DE19951991A1 - Verfahren und Vorrichtung zum Beladen eines Suszeptors - Google Patents

Verfahren und Vorrichtung zum Beladen eines Suszeptors

Info

Publication number
DE19951991A1
DE19951991A1 DE19951991A DE19951991A DE19951991A1 DE 19951991 A1 DE19951991 A1 DE 19951991A1 DE 19951991 A DE19951991 A DE 19951991A DE 19951991 A DE19951991 A DE 19951991A DE 19951991 A1 DE19951991 A1 DE 19951991A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
susceptor
segment
substrate
wafer
disc
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19951991A
Other languages
English (en)
Other versions
DE19951991C2 (de
Inventor
Georg Brenninger
Alois Aigner
Herbert Mittermaier
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siltronic AG
Original Assignee
Wacker Siltronic AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wacker Siltronic AG filed Critical Wacker Siltronic AG
Priority to DE19951991A priority Critical patent/DE19951991C2/de
Priority to US09/694,867 priority patent/US6435797B1/en
Publication of DE19951991A1 publication Critical patent/DE19951991A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE19951991C2 publication Critical patent/DE19951991C2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/541Heating or cooling of the substrates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/48Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
    • C23C16/481Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation by radiant heating of the substrate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54Apparatus specially adapted for continuous coating
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00Material or article handling
    • Y10S414/135Associated with semiconductor wafer handling

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Beladen eines erwärmten Suszeptors oder eines Suszeptorsegments eines Abscheidereaktors mit einer Substratscheibe, die auf einer Haltevorrichtung aufliegt, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Kontakt zwischen Substratscheibe und Suszeptor oder Suszeptorsegment eine Halteposition, in der Substratscheibe und Suszeptor oder Suszeptorsegment vertikal voneinander beabstandet sind, angefahren wird, und erst nach einer Verweilzeit in dieser Halteposition die Substratscheibe mit dem Suszeptor oder dem Suszeptorsegment in Kontakt gebracht wird. Die Erfindung betrifft auch eine Vorrichtung zum Beladen eines Suszeptors, insbesondere eines Suszeptorsegments eines Abscheidereaktors.

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Beladen eines erwärmten Suszeptors oder eines Suszeptorsegments eines Ab­ scheidereaktors mit einer Substratscheibe, die auf einer Halte­ vorrichtung aufliegt. Die Erfindung betrifft auch eine Vorrich­ tung zum Beladen eines Suszeptors, insbesondere eines Suszep­ torsegments eines Abscheidereaktors.
Abscheidereaktoren, die insbesondere in der Halbleiterindustrie zum Abscheiden einer epitaktischen Schicht auf einer Substrat­ scheibe verwendet werden, sind im Stand der Technik beschrie­ ben.
Während sämtlicher Beschichtungs- bzw. Abscheideverfahren wird eine oder mehrere Substratscheiben mittels Heizquellen, vor­ zugsweise mittels oberen und unteren Heizquellen, beispielswei­ se Lampen oder Lampenbänken erwärmt und anschließend einem Gas­ gemisch, bestehend aus einem Quellengas, einem Trägergas und gegebenenfalls einem Dotiergas, ausgesetzt.
Ein Suszeptor, beispielsweise aus Graphit, SiC oder Quarz in der Abscheidekammer des Abscheidereaktors, dient als Auflage für die Substratscheibe. Die Scheibe liegt während dem Abschei­ deverfahren auf dem Suszeptor oder in Ausfräsungen im Suszeptor auf, um eine gleichmäßige Erwärmung zu gewährleisten und die Rückseite der Scheibe, auf der in der Regel keine Schicht abge­ schieden wird vor dem Quellengas zu schützen. Gemäß dem Stand der Technik sind die Abscheidekammern für eine oder mehrere Substratscheiben ausgelegt. Durch die große thermische Masse des Suszeptors kühlt dieser nach der Beschichtung nur langsam ab, selbst wenn die Heizleistung auf null reduziert wird.
Um eine wirtschaftliche Durchsatzrate zu erzielen, wird der Suszeptor unmittelbar nach dem Abscheideverfahren entladen und im Anschluß mit einer zu beschichtenden Substratscheibe bela­ den. Das Be- und Entladen des Suszeptors eines Abscheidereak­ tors mit einer Substratscheibe erfolgt vorzugsweise automati­ siert. Beim Beladen stellt eine Transport- und Haltevorrichtung eine zu beschichtende Substratscheibe bereit. Die Transportvor­ richtung ist außerhalb der Abscheidekammer angebracht. Die Sub­ stratscheibe liegt am Ende der Haltevorrichtung, die beispiels­ weise die Form einer Gabel, beispielsweise die einer Stimmgabel hat, auf. Die Transportvorrichtung platziert die Haltevorrich­ tung und die aufliegende Substratscheibe vertikal über dem Sus­ zeptor des Abscheidereaktors Abscheidekammer.
Das Abheben der Substratscheibe von der Haltevorrichtung und das Beladen des Suszeptors wird im Stand der Technik durch ver­ schiedene Verfahren und Vorrichtungen gelöst. Beispielsweise heben Stifte, beispielsweise aus Quarz, die in Bohrungen im Suszeptor nach oben geführt werden, die Substratscheibe von der Haltevorrichtung ab und beladen, nachdem die Haltevorrichtung aus der vertikalen Position zurückgezogen wurde, den Suszeptor, indem die Stifte in die Bohrungen des Suszeptors zurückgeführt werden (US 5,421,893).
Anstelle der Quarzstifte kann auch ein vertikal bewegliches Suszeptorsegment eines segmentierten Suszeptors die Substrat­ scheibe von der Haltevorrichtung abheben. Dazu wird das Segment soweit nach oben geführt, bis die Substratscheibe von der Hal­ tevorrichtung abgehoben ist. Dann wird die Haltevorrichtung aus der vertikalen Position zurückgezogen und der Suszeptor, indem das Segment zurückgeführt wird, mit der Substratscheibe bela­ den.
Die Temperatur des Suszeptors oder des Suszeptorsegments be­ trägt beim Be- und Entladen zwischen 300 und 1600°C, die Tem­ peratur der Substratscheibe ist dabei signifikant niedriger als die Suszeptortemperatur. Wird die Substratscheibe mit dem er­ wärmten Suszeptor oder dem erwärmten Suszeptorsegment gemäß dem Stand der Technik in Kontakt gebracht, so erfährt die Substrat­ scheibe eine thermische Streßsituation, die zum Bruch der Sub­ stratscheibe führen kann. Insbesondere der Kontakt mit einem erwärmten Suszeptorsegment führt durch die partielle Erwärmung der Substratscheibe zu Bruch der Scheibe.
Aufgabe der Erfindung ist es daher ein Verfahren und eine Vor­ richtung zur Verfügung zu stellen, die ein Beladen eines er­ wärmten Suszeptors oder eines Suszeptorsegments eines Abschei­ dereaktors mit einer Substratscheibe ermöglicht, ohne daß die Substratscheibe eine thermische Streßsituation erfährt.
Gelöst wird die Aufgabe durch ein Verfahren zum Beladen eines erwärmten Suszeptors oder eines Suszeptorsegments eines Ab­ scheidereaktors mit einer Substratscheibe, die auf einer Halte­ vorrichtung aufliegt, das dadurch gekennzeichnet ist, daß vor dem Kontakt zwischen Substratscheibe und Suszeptor oder Suszep­ torsegment eine Halteposition, in der Substratscheibe und Sus­ zeptor oder Suszeptorsegment vertikal voneinander beabstandet sind, angefahren wird, und erst nach einer Verweilzeit in die­ ser Halteposition die Substratscheibe mit dem Suszeptor oder dem Suszeptorsegment in Kontakt gebracht wird.
Erfindungsgemäß wird zum Beladen zunächst die Haltevorrichtung und die aufliegende Substratscheibe vertikal über dem erwärmten Suszeptor eines Abscheidereaktors platziert. Dann wird die Sub­ stratscheibe von der Haltevorrichtung, beispielsweise mittels Stiften, vorzugsweise mittels Quarzstiften, die nach oben ge­ führt werden, abgehoben und die Haltevorrichtung aus der verti­ kalen Position zurückgezogen. Anschließend werden die Stifte in die Bohrungen im Suszeptor bis zu einer Position, in der Sub­ stratscheibe und Suszeptor gerade noch voneinander beabstandet sind, zurückgeführt. In dieser Position wird die Substratschei­ be für eine Zeit von 0,1 bis 100 s, bevorzugt von 1 bis 10 s gehalten. Substratscheibe und Suszeptor sind in dieser Haltepo­ sition 0,1 bis 100 mm, bevorzugt 1 bis 10 mm voneinander beab­ standet, was eine gleichmäßige Erwärmung der Substratscheibe durch den erwärmten Suszeptor gewährleistet. Die Substratschei­ be erfährt keine thermische Streßsituation. Nach der oben of­ fenbarten Verweilzeit in dieser Halteposition wird die Sub­ stratscheibe, in dem die Stifte vollständig in die Bohrungen im Suszeptor zurückgezogen werden, mit dem Suszeptor in Kontakt gebracht und in dem Abscheidereaktor einem Abscheideverfahren unterzogen.
In einer bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Ver­ fahrens wird zum Beladen zunächst die Haltevorrichtung und die aufliegende Substratscheibe vertikal über einem erwärmten, seg­ mentierten Suszeptor eines Abscheidereaktors platziert. Dann wird ein vertikal bewegliches Suszeptorsegment des segmentier­ ten Suszeptors bis zu einer Halteposition an die Substratschei­ be herangefahren. Diese Position wird für eine Zeit von 0,1 bis 100 s, bevorzugt von 1 bis 10 s gehalten. Substratscheibe und Suszeptorsegment sind in dieser Halteposition 0,1 bis 100 mm, bevorzugt 1 bis 10 mm voneinander beabstandet, was eine gleich­ mäßige Erwärmung der Substratscheibe durch das erwärmte Suszep­ torsegment gewährleistet. Die Substratscheibe erfährt keine thermische Streßsituation. Anschließend wird das Suszeptorseg­ ment weiter nach oben geführt, wodurch zunächst der Kontakt der Substratscheibe und dann ein Abheben von der Haltevorrichtung bewerkstelligt wird. Die Haltevorrichtung wird aus der vertika­ len Position zurückgezogen und der Suszeptor, indem das Segment zurückgeführt wird, mit der Substratscheibe beladen.
Neben der reduzierten Bruchrate durch die gleichmäßige Erwär­ mung zeichnet sich das erfindungsgemäße Verfahren auch dadurch aus, daß bei einer höheren Suszeptortemperatur beladen werden kann. Dies steigert den Durchsatz und damit die Wirtschaftlich­ keit des Abscheidereaktors.
Die Durchführung der bevorzugten Ausführungsform des erfin­ dungsgemäßen Verfahrens erfolgt durch eine Vorrichtung zum Be­ laden eines Suszeptors oder eines Suszeptorsegments eines Ab­ scheidereaktors mit einer Substratscheibe, die auf einer Halte­ vorrichtung aufliegt, die gekennzeichnet ist durch einen Hubzy­ linder (1), der über eine Hubgestänge (3) den Suszeptor oder das Suszeptorsegment anhebt und einen Gegendruckzylinder (2), über welchen die Halteposition eingestellt wird.
Die Aufgabe der Erfindung wird demnach auch durch eine Vorrich­ tung gemäß dem unabhängigen Vorrichtungsanspruch gelöst.
Die Figur zeigt schematisch die erfindungsgemäße Vorrichtung; insbesondere zeigt die Figur das Zusammenwirken der Zylinder (1) und (2).
Zum Beladen eines Suszeptors oder eines Suszeptorsegments eines Abscheidereaktors mit einer Substratscheibe, die auf einer Hal­ tevorrichtung aufliegt wird der Gegendruckzylinder (2) vom Sy­ stem aktiviert und fährt bis zu einer eingestellten Position aus, die durch eine Begrenzungsvorrichtung (8), beispielsweise eine Schraube begrenzt ist. Kurz darauf bewegt sich der Hubzy­ linder (1), der über ein Hubgestänge (3) das Suszeptorsegment soweit anhebt, bis dieser den vom Gegendruckzylinder betätigten Anschlag (6) erreicht. Hubzyliner (1) und Hubgestänge (3) sind beispielsweise über Bolzen (4) miteinander verbunden. Diese Po­ sition wird für eine, von einem Zeitglied vorbestimmte Zeit ge­ halten. Der Gegendruckzylinder (2) ist zweckmäßigerweise stär­ ker ausgelegt als der Hubzylinder (1), d. h. er erzeugt vorzugs­ weise eine größere Druckkraft als der Hubzylinder (1).
In dieser Halteposition sind Substratscheibe und Suszeptor oder Suszeptorsegment vertikal voneinander beabstandet. Nach der vorbestimmten Zeit wird die Ansteuerung des Gegendruckzylinders (2) unterbrochen. Die Ansteuerung der Zylinder erfolgt bei­ spielsweise durch eine Flüssigkeit, ein Gas, einen Motor oder Schlitten; bevorzugt erfolgt die Ansteuerung durch Luft. Der Gegendruckzylinder (2) wird vom Druck des Zylinders (1) zusam­ mengedrückt. Die Geschwindigkeit dieses Vorganges wird bei­ spielsweise über ein Ventil (9) eingestellt. Es entsteht da­ durch ein sanfter Bewegungsablauf zwischen der Halteposition, dem Kontakt mit der Substratscheibe und dem Abheben von der Haltevorrichtung. Die Justierung der Endposition erfolgt bei­ spielsweise mittels einer Einstellschraube (7). Der Kontakt zwischen der zu beladenden Substratscheibe und dem Suszeptor oder dem Suszeptorsegment ereignet sich kurz nach dem die An­ steuerung des Gegendruckzylinders (2) unterbrochen wurde. Zur Minimierung der Reibung und damit verbundenen Erschütterungen erfolgt die Bewegung des Anschlages (6) über Führungsrollen (5).

Claims (4)

1. Verfahren zum Beladen eines erwärmten Suszeptors oder ei­ nes Suszeptorsegments eines Abscheidereaktors mit einer Sub­ stratscheibe, die auf einer Haltevorrichtung aufliegt, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Kontakt zwischen Substratscheibe und Suszeptor oder Suszeptorsegment eine Halteposition, in der Substratscheibe und Suszeptor oder Suszeptorsegment vertikal voneinander beabstandet sind, angefahren wird, und erst nach einer Verweilzeit in dieser Halteposition die Substratscheibe mit dem Suszeptor oder dem Suszeptorsegment in Kontakt ge­ bracht wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Substratscheibe und Suszeptor oder Suszeptorsegment in der Hal­ teposition zwischen 0,1 und 100 mm voneinander beabstandet sind.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Verweilzeit in der Halteposition zwischen 0,1 und 100 s beträgt.
4. Vorrichtung zum Beladen eines Suszeptors oder eines Sus­ zeptorsegments eines Abscheidereaktors mit einer Substratschei­ be, die auf einer Haltevorrichtung aufliegt, gekennzeichnet durch einen Hubzylinder (1), der über eine Hubgestänge (3) den Suszeptor oder das Suszeptorsegment anhebt und einen Gegen­ druckzylinder (2), über welchen die Halteposition eingestellt wird.
DE19951991A 1999-10-28 1999-10-28 Verfahren und Vorrichtung zum Beladen eines Suszeptors Expired - Lifetime DE19951991C2 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19951991A DE19951991C2 (de) 1999-10-28 1999-10-28 Verfahren und Vorrichtung zum Beladen eines Suszeptors
US09/694,867 US6435797B1 (en) 1999-10-28 2000-10-24 Method and device for loading a susceptor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19951991A DE19951991C2 (de) 1999-10-28 1999-10-28 Verfahren und Vorrichtung zum Beladen eines Suszeptors

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE19951991A1 true DE19951991A1 (de) 2001-05-10
DE19951991C2 DE19951991C2 (de) 2001-10-25

Family

ID=7927201

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19951991A Expired - Lifetime DE19951991C2 (de) 1999-10-28 1999-10-28 Verfahren und Vorrichtung zum Beladen eines Suszeptors

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6435797B1 (de)
DE (1) DE19951991C2 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008057985A1 (de) 2008-11-19 2010-06-02 Siltronic Ag Verfahren zum Beladen und Entladen eines Suszeptors

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6783630B2 (en) * 2002-08-27 2004-08-31 Axcelis Technologies, Inc. Segmented cold plate for rapid thermal processing (RTP) tool for conduction cooling
US20060011213A1 (en) * 2004-04-28 2006-01-19 Tokyo Electron Limited Substrate transfer device and cleaning method thereof and substrate processing system and cleaning method thereof

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3973665A (en) * 1975-03-07 1976-08-10 Gca Corporation Article delivery and transport apparatus for evacuated processing equipment
DE4235676A1 (de) * 1992-10-22 1994-06-09 Balzers Hochvakuum Kammer und Kammerkombination für eine Vakuumanlage und Verfahren zum Durchreichen mindestens eines Werkstückes
US5421893A (en) * 1993-02-26 1995-06-06 Applied Materials, Inc. Susceptor drive and wafer displacement mechanism

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5444217A (en) * 1993-01-21 1995-08-22 Moore Epitaxial Inc. Rapid thermal processing apparatus for processing semiconductor wafers
US6293749B1 (en) * 1997-11-21 2001-09-25 Asm America, Inc. Substrate transfer system for semiconductor processing equipment
US6231716B1 (en) * 1998-11-09 2001-05-15 Applied Materials, Inc. Processing chamber with rapid wafer exchange

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3973665A (en) * 1975-03-07 1976-08-10 Gca Corporation Article delivery and transport apparatus for evacuated processing equipment
DE4235676A1 (de) * 1992-10-22 1994-06-09 Balzers Hochvakuum Kammer und Kammerkombination für eine Vakuumanlage und Verfahren zum Durchreichen mindestens eines Werkstückes
US5421893A (en) * 1993-02-26 1995-06-06 Applied Materials, Inc. Susceptor drive and wafer displacement mechanism

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008057985A1 (de) 2008-11-19 2010-06-02 Siltronic Ag Verfahren zum Beladen und Entladen eines Suszeptors

Also Published As

Publication number Publication date
DE19951991C2 (de) 2001-10-25
US6435797B1 (en) 2002-08-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69120193T2 (de) Batchverfahren und Vorrichtung zur Behandlung von Halbleiterscheiben
EP0343530B1 (de) Vakuumanlage
DE3047441C2 (de)
EP3103135B1 (de) Verfahren und vorrichtung zum bonden von substraten
DE69607725T2 (de) Vorrichtung zur Temperaturreglung
DE4230808A1 (de) System zur handhabung und verarbeitung eines substrats
US3947236A (en) Fluid bearing transfer and heat treating apparatus and method
EP2290409A2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Färbung von Kunststofflinsen
EP2539483A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum schnellen heizen und kühlen eines substrates und sofort anschliessender beschichtung desselben unter vakuum
DE10052889C2 (de) Plasmabearbeitungseinrichtung und Plasmabearbeitungsverfahren für Substrate und ein Halbleitergerät
DE19951991C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Beladen eines Suszeptors
DE69111540T2 (de) Vorrichtung zum Herstellen einer Schicht im Vacuum.
DE69115761T2 (de) Behandlungseinrichtung für Halbleiter
US4592926A (en) Processing apparatus and method
DE102019008104A1 (de) Verfahren zur Überwachung, Positionsbestimmung und Positionierung eines Stiffthubsystems
DE4432730A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer metallischen Struktur
US3724739A (en) Apparatus for frequency adjusting and assembling monolithic crystal filters
DE102004024207A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Niedertemperaturepitaxie auf einer Vielzahl von Halbleitersubstraten
EP3017462B9 (de) Verfahren und vorrichtung zur behandlung einer substratoberfläche
DE112019006538T5 (de) Gasphasenabscheidungsvorrichtung
US6210156B1 (en) Heat treatment material handling unit
DE3026346C2 (de) Verfahren zum Streckglühen von elektrischen Mantelrohr-Heizkörpern und Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens
DE112020001873T5 (de) Dampfabscheidungsvorrichtung und darin verwendeter träger
DE10131673A1 (de) Tragevorrichtung für einen Wafer
JPH0726839Y2 (ja) 気相成長装置

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: WACKER SILTRONIC AG, 84489 BURGHAUSEN, DE

8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: SILTRONIC AG, 81737 MUENCHEN, DE

R071 Expiry of right