DE1949767A1

DE1949767A1 - Verfahren und Vorrichtung zum Niederschlagen einer gleichmaessigen Schicht eines Stoffes auf einem Gegenstand

Info

Publication number: DE1949767A1
Application number: DE19691949767
Authority: DE
Inventors: Bean Kennth Elwood; Campion John Richard
Original assignee: Texas Instruments Inc
Current assignee: Texas Instruments Inc
Priority date: 1968-12-31
Filing date: 1969-10-02
Publication date: 1970-10-15
Also published as: GB1281539A; JPS4931197B1; DE1949767B2; FR2027422A1; NL6919568A; DE1949767C3; US3608519A

Description

OR.-INa. OIPL.-IMC M. j^. DIPL.-l .IV6...R. DIPL.-PHYB.

HÖGER - STELLRECHT- GRIESSBACH - HAECKER

PATENTANWÄLTE IN STUTTGART

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Bt 1969

Texas Instruments Incorporated 13500 north Central Expreßsv/ay Dalla s/T exa s, UBA

Verfahren unc Vorrichtung zum Niederschlagen einer gleichmäßigen Schicht eines Stoffes auf einem Gegenstand.

I)J ⁽- i-Jri'inciUiig betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zu:.; Iiiodorcchl'igen ein^r gleichmäßigen Schicht eines Stoffe.¹: auf eit.ern Träger, insbesondere auf einen Halbleiter.

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26.August 1969

Es sind Vorrichtungen oder Reaktoren bekannt, um epitaxiale Filme, polykristalline Filme, dielektrische Filme u.dgl. chemisch auf Halbleitern niederzuschlagen, es ist jedoch nicht gelungen, die Dicke dieser FiIne auf einem Halbleiterplättchen mit einem Durchmesser von etwa 32 mm innerhalb einer Toleranz von weniger als +- 5 ^c/'-> zu halten. Die mit den bisher bekannten Reaktoren hergestellten epitaxialen Filme oder Schichten zeigen größere Änderungen des spezifischen Widerstandes, und zwar infolge von Änderungen der Temperatur ^ des Trägers, diq änderungen der Dotierung der Schicht über das Plattchen/haben. Bei anderen bekannten Reaktoren v/erden die Halbleiterplättchen auf eine horizontale Fläche eines Trägers aufgelegt, der dann relativ zu dem Hochfrequenzfeld und dem Strom der Reaktionsmittel bewegt wird.

Der Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren und eine Vorrichtung anzugeben, die.es ermöglichen,, eine gleichmäßige Schicht eines Stoffes auf einem Gegenstand, insbesondere einem Halbleiterplättchen abzulagern.

Gemäß der Erfindung wird dies dadurch erreicht, daß die Halbleiterplättchen kontinuierlich relativ zu den V/ärmequellen ) und relativ zu dem Strom der Reaktionsgase bewegt werden, um die Plättchen über ihre gesamte Oberfläche gleichmäßig auf die Reaktionstemperatur zu erwärmen und um die erwärmte Oberfläche gleichmäßig dem Strom der Reaktionegase auszusetzen.

Eine geeignete Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens ist mit einem Trager für die Halbleiterplättchen, einer Heizeinrichtung und einer Transporteinrichtung für die Halbleiterplättchen versehen.

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Zweckmnßigerweire werden die Plättchen über die Oberfläche des Trägers transportiert, der dazu dienern kann, die Plättchen zu erwärmen, wobei sie gloichzei tig dui-ch der. Strom der Reaktionrgafce bewegt werden. -Vorteilhafterweise v/erden die rilättohen in eimr kreisförmigen Bahn bewegt und um ihre eigene Achse gedreht. Her Träger wird zwecto.iüßigerweise ebenfalls un seine Achse gedreht und relativ zu einem llochfreuuenzfeld Veuegt, u.t. eine gleichmäßige Erwärmung zu erzielen.

Eb ist voti Vorteil, die ilättchrn ir. Kinkel aniHiordr.en, wodurch eine V-- r^chi.nutnung du?"ch fppte I-artikcl reduziert wii'd, die auf die Oberfläche der Plättchen fallen, wodurch außerdem die- Forderung wegfällt, daß die Reuktionsgar-e in der Heaktionrzone eine gl eichnH.?ige Zusamir^nsetzutig haben niüi'sen. AuPe:'de::i kann die Vakuu:~>:ar.::.cr wesentlich kleiner gehalten vrerdvn ale bei den bifV <. rigen Vorrichtung«: v._f in denen Halbleiter}.lättciven derteilen Größe bearbeitet \.'urden. Hierdurch wird die Menge der erforderlichen Keaktionsgase reduziert und die Zeit bir zur HeinJgung der Kar..::.02· vergrößert. Außerder; wird die in dem Sj-'Eter.i gespeicherte latente Wän.io reduziert, wodurch die notwendigen Anhöis- und Abkühlzeiten Λ-erkürzt werden können. Die erfinc.ungsgeraäa hergestellten Schichten haben eine εehr hohe Qualität, die erfindungrgeniäße Vorrichtung erlaubt einen größeren Ausstoß und sie ist sehr billig zu betreiben. Bezogen auf eine gegebene Menge an Reaktionsgasen können mehr Kalbleiterplättchen behandelt werden als bei den bisherigen Vorrichtungen, wodurch die V/irtschaztlichkeit und die Sicherheit beträchtlich gesteigert werden»

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Die erfindungsgemäße Vorlichtung ist zweckmäßigerweise mit einer kreisförmigen Baiin versehen. Die"-!Präger'für die HaIbleiterplättchen können aus Graphit "bestehen, wobei jeder eine ebene Fläche aufweist, die mit einem kreisförmigen-Rand versehen ist._DieiSsageiDikSnnen-längs-der- kreisförmigen Bahn benegt und um einen V/inkel geneigt werden, "während eine Hochfrequenzspule dazu dient, sie während sie längs der Bahn bewegt werden, zu erwärmen. Der Rand eines Halbleiterplättchens, das auf der Fläche des Trägers angeordnet ist, rollt längs des Randes, des Trägers ab, während sich dieser bewegt» Die'gesamte Einrichtung ist in einer Kammer untergebrachty durch welche die Reaktionsgase hindurchgeleitet werden. Durch die Bewegung des Trägers werden Anomalien des Hochfrequenzfeldes kompensiert, während thermische Änderungen des Trägers durch- die Bewegung der Plättchen auf dem Träger ausgeglichen werden,- änderungen.der Zusammensetzung der Reaktionsgase werden dadurch kompensiert, daß. jedes HaIbleiterplättchen sich um seine Achse dreht, während es auf einer kreisförmigen Bahn durch den Gasstrom, geführt, wird» Auf diese Weise lassen sich Schichtdicken innerhalb einer Toleranz von +-0,5 $ erzielen, -womit .die Verbesserung gegenüber .den bisherigen Ergebnissen-deutlich gemacht wird»

Beispielsweise Ausführungsformen ,der Erfindung werden nachfolgend anhand der'.Zeichnung erläutert,, in der¹· .

1 perspektivisch eine erfindungsgemäße Vorrichtung zeigt,.

Pig. 2 zeigt, einen Schnitt durch, üen Reaktor

....-■■ nach Fig* 1-. ■ -.--.-■ - ' -.

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Pig. 3 zeigt vergrößert im Schnitt einen Teil des Reaktors nach Pig.1.

Pig. 4 zeigt scheniatisch eine Draufsicht auf

eine andere Ausführungsforin der erfindungsgemäßen Yorrichtung.

Gemäß Pig.1 ist ein Reaktor 10 mit einer durchsichtigen Glocke 12 versehen, die auf der öfteren Pläche 14 einer Basis 16 aufliegt, um eine Kammer zu bilden. Die Basis 16 umfaßt eine Anzahl nicht dargestellter Elemente einschließlich eines Systemes, um die Glocke 12 zu evakuieren oder unter Druck zu setzen und eines Systemes,* um eines oder mehr Gasströme in den Reaktor zu führen, ferner ein Rohrsystem um Kühlflüssigkeit durch die Basis zu leiten. Es ist ferner ein Antrieb für eine Hohlwelle 24 vorgesehen, die sich in die Kammer erstreckt, wobei durch die hohle Welle Reaktionsgase in die Kammer eingeleitet v/erden. Die bisher beschriebenen Teile und Elemente sind bekannt.

Gemäß der Erfindung ist nun ein Quarzzylinder 18 vorgesehen, der am oberen Ende eine kreisförmige Bahn 20 bildet. Die Hohlwelle 24 ist mit einem Antriebsinechanismus 22 versehen, der sich am oberen Ende erweitert und eine nach unten hängende, etwa kugelförmige Haube 26 bildet, wobei die Welle und die Haube aus einen einzigen Teil aus Quarz bestehen. Die Welle 24 wird durch einen, in der Basis 16 angeordneten Motor gedreht, der mit der Welle durch eine geeignete mechanische Kupplung verbunden ist. Es kann jedoch beispielsweise auch eine Magnetkupplung verwendet werden. Das untere Ende der hohlen welle 24 ist mit Hilfe einer üblichen Drehkupplung, die in der Basis 16 untergebracht ist,an einen Vorrat

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eines Reaktionsgases angeschlossen, der außerhalb der Kanaäer liegt, die durch die Glocke 12 und die Basis 16 gebildet wird. Mehrere Schubstangen 30 aus Quarz verlaufen,von dem Rand 28 der Haube 26 nach unten und außen.

Sechs scheibenförmige Träger 32 bis 37 aus Graphit v/erden durch den Antrieb 22 längs der kreisförmigen 3ahn 20 gerollt. In Fig.3 ist beispielsweise der Träger 33 im Detail dargestellt. Der Träger 33 hat einen scheibenförmigen Kauptb körper 40 mit einem zylindrischen Ansatz 42, der in einem ringförmigen Bund 44 endigt, um eine nach außen gerichtete ringförmige Uut 46 zu bilden. Die ringförmige !Tut 46 rollt auf der Bahn 20 ab, die durch den oberen Rand des Quarzzylinders 18 gebildet wird, und die hintere Fläche 48 des Hauptkörpers 40 gleitet auf der Außenfläche des Sandes 28 der Haube 26 des Antriebs 22. Die Enden der Schubstange erstrecken sich in die !Tut 46, um den zylindrischen Ansatz zu erfassen, wodurch der Träger 33 um die kreisförmige Bahn 20 gerollt wird, während die "welle 24 gedreht wird.

Die Stirnfläche 50 des Trägers 33 ist mit drei Vertiefungen ausgestattet, von denen jede eine ebene Fläche 52 und eine ) zylindrische Seitenwand, die einen Rand 54 bildet, auf v/eist, auf welchem der Rand eines«Halbleiterplättchens 56 abrollt, wenn es über die Fläche 52 gleitet. Die Durchmesser der Ränder 54 sind größer als die Durchmesser der Halbleiterplättchen 56 und vorzugsweise so gewählt, daß irgendein gegebener Punkt des Plättchens 56. während aufeinanderfolgen-^ der Umdrehungen des Trägers nicht derselben Bahn auf der Fläche 52 folgt.*Die Träger können nur eine große Aussparung in der Stirnfläche haben, v/ie der Träger 34 zeigt, um ein Halbleiterplättchen 56 oder um ein größeres Halbleiterplättchen 58 aufzunehmen.

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Die Träger 32 bis 37 werden durch eine wassergekühlte Hochfrequenzspule. 62 erwärmt, die kegelstumpfförmig ausgebildet und so angeordnet ist, daß sie den Ringraura zwischen der kreisförmigen Bahn 20 und dem unteren Rand der Haube 26 der Antriebseinrichtung überbrückt. Die Hochfrequenzspule 62 besteht aus einem Lletallrohr, durch das Kühlwasser umgewälzt wird. Durch das Kochfrequenzfeld werden nur in den.aus Graphit bestehenden Trägern Ströme induziert, da alle ande-./ ren Bauteile im Hochfrequenzfeld einschließlich des Zylinders 18 und des Antriebs 22 nicht leitend sind. Die Träger , können auch direkt.elektrisch oder durch Strahlung mit Hilfe, eines Widerstandes geheizt werden.

Die durch die Glocke 12 und die Basis 16 gebildete Kammer kann durch bekannte Kittel evakuiert oder unter Druck gesetzt werden. Durch die hohle »ielie 24 können die reaktionsfähigen Gase eingeleitet werden. In der Kammer sind mehrere Verteiler 60 relativ nahe bei den Halbleiterplättchen, die von den Trägern getragen werden, angeordnet, vorzugsweise etwa über den Plättchen, so daß die durch die Verteiler einströmenden-Gase sich mit den Gasen mischen, die durch die hohle Welle 24 eingeführt werden, und zwar unmittelbar ehe sie durch die.Reaktionszone strömen, durch welche die. Träger hindurchgeführt werden. Die Eeaktionsgase werden durch einen.nicht dargestellten geeigneten Auslaß aus der Kammer abgezogen. Der. Reaktor 10 kann benutzt werden, um verschiedenartige Schichten, insbesondere die bei der Herstellung von Halbleitern verwendeten Schichten niederzuschlagen oder abzulagern« Beispielsweise können Si3iciun:cioxydtiberzüge hergest-ellt werden, ine.en durch die holfe "»felle Siian und durch die Vei-teiler 60 Sauerstoff zugeführt werden, während die Ealbleiterplättchsn auf einer Temperatur

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im Bereich von etwa 200 bis etwa 500° C gehalten v/erden. Eine Passivierungsschicht aus Siliciumnitrid kann bei Temperaturen von etwa 550 bis et v/a 1200 C unter Verwendung von Silan unö.Ammoniak niedergeschlagen werden. Ferner können verschiedene epitaxiale Siliciumschichten bei Temperaturen von etwa 900 bis etwa 1200° C unter Verwendung verschiedener Reaktionsgase erzeugt v/erden. Die Verfahren können bei unteratmosphärischem Druck oder bei Atmosphärendruck oder darüber ausgeführt werden. Der erfindungsgemäße Reaktor kann ferner zum Ätzen der Oberflächen der behandelten Gegenstände mit Hilfe von Dampf benutzt werden. Bei Betrieb des Reaktors 10 können die Träger 32 bis 37 innerhalb oder außerhalb des Reaktors mit den Halbleiterplattenen beladen werden. Die Träger sind auf dem Rand des Quarzzylinders 18, der die Bahn 2.0 bildet, angeordnet, wobei der obere Rand verschiebbar auf dem Rand der Haube 26 aufliegt. Die Glocke 12 kann dann auf die Basis 16 aufgesetzt und die Kammer evakuiert'oder gereinigt werden. Die Welle 24 wird in Drehung versetzt, worauf die Schubstangen 30, die von der Haube 26 herabhängen, die Träger 32 bis 37 längs der kreisförmigen Bahn· 20 bewegen. Die Träger rollen auf der Bahn 20 ab, wobei die hintere Fläche 48 am Rand der Haube 26 gleitet. Während die Träger rotieren, rollen die Halbleiterplättchen 56 und 58 mit ihren Rändern auf den Rändern 54 der Vertiefungen ab. Da die Ränder 54 einen größeren Durchmesser als die Halbleiterplättchen haben, gleiten diese über die zurückgesetzten Flächen 52. Der Umfang der Ränder 54 ist größer als der Umfang der Plättchen 56 z.B. und er ist vorzugsweise so gewählt j daß er nicht ein genaues Vielfaches, des Umfang.s der Plättchen ist. Hierdurch wird jedes Plättchen kontinuierlich um seine eigene Achse gedreht, während es gleichzeitig längs einer kreisförmigen Bahn über

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die Fläche des Trägers bewegt wird, wobei dieser auf der Bahn 20 abrollt. Jeder Punkt des Plättchens wird daher fortwährend über einen anderen Teil des Trägers geführt, wodurch jede thermische Anomalie in dem Träger kompensiert wi I, die infolge von Anomalien cj.es spezifischen .'Widerstandes der Graphitträger oder infolge von Hysterese-Effekten auftreten kann. Die Durchmesser der Plättchen und der Aussparung· können so gewählt werden, daß die Drehfreq_uenzen des Plättchens und des Trägers um ihre eigenen Achsen in einem gewünschten Verhältnis zueinander stehen.

Der Umfang der Nut 46 in den Trägern wird mit Bezug auf den Umfang der Bahn 20 gewählt, so daß jeder Punkt auf dem Träger eine sinusförmige Bahn ausführt, die relativ zu dem Hochfrequenzfeld kontinuierlich verschoben- wird, wodurch Anomalien des Feldes kompensiert werden.

Irgendwelche Anomalien in dem Reaktionsgas werden in gleicher Weise ausgeglichen, da die Plättchen sowohl um ihre eigene Achse gedreht als auch in einer kreisförmigen Bahn durch das Feld der Reaktionsgase geführt werden.. Wenn der Rand, auf welchem das Halbleiterplättchen abrollt, exzentrisch zur Achse des Trägers liegt, wie"der Rand 50 des Trägers 33, so wird das Halbleiterplättchen längs einer aufrechten zykloidischen oder sinusförmigen Bahn bewegt. Die Ränder, die die Vertiefungen begrenzen, können jede gewünschte Form haben, durch welche die Halbleiterplättchen auf und ab bewegt werden, während sie der kreisförmigen Bahn folgen. Ferner kann die hohle Welle 24- etwas exzentrisch zu dem Quarzzylindör 18 eingebaut sein, so daß der Winkel der Träger zu der Vertikalen abwechselnd größer und kleiner wird,

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während die Träger auf der kreisförmigen Bahn abrollen. Außerdem kann die Bahn 20 unregelmäßig geformt sein, wodurch die Träger wiederum eine andere Bewegung ausführen. -

Kit Hilfe des Reaktors 10 können Überzüge hergestellt werd-'en, deren Dicke innerhalb einer Toleranz von +- 0,5 i* liegt, was gegenüber den Dickenabweichungen, die bei den bisherigen Vorrichtungen auftreten, um eine Größenordnung besser ist, da bisher die Dicke nur innerhalb einer Toleranz von bestenfalls fc von +- 5 ^c/o reguliert werden konnte. Als Folge davon erhält man eine Verbesserung in der Gleichmäßigkeit des spezifischen Widerstandes und bei anderen elektrischen Charakteristiken.

Durch die Anordnung der Träger im Winkel zur Horizontalen werden weitere· Vorteile erzielt. Durch die Schrägstellurg der Träger wird die ITeigung von festen Partikeln, die im Gasstrom enthalten sind, sich auf der Oberfläche der Halbleiterplättchen abzusetzen, stark reduziert. Durch die kontinuierliche Bewegung der Plättchen und die dabei entstehende leichte Schwingung, wird diese Neigung noch weiter herabgesetzt. Andererseits kann an die erfindungsgemäße Vorrichtung eine Vibrationseinrichtung angeschlossen werden, um eine gewünschte r Vibration zu erzeugen. Da die Träger auf die Kante gestellt sind, kann in einer Glocke mit demselben Durchmesser und demselben Volumen eine größere Anzahl von Trägern als bisher untergebracht werden. So werden bei dem erfindungsgemäßen Reaktor 10 beispielsweise nur 25 5* des Gasvolumens benötigt, das bei den bisher bekannten Reaktoren erforderlich war, um dieselbe-Anzahl von Plättchen mit dersselben Größe zu behandein. Das kleinere Volumen-bedingt kürzere Reinigungs- und Entgasungszeiten am Beginn und am Ende der Behandlung

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wodurcli die Hebenzeiten zwischen aufeinanderfolgenden Arbeits-Perioden verkürzt werden. Da die-Plättchen fortwährend in Bewegung sind, "besteht nicht die Gefahr, daß dicke Schichten, wie z.B. epitaxiale Schichten, die Plättchen zum Anhaften an den Trägern bringen, wie dies der Fall ist, wenn die Plättchen während der gesamten Bearbeitung in derselben Lage auf dem Träger liegen bleiben. Eine andere Methode, um eine Relativbewegung zwischen den Plättchen und den Trägern zu erzielen, ist die, einen geneigten Träger um seine Llitte zu drehen, so daß die Plättchen innerhalb der Aussparung rotieren.

In Fig.4 ist eine andere bevorzugte Ausführungsform der Erfindung dargestellt, die einen Reaktor 70 aufweist. Bei dem Reaktor 70 wird die im Reaktor 10--durchgeführte Behandlung in Form eines kontinuierlichen Verfahrens vorgenommen. Hier werden die Träger 72 längs der Βειϊιη 76 in die Kammer eingebracht, mit Hilfe eines Antriebs 84 auf der Bahn 7& abgerollt und längs der Bahn 80 aus aev Kammer herausgeführt. Ein geeigneter, nicht dargestellter L'.echanisnus dient dazu, die Träger auf die Bahn 76 zu bringen und von dei' Bahn 80 abzunehmen. Die reaktionsfähigen Gase können wiederum durch die vertikale hohle Welle 82 des Antriebs 84 und durch die Verteiler 86 zugeführt werden. Die kontinuierliche Verfahrensführung eignet sich besonders dann, wenn die Behandlung in einer regulierten Umgebung bei Atmosphärendruck durchgeführt wird, wobei die Reaktionsgase auf einem etwas höheren Druck gehalten werden, um das Einstrenen von Luft in die Kammer durch die Durchgänge zu verhindern, die dazu dienen, die Träger in die Kammer hinein und aus ihr heraus zu transportieren. Die Bahn,, der Träger kann auch-geradlinig sein und durch einen Tunnel führen, wobei sie entgegen der Strömungsrichtung der reaktionsfähigen Gase bewegt werden.

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Die Plättchen können auch in anderer w'eise -erwärmt werden; z.B. kann ihre Temperatur am Anfang über ihren Curie-Punkt gehoben werden, um sie leitfähig zu machen, z.B. mit Hilfe einer Widerstands- oder Lichtbogenheizung, worauf, nachdem sie leitfähig geworden sind, sich eine Hochfreauenz-lnduk-tionsheizimg anschließen kann. Bei dieser methode können
nichtleitende Träger verwendet v/erden, die dann selbst
nicht ex'wärmt werden.

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Claims

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Patentansprüche :

1. Verfahren zum Ablagern einer gleichmässigen Schicht eines Stoffes auf Gegenständen, insbesondere auf Halbleiterplättchen, wobei die Halbleiterplättchen durch wenigsten eine Wärmequelle erwärmt und einem Gasstrom ausgesetzt werden, aus welchem der gewünschte Stoff auf die Oberfläche der Plättchen niedergeschlagen wird, dadurch gekennzeichnet, dass die Plättchen relativ zu der oder den Wärmequellen und relativ zu dem Strom der Reaktionsgase bewegt werden, um sie auf eine gleichmässige Durchschnitts-Reaktionstemperatur auf ihrer gesamten Oberfläche zu erwärmen und um die erwärmte Oberfläche gleichmässig dem Gasstrom auszusetzen, ·

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Plättchen dadurch erwärmt werden, dass die Wärme von einem Träger auf sie übertragen wird und dass sie relativ zu dem Träger bewegt werden.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die zu überziehenden ebenen Flächen der Halbleiterplättchen in einem wesentlichen Winkel zur Horizontalen angeordnet werden.

Jj. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 3, gekennzeichnet durch wenigstens einen

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Träger (32 bis 37) fUr die Plättchen (56,58), eine Ein-

Beheizen
richtung (62) zum . der Plättchen auf dem Träger, und eine Einrichtung zum Bewegen der Plättchen relativ zu dem Träger.

5. Vorrichtung nach Anspruch k, gekennzeichnet durch eine Einrichtung (24,26,3ο) zum Bewegen der Träger (32 bis 37)

6. Vorrichtung nach Anspruch ¹I, dadurch gekennzeichnet, dass durch die Heizeinrichtung (62) die Träger (32 bis 37) und durch diese die Plättchen (56,58) beheizbar sind.

7· Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Plättchen (56,58) in einer Kreisbahn über die Oberfläche der Träger (32 bis 37) bewegbar sind.

8. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Plättchen (56,58) sich um ihre Achse drehen, während sie sich über die Oberfläche der Träger (32 bis 37) bewegen.

9. Vorrichtung nach einem der Ansprüche ¹J bis 8, gekennzeichnet durch eine hohle Antriebswelle (2*1) und durch Verteiler (60),durch welche ebenso wie durch die hohle Welle (2¹I) Reaktionsgase zuführbar sind.

Io. Vorrichtung nach einem der Ansprüche *f bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Träger (32 bis 37) in einer ihrer Stirnflächen wenigstens eine Aussparung aufweisen,

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in welcher einea der Plättchen (56,58) angeordnet Ist,und dass die Aussparung einen Rand (5¹O besitzt, an welchem das entsprechende Plättchen abrollt.

11. Vorrichtung nach Anspruch Io, dadurch gekennzeichnet, dass die Träger (32 bis 37) schräg gestellt sind und um eine Achse drehbar sind, die einen Winkel mit der Horizontalen bildet.

12. Vorrichtung nach Anspruch Io oder IL, dadurch gekennzeichnet, dass die Plättchen (56,58) auf einer zykloiden Bahn bewegbar sind.

13. Vorrichtung nach Anspruch Io oder 11, dadurch gekennzeichnet, dass der Durchmesser der Aussparung bzw. der Aussparungen grosser ist als der Durchmesser der Plättchen (56,58).

I¹I. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 4 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Träger (32 bis 37) gegen die Senkrechte geneigt sind, und dass sie um eine senkrechte Achse und,um ihre jeweilige Mittelachse drehbar sind.

15. Vorrichtung nach einem der Ansprüche ¹J bis Ik, dadurch gekennzeichnet, dass die Träger(32 bis 37) am Umfang mit einer Nut (46) versehen sind, die in eine Schiene (2o) eingreift, auf der die Träger abrollen.

16. Vorrichtung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Schiene (2o) kreisförmig ist und dass die Träger (32 bis 37) auf der Schiene (2o) durch Schub-

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Stangen (3o) antreibbar sind, die sich um die Achse der Welle (2*0 drehen.

17. Vorrichtung nach Anspruch Ί, dadurch gekennzeichnet, dass die Träger (32 bis 37) elektrisch leitend sind und dass die Heizeinrichtung in Form einer Hochfrequenzspule (62) ausgebildet ist, um in einer Zone, durch welche die Träger bewegbar sind, ein Hochfrequenzfeld zu erzeugen, um die Träger und die HaIbleiterplättchen zu erwärmen.

18. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 4 bis 17, dadurch gekennzeichnet j dass die reaktionsfähigen Gase von oben nach unten über die Plättchen (56,58) führbar sind.

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Le e rs e i t e