KR100816982B1 - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤
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Abstract

소량의 처리액으로 기판 상면 전체를 균일하게 처리할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공한다.
다공 노즐(32)로부터 기판(W)의 회전 방향(A)을 따라 기판(W)의 상면에 대해서 비스듬히 위쪽에서 배열 방향(X)을 따라 열(列)형상으로 처리액을 토출시킨다. 또한, 기판(W)의 회전 반경 방향으로 신장하는 선을 회전 반경선으로 했을 때, 기판(W)의 상면에 착액(着液)하는 열형상 처리액을 구성하는 처리액(액적)의 각각의 착액 위치가, 회전 반경선(RL) 상에서 회전 반경선(RL)에 직교하는 오프셋 방향(Y)으로 소정의 거리(S1)만큼 어긋나도록, 다공 노즐(32)에서 처리액을 토출시킨다. 그 한편으로, 중심 처리 노즐(33)에서 기판(W)의 회전 중심(A0)을 향해 처리액을 토출시켜, 기판(W)의 중심부에 처리액을 공급한다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}
도 1은 이 발명에 따른 기판 처리 장치의 제1 실시 형태를 도시하는 도면,
도 2는 액 토출 노즐부의 구성 및 액 토출 노즐부에서 토출된 처리액의 기판 상면에 있어서의 착액 위치를 도시하는 사시도,
도 3은 액 토출 노즐부의 구성 및 액 토출 노즐부에서 토출된 처리액의 기판 상면에 있어서의 착액 위치를 도시하는 평면도,
도 4는 다공 노즐에서 토출되는 처리액의 토출 방향을 설명하기 위한 도면,
도 5는 다공 노즐에서 토출되어 기판 상면에 착액한 약액에 작용하는 힘의 방향을 도시한 모식도,
도 6은 이 발명에 따른 기판 처리 장치의 제2 실시 형태를 도시하는 도면,
도 7은 도 6의 기판 처리 장치의 주요부 확대도,
도 8은 이 발명에 따른 기판 처리 장치의 제3 실시 형태를 도시하는 도면이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1…기판 유지부(기판 유지 수단)
2…회전 구동부(회전 구동 수단)
32…다공 노즐(제1 토출 수단)
33, 35…중심 처리 노즐(제2 토출 수단)
34…다공 노즐(토출 수단)
321a, 341a…복수의 토출구멍
A…(기판의) 회전 방향
A0…(기판의) 회전 중심
CL…오프셋 방향으로 신장하는 선
L1, L2…열(列)형상 처리액의 배열 방향에 있어서의 길이
RL…회전 반경선
W…기판
W1∼W4…(기판의 회전 중심을 통해 오프셋 방향으로 신장하는 선과 회전 반경선으로 기판 상면을 분할하여 규정되는) 4개의 사분면
X…배열 방향
+X…회전 반경선 중 기판의 회전 중심에 대해서 한 방향쪽
-X…회전 반경선 중 기판의 회전 중심에 대해서 다른 방향쪽
Y…오프셋 방향
본 발명은, 기판을 회전시키면서 상기 기판에 처리액을 공급함으로써 기판에 소정의 처리를 실시하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다. 또한, 기판에는 반도체 웨이퍼, 포토마스크용 유리 기판, 액정 표시용 유리 기판, 플라즈마 표시용 유리 기판, 광 디스크용 기판 등의 각종 기판이 포함된다.
반도체 장치나 액정 표시 장치 등의 제조 공정에서는, 기판에 처리액으로서 불산 등의 약액을 공급함으로써 기판 상에 원치 않게 형성되는 박막(불요물)을 에칭 제거하는 것이 행해지는 경우가 있다. 그래서, 이러한 기판 상에 형성된 박막을 제거하기 위해서, 예를 들면 특허 문헌 1에 기재된 기판 처리 장치가 제안되어 있다.
이 기판 처리 장치에서는, 기판 유지부에 의해 기판이 거의 수평인 상태로 유지된다. 기판 유지부에는, 연직 방향으로 신장하는 회전축이 장착되어 있고, 이 회전축을 모터로 구동함으로써, 기판 중심과 회전축을 거의 일치시킨 상태로, 기판 유지부가 기판을 유지한 채로 회전하여 기판을 회전시키고 있다. 또, 기판 유지부에 의해 유지된 기판의 위쪽에는, 약액 공급 노즐이 배치되어 있고, 기판 중심(기판의 상면의 회전 중심) 부근에 약액을 공급한다. 이 때, 기판 상면의 중심 부근에 공급된 약액은, 기판의 회전에 따른 원심력의 작용에 의해 확산되어 기판 상면 전체에 골고루 퍼져, 기판에 대한 에칭 처리가 실행된다.
(특허 문헌 1) 일본 특개 2001-237214호 공보(도 1)
그런데, 상기와 같이 기판에 대해서 에칭 처리할 때에는, 기판 상면의 면 내를 균일하게 에칭 처리하는 것이 요구된다. 그래서, 기판 상면의 에칭 처리의 면 내 균일성을 높이기 위해서, 기판 상면의 각 부에 약액을 신속하게 골고루 퍼지게 하는, 요컨대 기판 상면의 각 부에 각각 약액이 공급될 때까지의 시간 차를 적게 하는 것과, 기판 상면의 각 부에 공급되는 약액량을 균일하게 하는 것이 중요해지고 있다.
그러나, 종래 장치에서는, 약액 공급 노즐에서 기판 중심 부근에 공급된 약액을 원심력의 작용에 의해 확산시켜 기판의 단 가장자리부에 약액을 공급하고 있기 때문에, 기판 중심 부근에 약액이 공급될 때까지의 시간과 기판의 단 가장자리부에 약액이 공급될 때까지의 시간의 사이에 시간 차가 발생하고 있었다. 특히, 기판이 액정 표시용 유리 기판과 같은 각형 기판인 경우에는, 각형 기판의 중심 부근과, 각형 기판의 각부(4모서리의 부분)에서는, 약액이 공급될 때까지의 시간에 큰 시간 차가 발생하고 있었다. 또, 약액 공급 노즐에서 기판 중심 부근에 공급한 약액을 기판의 단 가장자리부로 확산시키고 있기 때문에, 기판 중심부에 공급되는 단위 면적당의 약액량에 대해서 기판의 단 가장자리부에 공급되는 단위 면적당의 약액량이 적어지고 있었다. 이러한 결과, 종래 장치에서는, 기판 상면 전체를 균일하게 처리하는 것이 저해되고 있었다.
그래서, 종래 장치에 있어서, 처리의 균일성을 높이기 위해서, 다음과 같은 것을 생각할 수 있다. 즉, 기판의 단 가장자리부에도 처리에 필요한 만큼의 약액이 충분히 공급되도록 기판 상면에 공급하는 약액량을 늘리는 것을 생각할 수 있다. 그러나, 이와 같이 약액 소비량을 증가시키는 것은 그대로 러닝 코스트의 증대에 직결하는 동시에, 기판에서 배출되는 약액의 배액 처리에 요하는 설비에도 상 응하는 부담을 주게 되어, 바람직하지 않다. 또, 기판의 회전 속도를 높이고, 기판 중심 부근에 공급된 약액을 기판의 단 가장자리부에 신속하게 확산시키는 것도 생각할 수 있지만, 기판의 고속 회전에 대응하기 위해서 장치 구성이 복잡해지는 것 외에, 장치의 구성 부품에 내구성이 더욱 요구되어 현실적이지 않다. 특히, 기판 사이즈가 대형화해 가면, 기판 중심에서 기판의 단 가장자리까지의 거리가 길어져 버려, 기판의 회전 속도를 높여 처리의 균일화를 도모해 가는 데에도 한계가 있다.
한편, 기판에 공급하는 약액량 및/또는 기판의 회전 속도를 증가시키지 않고, 처리의 균일성을 높이는 방법으로서, 약액 공급 노즐을 기판 상면에 대향시키면서, 수평 자세로 회전되는 기판에 대해서 약액 공급 노즐을 수평 이동시키는 것도 생각할 수 있다. 구체적으로는, 약액 공급 노즐에서 약액을 공급하면서, 약액 공급 노즐을 기판 중심부에 대응하는 위치와 기판의 단 가장자리부에 대응하는 위치의 사이에서 왕복 이동시킴으로써, 처리의 균일화를 도모하는 것을 생각할 수 있다. 그러나, 이 경우, 예를 들면 약액 공급 노즐이 기판의 단 가장자리부에 약액을 공급하고 있을 때에는, 기판 중심부에는 약액이 공급되지 않고, 또, 원심력에 의해 기판 중심에서 단 가장자리부로 약액이 흐르기 때문에, 기판 중심부가 부분적으로 건조해 버린다는 문제가 있었다. 그 결과, 오히려, 처리의 균일성을 열화시키게 되고 있었다.
이 발명은 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 소량의 처리액으로 기판 상면 전체를 균일하게 처리할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하 는 것을 목적으로 한다.
이 발명에 따른 기판 처리 장치의 한 형태는, 기판을 대략 수평 자세로 회전시키면서 상기 기판에 처리액을 공급하여 기판에 대해서 소정의 처리를 실시하는 기판 처리 장치로서, 상기 목적을 달성하기 위해서, 기판을 대략 수평 자세로 유지하는 기판 유지 수단과, 기판 유지 수단을 회전 구동하여 기판을 소정의 회전 중심 둘레로 회전시키는 회전 구동 수단과, 회전 구동 수단에 의해 회전되는 기판의 상면을 향해, 기판의 회전 반경 방향으로 대략 평행한 소정의 배열 방향을 따라 열(列)형상으로 처리액을 토출하는 제1 토출 수단과, 기판 상면의 회전 중심을 향해 처리액을 토출하는 제2 토출 수단을 구비하고, 기판의 회전 중심을 통해 기판의 회전 반경 방향으로 신장하는 선을 회전 반경선으로 했을 때, 제1 토출 수단에서 토출되어 기판 상면에 착액하는 열형상 처리액을 구성하는 처리액의 각각의 착액 위치가, 회전 반경선 상으로부터 상기 회전 반경선에 직교하는 오프셋 방향을 따라 소정의 거리만큼 어긋나 있는 것을 특징으로 하고 있다.
또, 이 발명에 따른 기판 처리 방법의 한 형태는, 기판을 대략 수평 자세로 회전시키면서 상기 기판에 처리액을 공급하여 기판에 대해서 소정의 처리를 실시하는 기판 처리 방법으로서, 상기 목적을 달성하기 위해서, 기판을 대략 수평 자세로 소정의 회전 중심 둘레로 회전시키는 기판 회전 공정과, 기판 회전 공정 중에 제1 토출 수단에서 기판의 상면을 향해 기판의 회전 반경 방향으로 대략 평행한 소정의 배열 방향을 따라 열형상으로 처리액을 토출하면서, 제2 토출 수단에서 기판 상면 의 회전 중심을 향해 처리액을 토출하는 공정을 구비하고, 기판의 회전 중심을 통해 기판의 회전 반경 방향으로 신장하는 선을 회전 반경선으로 했을 때, 제1 토출 수단에서 토출되어 기판 상면에 착액하는 열형상 처리액을 구성하는 처리액의 각각의 착액 위치가, 회전 반경선 상으로부터 상기 회전 반경선에 직교하는 오프셋 방향으로 소정의 거리만큼 어긋나 있는 것을 특징으로 하고 있다.
이와 같이 구성된 발명(기판 처리 장치 및 방법)에서는, 기판 상면을 향해 제1 토출 수단으로부터 기판의 회전 반경 방향으로 대략 평행한 방향을 따라 열형상으로 처리액(열형상 처리액)을 토출하고 있기 때문에, 비교적 광범위에 걸쳐 처리액이 기판 상면에 동시에 착액한다. 따라서, 기판 상면의 각 부에 처리액이 공급될 때까지의 시간 차를 최소한으로 억제하여 기판 상면의 각 부에 소정량의 처리액을 공급할 수 있다. 또한, 열형상 처리액을 구성하는 처리액의 각각의 착액 위치를, 기판의 회전 중심을 통해 기판의 회전 반경 방향으로 신장하는 회전 반경선 상이 아니라, 상기 회전 반경선 상으로부터 회전 반경선에 직교하는 방향(오프셋 방향)을 따라 소정의 거리만큼 어긋나게 하고 있다. 이와 같이 열형상 처리액을 착액시킴으로써, 다음과 같은 이점을 갖는다. 즉, 기판 상면에 착액한 처리액은, 기판의 회전에 따른 기판의 회전 방향과 반대 방향으로 작용하는 반작용의 힘과, 회전 반경 방향으로 작용하는 원심력이 합성된 벡터에 따른 방향 및 힘의 크기에 따라 기판 상면을 흘러, 기판 바같으로 배출되어 간다. 여기에서, 열형상 처리액을 구성하는 처리액의 각각을 회전 반경선 상에 착액시킨 경우에는, 열형상 처리액을 구성하는 각 처리액(액적)에 작용하는 원심력의 방향(회전 반경 방향)은, 모두 동일 방향이 된다. 그 한편으로, 본원 발명과 같이 열형상 처리액을 구성하는 처리액의 각각을 회전 반경선 상으로부터 어긋나게 하여 착액시킴으로써, 열형상 처리액을 구성하는 처리액의 각각에 작용하는 원심력의 방향(회전 반경 방향)은, 서로 상이한 방향이 된다. 그 결과, 기판 상면에 착액한 후의 처리액(액적)의 궤적이 서로 달라, 기판 상면에 있어서의 처리액의 균일 분산이 촉진된다.
또한, 이 발명에 의하면, 제1 토출 수단에 더해 제2 토출 수단을 설치하고, 상기 제2 토출 수단으로부터 기판 상면의 회전 중심을 향해 처리액을 토출하고 있다. 이 때문에, 제1 토출 수단에서 토출되어 기판 상면에 착액한 처리액을 기판의 회전 중심으로 충분히 공급할 수 없는, 혹은 기판 상면에 착액한 처리액의 궤적이 기판의 회전 중심을 벗어난 경우에도, 제2 토출 수단에 의해 토출되는 처리액에 의해, 기판의 회전 중심에 처리액을 공급하여 기판 중심부를 확실하게 처리할 수 있다. 또한, 제1 및 제2 토출 수단은, 각각 별체로 구성하여 개별적으로 배치하도록 해도 되고, 일체적으로 구성하여 배치하도록 해도 된다.
이와 같이, 이 발명에 의하면, 제2 토출 수단에서 토출되는 처리액에 의해 기판 중심부를 확실하게 처리하면서도, 제1 토출 수단에서 토출되는 열형상 처리액에 의해 기판 상면의 각 부에 신속하게 처리액을 공급할 수 있어, 기판 상면을 균일하게 처리하는 것이 가능해지고 있다. 따라서, 기판 상면에 공급하는 처리액의 양을 증가시키지 않고, 소량의 처리액으로 기판 상면 전체를 균일하게 하여 처리할 수 있다.
여기에서, 기판의 회전 중심을 통해 오프셋 방향으로 신장하는 선과 회전 반 경선으로 기판 상면을 분할하여 규정되는 4개의 사분면 중 어느 하나에 제1 토출 수단에서 토출되는 열형상 처리액의 착액 위치가 한정되도록 해도 된다. 이러한 범위에 열형상 처리액의 착액 위치를 한정해도, 기판의 회전에 의해 기판 상면 전체를 균일하게 처리할 수 있다. 또한, 열형상 처리액의 착액 위치를 한정함으로써, 처리액의 소비량을 효과적으로 저감할 수 있다.
또, 제1 토출 수단에서 토출하는 처리액의 토출 방향은 임의이다. 예를 들면, 기판 상면에 대해서 수직으로 처리액을 토출해도 되고, 기판 상면에 대해서 기판의 회전 방향을 따라 비스듬히 위쪽에서 열형상으로 처리액을 토출하도록 해도 된다. 단, 후자와 같이 처리액을 토출함으로써 다음과 같은 효과가 얻어진다. 즉, 기판의 회전 방향을 따라 처리액을 토출함으로써, 기판 상면에 착액한 처리액은, 기판의 회전에 따른 기판의 회전 방향과 반대 방향으로 작용하는 반작용의 힘과 회전 반경 방향으로 작용하는 원심력을 받으면서도, 회전 방향을 따른 토출 방향에 따라 상기 토출 방향의 전면측으로 확대되어 간다. 따라서, 소량의 처리액으로, 보다 광범위하게 처리액을 균일하게 분산시킬 수 있어, 기판 상면의 각 부에 공급되는 단위 면적당의 처리액의 공급량의 균일성을 한층 더 높일 수 있다. 또, 기판 상면에 수직으로 처리액을 토출하는 경우에 대해서, 기판 상면을 향해 토출되어 기판 상면에 착액하는 처리액이, 기판 상면에 이미 공급된 처리액과 간섭하는 것을 억제할 수 있다. 예를 들면, 기판 상면에 착액하는 처리액과, 기판의 회전과 함께 착액 위치로 이동해 가는 기판 상면에 부착되는 처리액의 충돌에 의해, 기판 상면의 처리액의 액면이 솟아올라, 처리의 균일성을 열화시키는 경우가 있지만, 이러한 현상의 발생을 방지할 수 있다.
또, 제1 토출 수단으로서 기판의 회전 반경 방향으로 대략 평행한 배열 방향을 따라 복수의 토출구멍을 갖는 다공 노즐을 설치하고, 상기 복수의 토출구멍의 각각에서 처리액을 토출하는 것이 바람직하다. 이러한 구성에 의하면, 상기한 배열 방향을 따라 처리액을 열형상으로 기판에 공급할 수 있어, 예를 들면 반도체 웨이퍼와 같은 대략 원형의 기판은 물론, 액정 표시용 유리 기판과 같은 각형 기판에 대해서 처리액을 공급했을 때에 있어서, 처리액을 기판의 단 가장자리부에 확실하게 골고루 퍼지게 할 수 있고, 처리액의 낭비를 억제하면서 균일하게 기판을 처리하는 것이 가능해진다.
여기에서, 직사각형의 각형 기판을 처리하는 경우에는, 제1 토출 수단에서 토출되어 각형 기판의 상면에 착액하는 열형상 처리액의 배열 방향에 있어서의 길이를 각형 기판의 단변의 절반의 길이 이하로 하는 것이 바람직하다. 이러한 구성에 의하면, 회전되는 각형 기판의 상면에 대해서 열형상 처리액을 확실하게 착액시키는 것이 가능해져, 다음과 같은 효과가 얻어진다. 즉, 열형상 처리액의 배열 방향에 있어서의 길이를 각형 기판의 단변의 절반의 길이보다도 길게 하면, 기판의 회전에 따라, 제1 토출 수단에서 토출된 열형상 처리액 중 기판의 단 가장자리측의 처리액의 일부가 기판 상면에 공급되지 않는 상태(예를 들면 열형상 처리액의 배열 방향과 각형 기판의 단변 방향이 평행이 된 경우)가 발생한다. 그 상태에서 기판이 더 회전되면, 각형 기판의 각부(4 모서리)가 제1 토출 수단에서 토출된 기판의 단 가장자리측의 처리액을 옆에서 끊어, 처리액이 튀어 오르게 된다. 이 때문에, 각형 기판의 상면에 대해서 열형상 처리액을 확실하게 착액시킴으로써, 처리액이 튀어 오르는 것을 방지하여, 기판을 균일하게 처리할 수 있다. 특히, 기판 사이즈가 큰 경우에는, 각부의 선속도도 커지기 때문에, 상기와 같이 열형상 처리액의 배열 방향에 있어서의 길이를 설정하는 것이, 처리액이 튀어 오르는 것을 방지하는데 있어서 매우 유효하게 된다.
이 발명에 따른 기판 처리 장치의 다른 형태는, 기판을 대략 수평 자세로 회전시키면서 상기 기판에 처리액을 공급하여 기판에 대해서 소정의 처리를 실시하는 기판 처리 장치로서, 상기 목적을 달성하기 위해서, 기판을 대략 수평 자세로 유지하는 기판 유지 수단과, 기판 유지 수단을 회전 구동하여 기판을 소정의 회전 중심 둘레로 회전시키는 회전 구동 수단과, 회전 구동 수단에 의해 회전되는 기판의 상면을 향해, 기판의 회전 반경 방향으로 대략 평행한 방향을 따라 열형상으로, 또한 기판의 회전 방향을 따라 기판 상면에 대해서 비스듬히 위쪽에서 처리액을 토출하는 토출 수단을 구비하고, 토출 수단에서 토출되어 기판 상면에 착액하는 열형상 처리액을 구성하는 처리액의 각각의 착액 위치는, 기판의 회전 중심을 통해 기판의 회전 반경 방향으로 신장하는 선을 회전 반경선으로 했을 때, 기판 상면에 있어서 이하의 제1 및 제2 조건을 만족하는 것을 특징으로 하고 있다.
또, 이 발명에 따른 기판 처리 장치의 다른 형태는, 기판을 대략 수평 자세로 회전시키면서 상기 기판에 처리액을 공급하여 기판에 대해서 소정의 처리를 실시하는 기판 처리 방법으로서, 상기 목적을 달성하기 위해서, 기판을 대략 수평 자세로 소정의 회전 중심 둘레로 회전시키는 기판 회전 공정과, 기판 회전 공정 중에 토출 수단에서 기판의 상면을 향해 기판의 회전 반경 방향으로 대략 평행한 소정의 배열 방향을 따라 열형상으로, 또한 기판의 회전 방향을 따라 기판 상면에 대해서 비스듬히 위쪽에서 처리액을 토출하는 공정을 구비하고, 토출 수단에서 토출되어 기판 상면에 착액하는 열형상 처리액을 구성하는 처리액의 각각의 착액 위치는, 기판의 회전 중심을 통해 기판의 회전 반경 방향으로 신장하는 선을 회전 반경선으로 했을 때, 기판 상면에 있어서 이하의 제1 및 제2 조건을 만족하는 것을 특징으로 하고 있다.
여기에서, 제1 조건이란, 회전 반경선 중 기판의 회전 중심에 대해서 한 방향쪽으로 신장하는 선 상으로부터 회전 반경선에 직교하는 오프셋 방향으로 기판의 회전 방향과 반대 방향으로 소정의 거리만큼 어긋나 있는 구성이다. 또, 제2 조건이란, 착액 위치의 기판의 회전 중심측의 단부가, 기판의 회전 중심을 통해 오프셋 방향으로 신장하는 선에 대해서 회전 반경선 중 기판의 회전 중심에 대해서 다른 방향쪽으로 위치하고 있는 구성이다.
이러한 구성에 의하면, 토출 수단에서 기판의 회전 반경 방향으로 대략 평행한 배열 방향을 따라 열형상으로 처리액(열형상 처리액)을 토출하고 있기 때문에, 비교적 광범위에 걸쳐 기판 상면의 각 부에 처리액이 공급될 때까지의 시간 차를 최소한으로 억제하여 처리액을 공급할 수 있다.
또, 제1 조건을 만족함으로써, 기판 상면에 착액한 열형상 처리액을 구성하는 처리액의 액적의 각각에 작용하는 원심력의 방향(회전 반경 방향)은, 서로 상이한 방향이 된다. 그 결과, 기판 상면에 착액한 처리액(액적)의 궤적이 서로 달라, 기판 상면에 있어서의 처리액의 균일 분산이 촉진된다. 또한, 기판의 회전 방향을 따라 처리액을 토출함으로써, 기판 상면에 착액한 처리액은 토출 방향을 따라 상기 토출 방향의 전면측으로 확대되어 간다. 따라서, 소량의 처리액으로, 보다 광범위하게 처리액을 균일하게 분산시킬 수 있다.
또, 제2 조건을 만족함으로써, 기판 상면에 착액한 열형상 처리액 중 기판의 회전 중심측의 단부에 위치하는 처리액은, 기판의 회전 중심을 통과하면서 기판의 단 가장자리측으로 흘러간다. 구체적으로는, 토출 수단으로부터의 토출 방향으로 작용하는 힘 외에, 기판의 회전에 따른 기판의 회전 방향과 반대 방향으로 작용하는 반작용의 힘과, 회전 반경 방향으로 작용하는 원심력을 받으면서 처리액이 기판 중심부에 공급되어, 분산하면서 기판 바깥으로 배출되어 간다.
따라서, 제1 및 제2 조건을 만족함으로써, 기판 중심부를 확실하게 처리하면서도, 열형상 처리액에 의해 기판 상면의 각 부에 신속하게 처리액을 공급할 수 있어, 기판 상면을 균일하게 처리하는 것이 가능해지고 있다. 그 결과, 기판 상면에 공급하는 처리액의 양을 증가시키지 않고, 소량의 처리액으로 기판을 균일하게 하여 처리할 수 있다.
여기에서, 처리액의 낭비를 억제하면서 균일하게 기판을 처리하기 위해서, 토출 수단으로서 기판의 회전 반경 방향으로 대략 평행한 배열 방향을 따라 복수의 토출구멍이 설치된 다공 노즐을 설치하고, 상기 복수의 토출구멍의 각각에서 처리액을 토출하도록 해도 된다.
또, 직사각형의 각형 기판을 처리하는 경우에는, 토출 수단에서 토출되어 기 판 상면에 착액하는 열형상 처리액의 배열 방향에 있어서의 길이 L을 이하의 조건을 만족하도록 설정하는 것이 바람직하다. 요컨대,
L≤Re·sinθ+(Wn/2)
단,
Re…각형 기판의 회전 중심에서 열형상 처리액의 각형 기판의 회전 중심측의 단부 착액 위치까지의 거리,
θ…각형 기판의 회전 중심과 열형상 처리액의 각형 기판의 회전 중심측의 단부 착액 위치를 연결하는 선분과, 각형 기판의 회전 중심을 통해 오프셋 방향으로 신장하는 선이 이루는 각,
Wn…각형 기판의 단변의 길이
로 설정하는 것이 바람직하다.
이러한 구성에 의하면, 회전되는 각형 기판의 상면에 대해서 열형상 처리액을 확실하게 착액시키는 것이 가능해져, 회전되는 각형 기판의 각부(4모서리)가 토출 수단에서 토출된 기판의 단 가장자리측의 처리액을 끊는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 처리액이 튀어 오르는 것을 방지하여, 기판을 균일하게 처리할 수 있다.
(발명의 효과)
이 발명에 의하면, 기판 상면에 열형상으로 처리액을 토출함으로써 비교적 광범위에 걸쳐 기판 상면의 각 부에 처리액이 공급될 때까지의 시간 차를 최소한으로 억제하여 처리액을 공급하고 있다. 또한, 기판 상면에 착액하는 열형상 처리액을 구성하는 처리액의 각각의 착액 위치를 회전 반경선 상으로부터 회전 반경선에 직교하는 오프셋 방향을 따라 소정의 거리만큼 어긋나게 함으로써, 기판 상면에 있어서의 처리액의 균일 분산을 촉진할 수 있다. 또한, 기판 중심을 향해 처리액을 공급함으로써, 기판 중심부를 확실하게 처리하고 있다. 따라서, 기판 중심부를 확실하게 처리하면서도, 열형상 처리액에 의해 기판 상면의 각 부에 신속하게 처리액을 공급할 수 있고, 소량의 처리액으로 기판 상면 전체를 균일하게 하여 처리할 수 있다.
<제1 실시 형태>
도 1은, 이 발명에 따른 기판 처리 장치의 제1 실시 형태를 도시하는 도면이다. 이 기판 처리 장치는, 직사각형의 각형 기판인 LCD용 유리 기판(W)(이하, 간단히 「기판(W)」이라고 한다)에 처리액으로서 희(希)불산 등의 약액을 공급하고, 상기 기판(W)의 상면에 원치 않게 형성된 박막(불요물)을 에칭 제거하는 장치이다. 이 장치는, 도 1에 도시하는 바와 같이, 기판(W)을 대략 수평 자세로 유지하는 기판 유지부(1)(기판 유지 수단)와, 그 기판 유지부(1)를 회전 구동하는 회전 구동부(2)와, 기판 유지부(1)에 유지된 기판(W)의 상면에 처리액을 공급하는 액 토출 노즐부(3)와, 액 토출 노즐부(3)를 상하 방향 및 수평 방향으로 이동시키는 노즐 구동부(4)와, 기판(W)에서 뿌려지는 액체를 회수하는 컵부(5)와, 각각의 장치 각 부를 수납하는 하우징(6)과, 장치 전체를 제어하는 제어부(도시 생략)를 구비하고 있다.
이 기판 유지부(1)는, 기판(W)과 동일한 정도의 평면 사이즈를 갖는 기판 지지판(11)과, 이 기판 지지판(11)의 상면에 고착되어 기판(W)의 둘레 가장자리부를 지지하는 둘레 가장자리 지지핀(12)과, 기판 지지판(11)의 상면에 고착되어 기판(W)의 하면 중앙부를 지지하는 중앙 지지핀(13)을 구비하고 있다. 또, 기판 유지부(1)는, 에칭 처리를 실행하는 것을 고려하여 내약품성 수지로 구성되어 있다.
둘레 가장자리 지지핀(12)은 기판(W)의 4각부에 대응하여 배치된다. 각 둘레 가장자리 지지핀(12)은, 기판(W)의 외주 단 가장자리를 아래쪽에서 지지하는 지지대(121)와, 지지대(121)에 지지된 기판(W)의 외주 단면에 접촉하여 기판(W)의 이동을 규제하는 안내 기립면(122)을 구비하고 있고, 기판(W)의 둘레 가장자리부를 4개소에서 지지하고 있다. 또한, 도 1에서는, 도면이 번잡해지는 것을 피하기 위해서, 2개의 둘레 가장자리 지지핀(12)만을 도시하고 있다. 또, 중앙 지지핀(13)은 기판(W)의 중앙부에 대응하여 기판 지지판(11)에 4개 배치되어 있다. 또한, 중앙 지지핀(13)의 개수는 4개로 한정되는 것은 아니다.
기판 지지판(11)의 하면에는, 속이 비어 있는 통축(21)의 위쪽 단부가 장착되어 있다. 그리고, 이 통축(21)의 아래쪽 단부가 벨트 기구(22)를 통해 모터(23)의 회전 구동력이 전달되도록 구성되어 있다. 이 때문에, 모터(23)를 구동함으로써 기판 지지판(11)에 유지된 기판(W)은 회전 중심(기판(W)의 중심)(A0) 둘레로 회전된다. 이와 같이, 이 실시 형태에서는, 모터(23)와 벨트 기구(22)를 구비하는 회전 구동부(2)가 본 발명의 「회전 구동 수단」으로서 기능하고 있다.
또, 통축(21)은 속이 비어 있는 통형상의 부재로 구성되고, 그 중심을 따라 액 노즐(16)이 배치되어 있다. 그리고, 액 노즐(16)에는, 액 공급관(161)이 관통되고, 이 액 공급관(161)의 상단이 기판(W)의 하면 중앙부를 향하고 있으며, 상단 부에 설치된 노즐구멍(162)으로부터 기판(W)의 하면의 회전 중심 부근으로 처리액으로서 약액이나 세정액을 공급할 수 있도록 구성되어 있다. 또한, 여기에서는, 세정액으로서 순수(純水) 등이 이용되고 있다.
또한, 통축(21)은 기판 지지판(11)의 개구를 향해 연장되고, 기판 지지판(11)에 대해서 위쪽에 위치함으로써 배출구(17)가 개구되어 있다. 또, 통축(21)과 액 노즐(16)의 간극은 유량 조정 밸브(86a)를 통해 배관(86)이 대기압 분위기에 개방되도록 구성되어 있다. 그리고, 배출구(17)에 있어서, 이 액 노즐(16)의 측면과 통축(21) 내주면의 간극에서 대기압 분위기로부터의 에어가 토출된다. 또, 액 노즐(16)의 선단부에는 단면 T자 형상으로 형성되고, 평탄한 상면의 중앙부에 처리액의 노즐구멍(162)이 개구된다.
액 노즐(16)은 배관(80)에 접속되어 있다. 이 배관(80)의 기단부(基端部)는 2개로 분기되어 있고, 제1 분기 배관(80a)에는 약액 공급원(81)이 접속되며, 제2 분기 배관(80b)에는 순수 공급원(82)이 접속되어 있다. 각 분기 배관(80a, 80b)에는 개폐밸브(83a, 83b)가 각각 설치되어 있다. 그리고, 제어부로부터의 개폐 지령에 따라 개폐밸브(83b)를 열고, 개폐밸브(83a)를 닫음으로써, 세정액(순수)이 배관(80)을 통해 액 노즐(16)에 압송되어 액 노즐(16)의 노즐구멍(162)으로부터 기판(W)의 하면을 향해 공급된다. 또, 제어부로부터의 개폐 지령에 따라 개폐밸브(83a)를 열고, 개폐밸브(83b)를 닫음으로써, 액 노즐(16)의 노즐구멍(162)으로부터 기판(W)의 하면을 향해 약액을 공급할 수 있도록 되어 있다.
또, 기체 공급로(163)는, 액 노즐(16) 내에 설치되는 동시에, 그 하단부는, 개폐밸브(84a)가 설치된 배관(84)을 통해 기체 공급원(85)에 연통 접속되어 있고, 기체 공급로(163)의 상단부의 토출구에서 기판 지지판(11)과 기판(W)의 하면 사이의 공간에, 청정한 공기나 청정한 불활성 가스(질소 가스 등) 등의 청정한 기체를 공급할 수 있도록 구성되어 있다.
모터(23)나 벨트 기구(22) 등은, 이 기판 처리 장치의 바닥판으로서의 베이스 부재(61) 상에 설치된 원통형의 케이싱(62) 내에 수용되어 있다. 이 케이싱(62)이, 통축(21)의 외주면에 베어링(63)을 통해 접속되어, 통축(21)을 덮는 상태가 된다. 즉, 모터(23)로부터 기판 지지판(11)에 접속하기 직전까지의 통축(21)의 주위를 케이싱(62)으로 덮고, 이에 따라 통축(21)에 아래쪽에 장착된 모터(23)도 커버로 덮은 상태로 한다.
액 토출 노즐부(3)는, 노즐 본체(30)를 구비하고 있고, 노즐 본체(30)가 기판 유지부(1)에 유지된 기판(W)의 위쪽에 상하 방향 및 수평 방향으로 이동 자유롭게 배치되어 있다. 노즐 본체(30)는 지지 아암(7)의 선단부에 장착되어 있고, 이 지지 아암(7)의 타단부에는 노즐 구동부(4)가 연결되어 있다. 그 때문에, 노즐 구동부(4)가 구동됨으로써, 노즐 본체(30)를 후술하는 처리 위치와, 기판 반송 수단(도시하지 않음)에 의해 기판(W)을 반입출할 때에 기판 유지부(1)에서 퇴피한 퇴피 위치의 사이에서 이동 가능하게 구성되어 있다. 노즐 구동부(4)는, 노즐 본체(30)와 지지 아암(7)을 일체적으로 수평 이동시키는 수평 이동 구동원(41)과, 노즐 본체(30)와 지지 아암(7)을 일체적으로 상하 방향으로 승강시키는 승강 구동원(42)을 구비하고 있다. 이러한 구성에 의해, 노즐 본체(30)를, 수평 이동 구동원(41)의 구동에 의해 기판(W)의 상면에 평행하게 수평 이동시키는 동시에, 승강 구동원(42)의 구동에 의해 상하 이동시키는 것이 가능해지고 있다.
액 토출 노즐부(3)는, 액 노즐(16)측과 동일하게 하여 약액과 세정액을 선택적으로 전환하여 기판(W)의 상면에 공급할 수 있도록 되어 있다. 즉, 노즐 본체(30)에는, 액 공급관(31)이 접속되고, 액 공급관(31)에서 노즐 본체(30)에 압송되는 처리액을 노즐 본체(30)에서 기판 유지부(1)에 유지된 기판(W)의 상면에 공급할 수 있도록 구성되어 있다. 이 액 공급관(31)은 배관(87)에 접속되어 있다. 그리고, 이 배관(87)의 기단부는 2개로 분기되어 있으며, 제1 분기 배관(87a)에는 약액 공급원(81)이 접속되고, 제2 분기 배관(87b)에는 순수 공급원(82)이 접속되어 있다. 분기 배관(87a, 87b)에는 개폐밸브(88a, 88b)가 각각 설치되어 있다. 그리고, 제어부로부터의 개폐 지령에 따라 개폐밸브(88b)를 열고, 개폐밸브(88a)를 닫음으로써 세정액(순수)이 노즐 본체(30)에서 기판(W)의 상면을 향해 공급된다. 또, 제어부로부터의 개폐 지령에 따라 개폐밸브(88a)를 열고, 개폐밸브(88b)를 닫음으로써, 노즐 본체(30)에서 기판(W)의 상면을 향해 약액을 공급할 수 있도록 되어 있다.
도 2는, 액 토출 노즐부의 구성 및 액 토출 노즐부에서 토출된 처리액의 기판 상면에 있어서의 착액 위치를 도시하는 사시도이고, 도 3은 그 평면도이다. 구체적으로는, 이들 도 2 및 도 3은, 노즐 구동부(4)의 구동에 의해 액 토출 노즐부(3)가 기판(W)의 바로 위쪽의 처리 위치에 위치 결정되고, 상기 처리 위치에서 액 토출 노즐부(3)로부터 기판(W)의 상면을 향해 처리액을 토출하고 있는 모양을 나타 내고 있다.
노즐 본체(30)는, 기판(W)의 회전 반경 방향으로 대략 평행한 배열 방향(X)((+X)방향 및 (-X)방향)으로 신장하는 통형상으로 구성되어 있고, 다공 노즐(32)과 중심 처리 노즐(33)을 구비하고 있다. 다공 노즐(32)과 중심 처리 노즐(33)은 기판(W)의 배열 방향(X)을 따라 결합되어, 일체적으로 구성되어 있다. 요컨대, 액 공급관(31)에서 노즐 본체(30)로 처리액이 압송됨으로써, 다공 노즐(32)과 중심 처리 노즐(33)로부터 처리액이 기판(W)의 상면을 향해 토출되도록 구성되어 있다.
다공 노즐(32)에는, 배열 방향 X를 따라 일렬로 복수의 토출관(321)이 등간격으로 설치되어 있다. 이러한 토출관(321)은 각각, 토출관(321)에서 토출되는 처리액의 직진성을 높이기 위해서 후술하는 토출 방향을 따라 연장된 가는 원통형상으로 구성되어 있다. 이에 따라, 각 토출관(321)에서 토출되어 기판(W)의 상면에 처리액이 착액하는 착액 위치가 서로 겹쳐, 서로 간섭하는 것을 방지할 수 있다. 또, 토출관(321)의 선단에 개구된 토출구멍(321a)의 개구직경은, 처리액의 유량(토출량)을 줄이는 목적으로부터 φ1∼2mm 정도로 되어 있다. 따라서, 액 공급관(31)에서 노즐 본체(30)에 처리액이 압송되면, 복수의 토출관(321)의 각각의 토출구멍(321a)에서 처리액이 일제히 토출 방향을 따라 토출되어, 기판(W)의 상면에 배열 방향 X를 따라 일렬로 처리액이 공급된다. 이와 같이, 이 실시 형태에서는, 다공 노즐(32)이, 본 발명의「제1 토출 수단」으로서 기능하고 있다.
한편, 중심 처리 노즐(33)에는, 토출관(331)이 연장되어 있고, 토출관(331) 의 선단에 개구된 토출구멍(331a)은, 기판(W)의 상면 중심(회전 중심(A0))으로 향해지고 있다. 이 때문에, 액 공급관(31)에서 노즐 본체(30)에 처리액이 압송되면, 토출구멍(331a)에서 기판(W)의 회전 중심(A0)을 향해 처리액이 토출되어, 기판(W)의 중심부에 처리액이 공급된다. 이와 같이, 이 실시 형태에서는, 중심 처리 노즐(33)이, 본 발명의「제2 토출 수단」으로서 기능하고 있다.
도 4는, 다공 노즐에서 토출되는 처리액의 토출 방향을 설명하기 위한 도면이다. 다공 노즐(32)의 각 토출관(321)에서 토출되는 처리액은, 기판(W)의 회전 방향(A)을 따라 기판(W)의 상면에 대해서 비스듬히 위쪽에서 입사된다. 이 때, 기판(W)의 상면과 처리액의 토출 방향 F가 이루는 각 α는, 대체로 30°∼60°로 설정된다. 이와 같이, 처리액을 토출시킴으로써, 기판(W)의 상면에 착액한 처리액은, 기판(W)의 회전에 따른 기판의 회전 방향 A와 반대 방향으로 작용하는 반작용의 힘과 회전 반경 방향으로 작용하는 원심력을 받으면서도, 회전 방향 A를 따른 토출 방향 F에 따라 상기 토출 방향(F)의 전면측으로 확대되어 간다.
다음에, 도 2 및 도 3으로 되돌아가 다공 노즐(32)에서 토출된 처리액의 기판(W)의 상면에 있어서의 착액 위치에 대해 설명한다. 여기에서는, 기판(W)의 회전 중심(A0)을 통해 기판(W)의 회전 반경 방향으로 신장하는 임의의 가상선 중, 노즐 본체(30)의 배열 방향(X방향)으로 평행한 가상선을 회전 반경선(RL)으로 하고, 상기 회전 반경선(RL)을 기준으로 하여 다공 노즐(32)에서 토출되는 처리액의 착액 위치에 대해 설명해 간다. 여기에서, 회전 반경선(RL)은, 기판(W)의 상면에 착액하는 처리액의 착액 위치를 특정하기 위해서 편의적으로 도입하는 것이고, 회전 반 경선(RL) 그 자체는, 기판(W)과 다공 노즐(32)(배열 방향(X))의 배치 관계에 따라 임의로 가상적으로 그려지는 것으로서, 기판(W)의 위치에 대해서 특정되는 것은 아니다.
다공 노즐(32)에서 토출되어 기판(W)의 상면에 착액하는 열형상 처리액을 구성하는 처리액(액적)의 각각의 착액 위치는, 회전 반경선 RL 상이 아니라, 회전 반경선(RL) 상에서 회전 반경선(RL)에 직교하는 오프셋 방향(Y)((+Y)방향 및 (-Y)방향)으로 소정의 거리(S1)(이하「오프셋 거리」라고 한다)만큼 어긋나 있다. 즉, 회전 반경선(RL) 상에서 Y방향으로 오프셋 거리(S1)만큼 어긋난 위치에 열형상 처리액이 착액하도록, 다공 노즐(32)에서 처리액을 토출시키고 있다.
또, 열형상 처리액의 착액 위치는, 기판(W)의 상면에 있어서 다음과 같이 한정되어 있다. 즉, 기판(W)의 회전 중심 A0을 통해 Y방향으로 신장하는 선 CL과 회전 반경선 RL로 기판(W)의 상면을 분할하여 규정되는 4개의 사분면 W1∼W4 중, 열형상 처리액의 착액 위치가 사분면 W2 내의 영역으로 한정되어 있다. 이것은, 상기한 기판(W)의 회전 방향 A를 따라 기판(W)의 상면에 대해서 처리액을 토출하는 요청과, 처리액의 소비량을 억제하기 위해서이다. 이와 같이 열형상 처리액의 착액 위치를 한정해도, 기판(W)의 회전에 의해 착액한 처리액이 확산되어, 중심 처리 노즐(33)에서 공급되는 처리액과 합해 기판(W)의 상면 전체를 처리하는 것이 가능하다. 또한, 중심 처리 노즐(33)에 의해 기판(W)의 중심부를 처리하는 한, 다공 노즐(32)에서 토출되는 열형상 처리액의 착액 위치를 사분면 W1 내의 영역으로 한정하도록 해도 된다.
또한, 기판(W)의 상면에 착액하는 열형상 처리액의 X방향의 길이 L1이, 기판(W)의 단변의 길이 Wn의 절반 이하가 되도록, 다공 노즐(32)로부터 처리액을 토출시키고 있다. 이와 같이, 열형상 처리액의 길이 L1을 규정함으로써, 회전되는 기판(W)의 상면에 대해서 열형상 처리액을 확실하게 착액시키는 것이 가능해지고 있다.
다음에, 상기와 같이 구성된 기판 처리 장치의 동작에 대해 설명한다. 여기에서는, 기판 유지부(1)에 유지된 기판(W)에 대해서 처리액으로서 희불산 등의 약액을 공급하여 기판(W)의 상면에 원치 않게 형성된 박막을 에칭 제거하는 경우에 대해 설명한다.
기판 반송 수단에 의해 미처리의 기판(W)이 장치 내에 반입되어, 기판 유지부(1)에 유지되면, 노즐 구동부(4)의 구동에 의해 노즐 본체(30)가 퇴피 위치에서 처리 위치로 이동된다. 기판 유지부(1)에 유지된 기판(W)은, 모터(23)가 구동됨으로써, 기판(W)의 회전 중심 A0 둘레에 소정의 회전 속도로 회전된다. 이러한 에칭 처리에 있어서, 기판(W)의 회전 속도는, 대략 50∼200rpm, 바람직하게는 50∼150rpm으로 설정된다.
계속해서, 노즐 본체(30)에서 기판(W)의 상면을 향해 약액이 토출된다. 구체적으로는, 다공 노즐(32)에서 기판(W)의 상면에 대해서 기판(W)의 회전 방향 A를 따라 비스듬히 위쪽에서 열형상으로(일렬로) 약액이 토출되는 동시에, 중심 처리 노즐(33)에서 기판(W)의 상면의 회전 중심 A0을 향해 약액이 토출된다. 다공 노즐(32)에서 토출된 열형상 약액을 구성하는 약액(액적)의 각각은, 기판(W)의 상면에 있어서, 회전 반경선 RL에서 (+Y)방향으로 오프셋 거리 S1만큼 어긋난 위치에 착액한다. 여기에서, 기판(W)이 이른바 제4 세대(기판 사이즈 : 730mm×920mm)의 유리 기판인 경우에는, 처리의 균일성의 관점에서 오프셋 거리 S1은, 대략 40mm∼60mm로 설정하는 것이 적합하다. 물론, 오프셋 거리 S1은, 처리 대상이 되는 기판 사이즈에 따라 적당히, 적정한 거리로 설정된다.
도 5는, 다공 노즐에서 토출되어 기판 상면에 착액한 약액에 작용하는 힘의 방향을 도시한 모식도이다. 기판(W)의 상면에 착액한 열형상 약액을 구성하는 각 약액(액적)에는, (1) 기판(W)의 회전 방향 A와 반대 방향으로 작용하는 반작용의 힘 fr1, fr2, …frn과, (2) 회전 반경 방향으로 작용하는 원심력 fc1, fc2, …fcn과, (3) 회전 방향 A를 따른 토출 방향 F에 작용하는 힘 fd1, fd2, …fdn이 합성된 벡터에 따른 방향 및 힘의 크기에 따라 기판(W)의 상면을 흘러, 기판 바깥으로 배출되어 간다. 여기에서, 가령 열형상 약액을 구성하는 약액의 각각을 회전 반경선 RL 상에 착액시킨 경우에는, 열형상 약액을 구성하는 각 약액(액적)에 작용하는 원심력의 방향(회전 반경 방향)은, 모두 동일 방향이 된다. 그 한편으로, 도 5에 도시하는 바와 같이 열형상 약액을 구성하는 약액의 각각을 회전 반경선 RL 상에서 Y방향으로 어긋나게 하여 착액시킴으로써, 열형상 약액을 구성하는 약액의 각각에 작용하는 원심력 fc1, fc2, …fcn의 방향(회전 반경 방향)은, 서로 상이한 방향이 된다. 그 결과, 기판(W)의 상면에 착액한 후의 약액(액적)의 궤적이 서로 달라, 기판(W)의 상면에 있어서의 약액의 균일 분산이 촉진된다.
또한, 기판(W)의 회전 방향 A를 따라 비스듬히 위쪽에서 약액을 토출하고 있기 때문에, 기판(W)의 상면에 착액한 약액은 회전 방향 A를 따른 토출 방향 F에 따라 상기 토출 방향 F의 전면측으로 확대되어 간다. 따라서, 소량의 약액으로, 보다 광범위하게 약액을 균일 분산시킬 수 있고, 기판(W)의 상면의 각 부에 공급되는 단위 면적당의 약액의 공급량의 균일성을 한층 더 높일 수 있다. 또한, 기판(W)의 상면에 수직으로 약액을 토출하는 경우에 대해서, 다음과 같은 유리한 효과를 갖는다. 즉, 기판(W)의 상면을 향해 토출되어 기판(W)의 상면에 착액하는 약액이, 기판(W)의 상면에 이미 공급된 약액과 간섭하는 것을 억제할 수 있다. 예를 들면, 기판(W)의 상면에 착액하는 약액과, 기판(W)의 회전과 함께 착액 위치로 이동해 가는 기판(W)의 상면에 부착되는 약액의 충돌에 의해, 기판(W)의 상면에서 약액의 액면이 솟아올라, 에칭 처리의 균일성을 열화시키는 경우가 있지만, 이러한 현상의 발생을 방지할 수 있다.
또, 기판(W)의 상면에 착액하는 열형상 약액의 배열 방향(X방향)의 길이 L1이, 각형 기판인 기판(W)의 단변의 길이 Wn의 절반 이하가 되고 있기 때문에, 회전되는 기판(W)의 상면에 대해서 열형상 약액을 확실하게 착액시킬 수 있다. 이에 따라, 다음과 같은 효과가 얻어진다. 즉, 열형상 약액의 X방향에 있어서의 길이 L1을 각형 기판의 단변의 길이 Wn의 절반보다도 길게 하면, 기판(W)의 회전에 따라, 다공 노즐(32)에서 토출된 열형상 약액 중 기판(W)의 단 가장자리측의 약액의 일부가 기판(W)의 상면에 공급되지 않는 상태(예를 들면 열형상 약액의 배열 방향 X와 기판(W)의 단변 방향이 평행이 된 경우)가 발생한다. 그 상태에서 기판(W)이 더 회전되면, 기판(W)의 각부(4모서리)가 다공 노즐(32)에서 토출된 기판(W)의 단 가장자리측의 약액을 옆에서 끊어, 약액이 튀어 오르게 된다. 이 때문에, 상기와 같이 기판(W)의 상면에 대해서 열형상 약액을 확실하게 착액시킴으로써, 약액이 튀어 오르는 것을 방지하여, 기판(W)을 균일하게 에칭 처리할 수 있다.
이상과 같이, 이 실시 형태에 의하면, 복수의 토출구멍(321a)을 갖는 다공 노즐(32)에서 배열 방향(X)을 따라 열형상으로 약액을 토출하고 있기 때문에, 비교적 광범위에 걸쳐 약액을 기판(W)의 상면에 동시에 착액시킬 수 있다. 따라서, 기판(W)의 상면의 각 부에 약액이 공급될 때까지의 시간 차를 최소한으로 억제하여 기판(W)의 상면의 각 부에 소정량의 약액을 공급할 수 있다.
또, 이 실시 형태에 의하면, 열형상 약액을 구성하는 약액의 각각의 착액 위치를 회전 반경선 RL 상에서 회전 반경선 RL에 직교하는 오프셋 방향 Y를 따라 소정의 거리(오프셋 거리) S1만큼 어긋나게 하고 있다. 그 결과, 기판(W)의 상면에 착액한 약액(액적)의 궤적이 서로 달라, 기판(W)의 상면에 있어서의 약액의 균일 분산이 촉진된다. 또한, 기판(W)의 회전 방향 A를 따라 약액을 토출시키고 있기 때문에, 기판(W)의 상면에 착액한 약액은 토출 방향 F를 따라 상기 토출 방향 F의 전면측으로 확대되어, 소량의 약액으로, 보다 광범위하게 약액을 균일하게 분산시킬 수 있다.
또, 이 실시 형태에 의하면, 중심 처리 노즐(33)에서 기판(W)의 회전 중심 A0을 향해 약액을 토출하고 있다. 이 때문에, 다공 노즐(32)에서 토출되어 기판(W)의 상면에 착액한 약액을 기판(W)의 회전 중심 A0으로 충분히 공급할 수 없는, 혹은 기판(W)의 상면에 착액한 약액의 궤적이 기판(W)의 회전 중심 A0을 벗어나는 경우에도, 중심 처리 노즐(33)에 의해 토출되는 약액에 의해, 기판(W)의 중심부를 확실하게 에칭 처리할 수 있다.
이와 같이, 이 실시 형태에 의하면, 중심 처리 노즐(33)에서 토출되는 약액에 의해 기판(W)의 중심부를 확실하게 에칭 처리하면서도, 다공 노즐(32)에서 토출되는 열형상 약액에 의해 기판(W)의 상면의 각 부에 신속하게 약액을 공급할 수 있어, 기판(W)의 상면을 균일하게 에칭 처리하는 것이 가능해지고 있다. 따라서, 기판(W)의 상면에 공급하는 약액의 양을 증사시키지 않고, 소량의 약액으로 기판(W)의 상면 전체를 균일하게 하여 에칭 처리할 수 있다.
<제2 실시 형태>
도 6은, 이 발명에 따른 기판 처리 장치의 제2 실시 형태를 도시하는 도면이다. 또, 도 7은 도 6의 기판 처리 장치의 주요부 확대도이다. 이 제2 실시 형태가 제1 실시 형태와 크게 상이한 점은, 다공 노즐만에서만 공급되는 약액으로 기판(W)의 상면에 대해서 에칭 처리를 실시하고 있는 점이고, 그와 같이 처리하기 위해서 다공 노즐에서 토출되어 기판(W)의 상면에 착액하는 약액의 착액 위치를 변경하고 있다. 또한, 그 밖의 구성은 기본적으로 제1 실시 형태와 동일하고, 제1 실시 형태와 대비하면서, 제2 실시 형태의 특징에 대해 이하에 상술한다.
이 제2 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에서 채용되는 노즐 본체(30)는, 다공 노즐(34)(본 발명의「토출 수단」에 상당)만으로 이루어지고, 그 구성은 제1 실시 형태에서 이용된 다공 노즐(32)과 동일하다. 즉, 다공 노즐(34)에는, 배열 방 향(X방향)을 따라 일렬로 복수의 토출관(341)이 등간격으로 연장되고, 각 토출관(341)의 토출구멍(341a)으로부터 기판(W)의 상면에 대해 비스듬히 위쪽에서 약액이 토출되도록 구성되어 있다. 또, 기판(W)의 상면에 착액하는 열형상 약액을 구성하는 약액의 각각의 착액 위치가, 오프셋 방향(Y방향)으로 소정의 거리(오프셋 거리)만큼 어긋나도록, 다공 노즐(34)로부터 약액을 토출시키고 있다. 또한, 오프셋 거리 S2에 대해서는, 약액의 균일 분산과 함께, 기판(W)의 중심부에 약액을 확실하게 공급한다는 관점으로부터, 기판(W)의 회전 속도 등도 고려하여 적당히 설정된다.
그 한편으로, 제1 실시 형태에 있어서는, 기판(W)의 회전 중심 A0을 통해 Y방향으로 신장하는 선 CL과 회전 반경선 RL로 기판(W)의 상면을 분할하여 규정되는 4개의 사분면 W1∼W4 중, 열형상 약액의 착액 위치를 사분면 W2 내의 영역으로 한정하고 있었지만, 이 제2 실시 형태에서는, 열형상 약액의 일부를 사분면 W3 내의 영역에 착액시키고 있다. 요컨대, 기판(W)의 상면에 착액하는 열형상 약액을 구성하는 약액(액적)의 착액 위치가 이하의 제1 및 제2 조건을 만족하도록, 다공 노즐(34)로부터 약액을 토출시키고 있다(도 7).
제1 조건 : 회전 반경선 RL 중 기판(W)의 회전 중심 A0에 대해서 한 방향쪽(+X방향)으로 신장하는 선 상으로부터 Y방향으로 기판(W)의 회전 방향 A와 반대 방향으로 소정의 거리(오프셋 거리) S2만큼 어긋나 있다. 요컨대, 회전 반경선 RL 중 기판(W)의 회전 중심 A0에 대해서 +X방향으로 신장하는 선 상으로부터 +Y방향으로 오프셋 거리(S2)만큼 어긋나 있다.
제2 조건 : 열형상 약액의 착액 위치의 기판(W)의 회전 중심측의 단부 Pe가, 기판(W)의 회전 중심 A0을 통해 Y방향으로 신장하는 선 CL에 대해서, 회전 반경선 RL 중 기판(W)의 회전 중심 A0에 대해서 다른 방향쪽(-X방향)으로 위치하고 있다.
이와 같이, 열형상 약액을 착액시킴으로써, 기판(W)의 회전에 의해, 열형상 약액 중 기판(W)의 회전 중심측의 단부 Pe에 위치하는 약액은, 기판(W)의 회전 중심 A0을 통과하면서 기판(W)의 단 가장자리측으로 흘러간다. 구체적으로는, 기판(W)의 회전 중심측의 단부 Pe에 위치하는 약액에는, 토출 방향으로 작용하는 힘 외에, 기판(W)의 회전 방향 A와 반대 방향으로 작용하는 반작용의 힘과, 회전 반경 방향으로 작용하는 원심력이 작용하여, 그것들의 합력에 따라 약액이 기판(W)의 중심부에 공급되어, 분산하면서 기판 바깥으로 배출되어 간다.
여기에서, 기판(W)의 회전 중심 A0에서 열형상 약액의 기판(W)의 회전 중심측의 단부 착액 위치 Pe까지의 거리를 Re로 하고, 기판(W)의 회전 중심(A0)과 열형상 약액의 기판(W)의 회전 중심측의 단부 착액 위치 Pe를 연결하는 선분과, 기판(W)의 회전 중심(A0)을 통해 Y방향으로 신장하는 선 CL이 이루는 각을 θ로 하면, Re·sinθ에 상당하는 길이가 사분면 W2에서 사분면 W3로 열형상 약액의 착액 위치가 시프트된 양이 된다. 이러한 시프트량(Re·sinθ에 상당하는 길이)은, 오프셋 거리 S2, 기판(W)의 회전 속도, 기판(W)의 상면의 상태, 사용하는 약액의 표면 장력의 크기 등의 모든 조건을 감안하여, 사분면 W3 내에 착액한 약액이 기판(W)의 회전 중심 A0을 통과하도록 설정된다.
또, 각형 기판(W)의 상면에 착액하는 열형상 약액의 배열 방향(X방향)의 길이 L2가, 이하의 부등식, 요컨대,
L2≤Re·sinθ+(Wn/2)
단, Wn…각형 기판의 단변의 길이
를 만족하도록, 다공 노즐(34)에서 처리액을 토출시키고 있다. 이와 같이, 열형상 약액의 길이(L2)를 규정함으로써, 회전되는 기판(W)의 상면에 대해서 열형상 약액을 확실하게 착액시킬 수 있다. 이에 따라, 회전되는 기판(W)의 각부(4모서리)가 다공 노즐(34)에서 토출된 기판(W)의 단 가장자리측의 약액을 끊는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 약액이 튀어 오르는 것을 방지하여, 기판(W)을 균일하게 에칭 처리할 수 있다.
이상과 같이, 이 실시 형태에 의하면, 제1 실시 형태와 동일하게 하여 다공 노즐(34)로부터 기판(W)의 회전 반경 방향으로 대략 평행한 배열 방향 X를 따라 열형상으로 약액(열형상 약액)을 토출하고 있기 때문에, 비교적 광범위에 걸쳐 기판(W)의 상면의 각 부에 약액이 공급될 때까지의 시간 차를 최소한으로 억제하여 약액을 공급할 수 있다.
또, 이 실시 형태에 의하면, 상기 제1 조건을 만족함으로써, 제1 실시 형태와 동일한 작용 효과를 얻을 수 있다. 즉, 기판(W)의 상면에 착액한 약액(액적)의 궤적이 서로 달라, 기판(W)의 상면에 있어서의 약액의 균일 분산이 촉진된다. 또한, 기판(W)의 회전 방향(A)을 따라 약액을 토출함으로써, 기판(W)의 상면에 착액한 약액은 토출 방향을 따라 상기 토출 방향의 전면측으로 확대되어, 소량의 약액으로, 보다 광범위하게 약액을 균일하게 분산시킬 수 있다.
또, 이 실시 형태에 의하면, 상기 제2 조건을 만족함으로써, 기판(W)의 상면 에 착액한 열형상 약액 중 기판(W)의 회전 중심측의 단부 Pe에 위치하는 약액을 기판(W)의 중심부에 공급하는 것이 가능해져, 기판(W)의 중심부를 에칭 처리할 수 있다.
따라서, 제1 및 제2 조건을 만족함으로써, 기판(W)의 중심부를 확실하게 처리하면서도, 열형상 약액에 의해 기판(W)의 상면의 각 부에 신속하게 약액을 공급할 수 있어, 기판(W)의 상면을 균일하게 에칭 처리하는 것이 가능해지고 있다. 그 결과, 기판(W)의 상면에 공급하는 약액의 양을 증가시키지 않고, 소량의 약액으로 기판(W)을 균일하게 하여 처리할 수 있다. 또한, 중심 처리용의 노즐을 설치하지 않고, 각 토출관(341)에서 동일 조건으로 약액을 토출하고 있기 때문에, 에칭 처리의 균일성이 한층 더 높아진다.
<그 외>
또한, 본 발명은 상기한 실시 형태에 한정되는 것이 아니라, 그 취지를 일탈하지 않는 한에 있어서 상술한 것 이외에 여러 가지의 변경을 행하는 것이 가능하다. 예를 들면 상기 제1 실시 형태에서는, 노즐 본체(30)에 다공 노즐(32)과 중심 처리 노즐(33)이 설치되고, 다공 노즐(32)과 중심 처리 노즐(33)을 일체적으로 구성하고 있지만, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면 도 8에 도시하는 바와 같이, 다공 노즐(32)과는 별도로, 중심 처리 노즐(35)을 별체로 설치하고, 다공 노즐(32)과 중심 처리 노즐(35)을 개별적으로 배치해도 된다(제3 실시 형태). 이와 같이 구성함으로써, 기판(W)의 중심부를 확실하게 처리하면서, 중심 처리 노즐(35)의 배치 위치에 관계없이, 처리 내용에 따라 다공 노즐(32)에서 토출하는 처리액의 토출 방향, 열형상 처리액의 착액 위치 등의 처리 파라미터를 자유롭게 변경할 수 있다.
또, 상기 실시 형태에서는, 다공 노즐(32, 34)에서 기판(W)의 상면에 대해서 비스듬히 위쪽에서 처리액(열형상 처리액)을 토출하고 있지만, 처리액의 토출 방향은 임의이다. 예를 들면 기판(W)의 상면에 대해서 수직으로 처리액을 토출해도 된다. 이와 같이 구성해도, 열형상 처리액의 착액 위치가 회전 반경선 RL 상에서 오프셋 방향 Y로 어긋나 있는 한, 기판(W)에 착액한 처리액(액적)의 궤적이 서로 달라, 처리액의 균일 분산이 촉진된다. 따라서, 소량의 처리액으로, 기판(W)의 상면 전체를 균일하게 하여 처리할 수 있다. 이 경우, 기판(W)의 회전 방향 A와 토출 방향은 직교 관계에 있기 때문에, 기판(W)의 회전 중심 A0을 통해 Y방향으로 신장하는 선 CL과 회전 반경선 RL로 기판(W)의 상면을 분할하여 규정되는 4개의 사분면 W1∼W4 중 어느 하나에 열형상 처리액의 착액 위치가 한정되는 경우는 없다.
또, 상기 실시 형태에서는, 다공 노즐(32, 34)에 복수의 토출관을 X방향(배열 형상)을 따라 일렬로 배치하고, 복수의 토출관의 각각에서 토출되어 기판(W)의 상면에 착액하는 각 처리액의 착액 위치가 일렬로 배열되도록 하고 있지만, 처리액의 배열 형상은 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면, 복수의 토출관의 각각에서 토출되어 기판(W)의 상면에 착액하는 각 처리액의 착액 위치가, Y방향(오프셋 방향)에 있어서 서로 다르도록, 활 모양으로 혹은 지그재그 모양으로 배열 방향(X)을 따라 배열시키도록, 다공 노즐의 구성을 변경해도 된다. 요점은, 복수의 토출관의 각각에서 토출되어 기판(W)의 상면에 착액하는 각 처리액의 착액 위치가 서로 간섭하지 않도록, 배열 방향(X)을 따라 열형상으로 처리액을 토출시키는 한, 다공 노즐 의 구성은 임의이다.
또, 상기 실시 형태에서는, 다공 노즐(32, 34)에 설치된 복수의 토출관에서 처리액을 토출시킴으로써, 열형상 처리액을 기판(W)에 공급하고 있지만, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면 복수의 토출 노즐을 개별적으로 배열 방향 X를 따라 열형상으로 배치하고, 각 토출 노즐에서 처리액을 토출시킴으로써, 열형상 처리액을 기판(W)에 공급하도록 해도 된다.
또, 상기 실시 형태에서는, 다공 노즐(32, 34)에는, 복수의 토출관이 연장되어 있지만, 복수의 토출관을 설치하지 않고, 배열 방향 X로 신장하는 관에 배열 방향 X를 따라 복수의 토출구멍을 형성하도록 해도 된다. 또한, 다공 노즐에 한정되지 않고, 배열 방향 X로 신장하도록 개구된 슬릿 노즐을 이용해도 된다.
또, 상기 실시 형태에서는, 희불산 등에 의한 약액을 기판(W)에 공급하여 기판(W)에 대해서 에칭 처리를 실시하는 경우에 대해 설명하고 있지만, 기판 처리의 내용은 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면, 처리액으로서 순수 등의 세정액을 이용하여, 상기 세정액에 초음파 진동을 부여하면서 열형상으로 세정액을 회전하는 기판(W)에 공급하고, 기판(W)에 대해서 세정 처리를 실시하는 장치에도 적용할 수 있다.
이 발명은, 반도체 웨이퍼, 액정 표시 장치용 유리 기판, PDP(플라스마·디스플레이·패널)용 기판, 혹은 자기 디스크용의 유리 기판이나 세라믹 기판 등을 포함하는 각종 기판을 회전시키면서 상기 기판에 처리액을 공급하고, 기판에 대해 서 소정의 처리를 실시하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 적용할 수 있다.

Claims (10)

  1. 기판을 수평 자세로 회전시키면서 상기 기판에 처리액을 공급하는 기판 처리 장치에 있어서,
    상기 기판을 수평 자세로 유지하는 기판 유지 수단과,
    상기 기판 유지 수단을 회전 구동하여 상기 기판을 회전시키는 회전 구동 수단과,
    상기 회전 구동 수단에 의해 회전되는 상기 기판의 상면을 향해, 상기 기판의 회전 반경 방향으로 평행한 배열 방향을 따라 열(列)형상으로 처리액을 토출하는 제1 토출 수단과,
    상기 제1 토출 수단으로부터 처리액이 토출되는 동안, 상기 기판 상면의 회전 중심을 향해 처리액을 토출하는 제2 토출 수단을 구비하고,
    상기 기판의 회전 중심을 통해 상기 기판의 회전 반경 방향으로 길게 이어지는 선을 회전 반경선으로 했을 때, 상기 제1 토출 수단에서 토출되어 상기 기판 상면에 착액하는 상기 열형상 처리액을 구성하는 처리액의 각각의 착액 위치가, 상기 회전 반경선 상으로부터 상기 회전 반경선에 직교하는 오프셋 방향으로 설정 거리만큼 어긋나 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 토출 수단은, 복수의 토출구멍이 상기 배열 방향을 따라 설치된 다공 노즐을 구비하고,
    상기 다공 노즐은 상기 복수의 토출구멍의 각각에서 처리액을 토출함으로써, 상기 기판 상면에 상기 열형상 처리액을 공급하는 기판 처리 장치.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 제1 토출 수단은, 상기 기판의 회전 중심을 통해 상기 오프셋 방향으로 길게 이어지는 선과 상기 회전 반경선으로 상기 기판 상면을 분할하여 규정되는 4개의 사분면 중 어느 하나에 상기 착액 위치가 한정되도록, 처리액을 토출하는 기판 처리 장치.
  4. 청구항 3에 있어서, 상기 제1 토출 수단은, 상기 기판의 회전 방향을 따라 상기 기판 상면에 대해서 비스듬히 위쪽에서 열형상으로 처리액을 토출하는 기판 처리 장치.
  5. 청구항 3에 있어서,
    상기 기판은 직사각형의 각형 기판으로서,
    상기 제1 토출 수단에서 토출되어 상기 각형 기판의 상면에 착액하는 상기 열형상 처리액의 상기 배열 방향에 있어서의 길이는, 상기 각형 기판의 단변의 절반의 길이 이하인 기판 처리 장치.
  6. 기판을 수평 자세로 회전시키면서 상기 기판에 처리액을 공급하는 기판 처리 장치에 있어서,
    상기 기판을 수평 자세로 유지하는 기판 유지 수단과,
    상기 기판 유지 수단을 회전 구동하여 상기 기판을 회전시키는 회전 구동 수단과,
    상기 회전 구동 수단에 의해 회전되는 상기 기판의 상면을 향해, 상기 기판의 회전 반경 방향으로 평행한 배열 방향을 따라 열형상으로, 또한 상기 기판의 회전 방향을 따라 상기 기판 상면에 대해서 비스듬히 위쪽에서 처리액을 토출하는 토출 수단을 구비하고,
    상기 토출 수단에서 토출되어 상기 기판 상면에 착액하는 상기 열형상 처리액을 구성하는 처리액의 각각의 착액 위치는, 상기 기판의 회전 중심을 통해 상기 기판의 회전 반경 방향으로 길게 이어지는 선을 회전 반경선으로 했을 때, 상기 기판 상면에 있어서 이하의 조건을 만족하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
    제1 조건 : 상기 회전 반경선 중, 상기 기판의 회전 중심에 대해서 한 방향쪽으로 길게 이어지는 선 상으로부터 상기 회전 반경선에 직교하는 오프셋 방향으로 상기 기판의 회전 방향과 반대 방향으로 설정 거리만큼 어긋나 있다.
    제2 조건 : 상기 착액 위치의 상기 기판의 회전 중심측의 단부가, 상기 기판의 회전 중심을 통해 상기 오프셋 방향으로 길게 이어지는 선에 대해서, 상기 회전 반경선 중, 상기 기판의 회전 중심에 대해서 다른 방향쪽으로 위치하고 있다.
  7. 청구항 6에 있어서, 상기 토출 수단은, 복수의 토출구멍이 상기 배열 방향을 따라 설치된 다공 노즐을 구비하고,
    상기 다공 노즐은 상기 복수의 토출구멍의 각각에서 처리액을 토출함으로써, 상기 기판 상면에 상기 열형상 처리액을 공급하는 기판 처리 장치.
  8. 청구항 6 또는 청구항 7에 있어서,
    상기 기판은 직사각형의 각형 기판으로서,
    상기 토출 수단에서 토출되어 상기 각형 기판의 상면에 착액하는 상기 열형상 처리액의 상기 배열 방향에 있어서의 길이(L)가 이하의 조건을 만족하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
    L≤Re·sinθ+(Wn/2)
    단,
    Re…상기 각형 기판의 회전 중심에서 상기 열형상 처리액의 상기 각형 기판의 회전 중심측의 단부 착액 위치까지의 거리,
    θ…상기 각형 기판의 회전 중심과 상기 열형상 처리액의 상기 각형 기판의 회전 중심측의 단부 착액 위치를 연결하는 선분과, 상기 각형 기판의 회전 중심을 통해 상기 오프셋 방향으로 길게 이어지는 선이 이루는 각,
    Wn…상기 각형 기판의 단변의 길이.
  9. 기판을 수평 자세로 회전시키면서 상기 기판에 처리액을 공급하는 기판 처리 방법에 있어서,
    상기 기판을 수평 자세로 회전시키는 기판 회전 공정과,
    상기 기판 회전 공정 중에 제1 토출 수단에서 상기 기판의 상면을 향해 상기 기판의 회전 반경 방향으로 평행한 배열 방향을 따라 열형상으로 처리액을 토출하면서, 제2 토출 수단에서 상기 기판 상면의 회전 중심을 향해 처리액을 토출하는 공정을 구비하고,
    상기 기판의 회전 중심을 통해 상기 기판의 회전 반경 방향으로 길게 이어지는 선을 회전 반경선으로 했을 때, 상기 제1 토출 수단에서 토출되어 상기 기판 상면에 착액하는 상기 열형상 처리액을 구성하는 처리액의 각각의 착액 위치가, 상기 회전 반경선 상으로부터 상기 회전 반경선에 직교하는 오프셋 방향으로 설정 거리만큼 어긋나 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  10. 기판을 수평 자세로 회전시키면서 상기 기판에 처리액을 공급하는 기판 처리 방법에 있어서,
    상기 기판을 수평 자세로 회전시키는 기판 회전 공정과,
    상기 기판 회전 공정 중에 토출 수단에서 상기 기판의 상면을 향해 상기 기판의 회전 반경 방향으로 평행한 배열 방향을 따라 열형상으로, 또한 상기 기판의 회전 방향을 따라 상기 기판 상면에 대해서 비스듬히 위쪽에서 처리액을 토출하는 공정을 구비하고,
    상기 토출 수단에서 토출되어 상기 기판 상면에 착액하는 상기 열형상 처리액을 구성하는 처리액의 각각의 착액 위치는, 상기 기판의 회전 중심을 통해 상기 기판의 회전 반경 방향으로 길게 이어지는 선을 회전 반경선으로 했을 때, 상기 기판 상면에 있어서 이하의 조건을 만족하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
    제1 조건 : 상기 회전 반경선 중, 상기 기판의 회전 중심에 대해서 한 방향쪽으로 길게 이어지는 선 상으로부터 상기 회전 반경선에 직교하는 오프셋 방향으로 상기 기판의 회전 방향과 반대 방향으로 설정 거리만큼 어긋나 있다.
    제2 조건 : 상기 착액 위치의 상기 기판의 회전 중심측의 단부가, 상기 기판의 회전 중심을 통해 상기 오프셋 방향으로 길게 이어지는 선에 대해서, 상기 회전 반경선 중, 상기 기판의 회전 중심에 대해서 다른 방향쪽으로 위치하고 있다.
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