CN110389501B - 基板处理装置 - Google Patents

基板处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN110389501B
CN110389501B CN201910261146.4A CN201910261146A CN110389501B CN 110389501 B CN110389501 B CN 110389501B CN 201910261146 A CN201910261146 A CN 201910261146A CN 110389501 B CN110389501 B CN 110389501B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
nozzle
auxiliary nozzle
developing solution
processing apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201910261146.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110389501A (zh
Inventor
金哲佑
李锡泳
具敎旭
任世珍
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semes Co Ltd
Original Assignee
Semes Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semes Co Ltd filed Critical Semes Co Ltd
Publication of CN110389501A publication Critical patent/CN110389501A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110389501B publication Critical patent/CN110389501B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/002—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor using materials containing microcapsules; Preparing or processing such materials, e.g. by pressure; Devices or apparatus specially designed therefor
    • G03F7/0022—Devices or apparatus
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

本发明涉及一种基板处理装置，其中，包括：多个显像腔室，排列为一列；及，多个显影液供给喷嘴，设置于所述多个显像腔室，向基板提供显影液，所述多个显影液供给喷嘴包括：主喷嘴，向所述基板首次提供显影液；及，一个以上辅助喷嘴，设置于所述主喷嘴的下游，向所述基板第二次提供显影液。

Description

基板处理装置
技术领域
本发明涉及一种基板处理装置，所述基板处理装置向基板提供显影液而对基板进行处理。
背景技术
在半导体制造工艺或平板显示装置制造工艺中，半导体基板或玻璃基板上的各种图案是通过光刻(photolithography)技术而形成的。
光刻技术包括：在由晶片或玻璃构成的基板上涂布感光液的工序；将掩膜对齐涂布有感光液的基板后暴露于紫外线等，根据掩膜的图案形状区分为基板的暴光部分和未暴光部分的暴光工序；及，利用显影液仅去除暴光部分或仅去除未暴光部分的感光液，使得只留下所需的图案的显像工序。
通常，执行显像工序的装置包括：基板移送单元，将已进行暴光工序的多个基板成列地移送；及，喷嘴，其向通过基板移送单元移送的基板的上面提供显影液。从喷嘴提供至基板上面的显影液在基板的上面被分散。
在这种显像工序中，即使在基板的整体区域均匀地提供显影液，也会出现根据形成在基板的图案密度而显像工序会不均匀构成的负载效应(loadingeffect)。这种现象存在着根据形成于基板的图案的细微化而加重的问题。
【现有技术文献】
【专利文献】
(专利文献1)韩国公开专利第10-2009-0022548号
发明内容
本发明的目的在于解决上述现有技术中的问题点，为此本发明提供一种基板处理装置，以改善在显像工序中可能会发生的负载效应。
为了达到上述目的，本发明实施例提供一种基板处理装置，其中，包括：多个显像腔室，排列为一列；及，多个显影液供给喷嘴，设置于所述多个显像腔室，向基板提供显影液，所述多个显影液供给喷嘴包括：主喷嘴，向所述基板首次提供显影液；及，一个以上辅助喷嘴，设置于所述主喷嘴的下游，向所述基板第二次提供显影液。
本发明实施例的基板处理装置，还包括喷嘴移动单元，所述喷嘴移动单元相对于所述主喷嘴向所述基板的移送方向移动所述辅助喷嘴。
所述喷嘴移动单元构成为在所述多个显像腔室之间移动所述辅助喷嘴。
还包括喷嘴升降单元，所述喷嘴升降单元向邻近所述基板的方向或向从所述基板离开的方向移动所述辅助喷嘴。
本发明实施例的基板处理装置，还包括振动发生单元，所述振动发生单元用于振动涂布于所述基板上的显影液。
本发明实施例的基板处理装置，还包括移动机构，所述移动机构使得所述振动发生单元向平行于所述基板的方向移动。
辅助喷嘴包括：第一辅助喷嘴，设置于所述主喷嘴的下游；及，第二辅助喷嘴，设置于所述第一辅助喷嘴的下游，所述第二辅助喷嘴吐出的显影液的流量大于所述第一辅助喷嘴吐出的显影液的流量。
辅助喷嘴包括：第一辅助喷嘴，设置于所述主喷嘴的下游；及，第二辅助喷嘴，设置于所述第一辅助喷嘴的下游，所述基板及所述第二辅助喷嘴之间的间隔大于所述基板及所述第一辅助喷嘴之间的间隔。
本发明实施例的基板处理装置，还包括多个显影液去除单元，所述显影液去除单元设置于所述多个显影液供给喷嘴的各自的下游。
显影液去除单元包括气体喷射喷嘴及清洗液喷射喷嘴中的至少一个，所述气体喷射喷嘴用于向所述基板喷射气体，所述清洗液喷射喷嘴用于向所述基板喷射清洗液。
主喷嘴具备显影液吐出口，所述显影液吐出口为向所述基板的宽度方向延长的缝隙或槽形状。
辅助喷嘴具备多个吐出孔，所述多个吐出孔向所述基板的宽度方向以规定间隔间隔开设置。
本发明实施例的基板处理装置，包括向基板提供显影液的多个显影液供给喷嘴，所述多个显影液供给喷嘴中的一个以上能够向水平方向及垂直方向中的至少一个方向移动。
本发明实施例的基板处理装置，其中，包括：主喷嘴，其向基板首次提供显影液；第一辅助喷嘴，其设置于所述主喷嘴的下游，所述第一辅助喷嘴向所述基板第二次提供显影液，以补充在所述基板移送过程中流失的显影液；及，第二辅助喷嘴，其设置于所述第一辅助喷嘴的下游，所述第二辅助喷嘴向所述基板吐出显影液，以搅乱所述基板上的显影液。
第一辅助喷嘴与第二辅助喷嘴在显影液吐出流量、显影液吐出压力、从基板离开的距离、显影液吐出口的大小、提供至基板的显影液的运动量中至少有一个不同。
发明效果
根据本发明实施例的基板处理装置，具有多个显影液供给喷嘴，所述显影液供给喷嘴向涂布于基板的显影液补充提供显影液，多个显影液供给喷嘴通过喷嘴移动单元被移动而位于多个显像腔室各个区域内的最佳位置。由此，对应于基板的大小、种类、特性的改变，尤其是对应于形成有细微图案的部分，最佳地调节多个显影液供给喷嘴的位置或最佳地调节由喷嘴吐出的显影液的流量等，从而可以引导基板上的显影液的搅乱、循环及置换，也因此能改善负载效应。
根据本发明实施例的基板处理装置，还具备用于振动涂布于基板上的显影液的振动发生单元。由此，涂布于基板上的显影液通过振动发生单元所产生的振动而振动并活跃地搅乱及循环，因此，尤其是可以最佳地引导导形成有细微图案的部分的显影液的搅乱、循环及置换，以改善负载效应。
附图说明
图1是概略示出根据本发明一实施例的基板处理装置的俯视图。
图2是概略示出根据本发明一实施例的基板处理装置的侧视图。
图3是概略示出根据本发明一实施例的基板处理装置的俯视图。
图4是概略示出本发明另一实施例的基板处理装置的俯视图。
附图标记：
10、20、30：显像腔室
41、51、52：显影液供给喷嘴
55：喷嘴移动单元
70：显影液去除单元
80：振动发生单元
90：基板移送单元
具体实施方式
以下，参照附图对本发明实施例的基板处理装置进行说明。
如图1及图2所示，本发明一实施例的基板处理装置包括：第一显像腔室10、第二显像腔室20、第三显像腔室30。第一显像腔室10、第二显像腔室20、第三显像腔室30向基板S上提供显影液来执行显像工序；及，基板移送单元90，其将基板S依次向第一显像腔室10、第二显像腔室20、第三显像腔室30移送。
例如，基板移送单元90可以包括多个辊子，上述辊子朝向第一显像腔室10、第二显像腔室20、第三显像腔室30排列的方向(Y轴方向)进行排列。
第一显像腔室10、第二显像腔室20、第三显像腔室30可以向Y轴方向排列为一列。由此，基板S向Y轴方向移动，并且依次通过第一显像腔室10、第二显像腔室20、第三显像腔室30，从而对基板S执行规定的处理工序。
第一显像腔室10可以具备向基板S提供显影液的显影液供给喷嘴41。例如，显影液供给喷嘴41作为主喷嘴41可以由搅拌刀(puddle knife)构成。显影液供给喷嘴41可以形成为向基板S的宽度方向(X轴方向)较长地延长的形状。即，显影液供给喷嘴41可以具有对应于基板S的宽度的长度。并且，显影液供给喷嘴41可以具备显影液吐出口，上述显影液吐出口为向基板S的宽度方向(X轴方向)延长的缝隙(或槽)形状。并且，如图2所示，显影液供给喷嘴41的显影液吐出口可以相对于基板移送方向(Y轴方向)倾斜规定角度而形成，使得显影液供给喷嘴41吐出的显影液根据康达效应(Coanda effect)而被提供至基板上面。
第二显像腔室20设置于第一显像腔室10及第三显像腔室30之间，提供基板S移动的区域。在第二显像腔室20可以不进行显影液的提供。并且，在第二显像腔室20也可以不进行对基板S的处理。第二显像腔室20起到的作用为可以在对基板S执行后续工序之前，使基板S边移动边等待。
并且，根据基板S的大小、种类、特性(例如，形成于基板S的各种图案的种类、形状、特性、密度)等，需要最佳地向基板S提供显影液，可以在基板S的至少一部分区域搅乱或循环显影液，及/或将已向基板S上提供的显影液置换为新的显影液。作为一例，在基板S用于OLED面板的情况下，为了改善因随着OLED面板的分辨率的增加而图案更加细微地形成所导致的负载效应(loading effect)，需要最佳地引导提供至基板S上的显影液的搅乱、循环及置换，使得至少形成有细微图案的部分能够持续地提供相对干净的显影液。
如上所述，为了引导在基板S上的显影液的搅乱、循环及置换，根据本发明一实施例的基板处理装置还包括一个以上的显影液供给喷嘴(51、52)，上述显影液供给喷嘴(51、52)向基板S补充提供显影液。即，根据本发明一实施例的基板处理装置可以包括多个显影液供给喷嘴(41、51、52)。多个显影液供给喷嘴(41、51、52)包括：主喷嘴41，其向基板S首次提供显影液；一个以上辅助喷嘴(51、52)，在主喷嘴41的显影液提供的后续，第二次向基板S提供显影液。
主喷嘴41的位置可以保持固定状态，但本发明并不限于此。辅助喷嘴(51、52)的构成可以与上述主喷嘴41的构成相同。
优选地，辅助喷嘴(51、52)的构成可以与主喷嘴41的构成不同。由此，由辅助喷嘴(51、52)向基板S提供的显影液的提供方式(形态)与由主喷嘴41向基板S提供的显影液的提供方式(形态)不同。
作为一例，主喷嘴41可以构成为向基板S的宽度方向(X轴方向)较长地延长形成的搅拌刀形态，并且辅助喷嘴(51、52)分别可以构成为以液滴形态向基板S提供显影液。辅助喷嘴(51、52)可以分别向基板S的宽度方向(X轴方向)较长地延长的形状形成。并且，辅助喷嘴(51、52)具备有多个吐出孔，上述吐出孔向基板S的宽度方向(X轴方向)以规定间隔间隔开。例如，为了对基板S的整体区域均匀涂布显影液，主喷嘴41可以相对于基板S的移送方向以规定角度倾斜而设置，并且，辅助喷嘴(51、52)可以设置为相对于基板S向垂直方向吐出显影液(参照图2)。并且，辅助喷嘴(51、52)所提供的显影液的流量可以不同于从主喷嘴41吐出的显影液的流量。
例如，辅助喷嘴(51、52)可以包括：第一辅助喷嘴51，其向基板S的移送方向设置在主喷嘴41的下游；第二辅助喷嘴52，其向基板S的移送方向设置在第一辅助喷嘴51的下游。由于具备两个辅助喷嘴(51、52)，从而可以起到补充涂布于基板S上的显影液的功能，并且可以一同执行在基板S上搅乱及循环显影液的功能。
第一辅助喷嘴51的作用是向通过主喷嘴41涂布至基板S上的显影液补充提供显影液。通过第一辅助喷嘴51提供的显影液起到补充基板S上存在的显影液或置换为新的显影液的作用。由此，在基板S移送过程中基板S上的显影液因溢出或蒸发等而损失的情况，也可以通过第一辅助喷嘴51继续向基板S上提供及补充新的显影液。
第二辅助喷嘴52的作用是向通过主喷嘴41及第一辅助喷嘴51涂布至基板S上的显影液补充提供显影液。通过第二辅助喷嘴52提供的显影液与基板S上存在的显影液碰撞、搅拌，从而起到搅乱及循环基板S上的显影液，并且将基板S上存在的显影液置换为新的显影液的作用。
第一辅助喷嘴51及第二辅助喷嘴52构成为具有相同的构成并执行相同的功能。但是，由第一辅助喷嘴51提供的显影液起到补充涂布至基板S上的显影液的作用，由第二辅助喷嘴52提供的显影液起到搅乱及循环涂布在基板S上的显影液的作用。因此，第一辅助喷嘴51及第二辅助喷嘴52可以根据各自的作用具有不同的结构。
作为一例，第二辅助喷嘴52吐出的显影液的流量可以大于从第一辅助喷嘴51吐出的显影液的流量。由此，从第二辅助喷嘴52吐出的显影液可以加速涂布于基板S上的显影液的搅乱、循环及置换。
为此，作为一例，相比于提供至第一辅助喷嘴51的显影液的压力，可以以更大的压力向第二辅助喷嘴52提供显影液。作为另一例，相比于第一辅助喷嘴51的吐出孔的直径，第二辅助喷嘴52可以具有更小直径或更大直径的吐出孔。
并且，第二辅助喷嘴52及基板S之间的间隔大于第一辅助喷嘴51及基板S之间的间隔，使得从第二辅助喷嘴52吐出而向基板S提供的显影液的运动量大于从第一辅助喷嘴51吐出而向基板S提供的显影液的运动量。
根据如上所述的构成，从第二辅助喷嘴52吐出的显影液的流量及运动量大于从第一辅助喷嘴51吐出的显影液的流量及运动量。因此，从第二辅助喷嘴52吐出的显影液将从主喷嘴41及第一辅助喷嘴51吐出而存在于基板S上的显影液挤出，从而加快显影液的搅乱及循环。如此通过被加快的显影液的搅乱及循环使得显影液的置换能够持续，从而，尤其是可以改善在形成有细微图案的基板上发生的负载效应。
如图1及图2所示，第一辅助喷嘴51及第二辅助喷嘴52可以设置于第一显像腔室10内。此时，第一辅助喷嘴51及第二辅助喷嘴52可以相互间隔开规定间隔而设置。
通过改变第一辅助喷嘴51及第二辅助喷嘴52之间的间隔、并且通过测量涂布于基板S的显影液的搅乱、循环及置换的程度的多次实验或模拟，可以获得针对第一辅助喷嘴51及第二辅助喷嘴52之间的间隔变化的显影液的搅乱、循环及置换程度相关的数据。并且，基于这种数据，可以将第一辅助喷嘴51及第二辅助喷嘴52之间的间隔设定为最佳间隔。主喷嘴41及第一辅助喷嘴51之间的间隔或主喷嘴41及第二辅助喷嘴52之间的间隔也可以通过这种方式设定。
另外，第一辅助喷嘴51及第二辅助喷嘴52并不是只在第一显像腔室10局部设置，而是可以在第一显像腔室10及第二显像腔室20分开设置。在此情况下，第一辅助喷嘴51及第二辅助喷嘴52之间的间隔也可以根据上述数据设定为最佳间隔。
再者，根据基板S的大小、种类、特性(例如，形成于基板S的各种图案的种类、形状、特性、密度)等，需要不同地设置第一辅助喷嘴51及第二辅助喷嘴52的位置及第一辅助喷嘴51及第二辅助喷嘴52之间的间隔。
为此，根据本发明一实施例的基板处理装置可以包括喷嘴移动单元55，上述喷嘴移动单元向基板S的移送方向(Y轴方向)移动第一辅助喷嘴51及第二辅助喷嘴52。喷嘴移动单元55可以包括连接于第一辅助喷嘴51及第二辅助喷嘴52的如由空压或油压运行的致动器、根据电磁相互作用运行的线性电机、或滚珠丝杠机构等直线移动结构。喷嘴移动单元55构成为可以在第一显像腔室10、第二显像腔室20、及第三显像腔室30之间移动第一辅助喷嘴51及第二辅助喷嘴52。
例如，如图3所示，随着第一辅助喷嘴51及第二辅助喷嘴52通过喷嘴移动单元55移动，第一辅助喷嘴51可以设置于第一显像腔室10内，第二辅助喷嘴52可以设置于第二显像腔室20内。并且，随着第一辅助喷嘴51及第二辅助喷嘴52通过喷嘴移动单元55移动，可以调节第一辅助喷嘴51及第二辅助喷嘴52之间的间隔，以适合欲处理的基板S的特性。
如上所述，第一辅助喷嘴51及第二辅助喷嘴52通过喷嘴移动单元55移动而在第一显像腔室10、第二显像腔室20、第三显像腔室30的各个区域内以规定间隔设置，因此，对应于基板S的大小、种类、特性的变化，第一辅助喷嘴51及第二辅助喷嘴52的位置会调节为最佳位置。
并且，根据本发明一实施例的基板处理装置可以包括喷嘴升降单元(53、54)，上述喷嘴升降单元(53、54)分别向Z轴方向(垂直于X-Y平面的方向)移动第一辅助喷嘴51及第二辅助喷嘴52。喷嘴升降单元53、54可以将第一辅助喷嘴51及第二辅助喷嘴52分别向邻近于基板S的方向或向从基板S离开的方向移动。喷嘴升降单元(53、54)可以包括连接于第一辅助喷嘴51及第二辅助喷嘴52的如由空压或油压运行的致动器、根据电磁相互作用运行的线性电机、或滚珠丝杠机构等直线移动结构。喷嘴升降单元53、54包括连接于第一辅助喷嘴51的第一喷嘴升降单元53及连接于第二辅助喷嘴52的第二喷嘴升降单元54。通过第一喷嘴升降单元53，可以调节第一辅助喷嘴51及基板S之间的间隔，以适合欲处理的基板S的特性，通过第二喷嘴升降单元54，可以调节第二辅助喷嘴52及基板S之间的间隔，以适合欲处理的基板S的特性。并且，可以调节第一辅助喷嘴51及第二辅助喷嘴52之间的高度差。如上所述，随着第一辅助喷嘴51及第二辅助喷嘴52向Z轴方向移动，可以调节第一辅助喷嘴51及第二辅助喷嘴52的高度，以适合欲处理的基板S的特性。
第三显像腔室30可以具备用于从基板S去除显影液的显影液去除单元70。例如，显影液去除单元70包括：气体喷射喷嘴71，为了去除显影液而向基板S喷射气体；清洗液喷射喷嘴72，其向基板S喷射清洗液。
气体喷射喷嘴71的作用是，向基板S喷射气体，利用喷射的气体的压力而从基板S去除显影液。清洗液喷射喷嘴72的作用是向基板S喷射清洗液，从而用清洗液清洗掉基板S上的显影液。
并且，根据本发明一实施例的基板处理装置还可以包括振动发生单元80，上述振动发生单元邻近基板S而设置，用于振动涂布于基板S上的显影液。振动发生单元80可以设置有多个，多个振动发生单元80可以分别设置在多个显影液供给喷嘴(41、51、52)的下游。多个振动发生单元80向Y轴方向以规定间隔间隔开而设置。多个振动发生单元80可以分开在第一显像腔室10、第二显像腔室20、第三显像腔室30设置。振动发生单元80还可以包括超声波发生器，上述超声波发生器相向于基板S设置而产生超声波。振动发生单元80对应于基板S的宽度向X轴方向较长地延长，多个超声波发生器可以向X轴方向以规定间隔设置。
由振动发生单元80所产生的振动使得涂布于基板S上的显影液振动，从而可以活跃地进行搅乱及循环，可以顺利地进行显影液的置换。由此，特别是可以改善形成有细微图案的基板上可能会发生的负载效应。
并且，根据本发明一实施例的基板处理装置还可以包括移动机构85，上述移动机构85与振动发生单元80连接，将振动发生单元80向平行于基板S的方向(X轴方向、Y轴方向、或X轴方向及Y轴方向)水平移动。移动机构85可以与多个振动发生单元80全都连接，或者与多个振动发生单元80中的一部分连接。移动机构85包括与振动发生单元80连接的如由空压或油压运行的致动器、根据电磁相互作用运行的线性电机、或滚珠丝杠机构等直线移动机构。在振动发生单元80朝向涂布于基板S上的显影液产生超声波的情况下，移动机构85起到将振动发生单元80向平行于基板S的方向水平移动，使得超声波顺利地传递至基板S上的显影液的作用。并且，通过移动机构85可以调节振动发生单元80的位置，使得超声波从振动发生单元80集中传递至形成有细微图案的部分。因此，尤其是在形成有细微图案的部分，显影液活跃地振动而实现搅乱、循环及置换，可以有效改善负载效应。
以下，参照图4，对根据本发明另一实施例的基板处理装置进行说明。对于与前述实施例中已说明的构成因素相同的构成因素赋予相同的附图标记，对此省略详细说明。
如图4所示，根据本发明另一实施例的基板处理装置包括：多个显影液供给喷嘴(41、51、52)；及，向基板S的移送方向设置于多个显影液供给喷嘴(41、51、52)各自的下游的多个显影液去除单元70。
多个显影液去除单元70各自仅包括气体喷射喷嘴71，或者仅包括清洗液喷射喷嘴72，或者将气体喷射喷嘴71及清洗液喷射喷嘴72全都包括。
例如，显影液通过主喷嘴41提供至基板S，通过主喷嘴41提供至基板S的显影液被设置在主喷嘴41下游的显影液去除单元70所去除之后，通过第一辅助喷嘴51向基板S提供显影液，通过第一辅助喷嘴51向基板S提供的显影液被设置于第一辅助喷嘴51下游的显影液去除单元70所去除之后，通过第二辅助喷嘴52向基板S提供显影液，通过第二辅助喷嘴52向基板S提供至的显影液被设置于第二辅助喷嘴52下游的显影液去除单元70所去除。提供显影液的工序和去除显影液的工序可以反复进行多次。通过这种反复的工序，向基板S提供的显影液持续置换为新的显影液，从而可以改善可能在形成有细微图案的基板发生的负载效应。
本发明示例性地说明了较佳实施例，但本发明的范围并不受限于上述特定实施例，可以在权利要求书所记载的范畴内适当进行变更。

Claims (13)

1.一种基板处理装置，其中，包括：
多个显像腔室，排列为一列；及，
多个显影液供给喷嘴，设置于所述多个显像腔室，向基板提供显影液，
所述多个显影液供给喷嘴包括：
主喷嘴，向所述基板首次提供显影液；及，
一个以上辅助喷嘴，设置于所述主喷嘴的下游，向所述基板第二次提供显影液，
所述辅助喷嘴包括：
第一辅助喷嘴，设置于所述主喷嘴的下游；及，
第二辅助喷嘴，设置于所述第一辅助喷嘴的下游，
所述第一辅助喷嘴与所述第二辅助喷嘴在显影液吐出流量、显影液吐出压力、从基板离开的距离、显影液吐出口的大小、提供至基板的显影液的运动量中至少有一个不同。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
还包括喷嘴移动单元，所述喷嘴移动单元相对于所述主喷嘴向所述基板的移送方向移动所述辅助喷嘴。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，
所述喷嘴移动单元构成为在所述多个显像腔室之间移动所述辅助喷嘴。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
还包括喷嘴升降单元，所述喷嘴升降单元向邻近所述基板的方向或向从所述基板离开的方向移动所述辅助喷嘴。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
还包括振动发生单元，所述振动发生单元用于振动涂布于所述基板上的显影液。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，
还包括移动机构，所述移动机构使得所述振动发生单元向平行于所述基板的方向移动。
7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述第二辅助喷嘴吐出的显影液的流量大于所述第一辅助喷嘴吐出的显影液的流量。
8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述基板及所述第二辅助喷嘴之间的间隔大于所述基板及所述第一辅助喷嘴之间的间隔。
9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
还包括多个显影液去除单元，所述显影液去除单元设置于所述多个显影液供给喷嘴的各自的下游。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其中，
所述显影液去除单元包括气体喷射喷嘴及清洗液喷射喷嘴中的至少一个，所述气体喷射喷嘴用于向所述基板喷射气体，所述清洗液喷射喷嘴用于向所述基板喷射清洗液。
11.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述主喷嘴具备显影液吐出口，所述显影液吐出口为向所述基板的宽度方向延长的缝隙或槽形状。
12.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述辅助喷嘴具备多个吐出孔，所述多个吐出孔向所述基板的宽度方向以规定间隔间隔开设置。
13.一种基板处理装置，其中，包括：
主喷嘴，其向基板首次提供显影液；
第一辅助喷嘴，其设置于所述主喷嘴的下游，所述第一辅助喷嘴向所述基板第二次提供显影液，以补充在所述基板移送过程中流失的显影液；及，
第二辅助喷嘴，其设置于所述第一辅助喷嘴的下游，所述第二辅助喷嘴向所述基板吐出显影液，以搅乱所述基板上的显影液，
所述第一辅助喷嘴与所述第二辅助喷嘴在显影液吐出流量、显影液吐出压力、从基板离开的距离、显影液吐出口的大小、提供至基板的显影液的运动量中至少有一个不同。
CN201910261146.4A 2018-04-20 2019-04-02 基板处理装置 Active CN110389501B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180045962A KR102125793B1 (ko) 2018-04-20 2018-04-20 기판 처리 장치
KR10-2018-0045962 2018-04-20

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110389501A CN110389501A (zh) 2019-10-29
CN110389501B true CN110389501B (zh) 2023-02-21

Family

ID=68284932

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910261146.4A Active CN110389501B (zh) 2018-04-20 2019-04-02 基板处理装置

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR102125793B1 (zh)
CN (1) CN110389501B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111190330B (zh) * 2020-01-16 2023-03-14 江苏本川智能电路科技股份有限公司 一种des线显影装置及显影方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1407378A (zh) * 2001-07-05 2003-04-02 东京毅力科创株式会社 液体处理装置和液体处理方法
CN1992158A (zh) * 2005-12-28 2007-07-04 大日本网目版制造株式会社 基板处理装置
JP2010098127A (ja) * 2008-10-16 2010-04-30 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP2011054697A (ja) * 2009-09-01 2011-03-17 Tokyo Electron Ltd 現像処理装置及び現像処理方法
JP2012244023A (ja) * 2011-05-23 2012-12-10 Sharp Corp 基板処理方法および基板処理装置
CN104425321A (zh) * 2013-08-30 2015-03-18 细美事有限公司 基板处理装置以及方法、包括该装置的基板处理系统

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3926544B2 (ja) * 2000-08-25 2007-06-06 東京エレクトロン株式会社 現像処理装置
JP4900117B2 (ja) * 2007-07-30 2012-03-21 東京エレクトロン株式会社 現像装置、現像方法及び記憶媒体
KR100897351B1 (ko) 2007-08-31 2009-05-15 세메스 주식회사 기판 현상 방법 및 장치

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1407378A (zh) * 2001-07-05 2003-04-02 东京毅力科创株式会社 液体处理装置和液体处理方法
CN1992158A (zh) * 2005-12-28 2007-07-04 大日本网目版制造株式会社 基板处理装置
JP2010098127A (ja) * 2008-10-16 2010-04-30 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP2011054697A (ja) * 2009-09-01 2011-03-17 Tokyo Electron Ltd 現像処理装置及び現像処理方法
JP2012244023A (ja) * 2011-05-23 2012-12-10 Sharp Corp 基板処理方法および基板処理装置
CN104425321A (zh) * 2013-08-30 2015-03-18 细美事有限公司 基板处理装置以及方法、包括该装置的基板处理系统

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190122339A (ko) 2019-10-30
CN110389501A (zh) 2019-10-29
KR102125793B1 (ko) 2020-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7651284B2 (en) Development apparatus and development method
US7018481B2 (en) Substrate treating method, substrate-processing apparatus, developing method, method of manufacturing a semiconductor device, and method of cleaning a developing solution nozzle
KR101195735B1 (ko) 도포 방법 및 도포 장치
JP2005262127A (ja) ノズル洗浄装置および基板処理装置
KR20160065757A (ko) 현상 처리 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 현상 처리 장치
CN107433240B (zh) 喷嘴清扫装置、涂覆装置及喷嘴清扫方法
JP5465962B2 (ja) 電極形成方法および電極形成装置
JP2007173368A (ja) 塗布処理装置及び塗布処理方法
CN110389501B (zh) 基板处理装置
KR100848928B1 (ko) 액처리장치 및 액처리방법
JP4324538B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP4519120B2 (ja) パターン形成装置
JP6996965B2 (ja) 塗布装置および塗布方法
WO2018003656A1 (ja) 塗布パターン形成方法、塗布パターン形成装置、および塗布パターン付き基材
JP2004089771A (ja) 塗布装置および塗布方法
US6322009B1 (en) Common nozzle for resist development
CN109669322B (zh) 掩模清洁设备和清洁掩模的方法
JP2006202893A (ja) 現像方法及び現像装置
JP4889565B2 (ja) 洗浄装置、フラットパネルディスプレイの製造装置及びフラットパネルディスプレイ
KR100488930B1 (ko) 현상 장비의 현상액 및 탈이온수 도포 장치
KR20060078478A (ko) 슬릿코터
CN114200791B (zh) 显影装置及显影方法
JP2003234063A (ja) パターン形成装置
JP2004022764A (ja) 基板の処理装置および基板の処理方法
KR20240140336A (ko) 기판 처리 장치 및 이를 이용한 반도체 소자 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant