JP2006202893A - 現像方法及び現像装置 - Google Patents

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康浩 伊藤
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Abstract

【課題】 安定してウェハー上に均一に現像液を塗布することができ、レジストの寸法精度の向上を図ることが可能な現像方法及び現像装置を提供する。
【解決手段】 レジストが塗布、露光されたウェハー1をステージ2上に保持する工程と、前記ウェハー1上に、現像液3を所定幅で所定方向にスキャンパドルする工程と、前記現像液のスキャン方向側端面の位置を制御する工程を備える。
【選択図】 図1

Description

本発明は、例えば半導体製造工程において、露光処理されたレジストを現像する現像方法及び現像装置に関する。
近年、半導体装置等の微細化に伴い、さらなる高度な微細加工技術が要求されている。このため、リソグラフィ工程における現像工程では、これまでデップ(浸漬)現像が用いられていたが、レジストの寸法精度の向上を図るため、より均一に現像液を塗布することが可能なパドル(液盛)現像が用いられるようになった。さらに、ウェハーの大口径化に対応するため、現像液をウェハー幅でスキャンする、スキャンパドル現像が採用されている。
図5に従来のスキャンパドル現像装置を示す。図に示すように、ウェハー101をチャック、保持するステージ102の上方に、現像液3をウェハー幅でウェハー101上にパドルする現像液供給ノズル104が設置されている。この現像液供給ノズル104は、現像液を吐出するライン状のスリット104aを有しており、スリット104aと垂直方向にスキャンするための駆動制御装置105と、現像液を供給、制御する現像液供給制御装置106と接続されている。
一方、微細化により、露光波長が従来のKrF:204nmからArF:194nmと短波長化し、これに対応して用いられるレジストにおいて、現像液の接触角が増大する(疎水性が大きくなる)という現象が生じる。このような濡れ性の悪いレジスト上に現像液を均一にスキャンパドルすることは困難であり、現像液流量、現像液供給ノズルの材質及びウェハーとの距離、スキャン速度といった現像条件を最適化し、これらを厳密に制御することが必要となる。
これら現像条件のうち、スキャン速度については、最適化及びその制御が特に困難であり、遅くなると、特にウェハー中心部において、図6に示すように現像液供給ノズルより現像液が先行する現像液の先走り現象が発生し、逆に速くなると、レジスト上(ウェハー上)で現像液がはじかれる現象が発生してしまう。そして、これらの現象により、条件が少しでも変動すると現像液の塗布が不均一となり、レジストの寸法ばらつきが増大するという問題が生じていた。(例えば特許文献1参照)。
特開2004−71637号公報
そこで、本発明は、従来の問題を取り除き、安定してウェハー上に均一に現像液を塗布することができ、レジストの寸法精度の向上を図ることが可能な現像方法及び現像装置を提供することを目的とするものである。
本発明の一態様によれば、レジストが塗布、露光されたウェハーをステージ上に保持する工程と、前記ウェハー上に、現像液を所定幅で所定方向にスキャンパドルする工程と、前記現像液のスキャン方向側端面の位置を制御する工程を備えることを特徴とする現像方法が提供される。
また、本発明の一態様によれば、レジストが塗布、露光されたウェハーを保持するステージと、前記ウェハー上に現像液を所定幅でパドルする現像液供給ノズルと、前記現像液供給ノズルを前記ウェハー上で所定方向にスキャンさせる駆動手段と、前記現像液供給ノズルのスキャン方向側に隣接して設けられ、前記現像液のスキャン方向側端面の位置を制御する手段を備えることを特徴とする現像装置が提供される。
本発明の一実施態様によれば、現像方法及び現像装置において、安定してウェハー上に均一に現像液を塗布することができ、レジストの寸法精度の向上を図ることが可能となる。
以下本発明の実施形態について、図を参照して説明する。
(実施形態1)
図1に本実施形態の現像装置の断面図を、図2にその上面図を示す。図に示すように、ウェハー1をチャック、保持するステージ2の上方に、現像液3をウェハー幅でウェハー1上にパドルする現像液供給ノズル4が設置されている。この現像液供給ノズル4は、現像液を吐出するライン状のスリット4aを有しており、スリット4aと垂直方向にスキャンするための駆動制御装置5と、現像液を供給、制御する現像液供給制御装置6と接続されている。そして、現像液供給ノズル4のスキャン方向側には、スリット4aに沿って、現像液3のスキャン方向側端面の位置を制御するためのガス7を噴きつけるガス噴きつけノズル8が設置され、現像液供給ノズル4とともに駆動される。さらにこのガス噴きつけノズル8は、ガスを供給、制御するガス供給制御装置9と接続されている。
このような現像装置により、以下のように現像される。先ず、レジストが塗布、露光されたウェハーをステージ上に載置し、これをチャックすることにより保持する。そして、現像液供給ノズル4を所定位置からスリット4aと垂直方向に65〜75mm/secでスキャンさせるとともに、現像液供給制御装置6により流量制御されて供給される現像液3を、現像液供給ノズル4から吐出することにより、ウェハー1上に現像液3をパドルする。同時に、ガス供給制御装置8により300l/minに制御されたNガス7を、スキャン方向側に設置されたガス噴きつけノズル8より基板上に噴きつける。このようにして、Nガス7を噴きつけながら、ウェハー端部まで現像液をスキャンパドルする。
このように、現像液のパドル位置のスキャン方向側にNガスを噴きつけて現像液の先行をブロックすることにより、端面の位置をパドル幅方向に直線状に制御することができ、現像液を均一に塗布することができる。図3にスキャン速度とレジスト寸法のばらつき(3σ)との関係を示す。図に示すように、従来はスキャン速度が遅くなると(例えば60mm/sec未満)、ばらつきが増大しているが、本実施形態によれば、スキャン速度が40mm/secと遅い場合でもばらつきの増大が抑えられている。このように、レジストの寸法精度の向上を図ることが可能となる。
本実施形態において、噴きつけられるガスの流量を300l/minとしているが、現像液の先行を抑えられる流量であれば良く、例えば200l/min以上であることが好ましい。一方、あまり大きすぎると、レジスト面に影響を与えるため、400l/min以下であることが好ましい。
(実施形態2)
本実施形態は、実施形態1とほぼ同様であるが、ガス噴きつけノズルから噴きつけられるガスの流量が、スリット方向に分布を有している点が異なっている。
図4に本実施形態の現像装置の断面図を示す。図に示すように、ガス噴きつけノズル18は、中心及び端部に複数のガス供給制御装置19a、19b、19cが接続されている点で、図1に示す第1の実施形態の現像装置と異なっている。
このような現像装置により、実施形態1と同様に現像されるが、ガス供給制御装置19a、19b、19cにより、夫々200l/min、300l/min、200l/minとなるように制御されたNガス17を、スキャン方向側に設置されたガス噴きつけノズル18よりウェハー11上に噴きつける。このとき、スリット14aは分割されていてもされていなくても良い。このようにして、流量分布を有するNガス17を噴きつけながら、ウェハー11端部まで現像液13をスキャンパドルする。
このように、現像液のパドル位置のスキャン方向側にNガスを噴きつけて現像液の先行をブロックする際、現像液の先行量が大きいウェハー11中心部の流量が大きくなるように制御することにより、現像液を均一に塗布することができる。
本実施形態において、噴きつけられるガスの流量を200l/min、300l/min、200l/minと分布を持たせているが、現像液の先行を抑えられる流量であり、レジスト面に影響を与えない流量であれば良く、中心部の流量は例えば200〜400l/minであることが好ましい。そして、この中心部の流量は、スキャン速度にも依存するが、端部の流量の120〜170%となるように分布を持つことが好ましい。
これら実施形態において、Nガスを用いているが、レジスト、現像液と反応しないガスであれば特に限定されるものではなく、その他不活性ガス等も用いることが可能である。また、ガスを上方より垂直に噴きつけているが、傾斜して噴きつけていても良い。また、スキャン中に傾斜角を変動させても良く、さらに例えばガス噴きつけノズル8、18が、現像液の先行量が大きいウェハー中心部でより傾斜する構造となっていても良い。
また、現像液のスキャン方向側端面の位置を制御する手法としては、これら実施形態において、ガスを噴きつける手法を用いているが、これに限定されるものではなく、例えばスキャン方向に吸引手段を設け、先行する現像液を吸引することも可能である。そして、ガスを噴きつける手法と同様に、吸引バキューム圧がスリット方向に分布を有していても、可変となっていても良い。
尚、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。その他要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
本発明の一態様における現像装置の断面を示す図。 本発明の一態様における現像装置の上面を示す図。 スキャン速度とレジスト寸法のばらつき(3σ)との関係を示す図。 本発明の一態様における現像装置の断面を示す図。 従来の現像装置の断面を示す図。 従来の現像装置の問題を示す図。
符号の説明
1、11、101 ウェハー
2、12、102 ステージ
3、13、103 現像液
4、14、104 現像液供給ノズル
5、15、105 駆動制御装置
6、16、106 現像液供給制御装置
7、17 ガス
8、18 ガス噴きつけノズル
9、19 ガス供給制御装置

Claims (5)

  1. レジストが塗布、露光されたウェハーをステージ上に保持する工程と、
    前記ウェハー上に、現像液を所定幅で所定方向にスキャンパドルする工程と、
    前記現像液のスキャン方向側端面の位置を制御する工程を備えることを特徴とする現像方法。
  2. 前記現像液のスキャン方向側端面の位置を制御する工程は、前記現像液のパドル位置のスキャン方向側に、上方から所定流量のガスを噴きつける工程であることを特徴とする請求項1に記載の現像方法。
  3. 前記ガスは、パドル幅方向に流量分布を有することを特徴とする請求項2に記載の現像方法。
  4. レジストが塗布、露光されたウェハーを保持するステージと、
    前記ウェハー上に現像液を所定幅でパドルする現像液供給ノズルと、
    前記現像液供給ノズルを前記ウェハー上で所定方向にスキャンさせる駆動手段と、
    前記現像液供給ノズルのスキャン方向側に隣接して設けられ、前記現像液のスキャン方向側端面の位置を制御する手段を備えることを特徴とする現像装置。
  5. 前記現像液のスキャン方向側端面の位置を制御する手段は、前記ウェハー上に上方から所定流量のガスを噴きつける手段であることを特徴とする請求項4に記載の現像装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2010182715A (ja) * 2009-02-03 2010-08-19 Tokyo Electron Ltd 現像処理方法及び現像処理装置
JP2022049955A (ja) * 2020-09-17 2022-03-30 株式会社Screenホールディングス 現像装置および現像方法
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