JPH07505261A - 半導体基板を処理するための高速熱処理反応炉 - Google Patents

半導体基板を処理するための高速熱処理反応炉

Info

Publication number
JPH07505261A
JPH07505261A JP6517096A JP51709694A JPH07505261A JP H07505261 A JPH07505261 A JP H07505261A JP 6517096 A JP6517096 A JP 6517096A JP 51709694 A JP51709694 A JP 51709694A JP H07505261 A JPH07505261 A JP H07505261A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
susceptor
wafer
reactor
reaction chamber
quartz glass
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP6517096A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4084412B2 (ja
Inventor
ムーア、ゲイリー・エム
ニシカワ、カツヒト
Original Assignee
ムーア・エピタキシャル・インコーポレイテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ムーア・エピタキシャル・インコーポレイテッド filed Critical ムーア・エピタキシャル・インコーポレイテッド
Publication of JPH07505261A publication Critical patent/JPH07505261A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4084412B2 publication Critical patent/JP4084412B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4404—Coatings or surface treatment on the inside of the reaction chamber or on parts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45565—Shower nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45587—Mechanical means for changing the gas flow
    • C23C16/45589—Movable means, e.g. fans
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45587—Mechanical means for changing the gas flow
    • C23C16/45591—Fixed means, e.g. wings, baffles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4581—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber characterised by material of construction or surface finish of the means for supporting the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4585—Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
    • C23C16/481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation by radiant heating of the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
    • C30B25/105—Heating of the reaction chamber or the substrate by irradiation or electric discharge
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/12—Substrate holders or susceptors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
    • C30B31/12—Heating of the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
    • C30B31/14—Substrate holders or susceptors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/0033—Heating devices using lamps
    • H05B3/0038—Heating devices using lamps for industrial applications
    • H05B3/0047—Heating devices using lamps for industrial applications for semiconductor manufacture

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 半導体基板を処理するための高速熱処理反応炉発明の背景 産業上の利用分野 本発明は、半導体ウェハの熱処理に関し、特に複数の半導体ウェハ及び１枚の大 型半導体ウェハを迅速に熱処理するための方法及び装置に関する。
従来技術 半導体ウェハの表面に膜を堆積させる過程は、半導体処理の共通の過程である。
典型的には、半導体ウェハを収容した堆積チャンバ内で、選択された化学ガスが 混合される。
通常、チャンバ内のガスの化学反応を促進し、かつ膜が堆積されるウェハの表面 を加熱するために熱が加えられる。
堆積過程では、堆積された膜の厚さ及び抵抗率を均一に保ちながら、ウェハのス ルーブツト（即ち単位時間当たりに処理されるウェハの数）を最大にすることが 望まれる。
多くの異なる堆積反応炉が開発されてきた。一般的に、各堆積反応炉は、反応チ ャンバと、ウェハ取扱いシステムと、熱源及び温度制御部と、ガス供給システム （吸気、排気、及び流量制御システム）とを有する。
図ＩＡには、水平炉と呼ばれる従来技術の１つの形式の堆積反応炉１００の簡略 化された断面図が示されており、この水平炉内では、サセプタ１０１が水平な管 １０２（通常は長方形の断面を有する）内に配置されており、この水平な管１０ ２の内部が反応チャンバとなっている。半導体つｚハ１０３ａ、１０３ｂ及び１ ０３ｃが、サセプタ１０１の表面１０１ａに取着されている。熱源１０４がウェ ハを加熱し、反応ガス１０５が管１０２を通して流ね、ウェハの周囲を通過する 。サセプタ１０１は、図ＩＡに示されているように傾いて配置されており、表面 １０１Ａは、反応ガス１０５の流れに向かい合い、反応ガス１０５の流れの端部 付近のウェハの近傍で反応ガスが枯渇する問題が発生をことを最小にする。
図ＩＢは、バレル反応炉と呼ばれる従来のある形式の反応炉１１０の概略斜視図 であり、この反応炉内では、サセプタ１１１は反応炉を画定するベルジャ１１２ の内部に支持されている。半導体ウェハ、例えばウェハ１１３は、サセプタ１１ １の側面例えば側面１１１ａにほぼ垂直に取着されている。熱源１１４がウェハ を加熱し、反応ガスがガス入口１１５を通してベルジャ１１２の上部に供給され る。
ガスは、サセプタ１１１の長手方向に沿って下向きに移動し、ウェハの表面の上 を通過し、かつベルジャ１１２の底部のガス出口（図示されていない）を通って 反応炉から排気される。
図ＩＣは、パンケーキ（ｐａｎｃａｋｅ）反応炉と呼ばれる従来の更に他の形式 の反応炉１２０の概略断面図であり、この反応炉内では、垂直方向に固定された サセプタ１２１が、反応チャンバを画定するベルジャ１２２の底部から支持され ている。半導体ウェハ、例えばウエノＸ１２３は、サセプタ１２１の表面１２１ ａの上で水平に取着されている。ウェハはＲＦ熱源（図示されていない）によっ て加熱され、反応ガスはサセプタ支持部１２５を通ってウエノ１の上部の反応チ ャンバ内に供給される。反応ガスは下向きに流れてウェハの上部に達し、ベルジ ャ１２２の底部のガス出口（図示されていない）を通して排気される。
堆積反応炉は、その動作の特徴に基づいて分類される。
即ち、反応炉はコールトウｔ　−（ｃｏ　Ｉｄ　ｗａ　ｌ　ｌ）反応炉またはホ ットウォ−（ｈｏｔ　ｗａｌｌ）反応炉の何れかである。コールトウオー反応炉 は、チャンバの壁面に好ましくない堆積が形成されないために、通常はより好ま しいものである。
反応炉はまた、ウェハを加熱及び冷却するために要する時間によって分類される 。従来の反応炉では、ウェハのバッチを処理するために必要な１サイクルに４０ 〜９０分を要した。一方、高速熱処理（ｒａｐｉｄ　ｔｈｅｒｍａｌｐｒｏｃｅ ｓｓ）（ＲＴＰ）反応炉は、ウェハの処理に２〜１５分のみを要する。従って、 高速熱処理反応炉は、従来の反応炉の処理時間よりも十分に短い処理時間を要す ることを特徴とする。
従来の反応炉は、１つのバッチ内の複数のウェハまたは一枚のウェハを処理する ために用いられてきたが、一方ＲＴＰ反応炉は、一枚のウェハを有するバッチを 処理するために用いられてきた。ＲＴＰ反応炉は、複数のウェハを備えたバッチ を処理するためには用いられない。その理由は、ＲＴＰ反応炉の温度が迅速に変 化するので、反応チャンバ内に均一な温度の領域を形成することが困難となるた めである。反応チャンバ内の均一な温度の領域によって、反応炉で処理できるウ ェハが、概ね２００ｍｍ以下の直径の一枚のウェハに限定される。
従来の反応炉は異なり、ＲＴＰ反応炉は同時に一枚のウェハのみを処理するが、 従来の反応炉によって可能な抵抗率及び厚さよりもより均一な抵抗率及び厚さを 形成することができるために、ＲＴＰ反応炉が用いられている。従来の反応炉で は、厚さ及び抵抗率のばらつきは３〜１０％となっている。ＲＴＰ反応炉では、 厚さのばらつきは１〜２％であり、抵抗率のばらつきは１〜５％である。
反応炉はまた、反応チャンバ内のウェハの姿勢に基づいて分類される。垂直反応 炉は、その内部でガスが堆積される表面がほぼ垂直に配置されている。水平反応 炉は、その内部でガスが堆積される表面がほぼ水平に配置されている。
反応炉はまた、ウェハを加熱するために用いられる熱源の形式に基づいて分類さ れる。半導体処理のために放射加熱を用いる方法は、従来から公知であり、１９ ６０年代まで遡ることができる。半導体を処理するためにさまざまなシステムが 開発され、これらのシステムは放射加熱用の熱源またはＲＦ熱源及びサセプタを 備えている。しかし、これらの装置の各々は少なくとも１つの問題点を有する。
シーツ（Ｓｈｅｅｔｓ）による米国特許第４，６４９゜２６１号“Ａｐｐａｒａ ｔｕｓ　ｆｏｒ　ＨｅａｔｉｎｇＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｗａｆｅｒｓ　 ｉｎ　０ｒｄｅｒ　Ｔｏ　Ａｃｈｉｅｖｅ　Ａｎｎｅａｌｉｎｇ。
５ｉｌｉｃｉｄｅ　Ｆｏｒｍａｔｉｏｎ、　Ｒｅｆｌ。
ｗ　ｏｆ　Ｇｌａｓｓ、　Ｐａ５ｓｉｖａｔｉｏｎ　Ｌａｙ　ｅ　ｒ　ｓ、　ｅ 　ｔ　ｃ、”に開示された発明では、２つの放射熱源即ち連続した熱を放射する 熱源及びパルス状の熱を放射する熱源が用いられており、静止したウェハを１秒 間に２００℃〜５００℃の割合で加熱している。シミズ（Ｓｈｉｍｉｚｕ）によ る米国特許第４．５３３，８２０号“Ｒａｄｉａｎｔ　Ｈｅａｔｉｎｇ　Ａｐｐ ａｒａｔｕｓ″は、ペデスタルによって支持された半導体ウェハを加熱する複数 の２次元に配置された光源によって囲繞された反応チャンバが開示されている。
シミズは、光源が点灯した後に３分間で均一な酸化膜が半導体ウェハに形成され ることを報告している。
半導体ウェハを加熱するために２つの放射熱源を用いた他の構造が、例えば、１ ９８７年７月１４日にガツト（Ｇａｔ）らに発行された米国特許第４，６８０， ４５１号“Ａｐｐａｒａｔｕｓ　Ｕｓｉｎｇ　Ｈｉｇｈ　Ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ　 ＣＷ　Ｌａｍｐｓ　ｆｏｒ　ＩｍｐｒｏｖｅｄＨｅａｔ　Ｔｒｅａｔｉｎｇ　ｏ ｆ　Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｗａｆｅｒ、”、及び１９８５年１０月２９ 日にアライ（Ａｒａｉ）らに発行された米国特許第４，５５０．２４５号“Ｌｉ ｇｈｔ−Ｒａｄｉａｎｔ　Ｆｕｒｎａｃｅ　ｆｏｒ　Ｈｅａｔｉｎｇ　Ｓｅｍ１ ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｗａｆｅｒｓ、”に開示されている。ガツトらは、１０． １６ｃ＋ａ（４インチ）のウェハを３秒間で７００℃に加熱し、１０秒間この温 度に保持し、次に３秒間で温度を低下させることを報告している。アライらは、 放射熱源の各ランプに１６００Ｗの電力を供給して、厚さ４５０μｍ１面積２５ ．８１ｃｍ（４平方インチ）のシリコンウェハを、ランプが点灯された後１０秒 間で１２００℃に加熱したことを報告している。
半導体ウェハを加熱するための更に他の装置が、ロビンソン（Ｒｏｂｉｎｓｏｎ ）らによる米国特許第４，７８９．７７１号明細書に開示されており、この明細 書には、ウェハが反応チャンバのサセプタの上に支持されていることが記載され ている。この装置では、赤外線ランプが反応チャンバを加熱するように配置され ている。この構造はいくつかの欠点を有するものである。例えば、放射加熱ラン プが反応チャンバ内のガスにさらされるために、ランプの表面に堆積物が形成さ れる。更に、ランプ及び反射器の内側面はチャンバ内のガスの流れによってのみ 冷却されるので、ランプの寿命が短くなると予想される。また、ランプの石英ガ ラスばかりでなくランプの反射器が明らかに高温度となるために、長時間に亘っ て使用されるうちに、ランプ及び反射器の表面に堆積物が形成され、この堆積物 がサセプタの上に形成される層の均一性に影響を及ぼすことになる。
更に、放射エネルギーを完全には透過しないサセプタの回転機構によって、サセ プタの裏側面全体が直接加熱されることかを妨げられるので、サセプタの表面を 均一に加熱するための特別な機構が必要とされる。
発明の開示 本発明の新規な高速熱処理（ＲＴ　Ｐ）反応炉は、１枚の半導体ウェハばかりで なく、複数の半導体ウエノ１をも処理する。本明細書で説明されるＲＴＰ反応炉 は、従来の反応炉の処理サイクル時間と比べてその処理サイクル時間が短いこと を特徴とする。ウェハを迅速に加熱することは、本発明の反応炉を特徴づける短 い処理サイクル時間の要因の１つである。本発明に基づ＜ＲＴＰ反応炉は、ひと つの熱源または２個の熱源を用いて、複数のウェハもしくは１枚の大型なウェハ 、例えば２５０ｍａ＋（１０インチ）、３００ｍｍ（１２インチ）及び４００ｍ ｍ（１６インチ）の直径のウェハを処理する（以下、ウェハの寸法をウェハの直 径で表す）。
本発明のある実施例に基づけば、１つのバッチで、１２５）（５インチ）及び１ ５０ｍｍ（６インチ）のウエノ１は４枚処理され、２００＋ｎｍ（８インチ）の ウェハは３枚処理され、２５０ｍｍ（１０インチ）、３００ｍｍ（１２インチ） 及び４００ｍｍ（１６インチ）のウェハは各々１枚づつ処理される。しかし、本 発明の原理を用いたより大型の反応炉を用いることによって、より大型のバッチ を処理することができる。
より詳しく説明すれば、本発明の半導体処理構造は、反応チャンバ内に取り付け られた回転可能なサセプタを備えた反応チャンバを有する。回転可能なサセプタ は、　（１）１枚のウェハまたは（２）複数のウェハの何れか一方を取り付ける ように適合された第１の表面と、前記第１の表面の反対側の第２の表面とを有す る。放射熱源が反応チャンバの外側に取り付けられており、放射熱源からの放射 熱が、回転可能なサセプタに取り付けられた１枚のウェハまたは複数のウェハを 直接加熱する。放射熱源は、１枚のウェハまたは複数のウェハの温度を、概ね均 一なプロセス温度に上昇させ、このプロセス温度は、この半導体処理構造が高速 熱処理反応炉として特徴づけられるような時間内で良好な処理結果を得ることの できるような十分に均一な温度である。
他の実施例では、半導体処理構造は更に、回転可能なサセプタの第２の表面の近 傍に反応チャンバ内に取り付けられた加熱器を有する。この加熱器夕は、例えば 抵抗加熱器からなる。抵抗加熱器へは絶縁された電源ラインから電力が供給され 、この電源ラインは反応チャンバの動作温度よりも低い温度定格を有する絶縁被 覆を有する。絶縁された電源ラインを反応チャンバの動作温度に対して熱的に絶 縁するために、この電源ラインは管状シャフト内を配線されている。
前記管状シャフトは、壁面と、抵抗加熱器に取着された第１の端部と、第２の端 部と、前記第１及び第２の端部に対して垂直な方向に前記第２の端部から前記第 １の端部へ前記壁面に延在する溝とを有する。管状シャフトの第２の端部は、反 応チャンバの外部に配置されている。絶縁された電源ラインは、前記溝を通って 抵抗加熱器に接続されているので、反応チャンバの動作温度から熱的に絶縁され ている。ある実施例では、ねじ、好ましくはモリブデン製のねじが、絶縁された 電源ラインを抵抗加熱器に接続している。
本発明のある実施例では、回転可能なサセプタは、石英ガラスからなり、かつ第 １の表面はビードブラスト（ｂｅＢｄ　１）ｌａｓｔ）され、一方策２の表面は 炎研磨（ｆｌａｍｅ　ｐｏｌｉｓｈ）されている。サセプタは、各ウェハを支持 するポケットを有する。このポケットの深さは、ウェハの厚さと等しいかまたは ウェハの厚さよりもわずかに浅く、ウェハがポケット内に配置されたとき、ウェ ハの表面はサセプタの第１の表面と同一平面にあるかまたは第１の表面かられず かに低い位置にある。
１枚のウェハが処理される場合、ポケットの中心は、回転可能なサセプタの中心 と一致するか若しくはサセプタの中心から変位して配置されている。前記ポケッ トの中心を変位して配置することによって、ウェハのローディング及びアンロー ディングが容易となる。
ウェハの温度を均一にすることを強化するために、ウェハ囲繞リングが、少なく ともウェハのエツジ部分を囲繞するべく、サセプタのポケット内に配置されてい る。他の実施例では、その内部にサセプタインサート及びまたはスピンドルが配 置される開口部が、ウェハ囲繞リングの中心に形成されている。ウェハ囲繞リン グの凹部と、サセプタインサート及びまたはスピンドルは、等しい深さを有し、 ウェハがウェハ囲繞リング及びサセプタインサート及びまたはスピンドルの上に 配置されたとき、ウェハの表面がサセプタの前記第１の表面と同一平面にあるか または第１の表面かられずかに低い位置に配置さね、ウェハは前記ポケットの外 側エツジ面によって定位置に保持される。他の実施例では、ウェハ囲繞リングの 表面に、ウェハのエツジ付近の表面に隣接する溝が形成されている。ウェハ囲繞 リングには、ウェハが当接する傾斜した棚が形成されても良く、ウェハが加熱さ れて湾曲したとき、ウェハの表面は概ねウェハ囲繞リングの表面と接触した状態 を保つ。
更に他の実施例では、反応チャンバ内の加熱器は、受動熱分配要素に置き換えら れへ　この熱分配要素は、回転可能なサセプタの第２の表面の近傍に取り付けら れている。前記受動熱分配要素は、石英ガラスで被覆されたまたは石英ガラスの 上に配置されたシリコンカーバイドを含む。代わりに、黒鉛を用いることもでき る。
本発明の反応炉内にプロセスガスを注入するために、反応チャンバ内に取着され た複数のガス噴出孔若しくは中心に配置されたガス注入ヘッドが用いられる。反 応チャンバは、水冷された側壁と、水冷された底壁と、強制空冷された土壁とを 備えた容器によって画定されている。空気によって冷却された上部の壁は、ドー ム型の石英ガラスからなる。
本発明の放射エネルギー源は、複数のランプバンクを有し、このランプバンクに は少なくとも１個のランプが備え付けられている。このランプは、タングステン 電極を備えた石英ガラス・ハロゲンランプからなる。
本発明の新規な反応炉には、環状シャフトに連結されかつサセプタ支持手段に連 結されたサセプタ配置機構が更に備えられている。このサセプタ配置機構は、環 状シャフト及びサセプタ支持手段を第１の方向に移動し、これによって回転可能 なサセプタを第１の方向に移動させる。
本発明の更に他の実施例では、半導体ウェハを処理する反応炉は、頭部を備えた テーブルに取り付けられた反応チャンバ容器を有する。第１の方向に延在する溝 には、シェルが移動可能に接続されており、前記溝は、テーブルに固着されてい る。前記シェルは、連結手段によって前記トラックに移動可能に接続されている 。前記連結手段は、前記シェルに取着された複数のコネクタを有する。前記複数 のコネクタは、前記シェルに選択的に着脱可能である。
前記連結手段が前記溝に沿って移動するとき、前記シェルは前記表面と接触する 第１の位置から、前記テーブルの表面から隔てられた第２の位置へ、第１の向き に移動する。
シェルが第２の位置にあるとき、複数のコネクタの１つをシェルから遮断するこ とによって、シェルは、前記第１の方向とほぼ直交する第２の方向に沿って移動 可能となり、前記シェルによって制限されずに、前記反応チャンバ容器に接近す ることが可能となる。
ある実施例では、前記連結手段は溝に移動可能に接続されたヨークを有する。こ のヨークは、第１及び第２のボスと、第３及び第４のボスとを有する。第１及び 第２のボスの各々は、その内部に形成された開口部を有し、この第１及び第２の ボスの開口部の中心は互いに等しい軸上に配置されている。第３及び第４のボス もまた、その内部に形成された開口部を各々備え、この第３及び第４のボスの開 口部の中心も互いに等しい軸上に配置されている。シェルは、貫通する開口部を 備えた第１のボスと、貫通する開口部を備えた第２のボスとを有する。
ヨークの第１のボスの開口部と、シェルの第１のボスの開口部と、ヨークの第２ のボスの開口部とを貫通する第１のピンが、ヨークとシェルとを連結している。
ヨークの第３のボスの開口部と、シェルの第２のボスの開口部と、ヨ−クの第４ のボスの開口部とを貫通する第２のピンが、ヨークとシェルとを連結している。
第１のピンを取り除くことによって、シェルは第２の方向に移動可能となる。
上述されたように、本発明のサセプタは、その上に半導体ウェハを取り付けるよ うに適合された第１の表面と、前記第１の表面の反対側の第２の表面とを有する 。ある実施例では、サセプタは、第１の表面から第２の表面へ貫通する複数の開 口部を更に有する。ウェハ支持ピンが、サセプタの開口部の各々の中に収容され ている。ウェハ支持ピンは、第１の位置にあるときサセプタ内に収容されており 、また第２の位置にあるとき半導体ウェハを第１の表面の上で保持する。各々の ウェハ支持ピンに対応する複数の支持部が、反応炉内に取り付けられており、サ セプタが所定の位置に配置されているとき、複数の支持部は複数のウェハ支持ピ ンに係合し、かつウェハ支持ピンを第２の位置に保持する。サセプタが他の所定 の位置に配置されているとき、複数のウェハ支持ピンは第１の位置に配置されて いる。
本発明のＲＴＰ反応炉の石英ガラス部分及びサセプタに堆積したシリコンは、Ｒ ＴＰ反応炉を通して予め決められた百分率のＨＣＩを含むガスを流す過程と、Ｒ ＴＰ反応炉の壁への冷媒の流れを減少し、壁の温度をシリコン堆積過程の通常の 動作時の壁の温度よりも高く保つ過程とからなる方法を用いることによってエツ チングされる。
その表面に対して垂直方向に移動可能なサセプタを備えた高速熱処理反応炉の反 応チャンバ内の微粒子による汚染は、反応チャンバの壁を貫通する支持手段にサ セプタを取着し、支持手段に取着された機構によって、サセプタを前記垂直な方 向に反応チャンバの外へ移動させ、これによって反応チャンバ内の部品の数を制 限することで減少させることができる。
図面の簡単な説明 第１Ａ図は、従来技術の水平反応炉の概略断面図である。
第１Ｂ図は、従来技術のバレル反応炉の概略斜視図である。
第１Ｃ図は、従来技術のパンケーキ反応炉の概略斜視図である。
第２Ａ図は、本発明のある実施例に基づく、複数のウェハを処理するための高速 熱処理反応炉の概略断面図である。
第２Ｂ図は、本発明の他の実施例に基づく、複数のウェハを処理するための高速 熱処理反応炉の概略断面図である。
第２Ｃ図は、本発明の他の実施例に基づく、１枚の大型なウェハを処理するため の高速熱処理反応炉の概略断面図である。
第３Ａ図は、ウェハが単の熱源によって加熱され、プロセスガスが反応チャンバ の側壁から注入される、本発明に基づく反応炉の概略断面図である。
第３Ｂ図は、ウェハが２つの熱源によって加熱され、プロセスガスが反応チャン バの側壁から注入される、本発明に基づく反応炉の概略断面図である。
第３Ｃ図は、ウェハが単一の熱源によって加熱され、プロセスガスが反応チャン バの中央から注入される本発明に基づく反応炉の概略断面図である。
第３Ｄ図は、ウェハが２つの熱源によって加熱され、プロセスガスが反応チャン バの中心から注入される本発明に基づく反応炉の概略断面図である。
第３Ｅ図は、湾曲した形状またはベル型の土壁を備えた容器の概略断面図である 。
第３Ｆ図及び第３Ｇ図は各々、ウェハをサセプタに取り付ける他の手段を例示し た、本発明の他の実施例に基づくサセプタの側面図及び平面図である。
第３Ｈ図は、本発明に基づく反応炉に用いるための容器の上部の壁の断面図であ る。
第４Ａ図は、第４Ｂ図の線４Ｂ−４Ｂから見た本発明の実施例に基づく反応炉の 断面図である。
第４Ｂ図は、第４Ａ図の線４Ａ−４Ａから見た第４Ａ図の反応炉の断面図である 。
第４Ｃ図は、第４Ａ図の反応炉の概略上面図である。
第５Ａ図及び第５Ｂは各々、第４Ａ図及び第４Ｂ図の一部の詳細図である。
第５Ｃ図は、シェルの内側部分を表す、第４Ａ図〜第４Ｃ図の反応炉のベルジャ を覆うシェルの底面図である。
第５Ｄ図は、反応チャンバ及び周囲のテーブルを表す、第４Ａ図〜第４Ｃ図の反 応炉の一部の上面図である。
第５Ｅ図及び第５Ｆ図は各々、下降した状態及び上昇した状態のサセプタを表す 第４Ｂ図の一部の詳細図である。
第６図は、第４Ａ図、第４Ｂ図、及び第４Ｃ図の反応炉の２個のランプバンクの 斜視図である。
第７Ａ図は、本発明に基づく反応炉に用いられる、抵抗加熱器の断面図である。
第７Ｂ図は、第７Ａ図の抵抗加熱器の一部の平面図である。
第７Ｃ図は、第７Ｂ図に示された部分の一部切欠き側面図である。
第７Ｄ図は、第７Ｂ図に示された部分の一部の詳細図である。
第７Ｅ図は、単一の熱源が用いられた第４Ａ図、第４Ｂ図及び第４Ｃ図の反応炉 の実施例に用いられる受動熱分配要素を表す断面図である。
第７Ｆ図は、反応路の容器の底壁に取り付けられた反射器を含む本発明の他の実 施例に基づく反応炉の概略断面図である。
第８Ａ図は、本発明の他の実施例に基づくガス注入ジェットの一部の斜視図であ る。
第８Ｂ図、第８Ｃ図及び第８Ｄ図は、本発明のその他の実施例に基づく第８Ａ図 のガス注入ジェットに用いるためのガスジェットの端部部分の断面図である。
第８Ｅ図及び第８Ｆ図は各々、本発明の他の実施例に基づく第８Ａ図のガス注入 ジェットに用いるベーンの変形平面図及び側面図である。
第８Ｇ図及び第８Ｈ図は各々、本発明の他の実施例に基づく第８Ａ図のガス注入 ジェットに用いるベーンの変形平面図及び側面図である。
第９Δ図及び第９Ｂ図は各々、本発明の他の実施例に基づくサセプタ支持部の上 面図及び断面図である。
第１０Ａ図及び第１０Ｂ図は各々、本発明の他の実施例に基づくサセプタ支持部 の上面図及び側面図である。
第１０Ｃ図は、第１０Ａ図及び第１０Ｂ図のサセプタ支持部に用いるサセプタの 上面図である。
第１０Ｄ図は、第１０Ｃ図の線１０Ｇ−１０Ｇから見たサセプタの断面図である 。
第１１Ａ図、第１１Ｂ及び第１１Ｃ図は、本発明の他の実施例に基づくサセプタ の開口部のテーパ部分内に配置されたウェハ支持ピンの詳細断面図である。
第１１Ｄ図は、ウェハ囲繞リングが配置された、ウェハを保持するための３個の ポケットを備えたサセプタの上面図である。
第１１Ｅ図は、本発明の実施例に基づくウェハ支持ピンによって、第１１Ｄ図の サセプタの上に持ち上げられた第１１Ｄ図に示されたウェハ囲繞リングの概略断 面図である。
第１２Ａ図は、本発明のある実施例に基づくランプのアレイの概略平面図である 。
第１２Ｂ図は、本発明の他の実施例に基づくランプのアレイの概略平面図である 。
第１３Ａ図及び第１３Ｂ図は各々、本発明のある実施例に基づくサセプタの下に 配置された誘導コイルの側面図と平面図である。
第１４Ａ図及び第１４Ｂ図各々は、本発明のある実施例に基づくサセプタのポケ ット内に配置されたウェハ囲繞リング、スピンドル及びウェハの平面図及び側面 図である。
第１４Ｃ図は、本発明の他の実施例に基づくサセプタのポケット内に配置された ウェハ囲繞リング、サセプタインサート、スピンドル及びウェハの断面図である 。
第１４Ｄ図は、本発明の他の実施例に基づくサセプタのポケット内に配置された ウェハ囲繞リング、スピンドル及びウェハの断面図である。
第１４Ｅ図は、本発明の他の実施例に基づくサセプタのポケット内に配置された ウェハ囲繞リング、サセプタインサート、スピンドル及びウェハの断面図である 。
第１４Ｆ図は、本発明の他の実施例に基づくサセプタのポケット内に配置された ウェハ囲繞リング及びウェハの断面図である。
第１４Ｇ図は、本発明の他の実施例に基づくサセプタのポケット内に配置された サセプタインサート、ウェハ囲繞リング及びウェハの断面図である。
第１４Ｈ図は、サセプタのポケット内に配置することのできる本発明の他の実施 例に基づくウェハ囲繞リング、スピンドル、サセプタインサート及びウェハの断 面図である。
第１４１図は、サセプタのポケット内に配置することのできる本発明の他の実施 例に基づくウェハ囲繞リング及びウェハの断面図である。
第１４Ｊ図は、サセプタのポケット内に配置することのできる本発明の他の実施 例に基づくウェハ囲繞リング及びウェハの断面図である。
第１４に図は、サセプタのポケット内に配置することのできる本発明の他の実施 例に基づくウェハ囲繞リング、スピンドル及びウェハの断面図である。
第１４Ｌ図は、第１４に図のウェハ囲繞リング及びスピンドルの平面図である。
第１４Ｍ図は、サセプタのポケット内に配置することのできる本発明の他の実施 例に基づくウェハ囲繞リング及びスピンドルの平面図である。
第１４Ｎ図は、サセプタのポケット内に配置することのできる本発明の他の実施 例に基づくウェハ囲繞リング及びウェハの断面図である。
第１４０図は、処理中に加熱され湾曲したウェハの状態を例示した第１４Ｎ図の ウェハ及びウェハ囲繞リングの断面図である。
第１４Ｐ図は、本発明の他の実施例に基づくウェハ囲繞リングの断面図である。
第１４Ｑ図及び第１４Ｒ図は各々、本発明のある実施例に基づくウェハ囲繞リン グのＣ型部分の平面図及び一部切欠き側面図である。
第１４Ｓ図は、Ｃ型部分及び補完部分を含む、本発明の他の実施例に基づくウェ ハ囲繞リングの平面図である。
第１５Ａ図、第１５Ｂ図、第１５Ｃ図、第１′５Ｄ図及び第１５Ｅ図は、１枚の ウェハまたは複数のウェハをサセプタの上に配置するための実施可能な方法を例 示した本発明に基づく反応炉に用いるサセプタの上面図である。
第１６Ａ図は、ガスパネル及びスクラバの両方を制御するために１台のコンピュ ータを用いた本発明に基づく反応炉の概略図である。
第１６Ｂ図は、本発明に基づく反応炉が用いられる処理方法の過程を表すブロッ ク図である。
第１７図は、各々が、特定の半導体処理を実施するために用いられ、かつカセッ トルームと反応炉との間または２つの反応炉の間でウェハを運搬するロボットを 含む密閉されたチャンバの周囲に配置された、本発明に基づく反応炉の集合の上 面図である。
＆訓囚用暑友１泗 本発明の原理に基づけば、１枚の半導体ウェハだけでなく、複数の半導体ウェハ を処理する新規な高速熱処理（ＲＴＰ）反応炉が提供される。ここで、ＲＴＰ反 応炉は、従来の反応炉に比べ処理サイクル時間が短い反応炉である。
本発明のＲＴＰ反応炉は、１０℃／秒と４００℃／秒との間の割合で１枚のウェ ハまたは複数のウェハを加熱することができる。ある実施例では、本発明のＲＴ Ｐ反応炉は、ウェハを２０℃／秒の割合で加熱する。他の実施例では、本発明の ＲＴＰ反応炉は、ウェハを１０℃／秒の割合で加熱する。ウェハの迅速な加熱は 、本発明のＲＴＰ反応炉を特徴づける短い処理サイクル時間の要因の１つである 。本発明に基づ＜　ＲＴＰ反応炉は、単一の熱源または２つの熱源を用いて、複 数のウェハまたは、１枚のウェハ、例えば、２５０ａ＋ｍ（１０インチ）、３０ ０ａ＋ｍ（１２インチ）、４００ｍｍ（１６インチ）の直径のウェハを処理する （以下、ウェハの寸法は、ウェハの直径によって表す）。
本発明のある実施例に基づけば、１つのバッチで１２５ｍｍ（５インチ）または １５０ｍａ＋（６インチ）のウェハが３枚処理され、２００ｍｍ（８インチ）、 ２５０ｍａ＋（１０インチ）または３００ｍｍ（１２インチ）のウェハは各々１ 枚づつ処理される。しかし、本発明の原理に基づく大型の反応炉を用いることに よって、より長寸のバッチを処理することができる。例えば、本発明の他の実施 例に基づ＜ＲＴＰ反応炉は、１つのバッチで１５０ｍａ＋（６インチ）のウェハ を４枚処理し、２００ｍｍ（８インチ）のウェハを３枚処理し、３００ａ＋ｍ（ １２インチ）または４００ｍｍ（１６インチ）のウェハを１枚処理する。
第２Ａ図は、複数のウェハ２１０を処理するための、本発明のある実施例に基づ ＜ＲＴＰ反応炉２００の概略断面図である。ウェハ２１０は、サセプタ支持部２ １２によって支持されたサセプタ２０１に取り付けられている。サセプタ位置制 御部２０２は、処理中にウェハ２１０を回転させると共に、ウェハ２１０をロー ドしかつ処理するために、サセプタ２１０を様々な位置へ上昇及び下降させる。
熱制御部２０３は、ウェハ２１０を処理する間、概ね均一な温度に加熱する単一 の熱源２０４を制御する。ガス流制御部２０５は、入口導管２０６とガス注入ヘ ッド２０７を通して反応炉２００の反応チャンバ２０９内へ流れ込むガスの流れ を調節し、かつ出口導管２０８を通して反応チャンバ２０９からガスを排気する 。
第２Ｂ図は、複数のウェハ２１０を処理するための、本発明の他の実施例に基づ ＜ＲＴＰ反応炉２２０の概略断面図である。第２Ａ図に示されているように、反 応炉２２０は、サセプタ２０１、サセプタ支持部２１２、サセプタ位置制御部２ ０２、熱制御部２０３、熱源２０４、ガス流制御部２０５、入口導管２０６、出 口導管２０８、ガス注入ヘッド２０７及び反応チャンバ２０９を有する。反応炉 ２２０はまた、熱制御部２０３によって制御された第２の熱源２２４を有する。
第２Ｃ図は、１枚の大型のウェハ２５０を処理するための本発明の他の実施例に 基づ＜　ＲＴＰ反応炉２０４の概略断面図である。ウェハ２５０はサセプタ２４ １の上に取り付けられている。反応炉２４０の構成要素の他の部分は、反応炉２ ２０と等しい。詳細に説明すれば、反応炉２４０は、２個の熱源２０４及び２２ ４を有する。第２Ａ図〜第２Ｃ図は、以下に説明されるように、その中心部から ガスが注入されるＲＴＰ反応炉を例示しているが、これらのＲＴＰ反応炉の各々 では、側壁からガスを注入するための複数の噴出孔を用いることもできる。
複数のウェハまたは１枚の大型のウェハを処理するために用いられた従来の反応 炉では、長い加熱サイクル、処理サイクル及び冷却サイクルが必要とされた。即 ち、１１００℃に加熱することが必要な堆積過程では、加熱、処理及び冷却に必 要な総時間は、従来の反応路を用いた場合、概ね４５〜９０分である（本明細書 の説明では、堆積過程は、フィルムがウェハの上に成長させられる処理時間を含 んで定義されている）。等しい処理及び温度に対して、ＲＴＰ反応炉２００，２ ２０及び２４０を用いた場合、加熱、処理及び冷却のための必要な時間は、非常 に短い（即ち２〜２０分）。
反応炉２００．２２０及び２４０では、サセプタ２１０の熱質量（ｔｈｅｒｍａ ｌ　ｍａｓｓ）によって、サセプタを用いていない反応炉と比べ、加熱及び冷却 時間が増加するが、サセプタ２０１が、複数のウェハ２１０（第２Ａ図及び第２ Ｂ図）の各ウェハまたは１枚のウェハ２５０（第２Ｃ図）の中心部分と周辺部分 との間の温度差を最小にし、これによってウェハ２１０またはウェハ２５０を処 理する間に、従来の反応炉と比べ、定常状態でのウェハ２１０またはウェハ２５ ０の温度の均一性が高められる。更に、以下により詳しく説明されるように、サ セプタ２１０の材料は、サセプタ２０１に関連する不利益な熱効果を最小にする ように選択される。
熱源２０４（第２Ａ図及び第２Ｃ図）は、放射熱源からなる。熱源２２４（第２ Ｂ図及び第２Ｃ図）は、抵抗加熱器からなる。代わりに、本明細書の開示内容の 観点から、当業者は、ＲＴＰ反応炉２２０の熱源２２４を抵抗加熱器ではなく、 ＲＦ熱源を用いて実施することもできる。
第２Ａ図〜第２Ｃ図に例示された本発明の各実施例では、ウェハ２１０またはウ ェハ２５０の温度がほぼ均一となるように、熱源２０４（第２Ａ図）または熱源 ２０４及び２２４（第２Ｂ図及び第２Ｃ図）が、ウェハ２１０またはウェハ２５ ０の温度を、周囲温度から定常状態のプルセス温度まで迅速に上昇させ、処理が 行われている間、この概ね均一な温度を保持する。処理が終了した後に、ウェハ ２１０またはウェハ２５０は、水素ガスによって冷却され、次に窒素ガスが反応 チャンバ２０９から反応ガスをパージするために用いられる。迅速に加熱するこ とによって、ウニ／１２１０またはウェハ２５０を迅速に処理することができる 。概ね均一なウェハの温度は、多くの半導体処理過程では重要であり、例えば、 概ね均一な温度が受容可能な均一な厚さ及び抵抗率を得るために特に重要な、エ ピタキシャル層の形成過程で重要である。
ここで、　°概ね均一な温度”は、実施される特定な処理過程に対して、受容可 能な質を備えた処理過程を達成するために必要な温度の分布を意味している。例 えば、エピタキシャル過程では、温度の分布は、ずれ、厚さの均−性及び抵抗率 の均一性に対する工業規格を少なくとも満たすウェハを形成するべく、十分に均 一でなければならない。実際、本発明のＲＴＰ反応炉では、温度の均一性は、以 下に詳しく説明されるように、エピタキシャル過程では、工業規格よりも良好な 結果が得られるものとなっている。
本発明の重要なアスペクトは、反応チャンバ２０９内の多くの構成要素の個数が 最小化されているということである。特に、反応チャンバ２０９内に含まれる構 成要素は、サセプタ２０１、サセプタ支持部２１２、熱源２２４（適切な場合） 及びガス注入ヘッド２０７のみである。即ち、反応チャンバ２０９内にサセプタ 配置制御部２０２のすべてまたは一部が含まれている従来の反応炉と比較して、 反応チャンバ２０９内の潜在的な汚染物質源を非常に減少することができる。
ＲＴＰ反応炉２００．２２０及び２４０は、’２００ｍ＋。
（８インチ）以下の１枚のウェハのみを処理する従来のＲＴＰ反応炉を用いる全 ての処理を実施するために用いることができる。例えば、ＲＴＰ反応炉２００， ２２０及び２４０は、アニールまたは、層または導電性領域をウニ／Ｘ上に形成 しない他の半導体処理過程に用いることができる。
例えば、約１１００℃での約２秒間のアニールによって、約８０ｋｅＶのイオン 加速電圧で注入されたドーズ量１×１０１６の砒素イオンからの損傷を除去し、 十分に活性化する。典型的には、反応炉２００，２２０及び２４０を用いた迅速 な熱アニールは、約１秒から約１５秒の範囲で実施され、かつ約８００℃から約 １２００℃の範囲のピーク温度を有する。活性化されるドーパントの割合は、典 型的には約５０％から約９０％の範囲である。当業者には明らかなように、特定 の持続時間及びピーク温度は、注入されるドーパント濃度及び種によって決定さ れる。
アニールに加え、ＲＴＰ反応炉２００．２２０及び２４０は、金属接触部を焼結 するためにも用いられる。堆積の後に、金属と半導体との良好な接触部を形成す るために、ＲＴＰ反応炉２００．２２０及び２４０の何れもが、半導体と金属の 組合せを、金属と半導体の境界面で相互拡散及び合金化が生ずる温度まで加熱す る。例えば、アルミニウムに対しては、この温度は、不活性ガスまたは水素雰囲 気中で約５秒から約２０秒間の範囲の持続時間に亘って約４５０℃から約５００ ℃の範囲内にある。
代わりに、ＲＴＰ反応炉２００．２２０及び２４０は、シリコン化合物とシリコ ンとの間のオーミックコンタクトを形成するためにも用いられる。このような用 途では、通常は耐火金属からなる薄い金属層が、ウニ／＼の上に堆積され、ウェ ハがＲＴＰ反応炉２００，２２０及び２４０の何れか１つの反応炉によって加熱 さね、金属がシリコンと接触する位置でシリコン化合物が形成される。次に、反 応していない金属がエツチングによって除去される。金属・シリコン化合物は、 加熱過程の時間または温度の何れにも特別に影響されずに形成される。耐火性シ リコン化合物に対して、加熱温度は約８００℃から約１１００℃の範囲にあり、 加熱時間は約１秒から約８０秒の範囲にある。
上述された過程のみが、特定の層または特定の複数の層を備えた半導体ウェハを 加熱するべく、ＲＴＰ反応炉２００．２２０及び２４０を用いる。ＲＴＰ反応炉 ２００，２２０及び２４０はまた、支持部の上に特定の層、例えば酸化膜、種々 の絶縁層、誘電体層及びパッシベーション層をシリコンウェハまたは化合物半導 体ウェハの上に形成するため、またはエピタキシャル層をシリコンウェハの上に 形成するために用いられる。ＲＴＰ反応炉２００．２２０及び２４０はまた、３ ００〜６００℃の温度での化合物半導体処理過程に用いられる。ＲＴＰ反応炉２ ００．２２０及び２４０は更に、フラットパネルディスプレイを製造するために も用いられる。
更に、本明細書の開示内容の観点から、当業者は、ポリシリコンの成長のような 気相成長法のためにＲＴＰ反応炉２００．２２０及び２４０を用いることもでき る。
即ち、シリコンエピタキシャル層が、シリコンウェハの表面の上に形成される。
ウェハは、９００℃から１２００℃の温度に加熱され、かつシリコンソースガス またはドーパントソースガスのような１種類または複数の反応ガスと混合された 水素キャリアガスからなる混合ガスにさらされる。シリコン層は、シリコン基板 と等しい結晶方向を有するようにシリコン基板の上に堆積される。
以下に、本発明の個々のアスペクトがより詳しく説明される。これらの説明は、 １枚のウェハの処理に関して説明され、または複数のウェハの処理に関して説明 される。しかし、以下の各説明では、１枚または複数のウエノ１が単一のバッチ で処理されることが理解される。一般的に、本発明は、同時に１枚または複数の ウェハを処理する過程を含む。更に、以下に、特定の寸法のウェハに対する特定 のバッチの寸法について説明が行われるが、本発明は、以下に説明される寸法以 外の寸法のバッチを処理する過程をも含むことが理解される。一般的に、本発明 は、特定のウェハの寸法に対する特定のバッチの寸法の処理過程に限定されるも のではなく、かつ特定の寸法の複数のウェハを処理する過程に限定されるもので もない。
第３Ａ図、第３Ｂ図、第３Ｃ図及び第３Ｄ図は、本発明に基づ＜ＲＴＰ反応炉３ ００，３２０．３４０及び３６０の概略断面図である。第３Ａ図、第３Ｂ図、第 ３Ｃ図及び第３Ｄ図は、本発明に基づく反応炉の基本的な構成要素を表し、かつ 本発明に基づく反応炉に対する、熱源とガス注入システムのいくつかの可能な組 合せを例示している。
第３Ａ図は、１枚または複数の半導体ウェハ、例えばウェハ３１１．３１２を処 理するためのＲＴＰ反応炉３００の概略断面図である。反応炉３００は、容器３ ０１、サセプタ３０２、サセプタ支持部３０４、放射熱源３１０（複数のランプ ３０５及び反射器３０６を含む）、受動熱分配要素３０７、側壁に設けられた注 入ガス噴出孔３１４　ａ。
３１４　ｂ、　及びガス排気バイブ３０９　ａ、３０９　ｂを有する。
容器３０１は、底壁３０１　ａ、側壁３０１ｂ及びドーム型の上壁３０１　ｃか ら形成されている。底壁３０１　ａ、　側壁３０１ｂ及び上壁３０１ｃは、反応 チャンバ３０３を画定している。底壁３０１ａ及び側壁３０１ｂはステンレス鋼 から形成され、かつ石英ガラスを内張すされている。ある実施例では、底壁３０ １ａは円形であり、かつ側壁３０１ｂは円筒形である。ドーム型の上壁３０１ｃ は、放射熱源３１０からの放射熱が上壁３０１ｃによつてほとんど吸収されるこ とのないように石英ガラスから形成されている。
従って、放射エネルギーは上壁３０１Ｃによって妨害されずに上壁３０１Ｃを通 過してウェハ３１１及び３１２を直接加熱する。
上壁３０１ｃの形状は、いくつかの要因に基づく折衷案として選択されたもので ある。例えば低圧のＢＩＣＭＯ８過程の間、例えば１００トル以下の真空に反応 チャンツク３０３が保持された場合、上壁３０１ｃの形状が平坦な形状に近ずく ほど、上壁３０１Ｃがつぶれる可能性が増加する。
一方、上壁３０１Ｃの曲率が増加すると、放射熱源３１０がウェハ３１１．３１ ２からより遠ざけられ、そのために、ウェハ３１１．３１２の所定の温度を保持 するべく、放射熱源３１０からのより大きなエネルギーが必要となる。更に、上 壁３０１Ｃの曲率が増加すると、ウニＩ＼３１１及び３１２からの上壁３０１Ｃ への距離が増加し、プロセスガスの少なくとも一部をより長い距離に亘って下降 させられなければならず、このためガスがウニ／Ｘ３１１及び３１２の上に堆積 される前により長い加熱時間が必要となる。上壁３０１　ｃの曲率はまた、プロ セスガスがウニ／−３１１及び３１２の上に下降するとき、プロセスガスの流れ に影響を与える。
土壁３０１Ｃの正確な形状は、多くの異なる形状について試験し、かつ土壁３０ １Ｃの形状によって影響を受ける上述された特性の好ましい組合せを得ることの できる形状を選択することによって実験的に決定される。第３Ａ図、第３Ｂ図、 第３Ｃ図及び第３Ｄ図では、上壁３０１Ｃは、はぼ円弧形の外観を形成する断面 の形状を有する。第３Ｅ図は、湾曲したまたは“ベル”形の外観を有する上壁３ ８１ａを含む、本発明の他の実施例に基づく容器３８１の概略断面図である。
第３　Ｈ図は、本発明に基づく反応炉と共に用いられる容器の上壁３７１の断面 である。上壁３７１の断面の形状はほぼ円形である。
上壁３７１は、フランジ３７１ａの底面３７１ｂから上壁３７１の内側の最も高 い点までの垂直距離として定義される高さと直径との比（Ｈ／ｄ）を有する。好 ましくは、上壁３７１は、Ｈ／ｄが３〜５となる形状を有する。本発明に基づく 反応炉は、この好ましいＨ／ｄを有するように形成される。
本発明の他の実施例に基づけば、上壁３７１の正確な形状は、土壁３０１Ｃの中 心を通過する上壁３０１Ｃに垂直な線に沿って測定されたある曲率半径によって 、または２つ以上の曲率半径の組合せによって定義される。例えば、上壁３７１ は４３２ｍｍ（１フインチ）〜５７０ｍｍ（２２゜５インチ）の直径３７２、及 び約３０５ｍｍ（１２インチ）〜５３３ＩＩ１ｍ（２１インチ）の曲率半径とを 有する。曲率半径の組合せが用いられる場合、上壁３７１の中心の曲率半径は、 例えば、約２５４ｎ＋ｍ（１０インチ）〜３０５ｍｍ（１２インチ）であり、上 壁３７１の周縁部分での曲率半径は、例えば３４３ｍｍ（１３，５インチ）〜４ ０６ｍｍ（１６インチ）である。高さ３７５は、上述された曲率半径及び上述さ れたＨ　／　ｄに従うように変化する。
ガス偏向機３７３が、容器の反応チャンバ内の側壁に隣接して石英ガラスの上に 配置されている。ガス偏向機３７３は、例えば、石英ガラスから形成され、サセ プタ３７６及びウェハ内の温度分布をできるだけ乱すことのないようにされてい る。ガス偏向機３７３によって、サセプタ３７６と反応炉の側壁との間を通過す る可能性のあるガスは、サセプタ３７６の表面の上を通過する（即ちウニ／％ま たは複数のウニへの上を通過する）。ガス偏向機３７３はまた、サセプタ３７６ のエツジ部分の近傍を通過するガスの速度を増加させるが、その理由は、ガス偏 向機３７３が配置されていない場合にサセプタ３７６と反応炉の側壁との間に存 在する開口部よりも、少数のより小型の開口部３７４が、サセプタ３７６とガス 偏向機３７３の間に存在するためである。処理過程の所望の均一性を達成すガス の流れを形成するように、ガス偏向機３７３とサセプタ３７６との間のより小型 の開口部を形成するべく、ガス偏向機３７３の長さを所望の値に変化させること ができる。
ウェハ３１１．３１２（第３Ａ図）は、反応チャンバ３０３内の円形サセプタ３ ０２の上に取着されている。ある実施例では、各ウェハ３１１．３１２は、サセ プタ３０２の“ポケット”と呼ばれる凹部内に配置されている。四部の深さは、 ウェハの表面３１１　ａ、３１２　ａが、はぼサセプタ３０２の表面３０２ａと 等しい高さとなるように選択される。四部の直径は、　“ウニ’−囲繞リングと 呼ばれる（以下により詳しく説明される）サセプタリングが、対応するウェハ３ １１または３１２の周囲の各凹部内に嵌合されるように選択される。
第３Ｆ図及び第３Ｇ図は各々、サセプタ３８２の上にウェハ３９１を取り付ける ための他の手段を例示した、本発明の他の実施例に基づく、サセプタ３８２の側 面図及び上面図である。第３Ａ図、第３Ｂ図、第３Ｃ図及び第３Ｄ図のウェハ３ １１．３１２のように凹部内に配置されるのではなく、ウェハ３９１は、サセプ タ３８２の表面３８２ｅの上に配置され、かつポスト３８２　ａ、３８２　ｂ、 ３８２Ｃ，３８２ｄによって横方向の定位置に保持されている。
ポスト３８２　ａ、３８２　ｂ、３８２　ｃ、３８２　ｄは、石英ガラスから形 成されている。代わりに、以下に説明される本発明のいくつかの実施例の場合の ように、サセプタ３８２が黒鉛から形成されている場合、ポスト３８２ａ、３８ ２　ｂ、３８２　ｃ、３８２　ｄを黒鉛から形成することもできる。ポスト３８ ２　ａ、３８２　ｂ、３８２　ｃ、３８２　ｄは、サセプタ３８２の他の部分と 一体形成されるか、またはサセプタ３８２とは別個に形成されて、サセプタ３８ ２に形成された対応する開口部内に圧力綿めによって取着される。
４個のポスト３８２　ａ、３８２　ｂ、３８２　ｃ、３８２　ｄが図示されてい るが、他の個数のポスト、例えば３個のポストを用いることもできることが理解 される。
サセプタ支持部３０４（第３Ａ図）は、サセプタ３０２を反応チャンバ３０３の 選択された位置に保持する。サセプタ支持部３０４は、上昇または下降し、ウニ ｌ＼３１１．３１２の反応チャンバ３０３内での位置を変える。ある実施例では サセプタ３０２及び受動熱分配要素３０７は、ウェハ３１１．３１２を反応チャ ンバ３０３内で加熱する間、第１の方向の第１の位置（操作位置）に配置さね、 ウエノ１３１１．３１２を反応チャンバ３０３から除去すれるときまたは反応チ ャンバ３０３内へ配置するとき、前記第１の位置とは異なる第１の方向の第２の 位置（ローディング位置）に配置される。
サセプタ３０２、サセプタ支持部３０４及び受動熱分配要素３０７は、第３Ａ図 、第３Ｂ図、第３Ｃ図、及び第３Ｄ図では、ローディング位置に配置されて図示 されている。
ウェハ３１１．３１２は、１つのロボットまたはウェハ取扱いシステム（図示さ れていない）によって、側壁３０１ｂに形成されたドア３１３を通して反応チャ ンバ３０３内に配置され、及び反応チャンバ３０３から除去される。ローディン グ位置は、ロボットまたはウェハ取扱いシステムが、反応チャンバ３０３内に容 易に延出し、かつウェハ３１１．３１２をサセプタ３０２の上に配置することが できるように選択されている。
以下により詳しく説明されるように、サセプタ３０２がローディング位置にある 場合、ある実施例では、ピン（図示されてない）がサセプタ３０２を貫通して形 成された対応する開口部を通して延出し、ウェハ３１１．３１２を表面３０２ａ の上に上昇させる。更に他の実施例で１よ、ピンがサセプタ３０２に形成された 開口部を通して延出し、ウェハ３１１．３１２が取着されたウエノ１囲繞リング を上昇させる。各々のウェハ３１１．３１２またはウエノ１囲繞１ノングを上昇 させるために任意の個数のピンを使用することが、できるが、例えばウニ／１３ １１またはウニ／Ｘ囲繞１ノングを安定して支持するためには少なくとも３個の リングを用いることが好ましい。ある実施例では、３〜８個のビンカ（用いられ ている。機械的な複雑さを最小にするため１こ、使用されるピンの数を最少にす ることが一般的に望まれるので、ピンがウェハ３１１．３１２を上昇させる本発 明の更に他の実施例では、サセプタ３０２の周縁部に半径方向（こ１２０°の間 隔を置いて配置された３個のビンカ＜、１２５ｍｍ（５インチ）、１５０ｍｍ（ ６インチ）及び２００ｍｍ（８インチ）のウェハを支持するために用いられ、９ ０’の間隔を置いて配置された４個のピンが、２５０ｍｍ（１０インチ）及び３ ００ｍ＋＋＋（１２インチ）のウエノ）を支持するために用いられている。
ウェハ３１１．３１２は表面３０２ａの上に上昇させられるので、ロボットまた はウニ／％取扱いシステムがウエノ１３１１．３１２を除去するときにサセプタ ３０２の表面３０２ａに接触せず、このために表面３０２をロボ・ノドまたはウ ェハ取扱いシステムが擦ることまたはその他の損傷力（回避される。更に、ウニ ／’３１１．３１２は表面３０２ａの上に上昇させられているので、ロボットま たはウエノ１取扱い手段は各々、ウェハの表面３１１ｂ及び３１２ｂを保持する ことによってウェハ３１１．３１２を除去することができ、このために、反応炉 ３００．３２０．３４０及び３６０を用いた多くの過程では、フィルムが堆積さ れた表面３１１ａ、３１２ａに損傷が加えられることが回避される。
第３Ａ図では、ウェハ３１１．３１２はサセプタ３０２の上に配置されており、 サセプタ３０２、サセプタ支持部３０４及び受動熱分配要素３０７が、ウエノ１ ３１１．３１２が放射熱源３１０へ接近するように操作位置に上昇させられ、従 って反応炉３００の動作中に放射熱源３１０がより迅速かつより効果的にウェハ ３１１．３１２を加熱することができる。
以下により詳しく説明されるように、反応炉３００の動作中に、サセプタ３０２ は回転させられる。サセプタ３０２を回転させることによって、ウェハ３１１． ３１２が処理されている間、ウエノＸ３１１．３１２の反応チャンバ３０３内の 位置が、前記第１の方向と直交する第２の方向に沿って変化する。その結果、ウ ェハ３１１．３１２の位置が変化することによって、反応炉３００の動作中に存 在する不均一性の効果を概ね除去することができるので、反応チャンバ３０３内 で実施される処理がより均一に実施される。
第３Ａ図及び第３Ｃ図に例示された本発明の実施例では、ウェハ３１１．３１２ は、単一の熱源である放射熱源３１０によって加熱される。放射熱源３１０は、 複数のランプ３０５を有し、このランプは、１μｍ以下から約５００μｍの範囲 、好ましくは１μｍ以下から約１０μｍの範囲、より好ましくは１μｍ以下の範 囲の波長の放射エネルギーを放射する。各々が各ランプ３０５に隣接する複数の 反射器３０６が、放射エネルギーをウェハ３１１．３１２へ反射する。
放射熱源３１０は、以下により詳しく説明されるように、水冷及び強制空冷され ている。水冷と強制空冷の組合せによって、ランプ３０５及び反射器３０６は所 望の動作温度の範囲内に保持される。
反応炉３００（第３Δ図）及び反応炉３４０（第３Ｃ図）では、受動熱分配要素 ３０７が、サセプタ３０２の近傍のサセプタ３０２の下に取り付けられている。
ここで用いられているように、　“近傍”は、サセプタ３０２をサセプタ支持部 ３０４に熱的接続するための物理的空間の必要性による制限を考慮して、できる だけ接近した位置を意味している。受動熱分配要素３０７は、サセプタ３０２か らの熱の損失を最小にし、これによってウエノ＼３１１．３１２からの熱の損失 を最小にする。受動熱分配要素３０７は好ましくは熱を吸収すると共にサセプタ ３０２へ再び熱を放射する材料もしくはサセプタ３０２へ向けて熱を反射する材 料からなることが好ましい。
第３Ｂ図は、第３Ａ図のウェハ３１１．３１２のような１枚または複数の半導体 ウェハを処理するためのＲＴＰ反応炉３２０の概略断面図である。反応炉３２０ は、反応炉３００と等しく、第３Ａ図及び第３Ｂ図の構成要素と等しい構成要素 には同じ番号が付されている。反応炉３２０では、ウェハ３１１．３１２を加熱 するために２個の熱源が用いられている。
第２の熱源である抵抗加熱要素３２７は、抵抗加熱器３２７の抵抗要素に電流を 流したとき熱を発生する。抵抗加熱器３２７が発生した熱の大部分がウェハ３１ １．３１２に伝達されるように、サセプタ３０２は石英ガラスなどの材料によっ て形成されている。放射熱源３１０及び抵抗加熱器３２７は、ウェハ３１１．３ １２の各々の全体の温度を概ね均一に保持する。
ウェハ３１Ｌ３１２の中心部分よりも、ウェハ３１１．３１２の周縁部分の面積 が大きいために、ウェハの中心部分よりも周縁部分での熱の損失が大きい。従っ て、いかなる補償も行われない場合、ウェハ３１１．３１２の中心部分よりもウ ェハ３１１．３１２の周縁部分での温度変化が大きくなる。この温度変化は好ま しいものではなく、かつ半導体処理過程の歩留りを低いものとする。即ち、エピ タキシャル層の製造過程でのウェハの半径方向に沿った温度の変化は、ずれと、 厚さ及び抵抗率の不均一性に対する有害な効果を生み出す。半径方向の温度変化 を最小１こするべく、反応炉３００．３２０．３４０及び３６０では、熱的な絶 縁性を備えたサセプタリング（図示されて（Ｘな（１）力くウェハ３１１．３１ ２の各々の周囲に配置されて０る。本発明のさまざまな実施例に基づくサセプタ リングが、第１４Ａ図〜第１４Ｓ図を参照しながら、以下に説明される。
製造過程の開始時点で、反応炉３００（第３Ａ図）または反応炉３２０（第３Ｂ 図）では、ランプ３０５に供給される電力が、反応炉３２０では更に抵抗加熱器 ３２７へ加えられる電力が、ウェハ３１１．３１２の温度が急速に上昇するよう に増加させられる。ウニ／１３１１．３１２の温度は、以下により詳しく説明さ れるように昂温計または熱電対（図示されていない）によって検出される。ウニ ／Ｘ３１１．３１２の温度が所望の温度に達したとき、ランプ３０５の各々の集 合の電力は、ウニ／１３１１．３１２の各々の全体の温度が均一となるように調 節される。
ウェハ３１１．３１２が所望の温度に加熱された後に、反応炉３００または３２ ０を用いる製造過程に対して必要な場合、ガスが反応チャンバ３０３内に側壁に 形成された注入ガス噴出口３１４　ａ、３１４　ｂを通して供給される。
ガスは、ウェハ３１１．３１２及びサセプタ３０２を、反応炉３２０では更に抵 抗加熱器３２７を通過して流れ、底壁３０１ａに形成された排気管３０９　ａ、 ３０９　ｂを通して反応チャンバ３０３から排気される。
第３Ｃ図は、第３Ａ図及び第３Ｂ図のウエノ１３１１．３１２のような１枚また は複数の半導体ウエノ１を処理するためのＲＴＰ反応炉３４０の概略断面図であ る。反応炉３００（第３Ａ図）と同様に反応炉３４０では、ウエノ１３１１．３ １２を加熱するために熱源３１０のみが用いられている。
しかし、反応炉３４０では、反応炉３００のように側壁に設けられた注入ガス噴 出孔３１４ａ、３１４ｂを通してガスが反応チャンバ３０３に供給されるのでは なく、ガスはガス人口管３５４ａを通して流れ、ガス注入へ・ソド３５４ｂを通 して反応チャンバ３０３内に供給される。反応炉３００及び３２０（第３Ｂ図） と同様に、反応炉３４０では、ガスは底壁３０１ａに形成された排気管３０９ａ 、３０９ｂを通して反応チャンバ３０３から排気される。
第３Ｄ図は、第３Ａ図、第３Ｂ図及び第３Ｃ図のウニ１１３１１．３１２のよう な１枚または複数の半導体ウニ／１を処理するためのＲＴＰ反応炉３６０の概略 断面図である。
反応炉３６０では、ウエノ１３１１．３１２は、放射熱源３１０と抵抗加熱器３ ２７の２つの熱源によって加熱される。
ガスは、ガス人口管３５４ａ及びガス注入ヘッド３５４ｂを通して反応チャンバ ３０３内に供給され、排気管３０９ａ、３０９ｂを通して排気される。
半導体ウェハの上に層を堆積させるためにガスを用いる典型的な半導体製造過程 では、ガスをパージすることが必要となる。ウェハ３１１．３１２を反応チャン バ３０３内に配置するために、またはウェハ３１Ｌ３１２を反応チャンバ３０３ から取り出すためにドア３１３を開いたとき、反応炉３００，３２０．３４０ま たは３６０の周囲の空気が反応チャンバ３０３内に入る。特に、ウェハ３１１． ３１２を処理する前に、空気中の酸素が反応チャンバ３０３から除去されなけれ ばならない。用いられる反応炉に応じて、側壁に形成された注入ガス噴出孔３１ ４　ａ、３１４　ｂまたはガス注入ヘッド３５４ｂを通して、窒素が反応チャン バ３０３に供給され、反応チャンバ３０３の酸素をパージする。次に、水素が反 応チャンバ３０３内に供給され、窒素をパージする。
水素が供給された後に、上述されたように、ウェハ３１１．３１２が加熱され、 プロセスガスが反応チャンバ３゜３に供給される。処理過程が終了した後に、水 素ガスを用いて反応チャンバ３０３から残りのプロセスガスをパージする。次に 、窒素を用いて水素ガスをパージする。水素ガス及び窒素ガスを用いることによ って、ウェハ３１１．３１２が冷却される。窒素ガスをパージした後に、ウェハ ３１Ｌ３１２が冷却され、ドア３１３が開けられ、ウェハ３１１．３１２が取り 出される。
約９００〜１２００℃の間のプロセス温度でシリコンを堆積させる過程を含む処 理過程では、ウェハ３１１．３１２は周囲温度まで冷却されず、処理過程中でウ ェハ３１１．３１２が加熱される温度に応じて、３００’Ｃがら６ｏｏ℃の範囲 の温度に冷却される。典型的には、冷却時間は、２〜５分である。ある実施例で は、ウェハ３１１．３１２は、約１１３０℃から約４５０’Ｃへ冷却さね、冷却 時間は約２゜５〜３．５分である。より低い温度（即ち９００”Ｃ以下の温度） で実施される処理過程では、ウェハ３１１．３１２は反応チャンバ３０３から除 去される前にプロセス温度の約５０％の温度に冷却される。
ウェハ３１１．３１２を、周囲温度まで冷却する必要がないために、冷却時間が 短縮され、ウェハのスルーブツトが向上する。更に、反応チャンバ３０３を、上 述された１つまたは複数の処理過程の前のパージ動作の間に加熱することが可能 であり、このため複数のウェハのバッチを処理するための時間が短縮される。
ウェハ３１１．３１２は、反応チャンバ３０３がら取り出される前に、ウェハ３ １１．３１２が硬化する温度まで冷却されなければならない。更に、反応チャン バ３０３は、ウェハ３１１．３１２を取り出すためにドア３１３を開いたときに 、水素が反応チャンバ３０３内に残留している場合に生ずる爆発の可能性を最小 にする温度に冷却されなければならない。
反応炉３００．３２０．３４０または３６０が、例えばエピタキシャル層などの ある材料からなる層をウェハの上に堆積するためにガスを用いる半導４処理過程 に用いられる場合、長時間に亘って使用されたとき、反応炉３００゜３２０．３ ４０または３６０（７）一部分、例えば壁３０１　ａ。
３０１ｂ、３０１ｃの上に、ある材料からなる層が堆積される可能性がある。以 下により詳しく説明されるように、底壁３０１ａ及び側壁３０１ｂは水冷されて いる。上壁３０１ｃは、ランプ３０５及び反射器３０６と同様に、空冷されてい る。壁３０１　ａ、３０　ｌ　ｂ、３０１　ｃを冷却することによって、堆積過 程中に壁３０１　ａ、３０　ｌ　ｂ及び３０１ｃの上に望まれない層が堆積され ることを最小にすることができる。
従来の反応炉では、反応炉の一部分、即ち、黒鉛がら形成された部分から、堆積 されたシリコンを除去するために″ハイエツチング（ｈｉｇｈ　ｅｔｃｈ）“を 用いることができ、このハイエツチングでは、反応チャンバ３０３が少なくとも １１５０〜１２００”Ｃの温度にあるとき、少なくとも９０％のＨＣＩを含む混 合ガスを３〜２０分間反応チャンバ３０３に注入する。しかし、ハイエツチング によって、石英ガラスの上に堆積したシリコンが除去されることはない。従って 、従来の反応炉では、石英ガラスによって形成された構成要素を洗浄するために 、これらの構成要素を反応炉から取り出さなければならない。本発明の原理に基 づけば、壁３０１ａ、３０１ｂの温度を通常の動作温度以上に上昇させることに よって、堆積されたシリコンを、ハイエツチングの間に石英ガラスからなる構成 要素がら除去することができる。堆積されたシリコンの除去は、壁３０１ａ、３ ０１ｂが冷却される程度を低下させるように、ハイエツチングの間に壁３０１ａ 、３０１ｂを冷却するために用いられる流体の温度を上昇させることによって実 施される。
反応炉３００．３２０．３４０及び３６０では、ウェハ３１１．３１２と、サセ プタ３０２と、サセプタ支持部３０４の一部と、抵抗加熱器３２７（反応炉３２ ０及び３６０）または受動熱分配要素３０７（反応炉３００及び３４０）と、側 壁に形成された注入ガス噴出孔３１４ａ、３１４ｂ（反応炉３００及び３４０） またはガス注入ヘッド３５４ｂ及びガス入口管３５４ａの一部（反応炉３２０及 び３６０）のみが、反応チャンバ３０３の内部に配置されている。従来技術の反 応炉では、反応炉３００．３２０，３４０及び３６０よりも多くの機械的な構成 要素が反応炉内に配置されている。　（先行する堆積過程の間に堆積される材料 を含む）これらの機械的な構成要素による汚染は、従来技術の反応炉の微粒子に よる大きな汚染源となっている。
反応炉３００．３２０．３４０及び３６０は、従来の反応炉と比べより少数の機 械的な構成要素を備えており、汚染物質を提供する機械的な構成要素が少ないた め、及び反応炉３００．３２０．３４０及び３６０を繰り返し使用する間にその 表面にシリコンが堆積される機械的な構成要素が少ないため、反応炉３００．３ ２０．３４０及び３６０の汚染物質の問題は軽減される。従って、反応炉３００ ．３２０．３４０及び３６０の反応チャンバ３０３の内部に配置される機械的な 構成要素の個数を少なくすることによって、従来の反応炉の問題点が実質的に解 決される。
更に、熱源とサセプタとの新規な組合せによって、従来のＲＴＰ反応炉よりも、 反応チャンバ３０３のより広い領域に亘って概ね均一な温度が保持されるので、 従来のＲＴＰ反応炉によって処理される１枚の小型のウェハ（例えば１００＋ｍ 、１２５＋ｕ＋、及び１５０　ａｒｍ）ではなく、複数のウェハ（例えば１２５ ｍｍ、　１５０ｍｍ、及び２ｏｏＩＩＩＩ１１）または１枚の大型のウェハ（例 えば２５０＋ａｍ、　３００ｍｍ、及び４００ａ＋＋ｏ）の何れをも処理するこ とが可能となる。複数のウェハが処理できることによって、ウェハのスループッ トが向上し、かつ大型のウェハを処理できることによって、より大型のウェハを 必要とする産業界の要求にＲＴＰ反応炉が対応することが可能となる。
反応炉３００．３２０．３４０及び３６０は更に、多数のバッチに対する温度の 良好な再現性を提供する。その結果、従来のＲＴＰ反応炉では必要とされた、所 望の温度の均一性を保持するべく反応炉３００，３２０，３４０及び３６０を再 校正する必要がなくなる。校正のためのダウンタイムがないために、ウェハを処 理するためにより多くの割合の時間を費やすことが可能となるため、従来のＲＴ Ｐ反応炉と比ベウエハのスルーブツトを向上させることができる。
更に、従来の反応炉と比較し、複数のウェハを備えたバッチを処理することが可 能となり、厚さ及び抵抗率の均一性が改善される。従来の反応炉では、厚さ及び 抵抗率のばらつきが３〜１０％のウェハが形成される。本発明に基づ＜ＲＴＰ反 応炉では、１〜２％の厚さのばらつき及び１〜５％の抵抗率のばらつきが達成さ れる。
第４Ａ図及び第４Ｂ図は、本発明のある実施例に基づく、反応炉４００のより詳 細な断面図である。第４Ｃ図は、反応炉４００の概略上面図である。第４Ａ図の 断面図は、第４Ｂ図の線４Ｂ−４Ｂから見た断面図である。第４Ｂ図の断面図は 、第４Ａ図の線４Ａ−４Ａから見た断面図である。
反応炉４００に関する以下の説明（とりわけ第４Ａ図、第４Ｂ図、第４Ｃ図、第 ５Ａ図、第５Ｂ図、第５Ｃ図、第５Ｄ図、第５Ｅ図及び第５Ｆ図に関する説明） では、反応炉４００のいくつかの要素（以下“省略された要素”と呼ぶ）が、図 面には表されていないが、実際にはこれらの省略された要素が存在するのでこれ らの要素は表現されるべきものである。この省略された要素は、図を明瞭にする ために省略されている。ある図面に表現されていない省略された要素は、他の図 面では表現されており、当業者には、全体の図面から、省略された構成要素の形 状及び図面に例示された他の構成要素との関係が明かとなる。
以下により詳しく説明されるように、フレーム４５０は反応炉４００の選択され た部分を囲繞し、かつ例えば冷間圧延鋼板１０１８から形成されている。第４Ｃ 図に例示されているように、反応炉４００は、いくつかの区分４００ａ、４００ 　ｂ、４００　ｃ、４００　ｄ、　及び４００ｅに分割されている。区分４００ ａは、容器４０１、熱源、ガス注入システム、及びサセプタ支持及び駆動機構を 収容している。区分４００ｂは、反応炉４００を用いる製造過程の必要性に応じ て、従来技術のバレルＣＶＤ反応炉で用いられるガスパネルと等しい性能のガス パネルを収容している。
勿論、ガスパネルは、反応炉４００内で実施される製造過程に必要な全てのガス を保持しかつ提供する構造を有する。
区分４００ｃは、ガス排気システムの一部を収容している。
区分４００ｄは、熱源に電力を供給するため電源及びＳＣＲ（ｓｉ　１ｉｃｏｎ 　ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ　ｒｅｃｔｉｆｉｅｒｓ）を収容している。区分４００ ｅは、残りの回路要素、即ち他の電源、プロセス変数（例えば、ガスの流れ、熱 源からのエネルギー）を制御するためのコンピュータ、電気的なリレーその他を 収容している。
第４Ａ図及び第４Ｂ図に例示されているように、区分４００ａは、テーブル４５ １によって２つの部分に分割されている。シェル４５２は、テーブル４５１と接 触して固定されており、かつ容器４０１の上側部分と、ランプバンク４０５　ａ 、４０５　ｂ　（第４Ａ図）、４０５　ｃ、４０５　ｄ（第４Ｂ図）を囲繞して いる。第４Ｂ図に例示されているように、シェル４５２は、３５６アルミニウム 合金から形成されたヨーク４５３に取着されている。ヨーク４５３は、直線状の レール４５４に移動可能に取着されている。線形状のレール４５４は、アメリカ 合衆国カリフォルニア州すンフランシスコのシュニーバーｔｊ−社（Ｓｃｈｎｅ ｅｂｅｒｇｅｒ　Ｉｎｃ、）　から、　Ｎｏ、　Ｉ　ＭＲＡ　２５　６５８−Ｗ ｌ−Ｇ３−Ｖｌとして入手することができる。ヨーク４５３は、直線状のレール ４５４に沿って上下し、シェル４５２をテーブル４５１の上または下に移動する 。直線状のレール４５４は、例えば３．１８ｍｍ（０，１２５インチ）の厚さの 冷間圧延鋼板から形成された柱４５８に取着されている。柱４５８はテーブル４ ５１に取着されている。
反応炉４００の動作中に、シェル４５２は第４Ａ図及び第４Ｂ図に例示された位 置まで下降し、シェル４５２がテーブル４５１と接触する。反応炉４００の保守 を行う場合、シェル４５２はテーブル４５１がら離れて上昇させられ、シェル４ ５２とテーブル４５１との間に収容された反応炉４００の構成要素に接近するこ とが可能となる。更に、以下により詳しく説明されるように、シェル４５２は、 シェル４５２がテーブル４５１の直下に配置されることのないように、ピン４５ ７ａ、４５７ｂ　（第４Ｂ図）の一方を中心としてヨーク４５３に対して回動す るように取り付けられても良く、これによって、反応炉４００の構成要素へ接近 することがより容易となる。
シェル４５２は、反応炉４００内でさまざまな機能を実施する。ランプバンク４ ０５　ａ、４０５　ｂ、４０５　ｃ、及び４０５ｄは、シェル４５２によって支 持されている。更に、シェル４５２には、以下に説明されるように、ランプバン ク４０５　ａ、４０５　ｂ、４０５　ｃ、及び４０５ｄと、容器４０１の上側部 分とを冷却するための空気を流す通路が形成されている。プロセスガスがチャン バの中心から注入される場合（第３Ｃ図及び第３Ｄ図）、シェル４５２にはラン プバンク４０５　ａ、４０５　ｂ、４０５　ｃ、及び４０５ｄを冷却するための 冷却水が流れる冷却水管だけでなく、ガス入口管４０８ａ及びガス供給システム で用いられる他のハードウェアも収容しされている。このようにして、シェル４ ５２によって、容器４０１が損傷を受けることが防止される。
シェル４５２は、アルミニウムから形成されており、かつ耐熱性のテフロン塗料 が塗布されている。テフロン塗料は、反応炉４００内でウェハを処理する間シェ ル４５２がさらされる高温度にシェル４５２が耐えることを援助する。
容器４０１は、３つの壁、即ち底壁４０１　ａ、　側壁４０１　ｂ、及び上壁４ ０１ｃを有する。容器４０１の内側の領域が、反応チャンバ４０３を構成する。
土壁４０１ｃは、概ね円弧状の断面を有し、かつ５ｍｍ（０，１９フインチ）の 厚さを有する。土壁４０１ｃの内面の最高点は、シェル４５２に接触するテーブ ル４５１の表面から約１１．７３Ｃｏｔ（４，６１９インチ）離れている。　（ 図示されていない）ウェハは、側壁４０１ｂに形成されたドア４１３（第４Ａ図 ）を通して、反応チャンバ４０３内に配置さね、または反応チャンバ４０３から 取り出される。以下により詳しく説明されるように、ウェハはサセプタ４０２に 形成された凹部に配置される。サセプタ４０２と側壁４０１ｂとの間の距離は約 ３．８ｃｍ（１，５インチ）である。
第２Ａ図〜第２Ｃ図は、各々、サセプタ２１を回転させ、上昇させ及び下降させ るサセプタ位置制御部２０２を備えた、本発明に基づく種々の反応炉２００．２ ２０及び２４０の概略断面図である。第４Ａ図及び第４Ｂ図では、このサセプタ 位置制御部が、反応炉４００内で電動機４１５及び４１７を備えている。電動機 ４１５はシャフト４１６を駆動し、サセプタ４０２を回転させる。電動機４１７ は、ベルト４１８を駆動し、リードねじ４２８を回転させ、プレート４２８が上 昇または下降し、サセプタ４０２を上または下に移動させる。サセプタ４０２が 垂直方向に移動することによって、１枚のウェハまたは複数のウェハをローディ ング及びアンローディングするため、及び処理するために適切な高さにサセプタ ４０２が配置される。更に、以下により詳しく説明されるように、サセプタ４０ ２がウェハローディング位置へ降下したとき、ピンがサセプタ４゜２の開口部を 通して延出し、１枚のウェハまたは複数のウェハをサセプタ４０２の上に持ち上 げ、１枚のウェハまたは複数のウェハのアンローディング及びローディングを容 易にする。
抵抗加熱器４０７、または（以下により詳しく説明される）受動熱分配要素が、 黒鉛から形成された環状シャフト４１９に取着されている。シャフト４１６は、 環状のシャフト４１９と同軸に取着されている。　（第４Ｅ図及び第４Ｆ図を参 照しながら以下により詳しく説明される）ベローアセンブリ４２０が、シャフト ４１６と、環状シャフト４１９と、関連する機構を囲繞する領域４２７を密閉す るようにプレート４２６と底壁４０１ａとの間に取着さベ　シャフト４１６と環 状シャフト４１９との間の空隙及び環状シャフト４１９と底壁４０１ａとの間の 空隙を通して反応チャンバ４０３から漏洩する可能性のあるガスを収容する。
これらのガスは、以下により詳しく説明されるようにパージされる。
例えば、第２Ｂ図及び第２Ｃ図の反応炉２２０及び２４０のように、２個の熱源 を用いる本発明の実施例では、ランプバンク４０５　ａ、４０５　ｂ、４０５　 ｃ、及び４０５ｄと、抵抗加熱器４０７が、１枚のウェハまたは複数のウェハを 概ね均一な温度に加熱するべく用いられる。例えば、第２Ａ図の反応炉２００の ように、単一の熱源を用いる本発明の実施例では、ランプバンク４０５　ａ、４ ０５　ｂ、４０５ｃ、及び４０５ｄのみがウェハを加熱するために用いられ、こ れらの実施例では、　（第７Ｅ図を参照しながら以下により詳しく説明される） 受動熱分配要素が、１枚のウェハまたは複数のウェハ全体に亘って概ね均一な温 度を達成することを援助するべく用いられる。
以下により詳しく説明されるように、２個の熱源を用いる本発明の実施例では、 ランプの集合と抵抗加熱器４０７が、ウェハの温度の測定値に応答して、種々の 熱量を提供するべく別個に電気的に制御されている。ある実施例では、ウェハの 温度は直接測定されおらず、即ち、温度センサがウェハに接触していない。アメ リカ合衆国イリノイ州ナイルスのイルコン社（ＩｒｃｏｎＳ　Ｉｎｃ、）から入 手可能な、６００℃から１２５０℃の範囲の温度を測定することが可能な光学的 高温計がシェル４５２の外側のへラド４５５（第４Ｂ図）に取り付けられている 。高温計熱感知要素は、シェル４５２内からシェル４５２に形成された開口部４ ５６ａを通して放射された熱を感知する。開口部４５６ａは、薄い石英ガラス（ Ｂ　ａ　Ｆ２もしくはＣａＦ２）から形成されている窓によって被覆されている 。所望に応じてハンドベルト高温計を用いることができるようにするために、第 ２の開口部４５６ｂがシェル４５２に形成される。
開口部４５６ｂはまた、反応炉４００の動作中に反応チャンバ４０３内を視覚的 に観測するために用いられる。高温計は、反応炉４００の試験運転の間に、高温 計の測定値と、試験されるサセプタと接触する熱電対によって測定されたサセプ タの温度の測定値とを相関させることによって校正される。
高温計による温度の測定に加えて、もしくは高温計による温度の測定の代わりに 、ウェハの温度は、以下により詳しく説明されるように、容器４０１に形成され た開口部、例えば４２５ａ　（第４Ｂ図）を通して挿入された熱電対によって測 定することもできる。高温計と同様に、反応炉４００の試験運転中に、この熱電 による試験されるウェハの温度の測定値と、試験されるウェハに接触した他の熱 電対によって測定された温度の測定値とを相関させることによって、この熱電対 が校正される。
反応炉４００の動作中に、壁４０１ａ、４０１ｂ、　及び４０１ｃ　（第４Ａ図 及び第４Ｂ図）は、反応チャンバ４゜３の動作温度に関連する冷却温度、例えば ６００’Ｃに保持さレル。壁４０１　ａ、４０　ｌ　ｂ、及び４ｏ１ｃがこの冷 却温度に保持されない場合、反応炉４００の堆積過程中に、膜が壁４０１　ａ、 ４０　ｌ　ｂ、及び４０１　ｃ　ｌ：堆積サレル可能性カアル。ｕ４０１　ａｌ 　４０１　ｂ、　及び４０１　ｃｌ、：膜が形成されることは、いくつかの理由 がら好ましいものではナイ。反応炉４０ｏの動作中に、壁４０１ａ、４０１ｂ。
及び４０１ｃに形成された膜は、熱を吸収し、これによって反応チャンバ４０３ の熱の分布に影響が及ぼされ、ウェハに許容されない温度の変化が形成される。
更に、壁４゜ｌａ、４０１ｂ、及び４０１ｃに形成された膜は、ウェハを汚染す る粒子を反応炉４００の動作中に発生させる可能性がある。
底壁４０１ａ及び側壁４０１ｂは、以下により詳しく説明されるように、壁４０ １ａ及び４０１ｂを通して流れる水によって冷却されている。ランプバンク４０ ５ａ１４０５　Ｊ　４０５　ｃｓ　及び４０５ｄは、強制空冷及び水冷されてい る。上壁４０１ｃは強制空冷されている。強制空冷のための空気は、２個の遠心 送風機４２３（第４Ｂ図）を駆動する電動機４２２によって循環されている。１ 個の遠心送風機のみが第４Ｂ図には図示されている。もう一方の遠心送風機は図 示された遠心送風機の裏側近傍に配置されている。遠心送風機４２３は、出口圧 力０．０４４気圧（１８インチＨ２０）の空気を毎分１６．９９ｍ３（６００立 方フイート）送り出す。反応炉４００の動作中に、冷却システムを通過する流速 は、毎分１６．９９ｍ３（６００立方フイート）である。本発明で用いられる電 動機４２２及び遠心送風機４２３は、アメリカ合衆国カリフォルニア州すンタモ ニカのバクストン・プロダクツ社（Ｐａｘｔｏｎ　ＰｒｏｄｕｃｔｓＳ　Ｉｎｃ 、）から、製品番号ＲＭ−８７Ｃ／１８４ＴＣとして入手することができる。
反応チャンバ４０３またはランプバンク４０５ａ、４０５ｂ、４０５ｃ及び４０ ５ｄから熱を吸収した空気は、従来の熱交換器４２４を通過させることによって 、約４０〜１００℃に冷却される。この熱交換器は、アメリカ合衆国マサチュー セッツ州つエイクのＥ　Ｇ＆Ｇ　ウェイクツイールド・エンジニアリング（Ｗａ ｋｅｆｉｅｌｄ　Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ）から製品番号７２５として入手する ことができる。熱交換器４２４は、空気を約４０℃に冷却するように設計されて いる。熱交換器４２４の冷却水の流速は概ね毎分２７，２７１〜４５．４５１（ ６〜１０ガロン）の範囲である。加熱された排気空気は、始めに遠心送風機４２ ３を通り、次に熱交換器４２４を通過する。遠心送風機４２３と熱交換器４２４ のこの順序は、加熱された排気空気が熱交換器４２４を通り次に遠心送風機４２ ３を通る場合よりもより良好な冷却効果を提供するので、好ましいものである。
プロセスガスは、ガス入口管４０８ａ　（第４Ｂ図）を通して反応チャンバ４０ ３内に供給され、以下により詳しく説明されるようにガス注入ヘッド４１４を通 して反応チャンバ４０３内に注入される。代わりに、ガスはガス入口管４０８ｂ を通して流れ、かつ以下により詳しく説明される、底壁４０１ａに形成された開 口部、例えば開口部４２５ｂを通して挿入された複数のガス注入噴出孔、例えば ガス注入噴出孔４２１ａを通して反応チャンバ４０３内に注入される。ガスは、 サセプタ４０２に配置されたウェハを通過し、排気ライン４０９ａ及び４０９ｂ 　（第４Ａ図及び第４Ｂ図）を通して反応チャンバ４０３から共通の排気ライン ４０９ｃ　（第４Ｂ図）へ排気される。排気ライン４０９８％４０９　ｂ、　及 び４０９ｃは、反応チャンバ４０３の圧力より低い０．０４４〜０．２２気圧（ １〜５インチＨ２０）の圧力に保持されているので、ガスは反応チャンバ４０３ から排気される。ガスは排気ライン４０９ｃを通り反応炉４００の区分４００ｃ に達し、従来どおり反応炉４００から排気される。
使用された反応ガスは反応炉４００から排気された後に、１９９２年１月２２日 にジジンスガード（Ｊｏｈｎｓｇａｒｄ）らに発行された米国特許第４，９８６ ，８３８号“Ｉｎ１ｅｔ　Ｓｙｓｔｅｍ　ｆｏｒ　Ｇａｓ　５ｃｒｕｂｂｅｒＳ 　”に開示されたスクラバのような（図示されていない）スクラバによって洗浄 される。上述された米国特許は、ここで言及したことによって本出願の一部とさ れたい。
第５Ａ図及び第５Ｂ図は各々、シェル４５２及びテーブル４５１の間の反応炉４ ００の構成要素及びシェル４５２を詳細に表した、第４Ａ図及び第４Ｂ図の部分 図である。
第５Ｃ図は、シェル４５２の内側部分を表す、シェル４５２の底面図である。第 ５Ｄ図は、冷却空気人口５５３　ａ。
５５３ｂと、冷却空気出口５５４　ａ、５５４　ｂとを表した、反応炉４０３及 びテーブル４５１の上面図である。第５Ｅ図及び第５Ｆ図は、テーブル４５１の 下の反応炉４００の区分を詳細に表した、第４Ｂ図の一部を表す図である。第５ Ｅ図は、サセプタ４０２の上にウェハ５１をローディングするための下降した位 置のサセプタ４０２を表し、第５Ｆ図は、ウェハ５１１を処理するための上昇し た位置のすセブタ４０２を表している。
第５Ａ図及び第５Ｂ図に示されているように、ランプバンク４０５　ａ、４０５ 　ｂ、４０５　ｃ、　及び４０５ｄは、上壁４０１　ｃの上に配置されている。
各ランプバンク４０５ａ、４０５　ｂ、４０５　ｃ及び４０５ｄは、反射器アセ ンブリ５０６　ａ、５０６　ｂ、５０６　ｃ、及び５０６ｄとして一体形成され た１個または複数のランプ５０５と、ランプと等しい個数の反射器を含む（以下 、代表的なランプまたは複数のランプは、ランプ５０５または複数のランプ５０ ５と呼ばれ、１個または複数の特定のランプは、例えば、ランプ５０５ａと呼ば れる）。各ランプバンク４０５ａ及び４０５ｂ　（第５Ａ図）には、ランプ５０ ５が７個備えられている。ランプバンク４０５Ｃ及び４０５ｄ　（第５Ｂ図）に は、１個のランプ５０５が備えられている。以下により詳しく説明されるように 、その一部が第５Ａ図及び第５Ｂ図に示されているように、スロットが、ランプ ５０５　ａ。
５０５　ｂ、及び５０５ｄの上の反射器アセンブリ５０６　ａ。
５０６　ｂ、５０６　ｃ、及び５０６ｄに形成されている。
ランプバンクのケーシング５３５　ａ、５３５　ｂ、５３５ｃ１　及び５３５ｄ は、各々、ランプバンク４０５ａ、４０５ｂ、４０５ｃ、及び４０５ｄの大部分 を囲繞している。
ランプバンクのケーシング５３５　ａ、５３５　ｂ、５３５　ｃ。
及び５３５ｄは、例えばランプ５０５に隣接してその底部が開いており、ランプ ５０５から放射されたエネルギーが反応チャンバ４０３へ向かいし、冷却空気が 容器４０１へ向かう。ランプバンクのケーシング５３５　ａ、５３５　ｂ。
５３５　ｃ、　及び５３５ｄは、金メッキされたステンレス鋼から形成されてい る。
各ランプバンク４０５　ａ、４０５　ｂ、４０５　ｃ、及び４０５ｄは、その両 端がねじ切りされた４本のスタッド５０４によってシェル４５２に取り付けられ ている。各スタッド５０４のねじ切りされた一方の端部は、シェル５４２に形成 されたねじ切りされた開口部に螺合されている。各スタッド５０４のもう一方の 端部は、対応するランプバンク、例えばランプバンク４０５ａに螺合されている 。ある実施例では、各ランプバンク４０５　ａ、４０５　ｂ、４０５　ｃ。
及び４０５ｄは、対応する取り付は面５１５　ａ、５１５　ｂ。
５１５　ｃ、及び５１５ｄが、サセプタ４０２に対して約２０°の角度を形成す るように、取り付けられている。この角度は、以下により詳しく説明される手段 を用いてランプバンクの隅の位置を調節することによって、特定のランプバンク 、例えばランプバンク４０５ａに対してわずかに変化させることができる。この ような角度の変更は、スタッド５０４のねじ切りされた部分の直径と、ランプバ ンク４０５ａのねじ切りされた開口部との間に設けられた空間的な許容誤差のた めに可能となっている。
ランプバンク４０５　ａ、４０５　ｂ、４０５　ｃ、及び４０５ｄを、２０６以 外の角度で取り付けることも可能である。
本発明のある実施例では、第４Ａ図、第４Ｂ図、第４Ｃ図、第５Ａ図、第５Ｂ図 、第５Ｅ図、及び第５Ｆ図の反応炉４００の上壁４０１ｃの形状に対しては、各 ランプバンク４０５　ａ、４０５　ｂ、４０５　ｃ、及び４０５ｄは、対応する 取り付は面５１５　ａ、５１５　ｂ、５１５　ｃ、及び５１５ｄが、サセプタ４ ０２との間に１０〜４０°の角度をなすように取り付けられている。異なる形状 の土壁を備えた容器を有する本発明に基づく反応炉に対しては、異なる範囲の角 度が適切である。
第６図は、ランプバンク４０５ｂ及び４０５ｄの斜視図である。各ランプバンク 、例えばランプバンク４０５ｂは、ランプフレーム、例えばランプフレーム６０ ５　ｂ、　及び６０５ｄと、反射器アセンブリ、例えば反射器アセンブリ５０６ ｂ１　及び５０６ｄと、　（第６図では図示されていない）１個または複数のラ ンプ５０５と、ランプクリップ６１７の１つまたは複数の集合とを有する。各反 射器アセンブリ、例えば反射器アセンブリ５０６ｂは、ナツト及びボルトによっ てランプバンク、例えばランプバンク４０５ｂに取り付けられている。反射器ア センブリ５０６ｂの各反射器に形成されたスロット６１８によって、以下により 詳しく説明されるように、冷却用空気が反射器アセンブリ５０６ｂを通過しラン プ５０５を通過することが可能となる。各ランプ５０５の向かい合う端部は、ラ ンプクリップ６１７の片方に取着され、このランプクリップ６１７はナツト及び ボルトによってランプフレーム６０５ｂに取着されている。
スタッド５０４は、ランプフレーム、例えばランプフレーム６０５ｂの４つの隅 、例えば隅６１５　ａ、６１５　ｂ。
６１５　Ｃ％　及び６１５ｄの各々に螺着されている。スペーサ、ロックナツト 、及びナツト（何れも第６図には図示されていない）が、ランプフレーム６０５ ｂに螺着された各スタッド５０４のねじ切りされた端部に螺合されている。
スペーサは、ランプパン入　例えばランプバンク４０５ｂの位置が、シェル４５ ２（第５Ａ図及び第５Ｂ図）に対して変化するように、異なる長さを有してもよ い。シェル４５２が取り付けられるテーブル４５１の表面から最も接近して配置 されたランプ５０５　ａ、５０５　ｂ、５０５　ｃ、及び５０５ｄの中心線のテ ーブル４５１の表面からの距離は、約１０．９５ｃｍ（４，３１インチ）であり 、最も離れて配置されたランプ５　ｏ　５８％　及び５０５ｆの中心線のテーブ ル４５１の表面からの距離は約１６ｃｍ（６，３１インチ）である。しかし、ラ ンプバンク４０５　ａ、４０５　ｂ、４０５　ｃ、及び４０５ｄの角度が２０° の場合、これらの距離は、約５．０８ｃｍ（２インチ）だけ増減することができ る。
反応炉４００の区分４００ｄ　（第４Ｃ図）から耐熱性のワイヤを通してランプ ５０５に電力が供給される。２個のランプバンク、例えばランプバンク４０５　 ｂ、　及び４０５ｄの耐熱性のワイヤは、テーブル４５１（第５Ｄ図）に形成さ れた開口部５５６　ａ、　及び５５６ｂのうちの一方の開口部を通過し、他の２ 個のランプバンク、例えばランプバンク４０５ａ及び４０５Ｃのワイヤは、開口 部５５６ａ及び５５６ｂのうちのもう一方の開口部を通過している。
第６図に示されているように、耐熱性のワイヤは、ラウティングボード６１０に 取り付けられた軍用コネクタ、例えば軍用コネクタ６０４　ａ、６０４　ｂを通 してシェル４５２内に挿入されている（第６図にはラウティングボード６１０の みが例示されているが、ランプバンク４０５ａ及び４０５ｃに関連する同様のラ ウティングボード６１０も配置されている）。耐熱性のワイヤは、ワイヤの束、 例えばワイヤの束６１１ａ、６１１ｂとして、シェル４５２内で束ねられている 。ワイヤの束６１１ａは、ランプバンク４０５ｂのランプ５０５の耐熱性のワイ ヤを含み、ワイヤの束６１１ｂは、ランプバンク４０５ｄのランプ５０５の耐熱 性のワイヤを含む。
スペーサ、ロックナツト、ワイヤラグ及びナツト、例えばスペーサ５０５　ａ、 ロックナツト６０７　ａ、ワイヤラグ６０８　ａ、　及びナツト６０９ａは、複 数のねじの各々、例えばねじ６１６ａに螺合されており、複数のねじはランプフ レーム６０５ｂに螺合されている。各ランプ５０５には１つのねじが備えられて いる。ねじ６１６ａによって、（ある実施例ではセラミックから形成された）電 気的な絶縁スペーサ６０６ａを通して、対応するランプ５０５からワイヤラグ６ ０８ａへの電気的な接続が形成される。耐熱性のワイヤの１つである導電性ワイ ヤ６１９ａは、ワイヤラグ６０８ａ　（及びランプ５０５）を、軍用コネクタ６ ０４ａに接続し、かつ外部の電源に接続している。
上述されたように、ランプバンク４０５　ａ、４０５　ｂ。
４０５　ｃｓ　及び４０５ｄは水冷されている。外部の水供給源から供給される 冷却水は、各ランプバンク４０５ａ、４０５　ｂ、４０５　ｃ、及び４０５ｄの 背面に取着された銅製の管、例えば管６１２を通して供給されている。チュービ ング６１２は、断路器６１３ａ、６１３ｂを備えたラウティングボード６１０に 取着されている。冷却水は、管の区分６１２ａを通して導入される。冷却水は、 管６１２を通してランプバンク４０５ｂに供給さ枳　このランプバンク４０５ｂ では、第６図には図示されていないが、管６１２はランプパンクロ０５ｂの背面 の大部分に亘って蛇のような形状で配置され、ランプバンク４０５ｂを冷却する 大量の冷却水を得ることができる。次に、冷却水がランプバンク４０５ｄの背面 の管６１２を流れ、管６１２を通って管区分６１２ｂへ戻り、外部の冷却水供給 源の排水管に戻る。
冷却水の流速は、ある実施例では毎分的６．８１７５１（１，５ガロン）である 。
ランプ５０５は、反応チャンバ４０３内のウェハ５１１（第５Ｅ図及び第５Ｆ図 ）に放射エネルギーを供給し、ウェハ５１１を加熱する。ランプ５０５は、石英 ガラス・ハロゲンランプからなる。電圧が各ランプ５０５に印加され、加熱され たタングステンフィラメントから短波長の、即ち１μｍ以下から約５００μｍの 範囲の波長の放射エネルギーが放射される。本発明に用いるために適した石英ガ ラス・ハロゲンランプは、アメリカ合衆国カリフォルニア用９０５０２・トーラ ンスのウシオ・アメリカン社（Ｕｓｈｉｏ　Ａｍｅｒｉｃａｎ、　Ｉｎｃ、）か ら、製品番号第ＱＩＲ４８０−６０００Ｅとして発売されている。このランプの 仕様が表１に表されている。
表　１ 放射エネルギーランプ５０５の仕様 定格電圧　定格電力　色温度　最大全長　最大波長　直径（Ｖ）　（Ｗ）　じＫ 　）　（ｍｍ）　（ｍｍ）　（ｍｍ）各ランプ５０５は、パラボラ型の金メッキ された高度に磨きあげられた反射器内に配置されている。各反射器は、個々のラ ンプ５０５の長手方向に沿った放射線型の断面を有するように形成されている。
反射器は、反応チャンバ４０３及びウェハ５１１に伝達される熱の量を最大にす るべく提供されている。反応チャンバ４０３から遠ざかる向きにランプ５０５か ら放射された放射エネルギーは、反射器によって反応チャンバ４０３に向かって 再び放射される。
更に、反応チャンバ４０３から反射されたエネルギーは、反射器によって再び反 応チャンバ４０３に向かって反射される。一般的に、反射器は、ランプ５０５の 寿命を制限することのない、またはウェハ５１１の温度分布が不均一とならない 任意の形状を有しかつ任意の姿勢に配置される。
上述されたように、反応炉４００では、各ランプノくンク４０５　ａ、４０５　 ｂ、４０５　ｃ、及び４０５ｄに対する全ての反射器は、反射器アセンブリ５０ ６　ａ、５０６　ｂ、５０６ｃ１　及び５０６ｄとして一体形成されている。反 射器アセンブリ５０６　ａ、５０６　ｂ、５０６　ｃ、及び５０６ｄは、アメリ カ合°衆国カリフォルニア州すニーベイルのエピタキシャルサービス（Ｅｐｉｔ ａｘｉａｌ　５ｅｒｖｉｃｅｓ）から、製品番号第９０１４５として入手するこ とができる。本発明に用いるために適した他の反射器アセンブリは、アメリカ合 衆国カリフォルニア州すンタクララのベクトル・テクノロジー・グループ社（Ｖ ｅｃｔｏｒ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　Ｇｒｏｕｐ、　Ｉｎｃ、　）　から、　ス ノくイラル・アレイ・リフレクタ・エクステンプイツト（Ｓｐｉｒａｌ−Ａｒｒ ａｙ　Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ　Ｅｘｔｅｎｄｅｄ）（製品番号第９０１４５）とし て入手することができる。
反射器アセンブリ５０６　ａ、５０６　ｂ、５０６　ｃ、及び５０６ｄの他に、 反射器５１７（第５Ａ図及び第５Ｂ図）が、ボルトによってクランブリング４０ １ｄに取着されている。反射器５１７は、金属板、例えばステンレス鋼から形成 され、かつ金、ニッケルまたは銀のような反射性の材料をメッキされている。反 射器５１７の表面のうち反応チャンバ４０３に面した部分のみがメッキされてい ればよいが、概ね、反射器５１７の表面全体がメッキされている。
反射器５１７は、反応チャンバ４０３の周辺部分全体に亘って取着されており、 かつサセプタ４０２に向かってエネルギーを反射するように配置されている。
土壁４０１ｃは、ランプ５０５からの放射エネルギーが土壁４０１Ｃによってほ とんど吸収されないように石英ガラスによって形成されているので、放射エネル ギーの大部分が、反応チャンバ４０３を通ってウェハ５１１に直接伝達される。
第５Ｅ図及び第５Ｆ図に最もよく表されているように、上壁４０１ｃは、クラン ブリング４０１ｄを貫通すると共にテーブル４５１に形成されたねじ切りされた 開口部内に延出するねじ切りされた部材５４９によって所定の位置に締着されて いる。クランブリング４０１ｄはステンレス鋼から形成されている。２個のＯリ ング５５１　ａ。
及び５５１ｂがテーブル４５１の溝内に配置されており、ねじ切りされた部材４ ５９が締め付けられたとき、０リング５５１ａ、５５１ｂは、圧縮され、テーブ ル４５１と上壁４０１ｃとの間を密閉する。クランブリング４０１ｄと上壁４０ １ｃとの間が、０リング５５１ｃによって密閉される。
ランプ５０５及び反射器アセンブリ５０６　ａ、５０６　ｂ。
５０６　ｃ、及び５０６ｄは、上述された水冷に加え強制空冷されている。第５ Ｃ図に表されているように、冷却用の空気が、空気人口５５３　ａ、５５３　ｂ を通してシェル４５２の頭部に形成された空間内に供給される。空気人口５５３ ａ、及び５５３ｂは、７．６ｃ＋ａ（３インチ）の直径を有する。冷却用の空気 は、６個の通気孔５５５　ａ、５５５　ｂ。
５５５　ｃ、５５５　ｄ、５５５　ｅ、及び５５５ｆを通してシェル４５２と容 器４０１との間の領域内に供給される。空気が、シェル４５２と容器４０１との 間の領域を通過するとき、空気は反射器アセンブリ５０６　ａ、５０６　ｂ、５ ０６ｃ、及び５０６ｄと、ランプ５０５の上を通過し、反射器アセンブリとラン プとを冷却する。更に、空気は容器４０１の上壁４０１ｃの上を通過し、上壁４ ０１ｃを冷却する。
第５Ｄ図に表されているように、加熱された空気は、（テーブル４５１に形成さ れている）空気出口５５４　ａ。
及び５５４ｂを通して、シェル４５２と容器４０１との間の領域から流出する。
空気出口５５４　ａ、　及び５５４ｂは、１０．２ｃｍ（４インチ）の直径を有 する。次に加熱された空気は第４Ｂ図に関して上述されたように、空気を冷却す る熱交換器に戻される。次に冷却された空気はシェル４５２と容器４０１との間 の領域に再び供給され、ランプ５０５と、反射器アセンブリ５０６　ａ、５０６ 　ｂ、５０６　ｃ。
及び５０６ｄと、上壁４０１ｃとを再び冷却する。
サセプタ４０２の下部に配置されたＲＦ熱源を用いた本発明のある実施例では、 以下により詳しく説明されるように、ＲＦ熱源のコイルは、容器４０１の下から 供給されたコイルを通過する水流によって冷却されている。
第５Ｄ図に表されているように、テーブル４５１は２つの区分からなる。テーブ ルの区分４５１ａはアルミニウムから形成されており、テーブルの区分４５１ｂ には、耐腐食性であって区分４５１ｂがさらされる高温度に耐える能力を有する ステンレス鋼が用いられている。
上述されたように、シェル４５２は、反応炉４００の何れか一方の側面に向かっ てテーブル４５１から離れるように回動するようにヨーク４５３に取り付けられ ている（第４Ｂ図）。第５Ｃ図に詳しく表示されているように、ピン４５７ａ及 び４５７ｂが、シェル４５２の（″ボス”と呼ばれる）取着区分５５２　ａ、及 び５５２ｂに形成された開口部と、　（第５Ｃ図には図示されていない）ヨーク ４５３に形成された整合する開口部とに挿入され、シェル４５２をヨーク４５３ に対して横方向の定位置に保持する。シェル４５２は、シェル４５２の取着区分 ５５２８％　及び５５２ｂの一方の端部に接触するヨーク４５３（第４Ｂ図を参 照のこと）の端部４５３　ａ、及び４５３ｂによって垂直方向の定位置に保持さ れている。シェル４５２は、ピン４５７ａ、及び４５７ｂの一方を取り除き、か つシェル４５２をピン４５７　ａ、及び４５７ｂのもう一方のピンを中心として 回転させるとによってテーブル４５１から回動して遠ざけられる。２個のピン４ ５７　ａ、及び４５７ｂが提供されているので、シェル４５２を２つの向きの何 れにも開くことが可能であり、反応炉４００を用いる様々な条件のもとで、容器 ４０１及びシェル４５２の内部の反応炉４００の構成要素に接近することが容易 となる。
側壁４０１ｂと底壁４０１ａが第５Ｅ図及び第５Ｆ図に示されている。側壁４０ １ｂと底壁４０１　ａは、ステンレス鋼から形成されており、互いに溶接されて いる。石英ガラスの内張り５０１ａ及び５０１ｂが各々、底壁４０１ａ及び側壁 ４０１ｂに隣接する反応チャンバ４０３内に配置されている。内張り５０１ａ及 び５０１ｂは、各々、反応炉４００内でウェハ５１１を処理する間に、底壁４０ １ａ及び側壁４０１ｂにガスが堆積することを防止する。内張り５０１　ａ、５ ０　ｌ　ｂは、反応チャンバ４０３の内側に面したビードブラストされた表面を 備えた純粋な石英ガラスから形成されている。ビードブラストされた表面によっ て、表面がビードブラストされていない場合には内張り５０１ａ、及び５０１ｂ から剥離する堆積された膜を、内張り５０１　ａ、及び５０１ｂに固着させるこ とができる。従って、膜の剥離による汚染が防止され、反応炉４００を長時間に 亘って使用した後に、内張り５０１ａ及び５０１ｂが反応チャンバ４０３から取 り出され、酸を用いたエツチングによって洗浄される。
第５Ｄ図に表されているように、開口部４２５ａ、４２５ｂ、４２５ｃ、及び４ ２５ｄが、底壁４０１ａに形成されている。開口部４２５　ａ、４２５　ｂ、４ ２５　ｃ、及び４２５ｄは各々、１．９ｃ＋ａ（０，７５インチ）の直径を有す る。開口部４２５　ａ、４２５　ｂ、４２５　ｃ、及び４２５ｄの各々は、温度 を測定するために反応チャンバ４０３内に熱電対を挿入するために用いられても よい。開口部４２５ａ、４２５　ｂ、４２５　ｃ、及び４２５ｄの各々はまた、 ウェハ５１１をより速く冷却するために、ウェハの処理後のパージングの間に反 応チャンバ４０３内に更にパージガスを導入するために用いられてもよい。ポス ト４２５ａ、４２５　ｂ、４２５　ｃ、及び４２５ｄの各々はまた、ウェハ５１ １に粒子が堆積することを防止することを援助するために、処理前もしくは処理 後のパージングの前もしくはパージングの間に、ウェハ５１１に向かって空気を 噴出させるために用いられてもよい。
本発明のある実施例では、熱電対５２５（第５Ｅ図及び第５Ｆ図）が、開口部４ ２５　ａ、４２５　ｂ、４２５　ｃ、及び４２５ｄの１つ（開口部４２５ａが図 示されている）を通して挿入されている。熱電対５２５は、その先端部分が露出 された、石英ガラスによって被覆された熱電対ワイヤを有する。熱電対ワイヤは 、例えば、Ｋ型の熱電対ワイヤであってよい。熱電対ワイヤは、石英ガラスによ って被覆されて剛性を備え、反応チャンバ４０３内での熱電対ワイヤの位置を調 節することがより容易となり、反応チャンバ４０３内に存在する水素にさらされ ることによる熱電対ワイヤの劣化速度が遅くなる。熱電対ワイヤの先端部分が黒 鉛によって覆われることによって、熱電対ワイヤが反応チャンバ４０３内の水素 雰囲気から更に保護される。黒鉛は十分な熱伝導性を有するので、熱電対ワイヤ の温度測定能力は、実際には制限されることはない。
熱電対５２５は、熱電対５２５を開口部５２５ａを通して上または下に移動させ ることによって、反応チャンバ４０３の所望の高さに配置される。ある実施例で は、熱電対５２５は、サセプタ４０２の上側面の上方約２．５４ｃｍ（１インチ ）に配置されている。更に、熱電対５２５は、所望の位置に回転する。本発明の ある実施例では、熱電対５２５が直線の形状を有する場合と比べ、熱電対５２５ の端部５２５ａがサセプタ４０２により接近するように、熱電対５２５の端部５ ２５ａが、ある角度に折り曲げられ、かつ熱電対５２５が回転して配置されてい る。
第７Ａ図は、抵抗要素のパターンを表す、３個の等しい区分７０７　ａ、７０７ 　ｂ、及び７０７Ｃから形成された抵抗加熱器４０７の断面図である。第７Ｂ図 及び第７Ｃ図は各々、抵抗加熱器４０７の区分７０７ａの平面図及び一部切欠き 断面図である。第７Ｄ図は、第７Ｂ図の区分線Ａ内の７０７ａの一部の詳細図で ある。抵抗加熱器４０７は、アメリカ合衆国オハイオ州クリーブランドのユニオ ン・カーバイド・アドバンス・セラミクス社（Ｕｎｉｏｎ　Ｃａｒｂｉｄｅ　Ａ ｄｖａｎｃｅ　Ｃｅｒａｍｉｃｓ　Ｃｏｒｐ、）によって製造されており、第７ Ａ図、第７Ｂ図、第７Ｃ図及び第７Ｄ図の図面を提供し、かつ製品番号第Ｅ１０ ００５を指定することによって入手することができる。
抵抗加熱器４０７の各区分、例えば区分７０７ａは、３つの層、即ちセラミック からなる２つの外側層と、黒鉛からなるの１つの内側層からなる。第７Ａ図は、 黒鉛の層を表した抵抗加熱器４０７の断面図である。黒鉛層は、電気的な絶縁領 域、例えば領域７０８が、黒鉛層の部分、例えば部分７０９　ａ、７０９　ｂを 分割するようにパターン化されているので、黒鉛層が迷路のような形状を有する 通路を形成する。抵抗加熱器４０７は、電流がこの迷路のような形状の通路を流 れるときに熱を発生する。電気的な絶縁領域、例えば領域７０８は、セラミック から形成されている。
代わりに、電気的な絶縁領域、例えば領域７０８は黒鉛層内に形成された溝であ っても良い。この後者の場合、溝内の空気が、十分に電気的な絶縁を提供する。
抵抗加熱器４０７の直径は、３５．６ｃｍ（１４インチ）であり、厚さは１．２ ７ｃｍ（０，５インチ）である。この抵抗加熱器は三相交流によって動作する。
印加電圧が２４０Ｖの場合、４６Ａの電流が流れ、印加電圧が４８０Ｖの場合、 ９２Ａの電流が流れる。
抵抗加熱器４０７の中心に形成された開口部７１０によっで、以下により詳しく 説明されるように、シャフト５１６（第５Ｅ図及び第５Ｆ図）が抵抗加熱器４０ ７を通過し、かつサセプタ４０２を支持することが可能となる。複数の開口部、 例えば開口部７１１ａ、７１１ｂが、抵抗加熱器４０７を貫通して形成されるこ とによって、取着ロッド、例えば取着ロッド５１２　ａ、５１２　ｂ　（第５Ｅ 図及び第５Ｆ図）が抵抗加熱器４０７を通過することが可能となり、これらの取 着ロッドは、以下により詳しく説明されるように、ウェハ５１１をローディング 及びアンローディングするために用いられる。抵抗加熱器４０７には、１２個の 開口部、例えば、開口部７１１　ａ、　及び７１１ｂが形成されているが、特定 のウェハローディング及びアンローディング技術に適合するように任意の個数の 開口部が形成されてもよい。各々の開口部、例えば開口部７１１　ａ、　及び７ １１ｂは、取着ロッド５１２　ａ、及び５１２ｂの直径よりも僅かに大きい０． ９５３ｃ＋ｏ（０，３７５インチ）の直径を有する。開口部、例えば開口部７１ １　ａ、　及び７１１ｂは、対応する取着ロッド、例えば取着ロッド５１２　ａ 、　及び５１２ｂの位置に対応して配置されている。
第７Ａ図及び第７Ｂ図に図示され、かつ以下により詳しく説明されるように、３ 個のモリブデン製のねじ７１４　ａ。
７１４ｂ及び７１４Ｃが抵抗加熱器４０７の区分７０７ａ内に配置されている。
ねじ７１４ａは、外部の電源と、抵抗加熱器４０７の区分７０７ａ内の黒鉛から 形成された抵杭要素とを電気的に接続する。ねじ７１４ｂ及び７１４Ｃは各々、 区分７０７ａと区分７０７ｂ及び区分７０７ａと区分７０７ｃとを電気的に接続 するために用いられている。
第７Ａ図に示されているように、区分７０７ａのねじ７１４ｂと、区分７０７ｂ のねじ７１４ｄは、抵抗加熱器４０７の底部のセラミック層内に配置されたモリ ブデンまたは黒鉛から形成されたスリーブ７１２と各々接触し、区分７０７ａの 黒鉛から形成された抵抗要素と、区分７０７ｂの黒鉛から形成された抵抗要素と を電気的に接続する。同様に、区分７０７ａと区分７０７ｃと、及び区分７０７ ｂと区分７０７ｃとが接続されている。
第７Ｂ図では、モリブデン製のねじ７１４　ｂ、　及び７１４ｃの中心は、抵抗 加熱器４０７の中心から１６．８０ｃｍ（６，６１４インチ）離れており、かつ 各々、区分７０７ａの側壁７１７　ａ、及び７１７ｂから０．９５３ｃ＋ｏ　（ ０゜３７５インチ）離れている。モリブデン製のねじ７１４ａは、抵抗加熱器４ ０７の中心から２．０７ｃｍ（０，８１３インチ）離れており、かつ区分７０７ ａの側壁７１７ａから１．０３ｃｍ（０，４０フインチ）離れている。各モリブ デン製のねじ、例えばねじ７１４ａ、７１４ｂ、　及び７１４ｃの直径は、０． ９１２ｃｍ（０，３５９インチ）であり、第７Ｃ図に示されているように、各モ リブデン製のねじの厚さは０．　５０８　ｃ＋＋＋　（０，２インチ）である。
厚さ０．３１８ｃｍ（０，１２５２インチ）のスロット７１５が、各ねじ７１４ ｂ及び７１４ｃの底部に隣接して形成されており、このスロットによって、電線 が各ねじ７１４ｂ及び７１４Ｃと接触して、上述したように抵抗加熱器７０７の 区分７０７　ａ、７０７　ｂ、及び７０７Ｃを電気的に接続している。
反応炉４００では、表面７１３（第７Ｃ図）が、サセプタ４０２と隣接して配置 されている。
第５Ｅ図及び第５Ｆ図に示されているように、抵抗加熱器４０７は石英ガラス層 ５０８の上に取り付けられており、かつ石英ガラス被膜５０７によって被覆され ている。サセプタ４０２に面する石英ガラ被膜５０７の表面は、サセプタの下方 的２．２２ｃ＋＋（０，８７５インチ）に配置されている。石英ガラス層５０８ は、ウェハ５１１の処理過程中に、抵抗加熱器４０７にプロセスガスが堆積する ことを防止する。石英ガラス被膜５０７ちまた、抵抗加熱器４０７にプロセスガ スが堆積することを防止する。石英ガラス層５０８及び石英ガラス被膜５０７は 抵抗加熱器４０７よりも容易に洗浄することができるので、石英ガラス層５０８ 及び石英ガラス被膜５０７を提供することによって、次の利点が提供される。上 述された石英ガラスの内張り５０１と同様に、反応炉４００を長時間に亘って使 用した後に、石英ガラス層５０８及び石英ガラス被膜５０７を反応チャンバ４０ ３から取り出し、洗浄することができる。
更に、層５０８及び被膜５０７は石英ガラスから形成されているので、層５０８ 及び被膜５０７は抵抗加熱器４０７から放射される熱をほとんど吸収しない。従 って、石英ガラス被膜５０７によって、抵抗加熱器４０７からの熱の大部分がウ ェハ５１１に伝達され、石英ガラス層５０８はウェハ５１１から放射される熱を 吸収するヒートシンクとして作用することはない。
抵抗加熱器４０７は反応チャンバ４０３内に配置されているので、高電圧の電源 ラインを反応チャンバ４０７内に配置しなければならない。しかし、反応炉４０ ０の動作中に、反応チャンバ４０３内の温度は約１２００℃に達する。
この反応炉内の高温度は、一般的に入手可能な電線の絶縁温度の仕様を超過して いる。例えば、本発明のある実施例では、アメリカ合衆国カリフォルニア用レッ ドウッドシティのベイ―アソシエイツ（Ｂａｙ　Ａｓ５ｏｃｉａｔｅｓ）から入 手可能な３９９℃及び６００ｖを定格とするファイヤーゾーン（Ｆ　ｉ　ｒｅ　 ｚｏｎｅ）１０１電線が抵抗加熱器４０７に電流を供給するために用いられてい る。更に、多くの過程では、水素が反応チャンバ４０３内に存在している。この ため、電線の絶縁が破壊された場合、反応チャンバ４０３内のアーク放電によっ て爆発が生ずる危険性かある。
本発明のある実施例に基づけば、上述された電源に関する問題は、反応チャンバ ４００の外側の抵抗加熱器４０７の底面から延在する環状シャフト４１９の導管 、例えば導管４１９ａ　（第５Ｅ図及び第５Ｆ図）を提供することによって解決 される。導管、例えば導管５０８ａは、石英ガラス層５０８を貫通して形成され ている。導管５０８ａは導管４１９ａと接触している。モリブデン製のねじ、例 えばねじ５２４ａは、抵抗加熱器４０７を石英ガラス層５０８に保持している。
ねじ５２４ａは、抵抗加熱器４０７の黒鉛製の抵抗要素と接触し、かつ導管５０ ８内に延在している。モリブデンはその導電率が高く、かつ腐食及び熱に対する 良好な耐性を有する（ねじ５２４ａは１３７０℃までの温度に耐えることができ る）ので、ねじ５２４ａを構成する材料として選択されている。定格４００℃の 導電性ワイヤが、反応チャンバ４０３の外側から導管４１９ａ及び５００ａを通 してねじ５２４ａに配線されている。このようにして、電線を非常に高い温度ま たは水素にさらさずに、反応チャンバ４０３の外側から抵抗加熱器４０７の抵抗 要素に電流が供給される。抵抗加熱器４０７には三相交流電力が供給されている ので、上述された導管及びねじの３個の集合が電源を反応チャンバ４０３に供給 するために用いられている。
上述されたように、本発明のある実施例では、反応チャンバの上に配置された単 一の放射熱源のみが用いられている。これらの実施例では、熱を再放射またはウ ェハに向かって反射する材料からなる層をサセプタの下に配置することが望まし い。この受動熱分配要素によって、処理中のウェハ全体に亘ってほぼ均一な温度 を保持することが援助される。
第７Ｅ図は、その上にウェハ５１１が取着されたサセプタ４０２を支持するシャ フト４１６の断面図である。反応炉４００のある実施例では、受動熱分配要素７ ２７は布またはプレートから形成され、かつ布支持部７２８と布カバー７２９の 間に配置されている。受動熱分配要素７２７は、黒鉛、金属またはシリコンカー バイドから形成することができる。本発明のある実施例では、受動熱分配要素７ ２７はシリコンカーバイドから形成されている。本発明の他の実施例では、受動 熱分配要素７２７はシリコンカーバイドで被覆された黒鉛から形成されている。
受動熱分配要素７２７は、サセプタ４０２と等しい直径、即ち３５．６ｃｍ（１ ４インチ）を有する。
本発明のある実施例では、布支持部７２８と布カバー７２９は、各々、第５Ｅ図 及び第５Ｆ図に関して上述されたように、石英ガラス層５０８及び石英ガラス被 覆５０７からなる。石英ガラス層５０８は１．５９ＣＩ１１（０，６２５インチ ）の厚さを有し、石英ガラス被覆は０．３１８ｃｍ　（０゜１２５インチ）の厚 さを有する。石英ガラス被覆５０７は、石英ガラス層５０８の裏側面の直下まで 延在し、受動熱分配要素７２７が粒子によって汚染されることを防止する。
しかし、ウェハ５１１がロードまたはアンロードされるとき、石英ガラス被覆５ ０７、受動熱分配要素７２７及び石英ガラス層５０８がサセプタ４０２と共に下 降する場合、石英ガラス被覆５０７が底壁４０１ａに接触するほど石英ガラス被 覆５０７が下に延在するべきではない（第５Ｅ図）。
第７Ｆ図は、容器３０１の底壁３０１ａに取着された反射板７３０を含む、本発 明の他の実施例に基づく反応炉７００の概略断面図である。反応炉７００は反応 炉３００（第３Ａ図）と等しく、等しい構成要素には等しい符号が付されている 。反応炉７００では、反射板７３０は、ナツト及びボルトによって反応チャンバ ３０３の外側の容器３０１の底壁３０１ａに取着されている。底壁３０１ａは、 反応チャンバ３０３から遠ざかるランプ３０５から放射されたエネルギーを反応 チャンバ３０３に向けて反射する。
反射板７３０は、金またはニッケルをメッキされたステンレス鋼から形成されて いる。本発明のこの実施例では、抵抗加熱器３２７（第３Ｂ図及び第３Ｄ図）と 、受動熱分配要素３０７（第３Ａ図及び第３Ｃ図）と、関連する支持部及び被覆 （第５Ｅ図及び第５Ｆ図）が反応炉３００から除去されているので、側壁３０１ ｂは、他の場合よりも短くなっている。これは、反射板７３０がサセプタ３０２ により近く配置されているので、反射板７３０からサセプタ３０２へ反射される エネルギーがより強くなることを意味している。
上述されたように、容器４０１の底壁４０１　ａと側壁４０１ｂは、底壁４０１ ａ及び側壁４０１ｂを通過する冷却水によって冷却されている。第５Ｅ図及び第 ５Ｆ図に表されているように、導管５０３Ｃは底壁４０１ａに形成されており、 側壁４０１ｂによってキャビティ５０３ａが形成されている。導管５０３ａ及び キャビティ５０３ｃの両方は、バッフルを含み、このバッフルによって、底壁４ ０１ａ及び側壁４０１ｂが均一に冷却されるように冷却水の流れが決定される。
更に、キャビティ５０３ｂ内の水流は、Ｏリング５５１、及び５５１ｂが冷却さ れるようにテーブル４５１内で形成される。冷却水は、外部の冷却水供給源から キャビティ５０３ａからキャビティ５０３ａ、５０３ｂと導管５０３Ｃへ、通常 の管を通して容器５０１の下から約５，４７２気圧（８０ｐｓｉ）の圧力で供給 されており、冷却水の流速は通常の弁によって制御されている。本発明のある実 施例では、導管５０３Ｃ及びキャビティ５０３ａ、及び５０３ｂの各々を通過す る冷却水の流速は毎分的５．　９１　（１，３ガロン）となっている。
ウェハ５１１が所定の温度まで加熱されたとき、混合ガスが２つの従来の方法、 即ちドーム型の上壁４０１Ｃの中心からガスを注入する方法と、側面からガスを 注入する方法の何れかの方法によって反応チャンバ４０３内に導入される。ガス ラインは、ガスパネルをテーブル４５１の下に配置された通常のＴ型弁に接続し ている。Ｔ型弁は、土壁の中心からガスを導入する方法及び側面からガスを注入 する方法の何れか一方の方法を切り替えて用いるために配置されている。
中心からガスを注入する方法では、ガスはガス人口管４０８ａ（第５Ｂ図）を通 過し、使用されるガスに応じて流速３〜１５０５１ｍで、ガス注入ヘッド５１４ （第５Ａ図及び第５Ｂ図）に形成された開口部を通して反応チャンバ４０３内に 注入される。ガス注入ヘッド５１４は、第４Ｂ図のガス注入ヘッド４１４とは異 なる。一般に、本発明に用いるガス注入ヘッドは、任意の形状、例えばシャワー ヘッド形、円錐形、または球形であってよい。
上述された容器４０１では、ガス注入ヘッド５１４は容器４０１の中心゛に配置 されている。ガス注入ヘッド５１４は石英ガラスまたは黒鉛から形成することが できる。黒鉛は、ガスが反応チャンバ４０３内に導入されるときにガスを予熱す ることが望ましい場合に用いられる。ガス入口管４０８ａは、ステンレス鋼から 形成され、直径０．６４ｃｍ（０，２５インチ）である。ガスは反応チャンバ４ ０３内を下降し、サセプタ４０２及び抵抗加熱器４０７を通過し、底壁４０１ａ に配置された排気開口部４０９ａ及び４０９ｂ（第４Ａ図及び第４Ｂ図）を通し て反応チャンバ４０３から排気される。
側面からガスを注入する方法では、ガスはガス人口管４０８ｂ　（第５Ｂ図）を 通過し、底壁４０１ａに形成された開口部５２１　ａ、５２　ｌ　ｂ、及び５２ １ｃ　（第５Ｄ図）を通って、反応チャンバ４０３の周縁部分に配置された複数 のガス注入噴出孔、例えばガス注入噴出孔４２１ａ　（第５Ｅ図及び第５Ｆ図） から反応チャンバ４０３内に導入される（符号４２１は図面に記載されていない が、以下の説明ではガス注入噴出孔はガス注入噴出孔４２１と呼ばれる）。
これまでの説明から明らかなように、開口部５２１ａ、５２１ｂ１　及び５２１ ｃは、底壁４０１ａのエツジ付近に対称的に配置されており、かつある円の円周 上に１２０°毎に配置されている。各開口部５２１　ａ、５２　ｌ　ｂ、及び５ ２１ｃの中心線は、側壁４０１ｂから１．　８４ｃｍ（０，７２５インチ）離れ ている。各開口部５２１　ａ、５２１　ｂ。
及び５２１ｃの直径は、１．　９〜３．　２ｃｍ　（０，７５〜１゜２５インチ ）である。ある実施例では、各開口部５２１　ａ。
５２１　ｂ、　及び５２１ｃの直径は、２．　２２ｃｍ（０，８７５インチ）と なっている。ガス注入噴出孔４２１の各々は、回転し、かっ底壁４０１ａを通し て上下に移動するので、ガスは所望に応じて種々の高さ及び向きで反応チャンバ ４０３内に注入される。ガス注入噴出孔４２１は、所望に応じて様々な他の位置 、例えば側壁４０１ｂを通して、または上壁４０１ｃを通して、反応チャンバ４ ０３に向けて形成される。反応チャンバ４０３内へ注入されるガスの位置及び向 きは、ガス注入噴出孔４２１が反応チャンバ４０３内に配置される特定の方法よ りも重要である。
ガスは、使用されるガスに応じて１００〜２００ｓ　１ｍの流速でガス注入噴出 孔４２１を通して反応チャンバ４゜３内に導入される。本発明のある実施例では 、３個のガス注入噴出孔４２１が設けられており、各注入噴出孔は石英ガラスか ら形成されており、かつ直径０．　４６　ｃ＋ｉ　（０，１８０インチ）の単一 の円形の開口部を備えている。本発明では、異なる個数のガス注入噴出孔４２１ が用いられてもよい。即ち、２〜１０個のガス注入噴出孔４２１を、反応チャン バ４０３内の所望のガスの流れを形成するために用いることができる。更に、ガ ス注入噴出孔４２１は、開口部以外を備えていてもよく、かつ開口部の形状は円 形以外の形状であってもよい。更に、ガス注入噴出孔４２１は石英ガラスではな くステンレス鋼または黒鉛から形成されていてもよい。
第８Ａ図は、本発明の他の実施例に基づく、ガス注入噴出孔８２１の一部の斜視 図である。ガス注入噴出孔８２１は、ガス注入噴出孔４２１と等しい。ガス注入 噴出孔の端部８０１は、ガス注入噴出孔の管８０５に溶接されている。
代わりに、ガス注入噴出孔の端部８０１にねじ切りされた部分が形成され、ガス 注入噴出孔の管８０５内に形成された対応するねじ切りされた凹部内に螺合され てもよい。ガス注入噴出孔の端部８０１とガス注入噴出孔の管８０５は、石英ガ ラス、ステンレス鋼または黒鉛から形成される。
第８Ｂ図は、本発明のある実施例に基づく、ガス注入噴出孔８２１に用いるガス 注入噴出孔の端部８０３の断面図である。キャビティ８０３ｄが、ガス注入噴出 孔の端部８０３の中心に形成されている。ガス注入噴出孔の端部８゜３を通過す るガスの流れの全体的な方向と平行な方向から眺めた場合、キャビティ８０３ｄ は例えば円形もしくは正方形の断面を有する。キャビティ８０３ｄは、第１の幅 ８０３ｃから、ガス注入噴出孔の端部８０３の末端部分８０３ｅでガスが噴出さ れる開口部の幅である第２の幅８０３ａへ先細りとなる形状を有する。本発明の ある実施例では、幅８０３　ａは約３．１８ｍｍ（０，１２５インチ）であり、 角度８０３ｂは約４５°であり、幅８０３ｃは約９．５３ｍｍ（０，３７５イン チ）である。
第８Ｃ図は、本発明のある実施例に基づく、ガス注入噴出孔８２１に用いられる ガス注入噴出孔の端部８１３の断面図である。キャビティ８１３ｆは、ガス注入 噴出孔の端部８１３の中心に設けられている。ガス注入噴出孔の端部８１３を通 るガス流の全体的な流れと平行な方向から眺めた場合、キャビティ８１３ｆは例 えば円形または正方形の形状を有する。キャビティ８１３は、第１の幅８１３ｅ から第２の幅８１３ｃへ先細りとなり、次に幅８１３ｂへ再び拡張する形状を有 する。ガスが噴出されるガス注入噴出孔の端部８１３の末端部分８０３ｇの開口 部は幅８１３ｂを有する。本発明のある実施例では、幅８１３ｅは約９゜５３ｍ ｍ（０，３７５インチ）であり、角度８１３ｄは約４５°であり、幅８１３ｃは ３．　１８ｍｍ（０，１２５インチ）であり、角度８１３ａは約６０’であり、 幅８１３ｂは約６．３５ｍ＋ｎ（０，２５インチ）である。
第８Ｄ図は、本発明のある実施例に基づく、ガス注入噴出孔８２１に用いるガス 注入噴出孔の端部８２３の断面図である。キャビティ８２３ｂは、ガス注入噴出 孔の端部８２３の中心に設けられている。ガス注入噴出孔の端部８２３を通るガ ス流の全体的な流れに平行な向きから見た場合、キャビティ８２３ｆは例えば円 形もしくは正方形の断面を有する。ガス注入噴出孔の端部８０３及び８１３とは 異なり、本発明のある実施例では、ガス注入噴出孔の端部８２３のキャビティ８ ２３ａは約６．３５ｍｍ（０，２５インチ）の一定の幅８２３ａを有する。好ま しくは、ガス注入噴出孔の端部８２３は、第８Ｅ図〜第８Ｈ図に関してこれまで 説明されたように、ベーンの実施例の１つを含むガス注入ヘッド８２１の実施例 に用いられる。
第８Ｅ図及び第８Ｆ図は各々、本発明のある実施例に基づくガス注入噴出孔８２ １に用いられるベーン８０２の変形平面図及び側面図である。ベーン８０２は、 溶接によってガス注入噴出孔の管８０５の内壁に一体形成されたベーンプレート ８０２ａ及び８０２ｂを有する。第８Ｆ図に表されているように、ベーンプレー ト８０２ａ及び８０２ｂは、互いにある角度をなして形成されている。ある実施 例では、角度８０２ｅは約９０°となっている。第８Ｅ図は、ベーンプレート８ ０２ａ及び８０２ｂの形状をより明瞭に表現するために、互いにある角度をなし て形成されたベーンプレート８０２ａ及び８０２ｂを同一の平面にあるように表 現した“変形”平面図である。ベーンプレート８０２ａと８０２ｂには各々、切 り抜き部分８０２ｃと８０２ｄが形成されている。第８Ｅ図に表されているよう に、切り抜き部分８０２ｃ及び８０２ｄは概ね楕円形の形状を有するが、他の形 状であってもよい。更に、第８Ｅ図の実施例では、切り抜き部分８０２ｃと８０ ２ｄが互いに重なることのないように形成さね、かつ、切り抜き部分８０２ｃま たは８０２ｄは各々、ベーンプレート８０２ａまたは８゜２ｂの中心より上側ま たは下側の部分に形成されている。
しかし、切り抜き部分は必ずしも上述されたように形成される必要はない。
第８Ｇ図及び第８Ｈ図は各々、本発明の他の実施例に基づく、ガス注入噴出孔８ ２１に用いられるベーン８１２の変形平面図及び側面図であるベーン８１２は、 一体形成されたベーンプレート８１２ａ及び８１２ｂを含む。第８Ｈ図に表され ているように、ベーンプレー）８１２ａ及び８１２ｂは互いにある角度をなして 形成されている。ある実施例では、角度８１２ｅは約４５°となっている。第８ Ｇ図は、ベーンプレート８１２ａ及び８１２ｂの形状をより明瞭に表すために、 互いにある角度をなして形成されたベーンプレート８１２ａ及び８１２ｂを同一 平面にあるように表現した“変形“平面図である。開口部８１２ｃ及び８１２ｄ は各々、ベーンプレート８１２ａ及び８１２ｂに形成されている。第８Ｇ図に表 されているように、開口部８１２ｃ及び８１２ｄは概ね円形であるが、他の形状 であってもよい。
上述されたガス注入噴出孔８２１の実施例は、断面の幅の変化するキャビティを 備えたガス注入噴出孔の端部と、ガス注入噴出孔の端部が取着されたガス注入噴 出孔の管の端部部分に形成されたベーンとを有する。ガス注入噴出孔のこれらの 実施例によって、ガス注入噴出孔から霧が噴出される。このような霧は、ウェハ の表面に下降するガスの分布が、ウェハの表面に堆積される層の十分に均一な性 質、例えば、抵抗率及び厚さを達成するために適切であることを確実にするため に望ましいものである。一般的に、本発明に基づけば、上述されたように、ガス 注入噴出孔８２１がガス注入噴出孔の端部及びまたはベーンと共に形成され、こ れによって所望の均一性を達成する霧が形成される。更に、本発明は、反応炉の 反応チャンバ内に霧を形成する任意のガス注入システムを包含するものである。
ガス注入噴出孔４２１からのガスの流れが上壁４０１ｃの直下の点に向けられ、 ガスの流れが衝突し、ウェハ５１１の上に下降するガスの流れが生み出され、均 一な膜が堆積されるように、ガス注入噴出孔４２１が配置されている。
代わりに、ガス流が土壁４０１ｃに向かつて原紙上壁４０１ｃの湾曲した部分と 共働してウェハ５１１の上に下降する他のガス流が形成されるように、ガス注入 噴出孔４２１が配置されてもよい。ガスはガス注入噴出孔４２１から上壁４０１ ｃへそして上壁４０１　ｃからサセプタ４０２へ移動スるので、ウェハ５１１に 到達するまでに十分に加熱される。ガスは、反応チャンバ４０３内を下向きに流 れ、サセプタ４０２及び抵抗加熱器４０７を通過し、排気開口部５０９ａ及び５ ０９ｂを通して排気される。
反応炉４００の動作中に、シャフト４１６と環状シャフト４１９との間の空隙、 及び環状シャフト４１９と底壁４０１ａとの間の空隙（第５Ｅ図及び第５Ｆ図） を通してガスが反応チャンバ４０３から漏洩する可能性がある。ガスの漏洩する 可能性は、シャフト４１６と環状シャフト４１９との間の距離及び環状シャフト ４１９と底壁４０１ａとの間の距離をできるだけ短くすることによって最少にさ れる。この実施例では、シャフト４１６と環状シャフト４１９との間の最小の空 間は約１．６ｍ＋ｏ（０゜０６２インチ）となっている。環状シャフト４１９と 底壁４０１との間の間隔は、０．８ｍｍ（０，０３１インチ）となっている。
更に、上述されたように、アメリカ合衆国フロリダ州オーモンドビーチのメタル ・ファブリック社（ＭｅｔａｌＦａｂ、　Ｃｏｒｐ、）から製品番号第５Ｋ−１ ６０１−６００９として入手可能な従来のベロウアセンブリ４２０がシャフト４ １６と、環状シャフト４１９と関連する機構を囲繞する領域４２７（第４Ａ図及 び第４Ｂ図を参照のこと）を密閉し、漏洩したガスを収容する。ベロウアセンブ リ４２０は、２個のフランジ区分（上側のフランジ区分４２０ａのみが第５Ｅ図 及び第５Ｆ図に表されている）の間に溶接された蛇腹状の区分４２０ｂ　（第５ Ｅ図及び第５Ｆ図）を有する。区分４２０ｂはステンレス鋼板から形成されてお り、サセプタ４０２が下降及び上昇するとき収縮及び伸張する。フランジ区分、 例えば上側フランジ区分４２０ａもまたステンレス鋼から形成されている。上側 フランジ区分４２０ａは底壁４０１ａにボルト締めされている。
（図示されていない）下側フランジ区分は、棚４２６（第４Ｂ図）に取着されて いる。
ベローパージ５２６は、領域４２７がらガスをパージする。パージガスは、反応 チャンバ４０３の圧力よりも高い圧力で、ベローパージ５２６を通して領域４２ ７内に供給される。その結果、反応チャンバ４０３から漏洩する可能性のあるガ スが、反応チャンバ４０３内に保持される。パージガスもまた反応チャンバ４０ ３内に進入するが、パージガスは底壁４０３ａを通して反応チャンバ４０３の底 部に進入し、かつ反応チャンバ４０３内のガスの流れは排気ライン４０９　ａ、 ４０９　ｂに向かって下向きに流れているので、パージガスは、排気ライン４ｏ 　９　ａ、及び４０９ｂを通して急速に反応チャンバ４０３から排気される。領 域４２７内のパージガスの残りの部分及び領域４２７に漏洩するプロセスガスは 、排気管５２７を通して放出される。
ある実施例では、ガス及び粒子を領域４２７がら除去することを援助するために 、領域４２７の圧力は排気管５２７を通して真空ポンプによって約１０トルにさ れる。ウェハ５１１を反応炉４００内で処理する間、パージガスの一部が反応チ ャンバ４０３内に進入するために、水素ガスがベローバージ５２６を通してパー ジガスとして用いられている。ウェハ５１１の処理が終了した後に、窒素ガスが パージガスとして用いられる。
第５Ｅ図及び第５Ｆ図に表されているように、サセプタ４０２はシャフト５１６ によって支持されている。サセプタ４０２の下側面に取着された端部と反対側の シャフト５１６の端部は、円錐形の形状を有し、かつシャフト４１６の端部に形 成された補完的な円錐形の四部にピン（図示されていない）によって取着されて いる。円錐形の形状のシャフト５１６の端部を円錐形のシャフト４１６の凹部に 嵌合させることによって、反応炉４００の動作中にシャフト４１６が回転した場 合に、サセプタ４０２が水平に保たれる（即ち、動揺しない）ことが確実になる 。サセプタ４０２を水平に保つことは、反応炉４００の動作中にウェハ５１１に 堆積されるある材料からなる層がウェハ５１１の表面の上に平坦に堆積されるこ とを確実にするために重要である。
代わりに、サセプタ４０２が回転するときに、サセプタ４０２の動揺が最小にさ れるならば、シャフト５１６の端部は円錐形ではなく、円筒形に形成され、かつ シャフト４１６には円筒形の補完的な開口部が形成される。重要な点は、サセプ タ４０２の回転中にサセプタ４０２が水平に保持されるように、シャフト４１６ とシャフト５１６が接続されることである。
他の実施例では、シャフト４１６に挿入されるシャフト５１６の端部は、六角柱 の形状を有する。シャフト４１６の端部には補完的な六角形の凹部が形成されて いる。サセプタ４０２の重量によって、シャフト５１６がシャフト４１６に形成 された凹部の定位置に保持される。シャフト５１６の六角形の断面を有する端部 と、シャフト４１６の六角形の断面を有する凹部とを嵌合することによって、　 （以下により詳しく説明される本発明のある実施例に基づき）サセプタ４０２の 上にウェハ５１１を移動するために用いられるピンに対してサセプタ４０２が適 切な方向に配置され、これらのピンがサセプタ４０２に形成された対応する開口 部を貫通することが確実となる。代わりに、シャフト５１６の端部は、サセプタ ４０２が適切な方向に保持されるような他の断面の形状、例えば四角形の断面の 形状を有してもよい。サセプタの端部はまた、サセプタ４０２が回転する間にウ ェハ５１１を支持するサセプタの表面を水平に保持するべくサセプタ４０２の動 揺を最小にする。
シャフト５１６は、反応チャンバ４０３内の動作環境（即ち、高温度のガス雰囲 気中）に耐えることのできる任意のセラミック材料、石英ガラス、黒鉛から形成 される。
本発明のある実施例では、シャフト５１６は石英ガラスから形成されている。石 英ガラスは黒鉛と比べ吸収する熱が少ないために、シャフト５１６の温度が上昇 し、サセプタ４０２に取り付けられたウェハ５１１の温度が不均一となる可能性 が少なくなる。シャフト４１６はステンレス鋼から形成されている。
第５Ｅ図及び第５Ｆ図に表された本発明の実施例では、この好適な実施例では、 シャフト５１６がサセプタ４０２と一体形成されているので、サセプタ４０２の 支持部が２つの区分、即ちシャフト４１６とシャフト５１６から形成されている ことが好ましい。以下に説明されるように、異なる寸法のウェハ、例えばウェハ ５１１を処理するために異なるサセプタ４０２を用いることが好ましい。従って 、サセプタ支持部は、異なるサセプタ４０２と交換することが望まれるときに、 シャフト５１６がサセプタ支持部の残りの部材から容易に分離されるように、２ つのシャフト４１６及び５１６から形成されていなければならない。
第９Ａ図及び第９Ｂ図は、各々、本発明の他の実施例に基づく、サセプタ支持部 ９１６の平面図及び断面図である。
サセプタ支持部９１６は、シャフト９１６ａと、シャフト９１６ａの一方の端部 からシャフト９１６ａから直角に延在する３個のアーム９１６ｂ、９１６ｃ、及 び９１６ｄを有する。アーム９１６　ｂ、９１６　ｃ、及び９１６ｄは互いに等 しい間隔を置いて配置されている。
スロット９１６ｅが、サセプタ支持部９１６のシャフトのもう一方の端部に形成 されている。補完的な機械キーがシャフトに形成されており、この機械キーにサ セプタ支持部９１６のシャフトが嵌合され、トルクを分布させ、かつサセプタ支 持部９１６が破壊されることを防止する。
アーム１１６　ｂ、１１６　ｃ、及び１１６ｄの各々の端部には架台が形成され ており、これらの架台は、サセプタの下側面に形成された対応する開口部に嵌合 される。これらの架台は、サセプタを横方向の定位置に保持する。
以下により詳しく説明されるように、第１１Ｄ図はサセプタ支持部９１６に取着 されたサセプタ１１０２を表している。第１１Ｄ図に表されているように、アー ム９１６　ｂ。
９１６　ｃ、及び９１６ｄの各々は、サセプタ１１０２の中心からサセプタ１１ ０２のエツジ部分に向けて中心からほぼ１／２の部分まで延在している。本発明 のある実施例に基づけば、アーム９１６　ｂ、９１６　ｃ、及び９１６ｄは、サ セプタ１１０２の中心からサセプタ１１０２のエツジ部分に向けて１１５から２ ／３の距離だけ延在している。
サセプタ支持部９１６は、アーム９１６　ｂ、９１６　ｃ。
及び９１６ｄの端部に形成された架台のみでサセプタに接触している。これは、 架台のみがサセプタの裏側面の熱の分布に影響を及ぼすために好ましいことであ る。第１１Ｄ図に表されているように、架台は、ウェハ１１０１ａ、１１０　ｌ 　ｂ、及び１１０１ｃの下にくることのないように配置されている。本発明に基 づけば、サセプタ支持部９１６と等しいサセプタ支持部が形成され、架台はサセ プタに配置されたウェハの下の位置でサセプタに接触することはない。
サセプタ支持部、例えばサセプタ支持部９１６は、第９Ａ図及び第９Ｂ図に関し て説明されたように、サセプタのエツジまで延在するアームを備えたサセプタ支 持部を上回る利点を有する。第１に、このサセプタを製造するためにより少ない 材料が用いられるので、このサセプタはより低価格となる。第２に、アームが短 い距離に亘って延在するので、アームは、十分な構造的な強度を保ちながらより 少ない断面積で（即ちより少ない材料を用いて）形成することができる。
第１０Ａ図及び第１０Ｂ図は各々、本発明の他の実施例に基づくサセプタ支持部 １０１６の上面図及び側面図である。サセプタ支持部１０１６は、支持シャフト １０１６ａを含み、この支持シャフト１０１６ａがら支持アーム１゜１６ｂが延 出している。支持アーム１０１６ｂの端部には、サセプタマウント１０１６ｃが 形成されている。
第１０Ｃ図は、第１０Ａ図及び第１０Ｂ図のサセプタ支持部１０１６に用いられ るサセプタ１００２の平面図である。第１０Ｄ図は、第１０Ｃ図の線１ｏｃ−ｃ がら見たサセプタの断面図である。　（図示されていない）ウェハが、サセプタ １００２に形成された凹部１００２ａ内に配置されている。サセプタ支持スロッ ト１００２ｂがサセプタ１００２を貫通して形成されている。支持アーム１０１ ６ｂは、サセプタ支持スロット１００２ｂ内に嵌合されている。
サセプタ支持スロット１００２ｂのある角度に曲げられた部分は、支持アーム１ ０１６ｂを支え、サセプタ１００２を垂直方向の定位置に保持する。サセプタ支 持スロット１００２ｂのおり曲げられた部分及び側壁は、支持アーム１０１６ｂ を支え、サセプタ１００２を横方向の定位置に保持する。代わりに、支持アーム １０１６ｂをサセプタ１゜Ｏ２と一体形成することもできる。
反応炉４００内でウェハ５１１を処理する過程の一部として、処理過程を開始す る前に反応チャンバ４０３内のサセプタ４０２にウェハ５１１を配置し、処理過 程が終了した後に反応チャンバ４０３から処理されたウェハ５１１を取り出すこ とが必要である。ウェハ５１１を反応チャンバ４０３から取り出すとき、または ウェハ５１１を反応チャンバ４０３内へ挿入するとき、サセプタ４０２を（“ホ ーム゛位置と呼ばれる）特定の位置まで回転させることによって、ウェハ５１１ を取り除くことが可能となる。ウェハ５１１がサセプタ４０２の上に配置された とき、もしくはサセプタ４０２から取り除かれたとき、サセプタ４０２は底壁４ ０１ａの近くの位置へ下降させられる。
第５Ｅ図は、サセプタ４０２の上にウェハ５１１をロードするための下降位置に あるサセプタ４０２を表している。
複数の取着ロッド、例えば取着ロッド５１２　ａ、及び５１２ｂが、底壁４０１ ａに取着されている。取着ロッド、例えば取着ロッド５１２ａは、ステンレス鋼 もしくは黒鉛から形成されている。抵抗加熱器４０７、石英ガラス層５０８、及 びサセプタ４０２には各々、取着ロッド５１２ａに対応する開口部、例えば開口 部５３１　ａ、５３２　ａ、　及び５３３ａが形成されている。取着ロッドの端 部、例えばウェハ支持ピン５１３　ａ、　及び５１３ｂに対する取着ロッド５１ ２ａ及び５１２ｂの端部には各々、円筒形の四部が形成されており、これらの円 筒形の凹部にはウェハ支持ピン、例えばウェハ支持ピン５１３　ａ、　及び５１ ３ｂが取着されている。　（これ以降、特定の取着ロッド、ウェハ支持ピン、ま たは開口部、例えば取着ロッド５１２ａについて言及する場合以外は、取着ロッ ド、ウェハ支持ピン、及び開口部は、その符号が図示されていない場合でも、取 着ロッド５１２、ウェハ支持ピン５１３、及び開口部５３１．５３２及び５３３ について言及しているものとする）。サセプタ４０２が第５Ｅ図に表された位置 にあるとき、取着ロッド５１２は開口部５３１．５３２、及び５３３を貫通しウ ェハ支持ピン５１３と係合し、ウェハ支持ピン５１３はウェハ５１１が取り付け られるサセプタ４０２の表面の上に上昇する。
（第５Ｅ図及び第５Ｆ図には表されていない）ドア４１３が、容器４０１の一方 の側面に形成されており、このドアを通してウェハ５１１が反応チャンバ４０３ 内へ挿入され、または反応チャンバ４０３から取り出される。ウェハ５１１は、 ロボット装置によってまたは手動操作の機械装置によってサセプタ４０２の上に 配置されまたはサセプタ４０２から取り除かれる。ロボット装置が用いられる場 合、ロボットアームが適切な短離に亘って延出し、ウェハ５１１をサセプタ４０ ２から持ち上げるかまたはウェハ５１１をサセプタ４０２の所定の位置に正確に 配置するようにロボット装置がプログラムされている。手動操作の装置が用いら れる場合、アームがストップに当たり、アームが適切に配置されてウェハ５１１ をサセプタ４０２から持ち上げるかまたはウェハ５１１をサセプタ４０２に配置 するように、ウェハ取扱いアームの動きを制限するべ（、機械的なストップが配 置されている。このように、何れの装置を用いる場合でも、ウェハ５１１をサセ プタ４０２の上に配置するための良好な制御が行われる。
一旦、ウェハ５１１がウェハ支持ピン５１３の上に配置されると、ウェハ取扱い アームは反応チャンバ４０３から除去され、ドア４１３が閉鎖される。サセプタ ４０２は、ウェハ５１１を処理する間サセプタ４０２が保持される位置へ上昇さ せられる（第５Ｆ図）。サセプタ４０２が上昇したとき、取着ロッド５１２は開 口部５３１、う３２、及び５３３を通して後退する。ウェハ支持ピン５１３は開 口部５３３を通して後退する。実際には、ウェハ支持ピン５１３は、ウェハ支持 ピン５１３の先細りとなった端部が開口部５３３の先細りとなった区分内に配置 されるように後退する。この時点で、ウェハ支持ピン５１３はその上にウェハ５ １１が取り付けられるサセプタ４０２の表面と同一平面にあり、ウェハ５１１が サセプタ４０２の上に配置された状態となる。第１１Ａ図は、サセプタ４０２の 開口部５３３の先細りとなった区分内に配置されたウェハ支持ピン５１３の詳細 断面図であり、この時点で取着ロッド５１２は、ウェハ支持ビン５１３が開口部 ５３３の先細りとなった区分内に配置されるように十分に後退している。
第１１Ｂ図は、本発明の他の実施例に基づくウェハ支持ピン１１１３の詳細断面 図であり、この時点で取着ロッド分後退している。ウェハ支持ピン１１１３は円 筒形のヘッドを備えており、この円筒形のヘッドはサセプタ１１０３に形成され た円筒形の凹部１１３３ａ内に配置されている。
ウェハ支持ピン１１１３もまた、サセプタ１１０３に形成された開口部１１３３ ｂを貫通する円筒形のシャフトを有する。円筒形の凹部が、円筒形のシャフトに 形成されており、このシャフト内には取着ロッド１１１４が延出している。代わ りに、円筒形のシャフトはより小さい直径を有するように形成されかつ凹部を備 えず、取着ロッド１１１４の代わりとなる対応するシャフト内に形成された凹部 内に延出してもよい。取着ロッド１１１４及びウェハ支持ピン１１１３は、ウェ ハ支持ピン５１３及び取着ロッド５１２について上述されたように動作する。
第１１Ｃ図は、本発明の他の実施例に基づくウェハ支持ピン１１２３の詳細断面 図であり、この時点で取着ロッド１１２２はウェハ支持ピン１１２３が配置され るように十分後退している。ウェハ支持ピン１１２３は円筒形であり、かつ円錐 形の頭部に形成された窪みを有する。ウェハ支持ピン１１２３はサセプタ１１０ ４に形成された円錐形の凹部１１４３ａに配置されている。取着ロッド１１２２ は、サセプタ１１０４を貫通して形成された開口部１１４３ｂ内に延在し、かつ ウェハ支持ピン１１２３に形成された窪みに嵌合している。取着ロッド１１２２ 及びウェハ支持ピン１１２３は、ウェハ支持ピン５１３及び取着ロッド５１２に ついてこれまで説明されたように動作する。
ウェハ支持ピン５１３．１１１３、及び１１２３は、石英ガラス、シリコンカー バイド、または黒鉛から形成される。好ましくは、ウェハ支持ピン５１３．１１ １３及び１１２３はウェハ支持ピン５１３．１１１３、及び１１２３の熱伝達特 性がサセプタ４０２．１１０３、及び１１０４の熱伝達特性と等しくなるように 、対応するサセプタ４０２．１１０３、及び１１０４（または少なくともウェハ 支持ピン５１３．１１１３、及び１１２３を囲繞するサセプタ４０２．１１０３ 、及び１１０４の領域）と等しい材料から形成される。ウェハ支持ピン５１３． １１１３、及び１１２３は各々、サセプタ４０２．１１０３、及び１１０４の開 口部の凹部内に密着して配置されなければならなず、これによって反応ガスが開 口部内に流れ込むことが防止される。
以下により詳しく説明されるように、ウェハの寸法が異なる場合、各ウェハの寸 法に対してウェハがサセプタ４０２の異なる位置に配置されるので、異なるサセ プタ４０２が必要となる。更に、取着ロッド５１２、ウェハ支持ピン５１３、及 び開口部５１３．５３２、及び５３３の個数及び位置が、使用される特定のサセ プタ４０２に応じて変化する。従って、異なる寸法のウェハを上昇及び下降させ るために、異なる取着ロッド５１２が用いられる。
寸法の異なる各ウェハに対する取着ロッド５１２の位置が第５Ｄ図に表されてい る。１２５ｍｍ（５インチ）、１５０＋＋＋ｍ（６インチ）及び２００１１ＩＩ １１（８インチ）ノウエハニ対して、取着ロッド５１２ｂ、５１２ｄ、及び５１ ２ｅが用いられている。所望に応じて取着ロッド５１２ａ、５１２ｂ、５１２ｅ 、　及び５１２ｄが２００＋ｏｍ（８インチ）のウェハに用いられる。２５０ｍ ｍ（１０インチ）のウェハに対して、取着ロッド５１２　ａ、５１２　ｃ、５１ ２　ｆ、及び５１２ｇが用いられている。３００１１１ｍ（１２インチ）のウェ ハに対して、取着ロッド５１２ｆ、５１２ｇ、５１２ｈ。
及び５１２１が用いられている。
以下により詳しく説明されるように、本発明の他の実施例では、ウェハ囲繞リン グがサセプタに形成されたポケット内に配置され、ポケット内に配置された各ウ ェハ囲繞リングが、少なくともウェハの一部の下に配置される。これらの実施例 では、ウェハ支持ピンは上述されたウェハ支持ピンと同様に形成され、サセプタ が下降したとき、ウェハ囲繞リングと接触しかつウェハ囲繞リングを持ち上げる 。
次に、ウェハがウェハ囲繞リング内に配置され、サセプタが上昇し、ウェハがウ ェハ囲繞リングと密着する。ウェハを処理した後に、サセプタは再び下降し、ウ ェハ支持ピンがウェハ囲繞リングをサセプタの上に持ち上げる。ウェハ囲繞リン グは少なくともウェハの一部分の下に配置されているので、ウェハもまたサセプ タの上に上昇し、ウェハを反応チャンバから容易に取り除くことができる。
第１１Ｄ図は、３枚のウェハを保持するための本発明に基づくサセプタ１１０２ の平面図である。以下により詳しく説明されるウェハ囲繞リング１１０１　ａ、 １１０１ｂ。
及び１１０１ｃは、サセプタ１１０２の対応するポケット内に配置されている。
サセプタ１１０２はサセプタ支持部９１６の上に載置されている。
第１１Ｅ図は、サセプタ支持ビン１１１２　ａ、１１１２ｂ、１１１２ｃ、及び １１１２ｄによってサセプタ１１０２の上に持ち上げられたウェハ囲繞リング１ １０１ａの概略断面図である。サセプタ支持部９１６は図を明瞭にするために第 １１Ｅ図では省略されている。ウェハ支持ピン１１１２　ａ、１１１２　ｂ、１ １１２　ｃ、及び１１１２ｄは、支持ピンプレート１１１５と一体形成されてい る。代わりに、ウェハ支持ピン１１１２　ａ、１１１２　ｂ、１１１２　ｃ。
及び１１１２ｄはウェハ支持ピンプレート１１１５に溶接されるかまたは支持ビ ンプレート１１１５に形成された開口部に螺合されてもよい。支持ビンプレート １１１５は、ナツト及びボルトによって容器４０１の底壁４０１ａに固着される か、または底壁４０１ａにピンを用いて留められる。ある実施例では、各ウェハ 囲繞リング、例えばウェハ囲繞リング１１０１ａの裏側面には、サセプタ１１０ ２が下降したときに対応するウェハ支持ピン、例えばウェハ支持ピン１１１２　 ａ、１１１２　ｂ、１１１２　ｅ、　及び１１１２ｄが取着される窪みが形成さ れており、ウェハ支持ピン１１１２　ａ、１１１２　ｂ、１１１２　ｃ、及び１ １１２ｄがウェハ囲繞リング１１０１ａと接触する。これに対応して、各ウェハ 支持ピン、例えばウェハ支持ピン１１１２ａ、１１１２　ｂ、１１１２　ｃ、及 び１１１２ｄの各々は、ウェハ囲繞リング１１０１ａに形成された対応する窪み に嵌合する円錐形の頭部を備えている。ウェハ支持ピン１１１２　ａ。
１１１２　ｂ、１１１２　ｃ、　及び１１１２ｄは、石英ガラス、黒鉛、セラミ ック、またはステンレス鋼から形成されている。図には４個のウェハ支持ピンが 表されているが、３個または５個もしくはそれ以上の個数のウェハ支持ピンを用 いることもできる。
第５Ｅ図及び第５Ｆ図に表されているように、サセプタ支持構造の概ね全ての部 分が反応チャンバ４０３内に配置されることはない。シャフト５１６のわずかな 部分及び環状シャフト４１９のある部分（サセプタ４０２の位置によって変わる ）が、反応チャンバ４０３内に配置される。シャフト５１６の中間部分は、石英 ガラス被覆５０７によって囲繞されており、この中間部分はまた、シャフト４１ ６及びシャフト５１６の底部部分を反応チャンバ４０３に対して密閉している。
抵抗加熱器４０７はサセプタ４０７と共に上昇及び下降するので、サセプタ４０ ２が第５Ｅ図の下降位置にあるとき、または第５Ｆ図の上昇位置にあるときに、 サセプタ支持構造の概ね大部分が反応チャンバ４０３内に配置されることはない 。
重要なことであるが、電動機４１５及び４１７（第４Ａ図及び第４Ｂ図）が反応 チャンバ４０３の外側に配置されている。サセプタ４０２を支持し、かつ移動さ せるための構造の構成要素の大部分が、反応チャンバ４０３の外側に配置されて いるので、従来の反応炉と比べ、望まれないプロセスガスの堆積が形成される表 面が少なくなる。従って、反応炉４００を連続して用いる間に、ウェハ５１１に 堆積されたある材料からなる層に悪影響を及ぼし、または反応炉４００の加熱特 性を変える、汚染が少なくなる。これまで説明されたように、サセプタ４０２を 回転させることができる。サセプタ４０２は時計方向もしくは反時計方向に回転 させることができる。サセプタ４０２が回転することによって、　（サセプタ４ ０２の回転の軸と一致する点を除く）ウェハ５１１の表面の各点の位置が反応炉 ４００の動作中に、ウェハ５１１を通過するガス流の平均的な向きに対して連続 的に変化する。従って、ウェハ５１１の断層及びずればかりでなく、ウェハ５１ １に堆積された膜の不均一性を発生させる熱またはガスの分布の不均一性の影響 が概ね除去される。ウェハを特定の位置に配置した場合に比べ、サセプタを回転 させることによって、熱の不均一性を除去し若しくはガスをウェハ５１１（第５ Ｆ図）の上側面５１１ａに亘って分布させることができる。典型的には、サセプ タ４０２は０．　５〜３０ｒｐｍの速度で回転する。
正確な速度は、反応炉４００が特定の用途のために設計された後に、　“回転“ 反応炉４００の過程の一部として実験的に決定される。
第５Ｅ図及び第５Ｆ図に表されているように、抵抗加熱器４０７は環状シャフト ４１９に取着されており、抵抗加熱器４０７はサセプタ４０２の下の近傍に配置 されている。
サセプタ４０２が回転することによってサセプタ４０２と抵抗加熱器４０７との 間に摩擦が生じ、この摩擦によって望まれない粒子が発生し、かつサセプタ４０ ２若しくは抵抗加熱器４０７が損傷される可能性があるために、抵抗加熱器４０ ７とサセプタ４０２は接触させることができないが、理想的には、抵抗加熱器４ ０７とサセプタ４０２との間は最小の間隔を置いて配置されていることが好まし い。
ある実施例では、抵抗加熱器４０７は、サセプタ４０２の下に１．　３ｃｍ（０ ，５インチ）離れて配置されている。抵抗加熱器４０７は、反応チャンバ４０３ 内でサセプタ４０２が上または下に移動するときに、サセプタ４０２と共に上ま たは下に移動するので、抵抗加熱器４０７は、反応チャンバ４０３内のサセプタ ４０２の位置とは無関係に、所定の電力レベルに対して、ウェハ５１１に等しい 熱量を提供する。
反応チャンバ４００内でのウェハの処理を開始する時点で、ウェハ５１１の温度 をウェハの過度の応力を発生させることなしに、できるだけ迅速かつ均一に上昇 させるべくランプ５０５及び抵抗加熱器４０７が熱を供給する。異なる熱量が、 ランプ５０５及び抵抗加熱器４０７の各々によって供給される。ランプ５０５及 び抵抗加熱器４０７によって供給される熱量は、先行する温度校正に基づいて予 め決定されている。反応炉４００内の温度が、センサ、例えば熱電対５２５によ って測定された反応炉の動作温度の範囲内に達したときに、ランプ５０５の集合 及び抵抗加熱器４０７は別個に、反応炉４００内の測定された温度に基づいて制 御され、ウェハ５１１がプロセス温度にさらされたときに、ウェハ５１１全体の 温度を概ね均一に保つべく必要な様々な熱量を供給する。
複数の５ＣＲ（ｓｉｌｉｃｏｎ　ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄｒｅｃｔｉｆｉｅｒｓ） が、両方の熱源に供給される電流を制御し、各熱源からの熱量を制御する。第４ Ａ図、第４Ｂ図、第５Ａ図、第５Ｂ図、第５Ｃ図、第５Ｄ図、第５Ｅ図、及び第 ５Ｆ図に表された本発明の実施例では、７個のＳＣＲが用いられている。５ＣＲ Ｉ及び５ＣＲ２は、抵抗加熱器４０７を制御している。抵抗加熱器４０７が発生 する熱量は、抵抗加熱器４０７の発熱要素に印加される電圧及び発熱要素に流れ る電流の大きさに比例するので、５ＣＲＩ及び５ＣＲ２は、抵抗加熱器の発熱要 素を流れる電流を変化させ、抵抗加熱器４０７によって供給される熱量を減少も しくは増加させる。５ＣＲ３〜５ＣＲ７は各々、ランプ５０５の集合を制御する 。各ランプ５０５から放射される放射エネルギーは、ランプ５０５に印加された 電圧及びランプ５０５を流れる電流に比例する。従って、各５ＣＲ３〜７ＳＣＲ は、関連するランプ５０５の電流を制御し、これらのランプ５０５によって供給 される熱量を調節する。
第１２Ａ図は、本発明のある実施例に基づくランプ５０５のランプアレイ１２０ ０の概略平面図である。既に明らかなように、１６個のランプ５０５、即ち、５ ０５ａ、５０５ｂ、５０５ｃ、５０５ｄ、５０５ｅ、５０５ｆ、５０５ｇ、５０ ５ｈ、５０５４，５０５ｊ、５０５に、５０５１．５０５　ｍ、５０５　ｎ、５ ０５　ｏ、及び５０５ｐが存在する。１６個のランプ５０５によって５つの集合 が形成さ・　れている。５ＣＲ３は２個の両側のランプ５０５ａ及び５０５ｂに 電力を供給している。５ＣＲ４は、ランプ５０５の中央の行の４個の外側のラン プ５０５　ｃ、５０５　ｄ、５０５ｍ、　及び５０５ｐに電力を供給している。
５ＣＲ５は、ランプ５０５の中央の行の中心部分のランプ５０５ｅ及び５０５ｆ に電力を供給している。５ＣＲ６は、ランプ５０５ｇ、５０５ｉ−０５０５ｊに 電力を供給し、５ＣＲ７は、ランプ５０５に、、５０５１，５０５ｎ、及び５０ ５０に電力を供給している。
本発明に基づけば、ランプ５０５は、並列接続若しくは直列接続と並列接続の組 合せで接続される。本発明の好適な実施例では、全てのランプ５０５は並列接続 さ娠４８０ｖの電源から電力を供給される。即ち、２個のランプを直列接続して すべてのランプを接続する場合、ランプ５０５を点灯させるためには９６０Ｖの 電源を使用することが必要となる。
反応炉４００の動作中に、ランプ５０５と抵抗加熱器４０７によって供給される 熱量を調節するべく、ランプ５０５と抵抗加熱器４０７はコンピュータによって 制御される。
動作の開始時点で、反応炉４００が加熱されるとき、コンピュータは、コンピュ ータ内に記憶されたパラメトリックな情報及び反応炉４００に対して前もって実 施された温度校正に基づいてランプ５０５の各集合及び抵抗加熱器を自動的に制 御する。校正から得られたパラメトリックな情報は、ＳＣＲ及び抵抗加熱器の電 流を変化させるためにコンピュータによって使用され、ウェハ５１１を始めに加 熱する間ニウエハ５１１全体のほぼ均一な温度を保持するために必要な適切な各 時刻の空間的な熱の分布を形成する。
コンピュータによる制御によって、ウェハ５１１を始めに加熱する間の、様々な 電力の上昇率が達成される。本発明のある実施例では、計算機を適切に予めプロ グラムすることによって、ウェハ５１１を始めに加熱する間に３０種類までの電 力の上昇率が達成される。使用される電力の上昇率は、反応炉４００の複数の試 験運転から実験的に決定され、ウェハ５１１の温度をほぼ均一に保ち、処理過程 に対して適切な場合、ウェハのずれが最小となる。
反応チャンバ４０３内の温度が、使用されている温度センサが正確に動作する温 度のレベルに達したとき（例えば、温度センサとして熱電対５２５が用いられる 場合８００〜１１００℃）、コンピュータは上述された自動制御からフィードバ ック制御に制御を切り替える。検出された温度はコンピュータによってモニタさ れ、かつランプ５０５及び抵抗加熱器４０７に関する記憶されたパラメトリック な情報に基づいて、ランプ５０５及び抵抗加熱器４０７が発生する熱を適切に制 御するべく　ＳＣＲ及び抵抗加熱器４０７を適切に調節するために用いられ、ウ ェハ５１１全体の温度分布を予め決められた範囲内に保持する。全てのランプ５ ０５の電力は同時に増加若しくは減少させられるが、ランプ間の電力の比は固定 されており、概ね１以外の値に固定されており、ランプ５０５の電力を増加させ ることによって、個々のランプの集合の電力は、ランプの集合の（校正時に）予 め決められた電力の比に基づいてそれぞれ異なる量だけ増加する。
第１２Ａ図のランプ５０５の中央の列の側面図が、第５Ａ図に表されている。列 の中心近く（及びサセプタ４０２の中心部分の上）のランプ５０５、例えばラン プ５０５ｅ及び５０５ｆは、列の両端のランプ５０５、例えばランプ５０５Ｃ及 びランプ５０５ｄよりも、サセプタ４０２の表面、従ってウェハ５１１の表面５ １１ａ　（第５Ｆ図）から離れて配置されている。従って、ウェハのエツジ５１ １Ｃでの熱の損失を補い、かつウェハ５１全体の温度を均一に保つべく、より多 くの熱がエツジ５１１ｃ　（第５Ｆ図）に供給されるように、ランプ５０５Ｃ及 び５０５ｄがランプ５０５ｅ及び５０５ｆよりも多くの熱を供給するように動作 することが予測されるにも関わらず、ランプ５０５ｅ及び５０５ｆからの熱は、 ウェハ５１１の表面に吸収される前に、ランプ５０５ｅ及び５０５ｄから放射さ れた熱に（らべより長い距離を移動しなければならないので、ランプ５０５ｃ及 び５０５ｄがより多くの熱を発生させる必要はない。
抵抗加熱器４０７を用いず、かつ受動熱分配要素７２７（第７Ｅ図）を含む反応 炉４００の実施例では、ウェハ５１１を始めに加熱する間、ランプ５０５　ａ、 ５０５　ｂ、５０５ｃ及び５０５ｄ　（第５Ａ図及び第５Ｂ図）は、ウェハ５１ １のエツジ５１１ｃに向けられ、ウェハ５１１の中心付近の領域に向けられたラ ンプ５０５ｅ及び５０５ｆよりも、およそ２０〜３０％大きいエネルギーを放射 するように制御されている。反応チャンバ４０３がプロセス温度に近づいたとき 、ランプ５０５　ａ、５０５　ｂ、５０５　ｃ及び５０５ｄは、ランプ５０５ｅ 及び５０５ｆのおよそ２倍のエネルギーを放射するように制御される。他のラン プ５０５は、ランプ５０５　ａ、５０５　ｂ、５０５　ｃ、及び５０５ｄと、ラ ンプ５０５ｅ及び５０５ｆとのエネルギーレベルの間にあるエネルギー量を放射 するように制御されている。
他のランプ５０５によって放射されるエネルギーの正確な量は、ウェハのずれを 最小にし、かつ受容可能な均一な抵抗率を生み出すように実験的に決定されてい る。ランプの各集合から放射されるエネルギーの量の上述された関係は、ウェハ ５１１が加熱されているとき、ウェハ５１１全体（または複数のウェハが処理さ れている場合には各ウェハの全体）の温度が概ね均一となるような関係となって いる。
受動熱分配要素７２７の代わりに、抵抗加熱器４０７（第４Ａ図、第４Ｂ図、第 ５Ｅ図及び第５Ｆ図）を含む本発明の他の実施例では、特定のランプ５０５の放 射エネルギーの間には同様の関係が存在する。適切な電力の比が、いくつかの校 正を実施することによって実験的に決定される。抵抗加熱器４０７が存在しない かまたは動作してぃない実施例と比べ、中心のランプ５０５　ｅ、５０５　ｆは 、外側のランプ５０５　ａ、５０５　ｂ、５０５　ｃ及び５０５ｄよりも多くの エネルギーを放射することが予測される。
第１２Ａ図に表されたランプアレイ１２００が、抵抗加熱器４０７を備えた実施 例若しくは備えていない実施例の何れにも設けられていることが注目される。ラ ンプアレイ１２００が何れの実施例でも等しく配置され、ウェハ５１１全体に亘 って概ね均一な温度が保持されるように、ランプ５０５の各集合の適切な電力比 を確定するための温度校正を実施することのみが必要である。
更に、反応炉４００よりも大きい本発明に基づく反応炉は、ランプアレイ１２０ ０を使用し、ウェハの概ね均一な温度を達成するべくランプの適切な電力比を決 定するために温度校正を実施することのみが必要である。そのような大型の反応 炉は、反応炉４００が処理することのできるウェハよりもより大型なウェハまた は同時に所定の寸法の複数のウェハを処理するために用いられる。
代わりに、反応炉４００よりも十分に大きい反応炉では、ランプアレイ１２００ に更にランプを加えることができる。
例えば、１個または複数のランプが、ランプアレイ１２００の両側、即ちランプ ５０５　ａ、５０５　ｂ、５０５　ｃ及び５０５ｄに隣接して配置される。更に 、反応炉４００よりも大型の反応炉では１、ランプアレイ１２００の両端に順番 にランプが加えられたとき、隅に発生する“ギャップ”にランプを配置するべく 、対角線上に配置されたランプが、ランプアレイ１２００の隅に加えられる。上 述された全てのランプアレイに対して、ウェハ５１１の処理が実施される間、ウ ェハ５１１の概ね均一な温度を達成するためのランプ５０５に対する適切な制御 を決定するために、校正が実施される。
第１２Ｂ図は、本発明の他の実施例に基づくランプアレイ１２５０の概略平面図 である。ランプ１２５０ａ〜１２５０ｒは、ウェハが配置されているサセプタ１ ２０２の表面と直交する方向から眺めたとき、サセプタ１２０２の手前に延在す る行に配置されている。ランプ１２５０ｓ及び１２５０ｔは、ランプ１２５０　 ａ　〜１２５　Ｏｒの行の一方の側面に、行と直角に配置されており、ランプ１ ２５０ｕ及び１２５０ｖは、ランプ１２５０ａ〜１２５Ｏｒの行のもう一方の側 面に行と直行して配置されている。１２５０Ｗ〜１２５０ｚの各ランプは、ラン プアレイ１２５０の各隅に存在する“ギャップ“に対角線上に配置されている。
本発明の他の実施例では、サセプタ４０２の下に配置された抵抗加熱器４０７を 用いる代わりに、誘導コイルを含むラジオ周波数（ＲＦ）熱源がサセプタ４０２ の下に配置されている。第１３Ａ図及び第１３Ｂは各々、本発明の実施例に基づ くサセプタ４０２の下に配置された誘導コイル１３１１の側面図及び平面図であ る。コイル１３１１は、サセプタ４０２の面と概ね平行な面内に配置されている 。
第１３Ａ図に表されているように、コイル１３１１の巻線は、サセプタ４０２か ら様々な距離に配置されている。サセプタ４０２のエツジ部分では、コイル１３ １１の巻線はサセプタ４０２の近傍に配置されている。サセプタ４０２の中心に 向かうに従って、コイル１３１１の巻線はサセプタ４０２から遠ざけられて配置 されている。サセプタ４０２の中心付近では、コイル１３１１の巻線は再びサセ プタ４０２の近傍に配置されている。
コイル１３１１に電流が流れるとき、コイル１３１１の近傍に電磁界が誘導され る。一方、この電磁界によってサセプタ４０２に電流が誘導される。この電流に よってサセプタ４０２が加熱される。一般によく知られているように、サセプタ ４０２に分布する電流（及び熱の分布）は、コイル１３１１の巻線間の距離と、 コイル１３１１の巻線とサセプタ４０２との間の距離と、コイル１３１１を流れ る電流の周波数との関数となっている。従って、これらの変数は、サセプタ４０ ２の所望の温度分布を達成するように設定されている。
ＲＦ熱源が用いられる場合、サセプタ４０２は、コイル１３１３を流れる交流電 流によって誘導される電磁界からのエネルギーを吸収するべく（石英ガラスでは なく）黒鉛から形成されなければならない。黒鉛によって形成されたサセプタ４ ０２は、サセプタ４０２の上に配置されたウェハ５１１を加熱するエネルギーを 吸収するので、抵抗加熱器４０７と石英ガラス製のサセプタ４０２の組合せが用 いられている場合よりも、所望の温度レベルを達成するためにより長い時間が必 要となる。
反応炉４００は、１枚のウェハまたは複数のウェハを処理するために用いられる 。処理される１枚のウェハ若しくは複数のウェハがサセプタの凹部に配置される ので、異なる寸法のウェハに対して、凹部の個数及び寸法の異なるサセプタ、例 えばサセプタ４０２を用いることが必要である。
更に、サセプタ４０２の上に異なる寸法のウェハを上昇させるために異なる個数 のウェハ支持ビン５１３（第５Ｅ図及び第５Ｆ図）が用いられるので、異なるサ セプタ４０２が必要となる。
典型的には、異なるサセプタを用いることによって、ウェハの高いスループット を得ることは制限されない。その理由は、特定のウェハの寸法に対するバッチは 、通常順番に処理され、必要となるサセプタを交換する回数が最少となっている ためである。各サセプタ、例えばサセプタ４０２は、その直径が３５．６ｃａ＋ （１４インチ）であり、その厚さは（ウェハを収容するための凹部以外では）約 ０．　９５〜１．　２７ｃｍ　（０，３７５〜０．　５インチ）である。
サセプタ４０２は石英ガラスから形成されてもよい。サセプタ４０２が、石英ガ ラスから形成されている場合、ランプ５０５に面したサセプタ４０２の表面は、 保温性を増加させるためにビードブラストされている。抵抗加熱器４Ｏ７または 受動熱分配要素７２７に面したサセプタ４０２の表面は、炎研磨（ｆｌａｍｅ　 ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）または機械研磨によって洗浄され、ウェハ５１１への熱が サセプタ４０２を通してより多く伝達されることになる。
サセプタ４０２の下に配置された熱源が抵抗加熱器４０７からなる本発明の前記 実施例では、サセプタ４０２は、抵抗加熱器４０７からの熱をほとんど吸収する ことのない石英ガラスから形成されていることが好ましい。大部分の熱が、石英 ガラスを通してウェハ５１１に伝達されるために、１枚のウェハまたは複数のウ ェハが比較的迅速に（１５〜３０秒で）加熱される。
ＲＦ熱源がサセプタ４０２の下に配置されている本発明の実施例では、サセプタ ４０２は、ＲＦエネルギーを吸収し、かつウェハ５１１に伝達される熱を発生す る黒鉛によって形成されていなければならない。サセプタ４０２が黒鉛から形成 されている場合、サセプタ４０２はウェハ５１１がサセプタ４０２の上に配置さ れたとき炭素によってウェハ５１１が汚染されることを防止するべく、サセプタ ４０２はシリコンカーバイドの薄い膜によって被覆されている。
これまでの説明からも明らかなように、ウェハ５１１の全体に亘って均一な温度 を保持することは、ウェハ５１１を正確に処理するために重要である。特に、ウ ェハ５１１の端部５１１ｃで。は、反応チャンバ４０３内の周囲温度の雰囲気へ のウェハ５１１の熱の放散は、エツジ５１１Ｃでの大きい熱の変化を形成し、エ ピタキシャル層の“ずれ”と呼ばれる好ましくない現象を生み出す。従って、ウ ェハ５１１のエツジ５１１Ｃの温度を調節する手段が特に必要となる。
第１４Ａ図及び第１４Ｂ図は各々、本発明のある実施例に基づく、ポケット１４ ０３内にウェハ囲繞リング１４０１及びウェハ１４０４が配置されるサセプタ４ ０２の平面図及び側面図である。ウェハ囲繞リング１４０１の中心には開口部が 形成されている。棚が開口部に隣接して形成され、かつウェハエツジ接触面１４ ０１ｆとウェハ背面接触面１４０１ｅとによって画定されている。ウェハ囲繞リ ング１４０１は、ウェハ囲繞リング１４０１のウェハ背面接触面１４０１ｅがス ピンドル１４０２のウェハ背面接触面１４０２ａとほぼ同一平面となるように、 スピンドル１４０２の周りに配置されている。
スピンドル１４０２は、サセプタ４０２と一体形成されるかまたはポケット１４ ０３内に配置される別個の部品として形成されてもよい。以後、本発明の詳細な 説明では、“スピンドル”は、サセプタのポケットの中心に配置され、かつサセ プタと一体的に形成されたまたは別個に形成された構成要素を表している。　″ サセプタインサート”は、サセプタのポケットの中心に配置され、かつサセプタ とは別個に形成された構成要素を表している。更に、本明細書で典型的に用いら れているように、　“スピンドル”は、　“サセプタインサート”よりも大きな 厚さを有する構成要素を表し、しかし、これはある場合では必ずしも必要なこと ではなく、スピンドル及びサセプタインサートが等しい厚さを有してもよい。一 般的に、　′スピンドル”と“サセプタインサート”は、概ね等しい構成要素を 表し、　“スピンドル”若しくは“サセプタインサート２を用いることによって 、任意の厚さを備え、かつサセプタと別個に形成された構成要素若しくはサセプ タと一体形成された構成要素を表している。
ウェハ１４０４は、ウェハ囲繞リング１４０１のウェハ背面接触面１４０１ｅ及 びスピンドル１４０２のウェハ背面接触面１４０２ａの上に配置されており、ウ エノ）１４０４の上側面１４０４ａはウェハ囲繞リング１４０１の環状の上側面 １４０１ｄよりわずかに低い位置に配置されている。
ウェハ囲繞リング１４０１は、アメリカ合衆国ミシガン州ミツドランドのミツド ランド・マテリアルス・リサーチ（Ｍｉｄｌａｎｄ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　Ｒｅ ５ｅａｒｃｈ）から入手することができる。ウェハ囲繞リングは、黒鉛またはシ リコンカーバイドのような比較的低い熱伝導率を有する材料から形成されている 。ウェハ囲繞リングが黒鉛から形成されている場合、ウェハ囲繞リング１４０１ はシリコンカーバイドによって被覆されている。シリコンカ−バイトは、黒鉛が 剥離することによるウェハ表面への炭素の混入を防止するので、シリコンカーバ イドによって、粒子による汚染が最小となる。シリコンカーバイドの被膜は、黒 鉛から炭素が剥離することによるウェハ１４０４の汚染を防ぐために十分な厚さ を有するように形成されている。シリコンカーバイドの被膜の正確な厚さは、ミ ツドランド・マテリアルス・リサーチの専有の情報である。
本発明の更に他のいくつかの実施例では、様々な構成要素、例えばウェハ囲繞リ ング、スピンドル、及びサセプタインサートが黒鉛から形成されている。これら の構成要素の内の１つが黒鉛から形成されている場合、その構成要素を上述され た理由から、上述されたようにシリコンカーバイドで被覆することが好ましい。
例えば、２００１１１０１（８インチ）のウェハを保持するために十分な大きさ を有するポケット１４０３を備えた直径３５６＋＋＋ｍ（１４インチ）のサセプ タ１４０２では、ウェハ囲繞リング１４０１の環状の上側面１４０１ｄの幅１４ ０１ａは、３．　１８＋＋＋＋ａ（０，１２５インチ）であり、ウェハ１４０４ の下のウェハ囲繞リング１４０１の厚さ１４０１ｂは２．５４ｍ＋ｏ（０，１０ インチ）であり、ウェハ囲繞リング１４０１の外側エツジ面１４０１ｇと内側エ ツジ面１４０１ｈとの間の幅１４０１ｃは、１５．２ｍ＋ｏ（０，６０インチ） である。幅１４０１　ａ、厚さ１４０１ｂ及び幅１４０１ｃはその他の値であっ てもよい。
スピンドル１４０２は、黒鉛、シリコンカーバイドまたは石英ガラスから形成さ れる。黒鉛及びシリコンカーバイドは、ウェハ１４０４の裏側面１４０４ｂへの 熱の伝達をより大きくし、かつウェハ１４０４の裏側面１４０４ｂからの熱の伝 達を防止するために望ましいものである。石英ガラスは、ウェハ１４０４の裏側 面１４０４ｂへ熱をほとんど伝達せず、かつウェハ１４０４の裏側面１４０４ｂ からの熱の伝達を防止する。しかし、熱の損失は、主にウェハ１４０４のエツジ 部分１４０４ｃで問題となるので、スピンドル１４０２、即ちウェハ１４０４の 中心部分の下に石英ガラスを用い、かつウェハ囲繞リング１４０１、即ちウェハ １４０４のエツジ部分１４０４ｃの下及び周囲に、黒鉛若しくはシリコンカーバ イドを用いることによって、ウェハ１４０４の好ましい温度の均一性が提供され る。
ウェハ囲繞リング１４０１　（及び以下に説明される本発明の他の実施例に基づ くウェハ囲繞リング）は、ウェハ１４０４をサセプタ４０２のポケット１４０３ 内の定位置に保持する。特に、ウェハ１４０４のエツジ部分１４０４ｃの周囲に ウェハ囲繞リング１４０１を配置することによって、ウェハ１４０４のエツジ部 分１４０４ｃ付近の温度を、ウェハ１４０４の他の部分の温度と概ね等しくする ことができる。
第１４Ｃ図は、本発明の他の実施例に基づく、ポケット１４０３内にウェハ囲繞 リング１４０１、サセプタインサート１４１７、スピンドル１４１２及びウェハ １４０４が配置されたサセプタ４０２の断面図である。ウェハ囲繞リング１４０ １がポケット１４０３の定位置に配置された後に、サセプタインサート１４１７ は、ウェハ囲繞リング１４０１の中心にウェハ囲繞リング１４０１を貫通して形 成された開口部内のポケット１４０３内の定位置に配置される。サセプタインサ ート１４１７の厚さの３倍の厚さを備えたスピンドル１４１２が、ウェハ囲繞リ ング１４０１の開口部内でサセプタインサート１４１７の上に配置され、スピン ドル１４１２のウェハ接触面１４１２ａが、ウェハ囲繞リング１４０１のウェハ 接触面１４０１ｅと概ね同一平面に配置される。ウェハ１４０４は、ウェハ囲繞 リング１４０１のウェハ接触面１４０１ｅとスピンドル１４１２のウェハ接触面 １４１２ａとの上のウェハ囲繞リンク１４０１内に配置されている。
スピンドル１４１２及びサセプタインサート１４１７は、石英ガラス、シリコン カーバイドまたは黒鉛から形成される。典型的には、スピンドル１４１２とサセ プタインサート１４１７の一方が石英ガラスから形成され、もう一方が黒鉛また はシリコンカーバイドから形成される。
サセプタインサート１４１７は、硬質のプレートまたは柔軟な布から形成されて もよい。本発明のある実施例では、サセプタインサート１４１７はシリコンカー バイドで被覆された板状のプレートからなり、全体の厚さは約３．１８ｎ＋ｍ（ ０，１２５インチ）である。
本発明の他の実施例では、サセプタインサート１４１７は、厚さ０．００２５　 ｍｍ　（０，０００１インチ）から３゜１８ｍｍ（０，１２５インチ）の板状の シリコンカーバイドから形成されている。シリコンカーバイド製のプレートは、 上述された黒鉛製のプレートよりも薄いものであってよく、この理由はプレート が、本発明に基づく反応炉を用いる製造過程の高温度にさらされたとき、シリコ ンカーバイド製のプレートが黒鉛製のプレートよりも湾曲に対する耐性が高いた めである。薄いシリコンカーバイド製のプレートによって、ウェハ１４０４をよ り急速に加熱及び冷却することが可能となる。しかし、黒鉛製のプレートの製造 コストはシリコンカーバイド製のプレートの製造コストよりも低い。
本発明の更に他の実施例では、サセプタインサート１４１７はシリコンカーバイ ド製の布からなる。シリコンカーバイド製の布はシリコンカーバイド製のプレー トよりもその製造コストが低いが、しかしプレートと比べより多くの粒子による 汚染を生み出す。
第１４Ｄ図は、本発明の他の実施例に基づくサセプタ４０２のポケット１４０３ に配置されたウェハ囲繞リング１４２１と、スピンドル１４２２と、ウェハ１４ ０４の断面図である。ウェハ囲繞リング１４２１は、サセプタ４０２のポケット １４０３のスピンドル１４２２の周囲に配置されている。ウェハ囲繞リング１４ ０１　（第１４Ａ図〜第１４Ｃ図）とは異なり、ウェハ囲繞リング１４１２はそ の中心に形成された自己整合開口部を備えていない。しかし、ウェハ囲繞リング １４２１の内側のエツジ面１４２１ｃ及び外側のエツジ面１４２１ｄは、ウェハ 囲繞リング１４２１の上側面１４２０ａから下側面１４２１ａへ各々延在してい る。ウェハ１４０４は、スピンドル１４２２のウェハ背面接触面１４２２ａの上 に配置されており、かつウェハ囲繞リング１４２１の内側エツジ面１４２１ｃと 、ウェハ１４０４のエツジ１４０４ｃとが接触することによって横方向の定位置 に保持されている。
スピンドル１４２２はサセプタ４０２と一体形成されるかまたは別個の部品とし て形成され、ポケット１４０３内に配置される。スピンドル１４２２は、黒鉛、 シリコンカーバイドまたは石英ガラスから形成されている。スピンドル１４２２ がサセプタ４０２と一体形成されている場合、スピンドル１４２２はサセプタ４ ０２と等しい材料から形成されている。ウェハ囲繞リング１４２１は、シリコン カーバイドまたは黒鉛から形成されている。
第１４Ｅ図は、本発明の他の実施例に基づく、サセプタ４０２のポケット１４０ ３内に配置されたウェハ囲繞リング１４２１、サセプタインサー）１４３７、ス ピンドル１４３２及びウェハ１４０４の断面図である。ウェハ囲繞リング１４２ １はポケット１４０３内に配置されている。サセプタインサート１４３７は、ウ ェハ囲繞リング１４２１を貫通して形成された開口部内に配置されている。スピ ンドル１４３２は、ウェハ囲繞リング１４２１の中心に形成された開口部内のサ セプタインサート１４３７の上に配置されている。ウェハ１４０４は、スピンド ル１４３２のウェハ背面接触面１４３２ａの上に配置され、かつウェハ囲繞リン グ１４２１の内側エツジ面１４２１ｃとウニ１１４０４のエツジ１４０４ｃとが 接触することによって横方向に保持されている。
ウェハ囲繞リング１４２１、サセプタインサート１４３７及びスピンドル１４３ ２は、ウェハ囲繞リング１４０１、サセプタインサート１４１７及びスピンドル １４１２　（第１４Ｃ図）と等しい材料から形成されている。更に、サセプタイ ンサート１４１７と同様に、サセプタインサート１４３７は柔軟な布苦しくは硬 質のプレートの何れか一方によって形成されている。
第１４Ｆ図は、本発明の他の実施例に基づく、サセプタ４０２のポケット１４０ ３内に配置されたウェハ囲繞リング１４４１とウェハ１４０４の断面図である。
ウェハ囲繞リング１４４１はポケット１４０３内に配置されている。
ウェハ背面接触面１４４１ａとウェハエツジ接触面１４４１ｂとによって、ウェ ハ囲繞リング１４４１に凹部が画定されている。ウェハ１４０４は、ウェハ１４ ０４の上側面１４０４　ａが、ウェハ囲繞リング１４４１の上側面１４４１ｃよ りもわずかに低くなるようにウェハ囲繞リング１４４１の凹部内に配置されてい る。ウェハ囲繞リング１４４１は、シリコンカーバイド若しくは黒鉛から形成さ れている。
第１４Ｇ図は、本発明の他の実施例に基づく、サセプタ４０２のポケット１４０ ３内に配置されたサセプタインサー）１４５７、ウェハ囲繞リング１４５１及び ウェハ１４０４の断面図である。サセプタインサート１４５７は、ポケット１４ ０３内に配置され、ポケット１４０３の底面全体を覆っている。サセプタ囲繞リ ング１４５１は、ボケッ）１４０３内のサセプタインサート１４５７の上に配置 されている。ウェハ背面接触面１４５１ａとウェハエツジ接触面１４５１ｂとに よって、ウェハ囲繞リング１４５１内に凹部が画定されている。ウェハ１４０４ は、ウェハ１４０４の上側面１４０４ａが、ウェハ囲繞リング１４４１の上側面 １４５１ｃよりもわずかに低くなるようにウェハ囲繞リング１４５１の凹部内に 配置されている。
ウェハ囲繞リング１４５１は、ウェハ囲繞リング１４４１　（第１４Ｆ図）と等 しい材料から形成される。サセプタインサート１４５７は、黒鉛から形成される 。上述されたように、サセプタインサート１４５７は、柔軟な布若しくは硬質の プレートから形成されている。
第１４Ｈ図は、サセプタ４０２（第１４Ａ図〜第１４Ｇ図）のポケット１４０３ 内に配置される、本発明の他の実施例に基づくウェハ囲繞リング１４０１、スピ ンドル１４３３、サセプタインサート１４１７及びウエノ１１４０４の断面図で ある。第１４Ｂ図に関して既に説明されたように、スピンドル１４３３は別個の 部品として形成されるか、若しくはサセプタ４０２と一体形成される。第１４Ｃ 図のスピンドル１４１２とサセプタインサート１４１７の位置が、第１４Ｈ図の スピンドル１４３３とサセプタインサート１４１７の位置と逆になっていること 以外は、第１４Ｈ図の構成は、第１４Ｃ図の構成と等しい。第１４Ｃ図に関して なされたこれまでの説明は、第１４Ｈ図に関しても適用される。これまで説明さ れたように、スピンドル１４３３及びサセプタインサート１４１７は、任意の所 望の厚さを有してよく、ある実施例では等しい厚さを有する。
第１４Ｉ図は、サセプタ４０２（第１４Ａ図〜第１４Ｇ図）のポケット１４０３ 内に配置される、本発明の他の実施例に基づくウェハ囲繞リング１４０６及びウ ェハ１４０４の断面図である。ウェハ囲繞リング１４６１は、キャビティ１４６ １ａがその裏側面１４６１ｂに形成されている以外は、ウェハ囲繞リング１４４ １　（第１４Ｆ図）と等しい。
キャビティ１４６１ａは、ウェハ１４０４が配置されるウェハ囲繞リング１４６ １の上側面１４６１ｄに形成された凹部１４６１ｃと対称的に形成されているこ とが好ましい。キャビティ１４６１ａはその全体に亘って均一な深さを有し、第 １４Ｈ図の面と直交する方向から眺めた場合、キャビティ１４６１ａは長方形の 断面を有する。ある実施例では、サセプタ４０２のシャフト５１６（第５Ｅ図及 び第５Ｆ図）と平行な方向から眺めた場合、キャビティ１４６１ａが円筒形の形 状を有するようにキャビティ１４６１ａは円形の断面を有するが、しかし他の形 状の断面、例えば正方形を有してもよい。
第１４Ｊ図は、サセプタ４０２（第１４Ａ図〜第１４Ｇ図）のポケット１４０３ 内に配置される、本発明の他の実施例に基づくウェハ囲繞リング１４７１及びウ ェハ１４０４の断面図である。ウェハ囲繞リング１４７１は、キャビティ１４７ １ａがキャビティ１４６１ａとは異なり、その全体に亘って等しい深さを備えて いないこと以外はウェハ囲繞リング１４６１と等しい。キャビティ１４７１ａの 深さは、キャビティ１４７１ａのエツジ部分からキャビティ１４７１ａの中心に 向けて段階的に増加しているので、第１４Ｊ図と直交する方向から眺めた場合、 キャビティ１４７１ａは三角形の形状を有する。ある実施例では、サセプタ４０ ２のシャフト５１６（第５Ｅ図及び第５Ｆ図）と直交する方向から眺めた場合、 キャビティ１４６１ａが円錐形であるようにキャビティ１４７１ａは円形の断面 を有するが、他の断面の形状、例えば正方形を有してもよい。
本発明に基づく他のウェハ囲繞リングには、ウェハ囲繞リング１４６１及び１４ ７１に関して例示された形状以外のキャビティを形成することもできる。一般的 に、キャビティは、ウェハ１４０４の裏側面１４０４ｂ　（第１４Ｂ図）の温度 が均一に保持される任意の形状に形成される。
第１４に図及び第１４Ｌ図は各々、サセプタ４０２（第１４Ａ図〜第１４Ｇ図） のポケット１４０３内に配置される、本発明の他の実施例に基づくウェハ囲繞リ ング１４８１、スピンドル１４０２及びウェハ１４０４の断面図及び平面図であ る。ウェハ１４０４は、ウェハ囲繞リング１４８１を明瞭に表すために第１４Ｌ 図では省略されている。
既に説明されたように、スピンドル１４０２は、サセプタ４０２のポケット１４ ０３内に配置される別個の部品として形成されるかまたはサセプタ４０２と一体 形成される。
ウェハ囲繞リング１４８１及びスピンドル１４０２は、上述されたように、ウェ ハ囲繞リング１４０１及びスピンドル１４０２　（第１４Ａ図及び第１４Ｂ図） を形成する材料から形成されている。
ウェハ囲繞リング１４０８の全体的な形状は、ウェハ囲繞リング１４０１と等し い。しかし、ウェハ１４８１は、そのウェハ背面接触面１４８１ｂに溝１４８１ ａが形成されている。溝１４８１ａは、スピンドル１４０２が配置されるウェハ 囲繞リング１４８１の中心に形成された開口部と同中心に前記開口部の周辺に円 形の形状を有して形成されている。
第１４Ｍ図は、サセプタ４０２（第１４Ａ図〜第１４Ｇ図）のポケット１４０３ に配置される、本発明の他の実施例に基づくウェハ囲繞リング１４８２及びスピ ンドル１４０２の平面図である。ウェハ囲繞リング、１４８２を明瞭に図示する ために、ウェハ１４０４は第１４Ｍ図では省略されている。ウェハ囲繞リング１ ４８２は、溝１４８２ａが、ウェハ囲繞リング１４８１の溝１４８１ａのように 円形の形状を有するのではなく、ウェハ囲繞リング１４８１の中心に形成された 開口部から半径方向に延在して形成されている以外はウェハ囲繞リング１４８１ と等しい。
ウェハ囲繞リング１４８１及び１４８２に各々溝１４８０ａ及び１４８２ａを形 成することによって、ウェハ１４０４のエツジ部分１４０４ｃで、ウェハ１４０ ４の裏側面１４０４ｂ　（第１４に図）に向かい合うウェハ囲繞リング１４８１ または１４８２の表面積が大きくなる。従って、溝が形成されない場合と比べ、 ウェハ１４０４と、ウェハ１４０４のエツジ部分１４０４ｃ付近のウェハ囲繞リ ング１４８１若しくは１４８２との間のより良好な熱の伝達が達成され、上述さ れたウェハ１４０４のエツジ部分１４０４ｃでの熱の損失の問題を解決すること が援助さ右、かつウェハ１４０４全体に亘る均一な温度を保持することが可能と なる。
溝１４８１ａおよび１４８２ａは、フライス削りによって形成される。例えば、 溝１４８１ａ及び１４８２ａは０゜７６ｍｍ（０，０３０インチ）の厚さ及び０ ．　１５ａ＋＋＋＋（０゜０２０インチ）の幅を有する。より一般的には、溝１ ４８１ａ及び１４８２ａは、ウェハ１４０４のエツジ部分１４０４ｃ付近の温度 の均一性を保持することのできる任意の幅及び深さを有するように形成すること ができる。
第１４Ｌ図には２個の溝１４８１ａが、第１４Ｍ図には３９個の溝１４８２ａが 各々例示されているが、第１４Ｌ図及び第１４Ｍ図に例示された何れの実施例で も任意の個数の溝を形成することができる。更に、第１４に図に例示された溝１ ４８１ａは正方形の断面を有するが、溝１４８１ａ及び溝１４８２ａの何れも、 他の形状の断面、例えば長方形若しくはＶ型の形状の断面を有してもよい。更に 、溝１４８１ａはウェハ囲繞リング１４８１の中心に形成された開口部の周囲に 連続的な円形の形状を有するように形成されているが、連続的な形状を有するこ とは必ずしも必要ではない。溝１４８２ａは、第１４Ｍ図に示されているように 、ウェハ１４０４を保持する凹部の外側端部１４８２ｂからウェハ囲繞リング１ ４８２の内側エツジ１４８２Ｃに形成されたものでなくてもよい。
第１４Ｎ図は、サセプタ４０２（第１４Ａ図〜第１４Ｇ図）のポケット１４０３ 内に配置される、本発明の他の実施例に基づくウェハ囲繞リング１４９１及びウ ェハ１４０４の断面図である。ウェハ囲繞リング１４９１では、ウェハ１４０４ が配置される凹部は、上述された実施例の平坦な棚ではなく、傾斜した棚１４９ １ａを有する。
第１４０図は、処理中に加熱されたウェハ１４０４が湾曲した状態を例示した、 ウェハ囲繞リング１４９１及びウェハ１４０４の断面図である。傾斜した棚１４ ９１ａを形成することによって、ウェハ１４０４が湾曲したときに、ウェハ１４ ０４のエツジ部分１４０４ｃ付近の領域を、湾曲した棚１４９１ａと接触した状 態に保持することが可能となる。従って、ウェハ囲繞リングの棚が平坦な場合と 比べ、ウェハ１４０４のエツジ部分１４０４ｃの領域をより均一な温度に保持す ることができる。傾斜した棚１４９１ａの角度は、加熱中に湾曲したウェハ１４ ０４のエツジ部分の近傍の角度と概ね一致するように選択されていることが好ま しい。例えば、この角度は、１５０＋＋＋＋＋＋（６インチ）のウェハに用いら れるウェハ囲繞リングでは約４．７°であり、２００ｏ＋ｍ（８インチ）のウェ ハに用いられるウェハ囲繞リングでは約４．１’である。
第１４Ｎ図及び第１４０図には表されていないが、スピンドルは、ウェハ囲繞リ ング１４９１の中心に形成された開口部内のウェハ１４０４の下に配置される。
更に、スピンドルは、ウェハ１４０４が加熱されて湾曲したときに、ウェハ１４ ０４の予測される曲率に一致するような形状を備えたウェハ１４０４に隣接する 表面を有する。
第１４Ｐ図は、本発明の他の実施例に基づく、ウェハ囲繞リングの断面図である 。ウェハ囲繞リング１４９２は、ウェハ１４０４が配置される傾斜した棚１４９ ２ａを備えている。更に、傾斜した棚１４９２ａには円形の溝１４９２ｂが形成 されている。溝１４９２ｂは、溝１４８１ａ（第１４に図及び第１４Ｌ図）に関 して説明された効果と等しい効果を提供する。溝１４９２ｂはまた、第１４Ｍ図 に例示されたように傾斜した棚１４９２ａに放射状に形成されてもよい。溝１４ ９２ｂは、溝１４８１ａ及び１４８２ｂに関して説明された方法と等しい方法を 用いて形成される。溝１４９２ｂの寸法は、溝１４８１ａ及び１４８２ａに関し て説明されたように決定される。
第１４Ａ図〜第１４Ｐ図の上述された実施例では、ウェハ囲繞リング、スピンド ル及びサセプタインサートの前記特定の寸法は、ずれを最小にし、かつウェハ１ ４０４のほぼ均一な温度を保持するべく、実験的に決定されている。
更に、シリコンカーバイド若しくは黒鉛の代わりに石英ガラスが用いられている 場合、そのような材料は、それらの材料の好ましくない熱慣性（ｔｈｅｒｍａｌ 　１ｎｅｒｔｉａ）と黒鉛若しくはシリコンカーバイドの好ましい熱保持力（ｔ ｈｅｒｍａｌ　ｒｅｔａｎｔｉｏｎ）とを比較することによって決定される。更 に、スピンドル若しくはウェハ囲繞リングが石英ガラスから形成されている場合 、石英ガラスの表面はビードブラスト若しくは洗浄される。石英ガラスの表面を ビードブラストすることによって、熱保持力が増加する。更に、第１４Ａ図〜第 １４Ｐ図では、１枚のウェハがサセプタの上に配置された本発明の実施例が例示 されているが、上述された構造の１つをウェハが配置される各ポケット内に配置 することによって、上述された構造を１枚以上のウェハが配置されるサセプタに 用いることもできる。
第１４Ｑ図及び第１４Ｒ図は、本発明のある実施例に基づく、ウェハ囲繞リング のＣ型区分１４９５の平面図及び側断面図である。本発明に基づくウェハ囲繞リ ングは、Ｃ型区分１４９５と、前記Ｃ型区分１４９５と嵌合して円形のウェハ囲 繞リングを形成する（図示されていない）補完的な区分の２つの部分から形成さ れている。ウェハは、ウェハ囲繞リングの上側面１４９５ｇよりも低い位置にあ るウェハ背面接触面１４９５ｆの上に配置される。窪み１４９５　ａ、１４９５ 　ｂ、１４９５　ｃ、及び１４９５ｄが、Ｃ型区分１４９５のサセプタ接触面１ ４９５ｅに形成されている。
第１１Ａ図及び第１１Ｂ図に関して既に説明されたように、サセプタが下降した とき、ウェハ支持ピン１１１２　ａ。
１１１２　ｂ、１１１２　ｃ、　及び１１１２ｄが窪み１４９５ａ、１４９５　 ｂ、１４９５　ｃ及び１４９５ｄと接触し、Ｃ型区分１４９５をサセプタから離 れるように持ち上げる。
ウェハ背面接触面１４９５ｆの上に配置されたウェハは、Ｃ型区分１４９５と共 に持ち上げられる。しがし、Ｃ型区分１４９５が持ち上げられたとき、補完的な 区分はサセプタ内に留まる。こうして、補完的な区分が嵌合されてぃた場所に開 いた領域が形成され、この開いた領域を通してロボットアーム若しくはウェハ取 扱いシステムがＣ型区分１４９５からウェハを持ち上げかつ移動させる。
サセプタ接触面１４９５ｅが、ウェハ背面接触面１４９５ｆと上側面１４９５ｇ とからなる部分の幅よりも短い幅を有するように、Ｃ型区分１４９５の内側エツ ジ面１４９５ｈと外側エツジ面１４９５ｉは各々傾斜して形成されている。サセ プタのポケットの側面は、Ｃ型区分１４９５の内側エツジ面１４９５ｈと外側エ ツジ面１４９５　ｉに一致するように傾斜して形成されている。Ｃ型区分１４９ ５とサセプタとの間の境界面を傾斜させることによって、Ｃ型区分１４９５がサ セプタの上に配置されたとき、Ｃ型区分１４９５が好適に密閉さね、ガスがＣ型 区分１４９５とサセプタとの間から漏洩しかつウェハの裏側面を汚染することが 防止される。境界面を傾斜させることによって、サセプタへのウェハ囲繞リング の配置及びサセプタからのウェハ囲繞リングの除去がより容易となる。補完的な 区分もまた等しい傾斜した表面を有する。
Ｃ型区分１４９５の開いた端部のエツジ１４９５ｊ及び１４９５にも、ウェハ背 面接触面１４９５ｆ及び上側面１４９５ｇからサセプタ接触面１４９５ｅへ向け て内側に傾斜して形成されている。ウェハ囲繞リングの補完的な区分には、対応 する傾斜したエツジが形成されている。Ｃ型区分１４９５と補完的な区分との間 の境界面を傾斜させることによって、Ｃ型区分の補完的な区分に対する良好な密 閉が形成される。ウェハをローディングまたはアンローディングするためにサセ プタが降下したとき、Ｃ型区分１４９５が補完的な区分を持ち上げることのない ように、エツジ１４９５ｊ及び１４９５には内側に傾斜していなければならない 。補完的な区分は、補完的な区分及びサセプタに形成された対応する開口部内に 嵌合するビンによってサセプタの上の横方向の定位置に保持されている。
他の実施例では、Ｃ型区分１４９５、サセプタのポケットの側壁、及び補完的な 区分には、傾斜したエツジではなく垂直なエツジが形成されている。
第１４Ｓ図は、Ｃ型区分１４９８及び補完的な区分１４９９を含む、本発明の他 の実施例に基づくウェハ囲繞リング１４９７の平面図である。Ｃ型区分１４９８ はリム１４９８ａ及びフロア１４９８ｂを含む。同様に、補完的な区分１４９９ はリム１４９９ａ及びフロア１４９８ｂを含む。
ウェハ囲繞リング１４９７は、フロア１４９８ｂ及び１４９９ｂが、第１４Ｑ図 及び第１４Ｓ図のウェハ囲繞リングのようにウェハの一部分の下に配置されてい るのではなく、ウェハの軍全体に延在していること以外は第１４Ｑ図及び第１４ Ｒ図に関して説明されたウェハ囲繞リングと等しい。
反応炉４００では、処理中のウェハ全体の温度を概ね均一に保とうとする場合、 処理中のウェハをその外側に配置することのできない、概ね温度の均一な領域が 反応チャンバ４０３の中心部分に存在する。しかし、この温度の概ね均一な領域 内では、ウェハはサセプタ４０２の上の任意の位置に配置されてよい。第１５Ａ 図、第１５Ｂ図、及び第１５Ｃ図は、ウェハを配置するための３通りの可能な方 法を例示した、反応炉４００に用いるための３個のサセプタ１５０２．１５２２ 及び１５４２の平面図である。
第１５Ａ図では、ウェハ１５１１の中心１５１１ａがサセプタ１５０２の中心１ ５０２ａと一致しないようにウェハ１５１１が配置されている。ある実施例では 、中心１５１１ａは中心１５０２ａから５．０８ｃｍ（２インチ）離れている。
反応炉４００内に形成された温度の均一な広い領域によって、ウェハ１５１１が サセプタ４０２の中心に配置されていない場合、即ちウェハ１５１１が反応チャ ンバ１４０３の中心に配置されていない場合でも、ウェハ１５１１全体の温度が 概ね均一に保持される。このようにウェハを中心から離して配置することは、サ セプタ１５ｏ２を適切な位置で回転させた場合、ウェハ１５１１をローディング 及びアンローディングするためにウェハローディングアームが移動する距離を最 小とし、様々な問題（例えばサセプタ１５０２とウェハ１５１１の不整合）がウ ェハ取扱い過程で発生する確率を減少させる。
第１５Ｂ図では、ウェハ１５３１は、その中心１５３１ａがサセプタ１５２２の 中心１５２２ａと一致するように配置され、従って、ウェハ１５３１は反応チャ ンバ４０３の概ね均一な温度の領域の中心に配置されている。このようにウェハ をサセプタの中心に配置することによって、サセプタ１５２２の上に配置されて いるウェハ１５３１を、サセプタ１５０２の上に配置されているウェハ１５１１ よりも大型にすることができる。
第１５Ｃ図では、ウェハ１５５１．１５５２及び１５５３は、サセプタ１５４２ の上に対称的に配置されている。
ある実施例では、ウェハ１５５１．１５５２、及び１５５３の中心１５５１　ａ 、１５５２　ａ及び１５５３ａは、各々、サセプタ１５４２の中心１５４２ａか ら９．　６０９ｃｍ　（３゜７８３インチ）離れて配置されている。ウェハ１５ ５１．１５５２、及び１５５３の中心１５５１　ａ、１５５２　ａ及び１５５３ ａは各々、サセプタ１５４２の周方向に互いに１２０’の角度αをなして配置さ れている。同時に複数のウェハが処理されるので、ウェハ１５５１．１５５２及 び１５５３を反応チャンバ４０３の概ね均一な温度の領域内に保持するために、 ウェハ１５５１．１５５２、及び１５５３の最大の寸法は、第１５Ｂ図のウェハ １５３１の最大の寸法より小さくなっている。
第１５Ａ図、第１５Ｂ図及び第１５Ｃ図には、１枚または３枚のウェハが配置さ れたサセプタが例示されているが、本発明に基づく反応炉では、４枚以上のウェ ハが配置されるサセプタを用いることもできる。しかし、同時に処理することの できるウェハの枚数は、処理されるウェハの寸法によって限定される。
第１５Ｄ図及び第１５Ｅ図は、各々、３枚の１５００１１１（６インチ）のウェ ハ１５７１　ａ、１５７　ｌ　ｂ及び１５７１ｃと、１枚の２００ｍｍ（８イン チ）のウェハ１５９１が配置された、反応炉４００で用いられるサセプタ１５６ ２と１５８２の平面図である。第１５Ｄ図では、開口部１５６３　ａ、１５６３ 　ｂ、１５６３　ｃ、１５６３　ｄ、１５６３１がサセプタ１５６２を貫通して 形成されており、これらの開口部を通してウェハ支持ビン５１３が延出し、ウェ ハ１５７１ａ、１５７１ｂ及び１５７１ｃをサセプタ１５６２の上に上昇させる 。各ウェハ１５７１　ａ、１５７　ｌ　ｂ。
及び１５７１ｃはサセプタ１５６２を回転させることによって上昇し、ウェハ１ ５７１ａ１１５７１ｂまたは１５７１ｃが、取着ロッド５１２　ｂ、５１２　ｃ 、及び５１２ｄ（第５Ｄ図）の上の定位置に配置される。第１５Ｅ図では、開口 部１５８３　ａ、１５８３　ｂ、１５８３　ｃ、１５８３　ｄ及び１５８３ｅが サセプタ１５８２を貫通して形成されており、これらの開口部を通してサセプタ 支持ピン５１３が延出し、ウェハ１５９１をサセプタ１５８２の上に上昇させる 。ウェハ１５９１は、サセプタ１５８２を回転させることによって上昇し、ウェ ハ１５９１が取着ロッド５１２ａ、５１２　ｂ、５１２　ｃ、５１２　ｄ、及び ５１２ｅの上の定位置に配置される。取着ロッド５１２　ａ、５１２　ｂ、５１ ２ｃ１　及び５１２ｄ若しくは取着ロー／ド５１２ｂ、５１２　ｃ、　及ヒ５１ ２　ｅをウェハ１５９１を上昇させるために用いてもよい。
上述されたように、ガスパネルがらの反応ガスは、ガス入口管４０８ａを通り、 がっガス注入ヘッド、例えばガス注入へラド４１４若しくはガス注入噴出孔４２ １を通って反応チャンバ４０３内に供給され、がっ排気ライン４０９ａ、４０９ ｂ、及び４０９ｃを通ッテ反応炉４ｏｏがら、ガスを大気中に排気する前に浄化 するスクラバへ排気される。上述された反応炉では、ガス供給システムとスクラ バを制御するために２つのコンピュータが用いられている。
第１６Ａ図は、１台のコンピュータ１６１ｏがガスパネル１６０１及びスクラバ １６０６を制御するために用いられている、本発明に基づく反応炉１６００の概 略図である。
反応ガスは、ガス入口１６ｏ２を通してガスパネル１６０１から反応チャンバ１ ６０３に供給されている。ガスは反応チャンバ１６０３内を流れウェハ１６ｏ４ に達し、ガス排気孔１６０５を通してスクラバ１６０６へ排気されている。スク ラバ１６０６はガスを浄化し、がっスクラバ排気孔１６０７を通してガスを大気 中に排気する。
コンピュータ１６１ｏは、所望の過程に対するコンピュータ１６１０に記憶され たオペレータによって指定されたデータに基づいて、ガスパネル１６ｏ１がら供 給されるガス流の形式及び速度をガス供給制御ライン１６ｏ８を通して制御する 。同様に、コンピュータ１６１ｏは、使用されるプロセスガスに適したコンピュ ータ１６１ｏに記憶されたデータに基づき、スクラバ１６０６の浄化動作をスク ラバ制御ライン１６０９を通して制御する。従って反応炉１６００では述された 反応炉とは異なり、ガス供給動作及びガス浄化動作のためのデータは１つの装置 内に記憶されかつ１つの装置によって操作されるので、互いに関連したガス供給 動作及びガス浄化動作のコンピュータによる制御が容易に行われる。
本発明のある実施例では、上述されたプロセスコンピュータが、温度制御、電力 制御などと同様に、反応炉の動作で用いられるインターロックを制御する。本発 明の反応炉は多くの新規の特徴を有するが、プロセスコンピュータの動作は、こ れまで説明された新規な特徴を考慮した場合、他の反応炉のプロセスコンピュー タの動作と等しい。
他の実施例では、反応炉のプロセス制御を実施するばかりでなく、プロセスコン ピュータは、実施される処理過程のための反応炉の構造及び、実施される処理過 程のための統計的なデータのデータベースを記憶している。重要な統計的解析の ための十分なデータがデータベースに含まれている場合、プロセスコンピュータ は処理サイクルを完全に制御することができる。反応炉の操作員は、バッチの寸 法、所望の処理過程、及び必要なウェハの均一性に関する情報のみを入力すれば 、よい。プロセスコンピュータはこれらの情報を入力し、データベースを解析す ることによって、処理過程を実施するための適切なプロセスパラメータ、プロセ ス変数を決定する。プロセスコンピュータは次に、反応炉の操作員によって指定 された結果を得るために、自動的に反応炉を構成しかつ自動的に処理過程を実施 する。
更に、反応炉を制御するためのコンピュータと、ガスキャビネットを制御するた めのコンピュータと、スクラバを制御するためのコンピュータとを備えた従来技 術のシステムとは異なり、本発明のプロセスコンピュータは、これら全ての動作 を行うものである。従って、一つの制御盤がら、反応炉の操作員は、特定の制御 過程に対する特定の順序でガスを供給するためのガスパネルを構成し、かつ所望 に応じて排気されたガスを処理するスクラバを構成することができる。これらの 動作を一台のコンピュータによって集中して行うことにより、ハードウェアのコ ストを低減させ、更にシステム全体を構成するために必要な時間を短縮すること ができ、バッチサイクルに要する時間を増加させることができる。
第１６Ｂ図は、本発明に基づく反応炉を用いた処理過程１６５０のブロック図で ある。過程１６５ｏは、例えば、エピタキシャル層もしくはポリシリコン層を堆 積するための気相成長法を用いた過程からなる。本発明に基づく反応炉は、以下 により詳しく説明される過程を含む過程１６５０以外の過程にも用いることがで きる。
過程１６５１では、これまで詳しく説明されたように１枚のウェハもしくは複数 のウェハが反応炉の反応チャンバ内にローディングされる。過程１６５２では、 これまで説明されたように、窒素ガスを用いたパージングが実施され、次に水素 ガスを用いたパージングが実施される。過程１６５４では、１枚のウェハもしく は複数のウェハが９００〜１２００℃に加熱される。過程１６５５では、適切な 流速を形成するべくＨＣＩガスが排気され、更に水素ガスを用いたパージングが 実施される。過程１６５６では、１枚のウェハもしくは複数のウェハが処理され るべきウェハの表面に形成されている酸化膜を除去するべくＨＣＩガスによって エツチングされる。過程１６５７では、更に水素ガスを用いたパージングが実施 され、反応炉内の温度がプロセス温度まで上昇し、ガスの適切な流量を達成する べくプロセスガスが排気される。過程１６５８では、これまでに説明されたよう に、プロセスガスが反応チャンバ内に供給され、１枚のウェハもしくは複数のウ ェハの表面に堆積される。過程１６５９では、これまでに詳しく説明されたよう に、１枚のウェハもしくは複数のウェハが冷却さね、水素ガスを用いてプロセス ガスが反応チャンバがらパージされる。過程１６６０では、上述されたように、 水素ガスが反応チャンバからパージされる。最後に過程１６６１では、上述され たように、１枚のウェハもしくは複数のウェハが反応チャンバから取り除がれる 。
上述されたように、本発明に基づく反応炉は、様々な半導体処理過程に用いるこ とができるので、半導体処理過程の連続した集合を実施するための反応炉の集合 を組み立てることが可能である。第１７図は、特定の半導体処理過程（例えば堆 積過程、アニール過程など）を実施するために用いられている本発明に基づく反 応炉１７１０．１７２０゜１７３０及び１７４０の集合の平面図である。反応炉 １７１０．１７２０，１７３０及び１７４０は、その内部にロボット１７０４が 配置された密閉されたチャンバ１７０５の周りに配置されている。積み重ねられ た複数のウェハを収容する複数のウェハカセット１７０２　ａ、１７０２　ｂ。
及び１７０２ｃが、クリーンルーム１７０１に隣接するカセットルーム１７０３ 内に配置されている。
始めに、ウェハカセット１７０２　ａ、１７０２　ｂ、及び１７０２ｃがクリー ンルーム１７０１からカセットルーム１７０３へ転送される。コンピュータ制御 システムはロボット１７０４に命令を与え、ロボット１４０７がカセットルーム １７０３からウェハカセット、例えばウェハカセット１７０２ａの適切なウェハ を、取り出し、反応炉、例えば反応炉１７４０の適切な反応チャンバ、例えば反 応チャンバ１７４０ａにウェハをロードする。ロボット１７０４はまた、反応チ ャンバ、例えば反応チャンバ１７４０ａから他の反応チャンバ、例えば反応チャ ンバ１７２０ａヘウエハを転送するように制御されている。このように、半導体 処理過程は、ロボッ）１７０４及び本発明に基づく反応炉の集合、例えば反応炉 １７１０，１７２０，１７３０、及び１７４０を用いることによって自動化され かつ迅速に実施される。第１７図には４個の反応炉１７１０，１７２０．１７３ ０、及び１７４０が例示されているが、２個、３個もしくは５個以上の本発明に 基づく反応炉を同様に配置することもできる。
第４Ａ図及び第４Ｂ図の反応炉４００に関して説明されたように、反応炉４００ の保守が行われるときに、反応炉４００のシェル４５２を容器４０１から遠ざか るように回動できることが好ましい。空間的な制限から、シェル４５２を反応炉 ４００のある側面もしくは他の側面に向けて回動させることが好ましい場合があ る。本発明に基づけば、シェル４５２は反応炉４００の何れの側面に向けても容 易に回動させることができる。第１７図では、反応炉１７２０は反応炉１７２０ の第１の側面に向けて回動可能なシェル１７２０ｂを備えており、反応炉１７４ ０は、反応炉１７４０の第２の側面に向けて回動可能なシェル１７４０ｂを備え ている。
これまでに、本発明の様々な実施例について説明されてきた。これらの説明は例 示を意図するものであり、本発明の限定を意図するものではない。従って、以下 の請求の範囲によって限定される本発明の技術的な視点を逸脱することなしに、 これまで説明された本発明に種々の変更を施すことが可能なことは当業者には明 かである。
Ｆｉｇ、ＩＡ Ｆｉｇ、ＩＥ ａｓ Ｆｉｇ、ＩＣ Ｆｉｇ、２Ｂ Ｆｉｇ、２Ｃ Ｆｉｇ、７Ａ Ｆｉｇ、７Ｂ Ｆｉｇ、７Ｃ Ｆｉｇ、９ Ｆｉｇ、１４ Ｎコ Ｆｉｇ、２２ Ｆｉｇ、２３Ｂ　Ｆｉｇ、２３Ｃ Ｆｉｇ、２３Ｄ Ｆ　ｉｇ、２４ＣＦ　ｉｇ、２４Ｄ Ｆｉｇ、２５Ｂ Ｆｉｇ、２６Ａ Ｆｉｇ、２６Ｂ Ｆｉｇ、２７Ａ Ｆｉｇ、３１ Ｆｉｇ、３２ Ｆｉｇ、３３Ａ Ｆｉｇ、３３Ｅ Ｆｉｇ、３４Ａ Ｆｉｇ、３４Ｂ Ｆｉｇ、３５Ａ Ｆｉｇ、３５Ｃ Ｆｉｇ、３６Ａ Ｆｉｇ、３６Ｂ Ｆｉｇ、３７Ａ Ｆｉｇ、３７Ｂ Ｆｉｇ、３７Ｃ Ｆｉｇ、４１Ａ Ｆｉｇ、４１Ｂ Ｆｉｇ、４１Ｃ Ｆｉｇ、４２Ａ Ｆ　ｉｇ、４２Ｂ 　４９９ａ ｐ　ｉｇ、４３ ｐｉｇ、４４Ａ Ｆｉｇ、４４Ｂ Ｆｉｇ、４４Ｃ Ｆｉｇ、４７ Ｆｉｇ、４８ 補正書の翻訳文提出書 平成６年９月２１日゛婿

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １．半導体処理構造であって、 反応チャンバと、 （１）１枚のウエハ若しくは（２）複数のウエハをその上に配置するように適合 された第１の表面と、前記第１の表面の反対側の第２の表面とを備え、前記反応 チャンバ内に取り付けられた回転可能なサセプタ手段と、（１）前記１枚のウエ ハ若しくは（２）前記複数のウエハを直接加熱する放射熱を発生させると共に、 前記反応チャンバの外側に取り付けられた放射熱源手段とを有し、前記半導体処 理構造が高速熟処理反応炉として特徴づけられるような時間内に、前記放射熱源 が、（１）１枚のウエハ若しくは（２）複数のウエハを概ね均一な処理温度に上 昇させることを特徴とする半導体処理構造。 ２．前記回転可能なサセプタ手段の前記第２の表面の近傍の前記反応チャンバ内 に取り付けられた加熱手段を更に有することを特徴とする請求項１に記載の半導 体処理構造。 ３．前記加熱手段が、抵抗加熱手段からなることを特徴とする請求項２に記載の 半導体処理構造。 ４．前記抵抗加熱手段に接続された絶縁された電源供給ラインを更に有し、前記 絶縁された電源供給ラインの絶縁が、前記反応チャンバの動作温度よりも低い温 度定格を有することを特徴とする請求項３に記載の半導体処理構造。 ５．壁と、 前記抵抗加熱手段に固着された第１の端部と、第２の端部と、 前記第２の端部から前記第１の端部へ前記第１の端部及び前記第２の端部と垂直 な方向に前記壁に形成された前記壁を貫通して形成された溝とを備えた環状シャ フトを更に有し、 前記シャフトの前記第２の端部が前記反応チャンバの外測に位置し、 前記絶縁された電源供給ラインが前記溝を通って前記抵抗加熱手段に接続される ことによって、前記絶縁された電源供給ラインを前記反応チャンバの動作温度か ら熱的に絶縁することを特徴とする請求項４に記載の半導体処理構造。 ６．前記絶縁された電源供給ラインを前記抵抗加熱手段に接続するねじを更に有 することを特徴とする請求項５に記載の半導体処理構造。 ７．前記ねじがモリブデン製のねじからなることを特徴とする請求項６に記載の 半導体処理構造。 ８．前記環状シャフトが黒鉛製の環状シャフトからなることを特徴とする請求項 ５に記載の半導体処理構造。 ９．前記回転可能なサセプタ手段が、石英ガラス製の回転可能なサセプタ手段か らなることを特徴とする請求項１に記載の半導体処理構造。 １０．前記石英ガラスからなる回転可能なサセプタ手段の前記第１の表面がビー ドブラストされていることを特徴とする請求項９に記載の半導体処理構造。 １１．前記石英ガラス製の回転可能なサセプタ手段の前記第２の表面が炎研磨さ れていることを特徴とする請求項９に記載の半導体処理構造。 １２．前記回転可能なサセプタ手段が中心を有し、中心を備えたポケットを更に 有することを特徴とする請求項１に記載の半導体処理構造。 １３．前記ポケットの中心が前記回転可能なサセプタ手段の前記中心と一致する ことを特徴とする請求項１２に記載の半導体処理構造。 １４．前記ポケットの前記中心が、前記回転可能なサセプタ手段の前記中心から 離れて配置されていることを特徴とする請求項１２に記載の半導体処理構造。 １５．前記ポケット内に配置されるサセプタインサートを更に有することを特徴 とする半導体処理構造。 １６．前記サセプタインサートが布からなることを特徴とする請求項１５に記載 の半導体処理構造。 １７．前記サセプタインサートがプレートからなることを特徴とする請求項１５ に記載の半導体処理構造。 １８．前記サセプタインサートがシリコンカーバイドからなることを特徴とする 請求項１５に記載の半導体処理構造。 １９．前記サセプタインサートが黒船からなることを特徴とする請求項１５に記 載の半導体処理構造。 ２０．前記前記サセプタインサートがシリコンカーバイドからなることを特徴と する請求項１９に記載の半導体処理構造。 ２１．前記ポケット内に配置されたウエハ囲繞リングを更に有することを特徴と する請求項１２に記載の半導体処理構造。 ２２．前記ウエハ囲繞リングが黒鉛からなることを特徴とする請求項２１に記載 の半導体処理構造。 ２３．前記ウエハ囲繞リングがシリコンカーバイドからなることを特徴とする請 求項２１に記載の半導体処理構造。 ２４．前記回転可能なサセプタ手段の前記第２の表面の近傍の前記反応チャンバ 内に配置された受動熱分布手段を更に有することを特徴とする請求項１に記載の 半導体処理構造。 ２５．前記受動熱分布手段が、石英ガラス構造によって被覆されたまたは石英ガ ラス構造の上に配置されたシリコンカーバイドを更に有することを特徴とする請 求項１９に記載の半導体処理構造。 ２６．前記反応チャンバ内に取着された複数のガス噴出孔を更に有することを特 徴とする請求項１に記載の半導体処理構造。 ２７．前記反応チャンバが、水冷された側壁と、水冷された底壁と、強制空冷さ れた上壁とを備えた容器によって画定されていることを特徴とする請求項１に記 載の半導体処理構造。 ２８．前記強制空冷された上壁が、円形ドーム型の石英ガラスからなる壁を更に 有することを特徴とする請求項２７に記載の半導体処理構造。 ２９．前記放射熱源手段が更に、各々が少なくとも１個のランプを備えた複数の ランプバンクを有することを特徴とする請求項１に記載の半導体処理構造。 ３０．前記少なくとも１個のランプが石英ガラス・ハロゲンランプからなること を特徴とする請求項２９に記載の半導体処理構造。 ３１．前記石英ガラス・ハロゲンランプがタングステン電極を有することを特徴 とする請求項３０に記載の半導体処理構造。 ３２．前記複数のランプパンクの１つが、７個のランプを有することを特徴とす る請求項２９に記載の半導体処理構造。 ３３．前記複数のランプバンクの１つが、９個のランプを有することを特徴とす る請求項２９に記載の半導体処理構造。 ３４．複数の半導体ウエハを処理する反応炉であって、反応チャンバ手段と、 前記複数のウエハをその上に取り付けるように適合された第１の表面と、前記第 １の表面の反対側の第２の表面とを備えた、前記反応チャンバ内に取り付けられ た回転可能なサセプタ手段と、 その発生する放射熱が前記複数のウエハを直接加熱するように、前記反応チャン バの外側に取り付けられた放射熱源手段とを有し、 前記反応炉が高速熱処理反応炉として特徴づけられるような時間内で、前記熱源 手段が前記複数のウエハの前記温度を概ね均一なプロセス温度に上昇させること を特徴とする反応炉。 ３５．前記サセプタの前記第２の面の近傍に、前記反応炉内で取り付けられた加 熱手段を更に有することを特徴とする請求項３４に記載の反応炉。 ３６．前記回転可能なサセプタ手段が、石英ガラス製の回転可能なサセプタ手段 からなることを特徴とする請求項２９に記載の反応炉。 ３７．前記石英ガラス製の回転可能なサセプタ手段の前記第１の表面がビードブ ラストされていることを特徴とする請求項３６に記載の反応炉。 ３８．前記石英ガラス製の回転可能なサセプタ手段の前記第２の表面が炎研磨さ れていることを特徴とする請求項３６に記載の反応炉。 ３９．前記回転可能なサセプタ手段が中心を有し、かつ各々が中心を備えた複数 のポケットを更に有することを特徴とする請求項３４に記載の反応炉。 ４０．前記ポケットの前記中心が、前記回転可能なサセプタ手段の前記中心に関 して対称的に配置されていることを特徴とする請求項３９に記載の反応炉。 ４１．前記複数のポケットの各々に配置されたシリコンカーバイド製のサセプタ インサートを更に有することを特徴とする請求項３９に記載の反応炉。 ４２．前記ポケット内に取り付けられたウエハ囲繞リングを更に有することを特 徴とする請求項３９に記載の反応炉。 ４３．前記回転可能なサセプタ手段の前記第２の表面の近傍の前記反応炉内に取 り付けられた受動熱分布手段を更に有することを特徴とする請求項３４に記載の 反応炉。 ４４．前記受動熱分布手段が更に、石英ガラス構造によって被覆された、または 石英ガラス構造の上に配置されたシリコンカーバイドを有することを特徴とする 請求項４３に記載の反応炉。 ４５．前記反応チャンバに取り付けられた複数のガス噴出孔を更に有することを 特徴とする請求項３４に記載の反応炉。 ４６．前記反応チャンバが、水冷された側壁と、水冷された底壁と、強制空冷さ れた上壁とからなる容器によって画定されていることを特徴とする請求項３４に 記載の反応炉。 ４７．前記強制空冷された上壁が更に、円形ドーム型の石英ガラス製の壁を有す ることを特徴とする請求項４６に記載の反応炉。 ４８．前記放射熱源手段が更に、各々が少なくとも１個のランプを備えた複数の ランプバンクを有することを特徴とする請求項３４に記載の反応炉。 ４９．前記少なくとも１個のランプが石英ガラス・ハロゲンランプからなること を特徴とする請求項４８に記載の反応炉。 ５０．前記石英ガラス・ハロゲンランプがタングステン電極を有することを特徴 とする請求項４９に記載の反応炉。 ５１．前記複数のランプバンクの１つが、７個のランプを含むことを特徴とする 請求項４８に記載の反応炉。 ５２．前記複数のランプバンクの１つが、９個のランプを含むことを特徴とする 請求項４８に記載の反応炉。 ５３．前記複数のランプバンクが、前記複数のウエハの各ウエハの温度を、毎秒 約２０℃の速度で上昇させることを特徴とする請求項４８に記載の反応炉。 ５４．前記複数のランプバンクが、前記複数のウエハの各ウエハの温度を、毎秒 約１０℃の速度で上昇させることを特徴とする請求項４８に記載の反応炉。 ５５．１２５ｍｍ、１５０ｍｍ、２００ｍｍ、２５０ｍｍ、３００ｍｍ、３５０ ｍｍ及び４００ｍｍからなる直径の集合から選択された直径を備えた１枚の半導 体ウエハを処理する反応炉であって、 反応チャンバ手段と、 前記１枚の半導体ウエハをその上に取り付けるべく適合された第１の面と、前記 第１の面の反対側の第２の面とを備えた、前記反応チャンバ内に取り付けられた 回転可能なサセプタ手段と、 その発生する放射熱が前記回転可能なサセプタ手段と前記複数のウエハとを直接 加熱するように、前記反応チャンバの外側に取り付けられた放射熱源手段とを有 し、前記反応炉が高速熱処理反応炉として特徴づけられるような時間内に、前記 放射熱源が、前記１枚のウエハの温度を概ね均一なプロセス温度に上昇させるこ とを特徴とする反応炉。 ５６．前記回転可能なサセプタ手段の前記第２の表面付近の、前記反応チャンバ 内に取り付けられた加熱手段を更に有することを特徴とする請求項５５に記載の 反応炉。 ５７．前記回転可能なサセプタ手段が石英ガラス製の回転可能なサセプタ手段か らなることを特徴とする請求項５５に記載の反応炉。 ５８．前記石英ガラス製の回転可能なサセプタ手段の前記第１の表面がビードブ ラストされていることを特徴とする請求項５７に記載の反応炉。 ５９．前記石英ガラスから形成された回転可能なサセプタ手段の前記第２の表面 が炎研磨されていることを特徴とする請求項５７に記載の反応炉。 ６０．前記回転可能なサセプタ手段が中心を有し、かつ中心を備えたポケットを 更に有することを特徴とする請求項５５に記載の反応炉。 ６１．前記ポケットの前記中心が、前記回転可能なサセプタ手段の前記中心と一 致することを特徴とする請求項６０に記載の反応炉。 ６２．前記ポケットの前記中心が、前記回転可能なサセプタ手段の前記中心から 離れて配置されていることを特徴とする請求項６０に記載の反応炉。 ６３．前記ポケット内に配置されたシリコンカーバイド製のサセプタインサート を更に有することを特徴とする請求項６０に記載の反応炉。 ６４．前記ポケット内に取り付けられたウエハ囲繞リングを更に有することを特 徴とする請求項６３に記載の反応炉。 ６５．前記回転可能なサセプタ手段の前記第２の表面の付近の前記反応チャンバ 内に取り付けられた受動熱分布手段を更に有することを特徴とする請求項５５に 記載の反応炉。 ６６．前記受動熱分布手段が更に、石英ガラス構造によって被覆されたまたは石 英ガラス構造の上に配置されたシリコンカーバイドを更に有することを特徴とす る請求項６５に記載の反応炉。 ６７．前記反応炉内に取り付けられた複数のガス噴出孔を更に有することを特徴 とする請求項５５に記載の反応炉。 ６８．前記反応チャンバが、水冷された側壁と、水冷された底壁と、強制空冷さ れた上壁とを備えた容器によって画定されていることを特徴とする請求項５５に 記載の反応炉。 ６９．前記強制空冷された上壁が、円形ドーム型の石英ガラス製の壁を更に有す ることを特徴とする請求項６８に記載の反応炉。 ７０．前記放射熱源手段が、各々が少なくとも１個のランプを含む複数のランプ バンクを更に有することを特徴とする請求項５５に記載の反応炉。 ７１．前記少なくとも１個のランプが、石英ガラス・ハロゲンランプからなるこ とを特徴とする請求項７０に記載の反応炉。 ７２．前記石英ガラス・ハロゲンランプがタングステン電極を有することを特徴 とする請求項７１に記載の反応炉。 ７３．前記複数のランプバンクの１つが、７個のランプを有することを特徴とす る請求項７０に記載の反応炉。 ７４．前記複数のランプバンクの１つが、９個のランプを有することを特徴とす る請求項７０に記載の反応炉。 ７５．前記複数のランプバンクが、前記１枚のウエハの前記温度を、毎秒約２０ ℃の速度で上昇させることを特徴とする請求項７０に記載の反応炉。 ７６．前記複数のランプバンクが、前記１枚のウエハの前記温度を、毎秒約１０ ℃の速度で上昇させることを特徴とする請求項７０に記載の反応炉。 ７７．高速熱処理反応炉であって、 水冷された円筒形の側壁と、強制空冷された石英ガラス製の上壁と、円筒形の水 冷された底壁とを備えた反応チャンバ手段と、 前記反応チャンバ手段の外側であってかつ前記強制空冷された石英ガラス製の上 壁の上に配置された放射熱源と、（１）１枚のウエハ若しくは（２）複数のウエ ハをその上に配置するように適合された第１の表面と、前記第１の表面の反対側 の第２の表面とを備えた、前記反応チャンバ手段内に取り付けられた回転可能な サセプタ手段と、前記回転可能なサセプタ手段の前記第２の表面付近の前記反応 チャンバ手段内に取り付けられた受動熱分布手段と、前記回転可能なサセプタ手 段を支持する第１の端部と、前記反応チャンバ手段の外側に配置された第２の端 部とを備えたサセプタ支持手段と、 中心の円筒形の開口部を画定する壁と、前記受動熱分布手段に固着された第１の 端部と、第２の端部とを備え、前記第２の端部が前記反応チャンバの外に位置し 、かつ前記サセプタ支持手段が前記中心の円筒形の開口部を貫通して延在する環 状シャフトと、 前記環状シャフトと前記サセプタ支持手段とに連結されたサセプタ配置機構とを 有し、 前記サセプタ配置機構が、前記環状シャフトと前記サセプタ支持手段とを第１の 方向に移動し、これによって前記回転可能なサセプタ手段が前記第１の方向に移 動させられることを特徴とする高速熟処理反応炉。 ７８．前記環状シャフトが、黒鉛製の環状シャフトからなることを特徴とする請 求項７７に記載の高速熟処理反応炉。 ７９．前記回転可能なサセプタ手段が、石英ガラス製の回転可能なサセプタ手段 からなることを特徴とする請求項７７に記載の高速熱処理反応炉。 ８０．前記石英ガラス製の回転可能なサセプタ手段の前記第１の表面がビードブ ラストされていることを特徴とする請求項７９に記載の高速熱処理反応炉。 ８１．前記石英ガラス製の回転可能なサセプタ手段の前記第２の表面が炎研磨さ れていることを特徴とする請求項７９に記載の高速熱処理反応炉。 ８２．前記回転可能なサセプタ手段が、中心を備え、かつ中心を備えたポケット を更に有することを特徴とする請求項７７に記載の高速熱処理反応炉。 ８３．前記ポケットの前記中心が、前記回転可能なサセプタ手段の前記中心と一 致していることを特徴とする請求項８２に記載の高速熱処理反応炉。 ８４．前記ポケットの前記中心が、前記回転可能なサセプタ手段の前記中心から 離れて配置されていることを特徴とする請求項８２に記載の高速熱処理反応炉。 ８５．前記ポケット内に配置されるシリコンカーバイド製のサセプタインサート を更に有することを特徴とする請求項８２に記載の高速熱処理反応炉。 ８６．前記ポケット内に取り付けられたウエハ囲繞リングを更に有することを特 徴とする請求項８２に記載の記載の高速熟処理反応炉。 ８７．前記受動熱分布手段が更に、石英ガラス構造によって被覆された若しくは 石英ガラス構造の上に配置されたシリコンカーバイドを更に有することを特徴と する請求項７７に記載の高速熱処理反応炉。 ８８．前記反応チャンバ内に取り付けられた複数のガス噴出孔を更に有すること を特徴とする請求項７７に記載の高速熱処理反応炉。 ８９．前記強制空冷された石英ガラス製の上壁が更に、円形ドーム型の石英ガラ ス製の壁を有することを特徴とする請求項７７に記載の高速熱処理反応炉。 ９０．前記放射エネルギー源手段が更に、各々が少なくとも１個のランプを備え た複数のランプバンクを有することを特徴とする請求項７７に記載の高速熱処理 反応炉。 ９１．前記少なくとも１個のランプが石英ガラス・ハロゲンランプからなること を特徴とする請求項９０に記載の高速熱処理反応炉。 ９２．前記石英ガラス・ハロゲンランプがタングステン電極を有することを特徴 とする請求項９１に記載の高速熱処理反応炉。 ９３．前記複数のランプバンクの１つが、７個のランプを有することを特徴とす る請求項９０に記載の高速熱処理反応炉。 ９４．前記複数のランプバンクの１つが、９個のランプを有することを特徴とす る請求項９０に記載の高速熱処理反応炉。 ９５．半導体ウエハを処理する反応炉であって、反応チャンバ容器手段と、 前記反応チャンバ容器手段の上に配置され、かつ主面を備えたテーブル手段と、 シェル手段と、 前記テーブル手段に固着された第１の方向に延在する溝手段と、 前記溝手段に移動可能に接続され、かつ前記シェル手段に選択的に着脱可能な複 数のコネクタを備えた連結手段とを有し、 前記連結手段が前記溝に沿って移動し、前記シェル手段が、前記テーブルの表面 に接触した第１の位置から、前記テーブルの主面から離れた第２の位置へ第１の 方向に移動し、 前記シェル手段が前記第２の位置にあるとき、前記複数のコネクタの１つを前記 シェル手段から切離すことによって、前記シェル手段が前記第１の方向と概ね直 交する第２の方向に移動可能となり、これによって前記シェル手段によって制限 されることなしに、前記反応チャンバ容器手段に接近することが可能となること を特徴とする反応炉。 ９６．前記連結手段が更に、第１及び第２のボスと、第３及び第４のボスとを備 えた、前記溝手段に移動可能に接続されたヨークを有し、 前記第１及び第２のボスは各々、その内部に形成された開口部を備え、前記第１ 及び第２のボスの前記開口部の前記中心は同一軸上にあり、 前記第３及び第４のボスの各々は、その内部に形成された開口部を有し、前記第 ３及び第４のボスの前記開口部の中心は同一軸上にあり、 前記シェル手段は更に、 その内部を貫通する開口部を備えた第１のボスと、その内部を貫通する開口部を 備えた第２のボスとを有し、前記連結手段が、 前記ヨークの前記第１のボスの前記開口部と、前記シェルの前記第１のボスの前 記開口部と、前記ヨークの前記第２のボスの前記開口部とを貫通する第１のピン と、前記ヨークの前記第３のボスの前記開口部と、前記シェルの前記第２のボス の前記開口部と、前記ヨークの前記第４のボスの前記開口部とを貫通する第２の ピンとを有し、前記第１のピンが前記ヨークを前記シェルに接続し、前記第１の ピンを除去したとき、前記シェルが前記第２の方向に移動可能となることを特徴 とする請求項９５に記載の反応炉。 ９７．高速熱処理反応炉のサセプタであって、中心と、中心を備えたポケットを 含む第１の表面と、第２の表面を備えた石英ガラス製の支持部と、前記ポケット 内に配置されたシリコンカーバイド製のサセプタインサートとを有することを特 徴とするサセプタ。 ９８．前記第１の表面がビードブラストされていることを特徴とする請求項９７ に記載のサセプタ。 ９９．前記第２の表面が炎研磨されていることを特徴とする請求項９７に記載の サセプタ。 １００．前記石英ガラス製の支持部の前記中心が、前記ポケットの前記中心と重 なり合うことを特徴とする請求項９７に記載のサセプタ。 １０１．前記石英ガラス製の支持部の前記中心が、前記ポケットの前記中心と離 れて配置されていることを特徴とする請求項９７に記載のサセプタ。 １０２．前記ポケット内に取り付けられたウエハ囲繞リングを更に有すこるとを 特徴とする請求項９７に記載のサセプタ。 １０３．高速熱処理反応炉のための装置であって、（１）１枚のウエハ若しくは （２）複数のウエハをその上に配置するべく適合された第１の表面と、前記第１ の表面の反対の第２の表面とを備えた石英ガラス製のサセプタ手段と、 前記回転可能なサセプタ手段の前記第２の表面付近に取り付けられた受動熱分布 手段とを有することを特徴とする高速熱処理反応炉のための装置。 １０４．前記受動熱分布手段が更に、石英ガラス構造によって被覆されたまたは 石英ガラス構造の上に配置されたシリコンカーバイドを有することを特徴とする 請求項１０３に記載の装置。 １０５．半導体ウエハを処理するための反応炉内の構造であって、 その上に前記半導体ウエハを取り付けるべく適合された第１の表面と、第２の表 面と、前記第１の表面から前記第２の表面へ貫通して形成された複数の開口部と を備えたサセプタと、 複数のウエハ支持ピンとを有し、 第１の位置では、前記ウエハ支持ピンは前記サセプタ内に収容され、第２の位置 では、前記ウエハ支持ピンは前記第１の表面の上に前記半導体ウエハを保持する べく、前記各ウエハ支持ピンは前記開口部の各々に移動可能に取り付けられてい ることを特徴とする構造。 １０６．各々が前記各ウエハ支持ピンに対応する、前記反応炉内に取り付けられ た複数の支持部とを更に有し、前記サセプタが第３の位置にあるとき、前記複数 の支持部が前記複数のウエハ支持ピンに係合し、かつ前記ウエハ支持ピンを前記 第２の位置に保持することを特徴とする請求項１０５に記載の構造。 １０７．前記サセプタが第４の位置にあるとき、前記複数のウエハ支持ピンが前 記第１の位置にあることを特徴とする請求項１０６に記載の構造。 １０８．高速熱処理反応炉（ＲＴＰ反応炉）に於いて、サセプタ及び石英ガラス 製の部分に堆積されたシリコンのエッチング方法であって、 所定の百分率のＨＣ１を含むガスを、前記ＲＴＰ反応炉内に流す過程と、 前記壁の温度が、シリコンを堆積させる過程の壁の通常の動作温度よりも高くな るように、前記ＲＴＰ反応炉の壁への冷媒の流れを減少させる過程とを有するこ とを特徴とするエッチング方法。 １０９．その表面と垂直な方向に移動可能なサセプタを備えた高速熱処理反応炉 の反応チャンバ内の粒子による汚染の減少方法であって、 前記反応チャンバの壁を貫通する支持手段の上に前記サセプタを取り付ける過程 と、 前記支持手段に取着された機構によって、前記サセプタを前記垂直な方向に前記 反応チャンバの外に移動させ、それによって前記反応チャンバ内の部品の数を限 定する過程とを有することを特徴とする減少方法。 １１０．反応炉の反応チャンバ内での半導体ウエハ若しくは複数の半導体ウエハ の処理方法であって、前記１枚の半導体ウエハ若しくは複数の半導体ウエハを前 記反応チャンバ内にローディングする過程と、望まれないガスを前記反応チャン バからパージングする過程と、 前記１枚のウエハ若しくは複数のウエハを、毎秒１０℃の速度でプロセス温度に 加熱する過程と、前記反応チャンバ内にプロセスガスを導入し、前記プロセスガ スを前記１枚のウエハ若しくは複数のウエハの表面に堆積させる過程と、 前記１枚のウエハ若しくは複数のウエハを取り扱うことのできる温度に冷却する 過程と、 前記１枚のウエハ若しくは複数のウエハを前記反応チャンバからアンローディン グする過程とを有することを特徴とする半導体ウエハの処理方法。
JP51709694A 1993-01-21 1994-01-21 半導体基板を処理するための高速熱処理反応炉 Expired - Fee Related JP4084412B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US007/981 1993-01-21
US08/007,981 US5444217A (en) 1993-01-21 1993-01-21 Rapid thermal processing apparatus for processing semiconductor wafers
PCT/US1994/000456 WO1994017353A1 (en) 1993-01-21 1994-01-21 A rapid thermal processing apparatus for processing semiconductor wafers

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004154897A Division JP3859226B2 (ja) 1993-01-21 2004-05-25 半導体基板を処理するための高速熱処理反応炉
JP2006334765A Division JP2007180533A (ja) 1993-01-21 2006-12-12 半導体基板を処理するための高速熱処理反応炉

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH07505261A true JPH07505261A (ja) 1995-06-08
JP4084412B2 JP4084412B2 (ja) 2008-04-30

Family

ID=21729164

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP51709694A Expired - Fee Related JP4084412B2 (ja) 1993-01-21 1994-01-21 半導体基板を処理するための高速熱処理反応炉
JP2004154897A Expired - Fee Related JP3859226B2 (ja) 1993-01-21 2004-05-25 半導体基板を処理するための高速熱処理反応炉
JP2006334765A Pending JP2007180533A (ja) 1993-01-21 2006-12-12 半導体基板を処理するための高速熱処理反応炉

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004154897A Expired - Fee Related JP3859226B2 (ja) 1993-01-21 2004-05-25 半導体基板を処理するための高速熱処理反応炉
JP2006334765A Pending JP2007180533A (ja) 1993-01-21 2006-12-12 半導体基板を処理するための高速熱処理反応炉

Country Status (5)

Country Link
US (5) US5444217A (ja)
EP (2) EP0633997B1 (ja)
JP (3) JP4084412B2 (ja)
DE (2) DE69434773T2 (ja)
WO (1) WO1994017353A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000311895A (ja) * 1999-03-04 2000-11-07 Applied Materials Inc フッ素化ｂｐｓｇ膜の堆積及び平坦化の改良された方法
JP2002164423A (ja) * 2000-11-28 2002-06-07 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハリフト装置を備えたウェーハ保持装置
JP2002521817A (ja) * 1998-07-23 2002-07-16 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 赤外線透過性熱リアクタカバー部材
JPWO2014196323A1 (ja) * 2013-06-06 2017-02-23 イビデン株式会社 ウエハキャリアおよびこれを用いたエピタキシャル成長装置

Families Citing this family (614)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5444217A (en) * 1993-01-21 1995-08-22 Moore Epitaxial Inc. Rapid thermal processing apparatus for processing semiconductor wafers
US5580388A (en) * 1993-01-21 1996-12-03 Moore Epitaxial, Inc. Multi-layer susceptor for rapid thermal process reactors
US5820686A (en) * 1993-01-21 1998-10-13 Moore Epitaxial, Inc. Multi-layer susceptor for rapid thermal process reactors
KR0135840B1 (ko) * 1994-07-26 1998-04-29 김광호 개구부 매몰(filling)장치와 이를 이용한 반도체소자 제조방법
US5705232A (en) * 1994-09-20 1998-01-06 Texas Instruments Incorporated In-situ coat, bake and cure of dielectric material processing system for semiconductor manufacturing
JP3094816B2 (ja) * 1994-10-25 2000-10-03 信越半導体株式会社 薄膜の成長方法
JP3011866B2 (ja) * 1994-11-30 2000-02-21 信越石英株式会社 枚葉式ウエーハ熱処理装置
US5928427A (en) * 1994-12-16 1999-07-27 Hwang; Chul-Ju Apparatus for low pressure chemical vapor deposition
US5982986A (en) 1995-02-03 1999-11-09 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for rotationally aligning and degassing semiconductor substrate within single vacuum chamber
JPH08316154A (ja) * 1995-02-23 1996-11-29 Applied Materials Inc 疑似ホットウォール反応チャンバ
US5830277A (en) * 1995-05-26 1998-11-03 Mattson Technology, Inc. Thermal processing system with supplemental resistive heater and shielded optical pyrometry
TW331652B (en) * 1995-06-16 1998-05-11 Ebara Corp Thin film vapor deposition apparatus
US6002109A (en) * 1995-07-10 1999-12-14 Mattson Technology, Inc. System and method for thermal processing of a semiconductor substrate
JP2001524259A (ja) * 1995-07-10 2001-11-27 シーヴィシー、プラダクツ、インク マイクロエレクトロニクス製造装置用プログラマブル超クリーン電磁サブストレート回転装置及び方法
JPH0936198A (ja) * 1995-07-19 1997-02-07 Hitachi Ltd 真空処理装置およびそれを用いた半導体製造ライン
US6086680A (en) * 1995-08-22 2000-07-11 Asm America, Inc. Low-mass susceptor
AU6962196A (en) * 1995-09-01 1997-03-27 Advanced Semiconductor Materials America, Inc. Wafer support system
US5584936A (en) * 1995-12-14 1996-12-17 Cvd, Incorporated Susceptor for semiconductor wafer processing
US5881208A (en) * 1995-12-20 1999-03-09 Sematech, Inc. Heater and temperature sensor array for rapid thermal processing thermal core
US5651827A (en) * 1996-01-11 1997-07-29 Heraeus Quarzglas Gmbh Single-wafer heat-treatment apparatus and method of manufacturing reactor vessel used for same
US5892886A (en) * 1996-02-02 1999-04-06 Micron Technology, Inc. Apparatus for uniform gas and radiant heat dispersion for solid state fabrication processes
US5751896A (en) 1996-02-22 1998-05-12 Micron Technology, Inc. Method and apparatus to compensate for non-uniform film growth during chemical vapor deposition
TW315493B (en) * 1996-02-28 1997-09-11 Tokyo Electron Co Ltd Heating apparatus and heat treatment apparatus
JPH09260364A (ja) * 1996-03-26 1997-10-03 Tokyo Electron Ltd 熱処理方法および熱処理装置
US6031211A (en) * 1997-07-11 2000-02-29 Concept Systems Design, Inc. Zone heating system with feedback control
EP0823492A3 (en) * 1996-08-07 1999-01-20 Concept Systems Design Inc. Zone heating system with feedback control
US6066836A (en) * 1996-09-23 2000-05-23 Applied Materials, Inc. High temperature resistive heater for a process chamber
KR100239405B1 (ko) * 1996-10-24 2000-01-15 김영환 반도체 제조장치
US5889258A (en) * 1996-12-12 1999-03-30 Lubomirski; Dimitri High temperature heating apparatus
US5789309A (en) * 1996-12-30 1998-08-04 Memc Electronic Materials, Inc. Method and system for monocrystalline epitaxial deposition
US6110289A (en) * 1997-02-25 2000-08-29 Moore Epitaxial, Inc. Rapid thermal processing barrel reactor for processing substrates
JPH10239165A (ja) * 1997-02-27 1998-09-11 Sony Corp 基板の温度測定器、基板の温度を測定する方法および基板の加熱方法
US5986329A (en) * 1997-03-07 1999-11-16 Advanced Micro Devices, Inc. Deposition of super thin PECVD SiO2 in multiple deposition station system
US6217662B1 (en) * 1997-03-24 2001-04-17 Cree, Inc. Susceptor designs for silicon carbide thin films
JP3702068B2 (ja) * 1997-04-09 2005-10-05 東京エレクトロン株式会社 被処理基板の処理装置
US6051512A (en) * 1997-04-11 2000-04-18 Steag Rtp Systems Apparatus and method for rapid thermal processing (RTP) of a plurality of semiconductor wafers
US6762396B2 (en) 1997-05-06 2004-07-13 Thermoceramix, Llc Deposited resistive coatings
US5911896A (en) * 1997-06-25 1999-06-15 Brooks Automation, Inc. Substrate heating apparatus with glass-ceramic panels and thin film ribbon heater element
US5840124A (en) * 1997-06-30 1998-11-24 Emcore Corporation Wafer carrier with flexible wafer flat holder
US5926615A (en) * 1997-07-08 1999-07-20 National Science Council Temperature compensation method for semiconductor wafers in rapid thermal processor using separated heat conducting rings as susceptors
US5960158A (en) 1997-07-11 1999-09-28 Ag Associates Apparatus and method for filtering light in a thermal processing chamber
US6024799A (en) * 1997-07-11 2000-02-15 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition manifold
US5870526A (en) * 1997-07-17 1999-02-09 Steag-Ast Inflatable elastomeric element for rapid thermal processing (RTP) system
JPH1154496A (ja) * 1997-08-07 1999-02-26 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置及びガス処理装置
JPH1197446A (ja) * 1997-09-18 1999-04-09 Tokyo Electron Ltd 縦型熱処理装置
JP2001522142A (ja) 1997-11-03 2001-11-13 エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド 改良された低質量ウェハ支持システム
US6005226A (en) * 1997-11-24 1999-12-21 Steag-Rtp Systems Rapid thermal processing (RTP) system with gas driven rotating substrate
EP1049640A4 (en) 1997-11-28 2008-03-12 Mattson Tech Inc SYSTEMS AND METHODS FOR HANDLING WORKPIECES FOR VACUUM PROCESSING AT HIGH FLOW RATE AND LOW CONTAMINATION
JP2928210B1 (ja) * 1998-01-30 1999-08-03 九州日本電気株式会社 半導体基板の不純物拡散処理方法および半導体製造装置
US6018616A (en) * 1998-02-23 2000-01-25 Applied Materials, Inc. Thermal cycling module and process using radiant heat
US6592661B1 (en) 1998-02-25 2003-07-15 Micron Technology, Inc. Method for processing wafers in a semiconductor fabrication system
JP3374743B2 (ja) * 1998-03-05 2003-02-10 日本電気株式会社 基板熱処理装置及び同装置からの基板の分離方法
WO1999049101A1 (en) * 1998-03-23 1999-09-30 Mattson Technology, Inc. Apparatus and method for cvd and thermal processing of semiconductor substrates
US6129808A (en) 1998-03-31 2000-10-10 Lam Research Corporation Low contamination high density plasma etch chambers and methods for making the same
US6464843B1 (en) 1998-03-31 2002-10-15 Lam Research Corporation Contamination controlling method and apparatus for a plasma processing chamber
TW463028B (en) * 1998-04-21 2001-11-11 Hitachi Shipbuilding Eng Co Working robot for heat exchangers and operating method thereof
US6188044B1 (en) * 1998-04-27 2001-02-13 Cvc Products, Inc. High-performance energy transfer system and method for thermal processing applications
DE19821007A1 (de) 1998-05-11 1999-11-25 Steag Rtp Systems Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum thermischen Behandeln von Substraten
US5930456A (en) 1998-05-14 1999-07-27 Ag Associates Heating device for semiconductor wafers
US5970214A (en) 1998-05-14 1999-10-19 Ag Associates Heating device for semiconductor wafers
US6185839B1 (en) * 1998-05-28 2001-02-13 Applied Materials, Inc. Semiconductor process chamber having improved gas distributor
US6034357A (en) * 1998-06-08 2000-03-07 Steag Rtp Systems Inc Apparatus and process for measuring the temperature of semiconductor wafers in the presence of radiation absorbing gases
US6169271B1 (en) 1998-07-13 2001-01-02 Mattson Technology, Inc. Model based method for wafer temperature control in a thermal processing system for semiconductor manufacturing
IL125690A0 (en) * 1998-08-06 1999-04-11 Reiser Raphael Joshua Furnace for processing semiconductor wafers
US6300600B1 (en) 1998-08-12 2001-10-09 Silicon Valley Group, Inc. Hot wall rapid thermal processor
US6462310B1 (en) 1998-08-12 2002-10-08 Asml Us, Inc Hot wall rapid thermal processor
US6900413B2 (en) 1998-08-12 2005-05-31 Aviza Technology, Inc. Hot wall rapid thermal processor
US6210484B1 (en) 1998-09-09 2001-04-03 Steag Rtp Systems, Inc. Heating device containing a multi-lamp cone for heating semiconductor wafers
US6957690B1 (en) * 1998-09-10 2005-10-25 Asm America, Inc. Apparatus for thermal treatment of substrates
JP3516596B2 (ja) * 1998-10-19 2004-04-05 松下電器産業株式会社 半導体装置の製造方法
TW457557B (en) * 1998-10-29 2001-10-01 Shinetsu Handotai Kk Semiconductor wafer and its manufacturing method
US6310328B1 (en) 1998-12-10 2001-10-30 Mattson Technologies, Inc. Rapid thermal processing chamber for processing multiple wafers
US6771895B2 (en) 1999-01-06 2004-08-03 Mattson Technology, Inc. Heating device for heating semiconductor wafers in thermal processing chambers
US6091889A (en) * 1999-01-08 2000-07-18 National Science Council Rapid thermal processor for heating a substrate
US6263829B1 (en) 1999-01-22 2001-07-24 Applied Materials, Inc. Process chamber having improved gas distributor and method of manufacture
US6281141B1 (en) 1999-02-08 2001-08-28 Steag Rtp Systems, Inc. Process for forming thin dielectric layers in semiconductor devices
US6105274A (en) * 1999-03-18 2000-08-22 International Business Machines Corporation Cryogenic/phase change cooling for rapid thermal process systems
US6303411B1 (en) * 1999-05-03 2001-10-16 Vortek Industries Ltd. Spatially resolved temperature measurement and irradiance control
US6169244B1 (en) 1999-05-21 2001-01-02 Moore Epitaxial, Inc. Thermocouple sheath cover
TW466576B (en) 1999-06-15 2001-12-01 Ebara Corp Substrate processing apparatus
US6972071B1 (en) * 1999-07-13 2005-12-06 Nordson Corporation High-speed symmetrical plasma treatment system
KR100319494B1 (ko) 1999-07-15 2002-01-09 김용일 원자층 에피택시 공정을 위한 반도체 박막 증착장치
TW425635B (en) 1999-08-23 2001-03-11 Promos Technologies Inc Rapid thermal processing method and its device
US6475284B1 (en) 1999-09-20 2002-11-05 Moore Epitaxial, Inc. Gas dispersion head
US6799603B1 (en) 1999-09-20 2004-10-05 Moore Epitaxial, Inc. Gas flow controller system
US6149365A (en) * 1999-09-21 2000-11-21 Applied Komatsu Technology, Inc. Support frame for substrates
KR100338768B1 (ko) * 1999-10-25 2002-05-30 윤종용 산화막 제거방법 및 산화막 제거를 위한 반도체 제조 장치
JP2001127143A (ja) * 1999-10-27 2001-05-11 Applied Materials Inc 基板支持装置
DE19951991C2 (de) * 1999-10-28 2001-10-25 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren und Vorrichtung zum Beladen eines Suszeptors
DE19952705A1 (de) * 1999-11-02 2001-05-10 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe mit einer epitaktischen Schicht
US6246031B1 (en) 1999-11-30 2001-06-12 Wafermasters, Inc. Mini batch furnace
US6303906B1 (en) 1999-11-30 2001-10-16 Wafermasters, Inc. Resistively heated single wafer furnace
US6345150B1 (en) 1999-11-30 2002-02-05 Wafermasters, Inc. Single wafer annealing oven
US6436796B1 (en) * 2000-01-31 2002-08-20 Mattson Technology, Inc. Systems and methods for epitaxial processing of a semiconductor substrate
EP1123992A3 (en) * 2000-02-09 2003-09-17 Moore Epitaxial, Inc. Semiconductor processing apparatus and method
US6328221B1 (en) 2000-02-09 2001-12-11 Moore Epitaxial, Inc. Method for controlling a gas injector in a semiconductor processing reactor
US6347749B1 (en) 2000-02-09 2002-02-19 Moore Epitaxial, Inc. Semiconductor processing reactor controllable gas jet assembly
US6383931B1 (en) * 2000-02-11 2002-05-07 Lam Research Corporation Convertible hot edge ring to improve low-K dielectric etch
US6544339B1 (en) * 2000-03-22 2003-04-08 Micro C Technologies, Inc. Rectilinear wedge geometry for optimal process control in chemical vapor deposition and rapid thermal processing
US6399926B2 (en) * 2000-04-03 2002-06-04 Sigmameltec Ltd. Heat-treating apparatus capable of high temperature uniformity
WO2001082342A1 (en) * 2000-04-26 2001-11-01 Wafermasters Incorporated Gas assisted rapid thermal annealing
US6464412B1 (en) 2000-05-15 2002-10-15 Eastman Kodak Company Apparatus and method for radiant thermal film development
US6417076B1 (en) * 2000-06-05 2002-07-09 Micron Technology, Inc. Automated combi deposition apparatus and method
US6545369B1 (en) 2000-06-05 2003-04-08 Micron Technology, Inc. Overlay error reduction by minimization of unpatterned wafer area
US6808758B1 (en) * 2000-06-09 2004-10-26 Mattson Technology, Inc. Pulse precursor deposition process for forming layers in semiconductor devices
JP2001351871A (ja) * 2000-06-09 2001-12-21 Asm Japan Kk 半導体製造装置
US20040079633A1 (en) * 2000-07-05 2004-04-29 Applied Materials, Inc. Apparatus for electro chemical deposition of copper metallization with the capability of in-situ thermal annealing
US6599818B2 (en) * 2000-10-10 2003-07-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device manufacturing method, heat treatment apparatus, and heat treatment method
KR100436941B1 (ko) * 2000-11-07 2004-06-23 주성엔지니어링(주) 박막 증착 장치 및 그 방법
CN100493267C (zh) 2000-11-29 2009-05-27 萨莫希雷梅克斯公司 具有控制电阻率的电阻加热器及其制备方法
US6594446B2 (en) * 2000-12-04 2003-07-15 Vortek Industries Ltd. Heat-treating methods and systems
JP2002176000A (ja) * 2000-12-05 2002-06-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 熱処理装置及び半導体装置の製造方法
US7534977B2 (en) * 2000-12-28 2009-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Heat treatment apparatus and method of manufacturing a semiconductor device
US6765178B2 (en) * 2000-12-29 2004-07-20 Applied Materials, Inc. Chamber for uniform substrate heating
US6825447B2 (en) 2000-12-29 2004-11-30 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for uniform substrate heating and contaminate collection
US6770146B2 (en) 2001-02-02 2004-08-03 Mattson Technology, Inc. Method and system for rotating a semiconductor wafer in processing chambers
US7118780B2 (en) 2001-03-16 2006-10-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Heat treatment method
JP3975321B2 (ja) * 2001-04-20 2007-09-12 信越化学工業株式会社 フォトマスク用シリカガラス系基板及びフォトマスク用シリカガラス系基板の平坦化方法
KR100422199B1 (ko) * 2001-05-04 2004-03-12 주성엔지니어링(주) 반도체 소자 제조장치
US6344631B1 (en) 2001-05-11 2002-02-05 Applied Materials, Inc. Substrate support assembly and processing apparatus
US6645344B2 (en) * 2001-05-18 2003-11-11 Tokyo Electron Limited Universal backplane assembly and methods
DE10156441A1 (de) * 2001-05-18 2002-11-21 Mattson Thermal Products Gmbh Vorrichtung zur Aufnahme von scheibenförmigen Objekten und Vorrichtung zur Handhabung von Objekten
EP1393355A2 (de) * 2001-05-18 2004-03-03 Mattson Thermal Products GmbH Vorrichtung zur aufnahme von scheibenförmigen objekten
KR100876927B1 (ko) * 2001-06-01 2009-01-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 열처리장치 및 열처리방법
JP4703891B2 (ja) * 2001-06-07 2011-06-15 ルネサスエレクトロニクス株式会社 薄膜製造方法
US20030010775A1 (en) * 2001-06-21 2003-01-16 Hyoung June Kim Methods and apparatuses for heat treatment of semiconductor films upon thermally susceptible non-conducting substrates
DE10131673A1 (de) * 2001-06-29 2003-01-30 Infineon Technologies Ag Tragevorrichtung für einen Wafer
EP1274121A1 (en) * 2001-06-29 2003-01-08 Infineon Technologies SC300 GmbH & Co. KG Wafer chuck for supporting a semiconductor wafer
KR20030006245A (ko) * 2001-07-12 2003-01-23 삼성전자 주식회사 웨이퍼 건조장치
JP2003060012A (ja) * 2001-08-08 2003-02-28 Asm Japan Kk 半導体処理用反応チャンバ
TW559905B (en) * 2001-08-10 2003-11-01 Toshiba Corp Vertical chemical vapor deposition system cross-reference to related applications
US6676760B2 (en) 2001-08-16 2004-01-13 Appiled Materials, Inc. Process chamber having multiple gas distributors and method
JP2003086522A (ja) * 2001-09-13 2003-03-20 Sumitomo Chem Co Ltd 半導体製造装置
JP3798674B2 (ja) * 2001-10-29 2006-07-19 大日本スクリーン製造株式会社 熱処理装置および熱処理方法
JP3715228B2 (ja) * 2001-10-29 2005-11-09 大日本スクリーン製造株式会社 熱処理装置
EP1988188B9 (en) * 2001-12-03 2012-05-02 Ulvac, Inc. Apparatus and method for producing films
AU2002350358A1 (en) * 2001-12-26 2003-07-30 Vortek Indusries Ltd. Temperature measurement and heat-treating methods and systems
US20030141178A1 (en) * 2002-01-30 2003-07-31 Applied Materials, Inc. Energizing gas for substrate processing with shockwaves
DE10208450B4 (de) * 2002-02-27 2004-09-16 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Abscheiden dünner Schichten mittels ALD/CVD-Prozessen in Verbindung mit schnellen thermischen Prozessen
US6776849B2 (en) * 2002-03-15 2004-08-17 Asm America, Inc. Wafer holder with peripheral lift ring
US6868302B2 (en) * 2002-03-25 2005-03-15 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Thermal processing apparatus
US6998580B2 (en) * 2002-03-28 2006-02-14 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Thermal processing apparatus and thermal processing method
US6861321B2 (en) 2002-04-05 2005-03-01 Asm America, Inc. Method of loading a wafer onto a wafer holder to reduce thermal shock
US7122844B2 (en) * 2002-05-13 2006-10-17 Cree, Inc. Susceptor for MOCVD reactor
US6687456B1 (en) * 2002-07-15 2004-02-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd In-line fluid heater
US20060102210A1 (en) * 2002-07-25 2006-05-18 Yasuhiro Chouno Substrate processing container
US6727194B2 (en) * 2002-08-02 2004-04-27 Wafermasters, Inc. Wafer batch processing system and method
US7166168B1 (en) 2002-10-18 2007-01-23 Carl Zeiss Smt Ag Substrate-coating system and an associated substrate-heating method
EP1568068A1 (en) * 2002-11-22 2005-08-31 Applied Materials, Inc. Backside heating chamber for emissivity independent thermal processes
US20050170314A1 (en) * 2002-11-27 2005-08-04 Richard Golden Dental pliers design with offsetting jaw and pad elements for assisting in removing upper and lower teeth and method for removing teeth utilizing the dental plier design
US7921802B2 (en) * 2002-12-09 2011-04-12 Nxp B.V. System and method for suppression of wafer temperature drift in cold-wall CVD systems
AU2003287837A1 (en) 2002-12-20 2004-07-14 Vortek Industries Ltd Methods and systems for supporting a workpiece and for heat-treating the workpiece
US6709267B1 (en) 2002-12-27 2004-03-23 Asm America, Inc. Substrate holder with deep annular groove to prevent edge heat loss
KR20050088159A (ko) * 2003-01-17 2005-09-01 제너럴 일렉트릭 캄파니 웨이퍼 처리 장치
US8366830B2 (en) * 2003-03-04 2013-02-05 Cree, Inc. Susceptor apparatus for inverted type MOCVD reactor
JP4257576B2 (ja) * 2003-03-25 2009-04-22 ローム株式会社 成膜装置
DE10320597A1 (de) * 2003-04-30 2004-12-02 Aixtron Ag Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von Halbleiterschichten mit zwei Prozessgasen, von denen das eine vorkonditioniert ist
JP3929939B2 (ja) * 2003-06-25 2007-06-13 株式会社東芝 処理装置、製造装置、処理方法及び電子装置の製造方法
US6991003B2 (en) * 2003-07-28 2006-01-31 M.Braun, Inc. System and method for automatically purifying solvents
JP4599816B2 (ja) * 2003-08-01 2010-12-15 信越半導体株式会社 シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法
US7024105B2 (en) * 2003-10-10 2006-04-04 Applied Materials Inc. Substrate heater assembly
US6897162B2 (en) * 2003-10-20 2005-05-24 Wafermasters, Inc. Integrated ashing and implant annealing method
WO2005059991A1 (en) * 2003-12-19 2005-06-30 Mattson Technology Canada Inc. Apparatuses and methods for suppressing thermally induced motion of a workpiece
US7190889B2 (en) * 2004-05-17 2007-03-13 Neocera, Llc Non-contact heater and method for non-contact heating of a substrate for material deposition
DE102004025150B4 (de) * 2004-05-21 2019-05-09 Mattson Technology, Inc. Lagebestimmung eines Halbleitersubstrats auf einer Rotationsvorrichtung
JP4925571B2 (ja) * 2004-08-09 2012-04-25 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 基板の熱的性質判定方法及び熱処理条件の決定方法
DE102004039443B4 (de) * 2004-08-13 2023-05-25 Beijing E-Town Semiconductor Technology, Co., Ltd. Verfahren zum thermischen Behandeln von scheibenförmigen Substraten
DK1630260T3 (da) * 2004-08-20 2011-10-31 Jds Uniphase Inc Magnetisk holdemekanisme til et dampudfældningssystem
US7785456B2 (en) * 2004-10-19 2010-08-31 Jds Uniphase Corporation Magnetic latch for a vapour deposition system
US7332195B2 (en) * 2004-08-26 2008-02-19 Honeywell International Inc. Chemical vapor deposition method
JP2006190795A (ja) * 2005-01-06 2006-07-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法および急速熱処理装置
JP4934595B2 (ja) * 2005-01-18 2012-05-16 エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド 薄膜成長用反応装置
US7275861B2 (en) * 2005-01-31 2007-10-02 Veeco Instruments Inc. Calibration wafer and method of calibrating in situ temperatures
EP1688534A1 (de) * 2005-02-02 2006-08-09 Wolff Cellulosics GmbH & Co.KG Verwendung von Arabinoxylanen in der Papierherstellung
US7598477B2 (en) * 2005-02-07 2009-10-06 Guy Smith Vacuum muffle quench furnace
US7402778B2 (en) * 2005-04-29 2008-07-22 Asm Assembly Automation Ltd. Oven for controlled heating of compounds at varying temperatures
US7745762B2 (en) * 2005-06-01 2010-06-29 Mattson Technology, Inc. Optimizing the thermal budget during a pulsed heating process
US20060281310A1 (en) * 2005-06-08 2006-12-14 Applied Materials, Inc. Rotating substrate support and methods of use
EP1739213B1 (de) * 2005-07-01 2011-04-13 Freiberger Compound Materials GmbH Vorrichtung und Verfahren zum Tempern von III-V-Wafern sowie getemperte III-V-Halbleitereinkristallwafer
EP1760170B1 (en) 2005-09-05 2011-04-06 Japan Pionics Co., Ltd. Chemical vapor deposition apparatus
US7905109B2 (en) * 2005-09-14 2011-03-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Rapid cooling system for RTP chamber
JP5017950B2 (ja) * 2005-09-21 2012-09-05 株式会社Ｓｕｍｃｏ エピタキシャル成長装置の温度管理方法
US7794667B2 (en) * 2005-10-19 2010-09-14 Moore Epitaxial, Inc. Gas ring and method of processing substrates
JP4940635B2 (ja) * 2005-11-14 2012-05-30 東京エレクトロン株式会社 加熱装置、熱処理装置及び記憶媒体
US20070125303A1 (en) * 2005-12-02 2007-06-07 Ward Ruby High-throughput deposition system for oxide thin film growth by reactive coevaportation
KR100745130B1 (ko) * 2006-02-09 2007-08-01 삼성전자주식회사 박막 증착 장치 및 방법
JP5105396B2 (ja) * 2006-04-12 2012-12-26 東京応化工業株式会社 加熱処理装置
US20070281106A1 (en) * 2006-05-30 2007-12-06 Applied Materials, Inc. Process chamber for dielectric gapfill
CN101460659B (zh) * 2006-06-02 2011-12-07 应用材料股份有限公司 利用压差测量的气流控制
US8571396B2 (en) * 2006-06-26 2013-10-29 Tp Solar, Inc. Rapid thermal firing IR conveyor furnace having high intensity heating section
US9301340B2 (en) 2006-06-26 2016-03-29 Tp Solar, Inc. IR conveyor furnace having single belt with multiple independently controlled processing lanes
US8956457B2 (en) * 2006-09-08 2015-02-17 Tokyo Electron Limited Thermal processing system for curing dielectric films
KR100867191B1 (ko) * 2006-11-02 2008-11-06 주식회사 유진테크 기판처리장치 및 기판처리방법
JP5967859B2 (ja) 2006-11-15 2016-08-10 マトソン テクノロジー、インコーポレイテッド 熱処理中の被加工物を支持するシステムおよび方法
WO2008066804A1 (en) * 2006-11-27 2008-06-05 Momentive Performance Materials Inc. Quartz encapsulated heater assembly
KR100790729B1 (ko) * 2006-12-11 2008-01-02 삼성전기주식회사 화학 기상 증착 장치
JP2008182180A (ja) * 2006-12-26 2008-08-07 Epicrew Inc 加熱装置及び半導体製造装置
WO2008092682A1 (en) * 2007-02-01 2008-08-07 Ibp Conex Limited Insertion and release tool for pipe fitting arrangement and method using such tool
US8610033B1 (en) * 2007-03-29 2013-12-17 Moore Epitaxial, Inc. Rapid thermal process reactor utilizing a low profile dome
WO2008142747A1 (ja) * 2007-05-16 2008-11-27 Canon Anelva Corporation 加熱処理装置
JP4288309B2 (ja) * 2007-09-03 2009-07-01 キヤノンアネルバ株式会社 基板熱処理装置及び基板の熱処理方法
US20090075491A1 (en) * 2007-09-13 2009-03-19 Tokyo Electron Limited Method for curing a dielectric film
US8375758B1 (en) 2007-09-13 2013-02-19 The Boeing Company Induction forming of metal components with slotted susceptors
US8017059B2 (en) 2007-09-13 2011-09-13 The Boeing Company Composite fabrication apparatus and method
US8865050B2 (en) * 2010-03-16 2014-10-21 The Boeing Company Method for curing a composite part layup
US8372327B2 (en) * 2007-09-13 2013-02-12 The Boeing Company Method for resin transfer molding composite parts
JP5444607B2 (ja) * 2007-10-31 2014-03-19 株式会社Ｓｕｍｃｏ エピタキシャル膜形成装置用のサセプタ、エピタキシャル膜形成装置、エピタキシャルウェーハの製造方法
US20090120368A1 (en) * 2007-11-08 2009-05-14 Applied Materials, Inc. Rotating temperature controlled substrate pedestal for film uniformity
US7964040B2 (en) * 2007-11-08 2011-06-21 Applied Materials, Inc. Multi-port pumping system for substrate processing chambers
KR100906341B1 (ko) * 2007-11-22 2009-07-06 에이피시스템 주식회사 급속열처리용 기판회전요동장치
JP5283370B2 (ja) * 2007-11-29 2013-09-04 株式会社ニューフレアテクノロジー 気相成長装置および気相成長方法
KR100962044B1 (ko) * 2007-12-06 2010-06-08 성균관대학교산학협력단 저유전 플라즈마 중합체 박막 및 그 제조 방법
US8999106B2 (en) * 2007-12-19 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for controlling edge performance in an inductively coupled plasma chamber
US8404049B2 (en) 2007-12-27 2013-03-26 Memc Electronic Materials, Inc. Epitaxial barrel susceptor having improved thickness uniformity
US8314368B2 (en) * 2008-02-22 2012-11-20 Applied Materials, Inc. Silver reflectors for semiconductor processing chambers
US20090214843A1 (en) * 2008-02-26 2009-08-27 Siltronic Corporation Controlled edge resistivity in a silicon wafer
US8388755B2 (en) * 2008-02-27 2013-03-05 Soitec Thermalization of gaseous precursors in CVD reactors
US20090226695A1 (en) * 2008-03-06 2009-09-10 Tokyo Electron Limited Method for treating a dielectric film with infrared radiation
US20090226694A1 (en) * 2008-03-06 2009-09-10 Tokyo Electron Limited POROUS SiCOH-CONTAINING DIELECTRIC FILM AND A METHOD OF PREPARING
US7977256B2 (en) * 2008-03-06 2011-07-12 Tokyo Electron Limited Method for removing a pore-generating material from an uncured low-k dielectric film
US20090269939A1 (en) * 2008-04-25 2009-10-29 Asm International, N.V. Cyclical oxidation process
WO2009135148A2 (en) * 2008-05-01 2009-11-05 Thermoceramix Inc. Cooking appliances using heater coatings
US8398777B2 (en) * 2008-05-02 2013-03-19 Applied Materials, Inc. System and method for pedestal adjustment
KR101610269B1 (ko) 2008-05-16 2016-04-07 맷슨 테크놀로지, 인크. 워크피스 파손 방지 방법 및 장치
US20090308315A1 (en) * 2008-06-13 2009-12-17 Asm International N.V. Semiconductor processing apparatus with improved thermal characteristics and method for providing the same
CN101308981A (zh) * 2008-07-11 2008-11-19 永泰电子（东莞）有限公司 一种运用红外线加热的焊接工艺及焊接装置
US20100059182A1 (en) * 2008-09-05 2010-03-11 Jusung Engineering Co., Ltd. Substrate processing apparatus
US20100068897A1 (en) * 2008-09-16 2010-03-18 Tokyo Electron Limited Dielectric treatment platform for dielectric film deposition and curing
US20100067886A1 (en) * 2008-09-16 2010-03-18 Tokyo Electron Limited Ir laser optics system for dielectric treatment module
US8895942B2 (en) * 2008-09-16 2014-11-25 Tokyo Electron Limited Dielectric treatment module using scanning IR radiation source
US20100065758A1 (en) * 2008-09-16 2010-03-18 Tokyo Electron Limited Dielectric material treatment system and method of operating
US8581153B2 (en) * 2008-09-30 2013-11-12 Tokyo Electron Limited Method of detecting abnormal placement of substrate, substrate processing method, computer-readable storage medium, and substrate processing apparatus
US20100095890A1 (en) * 2008-10-22 2010-04-22 Applied Materials, Inc. Gas supply system, pumping system, coating system, gas supply method, and pumping method
JP5123820B2 (ja) * 2008-10-27 2013-01-23 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置の真空排気方法及び基板処理装置
US20100101491A1 (en) * 2008-10-29 2010-04-29 Asm Japan K.K. Wafer lift pins suspended and supported at underside of susceptor
US8801857B2 (en) 2008-10-31 2014-08-12 Asm America, Inc. Self-centering susceptor ring assembly
US8209833B2 (en) * 2008-11-07 2012-07-03 Tokyo Electron Limited Thermal processing system and method of using
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US8110435B2 (en) * 2008-12-18 2012-02-07 Jusung Engineering Co., Ltd. Method and apparatus for manufacturing semiconductor device
CN101768731B (zh) * 2008-12-29 2012-10-17 K.C.科技股份有限公司 原子层沉积装置
WO2010093568A2 (en) 2009-02-11 2010-08-19 Applied Materials, Inc. Non-contact substrate processing
US9127340B2 (en) * 2009-02-13 2015-09-08 Asm International N.V. Selective oxidation process
US8889565B2 (en) * 2009-02-13 2014-11-18 Asm International N.V. Selective removal of oxygen from metal-containing materials
KR101091369B1 (ko) 2009-02-17 2011-12-07 엘지이노텍 주식회사 반도체 제조장치
US7829457B2 (en) * 2009-02-20 2010-11-09 Asm International N.V. Protection of conductors from oxidation in deposition chambers
JP5438992B2 (ja) * 2009-02-20 2014-03-12 昭和電工株式会社 炭化珪素半導体装置の製造方法
US8673081B2 (en) * 2009-02-25 2014-03-18 Crystal Solar, Inc. High throughput multi-wafer epitaxial reactor
US8298629B2 (en) * 2009-02-25 2012-10-30 Crystal Solar Incorporated High throughput multi-wafer epitaxial reactor
JP2010205922A (ja) * 2009-03-03 2010-09-16 Canon Anelva Corp 基板熱処理装置及び基板の製造方法
US20100240224A1 (en) * 2009-03-20 2010-09-23 Taiwan Semiconductor Manufactruing Co., Ltd. Multi-zone semiconductor furnace
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
KR101536257B1 (ko) * 2009-07-22 2015-07-13 한국에이에스엠지니텍 주식회사 수평 흐름 증착 장치 및 이를 이용한 증착 방법
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US20110185969A1 (en) * 2009-08-21 2011-08-04 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Dual heating for precise wafer temperature control
CN102598130A (zh) * 2009-08-26 2012-07-18 威科仪器股份有限公司 用于在磁记录介质上制作图案的系统
JP5357689B2 (ja) * 2009-10-02 2013-12-04 三洋電機株式会社 触媒ｃｖｄ装置、膜の形成方法、太陽電池の製造方法及び基材の保持体
JP5310512B2 (ja) * 2009-12-02 2013-10-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US8242033B2 (en) * 2009-12-08 2012-08-14 Corning Incorporated High throughput recrystallization of semiconducting materials
JP2011171450A (ja) * 2010-02-17 2011-09-01 Nuflare Technology Inc 成膜装置および成膜方法
US20110209995A1 (en) * 2010-03-01 2011-09-01 Applied Materials, Inc. Physical Vapor Deposition With A Variable Capacitive Tuner and Feedback Circuit
EP2368860A1 (de) * 2010-03-01 2011-09-28 Saint-Gobain Glass France Vorrichtung und Verfahren zur Substratprozessierung
US20110232677A1 (en) * 2010-03-29 2011-09-29 Tokyo Electron Limited Method for cleaning low-k dielectrics
US8507388B2 (en) 2010-04-26 2013-08-13 Asm International N.V. Prevention of oxidation of substrate surfaces in process chambers
TWI398545B (zh) * 2010-04-29 2013-06-11 Chi Mei Lighting Tech Corp 有機金屬化學氣相沉積機台
FR2959757B1 (fr) * 2010-05-04 2012-08-03 Global Technologies Reacteur pyrolytique a chauffage bilateral
WO2012009636A1 (en) * 2010-07-15 2012-01-19 Despatch Industries Limited Partnership Firing furnace configuration for thermal processing system
WO2012012376A1 (en) * 2010-07-22 2012-01-26 First Solar, Inc Deposition system
US8535445B2 (en) * 2010-08-13 2013-09-17 Veeco Instruments Inc. Enhanced wafer carrier
TWI489075B (zh) * 2010-09-28 2015-06-21 Ｔｐ太陽能公司 具有高反射率加熱區段的快速點火ｉｒ輸送帶爐
CH703545B1 (de) * 2010-10-04 2012-02-15 Rene Meier Verfahren zur Herstellung von elektroaktiviertem Wasser.
JP5549552B2 (ja) * 2010-11-12 2014-07-16 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置の組み立て方法及び真空処理装置
DE102010054919A1 (de) * 2010-12-17 2012-06-21 Centrotherm Photovoltaics Ag Vorrichtung und Verfahren zum thermischen Behandeln von Substraten
US20120180954A1 (en) 2011-01-18 2012-07-19 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US9915475B2 (en) * 2011-04-12 2018-03-13 Jiaxiong Wang Assembled reactor for fabrications of thin film solar cell absorbers through roll-to-roll processes
JP6097742B2 (ja) 2011-05-27 2017-03-15 クリスタル・ソーラー・インコーポレーテッド エピタキシャル堆積によるシリコンウェハ
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
CN104040691B (zh) * 2011-12-27 2016-09-07 佳能安内华股份有限公司 基板热处理装置
US20130171350A1 (en) * 2011-12-29 2013-07-04 Intermolecular Inc. High Throughput Processing Using Metal Organic Chemical Vapor Deposition
US20130196053A1 (en) * 2012-01-10 2013-08-01 State of Oregon acting by and through the State Board of Higher Education on behalf of Oregon Stat Flow cell design for uniform residence time fluid flow
USD726133S1 (en) 2012-03-20 2015-04-07 Veeco Instruments Inc. Keyed spindle
USD712852S1 (en) 2012-03-20 2014-09-09 Veeco Instruments Inc. Spindle key
US9816184B2 (en) 2012-03-20 2017-11-14 Veeco Instruments Inc. Keyed wafer carrier
US9401271B2 (en) * 2012-04-19 2016-07-26 Sunedison Semiconductor Limited (Uen201334164H) Susceptor assemblies for supporting wafers in a reactor apparatus
EP2660574A1 (en) * 2012-05-04 2013-11-06 LayTec AG Flat light emitting plate for simulating thermal radiation, method for calibrating a pyrometer and method for determining the temperature of a semiconducting wafer
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US8889566B2 (en) 2012-09-11 2014-11-18 Applied Materials, Inc. Low cost flowable dielectric films
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
KR101440307B1 (ko) * 2012-09-17 2014-09-18 주식회사 유진테크 기판처리장치
WO2014058612A1 (en) * 2012-10-09 2014-04-17 Applied Materials, Inc. Indexed inline substrate processing tool
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20140120735A1 (en) * 2012-10-31 2014-05-01 Macronix International Co., Ltd. Semiconductor process gas flow control apparatus
JP5904101B2 (ja) * 2012-11-22 2016-04-13 豊田合成株式会社 化合物半導体の製造装置およびウェハ保持体
US9018108B2 (en) 2013-01-25 2015-04-28 Applied Materials, Inc. Low shrinkage dielectric films
CA2843276A1 (en) * 2013-02-20 2014-08-20 Hartford Steam Boiler Inspection And Insurance Company Dynamic outlier bias reduction system and method
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
JP6027929B2 (ja) * 2013-03-29 2016-11-16 大陽日酸株式会社 気相成長装置の調整方法
US9580806B2 (en) * 2013-08-29 2017-02-28 Applied Materials, Inc. Method of processing a substrate support assembly
KR102227281B1 (ko) * 2013-09-06 2021-03-12 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 원형 램프 어레이들
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
WO2015076943A1 (en) * 2013-11-22 2015-05-28 Applied Materials, Inc. Easy access lamphead
JP6559706B2 (ja) 2014-01-27 2019-08-14 ビーコ インストルメンツ インコーポレイテッド 化学蒸着システム用の複合半径を有する保持ポケットを有するウェハキャリア
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
JP6303592B2 (ja) * 2014-02-25 2018-04-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
WO2015179387A1 (en) * 2014-05-21 2015-11-26 Brewer Science Inc. Multi-size adaptable spin chuck system
US9412581B2 (en) 2014-07-16 2016-08-09 Applied Materials, Inc. Low-K dielectric gapfill by flowable deposition
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR102300403B1 (ko) 2014-11-19 2021-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
JP6094605B2 (ja) * 2015-01-20 2017-03-15 トヨタ自動車株式会社 単結晶製造装置
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US9982364B2 (en) * 2015-04-07 2018-05-29 Applied Materials, Inc. Process gas preheating systems and methods for double-sided multi-substrate batch processing
US9627239B2 (en) 2015-05-29 2017-04-18 Veeco Instruments Inc. Wafer surface 3-D topography mapping based on in-situ tilt measurements in chemical vapor deposition systems
WO2016196105A1 (en) * 2015-06-05 2016-12-08 Applied Materials, Inc. Susceptor position and rotation apparatus and methods of use
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10043661B2 (en) 2015-07-13 2018-08-07 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US10932323B2 (en) 2015-08-03 2021-02-23 Alta Devices, Inc. Reflector and susceptor assembly for chemical vapor deposition reactor
KR20170016562A (ko) 2015-08-03 2017-02-14 삼성전자주식회사 박막 증착 장치
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
TWI692047B (zh) * 2015-10-09 2020-04-21 美商應用材料股份有限公司 用於epi製程之晶圓加熱的二極體雷射
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
DE102015220924B4 (de) * 2015-10-27 2018-09-27 Siltronic Ag Suszeptor zum Halten einer Halbleiterscheibe mit Orientierungskerbe, Verfahren zum Abscheiden einer Schicht auf einer Halbleiterscheibe und Halbleiterscheibe
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US20170178758A1 (en) * 2015-12-18 2017-06-22 Applied Materials, Inc. Uniform wafer temperature achievement in unsymmetric chamber environment
JP6539578B2 (ja) 2015-12-22 2019-07-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理装置および熱処理方法
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10428425B2 (en) * 2016-01-26 2019-10-01 Tokyo Electron Limited Film deposition apparatus, method of depositing film, and non-transitory computer-readable recording medium
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
CA3016541A1 (en) 2016-03-02 2017-09-08 Watlow Electric Manufacturing Company Heater element as sensor for temperature control in transient systems
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
KR20180122023A (ko) 2016-03-28 2018-11-09 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 서셉터 지지부
US10087522B2 (en) 2016-04-21 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9793135B1 (en) 2016-07-14 2017-10-17 ASM IP Holding B.V Method of cyclic dry etching using etchant film
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US10381226B2 (en) 2016-07-27 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of processing substrate
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10177025B2 (en) 2016-07-28 2019-01-08 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10446420B2 (en) * 2016-08-19 2019-10-15 Applied Materials, Inc. Upper cone for epitaxy chamber
US10090316B2 (en) 2016-09-01 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US9916980B1 (en) 2016-12-15 2018-03-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
USD830981S1 (en) 2017-04-07 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
JP6836965B2 (ja) * 2017-06-23 2021-03-03 昭和電工株式会社 成膜装置
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10872803B2 (en) 2017-11-03 2020-12-22 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for isolating a reaction chamber from a loading chamber resulting in reduced contamination
US10872804B2 (en) 2017-11-03 2020-12-22 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for isolating a reaction chamber from a loading chamber resulting in reduced contamination
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
CN111316417B (zh) 2017-11-27 2023-12-22 阿斯莫Ip控股公司 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
WO2019158960A1 (en) 2018-02-14 2019-08-22 Asm Ip Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
TW202349473A (zh) 2018-05-11 2023-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
US11131022B2 (en) * 2018-05-16 2021-09-28 Applied Materials, Inc. Atomic layer self aligned substrate processing and integrated toolset
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TW202013553A (zh) 2018-06-04 2020-04-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
CN112292478A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US10883174B2 (en) * 2018-11-27 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Gas diffuser mounting plate for reduced particle generation
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
USD920936S1 (en) 2019-01-17 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Higher temperature vented susceptor
USD914620S1 (en) 2019-01-17 2021-03-30 Asm Ip Holding B.V. Vented susceptor
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TW202104632A (zh) 2019-02-20 2021-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
TW202100794A (zh) 2019-02-22 2021-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
US11404302B2 (en) 2019-05-22 2022-08-02 Asm Ip Holding B.V. Substrate susceptor using edge purging
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
CN110211710B (zh) * 2019-06-12 2022-03-25 中国核动力研究设计院 一种多辐照目标材料辐照考验堆芯结构及布置和运行方法
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TW202121506A (zh) 2019-07-19 2021-06-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
TW202115273A (zh) 2019-10-10 2021-04-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11764101B2 (en) 2019-10-24 2023-09-19 ASM IP Holding, B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
JP7236985B2 (ja) * 2019-11-15 2023-03-10 東京エレクトロン株式会社 温度計測システム、温度計測方法及び基板処理装置
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210078405A (ko) 2019-12-17 2021-06-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
US11898243B2 (en) 2020-04-24 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride-containing layer
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
WO2023210656A1 (ja) * 2022-04-27 2023-11-02 ローム株式会社 加熱処理装置、及びその動作方法

Family Cites Families (80)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3279946A (en) * 1962-08-14 1966-10-18 Merck & Co Inc Hydrogen chloride treatment of semiconductor coating chamber
DE1771305C3 (de) * 1968-05-03 1974-07-04 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Verfahren zum Reinigen eines für die Halbleiterherstellung dienenden Behandlungsgefäßes aus Quarz
US3835751A (en) * 1971-10-06 1974-09-17 Leesona Corp Fluid operated system
US3862397A (en) * 1972-03-24 1975-01-21 Applied Materials Tech Cool wall radiantly heated reactor
US3783822A (en) * 1972-05-10 1974-01-08 J Wollam Apparatus for use in deposition of films from a vapor phase
US3836751A (en) * 1973-07-26 1974-09-17 Applied Materials Inc Temperature controlled profiling heater
US3916822A (en) * 1974-04-26 1975-11-04 Bell Telephone Labor Inc Chemical vapor deposition reactor
US4047496A (en) * 1974-05-31 1977-09-13 Applied Materials, Inc. Epitaxial radiation heated reactor
US4081313A (en) * 1975-01-24 1978-03-28 Applied Materials, Inc. Process for preparing semiconductor wafers with substantially no crystallographic slip
SE7710800L (sv) * 1976-10-05 1978-04-06 Western Electric Co Forfarande for astadkommande av ett epitaxiellt skikt pa ett substrat
US4101759A (en) * 1976-10-26 1978-07-18 General Electric Company Semiconductor body heater
US4407496A (en) 1981-12-14 1983-10-04 Johnson David E Limb exercise device
US4497683A (en) * 1982-05-03 1985-02-05 At&T Bell Laboratories Process for producing dielectrically isolated silicon devices
JPS58223320A (ja) * 1982-06-22 1983-12-24 Ushio Inc 不純物拡散方法
JPS59928A (ja) * 1982-06-25 1984-01-06 Ushio Inc 光加熱装置
US4545327A (en) * 1982-08-27 1985-10-08 Anicon, Inc. Chemical vapor deposition apparatus
JPS5959876A (ja) * 1982-09-30 1984-04-05 Ushio Inc 光照射炉の運転方法
JPS5977289A (ja) * 1982-10-26 1984-05-02 ウシオ電機株式会社 光照射炉
US4511788A (en) * 1983-02-09 1985-04-16 Ushio Denki Kabushiki Kaisha Light-radiant heating furnace
GB2136937A (en) * 1983-03-18 1984-09-26 Philips Electronic Associated A furnace for rapidly heating semiconductor bodies
US4649261A (en) * 1984-02-28 1987-03-10 Tamarack Scientific Co., Inc. Apparatus for heating semiconductor wafers in order to achieve annealing, silicide formation, reflow of glass passivation layers, etc.
US4511688A (en) * 1984-02-29 1985-04-16 The Dow Chemical Company Flame retardant for use in rigid polyurethane foams
US4560420A (en) * 1984-06-13 1985-12-24 At&T Technologies, Inc. Method for reducing temperature variations across a semiconductor wafer during heating
JPS61289624A (ja) * 1985-06-18 1986-12-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 気相成長装置
US4680451A (en) * 1985-07-29 1987-07-14 A. G. Associates Apparatus using high intensity CW lamps for improved heat treating of semiconductor wafers
US4798165A (en) * 1985-10-07 1989-01-17 Epsilon Apparatus for chemical vapor deposition using an axially symmetric gas flow
US4789771A (en) * 1985-10-07 1988-12-06 Epsilon Limited Partnership Method and apparatus for substrate heating in an axially symmetric epitaxial deposition apparatus
US4796562A (en) * 1985-12-03 1989-01-10 Varian Associates, Inc. Rapid thermal cvd apparatus
US5244501A (en) * 1986-07-26 1993-09-14 Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha Apparatus for chemical vapor deposition
EP0255454A3 (en) * 1986-07-26 1991-11-21 Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha Apparatus for chemical vapor deposition
US4902531A (en) * 1986-10-30 1990-02-20 Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha Vacuum processing method and apparatus
US4951601A (en) * 1986-12-19 1990-08-28 Applied Materials, Inc. Multi-chamber integrated process system
US4755654A (en) * 1987-03-26 1988-07-05 Crowley John L Semiconductor wafer heating chamber
US4821674A (en) * 1987-03-31 1989-04-18 Deboer Wiebe B Rotatable substrate supporting mechanism with temperature sensing device for use in chemical vapor deposition equipment
US4823735A (en) * 1987-05-12 1989-04-25 Gemini Research, Inc. Reflector apparatus for chemical vapor deposition reactors
US4836138A (en) * 1987-06-18 1989-06-06 Epsilon Technology, Inc. Heating system for reaction chamber of chemical vapor deposition equipment
US4975561A (en) * 1987-06-18 1990-12-04 Epsilon Technology Inc. Heating system for substrates
US4828224A (en) * 1987-10-15 1989-05-09 Epsilon Technology, Inc. Chemical vapor deposition system
US5034199A (en) * 1987-11-13 1991-07-23 Kopin Corporation Zone melt recrystallization apparatus
US4851358A (en) * 1988-02-11 1989-07-25 Dns Electronic Materials, Inc. Semiconductor wafer fabrication with improved control of internal gettering sites using rapid thermal annealing
US4857689A (en) * 1988-03-23 1989-08-15 High Temperature Engineering Corporation Rapid thermal furnace for semiconductor processing
US4978567A (en) * 1988-03-31 1990-12-18 Materials Technology Corporation, Subsidiary Of The Carbon/Graphite Group, Inc. Wafer holding fixture for chemical reaction processes in rapid thermal processing equipment and method for making same
JP2654996B2 (ja) * 1988-08-17 1997-09-17 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置
US5226056A (en) * 1989-01-10 1993-07-06 Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha Plasma ashing method and apparatus therefor
JPH0834187B2 (ja) * 1989-01-13 1996-03-29 東芝セラミックス株式会社 サセプタ
US5053247A (en) * 1989-02-28 1991-10-01 Moore Epitaxial, Inc. Method for increasing the batch size of a barrel epitaxial reactor and reactor produced thereby
US5207835A (en) * 1989-02-28 1993-05-04 Moore Epitaxial, Inc. High capacity epitaxial reactor
US5169684A (en) * 1989-03-20 1992-12-08 Toyoko Kagaku Co., Ltd. Wafer supporting jig and a decompressed gas phase growth method using such a jig
US4920918A (en) * 1989-04-18 1990-05-01 Applied Materials, Inc. Pressure-resistant thermal reactor system for semiconductor processing
US5011794A (en) * 1989-05-01 1991-04-30 At&T Bell Laboratories Procedure for rapid thermal annealing of implanted semiconductors
US5156820A (en) * 1989-05-15 1992-10-20 Rapro Technology, Inc. Reaction chamber with controlled radiant energy heating and distributed reactant flow
US5104276A (en) * 1989-05-19 1992-04-14 Applied Materials, Inc. Robotically loaded epitaxial deposition apparatus
US4986838A (en) * 1989-06-14 1991-01-22 Airgard, Inc. Inlet system for gas scrubber
JPH04713A (ja) * 1989-12-26 1992-01-06 Sumitomo Metal Ind Ltd 基板の加熱装置
US5155336A (en) * 1990-01-19 1992-10-13 Applied Materials, Inc. Rapid thermal heating apparatus and method
US5077875A (en) * 1990-01-31 1992-01-07 Raytheon Company Reactor vessel for the growth of heterojunction devices
US5108792A (en) * 1990-03-09 1992-04-28 Applied Materials, Inc. Double-dome reactor for semiconductor processing
DE69126724T2 (de) * 1990-03-19 1998-01-15 Toshiba Kawasaki Kk Vorrichtung zur Dampfphasenabscheidung
US5098198A (en) * 1990-04-19 1992-03-24 Applied Materials, Inc. Wafer heating and monitor module and method of operation
US5252807A (en) * 1990-07-02 1993-10-12 George Chizinsky Heated plate rapid thermal processor
US5060354A (en) * 1990-07-02 1991-10-29 George Chizinsky Heated plate rapid thermal processor
US5044943A (en) * 1990-08-16 1991-09-03 Applied Materials, Inc. Spoked susceptor support for enhanced thermal uniformity of susceptor in semiconductor wafer processing apparatus
US5179677A (en) * 1990-08-16 1993-01-12 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for substrate heating utilizing various infrared means to achieve uniform intensity
US5085887A (en) * 1990-09-07 1992-02-04 Applied Materials, Inc. Wafer reactor vessel window with pressure-thermal compensation
US5148714A (en) * 1990-10-24 1992-09-22 Ag Processing Technology, Inc. Rotary/linear actuator for closed chamber, and reaction chamber utilizing same
US5034100A (en) * 1990-11-28 1991-07-23 Wilbanks International Stationary drainage device with pressure roll
JPH04202091A (ja) * 1990-11-30 1992-07-22 Furukawa Electric Co Ltd:The 化合物半導体の気相成長装置
US5106200A (en) * 1990-12-20 1992-04-21 Applied Materials, Inc. Apparatus for measuring temperature of wafer
WO1992016671A1 (en) * 1991-03-20 1992-10-01 Canon Kabushiki Kaisha Method and device for forming film by sputtering process
JP2532401Y2 (ja) * 1991-04-16 1997-04-16 ソニー株式会社 バイアスｅｃｒプラズマｃｖｄ装置
US5446825A (en) * 1991-04-24 1995-08-29 Texas Instruments Incorporated High performance multi-zone illuminator module for semiconductor wafer processing
US5436172A (en) * 1991-05-20 1995-07-25 Texas Instruments Incorporated Real-time multi-zone semiconductor wafer temperature and process uniformity control system
US5536918A (en) * 1991-08-16 1996-07-16 Tokyo Electron Sagami Kabushiki Kaisha Heat treatment apparatus utilizing flat heating elements for treating semiconductor wafers
US5387557A (en) * 1991-10-23 1995-02-07 F. T. L. Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor devices using heat-treatment vertical reactor with temperature zones
US5152842A (en) * 1991-12-05 1992-10-06 Rohm Co., Ltd. Reactor for epitaxial growth
DE4140387C2 (de) * 1991-12-07 1998-10-15 Inst Halbleiterphysik Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur verformungsfreien Bearbeitung von Halbleitermaterialscheiben in schnellen thermischen Prozessen
US5429498A (en) * 1991-12-13 1995-07-04 Tokyo Electron Sagami Kabushiki Kaisha Heat treatment method and apparatus thereof
US5431737A (en) * 1992-02-04 1995-07-11 Genus, Inc. Interchangeable CVD chuck surface
US5370739A (en) * 1992-06-15 1994-12-06 Materials Research Corporation Rotating susceptor semiconductor wafer processing cluster tool module useful for tungsten CVD
US5444217A (en) * 1993-01-21 1995-08-22 Moore Epitaxial Inc. Rapid thermal processing apparatus for processing semiconductor wafers

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002521817A (ja) * 1998-07-23 2002-07-16 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 赤外線透過性熱リアクタカバー部材
JP2000311895A (ja) * 1999-03-04 2000-11-07 Applied Materials Inc フッ素化ｂｐｓｇ膜の堆積及び平坦化の改良された方法
JP4489898B2 (ja) * 1999-03-04 2010-06-23 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド フッ素化ｂｐｓｇ膜の堆積及び平坦化の改良された方法
JP2002164423A (ja) * 2000-11-28 2002-06-07 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハリフト装置を備えたウェーハ保持装置
JPWO2014196323A1 (ja) * 2013-06-06 2017-02-23 イビデン株式会社 ウエハキャリアおよびこれを用いたエピタキシャル成長装置

Also Published As

Publication number Publication date
US5683518A (en) 1997-11-04
EP1154039A1 (en) 2001-11-14
WO1994017353A1 (en) 1994-08-04
DE69434773T2 (de) 2007-06-28
JP3859226B2 (ja) 2006-12-20
DE69434773D1 (de) 2006-08-03
EP0633997A1 (en) 1995-01-18
DE69429218D1 (de) 2002-01-10
JP2007180533A (ja) 2007-07-12
EP0633997A4 (en) 1997-05-21
US6151447A (en) 2000-11-21
EP0633997B1 (en) 2001-11-28
US5444217A (en) 1995-08-22
JP2005045213A (ja) 2005-02-17
JP4084412B2 (ja) 2008-04-30
US6310327B1 (en) 2001-10-30
EP1154039B1 (en) 2006-06-21
DE69429218T2 (de) 2002-08-29
US5710407A (en) 1998-01-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH07505261A (ja) 半導体基板を処理するための高速熱処理反応炉
US8148271B2 (en) Substrate processing apparatus, coolant gas supply nozzle and semiconductor device manufacturing method
KR101005384B1 (ko) 열처리 장치
US6737613B2 (en) Heat treatment apparatus and method for processing substrates
KR100415475B1 (ko) 기판 상에 박막을 성장시키는 장치
US6149365A (en) Support frame for substrates
US20050098107A1 (en) Thermal processing system with cross-flow liner
US20090095731A1 (en) Mounting table structure and heat treatment apparatus
US20030019585A1 (en) Substrate processing apparatus and method for fabricating semiconductor device
US8055125B2 (en) Substrate stage mechanism and substrate processing apparatus
TWI517252B (zh) 使用微環境之熱處理加工裝置
WO1994017353B1 (en) A rapid thermal processing apparatus for processing semiconductor wafers
JP2001512789A (ja) ミニ・バッチ式プロセス・チャンバ
JP2003515950A (ja) 抵抗加熱型単一ウエハ炉
KR20110025101A (ko) 탑재대 구조 및 처리 장치
US20120219713A1 (en) Parallel batch chemical vapor deposition system
JP4282539B2 (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP2004055880A (ja) 基板処理装置
JP2004006737A (ja) 半導体製造装置、熱処理装置および半導体製造方法
JP2006093411A (ja) 基板処理装置
US20230117184A1 (en) Batch processing oven for magnetic anneal
KR100299113B1 (ko) 열처리장치및열처리방법
JP2007066934A (ja) 基板処理装置
JPH08162447A (ja) 半導体製造装置
JP2000252222A (ja) 半導体製造装置

Legal Events

Date Code Title Description
A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20040224

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20040412

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040525

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060613

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20060912

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20061030

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20061212

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20070619

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070914

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20071122

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20071204

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20071224

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080129

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080215

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110222

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees