게 유지하는 유지수단으로서의 스핀책(71)과, 스핀책(71)에 의해 유지된 웨이퍼(W)상면(웨이퍼(W)표면)에 대해 상대적으로 승강이동하는 톱플레이트(72)를 구비하고 있다.
스핀책(71)은 웨이퍼(W)를 유지하는 책본체(73)와, 이 책본체(73)의 저부에 접속된 회전통체(74)를 구비한다. 책본체(73) 내에는 스핀책(71)에 의해 유지된 웨이퍼(W)하면(웨이퍼(W)이면)에 대해 상대적으로 승강이동하는 언더플레이트(75)가 배치되어 있다.
책본체(73)의 상부에는 웨이퍼(W) 이면 주연부를 지지하기 위한 미도시 지지핀과, 웨이퍼(W)를 주연부에서 유지하기 위한 유지부재(76)가 각각 복수개소에 장착되어 있다. 도시한 예에서는 책본체(73)의 주위에서, 중심각이 120°가 되도록 3개소에 유지부재(76)가 배치되어 있고, 그 3개의 유지부재(76)에 의해 웨이퍼(W)를 주변에서 유지할 수 있도록 되어 있다. 또, 도시하지 않지만, 웨이퍼(W)의 주연부를 동일하게 중심각이 120°가 되는 위치에서 하면쪽에서 지지할 수 있도록 3개의 지지핀이 책본체(73)에 설치되어 있다. 회전통체(74)의 외주면에는 벨트(77)가 감겨져 있고 벨트(77)를 모터(78)로 원운동시키므로써 스핀책(71)전체가 회전하도록 되어 있다. 각 유지부재(76)는 스핀책(71)이 회전했을 때의 원심력을 이용하여 도 4에 도시하는 것과 같이 웨이퍼(W)의 주연부를 바깥쪽에서 유지하도록 구성되어 있다. 스핀책(71)이 정지되어 있을 때는 웨이퍼(W)의 이면을 지지핀으로 지지하고 스핀책(71)이 회전하고 있을 때는 웨이퍼(W)의 주연부를 유지부재(76)로 유지한다.
웨이퍼(W)를 유지하는 3개의 유지부재(76)는 각각 도 8에 도시하는 구성으로 되어 있다. 유지부재(76)는 파악유지암(80), 누름 암(81), 스프링(82)로 구성되어 있다. 파악유지암(80) 및 누름 암(81)은 모두 축(83)을 중심으로 회전가능하고, 또한 파악유지암(80)과 누름 암(81) 사이에 스프링(82)이 개재되어 있다. 축(83)은 책본체(73)로 고정되어 있다. 누름 암(81)의 하부에는 중추(84)가 설치되어 있다. 스핀책(71)이 회정하면, 도 9에 도시하는 것과 같이, 중추(84)에 원심력이 작용하여 바깥쪽으로 이동하고 파악유지암(80) 상부가 안쪽으로 이동하므로 웨이퍼(W)를 주변으로부터 유지할 수 있다. 이 때, 스프링(82)은 발생한 에너지를 흡수하므로 웨이퍼(W)를 주연에서 누르는 힘(유지력)이 과도하게 커지는 것을 방지할 수 있다. 스핀책(71)의 회전이 고속이 되면, 도 10에 도시하는 것과 같이 중추(84)가 책본체(73) 내의 스토퍼(85)에 직접 접촉하고, 스프링(82)이 발생한 에너지를 흡수하므로, 유지력이 과도하게 커지는 것을 방지할 수 있다.
언더플레이트(75)는 책본체(73) 내 및 회전통체(74) 내를 관통삽입하는 언더플레이트샤프트(90) 위에 접속되어 있다. 언더플레이트샤프트(90)는 수평판(91)의 상면에 고착되어 있고 이 수평판(91)은 언더플레이트샤프트(90)와 일체로, 에어실린더 등으로 이루어지는 승강기구(92)에 의해 연직방향으로 승강하게 된다. 따라서, 언더플레이트(75)는 도 7에 도시하는 것과 같이 책본체(73) 내의 아래쪽으로 하강하고, 스핀책(71)에 의해 유지된 웨이퍼(W) 하면에서 떨어져서 대기하고 있는 상태(퇴피위치)와, 도 18에 도시하는 것과 같이 책본체(73) 내의 위쪽으로 상승하고 스핀책(71)에 의해 유지된 웨이퍼(W) 하면에 대해 세정처리를 실시하고 있는 상태(처리위치)에서 상하로 이동이 자유롭다. 또한, 언더플레이트(75)를 소정높이로 고정하는 한편, 회전통체(74)에 미도시의 승강기구를 접속시키고 스핀책(71) 전체를 연직방향으로 승강시키므로써, 언더플레이트(75)를 처리위치와 퇴피위치로 상하 이동이 자유롭게 해도 좋다.
톱플레이트(72)는 톱플레이트회전축(95)의 하단부에 접속되어 있고, 수평판(96)에 설치된 회전측모터(97)에 의해 회전한다. 톱플레이트회전축(95)은 수평판(96)의 하면에 회전이 자유롭게 유지되고, 이 수평판(96)은 아우터챔버 상부에 고착된 에어실린더 등으로 이루어지는 회전축승강기구(98)에 의해 연직방향으로 승강한다. 따라서, 톱플레이트(72)는 회전축승강기구(98)의 가동에 의해 도 7에 도시하는 바와 같이 스핀책(71)에 의해 유지된 웨이퍼(W) 상면에서 떨어져서 대기하고 있는 상태(퇴피위치)와, 도 17에 도시하는 것과 같이 스핀책(71)에 의해 유지된 웨이퍼(W) 상면에 근접한 상태(처리위치)에서 상하로 이동이 자유롭다. 또, 도 4에 도시하는 것과 같이 톱플레이트(72)의 직경은 웨이퍼(W) 직경보다 작으므로, 에지암(60)이 웨이퍼(W)의 주변부를 처리할 수 있도록 되어 있다.
이너컵(70)은 도 7에 도시하는 위치로 하강하고, 스핀책(71)을 이너컵(70)의 상단부보다도 위쪽으로 돌출시켜서 웨이퍼(W)를 수수할 수 있는 상태와, 도 17에 도시하는 위치로 상승하여 스핀책(71) 및 웨이퍼(W)를 포위하고 웨이퍼(W) 양면에 공급한 세정약액과 처리유체 등이 주위에 비산하는 것을 방지하는 상태에서 상하이동이 자유롭다.
이너컵(70)을 도 7에 도시한 위치로 하강시키고 스핀책(71)에 대해 웨이퍼(W)를 수수하는 경우, 언더플레이트(75)를 퇴피위치로 위치시키고, 톱플레이트(72)를 퇴피위치로 위치시켜 둔다. 그렇게 하면, 언더플레이트(75)와 스핀책(71)에 의해 유지되는 웨이퍼(W)의 위치간에는 충분한 간격이 형성된다. 또, 톱플레이트(72)와 웨이퍼(W)상면의 위치간에도 충분한 간격이 형성된다. 이렇게 하여 스핀책(71)에 대한 웨이퍼(W)의 수수가 원활하게 이루어지게 되어 있다.
