TWI574338B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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TWI574338B
TWI574338B TW104127199A TW104127199A TWI574338B TW I574338 B TWI574338 B TW I574338B TW 104127199 A TW104127199 A TW 104127199A TW 104127199 A TW104127199 A TW 104127199A TW I574338 B TWI574338 B TW I574338B
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藤原直澄
江戸徹
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阿野誠士
澤島隼
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斯克林集團公司
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Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於一種藉由一面使基板旋轉一面對基板供給處理液而對基板進行處理之基板處理技術。處理對象之基板包含液半導體晶圓、液晶顯示裝置用玻璃基板、電漿顯示器用玻璃基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板及光罩用基板等各種基板。
作為於此種基板之製造過程中對基板進行處理之裝置，例如於專利文獻1、2中揭示有一種裝置，其包含：二流體噴嘴，其使處理液與經加壓之氣體混合而產生處理液之液滴噴流，並對基板噴射所產生之液體噴流；及噴嘴(亦稱為「直線型噴嘴」)，其對基板上噴出處理液之連續流；且該裝置係藉由使該等噴嘴沿基板上方之同一路徑隔開特定間隔而一體地進行掃描而對基板進行處理。
專利文獻1之基板處理裝置係於自直線型噴嘴朝基板沿鉛垂方向噴出較少量之純水等清洗液之連續流而基板表面被清洗液潤濕之狀態下，自二流體噴嘴朝基板沿鉛垂方向噴出較多量之清洗液之霧狀物而清洗基板。藉此，與對乾燥之基板噴出清洗液之霧狀物之情形相比，可抑制來自基板表面之霧狀物之飛散，從而抑制因飛散之清洗液之霧狀物附著於基板而引起之水印狀之缺陷之產生。又，該裝置係於二流體噴嘴與直線型噴嘴之間具備遮蔽板。藉此，該裝置可抑制因清洗液 之連續流與清洗液之霧狀物到達基板表面之前於路徑中途相互產生干涉而引起之清洗液之霧狀物之飛散。進而，該裝置亦可藉由沿鉛垂方向噴出用於潤濕基板表面之清洗液之連續流而降低被噴出至基板上之該連續流之水平方向之運動能量，而抑制基板表面之清洗液之飛散。
又，於專利文獻1中，作為變化例而揭示有一種基板處理裝置，其使朝基板沿鉛垂方向噴出較少量之清洗液之連續流之直線型噴嘴及朝被該連續流潤濕之基板沿傾斜方向噴出較多量之清洗液之霧狀物之二流體噴嘴一體地進行掃描。於該變化例中，於直線型噴嘴與二流體噴嘴之間，設置有沿傾斜方向延伸之遮蔽板，對該遮蔽板安裝有二流體噴嘴。藉此，即使於變化例之裝置中，亦可抑制因清洗液之連續流與清洗液之霧狀物到達基板表面之前於路徑中途相互產生干涉而引起之清洗液之霧狀物之飛散。
專利文獻2之基板處理裝置係藉由自直線型噴嘴朝基板沿鉛垂方向噴出臭氧水等氧化性處理液之連續流，並於形成於基板上之氧化膜上，自二流體噴嘴朝基板沿鉛垂方向噴射氟酸等之蝕刻液之液體噴流，而將基板上之異物與氧化膜一起去除。因該裝置係使直線型噴嘴與二流體噴嘴一體地進行掃描，故與於使噴出氧化性處理液之直線型噴嘴進行掃描而完成基板上表面之整個區域之氧化處理後，使噴射蝕刻液之液滴噴流之二流體噴嘴進行掃描而進行基板上表面之整個區域之蝕刻處理之情形相比，可縮短基板處理時間。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2003-209087號公報
[專利文獻1]日本專利特開2005-86181號公報
於使用藉由蝕刻液等之化學反應而處理形成於基板上之膜之處理液之情形時，通常，於處理液為高溫時，處理液之反應性變高。因此，於蝕刻處理中，藉由對處理對象之基板表面供給將反應性設定在較高溫度之多量之蝕刻液，可謀求蝕刻速率之提高。又，存在因蝕刻液與膜之化學反應而於膜之表面產生氣泡之情形。若產生氣泡，則因該部分不繼續產生反應而導致出現蝕刻殘渣。若被供給至基板上之蝕刻液為高溫，則因蝕刻液之反應性變高，故氣泡之產生量增多。因此，於蝕刻處理中，為有效抑制蝕刻殘渣之產生，必須藉由於蝕刻液形成於基板上之液膜為高溫之狀態下攪動該液膜、促使氣泡移動從而抑制氣泡於膜之表面之滯留。
因此，可藉由對基板上噴出被設定於特定溫度之蝕刻液之連續流後，於較短之時間間隔後對該液膜噴射蝕刻液之液滴噴流並攪拌液膜之蝕刻方法，而提高蝕刻速率，並且有效抑制蝕刻殘渣之產生。
此處，自直線型噴嘴噴出之連續流因並未混合有氣體，故容易增加流量，而自二流體噴嘴噴射之液滴噴流因混合有經加壓之高速之氣體與處理液，故容易提高流速。
因此，作為使用直線型噴嘴與二流體噴嘴分別沿鉛垂方向噴出處理液之專利文獻1、2之裝置構成而實現上述蝕刻方法之方法，可考慮如下一方法，縮短直線型噴嘴與二流體噴嘴之間隔，自直線型噴嘴對基板上噴出多量之蝕刻液之連續流，並且對連續流所形成之液膜上自二流體噴嘴以高速噴射蝕刻液之液滴噴流。
然而，於自直線型噴嘴對基板上噴出多量之蝕刻液之連續流之情形時，於所噴出之蝕刻液之連續流於基板上擴散之過程中，因基板之旋轉所產生之離心力、噴嘴掃描所產生之慣性力、處理液之朝基板之旋轉方向下游側之移動、以及根據供給流量而連續流自著液部位朝周圍擴散之力等之綜合作用，於基板上形成厚度較周圍之液膜更厚且 鼓起之液膜。自二流體噴嘴以高速噴射之液滴噴流亦因於自基板上之著液位置朝周圍擴散之過程中受到同樣之力之作用等，而形成厚度較周圍之液膜更厚且鼓起之液膜。於該狀態下，為使於蝕刻液之溫度較高時膜表面所產生之大量氣泡效率良好地移動，而以使蝕刻液之連續流之著液位置與蝕刻液之液滴噴流之著液位置靠近之方式設定兩噴嘴之間隔之情形時，如圖7所示，有液滴噴流361所形成之鼓起之液膜371之周緣部與連續流362所形成之鼓起之液膜372之周緣部抵碰而產生衝突之情形。於該情形時，會產生體積較大之液柱狀之濺液370。濺液370係其體積例如為0.5ml至數m1左右之可目視之液體。飛濺之蝕刻液附著於裝置內部之壁面等並掉落至基板W上，而使基板W產生缺陷。反之，若使蝕刻液之液滴噴流361之著液位置與蝕刻液之連續流362之著液位置相隔甚遠，雖不會產生濺液370，但因無法於反應性較高之高溫狀態下攪拌蝕刻液，而會出現產生較多蝕刻液殘渣之問題。
又，於使用專利文獻1之變化例之裝置構成實現上述蝕刻方法之情形時，於基板W之上表面形成有沿垂直方向凹陷之溝槽(形成於基板之圖案中之槽)11，於對形成於溝槽T1之膜U1進行處理之情形時，如圖15所示，藉由傾斜地噴射蝕刻液之液滴噴流361而形成於基板W之溝槽T1之一側壁附近之蝕刻液351未被充分攪拌。因此，有氣泡99滯留於一側壁而導致產生蝕刻殘渣之問題。
本發明係鑒於此種問題而完成者，其目的在於提供一種技術，其於自一體地進行掃描之直線型噴嘴與二流體噴嘴之各者供給藉由蝕刻液等之化學反應而對基板進行處理之處理液、對基板進行處理之裝置中，即使於基板表面形成有溝槽之情形時，亦可抑制蝕刻殘渣等處理殘渣之產生，並可抑制因被供給至基板上之處理液之連續流與處理液之液滴噴流於基板上產生衝突而引起之濺液之產生。
為解決上述問題，第1態樣之基板處理裝置包含：旋轉保持部，其一面水平保持基板一面使其旋轉；第1噴嘴，其將處理液與經加壓之氣體混合而產生上述處理液之液滴噴流，並將上述液滴噴流朝上述基板之上表面於大致鉛垂方向噴射；第2噴嘴，其對上述基板之上表面噴出上述處理液之連續流；噴嘴移動部，其一面將上述第1噴嘴與上述第2噴嘴之位置關係保持固定，一面使上述第1噴嘴與上述第2噴嘴於上述基板之上方一體地移動；且上述噴嘴移動部係以上述液滴噴流於上述基板上之著液位置通過上述基板之旋轉中心之方式，使上述第1噴嘴移動；於上述位置關係中，當上述第1噴嘴位於上述基板之周緣部之上方時，上述連續流於上述基板上之著液位置位於較上述液滴噴流之著液位置更靠近上述基板之旋轉中心側；上述基板之旋轉軌跡上之上述液滴噴流之著液位置與上述連續流之著液位置之兩者之移動路徑，和上述連續流與上述液滴噴流之兩者之流動方向中之至少一者不同；上述兩者之移動路徑之不同係由於當上述第1噴嘴位於上述基板之周緣部之上方時，上述連續流之著液位置位於較上述液滴噴流之著液位置之移動路徑更靠近上述基板之旋轉方向之下游側所致；上述兩者之流動方向之不同係由於，以上述液滴噴流與上述連續流之間隔隨著靠近上述基板而變寬之方式，上述連續流之方向相對於鉛垂方向傾斜所致。
第2態樣之基板處理裝置係如第1態樣之基板處理裝置，其中上述兩者之移動路徑相互重疊，並且上述兩者之流動方向不同。
第3態樣之基板處理方法包含：第1步驟，其一面水平保持基板一面使其旋轉；第2步驟，其將處理液與經加壓之氣體混合而產生上述處理液之液滴噴流，並將上述液滴噴流與上述第1步驟並行地朝上述基板之上表面於大致鉛垂方向噴射；第3步驟，其與上述第1步驟及 第2步驟並行地對上述基板之上表面噴出上述處理液之連續流；第4步驟，其一面使上述液滴噴流與上述連續流之位置關係保持固定，一面與上述第1至第3步驟並行地使上述液滴噴流與上述連續流於上述基板上一體地移動；上述第4步驟係以上述液滴噴流於上述基板上之著液位置通過上述基板之旋轉中心之方式，使上述液滴噴流移動之步驟；於上述位置關係中，當上述液滴噴流之著液位置位於上述基板之周緣部時，上述連續流於上述基板上之著液位置位於較上述液滴噴流之著液位置更靠近上述基板之旋轉中心側；上述基板之旋轉軌跡上之上述液滴噴流之著液位置與上述連續流之著液位置兩者之移動路徑，和上述連續流與上述液滴噴流兩者之流動方向中之至少一者不同；上述兩者之移動路徑之不同係由於當上述液滴噴流之著液位置位於上述基板之周緣部時，上述連續流之著液位置位於較上述液滴噴流之著液位置之移動路徑更靠近上述基板之旋轉方向之下游側所致；上述兩者之流動方向之不同係由於，以上述液滴噴流與上述連續流之間隔隨著靠近上述基板而變寬之方式，上述連續流之方向相對於鉛垂方向傾斜所致。
第4態樣之基板處理方法係如上述第3態樣之基板處理方法，其中上述兩者之移動路徑相互重疊，並且上述兩者之流動方向不同。
根據本發明，當第1噴嘴位於基板之周緣部之上方時，處理液之連續流之著液位置位於較處理液之液滴噴流之著液位置更靠近基板之旋轉中心側，基板之旋轉軌跡上之液滴噴流之著液位置與連續流之著液位置之兩者之移動路徑、和連續流與液滴噴流之兩者之流動方向中之至少一者不同。兩者之移動路徑之不同係由於當第1噴嘴位於基板之周緣部之上方時，連續流之著液位置位於較液滴噴流之著液位置之移動路徑更靠近上述基板之旋轉方向之下游側所致。藉此，液滴噴流 之著液位置之基板旋轉速度向量與連續流之著液位置之基板旋轉速度向量朝向相互遠離之方向。又，兩者之流動方向之不同係由於，以液滴噴流與上述連續流之間隔隨著靠近基板而變寬之方式，連續流之方向相對於鉛垂方向傾斜所致。藉此，自處理液之連續流之著液位置至該連續流所形成之鼓起之液膜之周緣中之液滴噴流之著液位置側之部分之距離變短。因此，於兩者之移動路徑與兩者之流動方向中之至少一者不同之情形時，即使為於形成於基板上之處理液之液體尚為高溫時攪拌液膜而使液滴噴流之著液位置與連續流之著液位置靠近，亦可抑制處理液之連續流所形成之液膜與處理液之液滴噴流所形成之液膜於基板上之衝突之產生。又，因處理液之液滴噴流沿鉛垂方向被噴射，故即使積留於溝槽中之處理液，亦可被充分攪拌。藉此，即使於基板表面形成有溝槽之情形時，亦可抑制蝕刻殘渣等處理殘渣之產生，並可抑制因供給至基板上之處理液之連續流與處理液之液滴噴流於基板上產生衝突而引起之濺液之產生。
根據本發明，第1噴嘴係以處理液之連續流之著液位置與處理液之液滴噴流之著液位置之兩者之移動路徑相互重疊，並且處理液之液滴噴流之著液位置通過基板之旋轉中心之方式移動。因此，可於通過較處理液之連續流之著液位置更靠基板之旋轉中心時起，對包含基板之中央域之基板之各部供給處理液之連續流。藉此，可抑制徑向之基板溫度之差異，且可抑制基板各部之處理速率之差異。
11‧‧‧溝槽
51‧‧‧處理液
54‧‧‧氣體
61‧‧‧噴流
62‧‧‧連續流
71‧‧‧液膜
72‧‧‧液膜
99‧‧‧氣泡
100A‧‧‧基板處理裝置
100B‧‧‧基板處理裝置
111‧‧‧旋轉夾頭(旋轉保持部)
113‧‧‧旋轉支軸
115‧‧‧旋轉基台
117‧‧‧夾頭銷
121‧‧‧噴嘴(第1噴嘴)
122‧‧‧噴嘴(第2噴嘴)
132‧‧‧噴嘴
141‧‧‧處理液供給源
144‧‧‧氣體供給源
154‧‧‧夾頭旋轉機構(旋轉部)
155‧‧‧噴嘴旋轉機構(噴嘴移動部)
156‧‧‧基部
161‧‧‧控制部
171‧‧‧閥
172‧‧‧閥
174‧‧‧閥
181‧‧‧配管臂
182‧‧‧配管臂
351‧‧‧蝕刻液
361‧‧‧噴流
381‧‧‧配管
382‧‧‧配管
384‧‧‧配管
a1‧‧‧旋轉軸(鉛垂軸)
a2‧‧‧旋轉軸
c1‧‧‧旋轉中心
c2‧‧‧位置
c3‧‧‧位置
c4‧‧‧位置
c6‧‧‧位置
c8‧‧‧位置
d1‧‧‧位置
d2‧‧‧位置
d3‧‧‧位置
d4‧‧‧位置
d6‧‧‧位置
d7‧‧‧位置
d8‧‧‧位置
L1a‧‧‧移動路徑
L2a‧‧‧移動路徑
L1b‧‧‧移動路徑
L2b‧‧‧移動路徑
L1c‧‧‧移動路徑
L2c‧‧‧移動路徑
L1d‧‧‧移動路徑
L2d‧‧‧移動路徑
L10‧‧‧移動路徑
L11‧‧‧移動路徑
L12‧‧‧移動路徑
P0‧‧‧著液位置
P10‧‧‧著液位置
Q1‧‧‧著液位置
Q2‧‧‧著液位置
Q3‧‧‧著液位置
Q4‧‧‧著液位置
Q13‧‧‧著液位置
S1‧‧‧上表面(表面)
S2‧‧‧下表面(背面)
S3‧‧‧周緣部
T1‧‧‧溝槽
U1‧‧‧膜
v0‧‧‧旋轉速度向量
v1‧‧‧旋轉速度向量
v2‧‧‧旋轉速度向量
v3‧‧‧旋轉速度向量
v4‧‧‧旋轉速度向量
v13‧‧‧旋轉速度向量
W‧‧‧基板
X‧‧‧長度差
X‧‧‧距離
Y‧‧‧距離
θ‧‧‧角度
圖1係模式性地表示實施形態之基板處理裝置之概略構成之一例之圖。
圖2係自基板之上方觀察圖1之2個噴嘴之圖。
圖3係表示圖2之2個噴嘴所供給之處理液之著液位置之移動路徑之圖。
圖4係表示圖1之2個噴嘴之另一位置關係之圖。
圖5係表示圖4之2個噴嘴所供給之處理液之著液位置之移動路徑之圖。
圖6係例示圖1之2個噴嘴形成於基板上之液膜之剖視圖。
圖7係例示比較技術之基板處理裝置之2個噴嘴形成於基板上之液膜之剖視圖。
圖8係模式性地表示實施形態之基板處理裝置之概略構成之一例之圖。
圖9係自基板之上方觀察圖8之2個噴嘴之圖。
圖10係表示圖9之2個噴嘴所供給之處理液之著液位置之移動路徑之圖。
圖11係表示圖10之2個噴嘴之另一位置關係之圖。
圖12係表示圖11之2個噴嘴所供給之處理液之著液位置之移動路徑之圖。
圖13係表示處理液之著液位置與著液位置之基板之旋轉速度向量之圖。
圖14係模式性地表示自實施形態之基板處理裝置之二流體噴嘴對溝槽噴射液滴噴流之狀態之剖視圖。
圖15係模式性地表示自比較技術之基板處理裝置之二流體噴嘴對溝槽噴射液滴噴流之狀態之剖視圖。
圖16係以表格形式表示由實施形態之基板處理裝置蝕刻基板時附著於反應室頂部之顆粒個數之圖。
以下，基於圖式說明本發明之實施形態。於圖式中對具有相同構成及功能之部分附加相同符號，並於以下說明中省略重複說明。又，各圖式係模式性地表示者。再者，於實施形態之說明中，上下方 向係鉛垂方向，基板W側為上，旋轉夾頭111側為下。
<關於實施形態> <1.實施形態之基板處理裝置之構成與動作>
圖1係模式性地表示實施形態之基板處理裝置100A之概略構成之一例之圖。圖2係自基板W之上方觀察基板處理裝置100A之2個噴嘴121、122之圖。
基板處理裝置100A使用處理液對基板進行處理。具體而言，基板處理裝置100A使用例如蝕刻液作為處理液而進行半導體晶圓等基板W之上表面(亦稱為「表面」)S1之蝕刻處理，進行形成於上表面S1之薄膜(無需物)之去除。作為處理液，此外，例如可使用清洗液等。再者，與上表面S1為相反側之下表面S2亦稱為「背面」。基板W之表面形狀大致為圓形，所謂基板W之上表面S1，係指供形成器件圖案之器件形成面。基板W之半徑例如為150mm。
如圖1所示，基板處理裝置100A包含旋轉夾頭(「旋轉保持部」)111，其以使上表面S1朝著上方之狀態，以大致水平姿勢保持基板W並使其旋轉。旋轉夾頭111係圓筒狀之旋轉支軸113連結於包含馬達之夾頭旋轉機構(「旋轉部」)154之旋轉軸，並可藉由夾頭旋轉機構154之驅動而繞旋轉軸(鉛垂軸)a1旋轉，亦即於大致水平面內旋轉。
於旋轉支軸113之上端部，藉由螺釘等緊固零件一體地連結著圓盤狀之旋轉基台115。因此，藉由夾頭旋轉機構154根據來自控制裝置全體之控制部161之動作指令而作動，旋轉支軸113與旋轉基台115一體地以旋轉軸a1為中心而旋轉。又，控制部161控制夾頭旋轉機構154而調整旋轉速度。控制部161係例如藉由CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)執行記憶體中記憶之程式等而實現。
於旋轉夾頭115之周緣部附近，豎立設置有用於固持基板W之環 狀之周緣部S3之複數個夾頭銷117。為確實地保持圓形之基板W，只要設置3個以上之夾頭銷117即可，將其等沿旋轉基台115之周緣部以等角度間隔配置。各夾頭銷117具備：基板支持部，其自下方支持基板W之周緣部S3；及周緣保持部，其將被基板支持部支持之周緣部S3自其側方朝基板W之中心側推壓而保持基板W。各夾頭銷117係構成為可於周緣保持部推壓基板W之周緣部S3之推壓狀態、與周緣保持部遠離周緣部S3之釋放狀態之間切換。
於對旋轉基台115交接基板W時，基板處理裝置100A係將複數個夾頭銷117設為釋放狀態，於對基板W進行藉由處理液而進行之處理時，則將複數個夾頭銷117設為推壓狀態。藉由設為推壓狀態，複數個夾頭銷117可固持基板W之周緣部S3，而將基板W自旋轉基台115隔開特定間隔並以大致水平姿勢保持。藉此，基板W係在其表面(圖案形成面)S1朝向上方、下表面S2朝向下方之狀態下，旋轉軸a1通過上表面S1及下表面S2之中心之方式被支持。
於基板W之下方，沿基板W之下表面S2設置有自下表面S2之中央部朝周緣部延設之下噴嘴(省略圖示)。下噴嘴之上表面係自下表面S2起隔開固定間隔而與下表面S2對向。於旋轉基台115之中央部，形成有連接於旋轉支軸113之貫通孔之貫通孔。下噴嘴係經由使該貫通孔與旋轉支軸113之貫通孔貫通之配管(省略圖示)，而與裝置外部之純水供給源(省略圖示)連接，自純水供給源供給被加熱至特定溫度之純水。於下噴嘴之上表面，設置有與基板W之下表面S2之中央部及周邊部等對向而開口之複數個噴出口。下噴嘴係構成為可自複數個噴出口對下表面S2噴出所供給之純水。
基板處理裝置100A藉由使夾頭旋轉機構154旋轉驅動保持基板W之旋轉夾頭111，而一面使基板W以特定之旋轉速度旋轉，一面自下噴嘴對下表面S2噴出經溫度調整之純水，藉此調整基板W之溫度。接 著，基板處理裝置100A自下述之噴嘴(「第1噴嘴」)121對基板W之上表面S1噴射處理液51之液滴噴流61，並且自下述之噴嘴(「第2噴嘴」)122對上表面S1噴出處理液51之連續流62，藉此對基板W實施特定之處理(蝕刻處理等)。再者，即使基板處理裝置100A不具備下噴嘴，而藉由供給至上表面S1之處理液51調整基板W之溫度，且藉由處理液51進行上表面S1之處理，亦無損於本發明之有用性。
基板處理裝置100A進而包含：處理液供給源141，其供給處理液51；及氣體供給源144，其供給氣體54。處理液51係藉由蝕刻液等之化學反應而對基板進行處理之處理液。作為處理液51，較佳為採用例如氫氧化氨水溶液(亦即，由氫氧化氨(NH4OH)、過氧化氫(H2O2)及純水以規定比例混合而成之處理液，以下以「SC-1」表示)。SC-1之溫度較佳控制在60℃~80℃。作為處理液51，例如亦可採用氨氣之水溶液。作為氣體54，例如可採用氮氣等惰性氣體。
處理液供給源141具備：加熱器，其可加熱所供給之處理液51；溫度感測器，其可檢測處理液51之溫度；及泵等送出機構，其送出處理液51(均省略圖示)。
氣體供給源144具備：加熱器，其可加熱氣體54；感測器，其可檢測氣體54之溫度；及泵等送出機構，其送出氣體54(均省略圖示)。
控制部161係以處理液供給源141與氣體供給源144之各者之各溫度感測器所檢測出之處理液51及氣體54之溫度能夠成為相同之目標溫度之方式，控制各加熱器之發熱量，從而控制處理液51及氣體54之溫度。於處理液供給源141及氣體供給源144，連接有配管381、384之一端。藉由控制部161使處理液供給源141及氣體供給源144之泵動作，而處理液供給源141及氣體供給源144可將經溫度調整之處理液51及氣體54送出至配管381、384。氣體54係以經高壓加壓之狀態被送出。
於被旋轉夾頭111保持之基板W之側方，設置有具備馬達之圓柱 狀之噴嘴旋轉機構155。噴嘴旋轉機構155之動作係由控制部161控制。噴嘴旋轉機構155可以通過其上表面之中心，且與鉛垂方向平行之旋轉軸a2為旋轉軸心而雙向旋轉。於噴嘴旋轉機構155之上表面，安裝有長方體狀之基部156。於基部156之一側面，以可以噴嘴旋轉機構155之旋轉軸a2為旋轉中心而於大致水平面內旋轉地、突設有具有剛性之管狀之配管臂181、182。配管臂181、182係相互平行地延設於同一水平面內。配管臂181、182之各者之一端自基部156之一側面貫通基部156而到達至基部156之另一側面。藉此，配管臂181、182被基部156保持。於配管臂181、182之各者之另一端，分別連接有噴嘴121、122。噴嘴121、122保持相對位置關係並藉由噴嘴旋轉機構155而一體地旋轉。
配管381、384於基部156之另一側面，自配管臂181之一端被插通至配管臂181內。配管381、384之各者之另一端到達至配管臂181之另一端，且分別連接於噴嘴121。又，配管382於基部156之另一側面，自配管臂182之一端被插通至配管臂182內。配管382之另一端到達至配管臂182之另一端，並連接於噴嘴122。配管382係於配管381之路徑中途自配管381分支。處理液供給源141所供給之處理液51於該分支點被分配於配管381與配管382。對噴嘴121，經由配管381、384而供給處理液51、氣體54。對噴嘴122，經由配線382而供給處理液51。
於配管381、382、384之路徑中途，設置有閥171、172、174。控制部161係以經由配管381、382、384而供給之處理液51及氣體54之流量能夠達到各自之目標流量之方式，經由省略圖示之閥控制機構而控制閥171、172、174之開關量。
噴嘴121具備與基板W之上表面S1對向之噴射口。將噴出口與上表面S1之間隔例如設定為6mm。噴嘴121係以藉由噴嘴旋轉機構155而於基板W之上方掃描時，其噴射口通過基板W之旋轉中心c1之上方 之方式，安裝於配管臂181。噴嘴121經由與噴射口連通之流路對噴射口側供給處理液51，經由與噴射口連通之另一流路，對噴射口側以高速供給氣體54。處理液51係以例如150ml/分之流量被供給，氣體54係以例如12L/分之流量被供給。噴嘴121使經加壓之氣體54之高速之氣流與處理液51於噴射口附近混合，而產生處理液51之液滴噴流61，並自噴射口朝基板W之上表面S1沿鉛垂方向以高速噴射噴流61。噴流61係混合有處理液51之液滴與氣體54之流體。若使用此種二流體噴嘴作為噴嘴121，則可容易地控制噴流61之流速。噴嘴旋轉機構155係以噴流61之基板W上之著液位置通過基板W之旋轉中心c1之方式使噴嘴121進行掃描。
噴流61所含有之處理液51之液滴直徑例如為10μm左右，噴流61例如含有150ml/分之流量之處理液51之液滴，並以20~50m/sec之噴射速度被噴射。再者，作為噴嘴121，例如亦可使用藉由自多個微細孔噴出被施加100MPa~300Mpa之高壓之處理液51，而產生處理液之液滴噴流並噴出之噴嘴等。
噴嘴122具有以使一直線狀之筒狀體與另一直線上之筒狀體傾斜地相交之方式，將一直線狀之筒狀體之一端與另一直線上之筒狀體之另一端連接之形狀，其例如以藉由對具有耐腐蝕性之樹脂管狀物進行彎折加工而形成。噴嘴122之一端與配管臂182之另一端連接。噴嘴122之一端側部分係朝上表面S1沿鉛垂方向延伸，另一端側部分係以於沿配管臂182之延設方向觀察時，相對於一端側部分之延伸方向，亦即鉛垂方向成角度θ而延伸之方式，與一端側部分相連。藉此，噴嘴122係自於噴嘴122之另一端側部分之前端開口之噴出口朝基板W之上表面S1，沿另一端側部分之延伸方向，噴出經由配管臂182而自處理液供給源141供給之處理液51之棒狀之連續流62。於噴嘴121之噴射口位於基板W之旋轉中心c1之上方時，噴嘴122所噴出之連續流62之 上表面S1之著液位置成為位置d1。位置d1相對於噴嘴122之移動軌跡與配管臂182之交點，隔開與角度θ和噴嘴122之噴出口之高度相應之距離Y。將噴出口之高度，亦即噴出口與上表面S1之間隔例如設定為10mm。噴嘴122係以藉由噴嘴旋轉機構155而於基板W之上方掃描時，自其之噴出口噴出之處理液51之連續流62通過基板W之旋轉中心c1之上方之方式，被安裝於配管臂182。
自噴嘴122之噴出口噴出之連續流62之流量達到1350ml/分左右。噴嘴122亦稱為「直線型噴嘴」。如此般，自噴嘴122供給多量之供給液，可確保處理所需之處理液51之液量，並且只要朝進入至圖案內之處理液51自噴嘴121以高速噴射處理液51之液滴噴流61、而攪拌處理液51，則可抑制蝕刻殘渣之產生，並可進行形成於基板W之膜之蝕刻。
噴嘴旋轉機構155一面使噴嘴121、122之相互之位置關係(距離與姿勢)保持固定，一面使噴嘴121、122於基板W之上方一體地移動。於該位置關係中，當配置121位於基板W之周緣部S3之上方時，處理液51之連續流62之基板W上之著液位置位於較處理液51之液滴噴流61之著液位置更靠近基板W之旋轉中心c1側。自噴嘴122噴出至上表面S1之處理液51自上表面S1上之著液位置朝其周圍擴散而形成液膜。基板W之旋轉所產生之離心力作用於液膜。若連續流62之著液位置較噴流61之著液位置更靠近旋轉中心c1側，則被噴出至上表面S1之連續流62所形成之液膜因基板W之旋轉所產生之離心力、而擴散至噴嘴121之噴射口之下方為止。因噴流61被噴射至該液膜上而可進行液膜之攪拌。
又，連續流62之噴出方向(流動方向)係以噴流61與連續流62之間隔隨著靠近基板W而變寬之方式，相對於噴流61之噴射方向，亦即鉛垂方向傾斜。亦即，噴流61與連續流62之兩者之流動方向不同。噴流 61與連續流62之間隔為噴流61之中心軸與連續流62之中心軸之間隔。
於對旋轉基台115交接基板W等時，配管臂181、182旋轉而使噴嘴121、122從基板W之搬入路徑上退避。又，於基板處理裝置100A藉由處理液51進行膜之處理時，於基板W旋轉之狀態下，噴嘴控制機構155藉由伺服控制而旋轉驅動自基部156延設之配管臂181、182，使噴嘴121、122相對於基板W之上表面S1之旋轉軌跡相對往復而進行掃描。藉此，基板處理裝置100A可自噴嘴121對連續流62形成於上表面S1之液膜上噴射噴流61，並可整體地處理基板W。如此般，若可進行噴嘴121、122之掃描，則處理之均勻性提高。又，於該掃描中，噴嘴121例如於上表面S1之中央域之上方與周緣部S3之上方之間往復而進行掃描。操作時之伺服控制係由控制部161進行。因此，可藉由來自控制部161之指令，再現性良好、並高精度地調整噴嘴121、122之位置。
圖3係表示圖2所示之噴嘴121、122一面被噴嘴旋轉機構155掃描，一面對基板W之上表面S1供給處理液51之液滴噴流61與處理液51之連續流62時之，噴流61與連續流62之各者之著液位置之移動路徑L1a、L2a之圖。與噴嘴121、122之掃描並行地，基板W被旋轉夾頭111保持而旋轉。
噴流61與連續流62之各者之基板W上之著液位置之移動路徑L1a、L2a相互重疊。又，因噴嘴122之前端部分之角度相對於鉛垂方向傾斜，故噴流61與連續流62之各者之流動方向不同。移動路徑L1a、L2a係以噴嘴旋轉機構155之旋轉軸a2為旋轉中心且通過基板W之旋轉中心c1之圓弧。
當噴嘴121之噴射口位於基板W之旋轉中心c1之上方，噴流61之著液位置位於旋轉中心c1時，連續流62之著液位置位於位置d1。當噴嘴121之噴射口位於基板W之周緣部S3之上方，噴流61之著液位置位 於周緣部S3之位置c2時，連續流62之著液位置位於較位置c2更靠近旋轉中心c1側之位置d2。位置c2、d2係移動路徑L1a、L2a之一端，旋轉軸心c1與位置d1係移動路徑L1a、L2a之另一端。因噴嘴121、122係保持相互之位置關係而被掃描，故旋轉中心c1與位置d1之間隔和位置c2與位置d2之間隔相等。將該間隔例如設定為50mm。
圖4係表示噴嘴121、122之位置關於與配管臂181、182之位置關係之另一例之圖。配管臂181、182係於同一水平面相互並行而延伸。圖4所示之配管臂181、182與噴嘴121、122係與圖2所示之配管臂181、182與噴嘴121、122，配置於相對於包含旋轉軸a1、a2之鉛垂面反轉之位置(面對稱之位置)。
圖5係表示圖4之2個噴嘴121、122所供給之處理液51，亦即噴流61與連續流62之各者之著液位置之移動路徑L1b、L2b之圖。當噴嘴121之噴射口位於基板W之旋轉中心c1之上方，噴流61之著液位置位於旋轉中心c1時，連續流62之著液位置位於位置d3。當噴嘴121之噴射口位於基板W之周緣部S3之上方而噴流61之著液位置位於周緣部S3之位置c4時，連續流62之著液位置位於較位置c4更靠近旋轉中心c1側之位置d4。旋轉中心c1、位置d3係移動路徑L1b、L2b之一端，位置c4、d4係移動路徑L1b、L2b之另一端。因噴嘴121、122保持相互之位置關係而被掃描，故旋轉中心c1與位置d3之間隔和位置c4與位置d4之間隔相等。又，圖5所示之移動路徑L1b、L2b與圖3所示之移動路徑L1a、L2a成為相對於包含旋轉軸a1、a2之鉛垂面而面對稱之關係。
即使於噴嘴121、122及配管臂181、182為圖4所示之位置關係之情形時，噴嘴旋轉機構155亦一面使噴嘴121、122之位置關係保持固定，一面使噴嘴121、122於基板W之上方一體地移動。於該一體之移動中，噴嘴121所噴射之液滴噴流61之基板W上之著液位置通過基板W之旋轉中心c1。又，當噴嘴121位於基板W之周緣部S3之上方時， 連續流62之基板W上之著液位置位於較液滴噴流61之著液位置更靠近基板W之旋轉中心c1側。進而，連續流62之噴出方向係以噴流61與連續流62之間隔隨著靠近基板W而變寬之方式，相對於噴流61之噴射方向，亦即鉛垂方向傾斜。
圖6係例示自圖2、圖4所示之噴嘴121、122供給至基板W之上表面S1之處理液51之液滴噴流61、及處理液51之連續流62於上表面S1上所形成之鼓起之液膜71、72之剖視圖。
連續流62之噴出方向(流動方向)係以噴流61與連續流62之間隔隨著靠近基板W而變寬之方式，相對於噴流61之噴射方向，亦即鉛垂方向傾斜。因此，自連續流62之著液位置接近噴流61之著液位置之處理液51之液量，與沿鉛垂方向噴出連續流62之情形相比有所減少。而且，連續流62形成於基板W上之處理液51之液膜72中之自連續流62之著液位置至噴流61之著液位置側之周緣之距離，與沿鉛垂方向噴出連續流62之情形相比變短。為抑制蝕刻殘渣等處理殘渣之產生，必須於藉由使液滴噴流61之著液位置與連續流62之著液位置靠近而形成於基板W上之處理液51之液膜(更詳細而言，形成於鼓起之液膜72之周圍，膜厚較液膜72更薄之處理液51之液膜)尚為高溫時，藉由噴流61攪拌該液膜。另一方面，若使噴流61與連續流62之各者之著液位置過近，則因噴流61所形成之鼓起之液膜71與連續流62所形成之液膜72相擠碰而產生濺液。然而，於基板處理裝置100A中，因自液膜72中之連續流62之著液位置至噴流61之著液位置側之周緣之距離如上述般有所減少，故可抑制液膜72與液膜71之於基板W上之衝突之產生。又，即使液膜71與液膜72產生擠碰，因自連續流62之著液位置逐漸靠近噴流61之著液位置之處理液51之液量減少，故可減弱液膜71與液膜72產生擠碰時之力度。因此，可抑制處理液51之處理殘渣之產生，從而可抑制因被供給至基板W上之噴流61與連續流62於基板W上產生衝突而 引起之濺液之產生。
圖14係模式性地表示自基板處理裝置100A之噴嘴121對溝槽T1噴射處理液51之液滴噴流61之狀態之剖視圖。溝槽T1之側壁係與基板W之上表面S1垂直之鉛垂面，噴嘴121所噴射之噴流61沿鉛垂方向噴射。即使因形成於溝槽T1之側壁之膜U1與處理液51之反應氣泡99滯留於該膜U1上之情形時，積留於該溝槽T1內部之處理液51亦可藉由噴流61而被充分攪動。其結果，氣泡99移動，從而可抑制氣泡99於膜U1上之同一部位之滯留。因此，即使於基板W之上表面S1形成有溝槽之情形時，亦可抑制蝕刻殘渣等處理殘渣之產生。
再者，例如，亦可採用保持噴嘴121、122之位置關係，且使噴嘴121、122於上表面S1之上方以直線式進行掃描之掃描機構，來替代噴嘴旋轉機構155及配管臂181、182。又，亦可將噴嘴121、122設置於具備配管臂181、182且一體地形成之長條構件之前端，使其等一體地進行掃描。又，亦可相對於保持靜止之噴嘴121、122，掃描旋轉之基板W。
如上所述，於基板處理裝置100A藉由處理液51進行基板W之處理時，藉由旋轉夾頭111之基板W之旋轉、藉由噴嘴121之對基板W之上表面S1之處理液51之液滴噴流61之噴射、藉由噴嘴122之對上表面S1之處理液51之連續流62之噴出、及藉由噴嘴旋轉機構155之噴嘴121、122之掃描係相互並行進行。
<2.另一實施形態之基板處理裝置之構成與動作>
圖8係模式性地表示實施形態之基板處理裝置100B之概略構成之一例之圖。圖9係自基板W之上方觀察圖8之2個噴嘴121、132之圖。圖10係表示圖9之2個噴嘴121、132所供給之處理液51(噴流61、連續流62)之著液位置之移動路徑L1c、L2c之圖。
基板處理裝置100B除包含噴嘴132來替代基板處理裝置100A之噴 嘴122、及保持噴嘴121之配管臂181與保持噴嘴132之配管臂182之長度互不相同以外，具備與基板處理裝置100A相同之構成，並進行相同之動作。以下，對基板處理裝置100B之構成及動作中之與基板處理裝置100A之構成及動作不同之部分進行說明，關於相同之構成及動作，除與不同部分有關連者以外，則省略說明。
基板處理裝置100B之配管臂181與基板處理裝置100A之配管臂181長度相同，且具有相同之構成。因此，噴嘴(「第1噴嘴」)121係以被配管臂181保持之狀態，藉由噴嘴旋轉機構155而沿通過基板W之旋轉中心c1之上方之圓弧狀之路徑，於基板W之中央部之上方與周緣部S3之上方之間往復而進行掃描。
基板處理裝置100B之配管臂182與配管臂181相比較長。將配管臂182與配管臂181之長度差X例如設定為15mm。因此，設置於配管臂182之前端(另一端)之噴嘴132亦以差X之長度程度位於較噴嘴121距基部156更遠處。將基板處理裝置100B之配管臂181、182之間隔例如設定為40mm。
基板處理裝置100B之噴嘴(「第2噴嘴」)132係與基板處理裝置100A之噴嘴122同樣地，對基板W之上表面S1噴出自處理液供給源141供給之處理液51之棒狀之連續流62。噴嘴122係其前端側部分(另一端側部分)相對於鉛垂方向傾斜，噴嘴132係自配管臂182之前端朝向基板W之上表面S1朝鉛垂方向延伸。噴嘴132之內部流路與配管臂182之內部流路相互連通。噴嘴132之內部流路於噴嘴132之前端開口，而形成噴出口。噴出口與上表面S1對向，將上表面S1與噴出口之間隔例如設定為10mm。噴嘴132自噴出口沿鉛垂方向噴出處理液51之連續流62。
於基板處理裝置100B藉由處理液51進行基板W之處理時，與基板處理裝置100A同樣地，藉由旋轉夾頭111之基板W之旋轉、藉由噴 嘴121之對基板W之上表面S1之處理液51之液滴噴流61之噴射、藉由噴嘴132之對上表面S1之處理液51之連續流62之噴出、及藉由噴嘴旋轉機構155之噴嘴121、132之掃描係相互並行進行。
基板處理裝置100B之噴嘴旋轉機構155一面使噴嘴121、132之位置關係(距離與姿勢)保持固定，一面使噴嘴121、132於基板W之上方一體地進行掃描。於該掃描中，噴嘴121係與基板處理裝置100A之噴嘴121同樣地，以通過基板W之旋轉中心c1之上方之方式，亦即處理液51之液滴噴流61之基板W之著液位置通過旋轉中心c1之方式進行掃描。
於噴嘴121與噴嘴132之位置關係中，當噴嘴121位於基板W之周緣部S3之上方時，噴嘴132所噴出之連續流62之基板W上之著液位置位於較處理液51之液滴噴流61之著液位置更靠近基板W之旋轉中心c1側。
具體而言，如圖10所示，於噴嘴121位於基板W之周緣部S3之上方，噴嘴121所噴射之噴流61之上表面S1之著液位置為位置c6時，噴嘴132所噴出之連續流62之上表面S1之著液位置係較位置c6更靠近旋轉中心c1側之位置d6。又，當噴嘴121位於基板W之旋轉中心c1之上方而噴流61之著液位置為旋轉中心c1時，噴嘴132所噴出之連續流162之噴出位置係位置d5。
基板W之旋轉軌跡上之噴流61之著液位置與連續流62之著液位置之兩者之移動路徑L1c、L2c不同。移動路徑L1c、L2c之不同係由於當噴嘴121位於基板W之周緣部S3之上方時，連續流62之著液位置位於較噴流61之著液位置更靠近基板W之旋轉方向之下游側所致。因噴流61及連續流62係自噴嘴121、132被沿鉛垂方向供給，故通過噴嘴旋轉機構155之旋轉軸a2之直線方向之移動路徑L1c、L2c之相互間之位置差異成為配管臂181、182之相互間之長度差X。
圖11係表示基板處理裝置100B之噴嘴121、132之位置關係與配管臂181、182之位置關係之另一例之圖。圖11所示之配管181、182亦於同一水平面內相互並行而延伸。與圖9之配管臂182相反，圖11所示之配管臂182短於配管臂181。
圖12係表示圖11之2個噴嘴121、132所供給之處理液51，亦即噴流61與連續流62之各者之著液位置之移動路徑L1d、L2d之圖。當噴嘴121之噴射口位於基板W之旋轉中心c1之上方，而噴流61之著液位置位於旋轉中心c1時，連續流62之著液位置位於位置d7。當噴嘴121之噴射口位於基板W之周緣部S3之上方，而噴流61之著液位置位於周緣部S3之位置c8時，連續流62之著液位置位於較位置c8更靠近旋轉中心c1側之位置d8。旋轉中心c1及位置d7係移動路徑L1d、L2d之一端，位置c8、d8係移動路徑L1d、L2d之另一端。因噴嘴121、132保持相互之位置關係而進行掃描，故旋轉中心c1與位置d7之間隔和位置c8與位置d8之間隔相等。
又，圖10所示之移動路徑L2c成為藉由相對於移動路徑L1c依序進行與圖9之配管臂181、182之間隔相應之旋轉移動、及與配管臂181、182之長度差相應之平行移動而獲得之路徑。同樣地，圖12所示之移動路徑L2d成為藉由相對於移動路徑L1d依序進行與圖11之配管臂181、182之間隔相應之旋轉移動、及與配管臂181、182之長度差相應之平行移動而獲得之路徑。
即使於噴嘴121、132及配管臂181、182為圖11所示之位置關係之情形時，噴嘴旋轉機構155亦一面使噴嘴121、132之位置關係保持固定，一面使噴嘴121、132於基板W之上方一體地移動。於該一體之移動中，噴嘴121所噴射之液滴噴流61於基板W上之著液位置通過基板W之旋轉中心c1。又，於噴嘴121位於基板W之周緣部S3之上方時，連續流62於基板W上之著液位置位於較液滴噴流61之著液位置更靠近 基板W之旋轉中心c1側。進而，當噴嘴121位於基板W之周緣部S3之上方時，連續流62之著液位置位於較噴流61之著液位置更靠近基板W之旋轉方向之下游側。
圖13係表示基板W之上表面S1之噴流61之著液位置P0、P10、於著液位置P0、P10之基板W之旋轉速度向量v0、v10、連續流62之著液位置Q1~Q4、Q13、及於著液位置Q1~Q4、Q13之基板W之旋轉速度向量v1~v4、v13之圖。著液位置P0、P10位於通過基板W之旋轉中心之移動路徑L10上。著液位置Q1、Q2位於移動路徑L11上，著液位置Q3、Q4、Q13位於移動路徑L12上。
於噴流61之著液位置為位置P0之情形時，位置Q1、Q4係較位置P0更靠近基板W之旋轉中心c1側之位置，位置Q2、Q3係較位置P0更靠近基板W之周緣部S3側之位置。
又，位置Q1、Q2係較位置P0(移動路徑L10)更靠近基板W之旋轉方向之下游側之位置。位置Q3、Q4係較位置P0(移動路徑L10)更靠近基板W之旋轉方向之上游側之位置。於該情形時，自位置P0、Q1沿旋轉速度向量v0、v1行進之2個假想點之位置隨著時間經過而逐漸相互遠離。同樣地，自位置P0、Q3沿旋轉速度向量v0、v3行進之2個假想點之位置亦隨著時間經過而逐漸相互遠離。另一方面，自位置P0、Q2沿旋轉速度v0、v2行進之2個假想點之位置隨著時間經過而逐漸相互靠近。又，自位置P0、Q4沿旋轉速度向量v0、v4行進之2個假想點之位置亦隨著時間經過而逐漸相互靠近。
亦即，被供給至位置P0、Q1之噴流61及連續流62因黏性而朝上表面S1之旋轉方向被牽引，受到使其相互離斥之力。被供給至位置P0、Q3之噴流61及連續流62亦同樣地受到相互離斥之力。另一方面，被供給位置P0、Q2之噴流61及連續流62受到使其相互接近之力。被供給至位置P0、Q4之噴流61及連續流62亦同樣地受到使其相 互接近之力。
因此，自抑制噴流61與連續流62形成於上表面S1之液膜彼此之衝突之觀點而言，於將噴流61噴射至位置P0之情形時，連續流61較佳被噴出至位置Q1~Q4中之位置Q1、Q3。
另一方面，被供給至上表面S1之處理液51受基板W之旋轉所產生之離心力之作用，朝基板W之周緣側移動。如上所述，為抑制處理殘渣，並對形成於基板W之上表面S1之膜進行蝕刻等處理，有必要於連續流62所形成之液膜移動至噴嘴121之下方之狀態下，自噴嘴121對該液膜噴射噴流61，並攪拌液膜。因此，自藉由離心力將連續流62所形成之液膜送入至噴嘴121之下方之觀點而言，於將噴流61噴射至位置P0之情形時，連續流62較佳為被噴出至位置Q1~Q4中之位置Q1、Q4。
因此，為抑制噴流61及連續流62所形成之液膜彼此之於基板W上之衝突，並抑制處理殘渣之產生，期望使被供給至上表面S1之噴流61、連續流62之各者之液膜因黏性作用被朝基板W之旋轉方向拉曳而受到使其相互離斥之力，並且連續流62之液膜受基板W之旋轉所產生之離心力，而大部分移動至噴嘴121之下方，而噴射噴流61。
於將噴流61噴射至位置P0之情形時，於將連續流62噴出至位置Q1~Q4中之位置Q1之情形時，該條件能夠滿足。同樣地，於將噴流61噴射至位置P10之情形時，若將連續流62噴出至位置Q13，則可滿足該條件。
因噴嘴121、噴嘴132係保持位置關係而進行掃描，故於將噴流61噴射至位置P0(P10)、將連續流62噴出至位置Q1(Q3)之情形時，當噴嘴121位於基板W之周緣部S3之上方時，連續流62之著液位置位於較噴流61之著液位置更靠近基板W之旋轉中心c1側，並且連續流62之著液位置位於較噴流61之著液位置更靠近基板W之旋轉方向之下游 側。
因此，若保持基板處理裝置100B之噴嘴121、132之位置關係，噴嘴121、132一體地移動，則可抑制噴流61與連續流62各自所形成之液膜彼此之衝突所引起之濺液之產生，並可抑制處理殘渣之產生。
即使於基板處理裝置100B中，因處理液51之液滴噴流61係於大致水平面內相對於旋轉之基板W沿鉛垂方向噴射，故即使於基板W之上表面形成有溝槽之情形時，亦可抑制蝕刻殘渣之產生。
上述基板處理裝置100A係與基板處理裝置100B同樣地，當噴嘴121位於基板W之周緣部S3之上方時，噴嘴122所噴出之連續流62之著液位置位於較噴流61之著液位置更靠近基板W之旋轉方向之下游側。
基板處理裝置100A之噴嘴121、122之位置關係亦可進而具備與基板處理裝置100B之噴嘴121、132相同之位置關係，基板處理裝置100B之噴嘴121、噴嘴132之位置關係亦可進而具備與基板處理裝置100A之噴嘴121、122相同之位置關係。
亦即，實施形態之基板處理裝置包含：旋轉夾頭111，其水平保持基板W並使其旋轉；第1噴嘴(噴嘴121)，其使處理液51與經加壓之氣體54混合而產生處理液51之液滴噴流61，朝基板W之上表面S1沿大致鉛垂方向噴射噴流61；及第2噴嘴(噴嘴122、132)，其等對基板W之上表面S1噴出處理液51之連續流62。又，基板處理裝置進而包含噴嘴旋轉機構155，其一面使第1噴嘴與第2噴嘴之位置關係保持固定，一面使第1噴嘴與第2噴嘴於基板W之上方一體地移動。噴嘴旋轉機構155係以噴流61之基板W上之著液位置通過基板W之旋轉中心c1方式，使第1噴嘴移動。於上述位置關係中，當第1噴嘴位於基板W之周緣部S3之上方時，連續流62之基板W上之著液位置位於較噴流61之著液位置更靠近旋轉中心c1側。而且，基板W之旋轉軌跡上之噴流61之著液位置與連續流62之著液位置之兩者之移動路徑和噴流61與連續流 62之兩者之流動方向中之至少一者不同。兩者之移動路徑之不同係由於當第1噴嘴位於基板W之周緣部S3之上方時，連續流62之著液位置位於較噴流61之著液位置更靠近基板W之旋轉方向之下游側所致。兩者之流動方向之不同係由於，以噴流61與連續流62之間隔隨著靠近基板W而變寬之方式，連續流62之方向相對於鉛垂方向傾斜所致。
圖16係以表格形式表示由實施形態之基板處理裝置蝕刻基板W時附著於收納基板處理裝置之反應室之頂部之顆粒數目之圖。
圖16之距離X如圖9、圖10所示，係配管臂181與配管臂182之長度差。將距離X設定為5種，亦即0、5、10、12.5、15(任一者之單位均為[mm])。又，距離Y如圖2所示，係第2噴嘴(噴嘴122)之移動軌跡與配管臂182之交點和第2噴嘴所噴出之連續流62之上表面S1之著液位置d1之間隔，其藉由第2噴嘴之前端側相對於鉛垂方向傾斜而產生。將距離Y設定為3種，亦即0、12.5、25(任一者之單位均為[mm])。基板W之轉數係600rpm，連續流62之流量係1500ml/分，氣體54(氮氣)之流量係35L/分。又，噴嘴掃描速度係自基板中心側朝周緣側之掃描與反方向之掃描之任一者均為以1.5秒進行噴嘴掃描之速度。
於圖16中，測定並表示有於由X、Y規定之第1噴嘴與第2噴嘴之各位置關係下對基板W進行處理時之顆粒數目。再者，附加有網點之測定係進行3次處理，於各處理中，測定顆粒數目。
如圖16所示，於距離X為0mm之情形時，與距離Y之值無關，顆粒數成為超過50個之值。於距離X為12.5mm或15mm時，即使距離Y為0mm，於3次測定之任一次測定中顆粒數均為0個。於距離X為10mm，而距離Y為0mm之情形時，測定出12個顆粒，若將距離Y設為12.5mm，則於3次測定之任一次測定中顆粒數均為0個。根據測定結果，可判定較佳為將距離X設定為15mm。
根據如以上般構成之實施形態之基板處理裝置，於噴嘴121(第1 噴嘴)位於基板W之周緣部S3之上方時，處理液51之連續流62之著液位置位於較處理液51之液滴噴流61之著液位置更靠近基板W之旋轉中心c1側；基板W之旋轉軌跡上之噴流61之著液位置與連續流62之著液位置之兩者之移動軌跡和噴嘴61與連續流62之兩者之流動方向中之至少一者不同。兩者之移動路徑之不同係由於當噴嘴121位於基板W之周緣部S3之上方時，連續流62之著液位置位於較噴流61之著液位置更靠近基板W之旋轉方向之下游側所致。藉此，噴流61之著液位置之基板W之旋轉速度向量與連續流62之著液位置之基板W之旋轉速度向量朝向相互遠離之方向。又，兩者之流動方向之不同係由於，以噴流61與連續流62之間隔隨著靠近基板W而變寬之方式，連續流62之方向相對於鉛垂方向傾斜所致。藉此，自連續流62之著液位置至連續流62所形成之鼓起之液膜之周緣中之噴流61之著液位置側之部分之距離變短。因此，於兩者之移動路徑與兩者之流動方向中之至少一者不同之情形時，因於形成於基板W上之處理液51之液膜尚為高溫時攪拌液膜，故即便使噴流61之著液位置與連續流62之著液位置靠近，亦可抑制噴流61及連續流62各自所形成之液膜彼此之於基板W上之衝突之產生。又，因噴流61被沿鉛垂方向噴射，故即使積留於溝槽之處理液51亦可被充分攪拌。藉此，即使於基板W之表面形成有溝槽之情形時，亦可抑制蝕刻殘渣等處理殘渣之產生，並可抑制因被供給至基板W上之連續流62及噴流61於基板W上產生衝突引起之濺液產生。
又，根據如以上般構成之實施形態之基板處理裝置，處理液51之連續流62之著液位置與處理液51之液滴噴流61之著液位置之兩者之移動路徑相互重疊，並且噴嘴121以噴流61之著液位置通過基板W之旋轉中心c1之方式移動。因此，可於通過較連續流62之著液位置更靠近基板W之旋轉中心c1時起，對包含基板W之中央域之基板W之各部供給連續流62。藉此，可抑制徑向之基板溫度之差異，且可抑制基板 W之各部分之處理速率之差異。
雖已詳細地表示並記述了本發明，但上述記述係所有態樣均為示例，而並不具限定性。因此，本發明係可於其發明之範圍內，實施形態進行適當變化、省略。
51‧‧‧處理液
54‧‧‧氣體
61‧‧‧噴流
62‧‧‧連續流
100A‧‧‧基板處理裝置
111‧‧‧旋轉夾頭
113‧‧‧旋轉支軸
115‧‧‧旋轉基台
117‧‧‧夾頭銷
121‧‧‧噴嘴(第1噴嘴)
122‧‧‧噴嘴(第2噴嘴)
141‧‧‧處理液供給源
144‧‧‧氣體供給源
154‧‧‧夾頭旋轉機構
155‧‧‧噴嘴旋轉機構
156‧‧‧基部
161‧‧‧控制部
171‧‧‧閥
172‧‧‧閥
174‧‧‧閥
381‧‧‧配管
382‧‧‧配管
384‧‧‧配管
a1‧‧‧旋轉軸
c1‧‧‧旋轉中心
S1‧‧‧上表面(表面)
S2‧‧‧下表面(背面)
S3‧‧‧周緣部
W‧‧‧基板
θ‧‧‧角度

Claims (4)

  1. 一種基板處理裝置，其包含：旋轉保持部，其一面水平保持基板一面使其旋轉；第1噴嘴，其將處理液與經加壓之氣體混合而產生上述處理液之液滴噴流，並將上述液滴噴流朝上述基板之上表面於大致鉛垂方向噴射；第2噴嘴，其對上述基板之上表面噴出上述處理液之連續流；噴嘴移動部，其一面將上述第1噴嘴與上述第2噴嘴之位置關係保持固定，一面使上述第1噴嘴與上述第2噴嘴於上述基板之上方一體地移動；且上述噴嘴移動部係以上述液滴噴流於上述基板上之著液位置通過上述基板之旋轉中心之方式，使上述第1噴嘴移動；於上述位置關係中，當上述第1噴嘴位於上述基板之周緣部之上方時，上述連續流於上述基板上之著液位置位於較上述液滴噴流之著液位置更靠近上述基板之旋轉中心側；上述基板之旋轉軌跡上之上述液滴噴流之著液位置與上述連續流之著液位置兩者之移動路徑、和上述連續流與上述液滴噴流兩者之流動方向中之至少一者不同；上述兩者之移動路徑之不同係由於當上述第1噴嘴位於上述基板之周緣部之上方時，上述連續流之著液位置位於較上述液滴噴流之著液位置之移動路徑更靠近上述基板之旋轉方向之下游側所致；且上述兩者之流動方向之不同係由於以上述液滴噴流與上述連續流之間隔隨著靠近上述基板而變寬之方式，上述連續流之方向相對於鉛垂方向傾斜所致。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中上述兩者之移動路徑相互重疊，並且上述兩者之流動方向不同。
  3. 一種基板處理方法，其包含：第1步驟，其一面水平保持基板一面使其旋轉；第2步驟，其將處理液與經加壓之氣體混合而產生上述處理液之液滴噴流，並將上述液滴噴流與上述第1步驟並行地朝上述基板之上表面於大致鉛垂方向噴射；第3步驟，其與上述第1步驟及第2步驟並行地對上述基板之上表面噴出上述處理液之連續流；第4步驟，其一面使上述液滴噴流與上述連續流之位置關係保持固定，一面與上述第1至第3步驟並行地使上述液滴噴流與上述連續流於上述基板上一體地移動；且上述第4步驟係以上述液滴噴流於上述基板上之著液位置通過上述基板之旋轉中心之方式，使上述液滴噴流移動之步驟；於上述位置關係中，當上述液滴噴流之著液位置位於上述基板之周緣部時，上述連續流於上述基板上之著液位置位於較上述液滴噴流之著液位置更靠近上述基板之旋轉中心側；上述基板之旋轉軌跡上之上述液滴噴流之著液位置與上述連續流之著液位置兩者之移動路徑、和上述連續流與上述液滴噴流兩者之流動方向中之至少一者不同；上述兩者之移動路徑之不同係由於當上述液滴噴流之著液位置位於上述基板之周緣部時，上述連續流之著液位置位於較上述液滴噴流之著液位置之移動路徑更靠近上述基板之旋轉方向之下游側所致；且上述兩者之流動方向之不同係由於 以上述液滴噴流與上述連續流之間隔隨著靠近上述基板而變寬之方式，上述連續流之方向相對於鉛垂方向傾斜所致。
  4. 如請求項3之基板處理方法，其中上述兩者之移動路徑相互重疊，並且上述兩者之流動方向不同。
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106018337A (zh) * 2016-08-04 2016-10-12 浙江大学 一种棉仁粉中植酸含量的测定方法
JP6815799B2 (ja) * 2016-09-13 2021-01-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP2018113327A (ja) * 2017-01-11 2018-07-19 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6842952B2 (ja) * 2017-02-28 2021-03-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6923344B2 (ja) * 2017-04-13 2021-08-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 周縁処理装置および周縁処理方法
KR102099109B1 (ko) * 2017-09-15 2020-04-09 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
WO2019083735A1 (en) * 2017-10-23 2019-05-02 Lam Research Ag SYSTEMS AND METHODS FOR PREVENTING THE STATIC FRICTION OF HIGH-SHAPE RATIO STRUCTURES AND / OR REPAIRING HIGH-SHAPE RATIO STRUCTURES
JP7089902B2 (ja) * 2018-02-28 2022-06-23 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、基板処理装置における処理液排出方法、基板処理装置における処理液交換方法、基板処理装置における基板処理方法
JP7008546B2 (ja) * 2018-03-09 2022-01-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板液処理方法およびノズル
TWI818037B (zh) * 2018-06-20 2023-10-11 美商維克儀器公司 半導體處理系統
KR102221258B1 (ko) * 2018-09-27 2021-03-02 세메스 주식회사 약액 토출 장치
JP7362505B2 (ja) * 2020-02-20 2023-10-17 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び液体吐出評価方法
WO2021230344A1 (ja) * 2020-05-15 2021-11-18 株式会社荏原製作所 洗浄装置および洗浄方法
TW202230497A (zh) * 2020-08-28 2022-08-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理方法、基板處理裝置及記錄媒體
JP7505439B2 (ja) 2021-04-12 2024-06-25 三菱電機株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201303987A (zh) * 2011-03-28 2013-01-16 Dainippon Screen Mfg 基板處理裝置及基板處理方法
TW201335987A (zh) * 2012-02-23 2013-09-01 Ebara Corp 基板洗淨方法
TW201414549A (zh) * 2007-10-17 2014-04-16 Ebara Corp 基板洗淨裝置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11345797A (ja) * 1998-06-02 1999-12-14 Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd ２流体噴出ノズル及びこれを使用した２流体噴流洗浄装置並びに２流体噴流洗浄方法
TW561516B (en) * 2001-11-01 2003-11-11 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP3892792B2 (ja) * 2001-11-02 2007-03-14 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板洗浄装置
JP2005086181A (ja) * 2003-09-11 2005-03-31 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
TWI286353B (en) * 2004-10-12 2007-09-01 Tokyo Electron Ltd Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP2008251806A (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Sumco Corp ウェーハの枚葉式エッチング方法及びそのエッチング装置
JP5312923B2 (ja) * 2008-01-31 2013-10-09 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
KR101105696B1 (ko) * 2009-12-07 2012-01-17 주식회사 엘지실트론 세정 장치 및 방법
KR20110077705A (ko) * 2009-12-30 2011-07-07 주식회사 엘지실트론 매엽식 웨이퍼 세정 장치 및 방법
US9896573B2 (en) * 2010-04-12 2018-02-20 Omya International Ag Composition for blow molding
JP5701645B2 (ja) * 2011-03-01 2015-04-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス ノズル、基板処理装置、および基板処理方法
KR101292221B1 (ko) * 2011-04-29 2013-08-02 주식회사 엘지실트론 매엽식 세정 및 건조 장치, 매엽식 세정 및 건조 방법
US9378988B2 (en) 2011-07-20 2016-06-28 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method using processing solution
JP5954776B2 (ja) 2012-05-30 2016-07-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6046417B2 (ja) * 2012-08-17 2016-12-14 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、および基板処理方法
US20140231012A1 (en) * 2013-02-15 2014-08-21 Dainippon Screen Mfg, Co., Ltd. Substrate processing apparatus

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201414549A (zh) * 2007-10-17 2014-04-16 Ebara Corp 基板洗淨裝置
TW201303987A (zh) * 2011-03-28 2013-01-16 Dainippon Screen Mfg 基板處理裝置及基板處理方法
TW201335987A (zh) * 2012-02-23 2013-09-01 Ebara Corp 基板洗淨方法

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