CN1992153A - 基板处理装置以及基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够以少量的处理液均匀地处理整个基板上表面的基板处理装置以及基板处理方法。从多孔喷嘴(32)沿基板(W)的旋转方向(A)对基板(W)的上表面从斜上方沿排列方向(X)呈列状地喷出处理液。并且，在以沿基板(W)的旋转半径方向延伸的线为旋转半径线时，以构成着落在基板(W)的上表面的列状处理液的各处理液(液滴)的着落位置从旋转半径线(RL)上起向着与旋转半径线(RL)垂直的偏置方向(Y)偏移规定的距离(S1)的方式，使处理液从多孔喷嘴(32)喷出。另一方面，使处理液从中心处理喷嘴(33)向基板(W)的旋转中心(A0)喷出，向基板(W)的中心部供给处理液。

Description

基板处理装置以及基板处理方法
技术领域
本发明涉及一种通过使基板旋转的同时对该基板供给处理液而对基板实施规定的处理的基板处理装置以及基板处理方法。此外，基板包括半导体晶片、光掩模用玻璃基板、液晶显示用玻璃基板、等离子体显示用玻璃基板、光盘用基板等各种基板。
背景技术
在半导体装置、液晶显示装置等的制造工序中，有时通过向基板上供给氟酸等的药液作为处理液来蚀刻除去在基板上不希望形成的薄膜(无用物质)。于是，为了除去这样的形成在基板上的薄膜，提出有例如专利文献1所记载的基板处理装置。
在该基板处理装置中，通过基板保持部将基板以大致水平的状态保持。在基板保持部，安装有在铅直方向延伸的旋转轴，通过用马达对该旋转轴进行旋转驱动，从而在使基板中心和旋转轴大致一致的状态下，基板保持部在保持基板的状态下进行旋转，而使基板进行旋转。另外，在被基板保持部保持的基板的上方配置有药液供给喷嘴，向基板中心(基板的上表面的旋转中心)附近供给药液。这时，被供给到基板上表面的中心附近的药液通过伴随基板的旋转而产生的离心力的作用，进行扩散，遍布在整个基板上表面，实行对基板的蚀刻处理。
专利文献1：JP特开2001-237214号公报(图1)
但是，如上所述，在对基板进行蚀刻处理时，要求对基板上表面的面内均匀地进行蚀刻处理。因此，为了提高基板上表面的蚀刻处理的面内均匀性，使药液快速地遍布到基板上表面的各部分，即，使到分别将药液供给到基板上表面的各部分为止的时间差减少和使向基板上表面的各部分所供给的药液量均匀很重要。
但是，在现有装置中，从药液供给喷嘴被供给到基板中心附近的药液通过离心力的作用进行扩散，而将药液供给到基板的端缘部，因此，到将药液供给到基板中心附近为止的时间、和到将药液供给到基板的端缘部为止的时间之间产生时间差。特别是在基板为液晶显示用玻璃基板这样的方形基板时，在方形基板的中心附近和方形基板的角部(四角的部分)，到供给药液的时间产生很大的时间差。另外，为了使从药液供给喷嘴向基板中心附近供给了的药液向基板的端缘部扩散，相对被供给到基板中心部的每单位面积的药液量，被供给到基板端缘部的每单位面积的药液量变少。这样的结果，在现有装置中，阻碍了对整个基板上表面均匀地进行处理。
因此，在现有装置中，为提高处理的均匀性，考虑如下。即，考虑增加供给到基板上表面的药液量，使得在基板的端缘部也充分供给有处理所需要的药液。但是，这样使药液消耗量增加，这样就直接关系到运行成本的增大，同时在从基板被排出的药液的排液处理所需要的设备也添加相应的负担，并不理想。另外，也考虑提高基板的旋转速度，使被供给到基板中心附近的药液迅速地扩散到基板的端缘部，但是为了应对基板的高速旋转，装置结构变得复杂，除此之外，对装置的构成部件进一步要求耐久性，这是不现实的。特别是若基板尺寸大型化，则从基板中心到基板的端缘的距离变长，对于提高基板的旋转速度来实现处理的均匀化来说是有限制的。
另一方面，作为不使向基板供给的药液量以及/或者基板的旋转速度增加而提高处理的均匀性的方法，考虑到这样的方法：使药液供给喷嘴与基板上表面相对向，同时相对以水平姿势旋转的基板，水平移动药液供给喷嘴。具体地说，通过从药液供给喷嘴供给药液，并使药液供给喷嘴在与基板中心部对应的位置和与基板端缘部对应的位置之间往复移动，来实现处理的均匀化。但是，这时存在这样的问题：例如在药液供给喷嘴向基板端缘部供给药液时，不向基板中心部供给药液，另外，由于离心力，药液从基板中心向端缘部流动，因此，基板中心部部分干燥。其结果反而导致处理的均匀性的恶化。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种能够以少量的处理液均匀处理整个基板上表面的基板处理装置以及基板处理方法。
本发明的基板处理装置的一个方式是使基板以大致水平姿势旋转的同时向该基板供给处理液而对基板实施规定的处理的基板处理装置，为达成上述目的，其特征在于，具有：基板保持装置，其将基板以大致水平姿势保持；旋转驱动装置，其旋转驱动基板保持装置，使基板绕规定的旋转中心旋转；第一喷出装置，其向通过旋转驱动装置旋转的基板的上表面，沿与基板的旋转半径方向大致平行的规定的排列方向，呈列状地喷出处理液；第二喷出装置，其向基板上表面的旋转中心喷出处理液，在以经过基板的旋转中心并在基板的旋转半径方向延伸的线为旋转半径线时，构成从第一喷出装置喷出而着落在基板上表面的列状处理液的各处理液的着落位置，从旋转半径线上起在与该旋转半径线垂直的偏置方向偏移规定的距离。
另外，本发明的基板处理方法的一个方式是使基板以大致水平姿势旋转同时向该基板供给处理液，而对基板实施规定的处理的基板处理方法，为了达成目的，具有：使基板以大致水平姿势绕规定的旋转中心旋转的基板旋转工序；在基板旋转工序中，从第一喷出装置向基板的上表面，沿与基板的旋转半径方向大致平行的规定的排列方向呈列状地喷出处理液，同时从第二喷出装置向基板上表面的旋转中心喷出处理液的工序；在以经过基板的旋转中心并在基板的旋转半径方向延伸的线为旋转半径线时，构成从第一喷出装置喷出而着落在基板上表面的列状处理液的各处理液的着落位置，从旋转半径线上起，在与该旋转半径线垂直的偏置方向偏移规定的距离。
在这样所构成的发明(基板处理装置以及方法)中，由于由第一喷出装置向基板上表面沿与基板的旋转半径方向大致平行的方向呈列状地喷出处理液(列状处理液)，所以在较广范围内，处理液在基部上表面同时着落。因此，能够将到向基板上表面的各部分供给处理液的时间差限制在最小限度来向基板上表面的各部分供给规定量的处理液。并且，构成列状处理液的各处理液的着落位置，不在经过基板的旋转中心并在基板的旋转半径方向延伸的旋转半径线上，而从该旋转半径线上开始，沿与旋转半径线垂直的方向(偏置方向)仅偏移规定的距离。通过这样着落列状处理液，具有以下优点。即，着落在基板上表面的处理液，按照符合作用于和随基板的旋转而出现的基板的旋转方向相反方向的反作用的力、和作用于旋转半径方向的离心力所合成的矢量的方向以及力的大小，在基板上表面流动，向基板外排出。在此，在使构成列状处理液的各处理液着落在旋转半径线上的情况下，作用于构成列状处理液的各处理液(液滴)的离心力的方向(旋转半径方向)全部为同一方向。另一方面，如本发明这样，通过使构成列状处理液的各处理液从旋转半径线上偏移来着落，从而作用于构成列状处理液的各处理液的离心力的方向(旋转半径方向)，为相互不同的方向。其结果是，着落在了基板上表面之后的处理液(液滴)的轨迹相互不同，促进在基板上表面上的处理液的均匀分散。
进而，根据本发明，除第一喷出装置之外，还设置第二喷出装置，由该第二喷出装置向基板上表面的旋转中心喷出处理液。由此，即使在由第一喷出装置喷出而着落在基板上表面的处理液不能向基板的旋转中心充分供给、或者着落在基板上表面的处理液的轨迹偏离基板的旋转中心时，也通过由第二喷出装置喷出的处理液，向基板的旋转中心供给处理液而确实地处理基板中心部。另外，第一以及第二喷出装置可以分别单独构成来各自配置，也可以一体地构成来配置。
这样，根据本发明，通过由第二喷出装置喷出的处理液确实对基板中心部进行处理，并通过由第一喷出装置喷出的列状处理液，向基板上表面的各部分迅速地供给处理液，能够对基板上表面均匀地进行处理。因此，不增加供给到基板上表面的处理液的量，而能够以少量的处理液对整个基板上表面均匀进行处理。
在此，可以将从第一喷出装置喷出的列状处理液的着落位置限定在由经过基板的旋转中心并在偏置方向延伸的线和旋转半径线分割基板上表面而被规定的四个象限中的任意一个。即使将列状处理液的着落位置限定在这样的范围内，也能够通过基板的旋转均匀地处理整个基板上表面。进而，通过限定列状处理液的着落位置，能够有效降低处理液的消耗量。
另外，由第一喷出装置喷出的处理液的喷出方向是任意的。例如，可以相对基板上表面垂直地喷出处理液，也可以相对基板上表面沿基板的旋转方向从斜上方呈列状地喷出处理液。但是，通过像后者那样喷出处理液能够得到以下效果。即，通过沿基板的旋转方向喷出处理液，着落在基板上表面的处理液，受到作用于和随基板的旋转而出现的基板的旋转方向相反方向的反作用力和作用于旋转半径方向的离心力，并沿着按照旋转方向的喷出方向扩散到该喷出方向的前面侧。因此，能够以少量的处理液使处理液均匀分散在更广范围，能够进一步提高供给到基板上表面的各部分的每单位面积的处理液的供给量的均匀性。另外，相对于向基板上表面垂直地喷出处理液的情况，能够抑制向基板上表面喷出而着落在基板上表面的处理液与已经供给到基板上表面的处理液的干涉。例如，通过着落在基板上表面的处理液、和与基板一起旋转的同时移动到着落位置的附着在基板上表面的处理液的冲突，基板上表面的处理液的液面凸起，有时使处理的均匀性恶化，能够防止这种现象的产生。
另外，最好设置沿与基板的旋转半径方向上大致平行的排列方向具有多个喷出孔的多孔喷嘴作为第一喷出装置，从该多个喷出孔分别喷出处理液。根据这样的结构，能够沿上述的排列方向对基板呈列状地供给处理液，根据例如半导体晶片这样的大致圆形的基板就不用说了，对液晶显示用玻璃基板这样的方形基板供给处理液时，也能够将处理液确实地遍布到基板的端缘部，能够抑制处理液的浪费并能够均匀地处理基板。
在此，优选地，在处理长方形的方形基板时，使从第一喷出装置喷出而着落在方形基板的上表面的列状处理液在排列方向上的长度为方形基板的短边的一半长度以下。根据这样的结构，能使列状处理液确实地着落在所旋转的方形基板的上表面，能够得到以下效果。即，若使列状处理液在排列方向上的长度比方形基板的短边的一半长度长，则发生伴随基板的旋转，从第一喷出装置喷出的列状处理液之中，基板的端缘侧的处理液的一部分未供给到基板上表面的状态(例如，列状处理液的排列方向和方形基板的短边方向平行时)。若从该状态使基板进一步旋转，则方形基板的角部(4角)横切从第一喷出装置喷出的基板的端缘侧的处理液，产生处理液的弹回。由此，通过使列状处理液确实地着落在方形基板的上表面，从而防止处理液的弹回，能够均匀地处理基板。特别是在基板尺寸较大时，由于角部的线速度也变大，所以如上所述那样设定列状处理液在排列方形的长度在防止处理液的弹回方面，非常有效。
本发明的基板处理装置的其他方式是使基板以水平姿势旋转的同时向该基板供给处理液，对基板实施规定的处理的基板处理装置，为达成上述目的，其特征在于，具有：基板保持装置，其将基板以大致水平姿势保持；旋转驱动装置，其旋转驱动基板保持装置，使基板绕规定的旋转中心旋转；喷出装置，其向通过旋转驱动装置旋转的基板的上表面，沿与基板的旋转半径方向大致平行的规定的排列方向呈列状，并且沿基板的旋转方向对基板的上表面从斜上方喷出处理液，构成从喷出装置喷出而着落在上述基板上表面的列状处理液的各处理液的着落位置，在以经过基板的旋转中心并在基板的旋转半径方向延伸的线为旋转半径线时，在基板上表面上满足以下第一以及第二条件。
另外，本发明的基板处理方法的其他方式是使基板以水平姿势旋转的同时向该基板供给处理液，对基板实施规定的处理的基板处理方法，为达成上述目的，其特征在于，具有：使基板以大致水平姿势绕规定的旋转中心旋转的基板旋转工序；在基板旋转工序中，从喷出装置向基板的上表面，沿与基板的旋转方向大致平行的规定的排列方向呈列状、并且沿基板的旋转方向对基板上表面从斜上方喷出处理液的工序，构成从喷出装置喷出而着落在基板上表面的列状处理液的各处理液的着落位置，在以经过基板的旋转中心并在基板的旋转半径方向延伸的线为旋转半径线时，在基板上表面上满足以下第一以及第二条件。
在此，所谓第一条件，是从旋转半径线中相对基板的旋转中心而在一侧延伸的线上起，在与旋转半径线垂直的偏置方向上沿着与基板的旋转方向相反方向而偏移规定的距离的结构。另外，所谓第二条件，是着落位置的基板的旋转中心侧的端部，相对经过基板的旋转中心并在偏置方向延伸的线，在旋转半径线中相对基板的旋转中心而位于另一侧的结构。
根据这样的结构，从喷出装置沿与基板的旋转半径方向大致平行的排列方向呈列状地喷出处理液(列状处理液)，因此，能够在较广范围，将到对基板上表面的各部分供给处理液为止的时间差限制在最小限度，供给处理液。
此外，通过满足第一条件，作用于构成着落在基板上表面的列状处理液的处理液的各液滴的离心力的方向(旋转半径方向)是相互成不同的方向。其结果是，着落在基板上表面的处理液(液滴)的轨迹相互不同，促进在基板上表面上的处理液的均匀分散。进而，通过沿基板的旋转方向喷出处理液，着落在基板上表面的处理液沿喷出方向被扩散到该喷出方向的前侧。因此，能够以少量的处理液使处理液均匀分散在更广范围内。
另外，通过满足第二条件，着落在基板上表面的列状处理液之中，位于基板的旋转中心侧的端部的处理液经过基板的旋转中心同时，向基板的端缘侧流动。具体地说，除来自喷出装置的作用于喷出方向的力之外，还受到作用于和随着基板的旋转而出现的基板的旋转方向相反方向的反作用的力、和作用于旋转半径方向的离心力，并将处理液向基板中心部供给，分散并向基板外排出。
因此，通过满足第一以及第二条件，确实地处理基板中心部，同时能够因列状处理液而对基板的上表面的各部分迅速地供给处理液，可以对基板上表面均匀地进行处理。其结果是，不增加供给到基板上表面的处理液的量，而能够以少量处理液对基板均匀处理。
在此，为了抑制处理液的浪费的同时均匀地处理基板，也可以设置沿与基板的旋转半径方向大致平行的排列方向设置了多个喷出孔的多孔喷嘴作为喷出装置，从该多个喷出孔分别喷出处理液。
另外，在处理长方形的方形基板时，优选从喷出装置喷出而着落在基板上表面的列状处理液在排列方向的长度L以满足以下的条件的方式设定。也就是，优选这样设定：
L≤Re·sinθ+(Wn/2)
其中，Re是从方形基板的旋转中心开始到列状处理液的方形基板的旋转中心侧的端部着落位置为止的距离，
θ是连接方形基板的旋转中心和列状处理液的方形基板的旋转中心侧的端部着落位置的线段、与经过方形基板的旋转中心在偏置方向延伸的线所形成的角度，
Wn是方形基板的短边的长度。
根据这样的结构，能够使列状处理液确实地着落在所旋转的方形基板的上表面上，防止所旋转的方形基板的角部(4角)横切从喷出装置喷出的基板的端缘侧的处理液。其结果是，防止处理液的弹回，能够均匀处理基板。
根据本发明，通过向基板上表面呈列状地喷出处理液，而在较广范围，将到对基板上表面的各部供给处理液为止的时间差限制在最小限度，来供给处理液。并且，使构成着落在基板上表面的列状处理液的各处理液的着落位置从旋转半径线上开始沿与旋转半径线垂直的偏置方向仅偏移规定的距离，由此，能够促进在基板上表面上的处理液的均匀分散。进而，通过向基板中心部供给处理液，从而确实地处理基板中心部。因此，确实地处理基板中心部，同时因列状处理液而能够向基板上表面的各部分迅速地供给处理液，能够以少量的处理液对整个基板上表面均匀进行处理。
附图说明
图1是表示本发明的基板处理装置的第一实施方式的图。
图2是表示液体喷出喷嘴部的结构以及从液体喷出喷嘴部喷出的处理液在基板上表面的着落位置的立体图。
图3是表示液体喷出喷嘴部的结构以及从液体喷出喷嘴部喷出的处理液在基板上表面的着落位置的俯视图。
图4是用于说明从多孔喷嘴喷出的处理液的喷出方向的图。
图5是表示作用于从多孔喷嘴喷出并着落在基板上表面的药液的力的方向的示意图。
图6是表示本发明的基板处理装置的第二实施方式的图。
图7是图6的基板处理装置的要部放大图。
图8是表示本发明的基板处理装置的第三实施方式的图。
具体实施方式
<第一实施方式>
图1表示本发明的基板处理装置的第一实施方式的图。该基板处理装置是向长方形的方形基板、即LCD用玻璃基板W(以下仅称为“基板W”)供给稀氟酸等的药液作为处理液，来蚀刻除去在该基板W的上表面不希望被形成的薄膜(无用物质)的装置。如图1所示，该装置具备：将基板W以大致水平姿势保持的基板保持部1(基板保持装置)；旋转驱动该基板保持部1的旋转驱动部2；向被保持在基板保持部1的基板W的上表面供给处理液的液体喷出喷嘴部3；使液体喷出喷嘴部3在上下方向以及水平方向移动的喷嘴驱动部4；回收从基板W被甩开的液体的杯部5；收纳各自的装置各部分的壳体6；控制整个装置的控制部(省略图示)。
该基板保持部1包括：具有与基板W同样程度的平面尺寸的基板支承板11；被固定在该基板支承板11的上表面来支承基板W的周缘部的周缘支承销12；被固定在基板支承板11的上表面来支承基板W的下表面中央部的中央支承销13。另外，考虑到实施蚀刻处理，基板保持部1由耐药品性树脂构成。
周缘支承销12与基板W的四角对应配置。各周缘支承销12具有：从下方支承基板W的外周端缘的支承台121、和与被支承台121支承的基板W的外周端面接触来限制基板W的移动的引导立起面122；在四个地方支承基板W的周缘部。另外，在图1中，为了避免附图变复杂，仅表示两个周缘支承销12。另外，中央支承销13与基板W的中央部对应，配置四个在基板支承板11上。此外，中央支承销13的个数并不限于四个。
在基板支承板11的下表面，安装着中空的筒轴21的上方端部。并且，该筒轴21的下方端部以经由传送带机构22来传递马达23的旋转驱动力的方式构成。由此，通过驱动马达23，被保持在基板支承板11上的基板W绕旋转中心(基板W的中心)A0旋转。这样，在该实施方式中，具备马达23和传送带机构22的旋转驱动部2具有本发明的“旋转驱动装置”的功能。
另外，筒轴21以中空筒状的构件构成，沿其中心配置有液体喷嘴16。并且，在液体喷嘴16贯通有液体供给管161，该液体供给管161的上端面对基板W的下表面中央部，以从被设置在上端部的喷嘴孔162向基板W的下表面的旋转中心附近能够供给药液或清洗液作为处理液的方式构成。此外，在此，利用纯水等作为清洗液。
进而，筒轴21沿着基板支承板11的开口延伸，而位于基板支承板11的上侧，从而开口有排出口17。另外，筒轴21和液体喷嘴16的间隙以经由流量调整阀86a，将配管86开放到大气压环境的方式构成。而且，在排出口17中，从该液体喷嘴16的侧面和筒轴21的内周面的间隙喷出来自大气压环境下的空气。另外，在液体喷嘴16的前端部被形成为剖面是T字的形状，在平坦的上表面的中央部开口有处理液的喷嘴孔162。
液体喷嘴16被连接到配管80。该配管80的基端部被分支为两个，在第一分支配管80a连接有药液供给源81，在第二分支配管80b连接有纯水供给源82。在各分支配管80a、80b分别设置有开关阀83a、83b。并且，通过按照来自控制部的开关指令打开开关阀83b并关闭开关阀83a，从而清洗液(纯水)经由配管80被压送到液体喷嘴16，从液体喷嘴16的喷嘴孔162向基板W的下表面供给。另外，通过按照来自控制部的开关命令打开开关阀83a并关闭开关阀83b，从而能够从液体喷嘴16的喷嘴孔162向基板W的下表面供给药液。
另外，气体供给路径163被设置在液体喷嘴16内，同时其下端部经由设置了开关阀84a的配管84与气体供给源连通并连接在一起，能够从气体供给路径163的上端部的喷出口向基板支承板11和基板W的下表面之间的空间供给清洁的空气或清洁的惰性气体(氮气等)等的清洁气体。
马达23和传送带机构22等被收容在被设置于作为该基板处理装置的底板的基底构件61上的圆筒状的箱62内。该箱62经由轴承63连接到筒轴21的外周面，处于覆盖筒轴21的状态。即，处于这样的状态：将从马达23开始到与基板支承板11连接之前为止的筒轴21的周围用箱62覆盖，伴随于此，安装在筒轴21的下方的马达23也以罩覆盖。
液体喷出喷嘴3具有喷嘴主体30，喷嘴主体30以沿上下方向以及水平方向移动自由的方式被配置在被基板保持部1保持的基板W的上方。喷嘴主体30被安装在支承臂7的前端部，该支承臂7的另一端部连接有喷嘴驱动部4。由此，通过驱动喷嘴驱动部4，能使喷嘴主体30在后述的处理位置、和在通过基板搬送装置(未图示)搬入搬出基板W时从基板保持部1退避的退避位置之间移动。喷嘴驱动部4具有：使喷嘴主体30和支承臂7一体地水平移动的水平移动驱动源41；使喷嘴主体30和支承臂7一体地沿上下方向升降的升降驱动源42。通过这些结构，可以通过水平移动驱动源41的驱动而使喷嘴主体30平行于基板W的上表面进行水平移动的同时，通过升降驱动源42的驱动而使喷嘴主体30进行上下移动。
液体喷出喷嘴部3与液体喷嘴16侧同样，能有选择地切换药液和清洗液并向基板W的上表面供给。即，在喷嘴主体30连接有液体供给管31，能够将从液体供给管31被压送到喷嘴主体30的处理液从喷嘴主体30向被基板保持部1保持的基板W的上表面供给。该液体供给管31与配管87连接在一起。而且，该配管87的基端部分支为两个，在第一分支配管87a连接有药液供给源81，在第二分支配管87b连接有纯水供给源82。在各分支配管87a、87b分别设置有开关阀88a、88b。并且，通过按照来自控制部的开关指令打开开关阀88b并关闭开关阀88a，从而将清洗液(纯水)从喷嘴主体30向基板W的上表面供给。另外，通过按照来自控制部的开关指令打开开关阀88a并关闭开关阀88b，从而能够从喷嘴主体308向基板W的上表面供给药液。
图2是表示液体喷出喷嘴部的结构以及液体喷出喷嘴部喷出的处理液在基板上表面的着落位置的立体图。图3是其俯视图。具体地说，这些图2以及图3表示通过喷嘴驱动部4的驱动来将液体喷出喷嘴部3定位在基板W的正上方的处理位置，并在该处理位置从液体喷出喷嘴部3向基板W的上表面喷出处理液的状态。
喷嘴主体30构成为在与基板W的旋转半径方向大致平行的排列方向X((+X)方向以及(-X)方向)延伸的筒状，具有多孔喷嘴32和中心处理喷嘴33。多孔喷嘴32和中心处理喷嘴33沿基板W的排列方向X相结合，并一体地构成。也就是，通过从液体供给管31向喷嘴主体30压送处理液，处理液从多孔喷嘴32和中心处理喷嘴33向基板W的上表面被喷出。
在多孔喷嘴32，沿排列方向X呈一列地等间隔设置有多个喷出管321。为了提高从喷出管321喷出的处理液的直线前进性，这些喷出管321分别构成为沿后述的喷出方向延伸设置的细径的圆筒形状。由此，能够防止从各喷出管321喷出的处理液着落在基板W的上表面的着落位置相互重叠，相互干涉。另外，在喷出口321的前端被开口的喷出孔321a的开口直径，基于减小处理液的流量(喷出量)的目的，为Φ1～2mm左右。因此，若从液体供给管31向喷嘴主体30压送处理液，则从多个喷出管321的各自的喷出孔321a同时沿喷出方向喷出处理液，在基板W的上表面沿排列方向X呈一列地供给处理液。这样，在该实施方式中，多孔喷嘴32具有本发明的“第一喷出装置”的功能。
另一方面，在中心处理喷嘴33延伸设置有喷出管331，在喷出管331的前端被开口的喷出孔331a朝向基板W的上表面中心(旋转中心A0)。由此，若从液体供给管31向喷嘴主体30压送处理液，则从喷出孔331a向基板W的旋转中心A0喷出处理液，而将处理液供给到基板W的中心部。这样，在该实施方式中，中心处理喷嘴33具有本发明的“第二喷出装置”的功能。
图4是用于说明从多孔喷嘴喷出的处理液的喷出方向的图。从多孔喷嘴32的各喷出管321喷出的处理液沿基板W的旋转方向A对基板W的上表面从斜上方入射。这时，基板W的上表面和处理液的喷出方向F所形成的角度α设定为大致30°～50°。这样，通过使处理液喷出，从而着落于基板W的上表面的处理液受到作用于与伴随基板W旋转的基板W旋转方向A相反方向的反作用的力和作用于旋转半径方向的离心力，同时也沿着按照旋转方向A的喷出方向F被扩散到该喷出方向F的前面侧。
然后，返回到图2以及图3，对从多孔喷嘴32喷出的处理液在基板W的上表面的着落位置进行说明。在此，通过基板W的旋转中心A0在基板W的旋转半径方向延伸的任意的假想线之中，对将与喷嘴主体30的排列方向(X方向)平行的假想线作为旋转半径线RL、以该旋转半径线RL为基准而从多孔喷嘴32喷出的处理液的着落位置进行说明。在此，旋转半径线RL是为了确定着落在基板W的上表面的处理液的着落位置而方便性引入的，旋转半径线RL其自身是按照基板W和多孔喷嘴32(排列方向X)的排列关系而被任意地假设地描绘的，并没有相对基板W的位置而被特定。
构成从多孔喷嘴32喷出并着落于基板W的上表面的列状处理液的处理液(液滴)的各着落位置不在旋转半径线RL上，而从旋转半径线RL上开始，在与旋转半径线RL垂直的偏置方向Y((+Y)方向以及(-Y)方向)仅偏移规定的距离S1(以下称为“偏置距离”)。即，从多孔喷嘴32喷出处理液，使得列状处理液着落在从旋转半径线RL上开始在Y方向仅偏移偏置距离S1的位置。
还有，列状处理液的着落位置在基板W的上表面上如下被限定。即，由经过基板W的旋转中心A0并在Y方向延伸的线CL和旋转半径线RL划分基板W的上表面而被规定的四个象限W1～W4之中，列状处理液的着落位置被限定在象限W2的区域内。这是为了沿上述的基板W的旋转方向A对基板的上表面喷出处理液这样的要求、和抑制处理液的消耗量。即使这样限定列状处理液的着落位置，也能够通过旋转基板W来扩散所着落的处理液，与从中心处理喷嘴33供给的处理液一起对基板W的整个上表面进行处理。此外，只要通过中心处理喷嘴33处理基板W的中心部，从多孔喷嘴32排出的列状处理液的着落位置也可以限定在象限W1内的区域中。
进而，以着落在基板W的上表面的列状处理液的X方向的长度L1为基板W的短边的长度Wn的一半以下的方式，从多孔喷嘴32喷出处理液。这样，通过规定列状处理液的长度L1，能对所旋转的基板W的上表面确实地着落列状处理液。
然后，对如上所述构成的基板处理装置的动作进行说明。在此，对如下情况进行说明：对被保持在基板保持部1的基板W供给稀氟酸等的药液作为处理液，蚀刻除去在基板W的上表面不希望被形成的薄膜。
通过基板搬送装置将未处理的基板W搬入到装置内，若被保持在基板保持部1，则通过驱动喷嘴驱动部4来将喷嘴主体30从退避位置移动到处理位置。通过驱动马达23，被保持在基板保持部1的基板W围绕基板W的旋转中心A0，以规定的旋转速度进行旋转。在这样的蚀刻处理中，基板W的旋转速度大致被设定为50～200rpm，优选被设定为50～150rpm。
然后，从喷嘴主体30向基板W的上表面喷出药液。具体地说，从多孔喷嘴32对基板W的上表面沿基板W的旋转方向A从斜上方呈列状地(呈一列地)喷出药液，同时从中心处理喷嘴33向基板W的上表面的旋转中心A0喷出药液。构成从多孔喷嘴32喷出的列状药液的各药液(液滴)在基板W的上表面上，着落在从旋转半径线RL开始向(+Y)方向仅偏移偏置距离S1的位置。在此，在基板W为所谓第四代(基板尺寸：730mm×920mm)的玻璃基板时，从处理的均匀性的观点看，偏置距离S1大致设定为40mm～60mm为最佳。当然，偏置距离S1按照成为处理对象的基板尺寸设定为合适、适当的距离。
图5是表示作用于从多孔喷嘴喷出着落在基板上表面的药液的力的方向的示意图。在构成着落在基板W的上表面的列状药液的各药液(液滴)，按照(1)作用于与基板W的旋转方向A相反方向的反作用的力fr1、fr2、…frn，(2)作用于旋转半径方向的离心力fc1、fc2、…fcn，(3)作用于按照旋转方向A的喷出方向F的力fd1、fd2、…fdn合成的矢量的方向以及力的大小在基板W的上表面流动，而被排出到基板外。在此，假设在使构成列状药液的各药液着落在了旋转半径线RL上的情况下，作用于构成列状药液的各药液(液滴)的离心力的方向(旋转半径方向)全部为同一方向。另一方面，如图5所示，通过使构成列状药液的各药液从旋转半径线RL上开始在Y方向偏移而着落，从而作用于构成列状药液的各药液的离心力fc1、fc2、…fcn的方向(旋转半径方向)为相互不同的方向。其结果是，着落在基板W的上表面之后的药液(液滴)的轨迹相互不同，促进在基板W的上表面的药液的均匀分散。
而且，由于沿基板W的旋转方向A从斜上方喷出药液，所以着落于基板W的上表面的药液沿着按照旋转方向A的喷出方向F被扩散到该喷出方向F的前面侧。因此，能够以少量的药液使药液均匀分散在更广的范围内，还能够进一步提高向基板W的上表面的各部分所供给的每单位面积的药液的供给量的均匀性。进而，相对向基板W的上表面垂直地喷出处理液的情况，具有像下面这样有利的效果。即，能够抑制向基板W的上表面喷出并着落在基板W的上表面的药液与已经被供给到基板W的上表面的药液干涉。例如，通过着落在基板W的上表面的药液、和与基板W一起旋转的同时移动到着落位置的附着在基板W的上表面的药液的冲突，在基板W的上表面，药液的液面凸起，使蚀刻处理的均匀性恶化，能够防止这种现象的产生。
另外，由于着落于基板W的上表面的列状药液的排列方向(X方向)的长度L1为作为方形基板的基板W的短边的长度Wn的一半以下，所以能够使列状药液确实地着落在所旋转的基板W的上表面。由此，能够得到以下效果。即，若使列状药液的X方向上的长度L1比方形基板的短边的长度Wn的一半长，则产生伴随基板W的旋转，在从多孔喷嘴32喷出的列状药液之中，基板W的端缘侧的药液的一部分没被供给到基板W的上表面的状态(例如列状药液的排列方向X和基板W的短边方向为平行的情况)。若从该状态进一步旋转基板W，基板W的角部(4角)横切从多孔喷嘴32喷出的基板W的端缘侧的药液，产生药液的弹回。由此，如上所述，通过使列状药液确实地着落在基板W的上表面，而能够防止药液的弹回，能够对基板W均匀地进行蚀刻处理。
如上所述，根据本实施方式，由于从具有多个喷出孔321a的多孔喷嘴32沿排列方向X呈列状地喷出药液，所以在比较广的范围内使药液同时着落于基板W的上表面。因此，能够将到向基板W的上表面的各部分供给药液为止的时间差限制在最小限度，能够向基板W的上表面的各部分供给规定量的药液。
另外，根据本实施方式，使构成列状药液的各药液的着落位置从旋转半径线RL开始沿与旋转半径线RL垂直的偏置方向Y仅偏移规定的距离(偏置距离)S1。其结果是，与着落在基板W的上表面的药液(液滴)的轨迹相互不同，促进在基板W的上表面的药液的均匀分散。进而，由于沿基板W的旋转方向A喷出药液，因此，着落在基板W的上表面的药液沿喷出方向F被扩散到该喷出方向F的前面侧，能以少量的药液在更广范围内使药液均匀分散。
另外，根据本实施方式，从中心处理喷嘴33向基板W的旋转中心A0喷出药液。由此，即使在由多孔喷嘴32喷出并着落在基板W的上表面的药液不能向基板W的旋转中心A0充分供给、或者着落在基板W的上表面的药液的轨迹偏离基板W的旋转中心A0时，利用由中心处理喷嘴33喷出的药液，能够对基板W的中心部确实地进行蚀刻处理。
这样，根据本实施方式，通过由中心处理喷嘴33喷出的药液，对基板W的中心部确实地进行蚀刻处理的同时，能够通过从多孔喷嘴32喷出的列状药液，将药液迅速地供给到基板W的上表面的各部分，能够对基板W的上表面均匀进行蚀刻处理。因此，不会增加向基板W的上表面供给的药液量，而能以少量的药液对基板W的整个上表面均匀进行蚀刻处理。
<第二实施方式>
图6是表示本发明的基板处理装置的第二实施方式的图。另外，图7是图6的基板处理装置的要部放大图。该第二实施方式与第一实施方式较大不同的点是利用仅从多孔喷嘴供给的药液对基板W的上表面实施蚀刻处理这一点，为了像这样进行处理，而变更从多孔喷嘴喷出并着落在基板W的上表面的药液的着落位置。此外，其他的结构基本上与第一实施方式相同，所以与第一实施方式进行对比，在以下对第二实施方式的特征进行详细说明。
在该第二实施方式的基板处理装置所采用的喷嘴主体30仅由多孔喷嘴34(相当于本发明的“喷出装置”)构成，其结构与在第一实施方式所采用的多孔喷嘴32相同。即，在多孔喷嘴34，沿排列方向(X方向)呈一列地等间隔延伸设置多个喷出管341，从各喷出管341的喷出孔341a对基板W的上表面从斜上方喷出药液。此外，以构成着落在基板W的上表面的列状药液的各药液的着落位置在偏置方向(Y方向)仅偏移规定的距离(偏置距离)的方式，使药液从多孔喷嘴34喷出。此外，关于偏置距离S2，从使药液均匀分散同时向基板W的中心部确实地供给药液的观点出发，还考虑基板W的旋转速度等，而适当被设定。
另一方面，在第一实施方式中，在由通过基板W的旋转中心A0并在Y方向延伸的线CL和旋转半径线RL划分基板W的上表面而被规定的四个象限W1～W4之中，将列状药液的着落位置限定在象限W2内的区域里，但是在该第二实施方式中，使列状药液的一部分着落在象限W3内的区域。也就是，以构成着落在基板W的上表面的列状药液的药液(液滴)的着落位置满足以下第一以及第二条件的方式，从多孔喷嘴34喷出药液(图7)。
第一条件：从旋转半径线RL中相对基板W的旋转中心A0而在一方侧(+X方向)延伸的线上，在Y方向上向着与基板W的旋转方向A相反方向仅偏移规定的距离(偏置距离)S2。即，从旋转半径线RL中的相对基板W的旋转中心A0而在+X方向延伸的线上，向着+Y方向仅偏移偏置距离S2。
第二条件：列状药液的着落位置的基板W的旋转中心侧的端部Pe，相对通过基板W的旋转中心A0并在Y方向延伸的线CL，在旋转半径线RL中相对基板W的旋转中心A0而位于另一侧(-X方向)。
这样，通过使列状药液着落，从而利用基板W的旋转，列状药液之中位于基板W的旋转中心侧的端部Pe的药液，经过基板W的旋转中心A0，并向基板W的端缘侧流动。具体地说，在位于基板W的旋转中心侧的端部Pe的药液，除作用于喷出方向的力之外，还有作用于与基板W的旋转方向A相反方向的反作用力、作用于旋转半径方向的离心力起作用，根据这些的合力，将药液供给到基板W的中心部，进行分散的同时向基板外排出。
在此，若将从基板W的旋转中心A0开始到列状药液的基板W的旋转中心侧的端部着落位置Pe为止的距离设为Re，将连接基板W的旋转中心A0和列状药液的基板W的旋转中心侧的端部着落位置Pe的线段、和经过基板W的旋转中心A0并在Y方向延伸的线CL所形成的角度设为θ，则与Re·sinθ相当的长度为列状药液的着落位置被从象限W2移向象限W3的量。这样的移动量(相当于Re·sinθ的长度)是考虑偏置距离S2、基板W的旋转速度、基板W的上表面的状态、使用的药液的表面张力的大小等的各种条件，以着落在象限W3内的药液通过基板W的旋转中心A0的方式而被设定的。
另外，以着落在方形基板W的上表面的列状药液的排列方向(X方向)的长度L2满足以下公式、即
L2≤Re·sinθ+(Wn/2)
其中，Wn…方形基板的短边的长度的方式使处理液从多孔喷嘴34喷出。这样，通过规定列状药液的长度L2，而能够使列状药液确实地着落在所旋转的基板W的上表面。由此，能够防止所旋转的基板W的角部(4角)横切从多孔喷嘴34喷出的基板W的端缘侧的药液。其结果是，能够防止药液的弹回，并对基板W均匀地进行蚀刻处理。
如上所述，根据该实施方式，与第一实施方式同样，从多孔喷嘴34沿与基板W的旋转半径方向大致平行的排列方向X呈列状地喷出药液(列状药液)，所以能在较宽范围内，将到药液被供给到基板W的上表面的各部分为止的时间差限制在最小限度来供给药液。
另外，根据该实施方式，通过满足上述第一条件，能够得到与第一实施方式同样的作用效果。即，着落在基板W的上表面的药液(液滴)的轨迹相互不同，促进在基板W的上表面上的药液的均匀分散。进而，通过沿基板W的旋转方向A喷出药液，从而着落在基板W的上表面的药液沿喷出方向扩散到该喷出方向的前面侧，能够以少量的药液使药液在更广范围均匀地分散。
另外，根据该实施方式，通过满足上述第二条件，就能够将着落在基板W的列状药液之中的位于基板W的旋转中心侧的端部Pe的药液向基板W的中心部供给，能够对基板W的中心部进行蚀刻处理。
因此，通过满足第一以及第二条件，确实地处理基板W的中心部的同时，因列状药液而能将药液迅速地供给到基板W的上表面的各部分，可以对基板W的上表面均匀地进行蚀刻处理。其结果是，不会使向基板W的上表面供给的药液的量增加，能够以少量的药液对基板W均匀地进行处理。并且，不设置中心处理用喷嘴，而从各喷出管341在同样条件下喷出药液，因此进一步提高蚀刻处理的均匀性。
<其他>
此外，本发明不仅限于上述的实施方式，只要不脱离其宗旨，除上述的实施方式以外，可以进行各种变更。例如，在上述第一实施方式中，在喷嘴主体30设置有多孔喷嘴32和中心处理喷嘴33，将多孔喷嘴32和中心处理喷嘴33一体地构成，但是不限定于此。例如，如图8所示，不同于多孔喷嘴32而另设有中心处理喷嘴35，可以分别配置多孔喷嘴32和中心处理喷嘴35(第三实施方式)。通过这种构成，确实地对基板W的中心部进行处理的同时，不管中心处理喷嘴35的配置位置，按照处理内容能够自由变更从多孔喷嘴32喷出的处理液的喷出方向、列状处理液的着落位置等的处理参数。
另外，在上述实施方式中，从多孔喷嘴32、34对基板W的上表面从斜上方喷出处理液(列状处理液)，但是处理液的喷出方向任意。例如，也可以对基板W的上表面垂直喷出处理液。即使这样构成，只要列状处理液的着落位置从旋转半径线RL上向着偏置方向Y偏移，着落在基板W的处理液(液滴)的轨迹就相互不同，促进处理液的均匀分散。因此，能够以少量的处理液对整个基板W的上表面均匀处理。这时，基板W的旋转方向A和喷出方向处于垂直关系，因此不会将列状处理液的着落位置限定在由经过基板W的旋转中心A0并在Y方向延伸的线CL和旋转半径线RL划分基板W的上表面而被所限定的四个象限W1～W4之中的任意一个。
另外，在上述实施方式中，在多孔喷嘴32、34，沿X方向(排列方向)呈一列地配置有多个喷出管，使得从多个喷出管分别喷出而着落在基板W的上表面的各处理液的着落位置呈一列地排列，但是处理液的排列形状不限于此。例如，可以变更多孔喷嘴的结构，例如使得从多个喷出管分别喷出而着落在基板W的上表面的各处理液的着落位置在Y方向(偏置方向)相互不同，并沿排列方向X排列为弓形形状或者锯齿形状。重点是，只要沿排列方向X呈列状地喷出处理液，使得从多个喷出管各自喷出而着落在基板W的上表面的各处理液的着落位置相互不干涉即可，多孔喷嘴的结构是任意的。
另外，在上述实施方式中，通过由设置在多孔喷嘴32、34的多个喷出管喷出处理液，从而向基板W供给列状处理液，但是不只限于此。例如，也可以通过将多个喷出喷嘴各自沿排列方向X呈列状地配置，使处理液从各喷出喷嘴喷出，从而将列状处理液供给到基板W。
另外，在上述实施方式中，在多孔喷嘴32、34延伸设置有多个喷出管，但是也可以不设置多个喷出管，而在沿排列方向X延伸的管上沿排列方向X穿设多个喷出孔。进而，不只限于多孔喷嘴，也可以利用以沿排列方向X延伸的方式被开口的狭缝喷嘴。
另外，在上述实施方式中，针对由稀氟酸等构成的药液向基板W供给来对基板W实施蚀刻处理的情况进行了说明，但是基板处理的内容不限定于此。例如，也能够适用于利用纯水等的清洗液作为处理液来对该处理液施加超声波振动的同时，呈列状地将清洗液供给到进行旋转的基板W，而对基板W实施清洗处理的装置。
本发明能够适用于一种基板处理装置以及基板处理方法，其使包括半导体晶片、液晶显示装置用玻璃基板、PDP(等离子体显示器)用基板、或者磁盘用的玻璃基板或陶瓷基板等的各种基板旋转并向该基板供给处理液，从而对基板实施规定的处理。

Claims (10)

1.一种基板处理装置，其使基板以大致水平姿势旋转，同时向该基板供给处理液，而对上述基板实施规定的处理，其特征在于，具有：
基板保持装置，其将基板以大致水平姿势保持；
旋转驱动装置，其旋转驱动上述基板保持装置，使上述基板绕规定的旋转中心旋转；
第一喷出装置，其向通过上述旋转驱动装置而被旋转的上述基板的上表面，沿与上述基板的旋转半径方向大致平行的规定的排列方向，呈列状地喷出处理液；
第二喷出装置，其向上述基板上表面的旋转中心喷出处理液，
在以经过上述基板的旋转中心并在上述基板的旋转半径方向上延伸的线为旋转半径线时，构成从上述第一喷出装置喷出而着落在上述基板上表面的上述列状处理液的各处理液的着落位置，从上述旋转半径线上起在与该旋转半径线垂直的偏置方向上偏移规定的距离。
2.如权利要求1所记载的基板处理装置，其特征在于，上述第一喷出装置具有沿上述排列方向设置了多个喷出孔的多孔喷嘴，
上述多孔喷嘴通过从上述多个喷出孔分别喷出处理液，来向上述基板上表面供给上述列状处理液。
3.如权利要求1或2所记载的基板处理装置，其特征在于，上述第一喷出装置以上述着落位置被限定在由经过上述基板的旋转中心并在上述偏置方向上延伸的线和上述旋转半径线划分上述基板上表面而被规定的四个象限之中的任意一个中的方式，来喷出处理液。
4.如权利要求3所记载的基板处理装置，其特征在于，上述第一喷出装置沿上述基板的旋转方向对上述基板上表面从斜上方呈列状喷出处理液。
5.如权利要求3所记载的基板处理装置，其特征在于，上述基板是长方形的方形基板，
从上述第一喷出装置喷出而着落在上述方形基板的上表面的上述列状处理液在上述排列方向上的长度为上述方形基板的短边的一半长度以下。
6.一种基板处理装置，其使基板以大致水平姿势旋转的同时，向该基板供给处理液，而对上述基板实施规定的处理，其特征在于，具有：
基板保持装置，其将基板以大致水平姿势保持；
旋转驱动装置，其旋转驱动上述基板保持装置，使上述基板绕规定的旋转中心旋转；
喷出装置，其向通过上述旋转驱动装置而被旋转的上述基板的上表面，沿与上述基板的旋转半径方向大致平行的规定的排列方向呈列状、并且沿上述基板的旋转方向对上述基板的上表面从斜上方喷出处理液，
构成从上述喷出装置喷出而着落在上述基板上表面的上述列状处理液的各处理液的着落位置，在以经过上述基板的旋转中心并在上述基板的旋转半径方向延伸的线为旋转半径线时，在上述基板上表面上满足以下条件：
第一条件：从上述旋转半径线中相对上述基板的旋转中心而在一侧延伸的线上起，在与上述旋转半径线垂直的偏移方向上沿着与上述基板的旋转方向相反方向而偏移规定的距离；
第二条件：上述着落位置的上述基板的旋转中心侧的端部，相对经过上述基板的旋转中心并在上述偏置方向延伸的线，在上述旋转半径线中相对上述基板的旋转中心而位于另一侧。
7.如权利要求6所记载的基板处理装置，其特征在于，上述喷出装置具有沿上述排列方向设置了多个喷出孔的多孔喷嘴，
上述多孔喷嘴通过从上述多个喷出孔分别喷出处理液，来向上述基板上表面供给上述列状处理液。
8.如权利要求6或7所记载的基板处理装置，其特征在于，上述基板为长方形的方形基板，
从上述喷出装置喷出而着落在上述方形基板的上表面上的上述列状处理液在上述排列方向上的长度L满足以下的条件：
L≤Re·sinθ+(Wn/2)，
其中，Re是从上述方形基板的旋转中心开始到上述列状处理液的上述方形基板的旋转中心侧的端部的着落位置为止的距离；
θ是连接上述方形基板的旋转中心和上述列状处理液的上述方形基板的旋转中心侧的端部着落位置的线段、与经过上述方形基板的旋转中心并在上述偏置方向延伸的线所形成的角度；
Wn是上述方形基板的短边的长度。
9.一种基板处理方法，使基板以大致水平姿势旋转的同时，向该基板供给处理液，而对上述基板实施规定的处理，其特征在于，具有：
使基板以大致水平姿势绕规定的旋转中心旋转的基板旋转工序；
在上述基板旋转工序中，从第一喷出装置向上述基板的上表面，沿与上述基板的旋转半径方向大致平行的规定的排列方向呈列状地喷出处理液，同时从第二喷出装置向上述基板上表面的旋转中心喷出处理液的工序，
在以经过上述基板的旋转中心并在上述基板的旋转半径方向延伸的线为旋转半径线时，构成从上述第一喷出装置喷出而着落在上述基板上表面的上述列状处理液的各处理液的着落位置，从上述旋转半径线上起，向着与该旋转半径线垂直的偏置方向偏移规定的距离。
10.一种基板处理方法，使基板以大致水平姿势旋转的同时，向该基板供给处理液，而对上述基板实施规定的处理，其特征在于，具有：
使基板以大致水平姿势绕规定的旋转中心旋转的基板旋转工序；
在上述基板旋转工序中，从喷出装置向上述基板的上表面，沿与上述基板的旋转方向大致平行的规定的排列方向呈列状、并且沿上述基板的旋转方向对上述基板上表面从斜上方喷出处理液的工序，
构成从上述喷出装置喷出而着落在上述基板上表面的上述列状处理液的各处理液的着落位置，在以经过上述基板的旋转中心并在上述基板的旋转半径方向延伸的线为旋转半径线时，在上述基板上表面上满足以下条件：
第一条件：从上述旋转半径线中相对上述基板的旋转中心而在一侧延伸的线上起，在与上述旋转半径线垂直的偏移方向上沿着与上述基板的旋转方向相反方向而偏移规定的距离；
第二条件：上述着落位置的上述基板的旋转中心侧的端部，相对经过上述基板的旋转中心并在上述偏置方向延伸的线，在上述旋转半径线中相对上述基板的旋转中心而位于另一侧。
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