도 11에 도시하는 것과 같이, 언더플레이트(75)에는 세정약액과 순수 등의 처리액과 건조가스를 공급하는 하면공급로(100)가 언더플레이트샤프트(90) 내를 관통하여 설치되어 있다. 도 12에 도시하는 것과 같이 언더플레이트(75) 중심 및 주변부 4개소에는 세정약액/순수/N2를 토출하는 하면토출구(101 ~ 105)가 설치되어 있다. 주변부의 하면토출구(101 ~ 104)는 웨이퍼(W) 주변을 향해 경사져 있고 중앙 하면토출구(105)는 웨이퍼(W) 중심으로 위를 향해 지향하고 있다.
도 13에 도시하는 것과 같이 톱플레이트(72)에는 N2가스를 공급하는 상면공급로(106)가 톱플레이트회전축(95) 내를 관통하여 설치되어 있다. 아우터챔버(43) 상부에는 톱플레이트(72) 상면과 아우터챔버 내부간에 N2가스를 토출하는 N2가스공급수단(107)이 구비되어 있다.
도 14에 도시하는 바와 같이 이너컵(70)의 저부에는 이너컵(70) 내의 액방울을 배액하는 이너컵배출관(110)이 접속되어 있다. 이너컵배출관(110)은 아우터챔버(43)의 저부에 설치된 관통구(111)내를 상하이동이 자유롭다. 이너컵배출관(110)의 하단부는 이너컵미스트트랩(112)내에 삽입되어 있다. 이 이너컵미스트트랩(112)에 의해 이너컵(70)에서 배액된 액방울 중에서 기포 등을 제거하도록 되어 있다. 제거된 기포는 이너컵미스트트랩(112)에 접속된 이너컵미스트트랩배기관(113)에 의해 외부로 배기된다. 기포가 제거된 액방울은 이너컵미스트트랩(112)에 접속된 이너컵배액회수라인(114)에 의해 회수된다.
아우터챔버(43)의 저부에는 아우터챔버(43) 내의 액방울을 배액하는 아우터챔버배출관(115)이 접속되어 있다. 아우터챔버배출관(115)에는 아우터챔버미스트트랩(116)이 설치되고 이 아우터챔버미스트트랩(116)에 의해 배액된 액방울중에서 기포 등을 제거하도록 되어 있다. 제거된 기포는 아우터챔버미스트트랩(116)에 접속된 아우터챔버미스트트랩배기관(117)에 의해 외부로 배기된다. 기포를 제거한 액방울은 아우터챔버미스트트랩(116)에 접속된 아우터챔버배액회수라인(118)에 의해 회수된다.
이너컵(70)이 하강하면, 도 15에 도시하는 것과 같이 스핀책(71) 및 이것에유지된 웨이퍼(W)가 이너컵(70)의 상단부보다도 위쪽으로 돌출된 상태가 된다. 이 경우는 아우터챔버(43) 내의 액방울은 이너컵(70)의 바깥쪽을 하강하고 아우터챔버배출관(115)에 의해 배액되게 된다. 한편, 도 14에 도시하는 것과 같이 이너컵(70)이 상승하면, 이너컵(70)이 스핀책(71) 및 웨이퍼(W)를 포위하고 웨이퍼(W) 양면에 공급한 세정액 등이 주위로 비산하는 것을 방지하는 상태가 된다. 이 경우는 이너컵(70) 상부가 아우터챔버(43)의 내벽에 근접하고 이너컵(70) 내의 액방울은 이너컵배출관(110)에 의해 배액되게 된다.
또한, 세정처리시스템(1)에 구비된 기판처리유닛(13)도 기판처리유닛(12)과 동일한 구성을 갖고, 웨이퍼(W) 이면의 세정과, 웨이퍼(W)표면의 주변부제거처리와 주변부의 세정(Back-Bevel세정처리)을 할 수 있다.
또, 세정처리시스템(1)에 구비된 기판세정유닛(14, 15)은 각종 세정액에 의해 웨이퍼(W)양면을 세정하고 건조처리할 수 있도록 구성되어 있다.
그런데, 이 세정처리시스템(1)에 있어서, 우선 미도시의 반송로보트에 의해 아직 세정되지 않은 웨이퍼(W)를 25장씩 수납한 캐리어(C)가 인아웃포트(4)에 재치된다. 그리고, 이 인아웃포트(4)에 재치된 캐리어(C)에서 취출수납암(11)에 의해 1장씩 웨이퍼(W)를 꺼내고 이 취출수납암(3)에서 주웨이퍼반송장치(7)으로 웨이퍼(W)가 인수인계된다. 그리고, 반송암(34)에 의해 웨이퍼(W)는 기판처리유닛(12) 또는 (13)에 적당히 반입되고, 웨이퍼(W) 이면의 세정과 웨이퍼(W) 표면의 주변부제거처리와 주변부 세정이 이루어진다. 또, 기판세정유닛(14) 또는 (15)에 적당히 반입되고, 웨이퍼(W)에 부착되어 있는 파티클 등의 오염물질이 세정, 제거된다. 이렇게 해서 소정 세정처리가 종료된 웨이퍼(W)는 다시 주웨이퍼반송장치(7)에 의해 기판처리유닛(12, 13) 또는 기판세정유닛(14, 15)에서 적당히 반출되고 취출수납암(11)으로 인수인계되며 다시 캐리어(C)로 수납된다.
여기에서 기판처리유닛(12, 13)에 관해 대표적으로 기판처리유닛(12)에서의 처리에 관해 설명한다. 도 7에 도시하는 것과 같이 우선 기판처리유닛(12)의 유닛챔버용 메커셔터(46)가 열리고, 또 아우터챔버(43)의 아우터챔버용 메커셔터(47)가 열린다. 그리고, 웨이퍼(W)를 유지한 반송암(34)을 장치내에 진입시킨다. 이너컵(70)은 하강하여 책본체(73)를 위쪽으로 상대적으로 돌출시킨다. 언더플레이트(75)는 미리 하강하여 책본체(73) 내의 퇴피위치에 위치한다. 톱플레이트(72)는 미리 상승하여 퇴피위치에 위치하고 있다. 또, 에지암격납부용 셔터(50)는 닫혀 있다.
주웨이퍼반송장치(18)는 반송암(34)을 내려서 유지부재(76)에 웨이퍼(W)를 전달하고 스핀책(71)은 미도시의 지지핀에 의해 반도체디바이스가 형성되는 웨이퍼(W)표면을 상면으로 하여 웨이퍼(W)를 지지한다. 이 경우, 언더플레이트(75)를 퇴피위치에 위치시켜 스핀책(71)으로 유지되는 웨이퍼(W) 위치(높이)에서 충분히 떨어지므로 반송암(34)은 여유를 갖고 웨이퍼(W)를 스핀책(71)으로 전달할 수 있다. 웨이퍼(W)를 스핀책(71)으로 인수인계한 후, 반송암(34)은 아우터챔버(43) 및 유닛챔버용 메커셔터(46) 내부에서 퇴출하고, 퇴출후, 기판처리유닛(12)의 유닛챔버용 메커셔터(46)와 아우터챔버(43)의 아우터챔버용 메커셔터(47)가 닫힌다.
이너컵(70)이 상승하고 책본체(73)와 웨이퍼(W)를 둘러싼 상태가 된다. 언더플레이트(75)는 책본체(73) 내의 처리위치로 상승한다. 도 17에 도시하는 것과 같이 처리위치로 이동한 언더플레이트(75)와 스핀책(71)에 의해 유지된 웨이퍼(W) 하면(웨이퍼(W) 이면)간에는 0.5 ~ 3mm정도의 간격(L1)이 형성된다.
이어서, 웨이퍼(W) 이면의 세정처리가 이루어진다. 언더플레이트(75) 상에서는 하면공급로(100)에서 세정약액을 조용히 배어나오게 하여 간격(L1)에 세정약액을 공급한다. 좁은 간격(L1)에 있어서, 세정약액을 웨이퍼(W) 하면 전체에 퍼지고, 웨이퍼(W) 하면 전체에 균일하게 접촉하는 세정약액의 액막을 형성한다. 간격(L1)전체에 세정약액의 액막을 형성하면, 세정약액의 공급을 정지하여 웨이퍼(W) 하면을 세정처리한다. 간격(L1)에 세정약액을 부풀어오르게 하여 액막을 형성하면 표면장력에 의해 세정약액의 액막 형성이 무너지는 것을 막을 수 있다. 예를 들면, 세정약액의 액막형성이 무너져버리면, 웨이퍼(W) 하면에 있어서, 세정약액의 액막에 비접촉 부분이 발생하거나, 액막중에 기포가 혼합되어서 세정불량을 일으키지만, 이렇게 언더플레이트(75)와 웨이퍼(W) 면사이의 좁은 간격(L1)에서 세정약액을 부풀어오르게 하므로써, 세정약액의 액막형성을 유지하여 세정불량을 방지할 수 있다.
이 경우, 스핀책(71)은 세정약액의 액막형성이 무너지지 않을 정도의 비교적 저속의 회전속도(예를 들면 10 ~ 30rpm정도)로 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 웨이퍼(W)의 회전에 의해 세정약액의 액막내에 액류가 발생하고 이 액류에 의해 세정약액의 액막내 정체를 방지하고 세정효율이 향상된다.
또, 웨이퍼(W)의 회전을 간헐적으로 행해도 좋다. 소정시간 또는 소정회전수, 웨이퍼(W)를 회전시킨 후, 스핀책(71)의 회전가동을 소정시간 정지시키고 웨이퍼(W)를 정시시킨 후에 다시 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 이렇게 웨이퍼(W)의 회전과 회전정지를 반복하면 세정약액을 웨이퍼(W) 하면 전체에 쉽게 확산시킬 수 있다. 물론 웨이퍼(W)를 완전회 회전시키지 않고 정지한 상태로 유지하여 세정처리를 실시하는 것도 가능하다.
또, 액막을 형성한 후에는 새로운 세정약액을 공급할 필요가 없어진다. 세정약액의 액막형성이 무너지지 않는 한, 웨이퍼(W) 하면 전체를 이미 언더플레이트(75)와 웨이퍼(W) 하면간에 공급된 세정약액에 의해 세정할 수 있기 때문이다. 한편, 세정약액의 액막형성이 무너지게 된 경우에는 새로운 액을 공급하여 세정약액의 액막형성을 적당히 수복한다. 이렇게 세정약액의 소비량을 절약한다.
또한, 웨이퍼(W)의 회전에 의해 세정약액의 액막의 액방울을 언더플레이트(75)의 주연에서 떨어뜨리는 한편, 하면공급로(100)에 의해 세정약액을 계속적으로 공급하므로써, 세정약액의 액막 내를 항상 새로운 세정약액으로 치환하여 적당한 세정약액처리를 실시하는 것도 가능하다. 이 경우도, 새로운 액을 가능한 한 차분하게 공급하여 세정약액의 절약을 도모하는 것이 좋다.
한편, 간극(L1)에 세정약액을 부풀어오르게 하여 액막을 형성할 때에, 세정약액을 웨이퍼(W)의 이면 주위에서 웨이퍼(W)의 표면(금속막(141)의 표면)쪽으로 돌아들어가게 하여, 뒤에서 서술하는 주변부제거가 이루어지는 웨이퍼(W) 표면의주변부에까지 세정약액을 공급한다. 그리고, 웨이퍼(W)이면 세정처리와 동시에 웨이퍼(W)표면의 주변부세정처리가 이루어진다.
그 후, 스핀책(71)이 2000rpm으로 5초간 회전한다. 즉, 웨이퍼(W)에 액이 부풀어오른 세정약액을 흔들어 떨어뜨리고 이너컵배출관(110)으로 배액된다. 스핀책(71)이 고속회전하면, 책본체(73)에 설치된 3개의 유지부재(76)는 각각 도 10에 도시하는 상태가 된다. 즉, 누름암(81)의 하부가 책본체(73) 내부에 직접 접촉한다. 따라서, 고속회전시에는 웨이퍼(W)가 받는 파지력(把持力)은 스프링(82)에 의해 발생하므로, 웨이퍼(W)에 과잉 유지력을 부여하지 않도록 되어 있다.
다음으로, 언더플레이트(75)와 웨이퍼(W) 하면 간에 하면공급로(100)에서 10초간, N2가스를 공급하고 웨이퍼(W) 하부의 세정약액분위기를 배출한다. N2가스의 공급에 의해 웨이퍼(W) 이면에서 세정약액 액방울을 제거할 수 있다.
다음으로, 톱플레이트(72)가 웨이퍼(W) 윗면에 대해 근접한 위치까지 이동한다. 에지암격납부용셔터(50)가 열리고, 에지암(60)이 스핀책(71)에서 유지된 웨이퍼(W)의 주변부 위쪽으로 이동한다. 에지암(60)이 소정 위치까지 이동하면, 에지암(60)에 설치된 N2가스공급노즐(63)이 N2가스의 공급을 개시하고 이어서 약액공급노즐(61)이 약액의 공급을 개시한다. 그리고 웨이퍼(W) 표면에 적층된 금속막(141) 모퉁이를 약액으로 제거하는 주변부제거처리를 한다.
주변부제거처리 중에는 스핀책(71)은 300rpm정도의 회전수로 회전한다. 이 경우, 앞에서 설명한 것과 같이 3개의 유지부재(76)는 각각 도 9에 도시하는 상태가 되므로 웨이퍼(W)에 대한 적당한 유지력이 발생하고 스핀책(71)은 웨이퍼(W)를회전시킬 수 있다.
약액공급노즐(61)의 선단부는 웨이퍼(W)의 외주를 향하고 있으므로, 약액은 웨이퍼(W) 바깥쪽으로 부드럽게 흘러나온다. 또, 약액공급노즐(61)이 공급하는 약액은 N2가스공급노즐(63)이 공급하는 N2가스에 의해 웨이퍼(W)의 외주방향으로 흐른다. N2가스공급노즐(63)의 선단부는 웨이퍼(W)의 외주방향을 향해 있으므로, N2가스공급노즐(63)이 공급하는 N2가스에 의해 약액을 웨이퍼(W)의 바깥쪽으로 효과적으로 흘려보낼 수 있다.
웨이퍼(W)의 표면(금속막(141)의 표면)에 있어서 약액이 공급되는 영역(66)과 흐르는 영역(66')은 모두 영역(68') 범위내에 있고, 또, 약액공급노즐(61)에 의한 약액 공급이 개시되기 전에 N2가스공급노즐(63)이 N2가스의 공급을 개시하므로 약액공급노즐(61)에서 공급된 약액이 웨이퍼(W) 중심쪽으로 흐를 우려가 없다. 한편, 흘려보내어진 약액, N2가스 및 처리중에 발생하는 약액분위기는 웨이퍼(W) 주연에 있어서 흡인노즐(65)에 의해 흡인, 배출된다.
더우기 약액공급노즐(61)과 N2가스공급노즐(63)이 유지되어 있는 차폐판(64)이, 약액이 웨이퍼(W) 안쪽면으로 비산하는 것을 방지한다. 또, N2가스에 의해 흘려보내어진 약액은 회수하여 적당한 처리를 실히하므로써 쉽게 재이용가능하다.
주변부제거처리 중은 톱플레이트(72)는 도 17에 도시하는 위치(처리위치)로 하강하여 상면공급로(106)에서 N2가스를 공급한다. 상면공급로(106)가 공급하는 N2가스는 약액공급노즐(61)이 공급하는 약액 및 주변부제거처리중에 발생하는 약액분위기가 웨이퍼(W)의 중심쪽면으로 흐르는 것을 방지한다. 이렇게 하여 N2가스공급노즐(63)이 공급하는 N2가스에 의해 N2가스가 공급되는 면과 흐르는 면으로부터 바깥쪽으로 약액이 흐르는 것을 방지하고 또한 상면공급로(106)가 공급하는 N2가스에 의해 약액이 웨이퍼(W) 중심쪽 면으로 흘러들어가는 것을 방지하므로 약액이 웨이퍼(W) 안쪽면으로 흘러들어가는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 또, 상면공급로(106)로부터 N2가스를 공급하면 웨이퍼(W)표면의 워터마크발생을 방지하는 효과가 있다.
또, 주변부제거처리중은 아우터챔버(43) 상부에 구비된 N2가스공급수단(107)으로부터 톱플레이트(72) 상부에 N2가스를 공급하고 다운플로를 형성한다. 톱플레이트(72) 상면과 아우터챔버(43) 사이의 공간은 N2가스에 의해 채워지므로 약액의 액막에서 증발하여 톱플레이트(72)의 주위에서 상승하는 약액분위기가 톱플레이트(72)의 상부 공간으로 돌아들어가지 않는다. 따라서, 주변부제거처리 후, 아우터챔버(43) 내의 상부에 약액이 잔류하는 것을 막을 수 있다.
주변부제거처리가 종료되면, 약액공급노즐(61)은 약액의 공급을 정지한다. N2가스공급노즐(63)은 N2가스의 공급을 계속하고, 이어서 순수공급노즐(62)이 순수의 공급을 개시한다. 그리고 웨이퍼(W)의 주변부에 순수를 공급하고 주변부린스처리를 행한다. 순수공급노즐(62)의 선단부는 웨이퍼(W)의 외주를 향해 있으므로 순수는 웨이퍼(W)의 바깥쪽으로 부드럽게 흘러나간다. 또, 순수공급노즐(62)이 공급하는 순수는 N2가스공급노즐(63)이 공급하는 N2가스에 의해 웨이퍼(W)의 외주방향으로 흐르게 된다. N2가스공급노즐(63)의 선단부는 웨이퍼(W)의 외주방향을 향해 있으므로 N2가스공급노즐(63)이 공급하는 N2가스에 의해 순수를 웨이퍼(W) 바깥쪽으로 효과적으로 흐를 수 있다. 웨이퍼(W)의 표면(금속막(141)의 표면)에 있어서, 순수가 공급되는 영역(66)과 흐르는 영역(66')은 모두 영역(68')의 범위내에 있고, 또, 순수공급노즐(62)에 의한 순수의 공급이 개시되기 전에 N2가스공급노즐(63)이 N2가스의 공급을 개시하므로 순수공급노즐(62)에서 공급된 순수가 웨이퍼(W) 중심쪽으로 흐를 염려가 없다. 또한, 흘려보내어진 순수, N2가스 및 처리중에 발생하는 수증기분위기는 웨이퍼(W) 주연에 있어서 흡인노즐(65)에 의해 흡인, 배출된다.
또, 순수공급노즐(62)과 N2가스공급노즐(63)이 유지되어 있는 차폐판(64)이 순수가 웨이퍼(W) 안쪽으로 비산하는 것을 방지한다. 한편, 하면공급로(100)에서 언더플레이트(75)와 웨이퍼(W) 하면간에 순수를 공급하고 이면린스처리를 행한다. 이렇게 하여 웨이퍼(W)의 주변부와 이면을 린스처리하고 웨이퍼(W)에서 약액을 씻어낸다.
린스처리중에 있어서도 톱플레이트(72)는 처리위치로 하강하여 상면공급로(106)에서 N2가스를 공급한다. 상면공급로(106)가 공급하는 N2가스는 순수공급노즐(62) 이 공급하는 순수 및 주변부린스처리 중에 발생하는 수증기분위기가 웨이퍼(W)의 중심쪽면으로 흘러들어가는 것을 방지한다. 이렇게 하여 N2가스공급노즐(63)이 공급하는 N2가스에 의해 N2가스가 공급되는 면과 흐르는 면보다 바깥쪽으로 순수가 흘러들어가는 것을 방지하고, 더우기 상면공급로(106)가 공급하는 N2가스에 의해 순수가 웨이퍼(W)의 중심쪽면으로 흐르는 것을 방지하므로 순수가 웨이퍼(W) 안쪽면으로 흘러들어가는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 또, 상면공급로(106)에서 N2가스를 공급하면, 웨이퍼(W)표면의 워터마크 발생을 방지하는 효과가 있다.
린스처리가 종료되면, 순수공급노즐(62)과 하면공급로(100)에 의한 순수 공급을 정지한다. N2가스공급노즐(63)은 웨이퍼(W)의 주변부에 N2가스의 공급을 계속하고 주변부건조처리를 한다. N2가스공급노즐(63)의 선단부는 웨이퍼(W)의 외주를 향하고 있으므로, N2가스는 웨이퍼(W)의 바깥쪽으로 흐르기 쉽다. 또, 흡인노즐(65)에 의해 N2가스를 흡인하여 배출한다. 한편, 하면공급로(100)에서 언더플레이트(75)와 웨이퍼(W) 하면간에 N2가스를 공급하고 이면건조처리를 한다. 이렇게 해서 웨이퍼(W)의 주변부와 이면을 건조처리한다. 주변부건조처리와 이면건조처리가 종료되면, N2가스공급노즐(63)과 하면공급로(100)에 의한 N2가스의 공급을 정지하고 톱플레이트(72)가 웨이퍼(W)상면에서 떨어진 위치로 상승한다. 이어서 웨이퍼(W)를 건조처리할 때보다도 고속(예를 들면 1500rpm정도)으로 회전시켜서 웨이퍼(W)를 스핀건조시킨다.
건조처리후, 에지암(60)은 에지암격납부(44) 내로 이동하고 에지암격납부용셔터(50)가 닫힌다. 이어서, 기판처리유닛(12) 내에서 웨이퍼(W)를 반출한다. 기판처리유닛(12)의 유닛챔버용메커셔터(46)가 열리고, 아우터챔버(43)의 아우터챔버용메커셔터(47)가 열린다.
그리고 웨이퍼반송암(34)을 장치내로 진입시켜서 웨이퍼(W)하면을 유지시킨다. 이어서, 반송암(34)이 스핀책(71)의 지지핀에서 웨이퍼(W)를 멀어지게 하여 수취하고 장치내에서 퇴출한다. 이 경우, 언더플레이트(75)는 퇴피위치에 위치하고 있으므로, 반입할 때와 동일하게 언더플레이트(75)와 스핀책(71)에 의해 유지되는웨이퍼(W)의 위치간에는 충분한 간극이 형성되어 반송암(34)은 여유를 갖고 스핀책(71)에서 웨이퍼(W)를 수취할 수 있다.
이러한 기판처리장치(12)에 따르면, 주변부제거처리 중, 약액을 웨이퍼(W)의 바깥쪽으로 효과적으로 흐르게 할 수 있다. 또한, 약액, 순수, 약액분위기, 수증기분위기가 웨이퍼(W)의 중심쪽면으로 흐르는 것을 방지한다. 주변부린스처리 중, 순수를 웨이퍼(W)의 바깥쪽으로 효과적으로 흐르게 할 수 있다. 또한 순수가 공급된 면을 건조시킬 수 있다. 스핀책(71)이 고속회전해도 웨이퍼(W)에 과잉 유지력을 부여하지 않는다.
이상, 본 발명의 최적의 실시예의 일례를 도시했지만, 본 발명은 여기에서 설명한 실시예에 한정되지 않는다. 예를 들면, 도 18에 도시한 것과 같이 유닛챔버(42) 상부에 FFU(122)를 설치하고 하부에 배기기구(123)를 설치해도 좋다. 이 경우, 아우터챔버(43) 내의 처리액분위기가 누출되어도, FFU(122)에 의해 형성된 다운플로와 배기기구에 의해 유닛챔버(42)에서 배출된다. 따라서 처리 후의 웨이퍼(W)를 반출시킬 때, 처리액분위기에 의해 웨이퍼(W)가 오염될 우려가 적고, 처리액분위기를 유닛챔버(42) 바깥으로 누출시킬 우려가 적다.
또, 도 19에 도시한 것과 같이 톱플레이트(72)에 함몰부(125)를 형성해도 좋다. 이 경우, 처리 중에 에지암(60)이 함몰부에 수용된 상태에서 주변부제거처리, 주변부린스처리 및 주변부건조처리를 하도록 하면, 약액 또는 순수공급 중의 면 이외의 면을 모두 톱플레이트(72)에 의해 덮을 수 있다. 따라서, 약액 또는 순수가비산해도 약액 또는 순수공급 중의 면 이외의 면에 비산한 액방울이 부착되는 것을 방지할 수 있다.
주변부제거처리 중은, N2가스공급노즐(63)에서 N2가스를 공급하지 않고, 순수공급노즐(62)에서 불활성 처리유체로서 순수를 공급해도 좋다. 이 경우, 도 6에 도시하는 영역(67)에 공급된 순수는 웨이퍼(W)의 표면(금속막(141)의 표면)을 따라 외주방향을 향해 부채형상으로 흐르고, 영역(67')의 형상으로 흐른다.
웨이퍼(W) 표면(금속막(141)의 표면)에 있어서, 약액이 공급되는 영역(66)과 흐르는 영역(66')은 모두 영역(67')의 범위내에 있고, 또, 약액공급노즐(61)에 의한 약액의 공급이 개시되기 전에 순수공급노즐(62)이 순수의 공급을 개시하므로, 약액공급노즐(61)에서 공급된 약액이 웨이퍼(W) 중심쪽으로 흐를 우려가 없다. 또한, 처리위치로 하강한 톱플레이트(72)의 상면공급로(106)가 공급하는 N2가스에 의해 약액과 순수가 웨이퍼(W) 안쪽면으로 흘러들어가는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
또한, 영역(67')의 형상으로 흐르는 순수에 의해 약액을 확실히 흐르게 하므로, 순수가 공급되는 영역(67)은 영역(66)보다 넓은 면적을 갖는 것이 바람직하다. 즉, 도 6에 도시하는 것과 같이 웨이퍼(W)의 원주방향에 있어서, 영역(67')의 폭이 영역(66')보다도 확실히 넓어지도록 공급한다. 또, 주변부린스처리 중에 있어서, N2가스공급노즐(63)에서 N2가스를 공급하지 않고, 순수공급노즐(62)에서 처리유체로서 순수를 공급해도 좋다.
이 경우도, 처리위치로 하강한 톱플레이트(72)의 상면공급로(106)가 공급하는 N2가스에 의해 순수가 웨이퍼(W) 안쪽면으로 흘러들어가는 것을 방지할 수 있다. 또, 주변부제거처리 중에 톱플레이트(72)의 상면공급로(106)에서 N2가스를 공급하지 않고 N2가스공급노즐(63)에서 N2가스를 또는 순수공급노즐(62)에서 순수를 공급해도 좋다. 이 경우, N2가스공급노즐(63)에서 공급되는 N2가스, 또는 순수공급노즐(62)에서 공급되는 순수에 의해 약액의 흐름을 제어하면서 흐르게 하므로 약액이 웨이퍼(W) 안쪽면으로 흘러들어가는 것을 방지할 수 있다.
또, 주변부린스처리 중에 톱플레이트(72)의 상면공급로(106)에서 N2가스를 공급하지 않고 N2가스공급노즐(63)에서 N2가스를 공급하고 순수공급노즐(62)에서 순수를 공급해도 좋다. 이 경우도 N2가스공급노즐(63)에서 공급되는 N2가스에 의해 순수의 흐름을 제어하면서 흐르므로, 순수가 웨이퍼(W) 안쪽면으로 흐르는 것을 방지할 수 있다.
에지암(60)은 N2가스공급노즐(63)을 구비하지 않고, 약액공급노즐(61), 순수공급노즐(62)을 구비해도 좋다. 이 경우에서도 주변부제거처리 중에 약액공급노즐(61)에서 공급된 약액이 웨이퍼(W) 중심쪽으로 흘러들어가는 것을 방지할 수 있다. 주변부린스처리 중에 톱플레이트(72)의 상면공급로(106)가 공급하는 N2가스에 의해 순수가 웨이퍼(W)의 안쪽면으로 흘러들어가는 것을 방지할 수 있다. 또, 에지암(60)은 순수공급노즐(62)을 구비하지 않고 약액공급노즐(61), N2가스공급노즐(63)을 구비해도 좋다.
에지암(60)을 웨이퍼(W)의 반경방향으로 이동이 자유롭게 구성해도 좋다. 즉, 도 6에 도시하는 것과 같은 각각의 처리유체가 흐르는 영역의 관계를 유지하면서, 에지암(60)을 이동시켜도 좋다. 이 경우, 주변부의 처리면 폭을 변화시킬 수 있다. 또, 약액에 의한 웨이퍼(W) 처리를 웨이퍼(W)의 외주에서의 거리에 따라 단계적으로 행할 수 있다. 따라서,
도 20에 도시하는 것과 같이 금속막(141)이 웨이퍼(W)의 외주쪽만큼 얇아지도록 제거할 수 있다. 이 때, N2가스 또는 순수에 의해 웨이퍼(W)의 안쪽으로 약액이 흘러들어가는 것을 방지하므로, 에지암(60)을 안쪽에서 외주를 향해 이동시킬 수 있다. 이렇게 금속막(141)의 모퉁이를 단형상으로 하면, 또한 웨이퍼(W)에서 금속막(141)이 박리되기 어려워진다.
또, 도 20에 도시하는 막(141a, 141b, 141c)와 같이 디바이스구조상의 막이 다층으로 적층되어 있는 경우는 웨이퍼(W)의 외주에서의 제거폭이 하층의 적층막만큼 좁아지도록 제거하여 금속막(141)이 웨이퍼(W)의 외주쪽만큼 얇아지도록 하는 것이 바람직하다.
본 발명은 세정액이 공급되는 기판처리장치에 한정되지 않고, 그 외의 여러가지 처리액 등을 이용하여 주변부제거 및 세정이외의 다른 처리를 기판에 대해 실시하는 것이어도 괜찮다. 또, 기판은 반도체웨이퍼에 한정되지 않고 그 외의 LCD기판용유리와 CD기판, 프린트기판, 세라믹기판 등이어도 좋다.
본 발명의 기판처리장치에 따르면, 안쪽으로 배치된 공급수단에서 공급하는 처리유체에 의해 바깥쪽으로 배치된 공급수단에서 공급하는 약액 등의 처리유체를 기판의 중심에서 떨어진 방향으로 흐르게 할 수 있고, 기판의 중심쪽 면을 처리하지 않고 주변부의 처리를 할 수 있으며, 처리면의 폭을 변화시킬 수 있다. 또한,처리할 필요가 없는 면에 처리유체가 비산하는 것을 방지할 수 있다.

Claims (21)

  1. 다른 처리유체를 기판에 공급하는 복수의 공급수단을 상기 기판 주변부근방으로 이간하여 배설하고, 상기 기판을 회전시키므로써 상기 복수의 공급수단을 상기 기판의 주변부를 따라 상대적으로 이동시켜, 상기 복수의 공급수단에서 상기 기판의 외주부로 처리유체를 공급하여 기판을 처리하는 기판처리장치에 있어서, 상기 복수의 공급수단을 상기 기판의 주변에서 안쪽을 향하는 선위에 배치한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판의 위쪽에 상기 기판상면에 근접한 위치와 상기 기판상면에서 떨어진 위치와의 사이에서 상대적으로 이동가능한 톱플레이트를 상기 기판에 대향하여 설치한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 톱플레이트는 상기 기판보다 작은 지름으로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 청구항 2에 있어서,
    상기 톱플레이트는 상기 기판과의 사이에 불활성분위기를 토출하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 청구항 2 내지 4중 어느 한 항에 있어서,
    상기 톱플레이트는 회전이 자유롭게 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 청구항 2에 있어서,
    상기 톱플레이트는 그 주변부에 상기 복수의 공급수단을 수용하는 함몰부를 갖는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판 아래쪽으로 상기 기판에 대향하면서 승강가능한 언더플레이트를 설치한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 언더플레이트는 상기 기판을 세정하는 세정액의 공급구를 갖는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 복수의 공급수단은 이들 복수의 공급수단이 늘어서 있는 방향을 따라상기 기판에 대해 이동가능하게 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판을 둘러싸는 아우터챔버가 더 설치되고 상기 복수의 공급수단은 상기 아우터챔버의 안쪽과 바깥쪽 사이를 자유롭게 이동할 수 있도록 이루어져있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 복수의 공급수단을 격납하는 공급수단격납부를 상기 아우터챔버의 바깥으로 설치한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  12. 청구항 1에 있어서,
    상기 복수의 공급수단에 있어서, 안쪽으로 배치된 공급수단은 바깥쪽으로 배치된 공급수단보다도 빠른 타이밍에서 처리유체를 공급하도록 제어되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  13. 청구항 1에 있어서,
    상기 복수의 공급수단 중, 상기 기판의 가장 바깥쪽에 배치된 상기 공급수단은 상기 기판에 대해 약액을 공급하고, 가장 안쪽에 배치된 상기 공급수단은 상기 기판에 대해 불활성의 처리유체를 공급하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 불활성 처리유체는 질소가스이고, 상기 약액과 상기 질소가스간에 순수를 흐르게 하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  15. 청구항 13에 있어서,
    상기 약액은 상기 기판에 형성된 금속막을 제거하기 위한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  16. 청구항 1에 있어서,
    상기 복수의 공급수단에 있어서, 보다 바깥쪽으로 배치된 공급수단에 의해 공급되는 처리유체는 보다 안쪽으로 배치된 공급수단에 의해 공급되고 상기 기판 표면을 흐르는 처리유체의 영역 내에 공급되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  17. 청구항 1에 있어서,
    상기 복수의 공급수단에는 이들 공급수단에서 토출된 처리유체가 상기 기판의 중심쪽으로 비산하지 않도록 하기 위한 차폐판이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  18. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판의 외주쪽에는 상기 회전하는 기판에 공급되고 원심력에 의해 비산한 처리유체를 받기 위한 환상의 커버가 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  19. 청구항 1에 있어서,
    상기 다른 처리유체에 따른 기판 처리를, 기판의 주변으로부터의 거리에 따라 단계적으로 행하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  20. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판의 위쪽으로, 상기 기판상면에 근접한 위치와 상기 기판상면에서 떨어진 위치 사이에서 상대적으로 이동가능한 톱플레이트를 상기 기판에 대향하여 설치하고 상기 톱플레이트는 상기 기판과의 사이에 불활성분위기를 토출하도록 이루어지고, 상기 복수의 공급수단은 이들 복수의 공급수단이 늘어서있던 방향을 따라 상기 기판에 대해 이동가능하도록 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  21. 청구항 20에 있어서,
    상기 기판의 아래쪽으로, 상기 기판에 대향하면서 승강가능한 언더플레이트를 설치하고, 이 언더플레이트는 상기 기판을 세정하는 세정액의 공급구를 갖는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100708037B1 (ko) * 2003-12-24 2007-04-16 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 유체공급노즐, 기판처리장치 및 기판처리방법
KR100816982B1 (ko) * 2005-12-27 2008-03-27 다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Families Citing this family (317)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3979464B2 (ja) * 2001-12-27 2007-09-19 株式会社荏原製作所 無電解めっき前処理装置及び方法
JP3874261B2 (ja) * 2002-04-10 2007-01-31 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP3895651B2 (ja) * 2002-08-12 2007-03-22 Ｈｏｙａ株式会社 不要膜除去装置および不要膜除去方法、並びにフォトマスクブランク製造方法
US7476290B2 (en) * 2003-10-30 2009-01-13 Ebara Corporation Substrate processing apparatus and substrate processing method
EP1696475A4 (en) * 2003-10-30 2007-12-19 Ebara Corp SUBSTRATE PROCESSING DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
JP4397299B2 (ja) 2004-07-30 2010-01-13 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
TWI286353B (en) * 2004-10-12 2007-09-01 Tokyo Electron Ltd Substrate processing method and substrate processing apparatus
US7681581B2 (en) * 2005-04-01 2010-03-23 Fsi International, Inc. Compact duct system incorporating moveable and nestable baffles for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids
JP4527660B2 (ja) * 2005-06-23 2010-08-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
US7435692B2 (en) 2005-10-19 2008-10-14 Tokyo Electron Limited Gas jet reduction of iso-dense field thickness bias for gapfill process
JP2007158161A (ja) * 2005-12-07 2007-06-21 Elpida Memory Inc ウエハ洗浄装置及びウエハ洗浄方法
JP2007180426A (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP4704916B2 (ja) * 2006-01-06 2011-06-22 積水化学工業株式会社 基材外周処理装置及び方法
KR101019445B1 (ko) * 2006-04-18 2011-03-07 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액 처리 장치
JP2009543338A (ja) * 2006-07-07 2009-12-03 エフエスアイ インターナショナル インコーポレーテッド １つ以上の処理流体によりマイクロエレクトロニクス半製品を処理するために用いられる道具において使われる隔壁構造およびノズル装置
KR100797079B1 (ko) * 2006-07-12 2008-01-22 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP4708286B2 (ja) * 2006-08-11 2011-06-22 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
KR100816740B1 (ko) * 2006-08-30 2008-03-27 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
US8945970B2 (en) * 2006-09-22 2015-02-03 Carnegie Mellon University Assembling and applying nano-electro-mechanical systems
JP5143498B2 (ja) * 2006-10-06 2013-02-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置、プログラムならびに記録媒体
JP5038695B2 (ja) * 2006-11-30 2012-10-03 東京応化工業株式会社 処理装置および表面処理治具
WO2008083002A1 (en) * 2006-12-26 2008-07-10 Fujifilm Dimatix, Inc. Printing system with conductive element
JP5014811B2 (ja) * 2007-01-22 2012-08-29 東京エレクトロン株式会社 基板の処理方法
WO2009003343A1 (en) * 2007-07-05 2009-01-08 Acm Research (Shanghai) Inc. Methods and apparatus for cleaning semiconductor wafers
KR101060664B1 (ko) * 2007-08-07 2011-08-31 에프에스아이 인터내쇼날 인크. 하나 이상의 처리유체로 전자소자를 처리하는 장비의 배리어 판 및 벤튜리 시스템의 세정방법 및 관련 장치
JP4931738B2 (ja) * 2007-08-30 2012-05-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
KR100897547B1 (ko) * 2007-11-05 2009-05-15 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR100889953B1 (ko) * 2007-12-10 2009-03-20 삼성전기주식회사 에칭 장치
JP5352103B2 (ja) * 2008-03-27 2013-11-27 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置および処理システム
KR20130083940A (ko) 2008-05-09 2013-07-23 티이엘 에프에스아이, 인코포레이티드 개방 동작 모드와 폐쇄 동작 모드사이를 용이하게 변경하는 처리실 설계를 이용하여 마이크로일렉트로닉 워크피이스를 처리하는 공구 및 방법
JP5031671B2 (ja) * 2008-06-03 2012-09-19 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法および記憶媒体
JP5156661B2 (ja) 2009-02-12 2013-03-06 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
JP2012084789A (ja) * 2010-10-14 2012-04-26 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
CN102049730B (zh) * 2010-12-29 2012-02-15 清华大学 一种用于化学机械抛光设备的晶圆交换装置
JP5789546B2 (ja) * 2011-04-26 2015-10-07 東京エレクトロン株式会社 塗布処理装置、塗布現像処理システム、並びに塗布処理方法及びその塗布処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
JP5975563B2 (ja) * 2012-03-30 2016-08-23 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
KR101512560B1 (ko) 2012-08-31 2015-04-15 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판처리장치
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
CN103811377B (zh) * 2012-11-09 2016-06-15 沈阳芯源微电子设备有限公司 一种液体涂敷切边装置
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
TWI569349B (zh) * 2013-09-27 2017-02-01 斯克林集團公司 基板處理裝置及基板處理方法
JP6281161B2 (ja) * 2013-09-27 2018-02-21 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP6275984B2 (ja) * 2013-09-27 2018-02-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
KR101673061B1 (ko) 2013-12-03 2016-11-04 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
CN109461685B (zh) 2014-02-27 2022-03-08 株式会社思可林集团 基板处理装置
CN108198748B (zh) 2014-02-27 2022-04-29 斯克林集团公司 基板处理装置
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9590371B2 (en) * 2014-03-31 2017-03-07 Eaton Corporation Assemblies for selectable mounting of power input cables and related systems and methods
SG10201503374QA (en) * 2014-04-30 2015-11-27 Ebara Corp Substrate Polishing Apparatus
CN104045242B (zh) * 2014-06-26 2016-02-24 深圳市华星光电技术有限公司 玻璃基板的蚀刻方法及蚀刻浸泡装置
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
JP6116629B2 (ja) * 2015-08-11 2017-04-19 株式会社ハーモテック 吸引装置
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
JP2018125499A (ja) * 2017-02-03 2018-08-09 東芝メモリ株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
USD876504S1 (en) 2017-04-03 2020-02-25 Asm Ip Holding B.V. Exhaust flow control ring for semiconductor deposition apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
KR102417931B1 (ko) * 2017-05-30 2022-07-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
JP7000054B2 (ja) * 2017-07-12 2022-01-19 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
CN111316417B (zh) 2017-11-27 2023-12-22 阿斯莫Ip控股公司 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
JP7108424B2 (ja) * 2018-02-20 2022-07-28 株式会社ディスコ 保護膜形成装置
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
KR20210024462A (ko) 2018-06-27 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
JP7166089B2 (ja) * 2018-06-29 2022-11-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理システムおよび基板処理方法
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
JP7176823B2 (ja) * 2018-10-09 2022-11-22 株式会社スギノマシン 洗浄装置、及び、対象物の洗浄及び乾燥方法
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP6979935B2 (ja) * 2018-10-24 2021-12-15 三菱電機株式会社 半導体製造装置および半導体製造方法
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TW202104632A (zh) 2019-02-20 2021-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
TW202115273A (zh) 2019-10-10 2021-04-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210078405A (ko) 2019-12-17 2021-06-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202140831A (zh) 2020-04-24 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0294435A (ja) 1988-09-29 1990-04-05 Nec Corp エッチング装置
JPH02130922A (ja) 1988-11-11 1990-05-18 Toshiba Corp 半導体基板エッチング装置
JP2591555B2 (ja) * 1991-12-20 1997-03-19 東京応化工業株式会社 塗布装置
JP3248970B2 (ja) * 1993-01-11 2002-01-21 大日本スクリーン製造株式会社 基板端縁洗浄装置
JPH06338451A (ja) * 1993-05-28 1994-12-06 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US5608943A (en) * 1993-08-23 1997-03-11 Tokyo Electron Limited Apparatus for removing process liquid
JPH07106240A (ja) 1993-10-01 1995-04-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板端縁処理装置
JP3200291B2 (ja) 1993-10-29 2001-08-20 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置
US5575079A (en) 1993-10-29 1996-11-19 Tokyo Electron Limited Substrate drying apparatus and substrate drying method
JPH07211677A (ja) 1993-11-30 1995-08-11 M Setetsuku Kk 基板のスクラビング方法とその装置
JP2793504B2 (ja) * 1994-05-27 1998-09-03 日本電気株式会社 基板の洗浄方法および洗浄装置
JP3326656B2 (ja) 1994-10-31 2002-09-24 ソニー株式会社 回転式半導体基板処理装置及び回転式半導体基板処理方法
JPH08262559A (ja) * 1995-03-22 1996-10-11 Fuji Photo Optical Co Ltd カメラ
JP3227642B2 (ja) * 1995-10-13 2001-11-12 東京エレクトロン株式会社 塗布装置
JP3474055B2 (ja) 1996-06-13 2003-12-08 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP3300624B2 (ja) * 1997-01-24 2002-07-08 東京エレクトロン株式会社 基板端面の洗浄方法
JP4271267B2 (ja) 1997-02-14 2009-06-03 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法
JPH10303101A (ja) 1997-04-25 1998-11-13 Sony Corp レジスト塗布装置
JPH10303169A (ja) 1997-04-30 1998-11-13 Shibaura Eng Works Co Ltd スピン処理装置
JPH10314686A (ja) * 1997-05-16 1998-12-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板洗浄方法および基板洗浄装置
JP3555724B2 (ja) * 1997-09-04 2004-08-18 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US6491764B2 (en) * 1997-09-24 2002-12-10 Interuniversitair Microelektronics Centrum (Imec) Method and apparatus for removing a liquid from a surface of a rotating substrate
JP3876059B2 (ja) 1997-09-29 2007-01-31 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および周辺部材の洗浄方法
JP4036513B2 (ja) * 1997-12-09 2008-01-23 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP3333733B2 (ja) * 1998-02-20 2002-10-15 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置
JP3381776B2 (ja) * 1998-05-19 2003-03-04 東京エレクトロン株式会社 処理装置および処理方法
US6106618A (en) * 1998-06-01 2000-08-22 Advanced Micro Devices, Inc. Photoresist application for a circlet wafer
US6416583B1 (en) * 1998-06-19 2002-07-09 Tokyo Electron Limited Film forming apparatus and film forming method
JP2000084503A (ja) 1998-07-13 2000-03-28 Kokusai Electric Co Ltd 被処理物の流体処理方法及びその装置
JP3698567B2 (ja) 1998-10-23 2005-09-21 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US6136163A (en) * 1999-03-05 2000-10-24 Applied Materials, Inc. Apparatus for electro-chemical deposition with thermal anneal chamber
JP3395696B2 (ja) * 1999-03-15 2003-04-14 日本電気株式会社 ウェハ処理装置およびウェハ処理方法
US6585876B2 (en) 1999-04-08 2003-07-01 Applied Materials Inc. Flow diffuser to be used in electro-chemical plating system and method
JP3322853B2 (ja) 1999-08-10 2002-09-09 株式会社プレテック 基板の乾燥装置および洗浄装置並びに乾燥方法および洗浄方法
TW480584B (en) * 1999-08-17 2002-03-21 Tokyo Electron Ltd Solution processing apparatus and method
TW504776B (en) * 1999-09-09 2002-10-01 Mimasu Semiconductor Ind Co Wafer rotary holding apparatus and wafer surface treatment apparatus with waste liquid recovery mechanism
US6379235B1 (en) * 1999-10-27 2002-04-30 Strausbaugh Wafer support for chemical mechanical planarization
KR100366615B1 (ko) * 1999-11-15 2003-01-06 삼성전자 주식회사 케미컬 공급노즐을 구비한 스피너장비, 이를 이용한 패턴형성방법 및 식각 방법
JP2001149843A (ja) 1999-11-25 2001-06-05 Shibaura Mechatronics Corp スピン処理装置及びその方法
JP3286286B2 (ja) 1999-11-26 2002-05-27 島田理化工業株式会社 洗浄装置
US6225235B1 (en) * 2000-02-18 2001-05-01 Horst Kunze-Concewitz Method and device for cleaning and etching individual wafers using wet chemistry
JP3405312B2 (ja) * 2000-02-25 2003-05-12 日本電気株式会社 塗布膜除去装置
JP3792986B2 (ja) * 2000-04-11 2006-07-05 東京エレクトロン株式会社 膜形成方法及び膜形成装置
US6827814B2 (en) * 2000-05-08 2004-12-07 Tokyo Electron Limited Processing apparatus, processing system and processing method
JP2002176020A (ja) * 2000-09-04 2002-06-21 Sony Corp 基板処理装置および基板処理方法、ならびにデバイス製品の製造方法
JP3745214B2 (ja) * 2000-09-27 2006-02-15 大日本スクリーン製造株式会社 ベベルエッチング装置およびベベルエッチング方法
US6688784B1 (en) * 2000-10-25 2004-02-10 Advanced Micro Devices, Inc. Parallel plate development with multiple holes in top plate for control of developer flow and pressure
US7086933B2 (en) * 2002-04-22 2006-08-08 Applied Materials, Inc. Flexible polishing fluid delivery system
JP3944368B2 (ja) * 2001-09-05 2007-07-11 株式会社荏原製作所 基板処理装置及び基板処理方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100708037B1 (ko) * 2003-12-24 2007-04-16 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 유체공급노즐, 기판처리장치 및 기판처리방법
KR100816982B1 (ko) * 2005-12-27 2008-03-27 다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP2003045839A (ja) 2003-02-14
US7332055B2 (en) 2008-02-19
US7862680B2 (en) 2011-01-04
US20080210278A1 (en) 2008-09-04
KR100827796B1 (ko) 2008-05-07
JP3958539B2 (ja) 2007-08-15
US20060130968A1 (en) 2006-06-22
US7543593B2 (en) 2009-06-09
US20030024645A1 (en) 2003-02-06

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