CN1992158A - 基板处理装置 - Google Patents

基板处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN1992158A
CN1992158A CNA2006101646806A CN200610164680A CN1992158A CN 1992158 A CN1992158 A CN 1992158A CN A2006101646806 A CNA2006101646806 A CN A2006101646806A CN 200610164680 A CN200610164680 A CN 200610164680A CN 1992158 A CN1992158 A CN 1992158A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
mentioned
treatment fluid
developer solution
additional services
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2006101646806A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100483618C (zh
Inventor
芳谷光明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Skilling Group
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Publication of CN1992158A publication Critical patent/CN1992158A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100483618C publication Critical patent/CN100483618C/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

一种基板处理装置，是以水平状态在基板表面形成了处理液的液层之后、将基板变换为倾斜姿态的装置，能够用处理液对基板表面进行均匀地处理。当通过显影液供给喷嘴(22)将显影液供给到表面上的基板(S)被搬送辊(21、31)搬送到倾斜机构时，从显影液补充喷嘴(43)对利用倾斜机构而开始向倾斜姿态变换的基板(S)的上端部供给显影液。姿态变换后的基板被搬送辊(41)搬送到下一个工序的清洗室(5)。

Description

基板处理装置
技术领域
本发明涉及一种基板处理装置，特别涉及一种对基板表面供给处理液的技术。
背景技术
到目前为止，为了对曝光处理后的基板表面进行显影处理，公知有向基板表面供给显影液等的处理液的基板处理装置。例如，在专利文献1中提出了这样的基板处理装置：将基板以水平状态向规定的方向进行搬送，同时在该基板的表面上形成显影液的液层，此后通过处理进行机构利用显影液进行处理，进一步将该基板置为倾斜的状态之后，对该倾斜状态的基板进行清洗。
专利文献1：JP特开平-87210号公报。
根据现有的基板处理装置，在显影液进行供给之后，将基板置为倾斜姿态而供给显影液，通过对从基板流落的处理液进行回收而再利用，从而能够得到以下效果：能够削减向下个工序的处理部的处理液的输出量，从而能够减低显影液的消耗量，同时能够以倾斜姿态高效地进行基板清洗。然而，如上所述，当将基板从水平状态切换到倾斜状态而导致形成在基板表面上的显影液的液层流落时，产生在基板表面内不能均匀地进行显影处理这样的问题。若具体来说，由于与搬送基板同时进行显影液的供给，故基板表面上的显影液的液层会从基板的搬送方向的前方依次形成到后方侧。由此，基板的前方侧会比后方侧先开始基板表面上的显影反应。当将进行着这种显影反应的基板切换为倾斜姿态时，由于基板表面上的显影液流落而变少，则会导致在基板的整个表面上大致同时显影反应变缓慢或停止。这样一来，在显影液的液层形成时，显影反应的开始时机与基板的前方侧和后方侧的不同无关，显影反应缓慢或停止的时机在基板整个表面中是大致同时的，导致基板表面的前方侧的显影反应比后方侧的显影反应先进行，而不能够在基板表面内进行均匀的显影处理。
发明内容
本发明是为了解决上述问题而做出的发明，其目的在于，在以水平状态在基板表面形成了处理液的液层之后、将该基板变换为倾斜姿态的装置中，能够用处理液对基板表面进行均匀的表面处理。
(1)本发明提供一种基板处理装置，对基板的表面供给处理液而进行表面处理，具备有：第一搬送机构，其将基板以水平姿态进行搬送；液层形成机构，其从搬送方向的前端侧对由上述第一搬送机构进行搬送中的基板的表面的整个宽度依次供给第一处理液，从而在基板的整个表面上形成处理液的液层；姿态变换机构，其将通过上述液层形成机构而形成了上述第一处理液的液层的基板的姿态，从水平姿态变换为向上述基板的宽度方向倾斜的规定的倾斜姿态；追加供给机构，其至少对通过上述姿态变换机构而被变换为上述规定的倾斜姿态的基板的表面，向着上述搬送方向上的至少后部、并且是在上述基板的宽度方向上被置为倾斜姿态时成为上侧的上端部追加供给上述第一处理液。
在该结构中，基板在由第一搬送机构进行搬送中，通过液层形成机构对其表面的整个宽度形成液层。当形成了液层的基板被第一搬送机构搬送到姿态变换机构时，从水平姿态被变换为向上述基板的宽度方向倾斜的规定的倾斜姿态。变化为这种姿态之后，或者也包括进行姿态变换的前后甚至姿态变换中，即，通过追加供给机构至少对被变换为倾斜姿态的基板表面，向着搬送方向的至少后部，并且在上述基板的宽度方向上被置为倾斜姿态时成为上侧的上端部追加供给上述第一处理液。
(2)本发明提供的基板处理装置具备有：第二搬送机构，其以上述规定的倾斜姿态搬送通过上述追加供给机构而追加供给了上述第一处理液的基板；第二处理液供给机构，其从上述搬送方向的前端侧依次向由上述第二搬送机构进行搬送中的基板的表面供给与上述第一处理液不同的第二处理液。
在该结构中，追加供给了第一处理液的基板被第二搬送机构以倾斜姿态被搬送并使第一处理液流落，接着，通过第二处理液供给机构，从上述搬送方向的前方侧向基板的表面依次供给与上述第一处理液不同的第二处理液。
(3)本发明的基板处理装置的上述追加供给机构对上述搬送方向上的基板全长进行上述第一处理液的追加供给。
在该结构中，通过追加供给机构，至少对被变换为倾斜姿态的基板向搬送方向的基板全长追加供给第一处理液。由此，与只对上述搬送方向上的后部侧追加供给第一处理液时相比，能够针对上述搬送方向上的基板表面各部分减低处理的进行程度的差异。
(4)本发明的基板处理装置的上述追加供给机构对上述搬送方向上的基板的后部侧供给的第一处理液的供给量比对前部侧供给的第一处理液多。
在该结构中，由于对用第一处理液进行的处理缓慢开始的向基板的后部侧的第一处理液的供给量与前部侧相比相对较多，所以能够对基板整个表面均匀地进行处理。
(5)本发明的基板处理装置的上述追加供给机构具有向上述基板喷出上述第一处理液的喷嘴，该喷嘴是维持与通过上述姿态变换机构进行姿态变换的基板的位置关系的同时并与上述姿态变换连动而移动的结构，并且，在利用上述姿态变换机构进行的上述姿态变换的前后以及姿态变换中喷出上述第一处理液从而进行上述第一处理液的追加供给。
在该结构中，由于喷嘴是维持与通过姿态变换机构进行姿态变换的基板的位置关系的同时并与上述姿态变换连动而移动的结构，所以能够与基板的姿态无关而通常维持与基板的位置关系。来自该喷嘴的第一处理液的追加供给从基板处于水平姿态的状态开始，在向着倾斜姿态变换中也一直持续。在开始了将基板向着倾斜姿态进行变换动作后开始第一处理液的追加供给时，在追加供给第一处理液之前，存在于基板的上端部的第一处理液从基板表面流落，产生了在基板上端部不存在第一处理液的时间段，在此期间，基板的上端部容易干燥，但在该结构中，从基板处于水平姿态的时刻开始第一处理液的追加供给，所以能够防止基板上端部干燥。
(6)本发明的基板处理装置具备有限制部件，其配置在上述喷嘴的附近，并且从该喷嘴偏向基板的宽度方向的中央侧，相对基板表面具有规定的间隙。
在基板处于水平姿态的状态下开始第一处理液的追加供给时，新供给的第一处理液原样浸入已经在基板表面上进行了处理的液层，该浸入部分有可能导致产生处理不均，但在上述结构中，通过限制部件，暂时阻止新供给的第一处理液流到处于水平姿态的基板的端部，从而能够抑制浸入已经存在的液层，防止在基板表面上产生处理不均。
(7)本发明的基板处理装置的上述追加供给机构具有向上述基板的搬送方向延伸的狭缝状的液体供给口。
在该结构中，从液体供给口被供给的第一处理液相对基板表面被均匀扩散供给。
(8)本发明的基板处理装置的上述追加供给机构从上述搬送方向的各部位对搬送中的基板的全长进行上述第一处理液的追加供给，并且，对上述追加供给机构的各部位中的、与上述基板的后端通过的位置对应的部位依次停止第一处理液的供给。
根据该结构，对因基板搬送而与基板的后端通过的位置对应的追加供给机构的部位依次停止第一处理液的供给，所以不会无用的供给第一处理液，从而减低第一处理液的消耗量。
(9)本发明的基板处理装置，在上述姿态变换机构中，在与被变换姿态的基板的上述宽度方向的上端部对应的下方位置，设有接收从上述追加供给机构所供给的第一处理液的处理液接收部。
根据该结构，在与变换姿态的基板的上述宽度方向的上端部对应的下方位置，设有接收从追加供给机构所供给的第一处理液的处理液接收部，所以在从基板表面的上端部侧落下的第一处理液被高效回收的同时，很难产生液体飞溅。
(10)本发明的基板处理装置，在上述第二搬送机构的上述搬送方向下游侧的规定位置，设有对被上述第二搬送机构搬送的基板的表面上所残留的第一处理液进行阻液的阻液机构。
在该结构中，即使追加供给机构继续对处于倾斜姿态的基板表面供给第一处理液，也能够通过设在上述姿态变换机构的上述搬送方向下游侧的规定位置的阻液机构，来阻挡基板表面上的第一处理液，而将其限制为一定量，所以能够将第一处理液的向下一个工序的处理部的输出限制在一定量。
根据(1)记载的发明，将从基板搬送方向的前方向后方侧依次进行的由第一处理液的液层进行的处理反应开始的状态下的基板置为倾斜姿态，即使基板表面的第一处理液流落，由于至少对在基板搬送方向上成为后部侧的基板上端部追加供给第一处理液，所以能够使基板表面上的第一处理液接近均匀的分布。
根据(2)记载的发明，在基板搬送方向上的基板的前端侧，因由第二处理液供给机构所进行的第二处理液的供给，利用第一处理液所进行的处理变得进行缓慢或停止。由此，能够在基板表面的各部分均匀地进行利用第一处理液的处理，而消除基板表面的处理不均。
另外，通过倾斜基板而使表面上的第一处理液流落，从而能够迅速地进行由第一处理液向第二处理液的置换，另外，能够减低向下一个工序的第一处理液的输出量，并能够高效回收第一处理液。
根据(3)记载的发明，追加供给机构至少对被变换为倾斜姿态的基板在搬送方向的基板全长追加供给上述第一处理液，所以持续对基板的整个面进行处理，与只对基板搬送方向上的后部侧追加供给第一处理液时相比，能够减低基板搬送方向上的基板表面各部分的处理的进行程度的差异。
根据(4)记载的发明，由于用第一处理液进行的处理缓慢开始的向基板搬送方向的基板后部侧供给的第一处理液的供给量与前部侧相比相对较多，所以能够对基板整个表面进行更均匀的处理。
根据(5)记载的发明，由于从基板处于水平姿态的时刻开始追加供给第一处理液，所以即使因将基板变换为倾斜姿态而使存在于基板的上端部的第一处理液从基板表面流落，也不会发生在该基板上端部不存在第一处理液的时间段，从而能够防止基板上端部干燥。
根据(6)记载的发明，通过限制部件，暂时阻止从追加供给机构对处于水平姿态的基板新供给的第一处理液流到基板的端部，从而能够抑制浸入已经存在于基板表面上的液层，所以能够防止在基板表面产生处理不均。
另外，由于在冲撞了限制部件之后从追加供给机构对基板供给第一处理液，所以能够对基板表面均匀的供给第一处理液。
根据(7)记载的发明，追加供给机构具有向基板的搬送方向延伸的狭缝状的液体供给口，所以，从该液体供给口供给的第一处理液以相对基板表面均匀的扩散的方式被供给。
根据(8)记载的发明，对通过基板搬送而与基板的后端通过的位置对应的追加供给机构的部位依次停止第一处理液的供给，所以不会无用的供给第一处理液，从而能够减低第一处理液的消耗量。
根据(9)记载的发明，能够在从追加供给机构供给的第一处理液被高效回收的同时，能够难以产生液体飞溅。
根据(10)记载的发明，即使追加供给机构继续对处于倾斜姿态的基板表面供给第一处理液，也能够通过阻液机构来阻挡基板表面上的第一处理液，而将其限制为一定量，所以能够防止将向下一个工序的处理部输出的第一处理液超过一定量。
附图说明
图1是示意地表示本发明的第一实施方式涉及的基板处理装置的整体结构的侧视图。
图2是表示利用阻液刮板进行液体阻断的状况的图。
图3是表示处于进行基板的姿态变换之前的状态的倾斜机构的侧视图。
图4是表示处于进行基板的姿态变换之后的状态的倾斜机构的侧视图。
图5是表示倾斜机构中的显影液补充喷嘴的配设处附近的部分放大图。
图6是表示显影液喷出喷嘴的其他实施方式的图。
图7是表示显影液喷出喷嘴的其他实施方式的图。
图8是表示显影液喷出喷嘴的其他实施方式的图。
图9是表示依次停止从基板搬送方向上的显影液补充喷嘴各部分供给显影液时的显影液喷出喷嘴的图。
图10是表示对从基板搬送方向上的显影液补充喷嘴各部分供给的显影液供给量进行调整控制时的显影液喷出喷嘴的图。
具体实施方式
下面，参照附图，针对本发明的一个实施方式涉及的基板处理装置进行说明。图1是示意地表示本发明的第一实施方式涉及的基板处理装置的整体结构的侧视图。图2是表示利用阻液刮板45进行液体阻断的状况的图。该基板处理装置1，例如对矩形的LCD用玻璃基板(以下，仅称为基板)S的表面供给作为处理液的显影液来进行显影处理，然后供给清洗液进行清洗处理。
基板处理装置1具备：液层形成室2，其对以水平姿态被搬送的基板S的表面供给显影液，因显影液的表面张力而在基板S的表面形成显影液的液层；处理进行室3，其保持形成了显影液的液层的基板S，利用液层的显影液进行处理；姿态变换室4，其将利用显影液的液层的处理结束后的基板S的姿态从水平姿态变换为倾斜姿态，同时，在本实施方式中，还具备：清洗室5，其对倾斜姿态的基板S的表面供给清洗液从而进行清洗；干燥室6，其使清洗后的基板S进行干燥；姿态变换室7，其将干燥后的基板变换回水平姿态。
在液层形成室2中设有：搬送辊(第一搬送机构)21，其将基板S以水平姿态进行搬送；显影液供给喷嘴(液层形成机构)22，其对由该搬送辊21以水平姿态搬送的基板S的表面供给显影液，从而在其上表面形成显影液的液层。通过泵12向显影液供给喷嘴22来供给存积在显影液槽11中的显影液。显影液供给喷嘴22具有向与基板S的搬送方向垂直的方向(基板S的宽度方向)延伸的长度，从而向基板S的整个宽度来供给显影液。
在处理进行室3中设有搬送辊(第一搬送机构)31，其接收通过搬送辊21自液层形成室2以上表面上形成了显影液的液层的状态下被搬送来的基板S，并在该状态下保持基板。在一个旋转轴的多处设置与基板的下表面接触的支撑圆盘，从而构成搬送辊31。此外，本发明的第一搬送机构是指这样的搬送辊：配设在倾斜机构48的基板搬送方向上游侧，对接受由显影液供给喷嘴22进行的显影液供给的基板S进行搬送。
在姿态变换室4设有搬送辊(第二搬送机构)41，其接收通过搬送辊31自处理进行室3以形成了显影液的液层的状态下而搬送来的基板S，并保持该基板。搬送辊41与搬送辊31结构相同。另外，在姿态变换室4中设有倾斜机构，其能够将搬送辊41的姿态切换为以水平姿态保持基板S的状态、和在与基板搬送方向垂直的方向上以倾斜的倾斜姿态保持基板S的状态。在后面针对该倾斜机构进行叙述。
通过这种倾斜机构，在姿态变换室4中，将搬送辊41置为水平姿态，在其接收到了自处理进行室3通过搬送辊31以水平姿态被搬送来的基板S之后，倾斜搬送辊41使其旋转轴方向上的一端部向上方移动，在与基板搬送方向垂直的方向上以倾斜的状态搬送基板S。
进而，在倾斜机构上设有位于成为上述倾斜姿态的基板S的宽度方向上端部侧的位置的显影液补充喷嘴(追加供给机构)43。该显影液补充喷嘴43向利用倾斜机构开始进行向着倾斜姿态变换的基板S的表面的上端部，如后述那样追加供给显影液。在后面详细叙述显影液补充喷嘴43的结构。
另外，在姿态变换室4中的倾斜机构的基板搬送方向下游侧设有阻液刮板(阻液机构)45，该阻液刮板45对存在于变换姿态之后的基板S的表面上的显影液进行阻断，而将其限制为一定量。阻液刮板45具有向与基板搬送方向垂直的方向延伸的长条状的平板形状，与处于倾斜姿态的基板S的表面平行相向而配设。如图2所示，阻液刮板45被配设为自基板S的表面空有一定的间隔d。在形成有液层的基板S通过阻液刮板45的下方时，基板S的表面上的液层被阻液刮板45的下端部削减直到间隔d的高度，从而输出到阻液刮板45的基板搬送方向下游侧的基板S的表面上的显影液量变为一定量。如果对该阻液刮板45与基板S的表面的间隔d进行调整，就能够将伴随着基板S的搬送而输出到阻液刮板45的基板搬送方向下游侧即作为下一个工序的处理部的清洗室5的显影液量调整为期望的量。
此外，由液层形成室2、处理进行室3、姿态变换室4而构成显影处理室，在这些室的下方设有回收显影液的接收容器T2、T3、T4。由接收容器T2、T3、T4回收的显影液被回收到显影液槽11而进行再利用。
清洗室5具有：搬送辊51，其接收通过搬送辊41自姿态变换室4以倾斜姿态被搬送来的基板S，并以相同的倾斜姿态来搬送该基板；清洗液供给喷嘴52，其与基板S的倾斜角度吻合，向与基板搬送方向垂直的方向延伸，对通过搬送辊51以倾斜姿态被搬送的基板S的上表面供给清洗液；清洗液供给喷嘴53，其对基板S的下表面供给清洗液。清洗液供给喷嘴52、53与作为清洗液的超纯水供给源55相连接。搬送辊51是与搬送辊21由同样的带锷的端缘支撑辊构成。通过由上述清洗液供给喷嘴52对基板S的表面供给清洗液，将存在于基板S的表面的显影液置换为该清洗液，从而停止利用显影液的液层对基板S的表面进行的显影处理。
干燥室6具有：搬送辊61，其通过搬送辊51自清洗室5接收以倾斜姿态搬送来的基板S，并以相同的倾斜姿态来搬送该基板；气刀62，其对通过搬送辊61以倾斜姿态搬送的基板S的上表面吹拂空气，从而吹走清洗液而使其干燥；气刀63，其对基板S的下表面吹拂空气，从而吹走清洗液而使其干燥。搬送辊61与搬送辊21由同样的带锷的端缘支撑辊构成。
在姿态变换室7设有搬送辊71，其通过搬送辊61自干燥室6接收搬送来的基板S，并保持该基板。搬送辊71与搬送辊21由同样的带锷的端缘的支撑辊构成。另外，在姿态变换室7中设有倾斜机构72，其将搬送辊71的姿态切换为以水平姿态保持基板S的状态、和向基板搬送方向以向右下倾斜的倾斜姿态保持基板S的状态。因为倾斜机构72的结构与倾斜机构48大致相同，所以省略详细的图示和说明。
此外，虽然在图1中没有表示，但各室通过以处理液的雾沫不会相互浸入等的方式划分的间隔被隔开。另外，各搬送辊21、31、41、51、61、71由未图示的驱动源所旋转驱动，包括了它们各自的驱动开关以及驱动速度等的基板处理装置1整体的动作，通过由未图示的微型计算机所构成的控制部来控制。
接着，针对姿态变换室4的倾斜机构进行说明。图3是表示进行基板S的姿态变化之前的状态的倾斜机构的侧视图，图4是表示进行基板S的姿态变化之后的状态的倾斜机构的侧视图，图5是表示倾斜机构48中的显影液补充喷嘴43的配设处附近的部分放大图。
在本实施方式中，设置于姿态变换室4中的倾斜机构(姿态变换机构)48以搬送辊41的长度方向一端部为旋转轴，从而使搬送辊41的长度方向上的另一端部上下移动，变更搬送辊41的姿态以使其在与基板搬送方向垂直的方向上具有倾斜，由此，在水平姿态与倾斜姿态之间变更安装于搬送辊41上的基板S的姿态。
倾斜机构48具有基板保持主体480，该基板保持主体480由对搬送辊41的长度方向两端部可自由旋转地进行轴支撑的轴支部481a、481b、和与两个轴支部481a、481b连接的底部482构成。在该基板保持主体480中的搬送辊41的长度方向的一端部侧(轴支部481b侧)设有旋转轴483。另外，在作为搬送辊41的长度方向上的另一端部侧的轴支部481a上设有使该另一端部上下移动的气缸484。并且，在轴支部481a上设有向搬送辊41传输旋转驱动力的驱动马达485。在姿态变换室4的外壳40上设有孔部402、403，该孔部402、403能够防止使用倾斜机构48在姿态变更时与其它构件相干扰，从而能够进行姿态变更动作。
另外，基板保持主体480的底部482设有盖部486，该盖部486用于防止从显影液补充喷嘴43向基板S供给的显影液从外壳40的孔部402漏到外部。显影液补充喷嘴43设置在该盖部486上。因此，当气缸484驱动搬送辊41的上述另一端部上下移动而使基板保持主体480以旋转轴483为中心进行旋转时，显影液补充喷嘴43与基板保持主体480一起上下移动。这样一来，由于基板S与显影液补充喷嘴43通过基板保持主体480以及盖部486而一体的移动，从而安装在搬送辊41上并进行姿态变换的基板S与显影液补充喷嘴43的位置关系即在这里是基板S与显影液补充喷嘴43的间隔基本被维持为一定，而与基板S的姿态变换无关。
并且，盖部486在显影液补充喷嘴43的下方设有具有长条的碟状的处理液接收部487。处理液接收部487用于在从显影液补充喷嘴43向基板S的上端部供给的显影液中，对没有流到基板S的表面而从基板S的上端部侧落到下方的显影液进行接收。通过该处理液接收部487对从显影液补充喷嘴43供给到基板S的表面的倾斜方向上端部并从基板S落下的显影液高效进行回收，尽量使落下的显影液不产生液体飞溅。
此外，虽然没有特别图示，但为了使从显影液补充喷嘴43供给的显影液、从基板S表面落下的显影液落入外壳40的底面401，而在基板保持主体480的底部482设有空隙。如图3以及图4所示，外壳40的底面401向搬送辊41的长度方向的一端部形成向下倾斜的倾斜面401a，在该倾斜面401a的最下位置附近设有回收口401b，该回收口401b用于对由该倾斜面401a所集中的显影液进行回收从而使其回到显影液槽11(参照图1)。
接着，参照图5，对显影液补充喷嘴43的结构进行说明。显影液补充喷嘴43具有相当于搬送辊21、31、41搬送的基板搬送方向上的基板S的全长的长度。显影液补充喷嘴43具有：显影液接收供给部431(参照图5)，其接受从图1所示的泵12供给存积在显影液槽11中的显影液；显影液喷出喷嘴433，其通过软管432从该显影液接收供给部431接受显影液的供给，然后将显影液向基板S喷出。在显影液喷出喷嘴433上设有喷出显影液的显影液喷出口433a。显影液喷出口433a可以沿着搬送方向以规定的间隔并列设置多个圆孔状的喷出口，或者也可以做成沿着搬送方向的狭缝形状。
并且，在显影液喷出喷嘴433上设有限制板(限制构件)434。限制板434配置于与显影液喷出喷嘴433的显影液喷出口433a相对置的位置。从显影液喷出口433a喷出的显影液碰撞限制板434，从而使从该限制板434流落的显影液被供给到基板S的表面。从显影液喷出口433a喷出的显影液若与限制板434的侧面434a碰撞，则在该侧面434a扩散而形成均匀的面状，从而以成为面状的状态到达基板S。由此，能够对基板S的表面均匀地供给显影液。另外，在从显影液喷出口433a对处于水平姿态的基板S的表面供给显影液时，能够这样进行规定：在基板S的表面上，使该新供给的显影液分布于从与基板搬送方向垂直的方向上的端部到限制板434的设置位置，而使显影液很难到达比限制板434更向内的基板S的表面内侧。
此外，也可以使从显影液喷出口433a喷出的显影液不碰撞限制板434，而直接供给到基板S表面。此时也可以规定为使显影液很难到达比上述限制板434更向内的基板S的表面内侧。
另外，限制板434的下端部与基板S表面之间的间隙的距离d1设为例如3mm左右。并且，与基板搬送方向垂直的方向上的基板S的端部(显影液补充喷嘴43侧)与限制板434之间的距离设为例如5mm左右。由此，能够防止从显影液喷出口433a喷出的新的显影液到达在基板S的表面之中从一般不作为处理对象的基板端缘到10mm左右的区域。此外，此时的来自显影液喷出口433a的显影液喷出量为例如10升/分钟左右。因此，基板S的端部以比限制板434更向显影液喷出口433a侧伸入的方式被设定。此外，处理液接收部487配置在至少假定为从显影液喷出口433a喷出的显影液落下的地方即可。例如，在从基板S进入姿态变换室4之前开始从显影液补充喷嘴43供给显影液时，或在基板S在姿态变换室4中变换姿态后还从显影液补充喷嘴43供给显影液时，都能够直接接收到落下来的显影液。
接着，针对由上述结构构成的倾斜机构48所进行的姿态变换操作、和从显影液补充喷嘴43供给显影液，参照上述图3以及图4进行说明。当基板S从基板搬送方向上游侧的处理进行室3的搬送辊31被交接到姿态变换室4的搬送辊41并且基板S向倾斜机构48上的移动结束时，在此刻暂时停止由搬送辊41进行的基板S的搬送。然后，倾斜机构48的气缸484向上方向抬起轴支部481a，以旋转轴483为旋转中心，向图3的箭头A方向转动基板保持主体480。气缸484的抬起量即基板保持主体480的转动量作为被操作人员(用户)预先设定的量。由此，如图4所示，搬送辊41以及搬送辊41上所装载的基板S被变换为规定角度的倾斜姿态。
从显影液补充喷嘴43开始供给显影液的时机并没有特并的限定，(1)可以从基板S进入到姿态变换室4之前开始，也可以从基板S进入了姿态变换室4之后开始；(2)或者可以以与由倾斜机构48进行姿态变换动作同时的时机、或该姿态变换动作的开始前后的时机，开始从显影液补充喷嘴43供给显影液。
当利用倾斜机构48开始进行姿态变换动作时，在处于倾斜姿态的基板S表面形成液层的显影液开始从基板S表面向下流。这里，由于在搬送基板S的同时，由在比姿态变换室4更向基板搬送方向上游侧配设的显影液供给喷嘴22进行显影液的供给，所以在基板S的表面从基板S的搬送方向的前方向后方侧依次形成显影液的液层，从而基板的前方侧比后方侧先开始在基板S表面上的显影反应。在该状态下，只进行基板S的向倾斜姿态的变换动作，当不进行来自显影液补充喷嘴43的显影液供给时，基板S整个表面的显影液同时流落，在基板S整个表面显影反应同时变缓慢或停止，在基板S的前方侧的显影反应比后方侧先进行的状态下，基板S被搬送到下一个工序的处理部。但是，在本实施方式中，在姿态变换室4中，通过上述显影液补充喷嘴43，对基板S表面如上述那样供给显影液，所以即使将基板S变换为倾斜姿态而显影液从表面流落，也能够通过新供给的显影液而使基板S表面上的显影液的液层保持均匀，而防止基板S表面上的上述显影反应变缓慢或停止。
此时，由于基板S表面上的上端部的显影液量特别容易干燥，另外，如果对置为倾斜姿态的基板S的上端部供给显影液，显影液就由此在基板S表面流向下方而遍布基板S表面的各个区域，所以从显影液补充喷嘴43向该基板S的上端部供给显影液。此外，即使旋转基板保持主体480，由于显影液补充喷嘴43与基板保持主体480一起上下移动，从而基板S与显影液补充喷嘴43之间的间隔被维持为一定，而与基板S的姿态变换无关。由此，不拘泥于与基板S的倾斜姿态以及来自显影液补充喷嘴43的显影液供给时机，而能够确实对基板S的上端部供给显影液，另外，由于对于基板S表面的接受液体状态稳定，所以不易产生处理不均。
当利用上述倾斜机构48的姿态变换动作结束时，再次开始通过搬送辊41来搬送基板S，基板S向基板搬送方向下游侧的清洗室5被搬出。利用该搬送辊41的基板S的搬出中，也通过显影液补充喷嘴43对基板S表面的上端继续供给显影液。当通过搬送辊41将基板S完全从倾斜机构48搬出时(或者完成向清洗室5移动时)，停止利用显影液补充喷嘴43供给显影液。
当基板S移动到清洗室5时，接受由清洗液供给喷嘴52对基板S表面供给清洗液，从而基板S表面的显影液被置换为清洗液。由此，从基板搬送方向上的前方侧开始依次停止利用显影液的液层进行的基板S表面的显影处理。
通过如上述那样供给处理液，将从基板搬送方向的前方向后方侧依次进行由显影液的液层的处理反应的基板S置为倾斜状态，从而即使基板S表面上的显影液流落，也由于从显影液补充喷嘴43向基板S的上端部追加供给显影液，而能够使基板S表面的各部分的显影液分布均匀保持。另一方面，基板搬送方向的前方侧的基板S表面接受来自清洗液供给喷嘴52的清洗液供给，并停止利用显影液进行的处理。由此，在基板S表面的各部分，能够均匀地得到利用显影液进行的处理效果，并能够消除产生基板S表面上的处理不均。
此外，本发明并不仅限于上述实施方式的结构，而可以有种种的变形。例如，显影液喷出喷嘴433可以是如下所示的装置。图6以及图7是表示显影液喷出喷嘴433的其他实施方式的图。在上述实施方式中，虽然表示了在显影液喷出喷嘴433上设置有限制板434的方式，但是也可以如图6以及图8所示，不在显影液喷出喷嘴433上设置限制板434。在图6中，表示没有设置限制板434，而将显影液直接喷出到基板S表面的方式的显影液喷出喷嘴4331。在该显影液喷出喷嘴4331中，显影液喷出口4331a的形状被做成为狭缝状。由于将显影液喷出口4331a的形状做成狭缝状，所以即使没有限制板434也能够对基板S表面均匀的供给显影液。
另外，在图7中，表示具有由将各喷出口彼此的间隔变窄的多个圆孔形状的喷出口构成的显影液喷出口4332a的显影液喷出喷嘴4332。这样一来，由于从将各喷出口彼此的间隔变窄的多个圆孔形状的喷出口喷出显影液，所以即使没有限制板434也能够对基板S表面均匀的供给显影液。
另外，如图8所示，即使是具有狭缝形状的显影液喷出口4331a的显影液喷出喷嘴4331，也可以在显影液喷出口4331a的附近设置限制板434。此时，能够进行限定以得使显影液很难到达比上述限制板434更向基板S的表面内侧。另外，由于对从限制板434的下端部到基板S表面的距离d3进行调节，所以在处于水平姿态的基板S表面上，也能够进行调节而使显影液从与基板搬送方向垂直的方向上的端部到达什么程度的内侧。
另外，在上述各实施方式中，持续进行从显影液补充喷嘴43供给显影液，直到来自倾斜机构48的基板S的移动结束(通过搬送辊41完成将基板S搬出到清洗室5)，但也可以根据基板S的搬送状况而依次停止从基板搬送方向上的显影液喷出喷嘴4331各部分喷出显影液。此时的例子如图9所示。此外，在图9中，虽然对具有狭缝状的显影液喷出口4331a的显影液喷出喷嘴4331进行了图示，但控制停止该显影液喷出的方式可以适用于上述任意一个实施方式中的显影液喷出喷嘴。
如图9所示，将显影液喷出喷嘴4331相对于基板搬送方向分为规定个的部件数(部位数)，在本例中被分为五个部件a～e，是可以切换控制在每个部件是否喷出显影液的结构。并且，随着由搬送辊41搬送基板S而向清洗室5行进，依次停止显影液喷出喷嘴4331中的基板搬送方向上的基板S的后部侧经过了的部件的来自显影液喷出喷嘴4331的显影液喷出。由于因基板S通过过多而无法到达其表面的显影液(没有供给)是无用的，所以停止该无用的显影液的喷出，从而减少显影液的供给量(消耗量)。
进而，如图10所示，将显影液喷出喷嘴4331在基板搬送方向上分为多个部件a～j(部件数并不仅限于此)，可以对每个部件进行使显影液的喷出量可变的控制。例如，在对基板S的表面供给显影液时，依次切换控制来自各部件的显影液喷出量，以使基板S的表面上来自通过基板搬送方向上游侧部分的各部件的显影液喷出量变少，来自通过基板搬送方向下游侧部分的各部件的显影液喷出量变多。这是由于基板搬送方向上游侧部分的显影处理进行得早。此时，最好以在基板S表面上从基板搬送方向上游侧部分越向下游侧部分显影液喷出量越少的方式来调整来自各部件的显影液喷出量。另外，可以只从基板搬送方向上游侧(基板S的后端侧)的部件(例如只是a～d)喷出显影液。
另外，上述各实施方式所示的倾斜机构48、显影液补充喷嘴43、阻液刮板45的结构只是本发明的一个例子，可以做适当变更。
另外，本发明对在显影处理装置中供给显影液时的方式进行了说明，但本发明并不仅限于此，也可以适用于供给其他处理液的机构。例如，可以在进行蚀刻处理、剥离处理、预清洗处理等的各种处理中适用。

Claims (10)

1.一种基板处理装置，对基板的表面供给处理液而进行表面处理，其特征在于，具备有：
第一搬送机构，其将基板以水平姿态进行搬送；
液层形成机构，其从搬送方向的前端侧对由上述第一搬送机构进行搬送中的基板的表面的整个宽度依次供给第一处理液，从而在基板的整个表面上形成处理液的液层；
姿态变换机构，其将通过上述液层形成机构而形成了上述第一处理液的液层的基板的姿态，从水平姿态变换为向上述基板的宽度方向倾斜的规定的倾斜姿态；
追加供给机构，其至少对通过上述姿态变换机构而被变换为上述规定的倾斜姿态的基板的表面，向着上述搬送方向上的至少后部、并且是在上述基板的宽度方向上被置为倾斜姿态时成为上侧的上端部追加供给上述第一处理液。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，具备有：
第二搬送机构，其以上述规定的倾斜姿态搬送通过上述追加供给机构而追加供给了上述第一处理液的基板；
第二处理液供给机构，其从上述搬送方向的前端侧向由上述第二搬送机构进行搬送中的基板的表面依次供给与上述第一处理液不同的第二处理液。
3.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
上述追加供给机构对上述搬送方向上的基板全长进行上述第一处理液的追加供给。
4.如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
上述追加供给机构对上述搬送方向上的基板的后部侧供给的第一处理液的供给量比对前部侧供给的第一处理液多。
5.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
上述追加供给机构具有向上述基板喷出上述第一处理液的喷嘴，该喷嘴是维持与通过上述姿态变换机构进行姿态变换的基板的位置关系的同时并与上述姿态变换连动而移动的结构，并且，在利用上述姿态变换机构进行的上述姿态变换的前后以及姿态变换中喷出上述第一处理液而进行上述第一处理液的追加供给。
6.如权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，
具备有限制部件，其配置在上述喷嘴的附近，并且从该喷嘴偏向基板的宽度方向的中央侧，相对基板表面具有规定的间隙。
7.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
上述追加供给机构具有向上述基板的搬送方向延伸的狭缝状的液体供给口。
8.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
上述追加供给机构从上述搬送方向的各部位对搬送中的基板的全长进行上述第一处理液的追加供给，并且，对上述追加供给机构的各部位中的、与上述基板的后端通过的位置对应的部位依次停止第一处理液的供给。
9.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
在上述姿态变换机构中，在与被变换姿态的基板的上述宽度方向的上端部对应的下方位置，设有接收从上述追加供给机构所供给的第一处理液的处理液接收部。
10.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
在上述第二搬送机构的上述搬送方向下游侧的规定位置，设有对被上述第二搬送机构搬送的基板的表面上所残留的第一处理液进行阻挡的阻液机构。
CNB2006101646806A 2005-12-28 2006-12-15 基板处理装置 Expired - Fee Related CN100483618C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005377670 2005-12-28
JP2005377670A JP4472630B2 (ja) 2005-12-28 2005-12-28 基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1992158A true CN1992158A (zh) 2007-07-04
CN100483618C CN100483618C (zh) 2009-04-29

Family

ID=38214316

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2006101646806A Expired - Fee Related CN100483618C (zh) 2005-12-28 2006-12-15 基板处理装置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP4472630B2 (zh)
KR (1) KR100857635B1 (zh)
CN (1) CN100483618C (zh)
TW (1) TW200729291A (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101856646A (zh) * 2009-04-03 2010-10-13 大日本网屏制造株式会社 基板处理装置
CN102205296A (zh) * 2010-03-31 2011-10-05 大日本网屏制造株式会社 涂敷装置
CN103207543A (zh) * 2013-04-19 2013-07-17 京东方科技集团股份有限公司 一种显影方法
CN103801536A (zh) * 2012-11-13 2014-05-21 沈阳芯源微电子设备有限公司 一种晶片清洗装置
CN103913959A (zh) * 2014-03-27 2014-07-09 京东方科技集团股份有限公司 一种光刻胶的剥离装置及剥离方法
WO2014205889A1 (zh) * 2013-06-25 2014-12-31 京东方科技集团股份有限公司 一种显影装置及显影方法
CN110389501A (zh) * 2018-04-20 2019-10-29 细美事有限公司 基板处理装置
CN113359398A (zh) * 2021-06-22 2021-09-07 四川科尔威光电科技有限公司 一种显影装置

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008277556A (ja) * 2007-04-27 2008-11-13 Shibaura Mechatronics Corp 基板の処理装置
KR100935473B1 (ko) * 2008-02-27 2010-01-06 주식회사 케이씨텍 기판 처리장치
KR100934777B1 (ko) 2008-02-27 2009-12-31 주식회사 케이씨텍 기판 처리장치
KR100935474B1 (ko) * 2008-02-27 2010-01-06 주식회사 케이씨텍 기판 처리장치
JP5270263B2 (ja) * 2008-08-29 2013-08-21 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP2012186188A (ja) * 2009-07-08 2012-09-27 Sharp Corp エッチング装置および基板処理方法
TWI407270B (zh) * 2009-12-30 2013-09-01 Au Optronics Corp 顯影設備
KR102134439B1 (ko) * 2013-08-30 2020-07-15 세메스 주식회사 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법
JP7060415B2 (ja) * 2018-03-12 2022-04-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP7370884B2 (ja) * 2020-01-31 2023-10-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69427954T2 (de) * 1993-05-27 2002-04-04 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Verfahren und vorrichtung zum flüssigkeitsauftrag
TW334359B (en) 1995-12-04 1998-06-21 Dai Nippon Scolin Seizo Kk Apparatus and method for treating substrates
KR100343044B1 (ko) * 1997-08-28 2002-10-25 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치및처리방법
TWI226077B (en) * 2001-07-05 2005-01-01 Tokyo Electron Ltd Liquid processing apparatus and liquid processing method

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101856646B (zh) * 2009-04-03 2013-08-07 大日本网屏制造株式会社 基板处理装置
CN101856646A (zh) * 2009-04-03 2010-10-13 大日本网屏制造株式会社 基板处理装置
CN102205296A (zh) * 2010-03-31 2011-10-05 大日本网屏制造株式会社 涂敷装置
CN102205296B (zh) * 2010-03-31 2013-10-30 大日本网屏制造株式会社 涂敷装置
CN103801536B (zh) * 2012-11-13 2016-02-17 沈阳芯源微电子设备有限公司 一种晶片清洗装置
CN103801536A (zh) * 2012-11-13 2014-05-21 沈阳芯源微电子设备有限公司 一种晶片清洗装置
CN103207543A (zh) * 2013-04-19 2013-07-17 京东方科技集团股份有限公司 一种显影方法
US9581939B2 (en) 2013-06-25 2017-02-28 Boe Technology Group Co., Ltd. Developing device and developing method
WO2014205889A1 (zh) * 2013-06-25 2014-12-31 京东方科技集团股份有限公司 一种显影装置及显影方法
CN103913959A (zh) * 2014-03-27 2014-07-09 京东方科技集团股份有限公司 一种光刻胶的剥离装置及剥离方法
CN110389501A (zh) * 2018-04-20 2019-10-29 细美事有限公司 基板处理装置
CN110389501B (zh) * 2018-04-20 2023-02-21 细美事有限公司 基板处理装置
CN113359398A (zh) * 2021-06-22 2021-09-07 四川科尔威光电科技有限公司 一种显影装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP4472630B2 (ja) 2010-06-02
JP2007180299A (ja) 2007-07-12
CN100483618C (zh) 2009-04-29
TW200729291A (en) 2007-08-01
TWI317144B (zh) 2009-11-11
KR100857635B1 (ko) 2008-09-08
KR20070070118A (ko) 2007-07-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1992158A (zh) 基板处理装置
CN100335182C (zh) 基板处理装置以及细缝喷嘴
CN1722361A (zh) 基板处理装置、基板处理方法及图案形成方法
CN1918694A (zh) 显影装置及显影方法
CN100418641C (zh) 基板处理装置以及基板处理方法
CN1737692A (zh) 显像装置和显像方法
JP2008290031A (ja) ノズル洗浄装置
CN1125376C (zh) 用于制造半导体器件的显影系统及其控制方法
TWI457266B (zh) And a substrate processing device having a non-contact floating conveyance function
CN101047110A (zh) 基板处理装置以及基板处理方法
JP2008219043A (ja) 液処理装置および液処理方法
CN1575992A (zh) 喷墨记录设备
CN1992153A (zh) 基板处理装置以及基板处理方法
KR20120023559A (ko) 도포장치 및 노즐의 메인터넌스 방법
JP2013071033A (ja) ノズル洗浄装置および該ノズル洗浄装置を備えた塗布装置
TWI443734B (zh) Substrate processing device
JP2004216568A (ja) 板材の縦型加工ライン
JP3837720B2 (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
JP4721968B2 (ja) スピンナ洗浄装置
CN1750232A (zh) 基板的处理装置
JP2007042742A (ja) 基板洗浄方法および基板洗浄装置
JP2008016781A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
TW201808466A (zh) 基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體
JP4328342B2 (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
KR19990023551A (ko) 기판처리장치

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C56 Change in the name or address of the patentee

Owner name: SCREEN GROUP CO., LTD.

Free format text: FORMER NAME: DAINIPPON SCREEN MFG. CO., LTD.

Owner name: DAINIPPON SCREEN MFG. CO., LTD.

Free format text: FORMER NAME: DAINIPPON MESH PLATE MFR. CO., LTD.

CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: Kyoto City, Kyoto, Japan

Patentee after: Skilling Group

Address before: Kyoto City, Kyoto, Japan

Patentee before: DAINIPPON SCREEN MFG Co.,Ltd.

Address after: Kyoto City, Kyoto, Japan

Patentee after: DAINIPPON SCREEN MFG Co.,Ltd.

Address before: Kyoto City, Kyoto, Japan

Patentee before: Dainippon Screen Mfg. Co.,Ltd.

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20090429

Termination date: 20181215

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee