JPH1079297A - 電界発光素子 - Google Patents
電界発光素子Info
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Abstract
共に、長時間安定発光し、高輝度で色度良好な青色発光
が可能な電界発光素子を提供すること。 【解決手段】 ガラス基板6上に、ITO透明電極5、
ホール輸送層4、電子輸送層2及び金属電極1がこの順
に積層される構造のシングルヘテロ型の有機EL素子に
おいて、上記のホール輸送層4と電子輸送層2との間に
エキシトン生成促進層33を設け、ホール輸送層4をホ
ール輸送性発光層4a又はホール注入層7とホール輸送
性発光層4bとにより構成する。これにより、ホール輸
送性発光層4a及び4bにおけるエキシトン生成を促進
することができると共に、ホール注入層7を設ける場合
は効率よくホールを注入することができる。
Description
し、例えば、自発光の平面型ディスプレイであって、特
に、有機薄膜を電界発光層に用いる有機電界発光ディス
プレイに好適な電界発生素子に関するものである。
として、人間と機械とのインターフェースの重要性が高
まってきている。人間がより快適に効率良く機械操作す
るためには、操作される機械からの情報を誤りなく、簡
潔に、瞬時に、充分な量で取り出す必要があり、そのた
めに、ディスプレイを初めとする様々な表示素子につい
て研究が行われている。
型化、薄型に対する要求も日々、高まっているのが現状
である。
タ、ノート型ワードプロセッサなどの、表示素子一体型
であるラップトップ型情報処理機器の小型化には目を見
張る進歩があり、それに伴い、その表示素子である液晶
ディスプレイに関しての技術革新も素晴らしいものがあ
る。
インターフェースとして用いられており、ラップトップ
型情報処理機器はもちろんのこと、小型テレビや時計、
電卓を初めとして、我々の日常使用する製品に多く用い
られている。
駆動、低消費電力であるという特徴を生かし、小型から
大容量表示デバイスに至るまで、人間と機械のインター
フェースとして、表示素子の中心として研究されてき
た。
でないため、バックライトを必要とし、このバックライ
ト駆動に、液晶を駆動するよりも大きな電力を必要とす
るため、結果的に内蔵蓄電池等では使用時間が短くな
り、使用上の制限がある。
ため、大型ディスプレイ等の大型表示素子には適してい
ないことも問題である。
向状態による表示方法であるので、視野角の中において
も、角度によりコントラストが変化してしまうのも大き
な問題であると考えられる。
一つであるアクティブマトリクス方式は、動画を扱うに
十分な応答速度を示すが、TFT(薄膜トランジスタ)
駆動回路を用いるため、画素欠陥により画面サイズの大
型化が困難である。TFT駆動回路を用いることは、コ
ストダウンの点から考えても好ましくない。
である、単純マトリクス方式は、低コストである上に画
面サイズの大型化が比較的容易であるが、動画を扱うに
十分な応答速度を有していないという問題がある。
マ表示素子、無機電界発光素子、有機電界発光素子等が
研究されている。
マ発光を表示に用いたもので、大型化、大容量化に適し
ているが、薄型化、コストの面での問題を抱えている。
また、駆動に高電圧の交流バイアスを必要とし、携帯用
デバイスには適していない。
イ等が商品化されたが、プラズマ表示素子と同様に、交
流バイアス駆動であり、駆動には数百V必要であり、実
用性に欠けている。
プレイ表示に必要なR(赤)、G(緑)、B(青)の三
原色の発光に成功はしているが、無機材料のために、分
子設計などによる発光波長等の制御は困難であり、フル
カラー化は困難であると思われる。
1960年代前半に、強く螢光を発生するアントラセン
単結晶へのキャリア注入による発光現象が発見されて以
来、長い期間、研究されてきたが、低輝度、単色で、し
かも単結晶であったため、有機材料へのキャリア注入と
いう基礎的研究として行われていた。
Tangらが低電圧駆動、高輝度発光が可能なアモルファス
発光層を有する積層構造の有機薄膜電界発光素子を発表
して以来、各方面で、R、G、Bの三原色の発光、安定
性、輝度上昇、積層構造、作製方法等の研究開発が盛ん
に行われている。
計等により様々な新規材料が発明され、直流低電圧駆
動、薄型、自発光性等の優れた特徴を有する、有機電界
発光表示素子のカラーディスプレイへの応用研究も盛ん
に行われ始めている。
称することがある。)は、1μm以下の膜厚であり、電
流を注入することにより電気エネルギーを光エネルギー
に変換して面状に発光するなど、自発光型の表示デバイ
スとして理想的な特徴を有している。
を示す。この有機EL素子10は、透明基板(例えばガ
ラス基板)6上に、ITO(Indium tin oxide)透明電
極5、ホール輸送層4、発光層3、電子輸送層2、陰極
(例えばアルミニウム電極)1を例えば真空蒸着法で順
次成膜したものである。
の間に直流電圧7を選択的に印加することによって、透
明電極5から注入されたキャリアとしてのホールがホー
ル輸送層4を経て、また陰極1から注入された電子が電
子輸送層2を経て移動し、電子−ホールの再結合が生
じ、ここから所定波長の発光8が生じ、透明基板6の側
から観察できる。
タリン、フェナントレン、ピレン、クリセン、ペリレ
ン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン等
の発光物質を使用してよい。これは、電子輸送層2に含
有させることができる。
発光層3を省略し、電子輸送層2に上記の如き発光物質
を含有させ、電子輸送層2とホール輸送層4との界面か
ら所定波長の発光18が生じるように構成した有機EL
素子20を示すものである。
示す。即ち、各有機層(ホール輸送層4、発光層3又は
電子輸送層2)の積層体を陰極1と陽極5との間に配す
るが、これらの電極をマトリクス状に交差させてストラ
イプ状に設け、輝度信号回路34、シフトレジスタ内蔵
の制御回路35によって時系列に信号電圧を印加し、多
数の交差位置(画素)にてそれぞれ発光させるように構
成している。
レイとしては勿論、画像再生装置としても使用可能とな
る。なお、上記のストライプパターンをR、G、Bの各
色毎に配し、フルカラー又はマルチカラー用として構成
することができる。
素からなる表示デバイスにおいて、発光する有機薄膜層
2、3、4は一般に、透明電極5と金属電極1との間に
挟まれており、透明電極5側に発光する。
有機EL素子は、なお未解決の問題を有している。
イへの応用を行う上で、R、G、Bの三原色の安定した
発光は必要不可欠な条件であるが、現在の段階では、緑
色発光材料以外には、ディスプレイに応用可能な十分な
安定性、色度、輝度等を兼ね備えた赤色、及び青色材料
についての報告はない。
緩和過程からの発熱や一重項酸素等の存在により、安定
した発光すら得ることが困難であるのが現状である。
化したときに多量体が生成することにより、発光波長が
長波長化し、発光しても直ぐに消光してしまう等の現象
が生じることが多い。
くの研究がなされているが、新規物質の開発、研究と共
に、既存材料の応用により安定した発光を得ることも重
