DE19951991C2 - Verfahren und Vorrichtung zum Beladen eines Suszeptors - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zum Beladen eines SuszeptorsInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Beladen eines
erwärmten Suszeptors oder eines Suszeptorsegments eines Abschei
dereaktors mit einer Substratscheibe, die auf einer Haltevorrich
tung aufliegt. Die Erfindung betrifft auch eine Vorrichtung zum
Beladen eines Suszeptors, insbesondere eines Suszeptorsegments
eines Abscheidereaktors.
Abscheidereaktoren, die insbesondere in der Halbleiterindustrie
zum Abscheiden einer epitaktischen Schicht auf einer Substrat
scheibe verwendet werden, sind im Stand der Technik beschrieben.
Transportvorrichtungen zum Be- und Entladen von Prozesskammern,
auch unter Vakuum, sind in DE 42 35 676 und US 3,973,665 beschrie
ben.
Während sämtlicher Beschichtungs- bzw. Abscheideverfahren wird
eine oder mehrere Substratscheiben mittels Heizquellen, vorzugs
weise mittels oberen und unteren Heizquellen, beispielsweise Lam
pen oder Lampenbänken erwärmt und anschließend einem Gasgemisch,
bestehend aus einem Quellengas, einem Trägergas und gegebenen
falls einem Dotiergas, ausgesetzt.
Ein Suszeptor, beispielsweise aus Graphit, SiC oder Quarz in der
Abscheidekammer des Abscheidereaktors, dient als Auflage für die
Substratscheibe. Die Scheibe liegt während des Abscheideverfah
rens auf dem Suszeptor oder in Ausfräsungen im Suszeptor auf, um
eine gleichmäßige Erwärmung zu gewährleisten und die Rückseite
der Scheibe, auf der in der Regel keine Schicht abgeschieden
wird, vor dem Quellengas zu schützen. Gemäß dem Stand der Technik
sind die Abscheidekammern für eine oder mehrere Substratscheiben
ausgelegt. Durch die große thermische Masse des Suszeptors kühlt
dieser nach der Beschichtung nur langsam ab, selbst wenn die
Heizleistung auf null reduziert wird.
Um eine wirtschaftliche Durchsatzrate zu erzielen, wird der Sus
zeptor unmittelbar nach dem Abscheideverfahren entladen und im
Anschluß mit einer zu beschichtenden Substratscheibe beladen.
Das Be- und Entladen des Suszeptors eines Abscheidereak
tors mit einer Substratscheibe erfolgt vorzugsweise automati
siert. Beim Beladen stellt eine Transport- und Haltevorrichtung
eine zu beschichtende Substratscheibe bereit. Die Transportvor
richtung ist außerhalb der Abscheidekammer angebracht. Die Sub
stratscheibe liegt am Ende der Haltevorrichtung, die beispiels
weise die Form einer Gabel, beispielsweise die einer Stimmgabel
hat, auf. Die Transportvorrichtung platziert die Haltevorrich
tung und die aufliegende Substratscheibe vertikal über dem Sus
zeptor des Abscheidereaktors Abscheidekammer.
Das Abheben der Substratscheibe von der Haltevorrichtung und
das Beladen des Suszeptors wird im Stand der Technik durch ver
schiedene Verfahren und Vorrichtungen gelöst. Beispielsweise
heben Stifte, beispielsweise aus Quarz, die in Bohrungen im
Suszeptor nach oben geführt werden, die Substratscheibe von der
Haltevorrichtung ab und beladen, nachdem die Haltevorrichtung
aus der vertikalen Position zurückgezogen wurde, den Suszeptor,
indem die Stifte in die Bohrungen des Suszeptors zurückgeführt
werden (US 5,421,893).
Anstelle der Quarzstifte kann auch ein vertikal bewegliches
Suszeptorsegment eines segmentierten Suszeptors die Substrat
scheibe von der Haltevorrichtung abheben. Dazu wird das Segment
soweit nach oben geführt, bis die Substratscheibe von der Hal
tevorrichtung abgehoben ist. Dann wird die Haltevorrichtung aus
der vertikalen Position zurückgezogen und der Suszeptor, indem
das Segment zurückgeführt wird, mit der Substratscheibe bela
den.
Die Temperatur des Suszeptors oder des Suszeptorsegments be
trägt beim Be- und Entladen zwischen 300 und 1600°C, die Tem
peratur der Substratscheibe ist dabei signifikant niedriger als
die Suszeptortemperatur. Wird die Substratscheibe mit dem er
wärmten Suszeptor oder dem erwärmten Suszeptorsegment gemäß dem
Stand der Technik in Kontakt gebracht, so erfährt die Substrat
scheibe eine thermische Streßsituation, die zum Bruch der Sub
stratscheibe führen kann. Insbesondere der Kontakt mit einem
erwärmten Suszeptorsegment führt durch die partielle Erwärmung
der Substratscheibe zu Bruch der Scheibe.
Aufgabe der Erfindung ist es daher ein Verfahren und eine Vor
richtung zur Verfügung zu stellen, die ein Beladen eines er
wärmten Suszeptors oder eines Suszeptorsegments eines Abschei
dereaktors mit einer Substratscheibe ermöglicht, ohne daß die
Substratscheibe eine thermische Streßsituation erfährt.
Gelöst wird die Aufgabe durch ein Verfahren zum Beladen eines
erwärmten Suszeptors oder eines Suszeptorsegments eines Ab
scheidereaktors mit einer Substratscheibe, die auf einer Halte
vorrichtung aufliegt, das dadurch gekennzeichnet ist, daß vor
dem Kontakt zwischen Substratscheibe und Suszeptor oder Suszep
torsegment eine Halteposition, in der Substratscheibe und Sus
zeptor oder Suszeptorsegment vertikal voneinander beabstandet
sind, angefahren wird, und erst nach einer Verweilzeit in die
ser Halteposition die Substratscheibe mit dem Suszeptor oder
dem Suszeptorsegment in Kontakt gebracht wird.
Erfindungsgemäß wird zum Beladen zunächst die Haltevorrichtung
und die aufliegende Substratscheibe vertikal über dem erwärmten
Suszeptor eines Abscheidereaktors platziert. Dann wird die Sub
stratscheibe von der Haltevorrichtung, beispielsweise mittels
Stiften, vorzugsweise mittels Quarzstiften, die nach oben ge
führt werden, abgehoben und die Haltevorrichtung aus der verti
kalen Position zurückgezogen. Anschließend werden die Stifte in
die Bohrungen im Suszeptor bis zu einer Position, in der Sub
stratscheibe und Suszeptor gerade noch voneinander beabstandet
sind, zurückgeführt. In dieser Position wird die Substratschei
be für eine Zeit von 0,1 bis 100 s, bevorzugt von 1 bis 10 s
gehalten. Substratscheibe und Suszeptor sind in dieser Haltepo
sition 0,1 bis 100 mm, bevorzugt 1 bis 10 mm voneinander beab
standet, was eine gleichmäßige Erwärmung der Substratscheibe
durch den erwärmten Suszeptor gewährleistet. Die Substratschei
be erfährt keine thermische Streßsituation. Nach der oben of
fenbarten Verweilzeit in dieser Halteposition wird die Sub
stratscheibe, in dem die Stifte vollständig in die Bohrungen im
Suszeptor zurückgezogen werden, mit dem Suszeptor in Kontakt ge
bracht und in dem Abscheidereaktor einem Abscheideverfahren un
terzogen.
In einer bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Ver
fahrens wird zum Beladen zunächst die Haltevorrichtung und die
aufliegende Substratscheibe vertikal über einem erwärmten, seg
mentierten Suszeptor eines Abscheidereaktors platziert. Dann wird
ein vertikal bewegliches Suszeptorsegment des segmentierten Sus
zeptors bis zu einer Halteposition an die Substratscheibe heran
gefahren. Diese Position wird für eine Zeit von 0,1 bis 100 s,
bevorzugt von 1 bis 10 s gehalten. Substratscheibe und Suszeptor
segment sind in dieser Halteposition 0,1 bis 100 mm, bevorzugt 1
bis 10 mm voneinander beabstandet, was eine gleichmäßige Erwär
mung der Substratscheibe durch das erwärmte Suszeptorsegment ge
währleistet. Die Substratscheibe erfährt keine thermische Streß
situation. Anschließend wird das Suszeptorsegment weiter nach
oben geführt, wodurch zunächst der Kontakt der Substratscheibe
und dann ein Abheben von der Haltevorrichtung bewerkstelligt
wird. Die Haltevorrichtung wird aus der vertikalen Position zu
rückgezogen und der Suszeptor, indem das Segment zurückgeführt
wird, mit der Substratscheibe beladen.
Neben der reduzierten Bruchrate durch die gleichmäßige Erwärmung
zeichnet sich das erfindungsgemäße Verfahren auch dadurch aus,
daß bei einer höheren Suszeptortemperatur beladen werden kann.
Dies steigert den Durchsatz und damit die Wirtschaftlichkeit des
Abscheidereaktors.
Die Durchführung der bevorzugten Ausführungsform des erfindungs
gemäßen Verfahrens erfolgt durch eine Vorrichtung zum Beladen ei
nes Suszeptors oder eines Suszeptorsegments eines Abscheidereak
tors mit einer Substratscheibe, die auf einer Haltevorrichtung
aufliegt, die gekennzeichnet ist durch einen Hubzylinder 1, der
über ein Hubgestänge 3 den Suszeptor oder das Suszeptorsegment
anhebt und einen Gegendruckzylinder 2, über welchen die Haltepo
sition eingestellt wird.
Die Aufgabe der Erfindung wird demnach auch durch eine Vorrich
tung gemäß dem unabhängigen Vorrichtungsanspruch gelöst.
Die Figur zeigt schematisch die erfindungsgemäße Vorrichtung;
insbesondere zeigt die Figur das Zusammenwirken der Zylinder 1
und 2.
Zum Beladen eines Suszeptors oder eines Suszeptorsegments eines
Abscheidereaktors mit einer Substratscheibe, die auf einer Halte
vorrichtung aufliegt, wird der Gegendruckzylinder 2 vom System
aktiviert und fährt bis zu einer eingestellten Position aus, die
durch eine Begrenzungsvorrichtung 8, beispielsweise eine
Schraube, begrenzt ist. Kurz darauf bewegt sich der Hubzylinder
1, der über ein Hubgestänge 3 das Suszeptorsegment soweit anhebt,
bis dieser den vom Gegendruckzylinder betätigten Anschlag 6 er
reicht. Hubzylinder 1 und Hubgestänge 3 sind beispielsweise über
Bolzen 4 miteinander verbunden. Diese Position wird für eine von
einem Zeitglied vorbestimmte Zeit gehalten. Der Gegendruckzylin
der 2 ist zweckmäßigerweise stärker ausgelegt als der Hubzylinder
1, d. h. er erzeugt vorzugsweise eine größere Druckkraft als der
Hubzylinder 1.
In dieser Halteposition sind Substratscheibe und Suszeptor oder
Suszeptorsegment vertikal voneinander beabstandet. Nach der vor
bestimmten Zeit wird die Ansteuerung des Gegendruckzylinders 2
unterbrochen. Die Ansteuerung der Zylinder erfolgt beispielsweise
durch eine Flüssigkeit, ein Gas, einen Motor oder Schlitten; be
vorzugt erfolgt die Ansteuerung durch Luft. Der Gegendruckzylin
der 2 wird vom Druck des Zylinders 1 zusammengedrückt. Die Ge
schwindigkeit dieses Vorganges wird beispielsweise über ein Ven
til 9 eingestellt. Es entsteht dadurch ein sanfter Bewegungsab
lauf zwischen der Halteposition, dem Kontakt mit der Substrat
scheibe und dem Abheben von der Haltevorrichtung. Die Justierung
der Endposition erfolgt beispielsweise mittels einer Einstell
schraube 7. Der Kontakt zwischen der zu beladenden Substrat
scheibe und dem Suszeptor oder dem Suszeptorsegment ereignet sich
kurz nachdem die Ansteuerung des Gegendruckzylinders 2 unterbro
chen wurde. Zur Minimierung der Reibung und damit verbundenen Er
schütterungen
erfolgt die Bewegung des Anschlages 6 über Führungsrollen 5.
Claims (4)
1. Verfahren zum Beladen eines erwärmten Suszeptors
oder eines Suszeptorsegments eines Abscheidereaktors
mit einer Substratscheibe, die auf einer Haltevorrich
tung aufliegt, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem
Kontakt zwischen Substratscheibe und Suszeptor oder
Suszeptorsegment eine Halteposition, in der Substrat
scheibe und Suszeptor oder Suszeptorsegment vertikal
voneinander beabstandet sind, angefahren wird, und
erst nach einer Verweilzeit in dieser Halteposition die
Substratscheibe mit dem Suszeptor oder dem Suszep
torsegment in Kontakt gebracht wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich
net, daß Substratscheibe und Suszeptor oder Suszeptor
segment in der Halteposition zwischen 0,1 und
100 mm voneinander beabstandet sind.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Verweilzeit in der Halteposition zwi
schen 0,1 und 100 s beträgt.
4. Vorrichtung zum Beladen eines Suszeptors oder ei
nes Suszeptorsegments eines Abscheidereaktors mit ei
ner Substratscheibe, die auf einer Haltevorrichtung
aufliegt, gekennzeichnet durch einen Hubzylinder (1),
der über eine Hubgestänge (3) den Suszeptor oder das
Suszeptorsegment anhebt and einen Gegendruckzylin
der (2), über welchen die Halteposition eingestellt
wird.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19951991A DE19951991C2 (de) | 1999-10-28 | 1999-10-28 | Verfahren und Vorrichtung zum Beladen eines Suszeptors |
US09/694,867 US6435797B1 (en) | 1999-10-28 | 2000-10-24 | Method and device for loading a susceptor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19951991A DE19951991C2 (de) | 1999-10-28 | 1999-10-28 | Verfahren und Vorrichtung zum Beladen eines Suszeptors |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19951991A1 DE19951991A1 (de) | 2001-05-10 |
DE19951991C2 true DE19951991C2 (de) | 2001-10-25 |
Family
ID=7927201
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19951991A Expired - Lifetime DE19951991C2 (de) | 1999-10-28 | 1999-10-28 | Verfahren und Vorrichtung zum Beladen eines Suszeptors |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6435797B1 (de) |
DE (1) | DE19951991C2 (de) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: WACKER SILTRONIC AG, 84489 BURGHAUSEN, DE |
|
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: SILTRONIC AG, 81737 MUENCHEN, DE |
|
R071 | Expiry of right |