JP5564801B2 - 共役ポリマー、有機電界発光素子材料、有機電界発光素子用組成物、ポリマーの製造方法、有機電界発光素子、有機elディスプレイ、及び有機el照明 - Google Patents
共役ポリマー、有機電界発光素子材料、有機電界発光素子用組成物、ポリマーの製造方法、有機電界発光素子、有機elディスプレイ、及び有機el照明 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5564801B2 JP5564801B2 JP2009031985A JP2009031985A JP5564801B2 JP 5564801 B2 JP5564801 B2 JP 5564801B2 JP 2009031985 A JP2009031985 A JP 2009031985A JP 2009031985 A JP2009031985 A JP 2009031985A JP 5564801 B2 JP5564801 B2 JP 5564801B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- solution
- polymer
- ring
- mmol
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 0 C*(C(C)=C1N)C(C)=C1N Chemical compound C*(C(C)=C1N)C(C)=C1N 0.000 description 10
- NBUDXOYZFOASCW-UHFFFAOYSA-N Bc(cc1)ccc1-c1ccc(B)cc1 Chemical compound Bc(cc1)ccc1-c1ccc(B)cc1 NBUDXOYZFOASCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZBAYMUKLAYQEO-UHFFFAOYSA-N Bc1ccccc1 Chemical compound Bc1ccccc1 BZBAYMUKLAYQEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNZCBZVEWNCDTJ-UHFFFAOYSA-N CC(C1N)OC(C)=C1N Chemical compound CC(C1N)OC(C)=C1N GNZCBZVEWNCDTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ORKQJTBYQZITLA-UHFFFAOYSA-N CCCCCCCCc(cc1)ccc1N Chemical compound CCCCCCCCc(cc1)ccc1N ORKQJTBYQZITLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKESOCNUNCEEGD-UHFFFAOYSA-N Cc(cc(c1ccc2c(C)c3)N)c(cc4)c1c2c4c3N Chemical compound Cc(cc(c1ccc2c(C)c3)N)c(cc4)c1c2c4c3N OKESOCNUNCEEGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSMHDTMMEKMKTG-UHFFFAOYSA-N Cc(cc(ccc1c23)c2c2ccc3cc(C)c1N)c2N Chemical compound Cc(cc(ccc1c23)c2c2ccc3cc(C)c1N)c2N OSMHDTMMEKMKTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FGZWNBPXXZBFSR-UHFFFAOYSA-N Cc(cc1)ccc1-c1c(cc(c(N)c2)N)c2c(-c2ccc(C)cc2)c2c1cccc2 Chemical compound Cc(cc1)ccc1-c1c(cc(c(N)c2)N)c2c(-c2ccc(C)cc2)c2c1cccc2 FGZWNBPXXZBFSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SKHNJRXVOIGTOL-UHFFFAOYSA-N Cc(cc1)ccc1-c1c(cc(c(N)c2)N)c2c(C)c2c1cccc2 Chemical compound Cc(cc1)ccc1-c1c(cc(c(N)c2)N)c2c(C)c2c1cccc2 SKHNJRXVOIGTOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOGLTDWYRCOCLI-UHFFFAOYSA-N Cc(cc1)ccc1-c1cc(N)cc(-c2ccc(C)cc2)c1 Chemical compound Cc(cc1)ccc1-c1cc(N)cc(-c2ccc(C)cc2)c1 ZOGLTDWYRCOCLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NDLPMTCUBBCHRD-UHFFFAOYSA-N Cc1c(cc(c(N)c2)N)c2c(C)c2c1cccc2 Chemical compound Cc1c(cc(c(N)c2)N)c2c(C)c2c1cccc2 NDLPMTCUBBCHRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IGBRHNWAPXUJRL-UHFFFAOYSA-N Cc1cc(-c2cccc(N)c2)ccc1 Chemical compound Cc1cc(-c2cccc(N)c2)ccc1 IGBRHNWAPXUJRL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VOWZNBNDMFLQGM-UHFFFAOYSA-N Cc1cc(N)c(C)cc1 Chemical compound Cc1cc(N)c(C)cc1 VOWZNBNDMFLQGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BAUPKLHMRNXCQQ-UHFFFAOYSA-N Cc1cc(N)c(ccc2c34)c3c1ccc4c(C)cc2N Chemical compound Cc1cc(N)c(ccc2c34)c3c1ccc4c(C)cc2N BAUPKLHMRNXCQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MKARNSWMMBGSHX-UHFFFAOYSA-N Cc1cc(N)cc(C)c1 Chemical compound Cc1cc(N)cc(C)c1 MKARNSWMMBGSHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLMSKFKKQKMPLO-UHFFFAOYSA-N Cc1ccc(C(c2c-3cc(C)cc2)(N)N)c-3c1 Chemical compound Cc1ccc(C(c2c-3cc(C)cc2)(N)N)c-3c1 VLMSKFKKQKMPLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLLPVBIEIPFZHZ-UHFFFAOYSA-N Cc1ccc(c(ccc(C)c2)c2c(cc2N)c3cc2N)c3c1 Chemical compound Cc1ccc(c(ccc(C)c2)c2c(cc2N)c3cc2N)c3c1 YLLPVBIEIPFZHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVNZLKRGIKVKHQ-UHFFFAOYSA-N Nc1cc(-c2ccc(CC3)c3c2)ccc1 Chemical compound Nc1cc(-c2ccc(CC3)c3c2)ccc1 JVNZLKRGIKVKHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHYHYLGCQVVLOQ-UHFFFAOYSA-N Nc1cccc(Br)c1 Chemical compound Nc1cccc(Br)c1 DHYHYLGCQVVLOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N c(cc1)ccc1Nc1ccccc1 Chemical compound c(cc1)ccc1Nc1ccccc1 DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/151—Copolymers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G61/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G61/12—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/02—Polyamines
- C08G73/026—Wholly aromatic polyamines
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D179/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen, with or without oxygen, or carbon only, not provided for in groups C09D161/00 - C09D177/00
- C09D179/02—Polyamines
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/20—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the material in which the electroluminescent material is embedded
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/115—Polyfluorene; Derivatives thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G2261/10—Definition of the polymer structure
- C08G2261/12—Copolymers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G2261/10—Definition of the polymer structure
- C08G2261/13—Morphological aspects
- C08G2261/135—Cross-linked structures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G2261/10—Definition of the polymer structure
- C08G2261/14—Side-groups
- C08G2261/142—Side-chains containing oxygen
- C08G2261/1424—Side-chains containing oxygen containing ether groups, including alkoxy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G2261/30—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain
- C08G2261/31—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating aromatic structural elements in the main chain
- C08G2261/314—Condensed aromatic systems, e.g. perylene, anthracene or pyrene
- C08G2261/3142—Condensed aromatic systems, e.g. perylene, anthracene or pyrene fluorene-based, e.g. fluorene, indenofluorene, or spirobifluorene
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G2261/30—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain
- C08G2261/31—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating aromatic structural elements in the main chain
- C08G2261/316—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating aromatic structural elements in the main chain bridged by heteroatoms, e.g. N, P, Si or B
- C08G2261/3162—Arylamines
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G2261/50—Physical properties
- C08G2261/51—Charge transport
- C08G2261/512—Hole transport
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
- Y02B20/30—Semiconductor lamps, e.g. solid state lamps [SSL] light emitting diodes [LED] or organic LED [OLED]
Description
本発明は、またポリマーの製造方法及び該ポリマーに関する。
特許文献1及び2には、下記式(1)で表される繰り返し単位を有するポリマーが開示され、特許文献3には、正孔注入層に、下記式(1)で表される繰り返し単位を有するポリマーを用いる有機電界発光素子が提案されている。しかしながら、該文献に記載の有機電界発光素子は、駆動電圧が高く、発光効率も十分に得られていなかった。
また、特許文献4及び5では、各々下記式で表される繰り返し単位を有する高分子化合物が開示されているが、これらの化合物を用いて素子を作製した場合は、平坦な膜が得られなかったり、また得られる素子の駆動寿命が短いといった課題があった。
本発明は、下記式(I)で表される繰り返し単位からなる共役ポリマーであって、
該共役ポリマーは置換基として不溶化基を含み、
重量平均分子量(Mw)が20,000以上であり、分散度(Mw/Mn。尚、Mnは数平均分子量を表す。)が2.40以下であることを特徴とする、共役ポリマー。
Ar11、及びAr12は、各々独立して、直接結合、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表し、
Ar13〜Ar15は、各々独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。
尚、該共役ポリマーは、置換基として1分子中に少なくとも一つの不溶化基を含む基を有する。)
本発明はまた、下記式(I’)で表される繰り返し単位を含む共役ポリマーであって、共役ポリマーは置換基として、下記式(II)で表される基を含む基を有し、重量平均分子量(Mw)が20,000以上であり、分散度(Mw/Mn。尚、Mnは数平均分子量を表す。)が2.40以下である共役ポリマーに存する(以下、「本発明の共役ポリマー(I’)」と称する)。
以下、「本発明の共役ポリマー」とした場合は、「本発明の共役ポリマー(I)」及び「本発明の共役ポリマー(I’)」の両方を指すものとする。
さらに、本発明は、下記式(I−1)で表されるアリールアミン類と、下記式(I−2)で表されるアリール類を、パラジウム化合物、ホスフィン化合物、及び、塩基の存在下、該アリールアミン類の一部と該アリール類を縮合反応させた後、下記式(I−2)で表さ
れるアリール類を追添加し、さらに重合反応させることを特徴とする、ポリマーの製造方法に存する。
従って、本発明の共役ポリマーを不溶化して得られる不溶化ポリマーを含有する層(以下、「不溶化層」と称する場合がある)を有する有機電界発光素子は、フラットパネル・ディスプレイ(例えばOAコンピュータ用や壁掛けテレビ)や面発光体としての特徴を生かした光源(例えば、複写機の光源、液晶ディスプレイや計器類のバックライト光源)、表示板、標識灯への応用が考えら、その技術的価値は高いものである。
また、本発明のポリマーの製造方法は、性能の安定した分子量分布の狭いポリマーを製造することが可能である。
<1.共役ポリマー(I)>
本発明の共役ポリマー(I)は、下記式(I)で表される繰り返し単位からなる共役ポリマーであって、該共役ポリマーは置換基として不溶化基を含み、重量平均分子量(Mw)が20,000以上であり、分散度(Mw/Mn。尚、Mnは数平均分子量を表す。)が2.40以下であることを特徴とする、共役ポリマーである。
Ar11、及びAr12は、各々独立して、直接結合、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表し、
Ar13〜Ar15は、各々独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。
尚、該共役ポリマーは、置換基として1分子中に少なくとも一つの不溶化基を含む基を有する。)
[1−1.構造上の特徴]]
本発明の共役ポリマー(I)は、式(I)で表される繰り返し単位に示されるとおり、共役系の構造を有する繰り返し単位からなるため、十分な電荷輸送能を有し、また溶媒に対する十分な溶解性を有する。また、不溶化基による不溶化ポリマーの形成が容易であるため、成膜時の表面平坦性が保たれるものと推測される。
[1−2.Ar11〜Ar15]
式(I)中、Ar11及びAr12は、各々独立して、直接結合、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表し、Ar13〜Ar15は、各々独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。
置換基を有していてもよい芳香族複素環基としては、例えばフラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環などの、5又は6員環の単環又は2〜4縮合環由来の基が挙げられる。
また、Ar11〜Ar15としては、前記群から選ばれる1種又は2種以上の環を直接結合、又は―CH=CH―基により連結した2価の基も好ましく、ビフェニレン基及びタ
ーフェニレン基、がさらに好ましい。
[置換基群Z]
メチル基、エチル基等の好ましくは炭素数1〜24、更に好ましくは炭素数1〜12のアルキル基;
ビニル基等の好ましくは炭素数2〜24、更に好ましくは炭素数2〜12のアルケニル基;
エチニル基等の好ましくは炭素数2〜24、更に好ましくは炭素数2〜12のアルキニル基;
メトキシ基、エトキシ基等の好ましくは炭素数1〜24、更に好ましくは炭素数1〜12のアルコキシ基;
フェノキシ基、ナフトキシ基、ピリジルオキシ基等の好ましくは炭素数4〜36、更に好ましくは炭素数5〜24のアリールオキシ基;
メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等の好ましくは炭素数2〜24、更に好ましくは炭素数2〜12のアルコキシカルボニル基;
ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等の好ましくは炭素数2〜24、更に好ましくは炭素数2〜12のジアルキルアミノ基;
ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、N−カルバゾリル基等の好ましくは炭素数10〜36、更に好ましくは炭素数12〜24のジアリールアミノ基;
フェニルメチルアミノ基等の好ましくは炭素数6〜36、更に好ましくは炭素数7〜24のアリールアルキルアミノ基;
アセチル基、ベンゾイル基等の好ましくは炭素数2〜24、好ましくは炭素数2〜12のアシル基;
フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子;
トリフルオロメチル基等の好ましくは炭素数1〜12、更に好ましくは炭素数1〜6のハロアルキル基;
メチルチオ基、エチルチオ基等の好ましくは炭素数1〜24、更に好ましくは炭素数1〜12のアルキルチオ基;
フェニルチオ基、ナフチルチオ基、ピリジルチオ基等の好ましくは炭素数4〜36、更に好ましくは炭素数5〜24のアリールチオ基;
トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基等の好ましくは炭素数2〜36、更に好ましくは炭素数3〜24のシリル基;
トリメチルシロキシ基、トリフェニルシロキシ基等の好ましくは炭素数2〜36、更に好ましくは炭素数3〜24のシロキシ基;
シアノ基;
フェニル基、ナフチル基等の好ましくは炭素数6〜36、更に好ましくは炭素数6〜24の芳香族炭化水素基;
チエニル基、ピリジル基等の好ましくは炭素数3〜36、更に好ましくは炭素数4〜24の芳香族複素環基
上記各置換基は、さらに置換基を有していてもよく、その例としては前記置換基群Zに例示した基が挙げられる。
溶解性の点から、Ar11〜Ar15における芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基が有していてもよい置換基としては、各々独立に、炭素数1〜12のアルキル基及び炭素数
1〜12のアルコキシ基が好ましい。
[1−3.mの説明]
前記式(I)においてmは、0〜3の整数を表す。
[1−4.繰り返し単位の割合等]
本発明の共役ポリマー(I)は、1種又は2種以上の式(I)で表される繰り返し単位からなるポリマーである。
[1−5.不溶化基]
本発明の共役ポリマー(I)は、置換基として不溶化基を含む基を有する。
本発明においては、不溶化基は、解離基又は架橋性基であることが好ましい。
共役ポリマー(I)は、置換基として不溶化基を含む基を有するが、不溶化基を有する位置は、式(I)で表される繰り返し単位中にあってもよく、また式(I)で表される繰り返し単位以外の部分、例えば、末端基に有していてもよい。
(1−5−1.解離基:dissociable group)
本発明における共役ポリマーは、不溶化基として、解離基を有していることが不溶化後(解離反応後)の電荷輸送能に優れる点で好ましい。
またさらに、100℃以上で熱解離する基であることが好ましく、300℃以下で熱解離する基であることが好ましい。
解離基が2価の基である場合の具体例は、以下の<2価の解離基群A>の通りである。
<2価の解離基群A>
本発明において、1つのポリマー鎖の中に含まれる解離基は、好ましくは平均5以上、より好ましくは平均10以上、より好ましくは平均50以上である。この下限値を下回ると加熱前の該高分子化合物の塗布溶媒に対する溶解性が低い場合があり、またさらに加熱後の化合物の溶媒への溶解性の低下の効果も低くなる可能性がある。
上記、ポリマーの分子量1000あたりの、共役ポリマー(I)が有する解離基の数の算出方法は、後述する(1−5−2.架橋性基)の(架橋性基の割合)の項に記載の、ポリマーの分子量1000当りの架橋性基数の算出方法と同様である。
(1−5−2.架橋性基)
また、本発明の共役ポリマー(I)は、不溶化基として、架橋性基を有していることが、熱及び/又は活性エネルギー線の照射により起こる反応(不溶化反応)の前後で、溶媒に対する溶解性に大きな差を生じさせることができる点で好ましい。
架橋性基としては、不溶化がしやすいという点で、例えば、架橋性基群Tに示す基が挙げられる。
[架橋性基群T]
エポキシ基、オキセタン基などの環状エーテル基、ビニルエーテル基などのカチオン重合によって不溶化反応する基が、反応性が高く不溶化が容易な点で好ましい。中でも、カチオン重合の速度を制御しやすい点でオキセタン基が特に好ましく、カチオン重合の際に素子の劣化をまねくおそれのあるヒドロキシル基が生成しにくい点でビニルエーテル基が好ましい。
また、架橋性基の中でも、不溶化後の構造が特に安定な点で、ベンゾシクロブテン環由来の基が特に好ましい。
具体的には、下記式(II)で表される基であることが好ましい。
架橋性基は分子内の芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基に直接結合してもよいが、2価の基を介して結合してもよい。この2価の基としては、−O−基、−C(=O)−基又は(置換基を有していてもよい)−CH2−基から選ばれる基を任意の順番で1〜30個連結してなる2価の基を介して、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基に結合することが好ましい。これら2価の基を介する架橋性基、すなわち、架橋性基を含む基の具体例は以下の<架橋性基を含む基群T’>に示す通りであるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
本発明の共役ポリマー(I)が有する架橋性基の数を、分子量1000あたりの数で表した場合、分子量1000あたり、通常3.0個以下、好ましくは2.0個以下、さらに好ましくは1.0以下、また通常0.01以上、好ましくは0.05以上である。
ここで、共役ポリマーの分子量1000あたりの架橋性基の数は、共役ポリマーからその末端基を除いて、合成時の仕込みモノマーのモル比と、構造式から算出する。
例えば、後述の合成例18で合成した目的物18の場合で説明する。
本発明の共役ポリマー(I)の重量平均分子量(Mw)は、通常20000以上、好ましくは40000以上であり、また通常2000000以下、好ましくは1000000以下である。
また、数平均分子量(Mn)は、通常1000000以下、好ましくは800000以下、より好ましくは500000以下であり、また通常5000以上、好ましくは10000以上、より好ましくは20000以上である。
また、本発明の共役ポリマーの分散度(Mw/Mn:Mwは重量平均分子量を表し、Mnは数平均分子量を表す)は、通常2.40以下、好ましくは2.10以下、より好ましくは2.00以下であり、また好ましくは1.00以上、さらに好ましくは1.10以上、特に好ましくは1.20以上である。この上限値を上回ると、精製が困難となったり、溶媒に対する溶解性が低下したり、電荷輸送能が低下したりする等、本発明の効果が得られないおそれがある。
ど溶出時間が長くなるが、分子量既知のポリスチレン(標準試料)の溶出時間から算出した校正曲線を用いて、サンプルの溶出時間を分子量に換算することによって、重量平均分子量及び数平均分子量が算出される。
カラムは、TSKgel GMHXL(東ソー社製)又はこれと同等以上の分離能を示すもの、すなわち、
粒子径:9mm
カラムサイズ:7.8mm内径×30cm長さ
保証理論段数:14000TP/30cm程度
のものを2本用い、カラム温度は40℃とする。
分子量既知のポリスチレン(標準試料)の溶出時間から算出した校正曲線を用いて、サンプルの溶出時間を分子量に換算することによって、分子量分布が決定される。なお、SEC測定では高分子量成分ほど溶出時間が短く、低分子量成分ほど溶出時間が長くなる。
[1−7.Ar11〜Ar15の具体例]
以下に、本発明のAr11〜Ar15として好ましい具体的な例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。式中、Tは不溶化基のいずれかを表し、Zは置換基を表す。一つのAr11〜Ar15に複数のT又はZが存在する場合、複数のT又はZは同一であっても異なっていてもよい。
本発明の共役ポリマー(I)が有する繰り返し単位として、不溶化基を有さない場合の具体例は、下記<繰り返し単位群C>の通りであるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
[1−8.ガラス転移温度、その他の物性]
本発明の共役ポリマー(I)のガラス転移温度は、通常50℃以上、有機電界発光素子の耐熱性を含めた駆動安定性の点で好ましくは80℃以上、より好ましくは100℃以上、また、通常300℃以下である。
[2.共役ポリマー(I’)]
本発明の共役ポリマー(I’)は、下記式(I’)で表される繰り返し単位を含む共役ポリマーであって、共役ポリマーは置換基として、下記式(II)で表される基を含む基を有し、重量平均分子量(Mw)が20,000以上であり、分散度(Mw/Mn。尚、Mnは数平均分子量を表す。)が2.40以下であることを特徴とする、共役ポリマーである。
Ar21及びAr22は、各々独立に、直接結合、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、置換基を有していてもよい芳香族複素環基又は直接結合を表し、
Ar23〜Ar25は、各々独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。
尚、該共役ポリマーは、置換基として1分子中に少なくとも一つの下記式(II)を含む基を有する。)
[2−1.構造上の特徴]
本発明の共役ポリマー(I’)は、式(I’)で表される繰り返し単位を含むため、電荷輸送能が高く、酸化還元安定性に優れる。
[2−2.Ar21〜Ar25]
式(I’)中、Ar21及びAr22は、各々独立して、直接結合、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表し、Ar23〜Ar25は、各々独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。
[2−3.式(II)]
本発明の共役ポリマー(I’)は、置換基として下記式(II)で表される基を含む基を置換基として有する。
式(II)のベンゾシクロブテン環は、置換基を有していてもよく、その具体例は、前記[置換基群Z]の項に記載のものが挙げられる。好ましい例も同様である。
[2−4.nの説明]
前記式(I’)において、nは0〜3の整数を表す。
該mは、[1−3.mの説明]の項で記載のmと同義である。また、好ましい場合も同様である。
本発明の共役ポリマー(I’)の重量平均分子量(Mw)、数平均分子量(Mn)及び分散度(Mw/Mn)は、前記[1−6.共役ポリマー(I)の分子量]の項に記載と同義であり、またその範囲は同様である。さらに、好ましい範囲も同様である。
[2−6.繰り返し単位の割合等]
本発明の共役ポリマー(I’)は、式(I’)で表される繰り返し単位を少なくとも1種有するポリマーであればよい。
本発明の共役ポリマー(I’)は、式(I’)で表される繰り返し単位を、仕込みモル比で、通常0.1以上、好ましくは0.3以上、さらに好ましくは0.5以上、また、通常1以下である。
上記範囲内であると、電荷輸送能が高く、酸化還元安定性に優れるため好ましい。
式(I’)で表される繰り返し単位の具体例として、式(II)で表される基を含む基を、繰り返し単位中に有する具体例は、以下<繰り返し単位群E>が挙げられるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
本発明の共役ポリマー(I’)が2種以上の繰り返し単位を有する場合は、ランダム共重合、交互共重合、ブロック共重合、グラフト共重合が挙げられる。溶媒に対する溶解性の点からランダム共重合であることが好ましい。電荷輸送能がさらに高められる点で、本発明の共役ポリマー(I’)は交互共重合であることが好ましい。
また、本発明の共役ポリマー(I’)の具体例としては、後述の(実施例)(合成例)の項に記載のポリマーが挙げられるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
本発明の共役ポリマー(I’)の、1つのポリマー鎖中に有する、式(II)で表される基は、前記[1−5−2.架橋性基](架橋性基の割合)の項において、架橋性基を、式(II)で表される基とした場合と同様である。好ましい範囲も同様である。
また、本発明の共役ポリマー(I’)が有する、式(II)で表される基を含む基の数を、分子量1000あたりの数で表したものも、前記[1−5−2.架橋性基](架橋性基の割合)の項において、架橋性基を、式(II)で表される基とした場合と同様である
。好ましい範囲も同様である。
本発明の共役ポリマー(I’)のガラス転移温度、及びイオン化ポテンシャルは、前記 [1−8.ガラス転移温度、その他の物性]の項での記載と同義である。また、好ましい範囲も同様である。
<3.特に好ましい共役ポリマー>
本発明の共役ポリマーは、下記の繰り返し単位群Aからなる群より選ばれる少なくとも一つの繰り返し単位、及び下記の繰り返し単位群Bからなる群より選ばれる少なくとも一つの繰り返し単位を有する共役ポリマーであって、重量平均分子量(Mw)が20,000以上であり、分散度が2.40以下である共役ポリマーであることが、電荷輸送能が高く、酸化還元安定性に優れる点で好ましい。
本発明の共役ポリマーは、目的とする化合物の構造に応じて原料を選択し、公知の手法を用いて合成することができるが、分子量分布の制御が容易な点で、下記<5.ポリマーの製造方法>の項に記載の方法で合成することが好ましい。
本発明のポリマー製造方法は、下記式(I−1)で表されるアリールアミン類と、下記
式(I−2)で表されるアリール類を、パラジウム化合物、ホスフィン化合物、及び、塩
基の存在下、該アリールアミン類の一部と該アリール類を縮合反応させた後、下記式(I
−2)で表されるアリール類を追添加し、さらに重合反応させることを特徴とする。
本発明のポリマーの製造方法を用いると、性能の安定した分子量分布の狭いポリマーを製造することが可能である。
[5−1.Ar1及びAr2]
Ar1及びAr2は、各々独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。
が挙げられる。
また、Ar2の好ましい具体例は、前記<Ar11、Ar12及びAr14の具体例>の項に記載のものが挙げられる。
[5−2.式(I−2)で表されるアリール類の初期添加量(初期存在量)]
式(I−2)で表されるアリール類の初期添加は、式(I−1)で表されるアリールアミン類と同時期でも、触媒等との混合後でもよい。式(I−2)で表されるアリール類の初
期添加量が確実に寄与させる点で、同時期であることが好ましい。
値を上回ると、重量平均分子量の上記範囲から外れる恐れがあり、また、この下限値を下回るとモノマーの残存量が増加する恐れがある。
式(I−2)で表されるアリール類の追添加は、後述の規定量(全添加量)まで、重合
反応の進行を確認しながら、少量ずつ分割添加することが好ましい。分割添加する式(I
−2)で表されるアリール類の1回の添加量は、重合の進行度合いによるが、通常は48モル%以下、好ましくは45モル%以下、また、通常は1モル%以上である。
[5−4.本発明の効果が得られる理由]
ここで本発明の製造方法によって、従来の製造方法とは異なり、何故本発明の効果が得られるかについて、前記式(I)で表される繰り返し単位を例にして説明する。
I)で表される繰り返し単位におけるアリールアミン部位を確実に形成し、さらに式(I
−2)で表されるアリール類を加えることにより重合反応を開始する。この添加方法を行うことにより、重合反応がスムーズに進行し、例えば、重量平均分子量(Mw)が20,000以上のポリマーを、分散度が2.40以下で形成することができる。
式(I−2)において、Xは脱離基を表す。本発明での脱離基とは、脱離反応あるいは
縮合反応において、放出される原子又は原子団である。
脱離基としては、特に制限はないが、例えばハロゲン元素、リン酸エステル類、スルホン酸エステル類、カルボン酸エステル類等のエステル類があげられ、好ましくはハロゲン元素、スルホン酸エステル類であり、適度な反応性を有する点で、より好ましくはハロゲン元素である。
本発明における、ポリマーの製造方法で用いる触媒としては、パラジウム化合物とホス
フィン化合物が挙げられる。パラジウム化合物としては、例えばヘキサクロロパラジウム(IV)ナトリウム四水和物、ヘキサクロロパラジウム(IV)酸カリウム等の4価のパラジウム化合物、塩化パラジウム(II)、臭化パラジウム(II)、酢酸パラジウム(II)、パラジウム(II)アセチルアセトナート、ジクロロビス(ベンゾニトリル)パラジウム(II)、ジクロロビル(アセトニトリル)パラジウム(II)、ジクロロビル(トリフェニルホスフィン)パラジウム(II)、ジクロロビル(トリ−o−トリルホスフィン)パラジウム(II)、ジクロロビル(シクロオクタ−1,5−ジエン)パラジウム(II)、パラジウム(II)トリフルオロアセテート等の2価パラジウム、トリス(ジベンジリデンアセトン)二パラジウム(0)、トリス(ジベンジリデンアセトン)二パラジウム(0)クロロホルム錯体、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)等の0価のパラジウム等が挙げられるが、反応活性が高い点で0価のパラジウムが好ましい。
、好ましくは0.02モル%以上、また通常20モル%以下、好ましくは5モル%以下であることがよい。
本発明における、ポリマーの製造方法で用いるホスフィン化合物としては、トリアルキルホスフィン化合物が挙げられるが、例えば、トリエチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリイソプロピルホスフィン、トリ−n−ブチルホスフィン、トリイソブチルホスフィン、トリ−t−ブチルホスフィン等が挙げられるが、特にトリ−t−ブチルホスフィンが好ましい。
[5−7.塩基]
本発明の、ポリマーの製造方法で用いる塩基としては、特に限定されるものではないが、ナトリウム、カリウム、セシウム等の炭酸塩、リチウム、ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属のアルコキシドが挙げられるが、好ましくはアルカリ金属アルコキシドが挙げられる。
上、好ましくは1倍モル量以上また通常10倍モル量以下である。
[5−8.溶媒]
本発明の、ポリマーの製造方法で用いる溶媒としては、通常は反応に不活性であればよく、本反応を阻害しないものであればよい。例えば、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等が挙げられるが、な点でトルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒が好ましい。
得られたポリマーの精製方法としては、「分離精製技術ハンドブック」(1993年、(財)日本化学会編)、「化学変換法による微量成分及び難精製物質の高度分離」(1988年、(株)アイ ピー シー発行)、あるいは「実験化学講座(第4版)1」(1990年、(財)日本化学会編)の「分離と精製」の項に記載の方法をはじめとし、公知の技術を利用可能である。具体的には、抽出(懸濁洗浄、煮沸洗浄、超音波洗浄、酸塩基洗浄を含む)、吸着、吸蔵、融解、晶析(溶媒からの再結晶、再沈殿を含む)、蒸留(常圧蒸留、減圧蒸留)、蒸発、昇華(常圧昇華、減圧昇華)、イオン交換、透析、濾過、限外
濾過、逆浸透、圧浸透、帯域溶解、電気泳動、遠心分離、浮上分離、沈降分離、磁気分離、各種クロマトグラフィー(形状分類:カラム、ペーパー、薄層、キャピラリー、移動相分類:ガス、液体、ミセル、超臨界流体。分離機構:吸着、分配、イオン交換、分子ふるい、キレート、ゲル濾過、排除、アフィニティー)などが挙げられる。
本発明のポリマーの製造方法で製造されたポリマー(以下、単に「本発明によるポリマー」と称する場合がる)は、重量平均分子量(Mw)が大きく、また分散度(Mw/Mn)が小さい。
この為、本発明によるポリマーは、溶媒に対する溶解性に優れ、また電荷輸送能が高いため、有機電界発光素子材料として好適に用いることができる。
その他、更に、以下<他の繰り返し単位群K>が挙げられるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
本発明のポリマーの製造方法で、本発明の共役ポリマー(I)を製造する方法について、以下に説明する。
例えば、mが1の時は、式(I−2)中のAr2が下記の通りとなる。
本発明の共役ポリマーは、電荷輸送材料として用いられることが好ましく、特に有機電界発光素子材料として用いられることが好ましい。有機電界発光素子材料として用いられる場合は、有機電界発素子における正孔注入層及び/又は正孔輸送層の電荷輸送材料として用いることが好ましい。
<7.不溶化ポリマー>
本発明の共役ポリマーであって分子内に不溶化基、又は前記式(II)で表される基を有するものは、下記有機電界発光素子用組成物の項で記載のように、加熱及び/又は光などの活性エネルギー照射により、不溶化反応を起こし、不溶化ポリマーを形成することができる。不溶化ポリマーは下記詳述するように、正孔注入層及び/又は正孔輸送層として用いられることが好ましい。
本発明における不溶化率は、以下の方法にて膜厚L1及びL2を各々測定し、L2/L1を算出した値である。
[7−1−1.成膜方法、及び膜厚L1の測定方法]
25mm×37.5mmサイズのガラス基板を超純水で洗浄し、乾燥窒素で乾燥して、UV/オゾン洗浄を行う。
スピンコート条件は、下記の通りである。
[スピンコート条件]
気温:23℃
相対湿度: 60%
スピナ回転数: 1500rpm
スピナ回転時間:30秒とした。
[7−1−3.膜厚L2の測定方法]
膜厚L1測定後の基板をスピナにセットし、測定サンプルに用いた溶媒と同様の溶媒を膜厚測定した箇所に垂らし、10秒後に、上記の<スピンコート条件>と同様にスピンコートを行う。続いて再び同じ箇所の膜厚L2(nm)を測定し、不溶化率L2/L1を算出する。
本発明の有機電界発光素子用組成物は、本発明の共役ポリマーを少なくとも1種含む組成物である。
本発明の有機電界発光素子用組成物は、陽極と陰極の間に配置された有機層を有する有機電界発光素子において、通常、該有機層を湿式成膜法により形成する際の塗布液として用いられる。本発明の有機電界発光素子用組成物は、該有機層のうち、正孔輸送層を形成するために用いられることが好ましい。
れを「正孔輸送層」と称し、2つ以上の場合は、陽極に接している層を「正孔注入層」、それ以外の層を総称して「正孔輸送層」と称す。また、陽極−発光層間に設けられた層を総称して「正孔注入・輸送層」と称する場合がある。
本発明の有機電界発光素子用組成物は、前記本発明の共役ポリマーを含有することを特徴とするが、通常、さらに溶媒を含有する。
なお、本発明の有機電界発光素子用組成物は、本発明の共役ポリマーの1種のみを含むものであってもよく、2種以上を含むものであってもよい。
また、本発明の有機電界発光素子用組成物は、必要に応じ、電子受容性化合物を含んでいてもよい。上記組成物を用いて形成される層の溶解性を低下させ、正孔輸送層上へ他の層を塗布することを可能とする不溶化反応を促進するための各種添加物等の添加剤を含んでいてもよい。この場合は、溶媒としては、本発明の共役ポリマーと添加剤の双方を0.05重量%以上、好ましくは0.5重量%以上、さらに好ましくは1重量%以上溶解する溶媒を使用することが好ましい。
電子受容性化合物としては、酸化力を有し、上述の正孔輸送性化合物から一電子受容する能力を有する化合物が好ましい。具体的には、電子親和力が4eV以上である化合物が好ましく、5eV以上の化合物である化合物がさらに好ましい。
電子受容性化合物として好適な有機基の置換したオニウム塩、シアノ化合物、芳香族ホウ素化合物の具体例としては、国際公開第2005/089024号パンフレットに記載のものが挙げられ、その好ましい例も同様である。例えば、下記構造式で表わされる化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
本発明の有機電界発光素子用組成物に含有される溶媒としては、特に制限されるものではないが、本発明の共役ポリマーを溶解させる必要があることから、好ましくは、トルエン、キシレン、メチシレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族化合物;1,2−ジクロロエタン、クロロベンゼン、o−ジクロロベンゼン等の含ハロゲン溶媒;エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−1−モノメチルエーテルアセタート(PGMEA)等の脂肪族エーテル、1,2−ジメトキシベンゼン、1,3−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、2−メトキシトルエン、3−メトキシトルエン、4−メトキシトルエン、2,3−ジメチルアニソール、2,4−ジメチルアニソール等の芳香族エーテル等のエーテル系溶媒;酢酸エチル、酢酸n−ブチル、乳酸エチル、乳酸n−ブチル等の脂肪族エステル;酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸イソプロピル、安息香酸プロピル、安息香酸n−ブチル等のエステル系溶媒等の有機溶媒が挙げられる。これらは1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
なお、水分は有機電界発光素子の性能劣化、中でも特に連続駆動時の輝度低下を促進する可能性があることが広く知られており、塗膜中に残留する水分をできる限り低減するために、これらの溶媒の中でも、25℃における水の溶解度が1重量%以下であるものが好ましく、0.1重量%以下である溶媒がより好ましい。
即ち、本発明における不溶化層を湿式成膜法により形成する場合、下地との親和性が重要である。膜質の均一性は有機電界発光素子の発光の均一性、安定性に大きく影響するため、湿式成膜法に用いる塗布液には、よりレベリング性が高く均一な塗膜を形成しうるように表面張力が低いことが求められる。このような溶媒を使用することにより、本発明における不溶化層を均一に形成することができる。
エート)等が挙げられる。
本発明の有機電界発光素子用組成物に含有される溶媒としてはまた、25℃における蒸気圧が10mmHg以下、好ましくは5mmHg以下で、通常0.1mmHg以上の溶媒が挙げられる。このような溶媒を使用することにより、有機電界発光素子を湿式成膜法により製造するプロセスに好適な、また、本発明の共役ポリマーの性質に適した組成物を調製することができる。このような溶媒の具体例としては、前述したトルエン、キシレン、メチシレン等の芳香族系溶媒、エーテル系溶媒及びエステル系溶媒が挙げられる。これらの溶媒の組成物中の濃度は、通常10重量%以上、好ましくは30重量%以上、より好ましくは50重量%以上である。
混合溶媒の比率は、25℃における蒸気圧が2mmHg以上である溶媒が、混合溶媒総量中、5重量%以上、好ましくは25重量%以上、但し50重量%未満であり、25℃における蒸気圧が2mmHg未満である溶媒が、混合溶媒総量中、30重量%以上、好ましくは50重量%以上、特に好ましくは75重量%以上、但し、95重量%未満である。
ましくは0.1重量%以下、さらに好ましくは0.05重量%以下である。
なお、本発明の有機電界発光素子用組成物に含有される溶媒として、前述した溶媒以外にも、必要に応じて、各種の他の溶媒を含んでいてもよい。このような他の溶媒としては、例えば、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド等のアミド類;ジメチルスルホキシド等がある。
[成膜方法]
前述の如く、有機電界発光素子は、多数の有機化合物からなる層を積層して形成するため、膜質が均一であることが非常に重要である。湿式成膜法で層形成する場合、その材料や、下地の性質によって、スピンコート法、スプレー法などの塗布法や、インクジェット法、スクリーン法などの印刷法等、公知の成膜方法が採用できる。
加熱の手法は特に限定されないが、例としては加熱乾燥等が挙げられる。加熱乾燥の場合の条件としては、通常120℃以上、好ましくは400℃以下に本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて形成された層を加熱する。
加熱の手法は特に限定されないが、加熱乾燥の場合の条件としては、通常100℃以上、好ましくは120℃以上、より好ましくは150℃以上、また通常400℃以下、好ましくは350℃以下、より好ましくは300℃以下に、有機電界発光素子用組成物を用いて形成された層を加熱する。加熱時間としては、通常1分以上、好ましくは24時間以下である。加熱手段としては特に限定されないが、形成された層を有する積層体をホットプレート上に載せたり、オーブン内で加熱するなどの手段が用いられる。例えば、ホットプレート上で120℃以上、1分間以上加熱する等の条件を用いることができる。
加熱及び光などの活性エネルギー照射は、それぞれ単独、あるいは組み合わせて行ってもよい。組み合わせる場合、実施する順序は特に限定されない。
加熱及び光などの活性エネルギー照射は、実施後に層に含有する水分及び/又は表面に吸着する水分の量を低減するために、窒素ガス雰囲気等の水分を含まない雰囲気で行うことが好ましい。同様の目的で、加熱及び/又は光などの活性エネルギー照射を組み合わせて行う場合には、少なくとも発光層の形成直前の工程を窒素ガス雰囲気等の水分を含まない雰囲気で行うことが特に好ましい。
本発明の有機電界発光素子は、基板上に、陽極、陰極、及び該陽極と該陰極の間に配置された1層又は2層以上の有機層を有する有機電界発光素子において、該有機層の少なくとも1層が、本発明の不溶化ポリマーを含有する有機電界発光素子である。
さらに、本発明の有機電界発光素子は、本発明における不溶化層が、正孔注入層及び/又は正孔輸送層であることが好ましい。
また、該正孔輸送層の陰極側には、湿式成膜法で形成される発光層を有することが好ましく、さらに、該正孔輸送層の陽極側には、湿式成膜法で形成される正孔注入層を有することが好ましい。すなわち、本発明の有機電界発光素子は、正孔注入層、正孔輸送層及び発光層の全てが湿式成膜法で形成されることが好ましい。特にこの湿式成膜法で形成される発光層は低分子材料からなる層であることが好ましい。
[1]基板
基板は有機電界発光素子の支持体となるものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシートなどが用いられる。特にガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホンなどの透明な合成樹脂の板が好ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性に留意する必要がある。基板のガスバリア性が小さすぎると、基板を通過した外気により有機電界発光素子が劣化することがあるので好ましくない。このため、合成樹脂基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つである。
陽極は、後述する発光層側の層(正孔注入層又は発光層など)への正孔注入の役割を果たすものである。この陽極は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウム及び/又はスズの酸化物などの金属酸化物、ヨウ化銅などのハロゲン化金属、カーボンブラック、或いは、ポリ(3−メチルチオフェン)、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子などにより構成される。陽極の形成は通常、スパッタリ
ング法、真空蒸着法などにより行われることが多い。また、銀などの金属微粒子、ヨウ化銅などの微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末などの場合には、適当なバインダー樹脂溶液に分散し、基板上に塗布することにより陽極を形成することもできる。更に、導電性高分子の場合は、電解重合により直接基板上に薄膜を形成したり、基板上に導電性高分子を塗布して陽極を形成することもできる(Applied
Physics Letters,1992年,Vol.60,pp.2711参照)。陽極は異なる物質で積層して形
成することも可能である。
[3]正孔注入層
陽極の上には、正孔注入層が形成される。
なお、本発明の有機電界発光素子は、正孔注入層を省いた構成であってもよい。
正孔注入層は、正孔輸送性化合物を含むことが好ましく、正孔輸送性化合物と電子受容性化合物とを含むことがより好ましい。更には、正孔注入層中にカチオンラジカル化合物を含むことが好ましく、カチオンラジカル化合物と正孔輸送性化合物とを含むことが特に好ましい。
また、正孔注入層は、電子受容性化合物のみを湿式成膜法によって陽極上に成膜し、その上から直接、電荷輸送材料組成物を塗布、積層することも可能である。この場合、電荷輸送材料組成物の一部が電子受容性化合物と相互作用することによって、正孔注入性に優れた層が形成される。
上記の正孔輸送性化合物としては、4.5eV〜6.0eVのイオン化ポテンシャルを有する化合物が好ましい。ただし、湿式成膜法に用いる場合には、湿式成膜法に用いる溶媒への溶解性が高い方が好ましい。
正孔輸送性化合物としては、成膜性に優れ、高い電荷輸送能を有する点から、本発明の共役ポリマーであることが好ましい。つまり、本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて層を形成することが好ましい。
非晶質性、可視光の透過率の点から、芳香族アミン化合物が好ましい。
芳香族アミン化合物の種類は特に制限されず、低分子化合物であっても高分子化合物であってもよいが、表面平滑化効果の点から、重量平均分子量が1000以上、及び1000000以下の高分子化合物(繰り返し単位が連なる重合型炭化水素化合物)が好ましい。
Ara1〜Ara16としては、任意の芳香族炭化水素環又は芳香族複素環由来の1価又は2価の基が適用可能である。これらの基は各々同一であっても、互いに異なっていてもよい。また、これらの基は、更に任意の置換基を有していてもよい。
正孔注入層の材料として用いられる正孔輸送性化合物は、このような化合物のうち何れか1種を単独で含有していてもよく、2種以上を含有していてもよい。
(電子受容性化合物)
電子受容性化合物としては、前記<有機電界発光素子用組成物>の項に記載のものと同様である。また、好ましい具体例も同様である。
(カチオンラジカル化合物)
カチオンラジカル化合物としては、正孔輸送性化合物から一電子取り除いた化学種であるカチオンラジカルと、対アニオンとからなるイオン化合物が好ましい。但し、カチオンラジカルが正孔輸送能の高分子化合物由来である場合、カチオンラジカルは高分子化合物の繰り返し単位から一電子取り除いた構造となる。
ここで、カチオンラジカル化合物は、前述の正孔輸送性化合物と電子受容性化合物を混合することにより生成させることができる。即ち、前述の正孔輸送性化合物と電子受容性化合物とを混合することにより、正孔輸送性化合物から電子受容性化合物へと電子移動が起こり、正孔輸送性化合物のカチオンラジカルと対アニオンとからなるカチオンイオン化合物が生成する。
ここでいう酸化重合は、モノマーを酸性溶液中で、ペルオキソ二硫酸塩等を用いて化学的に、又は、電気化学的に酸化するものである。この酸化重合(脱水素重合)の場合、モノマーが酸化されることにより高分子化されるとともに、酸性溶液由来のアニオンを対アニオンとする、高分子の繰り返し単位から一電子取り除かれたカチオンラジカルが生成する。
正孔注入層の膜厚は、通常5nm以上、好ましくは10nm以上、また、通常1000nm以下、好ましくは500nm以下の範囲である。
なお、正孔注入層における電子受容性化合物の正孔注入性化合物に対する含有量は、通常0.1モル%以上、好ましくは1モル%以上である。但し、通常100モル%以下、好ましくは40モル%以下である。
正孔注入層の材料としては、本発明の効果を著しく損なわない限り、上述の正孔輸送性化合物や電子受容性化合物に加えて、さらに、その他の成分を含有させてもよい。その他の成分の例としては、各種の発光材料、電子輸送性化合物、バインダー樹脂、塗布性改良剤などが挙げられる。なお、その他の成分は、1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
湿式成膜法に用いる正孔注入層形成用組成物の溶媒のうち少なくとも1種は、上述の正孔注入層の構成材料を溶解しうる化合物であることが好ましい。また、この溶媒の沸点は通常110℃以上、好ましくは140℃以上、中でも200℃以上、通常400℃以下、中でも300℃以下であることが好ましい。溶媒の沸点が低すぎると、乾燥速度が速すぎ、膜質が悪化する可能性がある。また、溶媒の沸点が高すぎると乾燥工程の温度を高くする必要があり、他の層や基板に悪影響を与える可能性がある。
系溶媒などが挙げられる。
エーテル系溶媒としては、例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−1−モノメチルエーテルアセタート(PGMEA)等の脂肪族エーテル;1,2−ジメトキシベンゼン、1,3−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、2−メトキシトルエン、3−メトキシトルエン、4−メトキシトルエン、2,3−ジメチルアニソール、2,4−ジメチルアニソール等の芳香族エーテル、等が挙げられる。
芳香族炭化水素系溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、シクロヘキシルベンゼン、3−イロプロピルビフェニル、1,2,3,4−テトラメチルベンゼン、1,4−ジイソプロピルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、メチルナフタレン等が挙げられる。
アミド系溶媒としては、例えば、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、等が挙げられる。
これらの溶媒は1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で用いてもよい。
(成膜方法)
正孔注入層形成用組成物を調製後、この組成物を湿式成膜により、正孔注入層の下層に該当する層(通常は、陽極)上に塗布し、乾燥することにより正孔注入層を形成する。
成膜工程における相対湿度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常0.01ppm以上、通常80%以下である。
塗布後、通常加熱等により正孔注入層形成用組成物の膜を乾燥させる。乾燥させる方法としては、通常、加熱工程が行なわれる。加熱工程において使用する加熱手段の例を挙げると、クリーンオーブン、ホットプレート、赤外線、ハロゲンヒーター、マイクロ波照射などが挙げられる。中でも、膜全体に均等に熱を与えるためには、クリーンオーブン及びホットプレートが好ましい。
真空蒸着により正孔注入層を形成する場合には、正孔注入層の構成材料(前述の正孔輸
送性化合物、電子受容性化合物等)の1種又は2種以上を真空容器内に設置されたるつぼに入れ(2種以上の材料を用いる場合は各々のるつぼに入れ)、真空容器内を適当な真空ポンプで10−4Pa程度まで排気した後、るつぼを加熱して(2種以上の材料を用いる場合は各々のるつぼを加熱して)、蒸発量を制御して蒸発させ(2種以上の材料を用いる場合はそれぞれ独立に蒸発量を制御して蒸発させ)、るつぼと向き合って置かれた基板の陽極上に正孔注入層を形成させる。なお、2種以上の材料を用いる場合は、それらの混合物をるつぼに入れ、加熱、蒸発させて正孔注入層を形成することもできる。
なお、正孔注入層における電子受容性化合物の正孔注入性化合物に対する含有量は、通常0.1モル%以上、好ましくは1モル%以上である。但し、通常100モル%以下、好ましくは40モル%以下である。
正孔輸送層は、正孔注入層がある場合には正孔注入層の上に、正孔注入層が無い場合には陽極の上に形成することができる。また、本発明の有機電界発光素子は、正孔輸送層を省いた構成であってもよい。
正孔輸送層を形成する材料としては、正孔輸送能が高く、かつ、注入された正孔を効率よく輸送することができる材料であることが好ましい。そのために、イオン化ポテンシャルが小さく、可視光の光に対して透明性が高く、正孔移動度が大きく、安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくいことが好ましい。また、多くの場合、発光層に接するため、発光層からの発光を消光したり、発光層との間でエキサイプレックスを形成して効率を低下させたりしないことが好ましい。
アミノ]ビフェニルで代表わされる2個以上の3級アミンを含み2個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族ジアミン(特開平5−234681号公報)、4,4’,4’’−トリス(1−ナフチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン等のスターバースト構造を有する芳香族アミン化合物(J.Lumin.,72−74巻、985頁、1997年)、トリフェニルアミンの四量体から成る芳香族アミン化合物(Chem.Commun.,2175頁、1996年)、2,2',7,7'−テトラキス−(ジフェニルアミノ)−9,9'−スピロビフルオレン等のスピロ化合物(Synth.Metals,91
巻、209頁、1997年)、4,4'−N,N'−ジカルバゾールビフェニルなどのカルバゾール誘導体などが挙げられる。また、例えばポリビニルカルバゾール、ポリビニルトリフェニルアミン(特開平7−53953号公報)、テトラフェニルベンジジンを含有するポリアリーレンエーテルサルホン(Polym.Adv.Tech.,7巻、33頁、1996年)等が挙げられる。
正孔輸送層形成用組成物には、上述の正孔輸送性化合物の他、溶媒を含有する。用いる溶媒は上記正孔注入層形成用組成物に用いたものと同様である。また、塗布条件、加熱乾燥条件等も正孔注入層の形成の場合と同様である。
正孔輸送層は、上記正孔輸送性化合物の他、各種の発光材料、電子輸送性化合物、バインダー樹脂、塗布性改良剤などを含有していてもよい。
正孔輸送層はまた、架橋性化合物を架橋して形成される層であってもよい。架橋性化合物は、架橋性基を有する化合物であって、架橋することによりポリマーを形成する。
架橋性化合物は、モノマー、オリゴマー、ポリマーのいずれであってもよい。架橋性化合物は1種のみを有していてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で有していてもよい。
架橋性化合物としては、架橋性基を有する正孔輸送性化合物を用いることが好ましい。正孔輸送性化合物の例を挙げると、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、カルバゾール誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体等の含窒素芳香族化合物誘導体;トリフェニルアミン誘導体;シロール誘導体;オリゴチオフェン誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが挙げられる。その中でも、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、カルバゾール誘導体等の含窒素芳香族誘導体;トリフェニルアミン誘導体、シロール誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが好ましく、特に、トリフェニルアミン誘導体がより好ましい。
正孔輸送層形成用組成物には、架橋性化合物の他、架橋反応を促進する添加物を含んでいてもよい。架橋反応を促進する添加物の例を挙げると、アルキルフェノン化合物、アシルホスフィンオキサイド化合物、メタロセン化合物、オキシムエステル化合物、アゾ化合物、オニウム塩等の重合開始剤及び重合促進剤;縮合多環炭化水素、ポルフィリン化合物、ジアリールケトン化合物等の光増感剤;などが挙げられる。
正孔輸送層形成用組成物は、架橋性化合物を通常0.01重量%以上、好ましくは0.05重量%以上、さらに好ましくは0.1重量%以上、通常50重量%以下、好ましくは20重量%以下、さらに好ましくは10重量%以下含有する。
成膜時の温度、湿度などの条件は、前記正孔注入層の湿式成膜時と同様である。
成膜後の加熱の手法は特に限定されないが、例としては加熱乾燥、減圧乾燥等が挙げられる。加熱乾燥の場合の加熱温度条件としては、通常120℃以上、好ましくは400℃以下である。
光などの活性エネルギー照射による場合には、超高圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、ハロゲンランプ、赤外ランプ等の紫外・可視・赤外光源を直接用いて照射する方法、あるいは前述の光源を内蔵するマスクアライナ、コンベア型光照射装置を用いて照射する方法などが挙げられる。光以外の活性エネルギー照射では、例えばマグネトロンにより発生させたマイクロ波を照射する装置、いわゆる電子レンジを用いて照射する方法が挙げられる。照射時間としては、膜の溶解性を低下させるために必要な条件を設定することが好ましいが、通常、0.1秒以上、好ましくは10時間以下照射される。
正孔輸送層の膜厚は、通常5nm以上、好ましくは10nm以上、また、通常1000nm以下、好ましくは500nm以下の範囲である。
[5]発光層
発光層は、正孔輸送層が有る場合には正孔輸送層の上に、正孔輸送層が無くて正孔注入層が有る場合には正孔注入層の上に、正孔輸送層と正孔注入層が無い場合には陽極の上に形成される。
発光層は、電界を与えられた電極間において、陽極から直接に、又は正孔注入層や正孔輸送層等を通じて注入された正孔と、陰極から直接に、又は陰極バッファ層や電子輸送層や正孔阻止層等を通じて注入された電子との再結合により励起されて、主たる発光源となる層である。
発光層は、少なくとも、発光の性質を有する材料(発光材料)を含有するとともに、好ましくは、正孔輸送の性質を有する材料(正孔輸送性化合物)、或いは、電子輸送の性質を有する材料(電子輸送性化合物)とを含有する。更に、発光層は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、その他の成分を含有していてもよい。これらの材料としては、後述のように湿式成膜法で発光層を形成する観点から、何れも低分子系の材料を使用することが好ましい。
なお、溶媒への溶解性を向上させる目的で、発光材料の分子の対称性や剛性を低下させたり、或いはアルキル基などの親油性置換基を導入したりすることも、重要である。
以下、発光材料のうち蛍光色素の例を挙げるが、蛍光色素は以下の例示物に限定されるものではない。
緑色発光を与える蛍光色素(緑色蛍光色素)としては、例えば、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、Al(C9H6NO)3などのアルミニウム錯体等が挙げられる。
赤色発光を与える蛍光色素(赤色蛍光色素)としては、例えば、DCM(4−(dicyanomethylene)−2−methyl−6−(p−dimethylaminostyryl)−4H−pyran)系化合物、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、アザベンゾチオキサンテン等が挙げられる。
−(4−sec−ブチルフェニル))ジフェニルアミン)]、ポリ[(9,9−ジオクチルフルオレン−2,7−ジイル)-co-(1,4−ベンゾ−2{2,1’−3}−トリアゾール)]などのポリフルオレン系材料、ポリ[2−メトキシ−5−(2−ヘチルヘキシル
オキシ)−1,4−フェニレンビニレン]などのポリフェニレンビニレン系材料が挙げられる。
発光材料として用いる化合物の分子量は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常10000以下、好ましくは5000以下、より好ましくは4000以下、更に好ましくは3000以下、また、通常100以上、好ましくは200以上、より好ましくは300以上、更に好ましくは400以上の範囲である。発光材料の分子量が小さ過ぎると、耐熱性が著しく低下したり、ガス発生の原因となったり、膜を形成した際の膜質の低下を招いたり、あるいはマイグレーションなどによる有機電界発光素子のモルフォロジー変化を来したりする場合がある。一方、発光材料の分子量が大き過ぎると、有機化合物の精製が困難となってしまったり、溶媒に溶解させる際に時間を要したりする傾向がある。
発光層における発光材料の割合は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、好ましくは0.05重量%以上、好ましくは35重量%以下である。発光材料が少なすぎると発光ムラを生じる可能性があり、多すぎると発光効率が低下する可能性がある。なお、2種以上の発光材料を併用する場合には、これらの合計の含有量が上記範囲に含まれるようにする。
−トリス(1−ナフチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン等のスターバースト構造
を有する芳香族アミン化合物(Journal of Luminescence,1997年,Vol.72-74,pp.985)、トリフェニルアミンの四量体から成る芳香族アミン化合物(Chemical Communications,1996年,pp.2175)、2,2’,7,7’−テトラキス−(ジフェニルアミノ)−9
,9’−スピロビフルオレン等のスピロ化合物(Synthetic Metals,1997年,Vol.91,pp.209)等が挙げられる。
発光層の形成法としては、湿式成膜法、真空蒸着法が挙げられるが、上述したように、均質で欠陥がない薄膜を容易に得られる点や、形成のための時間が短くて済む点、更には、本発明の有機化合物による正孔輸送層の不溶化の効果を享受できる点から、湿式成膜法が好ましい。湿式成膜法により発光層を形成する場合、上述の材料を適切な溶媒に溶解させて塗布溶液を調製し、それを上述の形成後の正孔輸送層の上に塗布・成膜し、乾燥して溶媒を除去することにより形成する。その形成方法としては、前記正孔輸送層の形成方法と同様である。
[6]正孔阻止層
図1では、発光層と電子輸送層の間に、正孔阻止層が設けられているが、正孔阻止層はこれを省略してもよい。
正孔阻止層を構成する材料に求められる物性としては、電子移動度が高く正孔移動度が低いこと、エネルギーギャップ(HOMO、LUMOの差)が大きいこと、励起三重項準位(T1)が高いことが挙げられる。
42996号公報)、3−(4−ビフェニルイル)−4−フェニル−5(4−tert−ブチルフェニル)−1,2,4−トリアゾール等のトリアゾール誘導体(特開平7−41759号公報)、バソクプロイン等のフェナントロリン誘導体(特開平10−79297号公報)が挙げられる。更に、国際公開第2005−022962号パンフレットに記載の2,4,6位が置換されたピリジン環を少なくとも1個有する化合物も、正孔阻止材料として好ましい。
正孔阻止層の膜厚は、通常0.5nm以上、好ましくは1nm以上、また、通常100nm以下、好ましくは50nm以下である。
電子輸送層は素子の発光効率をさらに向上させることを目的として、発光層と電子注入層との間に設けられる。
電子輸送層は、電界を与えられた電極間において陰極から注入された電子を効率よく発光層の方向に輸送することができる化合物より形成される。電子輸送層に用いられる電子輸送性化合物としては、陰極又は電子注入層からの電子注入効率が高く、かつ、高い電子移動度を有し注入された電子を効率よく輸送することができる化合物であることが必要である。
電子輸送層は、前記と同様にして湿式成膜法、或いは真空蒸着法により正孔阻止層上に積層することにより形成される。通常は、真空蒸着法が用いられる。
[8]電子注入層
電子注入層は、陰極から注入された電子を効率よく、電子輸送層又は発光層へ注入する
役割を果たす。
更に、後述するバソフェナントロリン等の含窒素複素環化合物や8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体に代表される有機電子輸送材料に、ナトリウム、カリウム、セシウム、リチウム、ルビジウム等のアルカリ金属をドープする(特開平10−270171号公報、特開2002−100478号公報、特開2002−100482号公報などに記載)ことにより、電子注入・輸送性が向上し優れた膜質を両立させることが可能となるため好ましい。この場合の膜厚は通常、5nm以上、好ましくは10nm以上、また、通常200nm以下、好ましくは100nm以下の範囲である。
湿式成膜法の場合の詳細は、正孔注入層及び発光層の場合と同様である。
一方、真空蒸着法の場合には、真空容器内に設置されたるつぼ又は金属ボートに蒸着源を入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで10−4Pa程度にまで排気した後、るつぼ又は金属ボートを加熱して蒸発させ、るつぼ又は金属ボートと向き合って置かれた基板上の発光層、正孔阻止層又は電子輸送層上に電子注入層を形成する。
[9]陰極
陰極は、発光層側の層(電子注入層又は発光層など)に電子を注入する役割を果たす。陰極の材料としては、前記の陽極に使用される材料を用いることが可能であるが、効率よく電子注入を行うには、仕事関数の低い金属が好ましく、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属又はそれらの合金が用いられる。具体例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数合金電極が挙げられる。
低仕事関数金属から成る陰極を保護する目的で、この上に更に、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層すると、素子の安定性が増すので好ましい。この目的のために、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使われる。
[10]その他
以上、図1に示す層構成の有機電界発光素子を例に説明してきたが、本発明の有機電界発光素子は、その趣旨を逸脱しない範囲において、別の構成を有していてもよい。例えば、その性能を損なわない限り、陽極と陰極との間に、上記説明にある層の他に任意の層を有していてもよく、また、任意の層が省略されていてもよい。
なお、図1とは逆の構造、即ち、基板上に陰極、電子注入層、発光層、正孔注入層、陽極の順に積層することも可能であり、既述したように少なくとも一方が透明性の高い2枚の基板の間に本発明の有機電界発光素子を設けることも可能である。同様に、図1に示した前記各層構成とは逆の構造に積層することも可能である。
本発明は、有機電界発光素子が、単一の素子、アレイ状に配置された構造からなる素子、陽極と陰極がX−Yマトリックス状に配置された構造のいずれにおいても適用することができる。
本発明の有機ELディスプレイ及び有機EL照明は、上述のような本発明の有機電界発光素子を用いたものである。本発明の有機ELディスプレイの型式や構造については特に制限はなく、本発明の有機電界発光素子を用いて常法に従って組み立てることができる。
例えば、「有機ELディスプレイ」(オーム社、平成16年8月20日発行、時任静士、安達千波矢、村田英幸著)に記載されているような方法で、本発明の有機ELディスプレイ及び有機EL照明を形成することができる。
ブチルアンモニウムブロマイド (7.63g)、ジメチルスルホキシド(220ml)を 仕込み、17M水酸化ナトリウム水溶液(35ml)をゆっくり滴下し、室温で3時間反
応した。反応液に、酢酸エチル(200ml)及び水(100ml)を加え攪拌後、分液し、水層を酢酸エチルで抽出し、有機層を合わせ、硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン/酢酸エチル)で精製することにより、目的物4(44.0g)を得た。
ら滴下した。滴下終了後、温度を15分で室温にし、15分間攪拌し、80℃のオイルバスに付け、還流し始めてから15分間攪拌し、オイルバスを取り去り15分間攪拌した。そのまま分液漏斗に移し、有機層を分離し、有機層を水洗してから硫酸マグネシウムにより乾燥させ、溶媒を減圧下に除去し、減圧蒸留(0.42mmHg、72℃)にて目的物6(52.2g)を得た。
60℃に加熱下、30分間撹拌して系内を脱気して、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0.7g)を加え、6時間還流した。室温まで放冷した後、反応液にトルエン(100ml)及び水(120ml)を加え攪拌後、分液し、水層をトルエンで抽出し、有機層を合わせ、硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(n−ヘキサン/酢酸エチル)で精製することにより、目的物9(3.8g)を得た。
ml)を仕込み、60℃に加熱下、30分間撹拌して脱気した。テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0.95g)を加え、6時間還流した。室温まで放冷した後、反応液に塩化メチレン(100ml)及び水(100ml)を加え攪拌後、分液し、水層を塩化メチレンで抽出し、有機層を合わせ、硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(n−ヘキサン/塩化メチレン)で精製することにより、目的物10(5.5g)を得た。
した。室温で反応液を濾過し、酢酸エチル(100ml)及び水(100ml)を加え攪拌後、炭酸水素ナトリウム飽和水溶液で中和し、分液し、水層を酢酸エチルで抽出し、有機層を合わせ、硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(n−ヘキサン/酢酸エチル)で精製することにより、目的物11(2.1g)を得た。
)、及びtert-ブトキシナトリウム(6.95g、72.3mmol)、トルエン(51
ml)を仕込み、系内を十分に窒素置換して、50℃まで加温した(溶液A)。トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウムクロロホルム錯体(0.23g、0.2mmol)のトルエン15ml溶液に、トリ−t−ブチルホスフィン(0.37g、1.8mmol)を加え、50℃まで加温した(溶液B)。窒素気流中、溶液Aに溶液Bを添加し、1時間、加熱還流反応した。原料が消失したことを確認し、4,4’−ジブロモビフェニル(3.31g、10.6mmol)を追添加した。1時間加熱還流した後、重合が始まったことが確認できたので、さらに、4,4’−ジブロモビフェニル(0.07g、0.2mmol)を40分おきに計3回(計0.21g)追添加した。4,4’−ジブロモビフェニルを全量添加後、さらに1時間加熱還流し、反応液を放冷して、反応液をエタノール300ml中に滴下し、粗ポリマー1を晶出させた。
リデンアセトン)ジパラジウムクロロホルム錯体(0.12g、0.1mmol)のトルエン10ml溶液に、トリ−t−ブチルホスフィン(0.18g、0.9mmol)を加え、50℃まで加温した(溶液D)。窒素気流中、溶液Cに溶液Dを添加し、2時間、加熱還流反応した。この反応液に、N,N−ジフェニルアミン(3.82g、22.6mmol)のトルエン(2ml)溶液を添加し、さらに、8時間、加熱還流反応した。反応液を放冷し、エタノール/水(250ml/50ml)溶液に滴下し、末端残基をキャップした粗ポリマー1を得た。
重量平均分子量(Mw)=63900
数平均分子量(Mn)=40300
分散度(Mw/Mn)=1.59
)、トルエン(20ml)を仕込み、系内を十分に窒素置換して、50℃まで加温した(溶液A)。トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウムクロロホルム錯体(0.09g、0.0088mmol)のトルエン5ml溶液に、トリ−t−ブチルホスフィン(0.129g、0.064mmol)を加え、50℃まで加温した(溶液B)。窒素気流中、溶液Aに溶液Bを添加し、1時間、加熱還流反応した。原料が消失したことを確認し、合成例3で得られた目的物3(1.305g、4.0mmol)を追添加し、1時間加熱還流反応した。重合が始まったことが確認できたので、合成例3で得られた目的物3(0.013g、0.04mmol)を1時間おきに計4回(計0.52g)追添加した。目的物3を全量添加後、さらに1時間加熱還流し、反応液を放冷して、反応液をメタノール200ml中に滴下し、粗ポリマー2を晶出させた。
重量平均分子量(Mw)=39700
数平均分子量(Mn)=17600
分散度(Mw/Mn)=2.26
l)を仕込み、系内を十分に窒素置換して、50℃まで加温した(溶液A)。トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウムクロロホルム錯体(0.148g、0.0143mmol)のトルエン15ml溶液に、トリ−t−ブチルホスフィン(0.210g、0.104mmol)を加え、50℃まで加温した(溶液B)。窒素気流中、溶液Aに溶液Bを添加し、1時間、加熱還流反応した。原料が消失したことを確認し、4,4’‐ジブロモビフェニル(1.91g、6.1mmol)を追添加した。1時間加熱還流した後、重合が始まったことが確認できたので、さらに、4,4’−ジブロモビフェニル(0.041g、0.13mmol)を追添加し、さらに1時間加熱還流反応させた。反応液を放冷して、反応液をメタノール200ml中に滴下し、粗ポリマー3を晶出させた。
分に窒素置換して、50℃まで加温した(溶液C)。トリス(ジベンジリデンアセトン)
ジパラジウムクロロホルム錯体(0.108g、10.4 mmol)のトルエン10ml溶
液に、トリ−t−ブチルホスフィン(0.026g、13mmol)を加え、50℃まで加温した(溶液D)。窒素気流中、溶液Cに溶液Dを添加し、2時間、加熱還流反応した。この反応液に、N,N−ジフェニルアミン(3.82g、22.6mmol)のトルエン(2ml)溶液を添加し、さらに、8時間、加熱還流反応した。反応液を放冷し、メタノールに滴下し、末端残基をキャップした粗ポリマー3を得た。
し、アンモニア含有エタノールにて再沈殿した。濾取したポリマーをカラムクロマトグラフィーにより精製し、目的物14を得た(1.01g)。
重量平均分子量(Mw)=43300
数平均分子量(Mn)=36400
分散度(Mw/Mn)=1.19
中、溶液Aに溶液Bを添加し、1時間、加熱還流反応した。原料が消失したことを確認し、4,4’−ジブロモビフェニル(2.35g、7.532mmol)を追添加した。1時間加熱還流した後、重合が始まったことが確認できたので、さらに、4,4’−ジブロモビフェニル(0.05g、0.16mmol)を40分おきに計3回(計0.15g)追添加した。4,4’−ジブロモビフェニルを全量添加後、さらに1時間加熱還流し、反応液を放冷して、反応液をエタノール300ml中に滴下し、粗ポリマー4を晶出させた。
ベンジリデンアセトン)ジパラジウムクロロホルム錯体(0.32g、0.31mmol
)のトルエン10ml溶液に、トリ−t−ブチルホスフィン(0.25g、1.23mmol)を加え、50℃まで加温した(溶液D)。窒素気流中、溶液Cに溶液Dを添加し、2時間、加熱還流反応した。この反応液に、N,N−ジフェニルアミン(0.52g、3.08mmol)のトルエン(2ml)溶液を添加し、さらに、6時間、加熱還流反応した。反応液を放冷し、エタノール/水(250ml/50ml)溶液に滴下し、末端残基をキャップした粗ポリマー4を得た。
重量平均分子量(Mw)=40400
数平均分子量(Mn)=26700
分散度(Mw/Mn)=1.51
、0.45mmol)を加え、50℃まで加温した(溶液B)。窒素気流中、溶液Aに溶
液Bを添加し、3時間、加熱還流反応した。原料が消失したことを確認し、4,4’−ジ
ブロモスチルベン(3.49g、10.6mmol)を追添加した。1.5時間加熱還流した後、重合が始まったことが確認できたので、さらに、4,4’−ジブロモスチルベン(0.07g、0.2mmol)を1.5時間おきに計3回追添加した。4,4’−ジブロモスチルベンを全量添加後、さらに1時間加熱還流し、反応液を放冷して、反応液をエタノール300ml中に滴下し、粗ポリマー5を晶出させた。
リデンアセトン)ジパラジウムクロロホルム錯体(0.12g、0.1mmol)のトルエン10ml溶液に、トリ−t−ブチルホスフィン(0.18g、0.9mmol)を加え、50℃まで加温した(溶液D)。窒素気流中、溶液Cに溶液Dを添加し、2時間、加熱還流反応した。この反応液に、N,N−ジフェニルアミン(3.82g、22.6mmol)のトルエン(2ml)溶液を添加し、さらに、8時間、加熱還流反応した。反応液を放冷し、エタノール/水(250ml/50ml)溶液に滴下し、末端残基をキャップした粗ポリマー5を得た。
重量平均分子量(Mw)=42000
数平均分子量(Mn)=23300
分散度(Mw/Mn)=1.80
ロモビフェニル(3.31g、10.6mmol)を追添加した。1.5時間加熱還流した後、重合が始まったことが確認できたので、さらに、4,4’−ジブロモビフェニル(0.07g、0.2mmol)を1.5時間おきに計3回追添加した。4,4’−ジブロモビフェニルを全量添加後、さらに1時間加熱還流し、反応液を放冷して、反応液をエタノール300ml中に滴下し、粗ポリマー6を晶出させた。
リデンアセトン)ジパラジウムクロロホルム錯体(0.12g、0.1mmol)のトルエン10ml溶液に、トリ−t−ブチルホスフィン(0.18g、0.9mmol)を加え、50℃まで加温した(溶液D)。窒素気流中、溶液Cに溶液Dを添加し、2時間、加熱還流反応した。この反応液に、N,N−ジフェニルアミン(3.82g、22.6mmol)のトルエン(2ml)溶液を添加し、さらに、8時間、加熱還流反応した。反応液を放冷し、エタノール/水(250ml/50ml)溶液に滴下し、末端残基をキャップした粗ポリマー6を得た。
重量平均分子量(Mw)=35000
数平均分子量(Mn)=19000
分散度(Mw/Mn)=1.84
ンジリデンアセトン)ジパラジウムクロロホルム錯体(0.13g、0.12mmol)
のトルエン10ml溶液に、トリ−t−ブチルホスフィン(0.2g、0.99mmol)を加え、50℃まで加温した(溶液D)。窒素気流中、溶液Cに溶液Dを添加し、2時
間、加熱還流反応した。この反応液に、N,N−ジフェニルアミン(2.1g、12.4mmol)のトルエン(2ml)溶液を添加し、さらに、6時間、加熱還流反応した。反応液を放冷し、エタノール/水(250ml/50ml)溶液に滴下し、末端残基をキャップした粗ポリマー7を得た。
重量平均分子量(Mw)=51600
数平均分子量(Mn)=26500
分散度(Mw/Mn)=1.95
ノール200ml中に滴下し、粗ポリマー8を晶出させた。
デンアセトン)ジパラジウムクロロホルム錯体(0.048g、0.046mmol)のトルエン5ml溶液に、トリ−t−ブチルホスフィン(0.075g、0.353mmol)を加え、60℃まで加温した(溶液D)。窒素気流中、溶液Cに溶液Dを添加し、2時間、加熱還流反応した。この反応液に、N,N−ジフェニルアミン(1.528g、9.030mmol)のトルエン(2ml)溶液を添加し、さらに、5時間、加熱還流反応した。反応液を放冷し、エタノール(300ml)溶液に滴下し、末端残基をキャップした粗ポリマー8を得た。
数平均分子量(Mn)=28300
分散度(Mw/Mn)=1.64
、トルエン(120ml)を仕込み、系内を十分に窒素置換して、50℃まで加温した(溶液A)。トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウムクロロホルム錯体(0.06g、0.06mmol)のトルエン5ml溶液に、トリ−t−ブチルホスフィン(0.33g、0.45mmol)を加え、50℃まで加温した(溶液B)。窒素気流中、溶液A
に溶液Bを添加し、3時間、加熱還流反応した。原料が消失したことを確認し、4,4’
−ジブロモビフェニル(3.31g、10.6mmol)を追添加した。1.5時間加熱
還流した後、重合が始まったことが確認できたので、さらに、4,4’−ジブロモビフェニル(0.07g、0.2mmol)を1.5時間おきに計3回追添加した。4,4’−ジブロモビフェニルを全量添加後、さらに1時間加熱還流し、反応液を放冷して、反応液をエタノール300ml中に滴下し、粗ポリマー9を晶出させた。
セトン)ジパラジウムクロロホルム錯体(0.12g、0.1mmol)のトルエン10ml溶液に、トリ−t−ブチルホスフィン(0.18g、0.9mmol)を加え、50℃まで加温した(溶液D)。窒素気流中、溶液Cに溶液Dを添加し、2時間、加熱還流反応した。この反応液に、N,N−ジフェニルアミン(3.82g、22.6mmol)のトルエン(2ml)溶液を添加し、さらに、8時間、加熱還流反応した。反応液を放冷し、エタノール/水(250ml/50ml)溶液に滴下し、末端残基をキャップした粗ポリマー9を得た。
数平均分子量(Mn)=27000
分散度(Mw/Mn)=2.22
、34.0mmol)、トルエン(20ml)を仕込み、系内を十分に窒素置換して、60℃まで加温した(溶液A)。トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウムクロロホルム錯体(0.10g、0.01mmol)のトルエン5ml溶液に、トリ−t−ブチルホスフィン(0.146g、7.2mmol)を加え、60℃まで加温した(溶液B)。窒素気流中、溶液Aに溶液Bを添加し、1時間、加熱還流反応した。原料が消失したことを確認し、2,7−ジブロモ−9,9−ジヘキシルフルオレン(2.08g、4.2mmol)を追添加した。1時間加熱還流した後、重合が始まったことが確認できたので、さらに、2,7−ジブロモ−9,9−ジヘキシルフルオレン(0.044g、0.1mmol)を1時間おきに計3回(計0.13g)追添加した。2,7−ジブロモ−9,9−ジヘキシルフルオレンを全量添加後、2時間加熱還流反応し反応液を放冷して、反応液をメタノール300ml中に滴下し、粗ポリマー10を晶出させた。
ンアセトン)ジパラジウムクロロホルム錯体(0.075g、0.0072mmol)のトルエン10ml溶液に、トリ−t−ブチルホスフィン(0.016g、0.9mmol)を加え、50℃まで加温した(溶液D)。窒素気流中、溶液Cに溶液Dを添加し、2時間、加熱還流反応した。この反応液に、N,N−ジフェニルアミン(1.52g、9mmol)のトルエン(2ml)溶液を添加し、さらに、4時間、加熱還流反応した。反応液を放冷し、メタノールに滴下し、末端残基をキャップした粗ポリマー10を得た。
重量平均分子量(Mw)=39000
数平均分子量(Mn)=24400
分散度(Mw/Mn)=1.60
ム(3.1g、31.77mmol)を仕込み、系内を十分に窒素置換して、50℃まで加温した(溶液C)。トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウムクロロホルム錯体
(0.173g、0.167mmol)のトルエン10ml溶液に、トリ−t−ブチルホ スフィン(0.135g、0.669mmol)を加え、50℃まで加温した(溶液D)。窒素気流中、溶液Cに溶液Dを添加し、2時間、加熱還流反応した。この反応液に、N,N−ジフェニルアミン(1.4g、8.36mmol)のトルエン(2ml)溶液を添加し、さらに、6時間、加熱還流反応した。反応液を放冷し、エタノール/水(250ml/50ml)溶液に滴下し、末端残基をキャップした粗ポリマー11を得た。
浄し、アンモニア含有エタノールにて再沈殿した。濾取したポリマーをカラムクロマトグラフィーにより精製し、目的物22を得た(0.91g)。
重量平均分子量(Mw)=31300
数平均分子量(Mn)=15100
分散度(Mw/Mn)=2.07
数平均分子量(Mn)=30800
分散度(Mw/Mn)=1.92
浄し、アンモニア含有エタノールにて再沈殿した。濾取したポリマーをカラムクロマトグラフィーにより2回精製し、目的物24を得た(1.38g)。
重量平均分子量(Mw)=67850
数平均分子量(Mn)=35400
分散度(Mw/Mn)=1.92
別した。得られたポリマーをトルエンに溶解させ、希塩酸にて洗浄し、アンモニア含有エタノールにて再沈殿した。濾取したポリマーをカラムクロマトグラフィーにより3回精製し、目的物26を得た(3.59g)。
重量平均分子量(Mw)=67850
数平均分子量(Mn)=35400
分散度(Mw/Mn)=1.92
前記目的物12〜26まので、下記の構造に該当する目的物について、表1に重量平均分子量(Mw)及び分散度(Mw/Mn)をまとめた。
た。この液にトリ−t−ブチルホスフィン(331mg、0.06等量)を添加して15分、室温で攪拌した。この溶液にジ−i−プロピルアミン(3.31g、1.2等量)、4−ブロモベンゾシクロブテン5.00g(1.0等量)、及び1,7−オクタジイン20.3g(7.0等量)を加えて室温下9時間反応させた。得られた反応混合物を400Paの減圧下、バス温60℃で軽沸分を留去した後、飽和食塩水50mL、1N塩酸5mLを添加し、酢酸エチル(30mL)で3回抽出し、得られた酢酸エチル層を飽和食塩水(30mL)で2回洗浄した。酢酸エチル層を濃縮すると粗成生物(7.7g)が得られた。この粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶媒:n−ヘキサン/酢酸エチル混合溶媒)にて精製することにより2.78g(48.9%収率、ガスクロマトグラフィーで分析した純度95.4%)の目的物27を無色の油状物として得た。
一方、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウムクロロホルム錯体(0.34g)の1,4−ジオキサン25ml溶液に、トリ−tert−ブチルホスフィン(0.303g)を加え、50℃まで加温した(溶液B)。
一方、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウムクロロホルム錯体(0.16g)のトルエン(7ml)溶液に、トリ−tert−ブチルホスフィン(0.19g)を加え、50℃まで加温した(溶液B)。
(合成例49〜52)
合成例14の合成法に従い、モノマー体(即ち、目的物4、目的物2及び4,4’−ジブロモビフェニル)を下記表2の化合物に変え、目的物49〜52を得た。得られた目的物について表2にまとめた。
窒素気流中、溶液Aに溶液Bを添加し、3時間、加熱還流反応した。原料が消失したことを確認し、4,4’−ジブロモビフェニル(3.31g、10.6mmol)を追添加した。1.5時間加熱還流した後、重合が始まったことが確認できたので、さらに、4,4’−ジブロモビフェニル(0.07g、0.2mmol)を1.5時間おきに計3回追添加した。4,4’−ジブロモビフェニルを全量添加後、さらに1時間加熱還流し、反応液を放冷して、反応液をエタノール300ml中に滴下し、粗ポリマー18を晶出させた。
一方、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウムクロロホルム錯体(0.12g、0.1mmol)のトルエン10ml溶液に、トリ−t−ブチルホスフィン(0.18g、0.9mmol)を加え、50℃まで加温した(溶液D)。
このエンドキャップした粗ポリマー18をトルエンに溶解し、アセトンに再沈殿し、析出したポリマーを濾別した。得られたポリマーをトルエンに溶解させ、希塩酸にて洗浄し、アンモニア含有エタノールにて再沈殿した。濾取したポリマーをカラムクロマトグラフィーにより精製し、目的物53を得た(0.9g)。なお、目的物53の重量平均分子量及び数平均分子量を測定したところ、以下の通りであった。
数平均分子量(Mn)=27000
分散度(Mw/Mn)=2.2
(合成例54〜57)
合成例53の合成法に従い、モノマー体を下記表3の化合物に変え、共役ポリマーとして目的物54〜57を得た。得られた目的ポリマーについても表3にまとめた。
合成例14、及び53の合成法と同様に、下記反応式のような各種モノマー体を、下記反応式及び表4に従い、目的物58〜65を得た。得られたポリマーについて表4にまとめた。
合成例14、及び53の合成法と同様に、下記反応式のような各種モノマー体を、下記反応式及び表5に従い、目的物66を得た。得られたポリマーについて表5にまとめた。
合成例14、及び53の合成法と同様に、下記反応式のような各種モノマー体を、下記反応式及び表6に従い、アリールアミンポリマー目的物68を得た。得られたポリマーに
ついて表6にまとめた。
合成例14及び53の合成法と同様に、下記反応式のような各種モノマー体を、下記反
応式及び表7に従い、アリールアミンポリマー目的物69を得た。得られたポリマーについて表7にまとめた。
アニリン(0.9307g、9.99mmol)、目的物5(1.677g、4.80mmol)、目的物2(0.2293g、1.17mmol)、臭化物として4,4’−ジブロモビフェニル(2.496g、8.00mmol)、及びtert-ブトキシナトリウ
ム(5.23g、54.4mmol)、トルエン(25ml)を仕込み、系内を十分に窒素置換して、60℃まで加温した(溶液A)。トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウムクロロホルム錯体(0.17g、0.16mmol)のトルエン2ml溶液に、トリ−tert−ブチルホスフィン(0.26g、1.28mmol)を加え、60℃まで加温した(溶液B)。窒素気流中、溶液Aに溶液Bを添加し、2時間、加熱還流反応した。
臭化物として1,4− ジブロベンゼン(1.774g、7.52mmol)を追添加
し、1.5時間加熱還流した。
(操作Z)
さらに、1,4−ジブロベンゼン(0.038g、0.16mmol)を追添加した。さらに0.5時間加熱還流し、反応液を放冷して、反応液をエタノール/水(200ml/20ml)中に滴下し、粗ポリマーX1を晶出させた。得られた粗ポリマーX1をトルエン100mlに溶解させ、ブロモベンゼン(0.502g)、tert−ブトキシナトリウム(2.62g)を仕込み、系内を十分に窒素置換して、60℃まで加温した(溶液C)。トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウムクロロホルム錯体(0.083g
)のトルエン4ml溶液に、トリ−tert−ブチルホスフィン(0.130g)を加え、60℃まで加温した(溶液D)。窒素気流中、溶液Cに溶液Dを添加し、2時間、加熱還流反応した。この反応液に、N,N−ジフェニルアミン(2.72g)を添加し、さらに、
5時間、加熱還流反応した。反応液を放冷し、エタノール/水(300ml/30ml)溶液に滴下し、末端残基をキャップした粗ポリマー34を得た。この末端残基をキャップした粗ポリマー34をトルエンに溶解し、アセトンに再沈殿し、 析出したポリマーを濾
取した。得られたポリマー39をトルエンに溶解させ、希塩酸にて洗浄し、アンモニア含有エタノールにて再沈殿した。濾取したポリマー39をカラムクロマトグラフィーにより精製し、目的物70を得た(2.58g)。
重量平均分子量(Mw)=68300
数平均分子量(Mn)=33300
分散度(Mw/Mn)=2.05
合成例70において、(操作X)での、臭化物として4,4’−ジブロモビフェニル(2.496g、8.00mmol)及び1,4− ジブロベンゼン(0.377g、1.
60mmol)を仕込み、(操作Y)での、臭化物として1,4− ジブロベンゼン(1
.397g、5.92mmol)を追添加した以外は、合成例70と同様に合成し、目的物70と同様の構造式で表されるポリマーである目的物71を得た。
数平均分子量(Mn)=28900
分散度(Mw/Mn)=2.35
た結晶を濾取、水洗、乾燥させ、化合物Q1を得た。
続いて、攪拌しながらエタノール(200ml)に化合物Q1(39g)を溶解、ついで
35%NaOH溶液0.1gを添加し、30分間攪拌を保持した後、水(400ml)を加え、析出してくる結晶を濾取、水洗、乾燥させ、目的物72(39g)を得た。
目的物72:1H NMR(CDCl3,400MHz)、δ0.84(d,3H)、0.93(d,3H)、1.04−1.118(m,1H)、1.19−1.23(m,3H)、1.80(s、3H),3.94−3.97(m、1H),4.22(d、1H),5.84(d、1H),6.45(s、2H)
10分間窒素バブリングしたトルエン(10g)にジパラジウムトリス(ジベンジリデンアセトン)クロロフォルム(0.015g)と1,1’−フェロセンビス(ジフェニルフォスフィン)(0.056g)とを溶解したのち、70℃にて10分間加熱した。その後、このパラジウム触媒溶液を、化合物Q9(2g)、ブロモベンゼン(1.6g)とターシャリーブトキシナトリウム(3,4g)とをトルエン(200ml)に溶解、40分間窒素バブリングを施した溶液に添加、窒素気流中、100℃にて4時間攪拌した。この溶液を室温に戻し、水を100ml添加して析出してくる結晶を濾取、エタノールで洗浄し目的物73(1.3g)を得た。
目的物73のMASS分析手法は下記の方法により行なった。
DEI法、DCI法(日本電子社製 質量分析計 JMS−700/MStation)
イオン化法 DEI(positive ion mode)、
DCI(positive ion mode)−イソブタンガス
加速電圧:70eV
エミッター電流変化率: 0Aから0.9A
走査質量数範囲: m/z 100−800 2.0sec/scan
結果は、m/z=M+546であった。
窒素気流中、溶液Aに溶液Bを添加し、2時間加熱還流反応した。反応液を放冷して、反応液をメタノール200ml中に滴下し、粗ポリマー36を晶出させた。
トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウムクロロホルム錯体(0.013g、1.2mmol)のトルエン5ml溶液に、トリ−t−ブチルホスフィン(0.003g、1.6mmol)を加え、50℃まで加温した(溶液D)。
得られた粗ポリマー2をトルエンに溶解させ、希塩酸にて洗浄し、アンモニア含有エタノールにて再沈殿した。濾取したポリマーをカラムクロマトグラフィーにより精製し、目的物74を得た(0.29g)。
数平均分子量(Mn)=47937
分散度(Mw/Mn)=2.23
目的物74の熱解離を示差走査熱量計(エスアイアイ・ナノテクノロジー社製:DSC6220)により観測した。熱解離は、温度が230℃で効率よく起こることが確認された。
まで加温した(溶液A)。トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウムクロロホルム錯体(0.29g)のトルエン10ml溶液に、トリ−t−ブチルホスフィン(0.45gl)を加え、50℃まで加温した(溶液B)。窒素気流中、溶液Aに溶液Bを添加し、1.5時間、加熱還流反応した。原料が消失したことを確認し、1,4−ジブロモベンゼン(2.90g)を追添加した。2時間加熱還流した後、重合が始まったことが確認した後、さらに、1,4−ジブロモベンゼン(0.06gx2)を追添加した。さらに2時間加熱還流し、反応液を放冷して、反応液をエタノール(500ml)中に滴下し、粗ポリマーを晶出させた。つづいて、合成例70と同様にして、末端処理反応を行った後、さらに精製して、目的物75を得た。
数平均分子量(Mn)=35100
分散度(Mw/Mn)=1.81
Mn:21500
Mw/Mn1.90
7g、34.0mmol)、トルエン(20ml)を仕込み、系内を十分に窒素置換して、50℃まで加温した(溶液A)。トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウムクロロホルム錯体(0.088g、0.0085mmol)のトルエン5ml溶液に、トリ−t−ブチルホスフィン(0.138g、0.068mmol)を加え、50℃まで加温した(溶液B)。窒素気流中、溶液Aに溶液Bを添加し、1時間加熱還流反応したが、重合が始まったことは確認できなかった。
(合成比較例2)
合成例70において、(操作X)での、臭化物として4,4’−ジブロモビフェニル(2.496g、8.00mmol)及び1,4− ジブロベンゼン(1.132g、4.
80mmol)を仕込み、(操作Y)において、臭化物として1,4− ジブロベンゼン
(0.642g、2.72mmol)を追添加した以外は、合成例70と同様に合成し、目的物70と同じ構造式で表されるポリマーを、下記の重量平均分子量(Mw)及び分散度(Mw/Mn)である比較ポリマー1を得た。
数平均分子量(Mn)=27600
分散度(Mw/Mn)=2.46
[有機電界発光素子の作製]
(実施例1)
図1に示す有機電界発光素子を作製した。
溶媒 安息香酸エチル
塗布液濃度 P1:2.0重量%
A1:0.8重量%
<正孔注入層の成膜条件>
スピナ回転数 1500rpm
スピナ回転時間 30秒
スピンコート雰囲気 大気中
加熱条件 大気中 230℃ 3時間
引き続き、以下の構造式に示す、本発明による共役ポリマー(H1)(合成例12で得られた目的物12)を含有する有機電界発光素子用組成物を調製し、下記の条件でスピンコートにより塗布して、加熱により架橋させることにより膜厚20nmの正孔輸送層を形成した。
溶媒 トルエン
固形分濃度 0.4重量%
<正孔輸送層の成膜条件>
スピナ回転数 1500rpm
スピナ回転時間 30秒
スピンコート雰囲気 窒素中
加熱条件 窒素中、230℃、1時間
次に、発光層を形成するにあたり、以下に示す有機化合物(C1)、及び(D1)を用いて下記に示す発光層形成用塗布液を調製し、以下に示す条件で正孔輸送層上にスピンコートして膜厚47nmで発光層を得た。
溶媒 シクロヘキシルベンゼン
塗布液濃度 C1:2.30重量%
D1:0.23重量%
<発光層の成膜条件>
スピナ回転数 1000rpm
スピナ回転時間 30秒
スピンコート雰囲気 窒素中
加熱条件 減圧下(0.1MPa)、130℃、1時間
ここで、発光層までを成膜した基板を真空蒸着装置内に移し、油回転ポンプにより装置の粗排気を行った後、装置内の真空度が2.4×10−4Pa以下になるまでクライオポンプを用いて排気した後、BAlq(C2)を真空蒸着法によって積層し正孔阻止層を得た。蒸着速度を0.7〜0.8Å/秒の範囲で制御し、発光層の上に積層して膜厚10nmの膜の正孔阻止層を形成した。蒸着時の真空度は2.4〜2.7×10−4Paであった。
窒素グローブボックス中で、23mm×23mmサイズのガラス板の外周部に、約1mmの幅で光硬化性樹脂(スリーボンド社製30Y−437)を塗布し、中央部に水分ゲッターシート(ダイニック社製)を設置した。この上に、陰極形成を終了した基板を、蒸着された面が乾燥剤シートと対向するように貼り合わせた。その後、光硬化性樹脂が塗布された領域のみに紫外光を照射し、樹脂を硬化させた。
輝度/電流:1.6[cd/A]@100cd/m2
電圧:8.0[V]@100cd/m2
発光効率:0.6[lm/W]@100cd/m2
素子の発光スペクトルの極大波長は464nmであり、化合物(D1)からのものと同定された。色度はCIE(x,y)=(0.137,0.150)であった。
実施例1において、正孔輸送層を以下のように形成したほかは、実施例1と同様にして図1に示す有機電界発光素子を作製した。
本発明による共役ポリマー(H2)(合成例19で得られた目的物19)を含有する有機電界発光素子用組成物を調製し、下記の条件でスピンコートにより塗布して、加熱により架橋させることにより膜厚20nmの正孔輸送層を形成した。
溶媒 トルエン
固形分濃度 0.4重量%
<正孔輸送層の成膜条件>
スピナ回転数 1500rpm
スピナ回転時間 30秒
スピンコート雰囲気 窒素中
加熱条件 窒素中、230℃、1時間
得られた2mm×2mmのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子の発光特性は以下の通りである。
電圧:6.5[V]@100cd/m2
発光効率:1.2[lm/W]@100cd/m2
素子の発光スペクトルの極大波長は462nmであり、化合物(D1)からのものと同
定された。色度はCIE(x,y)=(0.142,0.161)であった。
実施例1において、正孔輸送層を以下のように形成したほかは、実施例1と同様にして図1に示す有機電界発光素子を作製した。
本発明による共役ポリマー(H3)(合成例14で得られた目的物14)を含有する有機電界発光素子用組成物を調製し、下記の条件でスピンコートにより成膜して、加熱により架橋させることにより膜厚20nmの正孔輸送層を形成した。
溶媒 トルエン
固形分濃度 0.4重量%
<正孔輸送層の成膜条件>
スピナ回転数 1500rpm
スピナ回転時間 30秒
スピンコート雰囲気 窒素中
加熱条件 窒素中、230℃、1時間
得られた2mm×2mmのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子の発光特性は以下の通りである。
電圧:7.8[V]@100cd/m2
発光効率:0.8[lm/W]@100cd/m2
素子の発光スペクトルの極大波長は465nmであり、化合物(D1)からのものと同定された。色度はCIE(x,y)=(0.137,0.166)であった。
(実施例4)
実施例1において、正孔輸送層を以下のように形成したほかは、実施例1と同様にして図1に示す有機電界発光素子を作製した。
溶媒 トルエン
固形分濃度 0.4重量%
<正孔輸送層の成膜条件>
スピナ回転数 1500rpm
スピナ回転時間 30秒
スピンコート雰囲気 窒素中
加熱条件 窒素中、230℃、1時間
得られた2mm×2mmのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子の発光特性は以下の通りである。
電圧:5.4[V]@100cd/m2
発光効率:2.1[lm/W]@100cd/m2
素子の発光スペクトルの極大波長は464nmであり、化合物(D1)からのものと同定された。色度はCIE(x,y)=(0.141,0.168)であった。
(実施例5)
実施例1において、正孔輸送層を以下のように形成したほかは、実施例1と同様にして図1に示す有機電界発光素子を作製した。
含有する有機電界発光素子用組成物を調製し、下記の条件でスピンコートにより塗布して、加熱により架橋させることにより膜厚20nmの正孔輸送層を形成した。
溶媒 トルエン
固形分濃度 0.4重量%
<正孔輸送層の成膜条件>
スピナ回転数 1500rpm
スピナ回転時間 30秒
スピンコート雰囲気 窒素中
加熱条件 窒素中、230℃、1時間
得られた2mm×2mmのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子の発光特性は以下の通りである。
電圧:6.3[V]@100cd/m2
発光効率:1.1[lm/W]@100cd/m2
素子の発光スペクトルの極大波長は464nmであり、化合物(D1)からのものと同定された。色度はCIE(x,y)=(0.143,0.173)であった。
図1に示す有機電界発光素子を作製した。
ガラス基板上に、インジウム・スズ酸化物(ITO)透明導電膜を120nmの厚さに堆積したもの(三容真空社製、スパッタ成膜品)を、通常のフォトリソグラフィー技術と塩酸エッチングを用いて2mm幅のストライプにパターニングして陽極を形成した。パターン形成したITO基板を、界面活性剤水溶液による超音波洗浄、超純水による水洗、超純水による超音波洗浄、超純水による水洗の順で洗浄後、圧縮空気で乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。
引き続き、以下の構造式に示す、本発明による共役ポリマー(H6)(合成例67で合成された目的物67)(Mw:47500、Mn:23700、Mw/Mn:2.00)を含有する有機電界発光素子用組成物を調製し、下記の条件でスピンコートにより塗布して、加熱により架橋させることにより膜厚20nmの正孔輸送層を形成した。
溶媒 トルエン
固形分濃度 0.4重量%
<正孔輸送層の成膜条件>
スピナ回転数 1500rpm
スピナ回転時間 30秒
スピンコート雰囲気 窒素中
加熱条件 窒素中、230℃、1時間
次に、発光層を形成するにあたり、以下に示す有機化合物(C4)、及び(D2)を用いて下記に示す発光層形成用塗布液を調製し、以下に示す条件で正孔輸送層上にスピンコ
ートして膜厚51nmの発光層を得た。
溶媒 キシレン
塗布液濃度 C4:2.00重量%
D2:0.20重量%
<発光層の成膜条件>
スピナ回転数 1500rpm
スピナ回転時間 30秒
スピンコート雰囲気 窒素中
加熱条件 減圧下(0.1MPa)、130℃、1時間
続いて、実施例1と同様にして、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層、陰極を作成し、封止処理を行った。この素子の発光特性を表8に示す。本発明のポリマーは、高い電荷輸送能を有するため、駆動電圧が低く、長寿命の素子が得られたのは明らかである。
(比較例1)
実施例6において、正孔輸送層を形成する際に用いた本発明の共役ポリマー(H6)から、以下構造式で表される比較ポリマー2(Mw:55000、Mn:28900、Mw/Mn:1.9)に変更した他は実施例6と同様にして図1に示す有機電界発光素子を作製した。
(実施例7)
実施例1において、正孔注入層、正孔輸送層、及び発光層の形成を下記の通り変更した他は、実施例1と同様にして、図1に示す素子を作製した。
)、前記式(A1)に示す4−イソプロピル−4’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボラート及び安息香酸エチルを含有する正孔注入層形成用塗布液を調製した。この塗布液を下記条件で陽極上にスピンコートにより成膜して、膜厚30nmの正孔注入層を得た。
溶媒 安息香酸エチル
塗布液濃度 目的物74:2.0重量%
A1 :0.8重量%
<正孔注入層の成膜条件>
スピナ回転数 1500rpm
スピナ回転時間 30秒
スピンコート雰囲気 大気中
加熱条件 大気中 230℃ 3時間
引き続き、以下の構造式に示す、本発明による共役ポリマー(H8)(合成例26で合成した目的物26)を含有する有機電界発光素子用組成物を調製し、下記の条件でスピンコートにより塗布して、加熱により架橋させることにより膜厚20nmの正孔輸送層を形成した。
溶媒 トルエン
固形分濃度 0.4重量%
<正孔輸送層の成膜条件>
スピナ回転数 1500rpm
スピナ回転時間 30秒
スピンコート雰囲気 窒素中
加熱条件 窒素中、230℃、1時間
次に、発光層を形成するにあたり、以下に示す有機化合物(C5)、及び前記式(D1)を用いて下記に示す発光層形成用塗布液を調製し、以下に示す条件で正孔輸送層上にスピンコートして膜厚40nmで発光層を得た。
溶媒 トルエン
塗布液濃度 C5:0.80重量%
D1:0.08重量%
<発光層の成膜条件>
スピナ回転数 1500rpm
スピナ回転時間 30秒
スピンコート雰囲気 窒素中
加熱条件 減圧下(0.1MPa)、130℃、1時間
以上の様にして、2mm×2mmのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。この素子の発光特性を表9に示す。 本発明のポリマーと電子受容性化合物を
正孔注入層に用いることで、長寿命、高効率の素子が得られたのは明らかである。
実施例7において、正孔注入層を形成するに際し用いた目的物74を、前記正孔輸送性高分子材料(P1)に変更した他は、実施例7と同様にして、図1に示す有機電界発光素子を作製した。
この素子の特性を表9に示す。
合成例70で得られた目的物70を用いて、下記の通り不溶化率の測定を行った。
表10に示すが如く、本発明の共役ポリマーを用いて形成された膜は、高い不溶化率を有することが分かる。
以下の方法にて膜厚L1及びL2を各々測定し、L2/L1を不溶化率とした。
<成膜方法、及び膜厚L1の測定方法>
25mm×37.5mmサイズのガラス基板を超純水で洗浄し、乾燥窒素で乾燥して、UV/オゾン洗浄を行った。
スピンコートは気温23℃、相対湿度60%の大気中で行い、スピナ回転数は1500rpm、スピナ回転時間は30秒とした。成膜後、大気中、ホットプレート上で80℃にて、1分間加熱乾燥の後、オーブン内で230℃にて、60分間加熱乾燥した。得られた膜を約1mm幅で掻き取り、膜厚計(テンコールP−15)で膜厚L1(nm)を測定した。
膜厚L1測定後の基板をスピナにセットし、トルエンを膜厚測定した箇所に垂らし、10秒後にスピナ回転数1500rpm、スピナ時間30秒でスピン処理した。続いて再び同じ箇所の膜厚L2(nm)を測定し、トルエンのスピン処理後の膜厚保持率(不溶化率
)L2/L1を算出した。
不溶化率の測定結果を表10に示す。
目的物70の代わりに、目的物71(Mw=67900、Mn=28900、Mw/Mn=2.35)を用いた以外は実施例9と同様にして、目的物71の不溶化率の測定を行った。
(比較例2)
目的物70の代わりに、合成比較例2で合成した比較ポリマー1(Mw=68000、Mn=27600、Mw/Mn=2.46)を用いた以外は実施例9と同様にして、比較ポリマー1の不溶化率の測定を行った。
また、比較ポリマーは分散度(Mw/Mn)が大きいため、ポリマー中に含まれる低分子量成分が、発光層に混入することで、発光層内でトラップサイトになり、得られる素子の駆動電圧が上昇する。また、この様な混合の度合いは、得られる素子ごとに異なるため、得られる素子の性能が均一ではないおそれもある。
2 陽極
3 正孔注入層
4 正孔輸送層
5 発光層
6 正孔阻止層
7 電子輸送層
8 電子注入層
9 陰極
Claims (10)
- 下記式(I)で表される繰り返し単位からなる共役ポリマーであって、該共役ポリマーは
置換基として不溶化基を含み、該不溶化基は下記架橋性基群Tの中から選ばれる架橋性基、又は、下記2価の解離基群A及び1価の解離基群Bの中から選ばれる解離基であり、重量平均分子量(Mw)が20,000以上であり、分散度(Mw/Mn。尚、Mnは数平均分子量を表す。)が2.40以下であることを特徴とする、共役ポリマー。
Ar11、及びAr12は、各々独立して、直接結合、置換基を有していてもよい、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環、又は、前記群から選ばれる1種又は2種以上の環を直接結合又は―CH=CH―基により2又は3個連結した基、又は、置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表し、
Ar13〜Ar15は、各々独立に、置換基を有していてもよい、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環、又は、前記群から選ばれる1種又は2種以上の環を直接結合又は―CH=CH―基により2又は3個連結した基、又は、置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。
但し、Ar11及びAr12のいずれもが、直接結合であることはない。 尚、不溶化基が架橋性基である場合、架橋性基の数は、該共役ポリマーの分子量1000あたり、0.01個以上、3.0個以下であり、不溶化基が解離基である場合、解離基の数は、該共役ポリマーの分子量1000あたり、0.2個以上、5個以下である。)
<架橋性基群T>
(式中、R1、R3、R4は、各々独立に、水素原子又はアルキル基を表す。)<2価の解離基群A>
<1価の解離基群B>
- 請求項1に記載の共役ポリマーを不溶化させて得られることを特徴とする、不溶化ポリマー。
- 請求項1に記載の共役ポリマーからなることを特徴とする、有機電界発光素子材料。
- 請求項1に記載の共役ポリマーを含有することを特徴とする、有機電界発光素子用組成物。
- さらに電子受容性化合物を含有することを特徴とする、請求項4に記載の有機電界発光素子用組成物。
- 基板上に、陽極、陰極、及び該陽極と該陰極の間に1層又は2層以上の有機層を有する有機電界発光素子において、該有機層の少なくとも1層が、請求項2に記載の不溶化ポリマーを含有する有機電界発光素子。
- 該不溶化ポリマーを含有する有機層が、正孔注入層又は正孔輸送層である請求項6に記載の有機電界発光素子。
- 有機層として、正孔注入層、正孔輸送層及び発光層を有する有機電界発光素子において、正孔注入層、正孔輸送層及び発光層の全てが湿式成膜法により形成されることを特徴とする、請求項6又は7に記載の有機電界発光素子。
- 請求項6〜8のいずれか一項に記載の有機電界発光素子を備えることを特徴とする、有機ELディスプレイ。
- 請求項6〜8のいずれか一項に記載の有機電界発光素子を備えることを特徴とする、有機EL照明。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009031985A JP5564801B2 (ja) | 2008-02-15 | 2009-02-13 | 共役ポリマー、有機電界発光素子材料、有機電界発光素子用組成物、ポリマーの製造方法、有機電界発光素子、有機elディスプレイ、及び有機el照明 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008034170 | 2008-02-15 | ||
JP2008034170 | 2008-02-15 | ||
JP2008119941 | 2008-05-01 | ||
JP2008119941 | 2008-05-01 | ||
JP2009031985A JP5564801B2 (ja) | 2008-02-15 | 2009-02-13 | 共役ポリマー、有機電界発光素子材料、有機電界発光素子用組成物、ポリマーの製造方法、有機電界発光素子、有機elディスプレイ、及び有機el照明 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014124327A Division JP2014218669A (ja) | 2008-02-15 | 2014-06-17 | 共役ポリマー、有機電界発光素子材料、有機電界発光素子用組成物、有機電界発光素子、有機elディスプレイ、及び有機el照明 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009287000A JP2009287000A (ja) | 2009-12-10 |
JP2009287000A5 JP2009287000A5 (ja) | 2011-05-19 |
JP5564801B2 true JP5564801B2 (ja) | 2014-08-06 |
Family
ID=40957057
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009031985A Active JP5564801B2 (ja) | 2008-02-15 | 2009-02-13 | 共役ポリマー、有機電界発光素子材料、有機電界発光素子用組成物、ポリマーの製造方法、有機電界発光素子、有機elディスプレイ、及び有機el照明 |
JP2014124327A Withdrawn JP2014218669A (ja) | 2008-02-15 | 2014-06-17 | 共役ポリマー、有機電界発光素子材料、有機電界発光素子用組成物、有機電界発光素子、有機elディスプレイ、及び有機el照明 |
JP2016074476A Active JP6057003B2 (ja) | 2008-02-15 | 2016-04-01 | 共役ポリマー、有機電界発光素子材料、有機電界発光素子用組成物、ポリマーの製造方法、有機電界発光素子、有機elディスプレイ、及び有機el照明 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014124327A Withdrawn JP2014218669A (ja) | 2008-02-15 | 2014-06-17 | 共役ポリマー、有機電界発光素子材料、有機電界発光素子用組成物、有機電界発光素子、有機elディスプレイ、及び有機el照明 |
JP2016074476A Active JP6057003B2 (ja) | 2008-02-15 | 2016-04-01 | 共役ポリマー、有機電界発光素子材料、有機電界発光素子用組成物、ポリマーの製造方法、有機電界発光素子、有機elディスプレイ、及び有機el照明 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8653508B2 (ja) |
EP (2) | EP2270069B1 (ja) |
JP (3) | JP5564801B2 (ja) |
KR (1) | KR101323557B1 (ja) |
CN (2) | CN107266679B (ja) |
TW (1) | TWI513733B (ja) |
WO (1) | WO2009102027A1 (ja) |
Families Citing this family (79)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8692234B2 (en) | 2008-04-02 | 2014-04-08 | Mitsubishi Chemical Corporation | Polymer compound, net-like polymer compound produced by crosslinking the polymer compound, composition for organic electroluminescence element, organic electroluminescence element, organic EL display, and organic EL lighting |
CN102105507B (zh) | 2008-08-07 | 2014-09-03 | 三菱化学株式会社 | 聚合物、发光层材料、有机电致发光元件材料、有机电致发光元件用组合物、利用它们的有机电致发光元件、太阳能电池元件、有机el显示装置和有机el照明 |
JP5343832B2 (ja) * | 2008-12-04 | 2013-11-13 | 三菱化学株式会社 | アリールアミンポリマー、有機電界発光素子材料、有機電界発光素子用組成物、有機電界発光素子、有機elディスプレイ及び有機el照明 |
US8525407B2 (en) | 2009-06-24 | 2013-09-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light source and device having the same |
JP5856483B2 (ja) | 2009-10-27 | 2016-02-09 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | 陽極バッファ層用組成物、陽極バッファ層用高分子化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子、その製造方法およびその用途 |
EP2495229B1 (en) * | 2009-10-30 | 2016-06-01 | Mitsubishi Chemical Corporation | Low-molecular compound, polymer, material for electronic devices, composition for electronic devices, organic electroluminescent element, organic solar cell element, display and lighting equipment |
EP2511969A4 (en) * | 2009-12-11 | 2014-03-19 | Mitsubishi Chem Corp | ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT SCREEN, AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT LIGHTING |
JP5793878B2 (ja) | 2010-02-10 | 2015-10-14 | 三菱化学株式会社 | 重合体、有機電界発光素子材料、有機電界発光素子用組成物、有機電界発光素子、表示装置及び照明装置 |
DE102010007938A1 (de) * | 2010-02-12 | 2011-10-06 | Merck Patent Gmbh | Elektrolumineszierende Polymere, Verfahren zu ihrer Herstellung sowie ihre Verwendung |
US8674047B2 (en) | 2010-05-11 | 2014-03-18 | Plextronics, Inc. | Doping conjugated polymers and devices |
JP5505123B2 (ja) * | 2010-06-22 | 2014-05-28 | 東ソー株式会社 | 新規トリアリールアミンポリマー、その製造方法およびその用途 |
JP2012033918A (ja) | 2010-07-08 | 2012-02-16 | Mitsubishi Chemicals Corp | 有機電界発光素子、有機電界発光デバイス、有機el表示装置及び有機el照明 |
JP5720191B2 (ja) * | 2010-11-12 | 2015-05-20 | 三菱化学株式会社 | アリールアミンポリマー、電荷輸送材料、有機電界発光素子用組成物、有機電界発光素子、有機el表示装置及び有機el照明 |
EP2665105B1 (en) * | 2011-01-14 | 2021-12-01 | Mitsubishi Chemical Corporation | Organic electroluminescent element, composition for organic electroluminescent element, and organic electroluminescent device |
JP2012178268A (ja) * | 2011-02-25 | 2012-09-13 | Mitsubishi Chemicals Corp | 有機電界発光素子、有機電界発光モジュール、有機電界発光表示装置、及び有機電界発光照明 |
JP5699684B2 (ja) * | 2011-02-25 | 2015-04-15 | 三菱化学株式会社 | 重合体、有機電界発光素子材料、有機電界発光素子用組成物、有機電界発光素子、有機el表示装置及び有機el照明 |
JP5609726B2 (ja) * | 2011-03-17 | 2014-10-22 | 三菱化学株式会社 | 重合体、有機電界発光素子材料、有機電界発光素子用組成物、有機電界発光素子、有機el表示装置及び有機el照明 |
JP6058905B2 (ja) * | 2011-03-31 | 2017-01-11 | 住友化学株式会社 | 光拡散フィルムの製造方法及び偏光板の製造方法 |
US9781783B2 (en) | 2011-04-15 | 2017-10-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, display device, light-emitting system, and display system |
US10276637B2 (en) | 2011-05-13 | 2019-04-30 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic EL multi-color light-emitting device |
KR101936978B1 (ko) | 2011-07-05 | 2019-01-09 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 수직 상-분리 반도체 유기 물질 층 |
WO2013027656A1 (ja) * | 2011-08-22 | 2013-02-28 | 住友化学株式会社 | 高分子化合物およびそれを用いた発光素子 |
WO2013035275A1 (ja) | 2011-09-09 | 2013-03-14 | 出光興産株式会社 | 含窒素へテロ芳香族環化合物 |
CN103827165B (zh) * | 2011-09-26 | 2016-06-29 | 日立化成株式会社 | 溶解度发生改变的组合物、空穴传输材料组合物和使用了它们的有机电子元件 |
CN103827109A (zh) | 2011-09-28 | 2014-05-28 | 出光兴产株式会社 | 有机电致发光元件用材料及使用了该材料的有机电致发光元件 |
WO2013052096A1 (en) | 2011-10-04 | 2013-04-11 | Plextronics, Inc. | Improved doping methods for hole injection and transport layers |
CN103717636A (zh) * | 2011-10-19 | 2014-04-09 | 出光兴产株式会社 | 交联型聚合物及使用该聚合物的有机场致发光元件 |
JPWO2013069242A1 (ja) | 2011-11-07 | 2015-04-02 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
KR101716100B1 (ko) * | 2011-11-30 | 2017-03-13 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 유기 일렉트로닉스 재료, 잉크 조성물 및 유기 일렉트로닉스 소자 |
EP2610936A1 (en) * | 2011-12-28 | 2013-07-03 | Solvay Sa | Crosslinkable compositions comprising addition polymerizable monomers |
EP2803671B1 (en) | 2012-01-13 | 2019-05-01 | Mitsubishi Chemical Corporation | Iridium complex compound, solution composition containing iridium complex compound, organic electroluminescent element, display device, and lighting device |
JP5966422B2 (ja) * | 2012-02-21 | 2016-08-10 | 三菱化学株式会社 | 重合体、有機電界発光素子材料、有機電界発光素子用組成物、有機電界発光素子、有機el表示装置及び有機el照明 |
EP2838931A1 (de) * | 2012-04-17 | 2015-02-25 | Merck Patent GmbH | Vernetzbare sowie vernetzte polymere, verfahren zu deren herstellung sowie deren verwendung |
CN104411743B (zh) * | 2012-06-18 | 2016-11-02 | 三菱化学株式会社 | 高分子化合物、电荷传输性聚合物、有机电致发光元件用组合物、有机电致发光元件、有机el显示装置及有机el照明 |
JP6046389B2 (ja) * | 2012-06-20 | 2016-12-14 | 住友化学株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JPWO2014038559A1 (ja) | 2012-09-04 | 2016-08-12 | 三菱化学株式会社 | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
JP6155611B2 (ja) * | 2012-11-30 | 2017-07-05 | 日立化成株式会社 | 有機エレクトロニクス素子及びその製造方法 |
CN110003447A (zh) | 2013-03-08 | 2019-07-12 | 日立化成株式会社 | 处理液、有机电子元件、发光元件、显示元件、照明装置、显示装置和有机光电转换元件 |
JPWO2014157016A1 (ja) * | 2013-03-28 | 2017-02-16 | 住友化学株式会社 | 高分子化合物およびそれを用いた発光素子 |
KR102084170B1 (ko) * | 2013-07-25 | 2020-03-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광소자, 이를 포함하는 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법 |
WO2015023302A1 (en) * | 2013-08-12 | 2015-02-19 | Kateeva, Inc. | Ester-based solvent systems for printable organic light-emitting diode ink formulations |
KR102157997B1 (ko) * | 2013-10-04 | 2020-09-21 | 미쯔비시 케미컬 주식회사 | 중합체, 유기 전계 발광 소자용 조성물, 유기 전계 발광 소자, 유기 el 표시 장치 및 유기 el 조명 |
JP6668755B2 (ja) | 2013-12-12 | 2020-03-18 | 三菱ケミカル株式会社 | イリジウム錯体化合物、該化合物の製造方法、該化合物を含む組成物、有機電界発光素子、表示装置及び照明装置 |
EP3109914B1 (en) * | 2014-02-18 | 2021-04-28 | Nissan Chemical Corporation | Charge-transporting varnish |
KR102329435B1 (ko) * | 2014-03-03 | 2021-11-22 | 미쯔비시 케미컬 주식회사 | 중합체, 유기 전계 발광 소자용 조성물, 유기 전계 발광 소자, 유기 el 표시 장치 및 유기 el 조명 |
WO2015146055A1 (ja) * | 2014-03-24 | 2015-10-01 | 株式会社 東芝 | ポリマーとそれを用いた太陽電池 |
JP6610536B2 (ja) * | 2014-04-09 | 2019-11-27 | 住友化学株式会社 | 発光素子およびそれに用いる組成物 |
WO2016002682A1 (ja) * | 2014-06-30 | 2016-01-07 | 宇部興産株式会社 | ポリアミド樹脂組成物及びそれからなる成形品 |
WO2016026123A1 (en) | 2014-08-21 | 2016-02-25 | Dow Global Technologies Llc | Compositions comprising oxygen substituted benzocyclobutenes and dienophiles, and electronic devices containing same |
US10297755B2 (en) | 2014-08-21 | 2019-05-21 | Dow Global Technologies Llc | Oxygen substituted benzoclobutenes derived compositions for electronic devices |
WO2016026122A1 (en) * | 2014-08-21 | 2016-02-25 | Dow Global Technologies Llc | Benzocyclobutenes derived compositions, and electronic devices containing the same |
CN107078223B (zh) * | 2014-09-30 | 2019-03-29 | 住友化学株式会社 | 发光元件 |
JP6442977B2 (ja) * | 2014-10-22 | 2018-12-26 | 三菱ケミカル株式会社 | 重合体、有機電界発光素子用組成物、有機電界発光素子、有機el表示装置及び有機el照明 |
KR101788090B1 (ko) * | 2014-11-28 | 2017-11-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 중합체, 유기막 조성물, 유기막, 및 패턴형성방법 |
GB201505530D0 (en) * | 2015-03-31 | 2015-05-13 | Cambridge Display Tech Ltd | Improved charge storage device and system |
US11183645B2 (en) * | 2015-05-11 | 2021-11-23 | Nippon Hoso Kyokai | Organic thin film and method for manufacturing organic thin film, organic electroluminescence element, display device, illumination device, organic thin film solar cell, thin film transistor, and coating composition |
WO2017043502A1 (ja) * | 2015-09-10 | 2017-03-16 | 日立化成株式会社 | 有機エレクトロニクス材料及びその利用 |
JP6657701B2 (ja) * | 2015-09-17 | 2020-03-04 | 日立化成株式会社 | 有機エレクトロニクス材料及びその利用 |
US10654967B2 (en) * | 2015-09-18 | 2020-05-19 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Polymer compound and light-emitting element using same |
CN105733562B (zh) * | 2016-03-25 | 2019-03-05 | 石家庄诚志永华显示材料有限公司 | 一系列芴衍生物发光材料 |
JP6826930B2 (ja) * | 2016-03-29 | 2021-02-10 | 住友化学株式会社 | 発光素子 |
EP3439061B1 (en) * | 2016-03-29 | 2021-07-21 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Light-emitting element |
WO2017170314A1 (ja) * | 2016-03-29 | 2017-10-05 | 住友化学株式会社 | 発光素子 |
JP6534959B2 (ja) * | 2016-04-21 | 2019-06-26 | 信越化学工業株式会社 | 有機膜の形成方法及び半導体装置用基板の製造方法 |
US10062860B2 (en) * | 2016-07-20 | 2018-08-28 | Joled Inc. | Organic electroluminescence device, organic electroluminescence unit, and electronic apparatus |
JP6942724B2 (ja) * | 2016-11-30 | 2021-09-29 | 保土谷化学工業株式会社 | 置換トリアリールアミン構造単位を含む高分子量化合物 |
KR102500364B1 (ko) * | 2017-03-15 | 2023-02-16 | 호도가야 가가쿠 고교 가부시키가이샤 | 치환 트리아릴아민 골격을 갖는 고분자량 화합물 |
CN110741029B (zh) * | 2017-06-07 | 2023-07-07 | 住友化学株式会社 | 高分子化合物的制造方法 |
TW201920343A (zh) * | 2017-06-21 | 2019-06-01 | 德商麥克專利有限公司 | 電子裝置用材料 |
KR102550692B1 (ko) | 2018-04-24 | 2023-07-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법 |
EP3819325A4 (en) * | 2018-07-03 | 2022-05-11 | Hodogaya Chemical Co., Ltd. | HIGH MOLECULAR WEIGHT TRIARYLAMINE COMPOUND COMPRISING A TERPHENYL STRUCTURE IN A MAIN MOLECULAR CHAIN AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT COMPRISING SUCH HIGH MOLECULAR WEIGHT COMPOUND |
KR20200069400A (ko) | 2018-12-05 | 2020-06-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 축합환 화합물, 이를 포함한 조성물 및 이로부터 형성된 박막을 포함하는 유기 발광 소자 |
TW202110935A (zh) * | 2019-04-16 | 2021-03-16 | 德商麥克專利有限公司 | 含有可交聯聚合物之調配物 |
KR20220079517A (ko) * | 2019-10-09 | 2022-06-13 | 호도가야 가가쿠 고교 가부시키가이샤 | 고분자량 화합물로 이루어지는 유기층을 갖는 유기 일렉트로 루미네선스 소자 |
JP2021063210A (ja) | 2019-10-15 | 2021-04-22 | 住友化学株式会社 | 組成物及びそれを含有する発光素子 |
US20230100661A1 (en) * | 2020-02-20 | 2023-03-30 | Hodogaya Chemical Co., Ltd. | High molecular weight compound and light emitting diode including said high molecular weight compound |
JPWO2022244822A1 (ja) * | 2021-05-21 | 2022-11-24 | ||
CN113896866B (zh) * | 2021-11-24 | 2023-10-17 | 中国石油大学(华东) | 一种砜修饰的共轭有机聚合物、其制备方法及应用 |
CN115028810B (zh) * | 2022-05-30 | 2023-07-07 | 长春理工大学 | 三苯胺-四/三苯乙烯基共轭多孔聚合物纳米粒子及其制备方法 |
Family Cites Families (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2003A (en) * | 1841-03-12 | Improvement in horizontal windivhlls | ||
US4539507A (en) | 1983-03-25 | 1985-09-03 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent devices having improved power conversion efficiencies |
GB8309583D0 (en) * | 1983-04-08 | 1983-05-11 | British Petroleum Co Plc | Polyacetylene production |
US5061569A (en) | 1990-07-26 | 1991-10-29 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with organic electroluminescent medium |
JP3562652B2 (ja) | 1992-04-03 | 2004-09-08 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JPH06207169A (ja) | 1992-11-17 | 1994-07-26 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2734341B2 (ja) | 1993-03-26 | 1998-03-30 | 住友電気工業株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JPH0753953A (ja) | 1993-08-19 | 1995-02-28 | Mitsubishi Chem Corp | 有機電界発光素子 |
JPH1079297A (ja) | 1996-07-09 | 1998-03-24 | Sony Corp | 電界発光素子 |
US5645948A (en) | 1996-08-20 | 1997-07-08 | Eastman Kodak Company | Blue organic electroluminescent devices |
JPH10270171A (ja) | 1997-01-27 | 1998-10-09 | Junji Kido | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US6034206A (en) | 1997-05-09 | 2000-03-07 | Tosoh Corporation | Polyaryleneamines and a process for their production |
JPH11242996A (ja) | 1998-02-25 | 1999-09-07 | Mitsubishi Chemical Corp | 有機電界発光素子 |
JPH11251067A (ja) | 1998-03-02 | 1999-09-17 | Junji Kido | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
DE10037391A1 (de) | 2000-08-01 | 2002-02-14 | Covion Organic Semiconductors | Strukturierbare Materialien, Verfahren zu deren Herstellung und deren Verwendung |
JP2002100482A (ja) | 2000-09-20 | 2002-04-05 | Mitsubishi Chemicals Corp | 有機電界発光素子 |
JP2002100478A (ja) | 2000-09-20 | 2002-04-05 | Mitsubishi Chemicals Corp | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
US6597012B2 (en) * | 2001-05-02 | 2003-07-22 | Junji Kido | Organic electroluminescent device |
JP4023204B2 (ja) | 2001-05-02 | 2007-12-19 | 淳二 城戸 | 有機電界発光素子 |
TW588105B (en) * | 2001-07-19 | 2004-05-21 | Sumitomo Chemical Co | Polymeric fluorescent substance and polymer light-emitting device using the same |
KR101014837B1 (ko) | 2002-08-09 | 2011-02-15 | 도소 가부시키가이샤 | 신규 트리아릴아민폴리머, 그 제조방법 및 그 용도 |
EP2592905B1 (en) | 2003-07-31 | 2014-11-12 | Mitsubishi Chemical Corporation | Compound, charge transporting material and organic electroluminescent element |
GB0325324D0 (en) * | 2003-10-30 | 2003-12-03 | Avecia Ltd | Process for producing semiconducting layers and devices containing the same |
TW200517469A (en) * | 2003-10-30 | 2005-06-01 | Nissan Chemical Ind Ltd | Charge-transporting compound, charge-transporting material, charge-transporting varnish, charge-transporting thin film, and organic electroluminescent device |
TWI365218B (en) * | 2003-11-17 | 2012-06-01 | Sumitomo Chemical Co | Conjugated oligomers or polymers based on crosslinkable arylamine compounds |
CN1882632B (zh) * | 2003-11-17 | 2012-04-04 | 住友化学株式会社 | 可交联的取代芴化合物和基于其的共轭低聚物或聚合物 |
JP4956898B2 (ja) | 2004-03-03 | 2012-06-20 | 東ソー株式会社 | トリアリールアミンポリマー及びその製造方法 |
WO2005089024A1 (ja) | 2004-03-11 | 2005-09-22 | Mitsubishi Chemical Corporation | 電荷輸送膜用組成物及びイオン化合物、それを用いた電荷輸送膜及び有機電界発光素子、並びに、有機電界発光素子の製造方法及び電荷輸送膜の製造方法 |
JP2005306998A (ja) | 2004-04-21 | 2005-11-04 | Jsr Corp | 電荷輸送性重合体およびその製造方法、並びに有機エレクトロルミネッセンス素子用重合体組成物および有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP5194787B2 (ja) * | 2005-02-15 | 2013-05-08 | パイオニア株式会社 | 成膜用組成物及び有機電界発光素子 |
JP5168840B2 (ja) | 2005-08-04 | 2013-03-27 | 三菱化学株式会社 | 電荷輸送材料、有機電界発光素子用組成物及び有機電界発光素子 |
JP5167607B2 (ja) | 2005-08-23 | 2013-03-21 | 三菱化学株式会社 | 電荷輸送材料、電荷輸送材料組成物及び有機電界発光素子 |
JP4893173B2 (ja) | 2005-09-13 | 2012-03-07 | 三菱化学株式会社 | 有機電界発光素子用組成物及び有機電界発光素子 |
US8440324B2 (en) * | 2005-12-27 | 2013-05-14 | E I Du Pont De Nemours And Company | Compositions comprising novel copolymers and electronic devices made with such compositions |
CN101410364A (zh) * | 2006-03-30 | 2009-04-15 | 出光兴产株式会社 | 有机电致发光元件用材料及使用其的有机电致发光元件 |
JP5130660B2 (ja) * | 2006-05-31 | 2013-01-30 | 住友化学株式会社 | 有機薄膜トランジスタ |
CN101516960B (zh) | 2006-09-25 | 2014-03-12 | 住友化学株式会社 | 高分子化合物及使用其的高分子发光元件 |
JP5446079B2 (ja) * | 2006-09-25 | 2014-03-19 | 住友化学株式会社 | 高分子化合物及びそれを用いた高分子発光素子 |
JP4985441B2 (ja) * | 2007-02-13 | 2012-07-25 | 三菱化学株式会社 | 高分子化合物、有機電界発光素子材料、有機電界発光素子用組成物および有機電界発光素子 |
JP5326417B2 (ja) | 2007-10-18 | 2013-10-30 | 三菱化学株式会社 | 電荷輸送膜及び有機電界発光素子 |
-
2009
- 2009-02-13 KR KR1020107017649A patent/KR101323557B1/ko active IP Right Grant
- 2009-02-13 WO PCT/JP2009/052425 patent/WO2009102027A1/ja active Application Filing
- 2009-02-13 TW TW098104786A patent/TWI513733B/zh active
- 2009-02-13 CN CN201710431832.2A patent/CN107266679B/zh active Active
- 2009-02-13 EP EP09711008.4A patent/EP2270069B1/en active Active
- 2009-02-13 EP EP17155162.5A patent/EP3182479B1/en active Active
- 2009-02-13 US US12/867,834 patent/US8653508B2/en active Active
- 2009-02-13 JP JP2009031985A patent/JP5564801B2/ja active Active
- 2009-02-13 CN CN2009801048749A patent/CN101945925A/zh active Pending
-
2013
- 2013-10-28 US US14/064,535 patent/US9214633B2/en active Active
-
2014
- 2014-06-17 JP JP2014124327A patent/JP2014218669A/ja not_active Withdrawn
-
2016
- 2016-04-01 JP JP2016074476A patent/JP6057003B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3182479B1 (en) | 2018-10-03 |
CN107266679B (zh) | 2021-07-06 |
US20110042661A1 (en) | 2011-02-24 |
EP2270069A4 (en) | 2012-06-27 |
JP2014218669A (ja) | 2014-11-20 |
JP2016157962A (ja) | 2016-09-01 |
EP2270069A1 (en) | 2011-01-05 |
TWI513733B (zh) | 2015-12-21 |
US9214633B2 (en) | 2015-12-15 |
WO2009102027A1 (ja) | 2009-08-20 |
JP2009287000A (ja) | 2009-12-10 |
KR101323557B1 (ko) | 2013-10-29 |
EP3182479A1 (en) | 2017-06-21 |
JP6057003B2 (ja) | 2017-01-11 |
CN107266679A (zh) | 2017-10-20 |
US8653508B2 (en) | 2014-02-18 |
US20140051827A1 (en) | 2014-02-20 |
TW200942564A (en) | 2009-10-16 |
CN101945925A (zh) | 2011-01-12 |
KR20100111718A (ko) | 2010-10-15 |
EP2270069B1 (en) | 2017-03-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6057003B2 (ja) | 共役ポリマー、有機電界発光素子材料、有機電界発光素子用組成物、ポリマーの製造方法、有機電界発光素子、有機elディスプレイ、及び有機el照明 | |
JP4761006B2 (ja) | 高分子化合物、該高分子化合物を架橋させてなる網目状高分子化合物、有機電界発光素子用組成物、有機電界発光素子、有機elディスプレイ及び有機el照明 | |
JP5491796B2 (ja) | 電荷輸送性ポリマー、有機電界発光素子用組成物、有機電界発光素子、有機elディスプレイ及び有機el照明 | |
JP4947219B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP5343832B2 (ja) | アリールアミンポリマー、有機電界発光素子材料、有機電界発光素子用組成物、有機電界発光素子、有機elディスプレイ及び有機el照明 | |
JP5434088B2 (ja) | 架橋性有機化合物、有機電界発光素子用組成物、有機電界発光素子および有機elディスプレイ | |
JP6551394B2 (ja) | 重合体、有機電界発光素子用組成物、有機電界発光素子、有機el表示装置及び有機el照明 | |
JP5343818B2 (ja) | アリールアミンポリマー、有機電界発光素子材料、有機電界発光素子用組成物、有機電界発光素子、有機el表示装置及び有機el照明 | |
JP2008223012A (ja) | 高分子化合物、有機電界発光素子材料、有機電界発光素子用組成物および有機電界発光素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110120 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110405 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111115 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131126 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140122 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140304 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140424 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140520 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140602 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5564801 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |