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Die vorliegende Anmeldung beansprucht die Priorität der
koreanischen Patentanmeldung Nr. 10-2015-0010803 (eingereicht am 22. Januar 2015), die hiermit durch Bezugnahme in ihrer Gesamtheit aufgenommen wird.
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HINTERGRUND
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Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf ein Verfahren zum Vorbereiten eines erneuten Starts einer Kammer und insbesondere auf ein Verfahren zum Vorbereiten eines erneuten Produktionslaufs eines epitaxialen Wachstumsverfahrens in der Kammer und zur Herstellung eines Epitaxialwafers durch Entfernen von Feuchtigkeit und Verunreinigungen, die in einer Kammer verblieben sind, nachdem das Wachstum eines Epitaxialwafers abgeschlossen ist.
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Herkömmliche Siliziumscheiben können hergestellt werden, indem ein Einkristallwachstumsprozess, ein Schneidverfahren, ein Schleifverfahren, ein Umwicklungsverfahren, ein Polierverfahren und ein Reinigungsverfahren zum Entfernen von abrasiven Stoffen oder Fremdstoffen, die an den Wafern verblieben sind, nachdem die Wafer poliert sind, durchgeführt werden. Ein solcher Wafer, der durch die oben beschriebenen Verfahren hergestellt wird, kann als polierter Wafer bezeichnet werden, und ein Wafer, der durch Züchten bzw. Wachsen einer weiteren Einkristallschicht (einer Epitaxieschicht) auf dem polierten Wafer hergestellt wird, kann als Epitaxialwafer bezeichnet werden.
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Der Epitaxialwafer kann Eigenschaften aufweisen, bei denen Defekte geringer sind als diejenigen des polierten Wafers, und Konzentration und Art von Verunreinigungen sind steuerbar. Auch kann die Epitaxieschicht vorteilhaft sein, um die Ausbeute und Qualität eines Halbleiterbauelements und seiner Eigenschaften aufgrund hoher Reinheit und überlegener Kristalleigenschaften zu verbessern. Die chemische Dampfabscheidung (CVD) kann ein Verfahren zum Züchten eines Materials auf einem Objekt, wie einem Halbleiterwafer, sein, um eine dünne Schicht zu bilden. Somit kann eine Schicht mit Leitfähigkeit auf dem Wafer abgeschieden werden, so dass der Wafer gewünschte elektrische Eigenschaften aufweist.
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Eine chemische Dampfabscheidungsvorrichtung zum Abscheiden einer Epitaxieschicht auf einer Oberfläche eines Wafers umfasst eine Prozesskammer, in der die Abscheidung der Epitaxieschicht durchgeführt wird, ein darin montierter Suszeptor, eine Heizlampe, die an oberen und unteren Abschnitten der Prozesskammer angeordnet ist und eine Gasinjektionseinheit zum Einspritzen eines Gases aus einer Gasquelle auf den Wafer. Das durch die Gasinjektionseinheit eingeleitete Gas kann auf den auf dem Suszeptor angeordneten Wafer injiziert werden, um eine Epitaxieschicht zu bilden.
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Wenn ein epitaktisches Verfahren, das bei einer hohen Temperatur durchgeführt wird, in einer Kammer eines Epitaxialreaktors zum Aufwachsen der Epitaxieschicht auf dem Wafer abgeschlossen ist, können feuchtigkeitshaltige Metallverunreinigungen in der Kammer vorhanden sein. Wenn Verunreinigungen in der Kammer verblieben sind, kann es schwierig sein, danach wieder in der Kammer einen Epitaxialwafer mit hoher Qualität herzustellen. Wenn also das Verfahren zur Herstellung des Epitaxialwafers abgeschlossen ist, müssen die in der Kammer verbliebenen Verunreinigungen entfernt werden, um eine Atmosphäre zu bilden, unter der ein Epitaxieverfahren wieder durchgeführt werden kann.
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Es wird, um den Epitaxialreaktor wieder betreiben zu können, ein Stickstoffgas in die Kammer, die bei Raumtemperatur ist, für drei Stunden eingeleitet, um die Verunreinigungspartikel in der Kammer zu lüften. Dann wird, während das Innere der Kammer auf einer hohen Temperatur für eine vorbestimmte Zeit gehalten wird, nachdem die Innentemperatur der Kammer zunimmt, ein Ausheiz- bzw. Backvorgang unter Verwendung eines Wasserstoffgases durchgeführt, um die verbleibende Feuchtigkeit und/oder die Verunreinigungen zu entfernen.
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Da jedoch ein Ausheizvorgang, der durchgeführt wird, nachdem das Innere der Kammer in der Temperatur angehoben worden ist, bei einer vorbestimmten Temperatur durchgeführt wird, werden die Feuchtigkeit und verschiedene Verunreinigungen, die in dem Epitaxialreaktor verblieben sind, thermisch stabilisiert. Somit ist es schwierig, die Verunreinigungen zu entfernen. Auch wenn die Feuchtigkeit und die Verunreinigungen durch Einleiten eines Wasserstoffgases entfernt werden, können eine gewisse Restfeuchte und können Metallverunreinigungen nach wie vor im Epitaxialreaktor vorhanden sein. Infolgedessen kann es schwierig sein, die Qualität eines Epitaxialwafers zu sichern, der unter dieser Bedingung hergestellt wird.
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ZUSAMMENFASSUNG
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Ausführungsformen stellen ein Verfahren bereit, bei dem eine Temperatur während eines Ausheizvorgangs, der bei einer hohen Temperatur durchgeführt wird, stufenweise geändert wird, um einen Strom von stagnierenden Verunreinigungen zu generieren und aktivieren, wodurch die Feuchtigkeit und die Verunreinigungen aus einer Prozesskammer nach außen abgeführt und zumindest reduziert werden. Auf diese Weise wird die Vorbereitungszeit eines Reaktors für einen weiteren Herstellungsprozess im Reaktor zur Herstellung eines Epitaxial-Wafers reduziert.
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In einer Ausführungsform weist ein Verfahren zum Ausheizen des Inneren einer Reaktionskammer in einem Prozess zur Wiedervorbereitung der Reaktionskammer, in der Epitaxiewachstum auf einem Wafer durchgeführt wird, für einen erneuten Ablauf folgende Schritte auf: Erhöhen einer Innentemperatur der Reaktionskammer in zeitlich abgegrenzten Stufen; und Einführen eines Wasserstoffgases zu den oberen und unteren Seiten eines Suszeptors durch ein Hauptventil und ein Schlitzventil, die in einer Seitenfläche der Reaktionskammer angeordnet sind.
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Das Erhöhen der Innentemperatur der Reaktionskammer in Stufen und nach der Zeit kann das Einstellen der Leistung einer Heizquelle zum Aufbringen von Wärme auf die Reaktionskammer umfassen, um die gewünschten Stufen in der gewünschten Zeit zu erreichen und das Ansteigen der Innentemperatur zu erreichen und das Einführen des Wasserstoffgases zu den oberen und unteren Seiten des Suszeptors, das gleichzeitig durchgeführt werden kann, umfassen.
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Die Einzelheiten einer oder mehrerer Ausführungsformen sind in der beigefügten Zeichnung und der nachfolgenden Beschreibung dargelegt. Weitere Merkmale ergeben sich aus der Beschreibung und der Zeichnung sowie aus den Ansprüchen.
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KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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1 ist eine Ansicht eines Epitaxialreaktors bzw. Reaktors gemäß einer Ausführungsform.
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2 ist eine Ansicht des Suszeptors in einem epitaxialen Wachstumsapparat, wenn er von einer Oberseite betrachtet wird.
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3 ist ein Graph, der einen Leistungswert einer Heizquelle darstellt, die die Temperatur des Epitaxialreaktors gemäß einer Ausführungsform erhöht.
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4 ist ein Diagramm, das einen Pegel der Lebensdauer der Minoritätsträger (MCLT) in den Reaktionskammern sowohl in dem Verfahren zur Herstellung des Epitaxialreaktors gemäß dem Stand der Technik als auch nach der Ausführungsform darstellt.
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DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSFORMEN
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Obwohl die Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die beigefügte Zeichnung im Detail beschrieben werden, ist die vorliegende Offenbarung nicht auf diese Ausführungsformen beschränkt. Darüber hinaus werden detaillierte Beschreibungen, die sich auf bekannte Funktionen oder Konfigurationen beziehen, bewusst ausgeschlossen, um die Gegenstände der vorliegenden Offenbarung besser und klarer herausstellen zu können und diese Darstellung nicht durch Bekanntes zu belasten.
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Die Ausführungsformen ermöglichen es, dass ein innerer Zustand einer Reaktionskammer durch Ändern von Prozessbedingungen in einem Epitaxialreaktor (einer Reaktionskammer) verändert wird, so dass Feuchtigkeit und Verunreinigungen, die im Epitaxialreaktor stagnieren, in einen instabilen Zustand gelangen und dadurch abgeleitet werden können.
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1 ist eine Ansicht eines epitaxialen Wachstumsapparates, d.h. eine Querschnittsansicht, die eine Anfangsposition eines Suszeptors darstellt, wenn ein Back- bzw. Ausheizvorgang in einer Prozesskammer durchgeführt wird.
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Unter Bezugnahme auf und wie in 1 gezeigt, kann eine Epitaxialwachstumsvorrichtung 100 obere und untere Auskleidungen 105 und 102, eine obere Abdeckung 106, eine untere Abdeckung 101, einen Suszeptor 107, einen Vorwärmring 108, einen Suszeptorträger 109, eine Gaszufuhröffnung 103, eine Gasauslassöffnung 104 und eine Hauptwelle 110 aufweisen.
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Die Gaszufuhröffnung 103, die mit einer Gasversorgungsleitung verbunden ist, kann auf einer Seite der epitaxialen Wachstumsvorrichtung 100 angeordnet sein, und die Gasauslassöffnung 104, die mit einer Gasableitung verbunden ist, kann auf der anderen Seite der epitaxialen Wachstumsvorrichtung 100 angeordnet sein. Außerdem kann die Epitaxialwachstumsvorrichtung 100 die untere Abdeckung 101 und die obere Abdeckung 106 umfassen.
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Die untere Auskleidung 102 kann so angeordnet sein, dass sie den Suszeptor 107 umgibt, und die obere Auskleidung 105 kann so angeordnet sein, dass sie einem oberen Abschnitt der unteren Auskleidung 102 gegenüberliegt. Der Vorwärmring 108 kann eine Ringform entlang einer inneren Oberfläche der unteren Auskleidung 102, die an den Suszeptor 107 angrenzt und auf der unteren Auskleidung 102 sitzt, aufweisen. Außerdem kann der Vorwärmring 108 so angeordnet sein, dass er den Suszeptor 107 umgibt, so dass ein auf einen Wafer zugeführtes Gas eine gleichmäßige Temperatur aufweist.
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Der Suszeptor 107 kann ein Abschnitt sein, auf dem der Wafer während der epitaktischen Reaktion angeordnet ist. Der Suszeptor 107 kann als eine Platte ausgeführt sein, die aus einem Material wie Kohlenstoffgraphit und/oder Siliciumcarbid gebildet ist. Der Suszeptor 107 kann von der Hauptwelle 110, die an einem unteren Abschnitt davon angeordnet ist, und dem Suszeptorträger 109, der in mehrere Teile in einer Kantenrichtung des Suszeptors 107 verzweigt ist, getragen werden. Wie in 1 gezeigt ist, kann das epitaxiale Verfahren in einem Zustand durchgeführt werden, in dem der Suszeptor 107 auf der gleichen Höhe wie der Vorwärmring 108 fixiert ist.
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Zur Herstellung des Epitaxialwafers wird eine Epitaxieschicht unter einer hohen Temperatur in der Reaktionskammer dampfgezüchtet. Wenn jedoch Metallverunreinigungen und/oder verbliebene Feuchtigkeit in der Reaktionskammer vorhanden sind, wenn die Epitaxieschicht wächst, kann der hergestellte Epitaxialwafer durch diese Verunreinigungen verunreinigt werden, und daher kann es schwierig sein, die Qualität des Epitaxialwafers zu gewährleisten.
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Es kann eine präventive Wartung (PM) in der Reaktionskammer durchgeführt werden, nachdem die verschiedenen Verfahren durchgeführt wurden. Hierbei kann, nachdem die PM durchgeführt wurde, die verbleibende Feuchtigkeit in der Reaktionskammer generiert werden. Um diese Beschränkung zu lösen, kann ein Verfahren zur Vorbereitung der Vorrichtung für Epitaxiewachstum durchgeführt werden. Das Verfahren zur Vorbereitung kann ein Verfahren zum Einführen eines Stickstoffgases in die Kammer, die sich auf Raumtemperatur befindet, für drei Stunden umfassen, um Verunreinigungsteilchen in der Reaktionskammer zu lüften, es kann weiterhin ein Verfahren zum Erhöhen des Inneren der Reaktionskammer auf eine vorbestimmte Temperatur, ein Verfahren zum Durchführen des Ausheizvorgangs unter Verwendung von Wasserstoffgas, während die Reaktionskammer mit der erhöhten Temperatur auf einer hohen Temperatur für eine vorbestimmte Zeit gehalten wird, ein Verfahren zur Überprüfung, ob ein Dotierungsmittel in der Reaktionskammer vorhanden ist, und ein Verfahren zum Entfernen einer Quelle von Metallverunreinigung, die in der Reaktionskammer verblieben ist, umfassen.
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Verschiedene Ausführungsformen können für den Ausheizprozess angewandt werden, der in der Reaktionskammer mit der erhöhten Temperatur unter den oben beschriebenen Verfahren durchgeführt wird.
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2 ist eine Ansicht des Suszeptors in dem epitaxialen Wachstumsapparat, wenn er von einer Oberseite betrachtet wird.
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Unter Bezugnahme auf und in 2 ist ein Hauptventil 111 oberhalb des Suszeptors 107 in einer Gaseinströmrichtung angeordnet, in der ein Reaktionsgas eingeleitet wird, und das Wasserstoffgas, das ein Trägergas zum Bewegen eines Reaktionsgases ist und die während des Verfahrens erzeugten Verunreinigungen bewegt und mitnimmt, wird durch das Hauptventil 111 eingeleitet. Das eingeführte Wasserstoffgas kann auf eine Oberseite des Suszeptors in einer Richtung A fließen, die eine Richtung ist, in der das Gas eingegeben wird.
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Ebenso ist ein Schlitzventil 112 unterhalb des Suszeptors 107 in einer Richtung angeordnet, die senkrecht zum Hauptventil 111 ist, und das Wasserstoffgas, das das Trägergas zum Bewegen des Reaktionsgases ist und die während des Prozesses erzeugten Verunreinigungen bewegt, kann damit eingeleitet werden. Das durch das Schlitzventil 112 eingeleitete Wasserstoffgas kann zu einer unteren Seite des Suszeptors 107 fließen. Das Wasserstoffgas kann jedoch in einer Richtung B fließen, fließt aber im Wesentlichen einseitig in der Richtung A aufgrund der Saugkraft eines Entladungslochs für Gas.
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Das heißt, das durch das Hauptventil eingeführte Wasserstoffgas kann in einem Raum zwischen der Oberseite des Suszeptors 107 und der oberen Abdeckung 106 in einer Richtung eines Entladungslochs für Gas fließen. Das durch das Schlitzventil eingeführte Wasserstoffgas bewegt sich von der Unterseite des Suszeptors zum Entladungsloch für Gas. Insbesondere kann bei dem Verfahren zur Vorbereitung einer erneuten Inbetriebnahme der Epitaxialwachstumsvorrichtung 100 der Suszeptor 107 auf der gleichen Höhe wie der Vorwärmring 108 angeordnet sein. Hierbei kann das Wasserstoffgas mit einer Strömungsrate von etwa 90 slm durch das Hauptventil und mit einer Strömungsgeschwindigkeit von etwa 20 slm durch das Schlitzventil eingeführt werden.
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Der Prozess für die erneute Vorbereitung der epitaxialen Wachstumsvorrichtung 100 kann unter den oben beschriebenen Bedingungen durchgeführt werden. Für den Ausheizvorgang, der durchgeführt wird, nachdem die Temperatur im Inneren der Reaktionskammer in der Temperatur erhöht worden ist, kann eine Innentemperatur der Reaktionskammer auf eine vorbestimmte Temperatur angehoben werden. Wenn die Temperatur linear angehoben wird, können die Feuchtigkeit und verschiedene Verunreinigungen, die im Epitaxialreaktor verblieben sind, jedoch thermisch stabilisiert werden.
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In einer Ausführungsform kann zur Bildung eines instabilen thermischen Zustands in der Reaktionskammer beim Ausheizprozess während des Prozesses der Vorbereitung des Reaktors auf eine erneute Produktion die Innentemperatur der Reaktionskammer nichtlinear erhöht werden, beispielsweise stufenweise angehoben werden. In einer Ausführungsform kann eine zeitvariable Temperatur der Reaktionskammer nach Zeitperioden unterschiedlich sein. Es kann die Leistung der Heizquelle zum Aufbringen von Wärme auf die Reaktionskammer im Leistungsbereich entsprechend einer Zeit variieren.
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In einer Ausführungsform wird die die Leistung der Heizquelle zum Aufbringen der Wärme auf das Innere der Reaktionskammer in Stufen erhöht, um die Innentemperatur der Reaktionskammer zu verändern. Hierbei kann Wasserstoffgas zu den oberen und unteren Seiten des Suszeptors geführt werden.
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Bei dem Prozess zur Erhöhung der Temperatur der Reaktionskammer kann die Innenseite der Reaktionskammer thermisch instabil werden bzw. sein. Da das Wasserstoffgas durch das Hauptventil und das Schlitzventil in die Reaktionskammer eingeführt wird, können die Feuchtigkeit und die Verunreinigungen innerhalb der Reaktionskammer durch die Strömung des Wasserstoffgases wirksamer ausgetragen werden.
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3 ist ein Graph, der einen Leistungswert der Heizquelle darstellt, welche eine Temperatur des Epitaxialreaktors gemäß einer Ausführungsform erhöht. Bezugnehmend auf 3 ist ein zeitvariabler Leistungswert der Heizquelle dargestellt, welche die Temperatur der Reaktionskammer erhöht. In einer Ausführungsform kann ein Wert der Leistung, die an die Reaktionskammer gemäß einer Zeitfolge abgegeben wird, in Stufen während des Vorgangs des Ausheizens des Inneren der Reaktionskammer ansteigen.
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Insbesondere kann die Leistung der Heizquelle so eingestellt werden, dass sie sukzessive von etwa 30 KW bis etwa 95 KW ansteigt. Hierbei kann ein Ansteigen in jeder Stufe um eine Leistung von etwa 10 KW eingestellt werden. Zum Beispiel kann Wärme auf die Reaktionskammer bei einer Leistung von etwa 30 KW für eine vorbestimmte Zeit aufgebracht werden, und dann kann Wärme an die Reaktionskammer mit einer Leistung von etwa 40 KW für eine vorbestimmte Zeit angelegt werden, so dass der Leistungswert sukzessive ansteigt bis zu etwa 95 KW. Ein Reflektor bzw. ein Testobjekt der Reaktionskammer, der bzw. das in einer Ausführungsform aufgebracht wird, kann zum Schmelzen kommen, wenn die Leistung der Heizquelle auf etwa 95 KW ansteigt. Somit kann die Leistung so eingestellt werden, dass sie bis zu etwa 95 KW ansteigt.
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Wenn die Leistung der Heizquelle stufenweise ansteigt, kann die Innentemperatur der Reaktionskammer bis zu einer Temperatur von etwa 600 °C bis etwa 1.200 °C angehoben werden. Wenn die Leistung der Heizquelle gleichförmig ist, kann die Innentemperatur der Reaktionskammer linear geändert werden. Wie in der Ausführungsform, bei der die Leistung der Heizquelle stufenweise zunimmt, kann die Innentemperatur der Reaktionskammer nichtlinear geändert werden.
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Wie oben beschrieben, kann die Leistung der Heizquelle allmählich entsprechend einer ansteigenden Zeit erhöht werden. Hier kann die Leistung in jeder Stufe unterschiedlich sein. Als Ergebnis kann das Innere der Reaktionskammer thermisch instabil sein, und somit kann die kinetische Energie der Feuchtigkeit und die Teilchen, die die Verunreinigungen enthalten, die in der Reaktionskammer vorhanden sind, zunehmen. In einer Ausführungsform wird bei dem Vorgang des Ausheizens des Inneren der Reaktionskammer bei der Vorbereitung des Epitaxialreaktors ein Verfahren, bei dem die Leistung der Heizquelle, die die Innentemperatur der Reaktionskammer erhöht, stufenweise erhöht werden kann, mehrmals durchgeführt. Vorzugsweise kann das Verfahren zweimal bis fünfmal je nach der Effizienz des Ausheizprozesses durchgeführt werden.
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In einer Ausführungsform können das Verfahren, bei dem die Leistung der Heizquelle, die die Innentemperatur der Reaktionskammer in einer Zeitspanne erhöht, und das Verfahren, in dem das Wasserstoffgas in die Ober- und die Unterseite des Suszeptors durch das Hauptventil und das Schlitzventil eingeführt wird, gleichzeitig durchgeführt werden.
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Da sich die Feuchtigkeit und die Verunreinigungen, die in der Reaktionskammer verbleiben, durch das Wasserstoffgas mobilisiert werden, das ein Trägergas ist, das durch das Hauptventil und das Schlitzventil eingeführt wird, um entlang der oberen und unteren Seiten des Suszeptors zu fließen, wird die Möglichkeit des Abführens der Feuchtigkeit und der Verunreinigungen zur Außenseite der Reaktionskammer hin aufgrund der Bewegung des Wasserstoffgases erhöht und verbessert.
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4 ist ein Diagramm, das eine Lebensdauer der Minoritätsträger (MCLT) in den Reaktionskammern einerseits in dem Verfahren zur Vorbereitung des Epitaxialreaktors gemäß dem Stand der Technik und andererseits gemäß der Ausführungsform darstellt.
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Die MCLT kann ein Maß dafür sein, um zu bestimmen, ob die Aufbereitung des epitaxialen Wachstumsapparates für einen neuen Produktionslauf vollständig erfolgt ist. Die MCLT kann eine mittlere Zeit bezeichnen, um überschüssige Minoritätselektronen zu rekombinieren. Je mehr die Menge an Verunreinigungen in der Reaktionskammer zunimmt, desto mehr nimmt die MCLT ab. Im Allgemeinen können bei dem Vorbereitungsverfahren für erneute Verwendung der epitaxialen Wachstumsvorrichtung verschiedene Abläufe des Prozesses für die Vorbereitung einer Wiederherstellung durchgeführt werden, bis der MCLT einen vorbestimmten Wert erreicht.
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In dem Diagramm von 4 bezeichnet eine horizontale Achse die Anzahl der Dummy-Läufe des Epitaxial-Wafers und eine vertikale Achse einen MCLT-Wert. Bei dem Verfahren, bei dem die Leistung der Heizquelle, die die innere Temperatur der Reaktionskammer nach dem Stand der Technik erhöht, entsprechend der Zeit linear verändert wird, wenn die Anzahl der Dummy-Läufe 50 beträgt, kann die MCLT etwa 50 ms sein. In der Reaktionskammer, bei der das Verfahren gemäß der Ausführungsform angewendet wird, kann die MCLT jedoch etwa 446 ms betragen, wenn die Anzahl der Dummy-Läufe etwa 50 beträgt. Somit ist ersichtlich, dass ein Unterschied in MCLT gemäß dem Stand der Technik und der Ausführungsform bei über etwa 900 ms liegt, wenn die Anzahl der Dummy-Läufe auf etwa 300 ansteigt.
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Das heißt, wenn die Anzahl der Dummy-Läufe zunimmt, kann die MCLT in dem Verfahren zum Wiedervorbereiten der epitaxialen Wachstumsvorrichtung gemäß einer Ausführungsform signifikant ansteigen. So wird sehr deutlich sichtbar, dass die Anforderungen für die Wiedervorbereitung des epitaxialen Wachstumsapparates deutlich schneller erreicht werden.
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Wie oben beschrieben, kann bei dem Verfahren zur Herstellung des Reaktors zur Herstellung des Epitaxialwafers gemäß der Ausführungsform die Leistung der Heizquelle zum Übertragen von Wärme in die Reaktionskammer in Stufen während des Vorgangs des Ausheizens des Inneren des Reaktionskammer nach dem PM-Verfahren erhöht werden, um den instabilen Zustand in der Reaktionskammer zu erreichen und die stagnierende Feuchtigkeit und die Verunreinigungen zu mobilisieren, wodurch die Feuchtigkeit und die Verunreinigungen mit der Strömung des Wasserstoffgases wirksam abgeführt werden.
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Da außerdem die in der Reaktionskammer stagnierende Feuchtigkeit und die Verunreinigungen schnell entfernt werden, kann die Zeit, die benötigt wird, um den Minimalwert des MCLT bei einer Durchführung der Wiederherstellung des Epitaxialreaktors zu erreichen, reduziert werden. Daher kann die Vorbereitungszeit, die erforderlich ist, um die Wiederbenutzung des Reaktors zu ermöglichen, reduziert werden, somit kann die Produktionsausbeute an Epitaxialwafern verbessert werden.
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Gemäß der Ausführungsform kann, da die Feuchtigkeit und die Verunreinigungen, die in der Reaktionskammer stagnieren, schnell entfernt werden, kann die Zeitspanne, die benötigt wird, um den minimalen Wert des MCLT zu erreichen und um eine erneute Nutzung des Epitaxialreaktors durchzuführen zu können, deutlich verringert werden. Daher kann die Vorbereitungszeit, die erforderlich ist, um die erneute Nutzung des Reaktors durchzuführen, reduziert werden, es kann die Produktionsausbeute an Epitaxialwafers verbessert werden.
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Da die Ausführungsform auf eine Vorrichtung für Epitaxialwachstum zum Aufwachsen einer Epitaxieschicht auf einem Wafer gerichtet ist, ist die industrielle Anwendbarkeit hoch.
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Obwohl Ausführungsformen unter Bezugnahme auf eine Anzahl von erläuternden Ausführungsformen beschrieben worden sind, sollte es verstanden werden, dass zahlreiche andere Modifikationen und Ausführungsformen von Fachleuten erdacht werden können, die in den Geist und Umfang der Prinzipien der hiermit vorgelegten Offenbarung fallen. Insbesondere sind verschiedene Variationen und Modifikationen in den Bauteilen und / oder Anordnungen der und Kombination der einzelnen Teile im Rahmen der Offenbarung, der Zeichnungen und der beigefügten Ansprüche möglich. Zusätzlich zu Variationen und Modifikationen in den Bauteilen und / oder Anordnungen werden dem Fachmann auch alternative Verwendungen offensichtlich sein.