要な課題であり、また、材料的にある程度は確立された
物質を用いることは、研究開発における時間短縮に大き
く貢献し、材料開発の指針を示すことにもなる。
ザー色素は、緑色発光の色純度向上のためのドープ材料
として応用でき、また、青色発光材料として発光が得ら
れたとの報告も今日では得られている。これは、クマリ
ン系短波長蛍光色素が一般的に単体では結晶性が高く、
アモルファスでは安定な青色発光材料として適さなかっ
たのであるが、共蒸着の手法を取ることによりアモルフ
ァス性の安定な薄膜が得られるようになったためと考え
られる。
が446nm近辺に存在し、色度としてR、G、Bの青
色に対応しているが、クマリンは電子輸送性又はホール
輸送性を有していないため、発光材料としての特性は、
電子輸送性又はホール輸送性を有する材料と比較して明
らかに劣っている。
料系は、電子輸送性の青色発光層をシングルヘテロ型の
素子構造で作製することにより、安定した青色発光を得
ることが可能である。しかし、十分な輝度を得るために
印加電圧を大きくしていくことに伴い、発光スペクトル
が700nm近辺の視感度の良い領域での発光が大きく
なり、結果として、青色発光の色度がずれ、白色発光に
近付くという欠点がある。
短いため、長寿命化のための研究が各方面で活発に行わ
れている。
めには、初期輝度(200カンデラ程度)からの半減時
間が一万時間以上であることが好ましいが、このような
耐用時間が得られてはいない。これは、有機電界発光素
子の実用化に向けて改善すべき大きな問題である。
色度が良好な青色発光も可能であり、長時間安定した発
光が可能な素子構造を有する電界発光素子を提供するこ
とにある。
な実情を鋭意検討し、材料的にも確立している既存の材
料を応用することにより、高輝度においても色度の良い
発光が可能なアモルファス性薄膜を効率良く発光するこ
とができれば、研究開発の大幅な時間短縮や、カラーデ
ィスプレイを初めとするフルカラー化と共に、素子の長
寿命化に貢献することができることに着目し、本発明に
到達した。
正孔の再結合によるエキシトンの生成を促進するための
エキシトン生成促進層が、前記発光領域に積層されてい
る電界発光素子に係るものである。
キシトン生成促進層の存在によってホール輸送層でのエ
キシトン(励起子)が効率的に生成され、低電圧駆動で
も安定かつ高輝度の発光、特に青色発光が可能になる。
輸送材料が存在しないために困難な構造であると考えら
れてきた、電界発光素子(特に、低電圧駆動、自発光、
薄型のアモルファス有機電界発光素子)において、ホー
ル輸送層がエキシトン生成領域である発光層を兼ねると
共に、長時間の安定した発光を与える長寿命な素子構造
の電界発光素子を提供することができる。
記発光領域が主として有機ホール輸送層であり、このホ
ール輸送層に隣接して有機エキシトン生成促進層が前記
エキシトン生成促進層として積層されていることが望ま
しい。
輸送層と電子輸送層との間に設けられていることが望ま
しい。
高占有分子軌道レベルが、前記ホール輸送層及び前記電
子輸送層のそれぞれの最高占有分子軌道レベルのうちエ
ネルギー的に低い方の最高占有分子軌道レベル以下にあ
ることが望ましい。
占有分子軌道レベルが、前記ホール輸送層及び前記電子
輸送層のそれぞれの最低非占有分子軌道レベルのうちエ
ネルギー的に低い方の最低非占有分子軌道レベル以上に
あり、かつエネルギー的に高い方の最低非占有分子軌道
レベル以下にあることが望ましい。
率の低い非発光性材料からなっていることが望ましい。
制限はないが、ホール輸送層との界面でのエキサイプレ
ックス(exciplex:2量体)の生成(即ち、発光効率の
低下)を防止するためにも、蛍光収率の低い非発光性の
材料であることが好ましい。
しては、図2に示すフェナントロリン誘導体が好適であ
り、具体的に例示すれば、例えば、図3に示す構造式
1、図4に示す構造式2、図5に示す構造式3、図6に
示す構造式4、図7に示す構造式5、図8に示す構造式
6、図9に示す構造式7、図10に示す構造式8、図1
1に示す構造式9、図12に示す構造式10の各材料が
挙げられる。
層との間にホール注入層が設けられていることが望まし
い。
0nm以下がよく、更に好ましくは250nm以下に形
成されていることが望ましい。
透明電極、有機ホール輸送層、有機エキシトン生成促進
層、有機電子輸送層、及び金属電極が順次積層されてい
ることが望ましい。
界発光素子として構成され、カラーディスプレイ用の素
子としても好適なものとなる。
態を説明する。
1の実施の形態による青色発光性の有機EL素子の要部
を示す概略断面図である。
ス基板6上にITO(Indium Tin Oxide)からなる透明
電極5をスパッタリングにより形成し、その上に順次、
ホール輸送性発光層4a、4b、エキシトン(exciton)
生成促進層33、電子輸送層2、カソード電極1を真空
蒸着法により積層し、アモルファス有機薄膜からなる有
機電界発光素子21を作製したものである。
が発光層としての性能を兼ね備えたシングルヘテロ型と
して構成され、その基本構造は後述する他の実施の形態
でも同様である。
は、上記のエキシトン生成促進層33がホール輸送層4
と電子輸送層2との間に挿入されて積層されているの
で、ホール輸送層4中でのエキシトン生成を促進させ
(即ち、エキシトンの生成効率を改善し)、発光させる
ことである。
の積層構造をバンドモデルで模式的に示したものであ
る。
ルミニウム−リチウム)からなるカソード1及びITO
透明電極5の層に示した太線(L1 、L2 )は、それぞ
れのメタルの凡その仕事関数であり、これらの両電極間
の各層においては上部の太線l1 、l2 、l3 、l4 及
び数値はそれぞれの最低非占有分子軌道(LUMO)の
レベルを示し、下方の太線l5 、l6 、l7 、l8 及び
数値はそれぞれの最高占有分子軌道(HOMO)のレベ
ルを示している。但し、図13中のエネルギーレベル値
は一例であって、材質によって種々に変化するものであ
る。
すように、アノードとしての透明電極5から注入された
ホールhがホール輸送層4を経て移動し、一方、カソー
ドの金属電極1から注入された電子eが電子輸送層2を
経て移動し、この電子−ホールがホール輸送性発光層4
において再結合して発光を生じる。
る電子eは、エネルギーレベルの低い方へ移動する性質
があるため、金属電極1、電子輸送層2、エキシトン生
成促進層33、ホール輸送性発光層4b、ホール輸送性
発光層4aの順に各層の最低非占有分子軌道(LUM
O)レベルl1 〜l4 を経由してホール輸送性発光層4
b、4aに到達することができる。
から注入されるホールhは、エネルギーレベルの高い方
へ移動する性質があるため、ホール輸送性発光層4a、
ホール輸送性発光層4b、エキシトン生成促進層33の
順に各層の最高占有分子軌道(HOMO)レベルl5 〜
l7 を経由して電子輸送層2へ移動することができる。
成促進層33の最高占有分子軌道(HOMO)レベルl
7 よりも電子輸送層2の最高占有分子軌道(HOMO)
レベルl8 の方がエネルギー的に低いため、注入された
ホールhはエキシトン生成促進層33から電子輸送層2
へ移動し難くなり、エキシトン生成促進層33に充満す
るようになる。
満したホールhがホール輸送層4でのエキシトン生成を
促進させ、ホール輸送層4を構成するホール輸送性発光
層4a、4bの発光材料に発光エネルギーを付与するこ
とになる。
設けることにより、ホール輸送層4においてエキシトン
を効率よく生成するようにエキシトン生成促進層33に
おいてホールhの輸送を効果的に制御している。そし
て、これにより発光エネルギーを付与されたホール輸送
性発光層4a、4bのうち、主としてエキシトン生成促
進層33に隣接するホール輸送性発光層4bによる発光
にホール輸送性発光層4aの発光も加わり、図22の如
き特定波長(青色)の光を放出する。
アノード電極5からのホールの注入とにより、電子輸送
層2及びホール輸送層4はそれぞれの層においてエキシ
トンの生成作用を有している。従って、上記の如きエキ
シトン生成促進層33が存在しない場合には、電子輸送
層2とホール輸送層4との界面においてエキシトンが生
成され、長波長の発光しか得られない。しかし、本実施
例の如くエキシトン生成促進層33を設けることによ
り、発光性物質が含有されているホール輸送層4を発光
領域として青色発光を促進させることが可能になる。
はホールhの輸送を制御するためのものであり、このた
めには、エキシトン生成促進層33の最高占有分子軌道
(HOMO)が、ホール輸送性発光層4a、4b及び電
子輸送層2の最高占有分子軌道(HOMO)レベルのエ
ネルギー的に低い方のレベルの最高占有分子軌道(HO
MO)レベル以下にあり、かつ、エキシトン生成促進層
33の最低非占有分子軌道(LUMO)が、ホール輸送
性発光層4a、4b及び電子輸送層2の最低非占有分子
軌道(LUMO)レベルの、エネルギー的に低い方の最
低非占有分子軌道(LUMO)レベル以上であり、エネ
ルギー的に高い方の最低非占有分子軌道(LUMO)レ
ベル以下であればよく、上記の構成に限定されるもので
はない。
の材質で形成できると共に、その厚みもその機能を保持
することができる範囲で変化させてよい。その厚みは1
Å〜1000Å(0.1nm〜100nm)とするのが
よいが、厚みがあまり薄いと、素子駆動時に溶け出すお
それがあり、またあまり厚いと耐電圧性はあるが輝度が
劣化し易くなる。
空蒸着装置11を用いて作製される。この装置の内部に
は、アーム12の下に固定された一対の支持手段13が
設けられ、この双方の固定手段13、13の間には、透
明ガラス基板6を下向きにし、マスク22をセットでき
るステージ機構(図示省略)が設けられている。そし
て、ガラス基板6及びマスク22の下方には、支軸14
aに支持されたシャッター14が配置され、その下方に
所定個数の各種蒸着源28を配置する。各蒸着源は、電
源29による抵抗加熱方式で加熱される。この加熱に
は、必要に応じてEB(電子線)加熱方式等も使用され
る。
であり、シャッター14は蒸着材料用である。そして、
シャッター14は支軸14aを中心に回動し、蒸着材料
の昇華温度に合わせて、材料の蒸気流を遮断するための
ものである。
した有機EL素子21の具体例を示す平面図である。即
ち、サイズLが30mm×30mmのガラス基板6上
に、サイズlが2mm×2mmのITO透明電極5を上
記した真空蒸着装置により約100nmの厚さで蒸着後
に、全面にSiO2 30を蒸着し、これを所定の画素パ
ターンにエッチングして多数の開口31を形成し、ここ
に透明電極5をそれぞれ露出させる。従って、SiO2
によって2mm×2mmの発光領域(画素)PXに対し
蒸着マスク22を用いて各有機層4、33、2及び金属
電極1を順次形成する。
た図15のような多数の画素を有するもの以外に、サイ
ズの大きい画素を単独に形成することもできる。
再結合によるエキシトンの生成効率を改善するための有
機層33を積層することによって、安定した、高輝度で
低電圧駆動の、ホール輸送性発光層4を有する有機EL
素子を形成することができる。特に、詳しくは後述する
ように、青色発光に関しては直流駆動で10000cd/m
2 以上、1/100デューティ比でのパルス駆動でも、
直流換算で55000cd/m2 以上の輝度を得ることが可
能となる。
層、有機ホール輸送層、有機エキシトン生成促進層、有
機電子輸送層及び金属電極は、それぞれが複数層からな
る積層構造であってもよい。
は、蒸着以外にも、昇華又は気化を伴う他の成膜方法で
形成してもよい。
性発光層は、この素子の発光スペクトルの制御のために
微量分子の共蒸着を行ってもよく、例えば、ペリレン誘
導体、クマリン誘導体等の有機物質を微量含む有機薄膜
であってもよい。
料としては、ベンジジン誘導体、スチリルアミン誘導
体、トリフェニルメタン誘導体をはじめ、ポルフィリン
誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、オ
キサジアゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、
フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、オ
キサゾール誘導体、アントラセン誘導体、フルオレノン
誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、または
ポリシラン系化合物、ビニルカルバゾール系化合物、チ
オフェン系化合物、アニリン系化合物等の複素環式共役
系のモノマー、オリゴマー、ポリマー等が挙げられる。
ニルポルフィリン、金属ナフタロシアニン、4,4’,
4”−トリメチルトリフェニルアミン、N,N,N’,
N’−テトラキス(p−トリル)p−フェニレンジアミ
ン、N,N,N’,N’−テトラフェニル−4,4’−
ジアミノビフェニル、N−フェニルカルバゾール、4−
ジ−p−トリルアミノスチルベン、ポリ(パラフェニレ
ンビニレン)、ポリ(チオフェンビニレン)、ポリ
(2,2’−チエニルピロール)等が挙げられるがこれ
に限定されるものではない。
電子輸送層、カソード電極等の使用材料に制限はなく、
電子輸送層には、ペリレン誘導体、ビススチリル誘導
体、ピラジン誘導体等の電子輸送性有機物質を用いても
よい。
良く電子を注入するために、電極材料の真空準位からの
仕事関数の小さい金属を用いるのが好ましく、アルミニ
ウム−リチウム合金以外にも、例えば、アルミニウム、
インジウム、マグネシウム、銀、カルシウム、バリウ
ム、リチウム等の低仕事関数金属を単体で、または他の
金属との合金として安定性を高めて使用してもよい。
取り出すため、後述する実施例はアノード電極には透明
電極であるITOを用いたが、効率良くホールを注入す
るために、アノード電極材料の真空準位からの仕事関数
が大きいもの、例えば金、二酸化スズ−アンチモン混合
物、酸化亜鉛−アルミニウム混合物の電極を用いてもよ
い。
勿論、発光材料を選択することによって、R、G、Bの
三色を発光するフルカラー用、又はマルチカラー用の有
機電界発光素子を作製することができる。その他、本発
明はディスプレイ用としてだけでなく、光源用としても
使用可能な有機電界発光素子に適用できると共に、他の
光学的用途にも適用することができる。
マニウム酸化物等で封止を行って大気中の酸素等の影響
を排してもよく、また真空に引いた状態で素子を駆動し
てもよい。
第2の実施の形態による有機EL素子の要部を示す概略
断面図である。
1の素子と比べて、ITO透明電極5上に、ホール輸送
性発光層4bを形成し、ホール輸送性発光層を単層に形
成していることが異なっている。
第3の実施の形態による有機電界発光素子の要部を示す
概略断面図である。
1の素子と比べて、ITO透明電極5上に、ホール輸送
性発光層4aを形成し、上記した第2の実施の形態と同
様にホール輸送性発光層を単層に形成している。
の形態によれば、図1に示した有機電界発光素子におい
て、ホール輸送性発光層4aに代えて、発光はしないが
ホール注入効率の高いホール注入層7をアノード電極5
上に設けると、アノード電極5から効率よくホール輸送
性発光層4bにホールを注入できるために、望ましい素
子構造となる。そのためにはホール注入層7は通常30
0nm以下、好ましくは250nm以下の膜厚であるの
がよい。
は可能であるが、ホール注入層7を設けずに直接アノー
ド電極上にホール輸送性発光層を形成して有機EL素子
を作製した場合は、発光特性が悪く、寿命が短くなり易
いことが判明した。
輸送性発光層4bを有する有機EL素子の高効率化、長
寿命化に効果的であることが明らかになった。
の積層膜でも効果的である。例えばOMB法(organic
molecular beam epitaxy:有機分子線結晶法)やLB法
(ラングミュア−ブロジェット法)を用いて、アノード
電極5上に単分子又は数分子の積層膜を作製した場合で
も、ホール注入層7の材料を選定することにより、駆動
電圧の低下、最高輝度の改善が可能である。
入層7は最高占有分子軌道(HOMO)がアノード電極
5の仕事関数とホール輸送性発光層4bの最高占有分子
軌道(HOMO)との間に存在し、アノード電極5から
効率よくホールをホール輸送性発光層4bに注入できる
材料であることが好ましいが、特にこれに限定するもの
ではない。例えば、ホール注入層7のHOMOがホール
輸送性発光層4bのHOMOよりもエネルギーレベルが
高くてもホールの移動は可能である。
明する。
製造方法に基づいて説明する。まず、30mm×30m
mのガラス基板6に例えば膜厚約100nmのITO透
明電極5を設け、この上に、SiO2 蒸着により2mm
×2mmの発光領域以外をマスクした有機電界発光素子
作製用のセルを作製した。
ール輸送性発光層4aとしてm−MTDATA(4,
4’,4”−tris(3−methylphenylphenylamino)trip
henylamine:図16の構造式のもの)を蒸着速度0.2
〜0.4nm/secで真空蒸着法により真空下で30nm
の厚みに蒸着した。
第2のホール輸送性発光層4bとして、α−NPD(α
−naphtylphenyldiamine:図17の構造式のもの。これ
は図18(A)のα−PPD又は図18(B)のα−T
PDでもよい。)を50nmの厚みに蒸着(蒸着速度
0.2〜0.4nm/sec)して、発光性を有した2層構
造のホール輸送層4を形成した。
す一般式で表されるフェナントロリン誘導体、例えばバ
ソクプロイン(2,9−dimethyl−4,7−diphenyl−
1,10−penanthroline :図4の構造式2で示される
もの)をエキシトン生成促進層(又は生成効率改善層)
33として、15nmの厚み(蒸着速度0.2〜0.4
nm/sec)に蒸着した。
上に、電子輸送層2としてAlq3(8−hydroxy quino
line aluminum:図19の構造式のもの)を20nmの
厚みに蒸着し、カソード電極1としてAl−Li(アル
ミニウム−リチウム合金:Li濃度約1mol%)を約
200nmの厚みに蒸着して、図1に示す青色発光性の
有機EL素子21を作製した。
いて、素子の特性を測定し、その結果を示す。
機EL素子21の分光特性を示すグラフである。即ち、
最大発光波長(吸収ピーク)は約465nmであり、ま
た、CIE色度座標上での座標は(0.16,0.2)であり、
良好な青色発光を呈した。
度500mA/cm2において10000cd/m2 であった。
また、電流密度1mA/cm2の時の発光効率は1.21m
/Wであった。
らなるホール輸送性発光層4b(図1参照)からの発光
であることは明らかであった。
比1/100でパルス駆動したところ、電流密度550
0mA/cm2の時に、直流駆動に換算すると55000cd
/m2、CIE色度座標上での座標は(0.15,0.16)であ
り、色度も改善され、十分に実用に耐えることのできる
高性能で高輝度の青色発光素子を作製することができ
た。
法に基づいて説明する。
0mm×30mmのガラス基板6に例えば膜厚約100
nmのITO透明電極5を設け、この上に、SiO2 蒸
着により2mm×2mmの発光領域以外をマスクした有
機EL素子作製用のセルを作製した。
bとしてα−NPD(α−naphtylphenyl diamine:図
17の構造式のもの。これは、図18(A)のα−PP
D又は図18(B)のα−TPD又は(C)のTPDで
もよい。)を真空蒸着法により真空下で例えば50nm
の厚みに蒸着(蒸着速度0.2〜0.4nm/sec)して
おり、上記した第1の実施例と異なってホール輸送性発
光層を単層に形成した。
ロイン(2,9−dimethyl−4,7−diphenyl−1,1
0−phenanthroline)をエキシトン生成促進層33とし
て20nmの厚み(蒸着速度0.2〜0.4nm/sec)
に蒸着した。
lq3 (8−hydroxy quinoline aluminum:図19の構
造式のもの)を例えば30nmの厚みに蒸着し、カソー
ド電極1としてAl−Li(アルミニウム−リチウム合
金)を約200nmの厚みに蒸着(Li濃度約1mol
%)して、図20に示す有機EL素子22を作製した。
有機EL素子22の分光特性を示すグラフである。
ピーク)は約460nmであり、またCIE色度座標上
での座標は(0.155 ,0.11)であり、良好な青色発光を
呈した。
0mA/cm2での輝度は1400cd/m 2 であった。
らなるホール輸送性発光層4bからの発光であることは
明らかであった。
如く、電圧が5V位までは電流は殆ど流れず、5Vを過
ぎて徐々に流れ始め、6V過ぎから急速に流れ出す。即
ち、低電圧駆動が可能であると共に、しきい値電圧特性
が良好であることを示している。
法に基づいて説明する。
0mm×30mmのガラス基板6に例えば膜厚約100
nmのITO透明電極5を設け、この上に、SiO2 蒸
着により2mm×2mmの発光領域以外をマスクした有
機EL素子作製用のセルを作製した。
aとしてm−MTDATA(4,4’,4”−tris(3
−methylphenylphenylamino)triphenylamine:図16の
構造式のもの)を真空蒸着法により、真空下で50nm
の厚みに蒸着(蒸着速度0.2〜0.4nm/sec)して
おり、上記した第2の実施例と同様にホール輸送性発光
層を単層に形成した。
ロイン(2,9−dimethyl−4,7−diphenyl−1,1
0−phenanthroline)をエキシトン生成促進層33とし
て例えば20nmの厚み(蒸着速度0.2〜0.4nm
/sec)に蒸着した。
lq3 (8−hydroxy quinoline aluminum:図19の構
造式のもの)を30nmの厚みに蒸着し、カソード電極
1としてAl−Li(アルミニウム−リチウム合金)を
約200nmの厚みに蒸着(Li濃度約1mol%)し
て、図21に示す有機EL素子23を作製した。
有機EL素子23の分光特性を示すグラフである。
ピーク)は約500nmであり、またCIE色度座標上
での座標は(0.26,0.47)であり、良好な緑色発光を呈
した。
0mA/cm2での輝度は280cd/m2であった。
TAからなるホール輸送性発光層4aからの発光である
ことは明らかであった。
圧での駆動が可能であり、輝度が良好である。
に基づく各実施例1〜3の有機EL素子は、エキシトン
生成促進層33をホール輸送性発光材料4a及び/又は
4bと電子輸送層2との間に設けることにより、ホール
輸送層でのエキシトン生成が十分となって発光層を兼ね
ることができ、効率の高い安定した発光を得ることがで
きる。
なく、実施例3で示したような緑色発光や、更にはドー
ピングによる赤色発光、ドーピングによる色度の調節も
可能であった。
いても、優れた色度を持つ青色発光を高輝度で得られる
有機EL素子を作製することが可能であることが示さ
れ、材料開発における可能性と時間短縮を実現でき、ま
た、新たな発光材料系及び電子輸送材料の設計指針を示
すことができるものと考えられる。
の一部の層をアノード電極から効率よくホールを注入す
るための層として膜厚に改良を加えたものである。
0mm×30mmのガラス基板6上に例えば膜厚約10
0nmのITO透明電極5を設け、この上に、SiO2
蒸着により2mm×2mmの発光領域以外をマスクした
有機電界発光素子作製用のセルを作製した。
m−MTDATA(4,4’,4”−tris(3−methyl
phenylphenylamino)triphenylamine:図16の構造式の
もの)を真空蒸着法により、真空下で100nmの厚み
に蒸着(蒸着速度0.2〜0.4nm/sec.)し
た。
としてα−NPD(α−naphtyl phenyl diamine:図1
7の構造式のもの)を真空蒸着法により、真空下で30
nmの厚みに蒸着(蒸着速度0.2〜0.4nm/se
c.)して、ホール輸送層4を形成した。
イン(2,9−dimethyl−4,7−diphenyl−1,10
−phenanthroline)をエキシトン生成促進層33として
20nmの厚みに蒸着(蒸着速度0.2〜0.4nm/
sec.)した。
q3 (8−hydroxy quinoline aluminum:図19の構造
式のもの)を30nmの厚みに蒸着し、カソード電極1
としてAl−Li(アルミニウム−リチウム合金)を約
10nmの厚みに蒸着(Li濃度約1mol%)し、更
にこの上にAl(アルミニウム)を200nm、Au
(金)を200nmの厚さからなる2層構造の封止膜と
して蒸着して、有機EL素子21Aを作製した。
1Aの分光特性を示すグラフである。図示の如く、この
実施例の場合、最大発光波長は460nmであり、ま
た、CIE色度座標上での座標は(0.165, 0.160)であ
り、良好な青色発光を呈した。
ホールの輸送が制御され、ホール輸送性発光層4bにお
いてエキシトンが効率よく生成されていることは明らか
である。
ける輝度は1500cd/m2 であった。このような発
光スペクトルの形状からα−NPDからの発光であるこ
とは明らかであった。
素子21Aを気温20℃、相対湿度30%下の大気中で
定電流駆動したところ、駆動後1時間での電圧上昇はな
く、逆に駆動後10分で駆動電圧は駆動開始直後の5割
程度まで低下し、1時間駆動後の駆動電圧は駆動開始直
後の6〜7割であった。
ず、その他は上記と同様の有機EL素子を作製(後述の
実施例もそれぞれと同様に作製)して比較したところ、
ホール注入層が設けられていない構造の有機EL素子で
は、駆動電圧は駆動開始直後から上昇し、気温20℃、
相対湿度30%下の大気中で定電流駆動した場合、1時
間後にはほとんどのサンプルで発光しなくなっていた。
より素子の安定性、寿命に大きな効果があることは明ら
かであった。
mmのガラス基板6上に膜厚約100nmのITO透明
電極5を設け、この上に、SiO2 蒸着により2mm×
2mmの発光領域以外をマスクした有機EL素子作製用
のセルを作製した。
m−MTDATA(4,4’,4”−tris(3−methyl
phenylphenylamino)triphenylamine:図16の構造式の
もの)を真空蒸着法により、真空下で150nmの厚み
に蒸着(蒸着速度0.2〜0.4nm/sec.)し
た。
としてα−NPD(α−naphtyl phenyl diamine:図1
7の構造式のもの)を真空蒸着法により、真空下で30
nmの厚みに蒸着(蒸着速度0.2〜0.4nm/se
c.)して、ホール輸送層4を形成した。
イン(2,9−dimethyl−4,7−diphenyl−1,10
−phenanthroline)をエキシトン生成促進層33として
20nmの厚みに蒸着(蒸着速度0.2〜0.4nm/
sec.)した。
q3 (8−hydroxy quinoline aluminum:図19の構造
式のもの)を30nmの厚みに蒸着し、カソード電極1
としてAl−Liを約10nmの厚みに蒸着(Li濃度
約1mol%)し、更にこの上にAlを200nm、A
uを200nmの厚さからなる2層構造の封止膜として
蒸着して、有機EL素子21Bを作製した。
21Bの分光特性を測定したところ、上記した実施例4
と同様に最大発光波長は460nmであり、また、CI
E色度座標上での座標は(0.160, 0.170)であり、良好
な青色発光を呈した。
ける輝度は1480cd/m2 であった。このような発
光スペクトルの形状からα−NPDからの発光であるこ
とは明らかであった。
素子21Bを気温20℃、相対湿度30%下の大気中で
定電流駆動したところ、駆動後1時間での電圧上昇はな
く、逆に駆動後10分で駆動電圧は駆動開始直後の5割
程度まで低下し、1時間駆動後の駆動電圧は駆動開始直
後の6〜7割であった。
構造の有機EL素子では、駆動電圧は駆動開始直後から
上昇し、気温20℃、相対湿度30%下の大気中で定電
流駆動した場合、1時間後にはほとんどのサンプルで発
光しなくなっていた。
より素子の安定性、寿命に大きな効果があることは明ら
かであった。
mmのガラス基板6上に膜厚約100nmのITO透明
電極5を設け、この上に、SiO2 蒸着により2mm×
2mmの発光領域以外をマスクした有機EL素子作製用
のセルを作製した。
m−MTDATA(4,4’,4”−tris(3−methyl
phenylphenylamino)triphenylamine:図16の構造式の
もの)を真空蒸着法により、真空下で100nmの厚み
に蒸着(蒸着速度0.2〜0.4nm/sec.)し
た。
としてα−NPD(α−naphtyl phenyl diamine:図1
7の構造式のもの)を真空蒸着法により、真空下で50
nmの厚みに蒸着(蒸着速度0.2〜0.4nm/se
c.)して、ホール輸送層4を形成した。
イン(2,9−dimethyl−4,7−diphenyl−1,10
−phenanthroline)をエキシトン生成促進層33として
20nmの厚みに蒸着(蒸着速度0.2〜0.4nm/
sec.)した。
q3 (8−hydroxy quinoline aluminum:図19の構造
式のもの)を30nmの厚みに蒸着し、カソード電極1
としてAl−Liを約10nmの厚みに蒸着(Li濃度
約1mol%)し、更にこの上にAlを200nm、A
uを200nmの厚さからなる2層構造の封止膜として
蒸着して、有機EL素子21Cを作製した。
21Cの分光特性を測定したところ、上記した実施例4
と同様に最大発光波長は460nmであり、また、CI
E色度座標上での座標は(0.160, 0.140)であり、良好
な青色発光を呈した。
ける輝度は1500cd/m2 であった。このような発
光スペクトルの形状からα−NPDからの発光であるこ
とは明らかであった。
素子21Cを気温20℃、相対湿度30%下の大気中で
定電流駆動したところ、駆動後1時間での電圧上昇はな
く、逆に駆動後10分で駆動電圧は駆動開始直後の5割
程度まで低下し、1時間駆動後の駆動電圧は駆動開始直
後の6〜7割であった。
構造の有機EL素子では、駆動電圧は駆動開始直後から
上昇し、気温20℃、相対湿度30%下の大気中で定電
流駆動した場合、1時間後にはほとんどのサンプルで発
光しなくなっていた。
より素子の安定性、寿命に大きな効果があることは明ら
かであった。
mmのガラス基板6上に膜厚約100nmのITO透明
電極5を設け、この上に、SiO2 蒸着により2mm×
2mmの発光領域以外をマスクした有機EL素子作製用
のセルを作製した。
m−MTDATA(4,4’,4”−tris(3−methyl
phenylphenylamino)triphenylamine:図16の構造式の
もの)を真空蒸着法により、真空下で200nmの厚み
に蒸着(蒸着速度0.2〜0.4nm/sec.)し
た。
としてα−NPD(α−naphtyl phenyl diamine:図1
7の構造式のもの)を真空蒸着法により、真空下で50
nmの厚みに蒸着(蒸着速度0.2〜0.4nm/se
c.)して、ホール輸送層4を形成した。
イン(2,9−dimethyl−4,7−diphenyl−1,10
−phenanthroline)をエキシトン生成促進層33として
20nmの厚みに蒸着(蒸着速度0.2〜0.4nm/
sec.)した。
q3 (8−hydroxy quinoline aluminum:図19の構造
式のもの)を30nmの厚みに蒸着し、カソード電極1
としてAl−Liを約10nmの厚みに蒸着(Li濃度
約1mol%)し、更にこの上にAlを200nm、A
uを200nmの厚さからなる2層構造の封止膜として
蒸着して、有機EL素子21Dを作製した。
21Dの分光特性を測定したところ、上記した実施例4
と同様に最大発光波長は460nmであり、また、CI
E色度座標上での座標は(0.160, 0.190)であり、良好
な青色発光を呈した。
ける輝度は1000cd/m2 であった。このような発
光スペクトルの形状からα−NPDからの発光であるこ
とは明らかであった。
素子21Dを気温20℃、相対湿度30%下の大気中で
定電流駆動したところ、駆動後1時間での電圧上昇はな
く、逆に駆動後10分で駆動電圧は駆動開始直後の5割
程度まで低下し、1時間駆動後の駆動電圧は駆動開始直
後の6〜7割であった。
構造の有機EL素子では、駆動電圧は駆動開始直後から
上昇し、気温20℃、相対湿度30%下の大気中で定電
流駆動した場合、1時間後にはほとんどのサンプルで発
光しなくなっていた。
より素子の安定性、寿命に大きな効果があることは明ら
かであった。
mmのガラス基板6上に膜厚約100nmのITO透明
電極5を設け、この上に、SiO2 蒸着により2mm×
2mmの発光領域以外をマスクした有機EL素子作製用
のセルを作製した。
m−MTDATA(4,4’,4”−tris(3−methyl
phenylphenylamino)triphenylamine:図16の構造式の
もの)を真空蒸着法により、真空下で250nmの厚み
に蒸着(蒸着速度0.2〜0.4nm/sec.)し
た。
としてα−NPD(α−naphtyl phenyl diamine:図1
7の構造式のもの)を真空蒸着法により、真空下で50
nmの厚みに蒸着(蒸着速度0.2〜0.4nm/se
c.)して、ホール輸送層4を形成した。
イン(2,9−dimethyl−4,7−diphenyl−1,10
−phenanthroline)をエキシトン生成促進層33として
20nmの厚みに蒸着(蒸着速度0.2〜0.4nm/
sec.)した。
q3 (8−hydroxy quinoline aluminum:図19の構造
式のもの)を30nmの厚みに蒸着し、カソード電極1
としてAl−Liを約10nmの厚みに蒸着(Li濃度
約1mol%)し、更にこの上にAlを200nm、A
uを200nmの厚さからなる2層構造の封止膜として
蒸着して、有機EL素子21Eを作製した。
21Eの分光特性を測定したところ、上記した実施例4
と同様に最大発光波長は460nmであり、また、CI
E色度座標上での座標は(0.163, 0.200)であり、良好
な青色発光を呈した。
ける輝度は900cd/m2 であった。このような発光
スペクトルの形状からα−NPDからの発光であること
は明らかであった。
素子21Eを気温20℃、相対湿度30%下の大気中で
定電流駆動したところ、駆動後1時間での電圧上昇はな
く、逆に駆動後10分で駆動電圧は駆動開始直後の7割
程度まで低下し、1時間駆動後の駆動電圧は駆動開始直
後の7〜8割であり、電圧上昇は殆んどなかった。
構造の有機EL素子では、駆動電圧は駆動開始直後から
上昇し、気温20℃、相対湿度30%下の大気中で定電
流駆動した場合、1時間後にはほとんどのサンプルで発
光しなくなっていた。
より素子の安定性、寿命に大きな効果があることは明ら
かであった。
mmのガラス基板6上に膜厚約100nmのITO透明
電極5を設け、この上に、SiO2 蒸着により2mm×
2mmの発光領域以外をマスクした有機EL素子作製用
のセルを作製した。
m−MTDATA(4,4’,4”−tris(3−methyl
phenylphenylamino)triphenylamine:図16の構造式の
もの)を真空蒸着法により、真空下で300nmの厚み
に蒸着(蒸着速度0.2〜0.4nm/sec.)し
た。
としてα−NPD(α−naphtyl phenyl diamine:図1
7の構造式のもの)を真空蒸着法により、真空下で30
nmの厚みに蒸着(蒸着速度0.2〜0.4nm/se
c.)して、ホール輸送層4を形成した。
イン(2,9−dimethyl−4,7−diphenyl−1,10
−phenanthroline)をエキシトン生成促進層33として
20nmの厚みに蒸着(蒸着速度0.2〜0.4nm/
sec.)した。
q3 (8−hydroxy quinoline aluminum:図19の構造
式のもの)を30nmの厚みに蒸着し、カソード電極1
としてAl−Liを約10nmの厚みに蒸着(Li濃度
約1mol%)し、更にこの上にAlを200nm、A
uを200nmの厚さからなる2層構造の封止膜として
蒸着して、有機EL素子21Fを作製した。
21Fの分光特性を測定したところ、図31で示す分光
特性グラフの如く、発光波長は460nm〜500nm
近辺でブロードであり、この発光スペクトルの形状か
ら、α−NPDからの発光と、m−MTDATAとの両
方の発光の合成スペクトルであることは明らかであっ
た。
が、発光層であるホール輸送性発光層4bのα−NPD
層中からホール注入層7であるm−MTDATA層近く
にシフトしたことを示している。従って、青色発光に対
しては、ホール注入層7を300nmの厚さにすること
により発光は可能であったが、色度が悪くなり、発光効
率も低下し易いので、300nm以下の膜厚が好ましい
と考えられる。
mmのガラス基板6上に膜厚約100nmのITO透明
電極5を設け、この上に、SiO2 蒸着により2mm×
2mmの発光領域以外をマスクした有機EL素子作製用
のセルを作製した。
α−NPD(α−naphtyl phenyl diamine:図17の構
造式のもの)を真空蒸着法により、真空下で100nm
の厚みに蒸着(蒸着速度0.2〜0.4nm/se
c.)した。
としてTPD(N,N’−diphenyl−N,N’−bis(3
−methylphenyl)−1,1’−biphenyl−4,4’−di
amine :図18(C)の構造式のもの)を真空蒸着法に
より、真空下で50nmの厚みに蒸着(蒸着速度0.2
〜0.4nm/sec.)して、ホール輸送層4を形成
した。
イン(2,9−dimethyl−4,7−diphenyl−1,10
−phenanthroline)をエキシトン生成促進層33として
20nmの厚みに蒸着(蒸着速度0.2〜0.4nm/
sec.)した。
q3 (8−hydroxy quinoline aluminum:図19の構造
式のもの)を30nmの厚みに蒸着し、カソード電極1
としてAl−Liを約10nmの厚みに蒸着(Li濃度
約1mol%)し、更にこの上にAlを200nm、A
uを200nmの厚さからなる2層構造の封止膜として
蒸着して、有機EL素子21Gを作製した。
21Gの分光特性を測定したところ、最大発光波長は4
20nmであり、青色発光を呈した。
る輝度は110cd/m2 であった。このような発光ス
ペクトルの形状からTPDからの発光であることは明ら
かであった。
素子21Gを気温20℃、相対湿度30%下の大気中で
定電流駆動したところ、駆動後1時間での電圧上昇はな
く、逆に駆動後10分で駆動電圧は駆動開始直後の7割
程度まで低下し、1時間駆動後の駆動電圧は駆動開始直
後の8〜9割であった。
構造の有機EL素子では、駆動電圧は駆動開始直後から
上昇し、気温20℃、相対湿度30%下の大気中で定電
流駆動した場合は30分後にはほとんどのサンプルで発
光しなくなっていた。
より素子の安定性、寿命に大きな効果があることは明ら
かであった。
mmのガラス基板6上にITO透明電極5(膜厚約10
0nm)を設けたITO基板上に、SiO2 蒸着により
2mm×2mmの発光領域以外をマスクした有機電界発
光素子作製用のセルを作製した。
−MTDATA(4,4’,4”−tris(3−methylph
enylphenylamino)triphenylamine:図16の構造式のも
の)を真空蒸着法により、真空下で50nmの厚みに蒸
着した(蒸着速度0.2〜0.4nm/sec.)。
としてα−NPD(α−naphtyl phenyl diamine:図1
7の構造式のもの)を真空蒸着法により、真空下で50
nmの厚みに蒸着(蒸着速度0.2〜0.4nm/se
c.)して、ホール輸送層4を形成した。
(4,7−diphenyl−1,10−phenanthroline:図3
の構造式のもの)をエキシトン生成促進層33として2
0nmの厚みに蒸着(蒸着速度0.2〜0.4nm/s
ec.)した。
q3 (8−hydroxy quinoline aluminum:図19の構造
式のもの)を30nmの厚みに蒸着し、カソード電極1
としてAl−Liを約10nmの厚みに蒸着(Li濃度
約1mol%)し、更にこの上にAlを200nm、A
uを200nmの厚さからなる2層構造のカソード封止
膜を蒸着して、有機電界発光素子21Hを作製した。
発光素子21Hの特性を測定したところ、最大発光波長
は460nm、CIE色度座標上での座標は(0.16,0.
19)であり、青色発光を呈した。
輝度は800cd/m2 であった。発光スペクトルの形
状はα−NPDからの発光であり、バソクプロインを用
いた上述の例と同じであった。
発光素子21Hを気温20℃、相対湿度30%下の大気
中で定電流駆動したところ、駆動後1時間での電圧上昇
は0.1〜0.3Vであり、多少電圧は上昇したが、ホ
ール注入層を持たない素子と比較すれば電圧上昇は小さ
かった。ホール注入層を持たない構造の有機電界青色発
光素子では、駆動電圧は駆動開始直後から上昇し、気温
20℃、相対湿度30%下の大気中で定電流駆動した場
合は、1時間後には殆んどのサンプルで発光しなくなっ
ていた。図32には、本実施例の素子の電圧−輝度特性
を示すが、低電圧駆動が可能である。
より、素子の安定性、寿命に対して大きな効果があるこ
とは明らかであった。
mmのガラス基板6上にITO透明電極5(膜厚約10
0nm)を設けたITO基板上に、SiO2 蒸着により
2mm×2mmの発光領域以外をマスクした有機電界発
光素子作製用のセルを作製した。
−MTDATA(4,4’,4”−tris(3−methylph
enylphenylamino)triphenylamine:図16の構造式のも
の)を真空蒸着法により、真空下で150nmの厚みに
蒸着した(蒸着速度0.2〜0.4nm/sec.)。
としてα−NPD(α−naphtyl phenyl diamine:図1
7の構造式のもの)を真空蒸着法により、真空下で50
nmの厚みに蒸着(蒸着速度0.2〜0.4nm/se
c.)して、ホール輸送層4を形成した。
(4,7−diphenyl−1,10−phenanthroline:図3
の構造式のもの)をエキシトン生成促進層33として2
0nmの厚みに蒸着(蒸着速度0.2〜0.4nm/s
ec.)した。
q3 (8−hydroxy quinoline aluminum:図19の構造
式のもの)を30nmの厚みに蒸着し、カソード電極1
としてAl−Liを約10nmの厚みに蒸着(Li濃度
約1mol%)し、更にこの上にAlを200nm、A
uを200nmの厚さからなる2層構造のカソード封止
膜を蒸着して、有機電界発光素子21Iを作製した。
発光素子21Iの特性を測定したところ、最大発光波長
は460nm、CIE色度座標上での座標は(0.18,0.
20)であり、青色発光を呈した。
輝度は750cd/m2 であった。発光スペクトルの形
状はα−NPDからの発光であり、バソクプロインを用
いた上述の例と同じであった。
発光素子21Iを気温20℃、相対湿度30%下の大気
中で定電流駆動したところ、駆動後1時間での電圧上昇
は0.1〜0.2Vであり、多少電圧は上昇したが、ホ
ール注入層を持たない素子と比較すれば電圧上昇は小さ
かった。ホール注入層を持たない構造の有機電界青色発
光素子では、駆動電圧は駆動開始直後から上昇し、気温
20℃、相対湿度30%下の大気中で定電流駆動した場
合は、1時間後には殆んどのサンプルで発光しなくなっ
ていた。
より、素子の安定性、寿命に対して大きな効果があるこ
とは明らかであった。
mmのガラス基板6上にITO透明電極5(膜厚約10
0nm)を設けたITO基板上に、SiO2 蒸着により
2mm×2mmの発光領域以外をマスクした有機電界発
光素子作製用のセルを作製した。
−MTDATA(4,4’,4”−tris(3−methylph
enylphenylamino)triphenylamine:図16の構造式のも
の)を真空蒸着法により、真空下で300nmの厚みに
蒸着した(蒸着速度0.2〜0.4nm/sec.)。
としてα−NPD(α−naphtyl phenyl diamine:図1
7の構造式のもの)を真空蒸着法により、真空下で50
nmの厚みに蒸着(蒸着速度0.2〜0.4nm/se
c.)して、ホール輸送層4を形成した。
(4,7−diphenyl−1,10−phenanthroline:図3
の構造式のもの)をエキシトン生成促進層33として2
0nmの厚みに蒸着(蒸着速度0.2〜0.4nm/s
ec.)した。
q3 (8−hydroxy quinoline aluminum:図19の構造
式のもの)を30nmの厚みに蒸着し、カソード電極1
としてAl−Liを約10nmの厚みに蒸着(Li濃度
約1mol%)し、更にこの上にAlを200nm、A
uを200nmの厚さからなる2層構造のカソード封止
膜を蒸着して、有機電界発光素子21Jを作製した。
発光素子21Jの特性を測定したところ、発光波長は4
60nm〜500nm近辺でブロードであり、発光スペ
クトルの形状はα−NPDからの発光と、m−MTDA
TAからの発光との両方の発光の合成スペクトルである
ことは明らかであった。
が、発光層であるホール輸送性発光層4bのα−NPD
層中からホール注入層7であるm−MTDATA層近く
にシフトしたことを示している。従って、青色発光に対
しては、ホール注入層7を300nmの厚さにすること
で発光は可能であったが、色度が悪くなり、発光効率も
低下し易いので、300nm以下の膜厚が好ましいと考
えられる。
生成促進層の材料としては、図5〜図10に示した各フ
ェナントロリン誘導体も用いることができる。
において電子−正孔の再結合によるエキシトンの生成を
促進するためのエキシトン生成促進層が、前記発光領域
に積層されているので、正孔の移動を制御して発光領域
でのエキシトンを効率よく生成し、低電圧での駆動が可
能となり、高輝度で高効率の安定した特定波長(特に青
色)の発光が可能な電界発光素子を提供することができ
る。また、所定厚のホール注入層を設ければ、色度が良
くなり、高輝度、高発光効率の素子の安定性、長寿命化
にとって効果が大きくなる。
有機EL素子の要部の概略断面図である。
ロリン誘導体の一般式を示す図である。
ロリン誘導体の構造式1を示す図である。
ロリン誘導体の構造式2を示す図である。
ロリン誘導体の構造式3を示す図である。
ロリン誘導体の構造式4を示す図である。
ロリン誘導体の構造式5を示す図である。
ロリン誘導体の構造式6を示す図である。
ロリン誘導体の構造式7を示す図である。
トロリン誘導体の構造式8を示す図である。
トロリン誘導体の構造式9を示す図である。
トロリン誘導体の構造式10を示す図である。
式的に示したバンドモデル図である。
図である。
ある。
ル輸送性発光材料)の構造式を示す図である。
性発光材料)の構造式を示す図である。
し、(A)はα−PPDの構造式、(B)はα−TPD
の構造式、(C)はTPDの構造式を示す図である。
料)の構造式を示す図である。
概略断面図である。
概略断面図である。
性を示すグラフである。
輝度特性を示すグラフである。
性を示すグラフである。
輝度特性を示すグラフである。
輝度特性を示すグラフである。
性を示すグラフである。
輝度特性を示すグラフである。
輝度特性を示すグラフである。
性を示すグラフである。
性を示すグラフである。
すグラフである。
である。
である。
ある。
ル輸送層、4a、4b…ホール輸送性発光層、5…IT
O透明電極(アノード)、6…ガラス基板、7…ホール
注入層、10、20、21、21A、21B、21C、
21D、21E、21F、21G、21H、21I、2
1J、22、23…有機EL素子、33…エキシトン生
成促進層、e…電子、h…ホール
Claims (12)
- 【請求項1】 発光領域において電子−正孔の再結合に
よるエキシトンの生成を促進するためのエキシトン生成
促進層が、前記発光領域に積層されている電界発光素
子。 - 【請求項2】 前記発光領域が主として有機ホール輸送
層であり、このホール輸送層に隣接して有機エキシトン
生成促進層が前記エキシントン生成促進層として積層さ
れている、請求項1に記載した電界発光素子。 - 【請求項3】 前記エキシトン生成促進層がホール輸送
層と電子輸送層との間に設けられている、請求項1に記
載した電界発光素子。 - 【請求項4】 前記エキシトン生成促進層の最高占有分
子軌道レベルが、前記ホール輸送層及び前記電子輸送層
のそれぞれの最高占有分子軌道レベルのうちエネルギー
的に低い方の最高占有分子軌道レベル以下にある、請求
項3に記載した電界発光素子。 - 【請求項5】 前記エキシトン生成促進層の最低非占有
分子軌道レベルが、前記ホール輸送層及び前記電子輸送
層のそれぞれの最低非占有分子軌道レベルのうちエネル
ギー的に低い方の最低非占有分子軌道レベル以上にあ
り、かつエネルギー的に高い方の最低非占有分子軌道レ
ベル以下にある、請求項3に記載した電界発光素子。 - 【請求項6】 前記エキシトン生成促進層が蛍光収率の
低い非発光性材料からなる、請求項1に記載した電界発
光素子。 - 【請求項7】 前記発光領域が短波長発光用のホール輸
送性材料からなり、前記エキシトン生成促進層がフェナ
ントロリン誘導体からなっている、請求項1に記載した
電界発光素子。 - 【請求項8】 光学的に透明な基体上に、透明電極、有
機ホール輸送層、有機エキシトン生成促進層、有機電子
輸送層、及び金属電極が順次積層されている、請求項1
に記載した電界発光素子。 - 【請求項9】 前記透明電極と前記有機ホール輸送層と
の間にホール注入層が設けられている、請求項8に記載
した電界発光素子。 - 【請求項10】 前記ホール注入層の膜厚が250nm
以下に形成されている、請求項9に記載した電界発光素
子。 - 【請求項11】 有機電界発光素子として構成されてい
る、請求項8に記載した電界発光素子。 - 【請求項12】 カラーディスプレイ用の素子として構
成されている、請求項11に記載した電界発光素子。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12696197A JPH1079297A (ja) | 1996-07-09 | 1997-05-16 | 電界発光素子 |
US08/889,179 US6010796A (en) | 1996-07-09 | 1997-07-07 | Electroluminescent device |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19978996 | 1996-07-09 | ||
JP8-199789 | 1996-07-09 | ||
JP12696197A JPH1079297A (ja) | 1996-07-09 | 1997-05-16 | 電界発光素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1079297A true JPH1079297A (ja) | 1998-03-24 |
Family
ID=26463029
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12696197A Pending JPH1079297A (ja) | 1996-07-09 | 1997-05-16 | 電界発光素子 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6010796A (ja) |
JP (1) | JPH1079297A (ja) |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060526 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060602 |
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A521 | Request for written amendment filed |
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RD13 | Notification of appointment of power of sub attorney |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A02 | Decision of refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081128 |
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A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
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