JP3094816B2 - 薄膜の成長方法 - Google Patents

薄膜の成長方法

Info

Publication number
JP3094816B2
JP3094816B2 JP06284233A JP28423394A JP3094816B2 JP 3094816 B2 JP3094816 B2 JP 3094816B2 JP 06284233 A JP06284233 A JP 06284233A JP 28423394 A JP28423394 A JP 28423394A JP 3094816 B2 JP3094816 B2 JP 3094816B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
reaction vessel
thin film
temperature
substrate
gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP06284233A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH08124865A (ja
Inventor
等 羽深
雅典 黛
直人 楯
正健 片山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Handotai Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Handotai Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Handotai Co Ltd filed Critical Shin Etsu Handotai Co Ltd
Priority to JP06284233A priority Critical patent/JP3094816B2/ja
Priority to US08/546,868 priority patent/US6048793A/en
Priority to EP95307596A priority patent/EP0709488A1/en
Publication of JPH08124865A publication Critical patent/JPH08124865A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3094816B2 publication Critical patent/JP3094816B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
    • C23C16/481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation by radiant heating of the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C16/0209—Pretreatment of the material to be coated by heating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C16/0227—Pretreatment of the material to be coated by cleaning or etching
    • C23C16/0236—Pretreatment of the material to be coated by cleaning or etching by etching with a reactive gas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、珪素（Ｓｉ）等の半導
体結晶基板上に珪素等の薄膜を成長させるための方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】図６に示す従来の薄膜成長装置の反応容
器３において、気相中に珪素の原料ガス５や有機金属ガ
ス等を導入して半導体結晶基板（以下、基板という）１
上に薄膜９を成長する時、反応容器３が高温に晒される
と、この内壁面３ａに薄膜９と同成分の堆積物が付着
し、これが薄膜９の成長中に剥がれて基板１上に運ばれ
て付着することにより、薄膜９の表面に突起状の表面欠
陥や積層欠陥が生じる。
【０００３】上記堆積物の付着を抑制するために、反応
容器３の壁の温度を基板１より大幅に低い温度とする、
所謂コールドウオール（Ｃｏｌｄ Ｗａｌｌ）式の反応
容器が採用され、製造プロセス中に一貫して反応容器３
の壁の温度が低温に保持されている。反応容器３の冷却
を効率的に行なう技術の具体例については、例えば特開
昭５７−２５２７号公報、特開昭６０−１１０１１６号
公報に開示されている。なお、図６において２は支持台
（サセプター）、４は赤外線加熱灯、６ａは反応容器３
の内壁面３ａを冷却するための冷却用ガス、１１は排気
である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】気相中で薄膜を成長す
る工程の前には、基板１の表面の自然酸化膜を除去する
ために、水素雰囲気中で気相成長前に基板１を一定温度
に保持（前熱処理）したりＨＣｌガスを導入して、基板
１の表面をエッチングする工程がある。この時、反応容
器３の内壁面３ａの温度が低温に保持されていると、外
方拡散やエッチングにより基板１から気化した不純物
が、反応容器３の内壁面３ａに吸着し易い。内壁面３ａ
に一旦吸着した不純物は、気相成長中に徐々に遊離して
ガスの流れに乗って基板１の表面に輸送され、薄膜９の
中に混入する。このように、基板１から気化した不純物
が気相成長開始後に内壁面３ａから徐々に遊離して薄膜
９に混入する、いわゆるオートドーピング現象が発生す
ることによって、図５に示される従来法の不純物濃度分
布（拡がり抵抗のプロファイルＢを参照）のように、基
板１と薄膜９の界面で抵抗率が広い幅に渡って変化し、
遷移幅ＴB が大きくなるという問題があった。
【０００５】また、ＨＣｌガス等を大量に導入して、反
応容器３の内壁面３ａに付着した堆積物をエッチングで
除去する工程を途中で実施せずに、薄膜製造を複数バッ
チ続けて行なう場合には、前のバッチで導入したドーパ
ントが内壁面３ａに吸着したままになり、一定量のドー
パントを導入しているにもかかわらず、バッチを重ねる
につれて基板１に成長される薄膜９の抵抗率が低下す
る、いわゆるメモリー効果が発生する。特に洗浄した反
応容器３を装着した直後は、メモリー効果の影響が顕著
に発現する。
【０００６】さらに、反応容器３の内壁面３ａに重金属
等の汚染物が一旦吸着すると少数キャリアライフタイム
が低下するが、コールドウオール式の場合は汚染物が気
相成長中に徐々に遊離するので、ライフタイムの回復に
長期間を要することがあった。
【０００７】したがって本発明の目的は、従来技術の上
記問題点を鑑みて、不純物や汚染物が反応容器の内壁面
に吸着する量を抑制し、かつ内壁面に吸着した不純物や
汚染物を容易に除去できるようにすることができる薄膜
の成長方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】すなわち、請求項１に記
載の薄膜の成長方法は、反応容器内に半導体結晶基板を
配置し、前記反応容器の壁を冷媒で強制的に冷却しなが
ら前記半導体結晶基板を加熱し、前記反応容器内に原料
ガスを供給して前記半導体結晶基板上に薄膜を成長する
方法において、前記半導体結晶基板の前熱処理工程及び
／またはエッチング工程時に、前記反応容器の壁の温度
を、薄膜の成長工程時における反応容器の壁の温度より
も高温にすることを特徴とする。
【０００９】
【作用】本発明は、半導体結晶基板の前熱処理工程及び
／またはエッチング工程時に反応容器の壁の温度を薄膜
の成長工程時よりも高温にする、所謂ホットウオール
（Ｈｏｔ Ｗａｌｌ）にすることを特徴とする。反応容
器の壁の温度が高温に保持されていると、例えば、水素
ガスを流しながら基板を加熱する前処理工程や、基板表
面のエッチング工程、または、反応容器の内壁面に付着
した堆積物をエッチングする工程において、不純物や汚
染物が反応容器の内壁面に吸着し難く、また、短時間に
内壁面から除去されるので、不純物や汚染物が内壁面に
滞留しなくなり、オートドーピング現象やメモリー効
果、さらに少数キャリアライフタイムの低下等の現象が
発現しなくなる。
【００１０】反応容器の壁の温度を薄膜成長工程時にお
ける反応容器の壁の温度よりも高温にするには、例えば
図１に示すように、反応容器の壁を強制的に冷却する冷
媒６（空気、窒素、水等）の流量を減らして反応容器３
の温度を昇温させれば良い。冷媒６の供給を停止する
と、反応容器の壁の温度は数百度昇温する。すなわち、
冷媒６を供給するポンプ８の回転数を可変とするか、或
いは冷媒６を供給する配管系の途中に開閉度の任意調整
可能な供給量調整弁７を設けることにより冷媒６の流量
調整を行えば、反応容器の壁の温度を数百度の範囲で調
整可能となる。
【００１１】一方、反応容器の壁の温度を数百度以上に
加熱するには、例えば、カーボンのように熱吸収率の高
い物質を反応容器３と加熱源との間に挿入し、前記熱吸
収率の高い物質から熱が伝わることを利用して前記反応
容器３を強制的に加熱すれば良い。
【００１２】
【実施例】〔第１の実施例〕 まず、冷媒６の流量を減らして反応容器３の温度を昇温
させる第１の実施例について、図１と図２を参照して説
明する。
【００１３】反応容器３としては、高さ２０ｍｍ、幅３
００ｍｍで矩形断面の石英ガラス製のものを使用した。
反応容器３内には、基板１を支持する支持台２を設け
た。反応容器３の外側には、基板１を所望の温度に維持
するための加熱装置として、赤外線加熱灯４を設けた。
赤外線加熱灯４からの輻射光を基板１に到達させるた
め、反応容器３のうち赤外線加熱灯４に面する部分は透
明な構造とした。
【００１４】反応容器３と赤外線加熱灯４の間に形成さ
れる空間には、供給量の調整を可能にした空気が冷却用
ガス６ａとして流される。この冷却用ガス６ａの供給量
を調節するために、駆動電圧または電流により供給量の
可変なポンプを使用するか、或いは配管系の途中に供給
量調整弁７を設ける。勿論その両方を設けても良い。
【００１５】図２に示すように、基板１の前熱処理工程
時とエッチング工程時には送気率を極めて小さくし、一
方、基板１を反応容器３内へ挿入する時及び薄膜９を成
長する時から基板１を反応容器３内から取り出す時まで
は、送気率を大きくする。ここで送気率とは、冷却用ガ
ス６ａの送気用ポンプ８の回転率と供給量調整弁７の開
度の何れか、または両方の調整によりもたらされる冷却
用ガス６ａの流量の、冷却用ガス配管系の最大送気能力
に対する割合として定義する。尚、送気率１００％時の
冷却用ガス６ａの流量は２０ｍ3 ／分であった。
【００１６】冷却用ガス６ａの送気率を調節し、反応容
器の壁の温度変化を計測する際、放射温度計では透明な
石英ガラスの温度を計測することが不可能であり、熱電
対では計測部が単独に輻射光を受けて昇温してしまうた
めに極めて困難である。そこで、各工程において短時間
だけ赤外線加熱灯４の通電を遮断し、可能な限り細い熱
電対を速やかに挿入して石英ガラスの温度を測定した。
反応容器の壁の実際の温度を知ることは、この方法を用
いても不可能であるが、反応容器の壁の温度が何℃程度
であったかを見積もることはできる。
【００１７】反応容器３内の温度が８００℃まで下がっ
た後に、基板１を反応容器３内に挿入して支持台２に載
置した。この時の反応容器３の壁の温度はほぼ３００℃
であった。基板１として、ホウ素をドープした抵抗率
０．０１５Ω・ｃｍで（１００）方位を有する、直径２
００ｍｍの珪素単結晶基板を用いた。基板１の挿入が完
了すると、反応容器３の温度をできるだけ上げるために
冷却用ガス６ａの送気率を０％とし、反応容器３内にキ
ャリアガスとして水素ガス１００リッター／分を流し始
め、赤外線加熱灯４に通電した。
【００１８】基板１の温度が１１００℃まで上昇する
と、その温度で５分間保持して前熱処理を行い、さら
に、水素ガス中にＨＣｌガスを１リッター／分混合させ
て基板１表面のエッチングを１分間行った。前述の測定
方法により反応容器３の壁の温度を測定すると、８００
℃程度にまで上昇していた。
【００１９】この前熱処理工程とエッチング工程におい
て、珪素からなる基板１の表面に形成されていた二酸化
珪素の薄膜（厚さ約１．５ｎｍ）は水素ガスやＨＣｌガ
スとの反応により剥離されてキャリアガスにより運び去
られる。一方、この前熱処理工程とエッチング工程にお
いて、基板１内にドープされているホウ素原子も、外方
拡散とエッチングにより基板１の表面から気化して気相
中に放散される。
【００２０】従来のように、反応容器３の温度が低温に
保持されていると、前熱処理工程やエッチング工程にお
いて基板１から気相中に放出された不純物、一酸化珪
素、二酸化珪素、さらに金属等の汚染物が、内壁面３ａ
の温度に応じて吸着平衡の状態となり、次の薄膜９の成
長工程まで相当部分が内壁面３ａに残留し、徐々にこれ
らの不純物や汚染物などを放出し続けるので遷移幅が広
くなったり、少数キャリアライフタイムの低下などに繋
がっていた。
【００２１】これに対して、本発明の装置を用いて行な
った本実験においては、前熱処理工程における強制冷却
されていない反応容器３の壁の温度が、８００℃程度で
あることが測定された。従って、基板１の前熱処理工程
やエッチング工程において、気相中に放散された不純物
や汚染物などは内壁面３ａに殆ど吸着することなく、反
応容器３の外へキャリアガスと共に排出されたと考えら
れる。
【００２２】エッチング工程終了後、冷却用空気の送気
率を再び１００％として反応容器３の壁を事前に２分間
冷却し、原料ガスのトリクロロシランを１０ｇ／分の割
合でドーパントのジボランガスとともに水素ガス中に混
合した。これにより、反応容器３内に導入されたトリク
ロロシランは、１１００℃で保持されている基板１上に
運ばれて化学反応を生じ、薄膜９を成長させる。成長速
度は約３μｍ／分であった。１分間の成長の後にトリク
ロロシランとジボランの供給を停止し、続いて赤外線加
熱灯４の通電を遮断して反応容器３内の冷却を行ない、
基板１及び半導体結晶薄膜９を反応容器３の外に搬出し
た。この間、冷却用ガス６ａの送気率は、１００％に維
持された。
【００２３】以上の工程と条件を用いて製造される薄膜
９の遷移幅ＴA を、従来の条件を用いて得られる薄膜９
の遷移幅ＴB と比較すると、図５のように、本発明の方
法による薄膜９の遷移幅ＴA は従来法による遷移幅ＴB
より小さくなり、従来法よりもオートドーピング現象の
影響が著しく改善されることがわかる。
【００２４】また図５において、本発明の方法による拡
がり抵抗のプロファイルＡは、従来法によるプロファイ
ルＢよりも急峻で且つ高抵抗値を持つので、これより、
メモリー効果の影響が改善されることがわかる。
【００２５】〔第２の実施例〕 次に、反応容器３の内壁面３ａに付着した堆積物をエッ
チングする工程時に、反応容器３を強制的に加熱して薄
膜の成長工程時よりも高温にする第２の実施例につい
て、図３と図４を参照して説明する。
【００２６】反応容器３としては、第１の実施例と同じ
反応容器に、反応容器３を強制的に加熱するためのグラ
ファイト板１０を挿入できるものを使用した。反応容器
３の内壁面３ａに付着した堆積物をエッチングする工程
では、まず反応容器３内に水素ガス１００リッター／分
を流し、次に赤外線加熱灯４に通電して反応容器３内の
温度を１１５０℃に昇温した。昇温完了後直ちに、図３
（ａ）に示すように反応容器３の排気系側に縮めて格納
していたグラファイト板１０を、図３（ｂ）のように反
応容器３と赤外線加熱灯４の間に拡げて挿入し、赤外線
加熱灯４から吸収した熱エネルギーを反応容器３に伝え
て反応容器３の壁を強制的に加熱した。反応容器３の壁
を強制的に加熱している間は、冷却用ガス６ａの供給を
停止する。図４に、第２の実施例における冷却用ガス６
ａの送気率を工程毎に示した。
【００２７】昇温完了の３分後に、水素ガス中にＨＣｌ
ガスを１０リッター／分混合させて内壁面３ａのエッチ
ングを開始した。ＨＣｌガスを５分間流した後にＨＣｌ
ガスを遮断し、水素ガスのみを流しながら３分間待った
後に、赤外線加熱灯４の通電を遮断した。赤外線加熱灯
４の切電と同時に、グラファイト板１０を排気系側に縮
めて格納し、送気率を１００％に上げた。反応容器３内
の温度が８００℃まで下がった後に、基板１を反応容器
３内に挿入して、次の気相成長工程を開始した。
【００２８】反応容器３の内壁面３ａに付着した堆積物
をエッチングする工程を、第２の実施例と従来法とによ
り行い、その直後にそれぞれ気相成長を行って、薄膜９
のジェネレーションライフタイムを比較した。基板とし
てチョコラルスキー法で成長した直径８インチ、面方位
（１００）、ｐ型１０Ω・ｃｍのシリコン単結晶基板１
を用い、単結晶の薄膜９をノンドープで３μｍ成長させ
た。第２の実施例の直後に気相成長を行った場合のジェ
ネレーションライフタイムは、１０００μｓｅｃであっ
た。一方、従来法の直後に気相成長を行った場合のジェ
ネレーションライフタイムは３００μｓｅｃであった。
【００２９】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
薄膜の成長方法によれば、不純物や汚染物が反応容器の
内壁面に吸着する量を減少させることができる。また、
前記内壁面に吸着した不純物や汚染物を影響のない状態
にまで効率的に、短時間に除去できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る薄膜成長装置の第１の実施例を示
す説明図である。
【図２】第１の実施例における冷却用ガス６ａの送気率
を工程毎に示す説明図である。
【図３】本発明に係る薄膜成長装置の第２の実施例を示
す説明図である。
【図４】第２の実施例における冷却用ガス６ａの送気率
を工程毎に示す説明図である。
【図５】図１の装置及び従来の装置により得られた、拡
がり抵抗の分布を示すグラフである。
【図６】従来の薄膜の成長装置を示す概略断面図であ
る。
【符号の説明】
１ 基板 ２ 支持台 ３ 反応容器 ３ａ 内壁面 ４ 赤外線加熱灯 ５ 原料ガス ６ 冷媒 ６ａ 冷却用ガス ７ 供給量調整弁 ８ ポンプ ９ 薄膜 １０ グラファイト板 １１ 排気
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 片山 正健 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越 半導体株式会社 半導体磯部研究所内 (56)参考文献 特開 昭63−181331（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−247685（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205 C23C 16/00 - 16/56

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 反応容器内に半導体結晶基板を配置し、
    前記反応容器の壁を冷媒で強制的に冷却しながら前記半
    導体結晶基板を加熱し、前記反応容器内に原料ガスを供
    給して前記半導体結晶基板上に薄膜を成長する方法にお
    いて、前記半導体結晶基板の前熱処理工程及び／または
    エッチング工程時に、前記反応容器の壁の温度を、薄膜
    の成長工程時における反応容器の壁の温度よりも高温に
    することを特徴とする薄膜の成長方法。
JP06284233A 1994-10-25 1994-10-25 薄膜の成長方法 Expired - Fee Related JP3094816B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP06284233A JP3094816B2 (ja) 1994-10-25 1994-10-25 薄膜の成長方法
US08/546,868 US6048793A (en) 1994-10-25 1995-10-23 Method and apparatus for thin film growth
EP95307596A EP0709488A1 (en) 1994-10-25 1995-10-25 Method and apparatus for thin film growth

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP06284233A JP3094816B2 (ja) 1994-10-25 1994-10-25 薄膜の成長方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH08124865A JPH08124865A (ja) 1996-05-17
JP3094816B2 true JP3094816B2 (ja) 2000-10-03

Family

ID=17675900

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP06284233A Expired - Fee Related JP3094816B2 (ja) 1994-10-25 1994-10-25 薄膜の成長方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6048793A (ja)
EP (1) EP0709488A1 (ja)
JP (1) JP3094816B2 (ja)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5855677A (en) * 1994-09-30 1999-01-05 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling the temperature of reaction chamber walls
ATE312955T1 (de) * 1996-05-21 2005-12-15 Applied Materials Inc Verfahren und vorrichtung zum regeln der temperatur einer reaktorwand
US6007673A (en) * 1996-10-02 1999-12-28 Matsushita Electronics Corporation Apparatus and method of producing an electronic device
JPH11238688A (ja) 1998-02-23 1999-08-31 Shin Etsu Handotai Co Ltd 薄膜の製造方法
US6949203B2 (en) 1999-12-28 2005-09-27 Applied Materials, Inc. System level in-situ integrated dielectric etch process particularly useful for copper dual damascene
US6500357B1 (en) 1999-12-28 2002-12-31 Applied Materials Inc. System level in-situ integrated dielectric etch process particularly useful for copper dual damascene
JP5807505B2 (ja) * 2011-10-14 2015-11-10 信越半導体株式会社 エピタキシャルウエーハの製造方法
JP5741467B2 (ja) * 2012-02-07 2015-07-01 信越半導体株式会社 気相成長装置の清浄度評価方法
JP5940375B2 (ja) * 2012-06-01 2016-06-29 シャープ株式会社 気相成長装置および窒化物半導体発光素子の製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4263336A (en) * 1979-11-23 1981-04-21 Motorola, Inc. Reduced pressure induction heated reactor and method
JPS608622B2 (ja) 1980-06-06 1985-03-04 日本電信電話株式会社 減圧気相成長装置
JPS60110116A (ja) 1983-11-18 1985-06-15 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体薄膜気相成長装置
US4728389A (en) * 1985-05-20 1988-03-01 Applied Materials, Inc. Particulate-free epitaxial process
DE3888736T2 (de) * 1987-06-24 1994-11-17 Advanced Semiconductor Mat Verfahren zur Epitaxieabscheidung von Silizium.
KR960012876B1 (ko) * 1988-06-16 1996-09-25 도오교오 에레구토론 사가미 가부시끼가이샤 열처리 장치
JPH0282575A (ja) * 1988-09-19 1990-03-23 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
SE465100B (sv) * 1989-06-30 1991-07-22 Inst Mikroelektronik Im Foerfarande och anordning foer att i en kallvaeggsreaktor behandla en kiselskiva
US5444217A (en) * 1993-01-21 1995-08-22 Moore Epitaxial Inc. Rapid thermal processing apparatus for processing semiconductor wafers

Also Published As

Publication number Publication date
EP0709488A1 (en) 1996-05-01
JPH08124865A (ja) 1996-05-17
US6048793A (en) 2000-04-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6596095B2 (en) Epitaxial silicon wafer free from autodoping and backside halo and a method and apparatus for the preparation thereof
JP2874834B2 (ja) シリコンウェーハのイントリンシックゲッタリング処理法
TWI420599B (zh) 矽晶圓之製造方法
US6566277B1 (en) Liquid-phase growth method, liquid-phase growth apparatus, and solar cell
EP1287188B1 (en) Epitaxial silicon wafer free from autodoping and backside halo
CN103173857B (zh) 硅单晶基底及其制造方法
JP3094816B2 (ja) 薄膜の成長方法
US6666915B2 (en) Method for the preparation of an epitaxial silicon wafer with intrinsic gettering
US6599815B1 (en) Method and apparatus for forming a silicon wafer with a denuded zone
US6056931A (en) Silicon wafer for hydrogen heat treatment and method for manufacturing the same
US20020078882A1 (en) Apparatus for forming an epitaxial silicon wafer with a denuded zone
US5550082A (en) Method and apparatus for doping silicon wafers using a solid dopant source and rapid thermal processing
EP0973190A2 (en) Silicon wafer and method for producing it
US20050032337A1 (en) Method and apparatus for forming a silicon wafer with a denuded zone
JP3578396B2 (ja) 結晶格子欠陥を有する半導体ディスク及びその製造法
CN100430531C (zh) 丘克拉斯基提拉器
TWI463538B (zh) 用以處理半導體基板的方法、處理矽表面的方法以及系統
TWI804385B (zh) 矽磊晶基板的製造方法以及矽磊晶基板
Komatsu et al. Infrared radiation annealing for extended‐defect reduction in As‐implanted Si crystals
TW202323602A (zh) 磊晶生長方法及磊晶晶圓
JPH06508957A (ja) 固体ドーパントソースと急速熱処理を使用してシリコンウェーハをドープする方法と装置
JP2002241194A (ja) エピタキシャルシリコンウエーハの製造方法およびエピタキシャルシリコンウエーハ
KR100267609B1 (ko) 고주파 유도가열 되는 직접접합 soi기판 및 그의 제조방법
JP3407345B2 (ja) シリコン基板の酸素濃度測定方法
CN115715338A (zh) 由单晶硅制成的半导体晶片及其生产方法

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080804

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080804

Year of fee payment: 8

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080804

Year of fee payment: 8

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080804

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090804

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090804

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100804

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110804

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110804

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120804

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120804

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130804

Year of fee payment: 13

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees