JP2000021572A

JP2000021572A - 有機電界発光素子

Info

Publication number: JP2000021572A
Application number: JP10190177A
Authority: JP
Inventors: Yoshiharu Sato; 佳晴佐藤; Tomoyuki Ogata; 朋行緒方; Akiko Ichinosawa; 晶子市野澤
Original assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Current assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Priority date: 1998-07-06
Filing date: 1998-07-06
Publication date: 2000-01-21
Anticipated expiration: 2018-07-06
Also published as: JP4003299B2

Abstract

(57)【要約】【課題】優れた発光効率や、高輝度を長期間に亘って
維持できるため素子の保存安定性が良く、特に青色発光
素子においては、色純度にも優れた素子を得ることが出
来る。【解決手段】発光層に、Ｎ−フェニルカルバゾール置
換基を有するジアミン化合物をホスト材料として含有す
る有機電界発光素子。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は有機電界発光素子に
関するものであり、詳しくは、有機化合物から成る発光
層に電界をかけて光を放出する薄膜型デバイスに関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、薄膜型の電界発光（ＥＬ）素子と
しては、無機材料のII−VI族化合物半導体であるＺｎ
Ｓ、ＣａＳ、ＳｒＳ等に、発光中心であるＭｎや希土類
元素（Ｅｕ、Ｃｅ、Ｔｂ、Ｓｍ等）をドープしたものが
一般的であるが、上記の無機材料から作製したＥＬ素子
は、１）交流駆動が必要（５０〜１０００Ｈｚ）、２）駆動電圧が高い（〜２００Ｖ）、３）フルカラー化が困難（特に青色）、４）周辺駆動回路のコストが高い、という問題点を有している。

【０００３】しかし、近年、上記問題点の改良のため、
有機薄膜を用いたＥＬ素子の開発が行われるようになっ
た。特に、発光効率を高めるため、電極からのキャリア
ー注入の効率向上を目的として電極の種類の最適化を行
い、芳香族ジアミンから成る正孔輸送層と８−ヒドロキ
シキノリンのアルミニウム錯体から成る発光層とを設け
た有機電界発光素子の開発（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅ
ｔｔ．，５１巻，９１３頁，１９８７年）により、従来
のアントラセン等の単結晶を用いたＥＬ素子と比較して
発光効率の大幅な改善がなされている。また、例えば、
８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体をホスト材
料として、クマリン等のレーザ用蛍光色素をドープする
こと（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，６５巻，３６１０
頁，１９８９年）で、発光効率の向上や発光波長の変換
等も行われている。

【０００４】上記の様な低分子材料を用いた電界発光素
子の他にも、発光層の材料として、ポリ（ｐ−フェニレ
ンビニレン）、ポリ［２−メトキシ−５−（２−エチル
ヘキシルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン］、ポ
リ（３−アルキルチオフェン）等の高分子材料を用いた
電界発光素子の開発や、ポリビニルカルバゾール等の高
分子に低分子の発光材料と電子移動材料を混合した素子
の開発も行われている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】有機電界発光素子をフ
ラットパネル・ディスプレイ等の表示素子に応用するた
めには、素子の信頼性を十分に確保する必要がある。し
かしながら、従来の有機電界発光素子では耐熱性が不十
分であり、素子の環境温度やプロセス温度の上昇により
電流−電圧特性が高電圧側にシフトしたり、素子駆動時
の局所的なジュール発熱により寿命が低下したり、非発
光部分（ダークスポット）の発生及び増加等の劣化が避
けられなかった。また、青色発光素子に関しては、８−
ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体を用いた緑色発
光素子と比較して、さらに素子の安定性が劣っているの
が現状である。

【０００６】上記の素子劣化の主原因は、有機層の薄膜
形状の劣化である。この薄膜形状の劣化は、素子駆動時
の発熱等による有機非晶質薄膜の結晶化（または凝集）
等に起因すると考えられている。この耐熱性の低さは材
料のガラス転移温度（以下Ｔｇと略す）の低さに由来す
ると考えられる。Ｔｇは一般的に融点と直線相関があ
る。また、青色発光素子に関しては、パイ電子共役を拡
げられないとい制約から、発光層に用いられる化合物に
は、分子量が小さく融点及びＴｇが低いものが多い。ま
た、化学的にも十分安定とは言えないのが現状である。

【０００７】これまで、青色有機電界発光素子に用いら
れた化合物としては、アントラセン、テトラフェニルブ
タジエン、ペンタフェニルシクロペンタジエン、ジスチ
リルベンゼン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アゾメ
チン亜鉛錯体、ベンズアゾール金属錯体（特開平８−８
１４７２号公報）、混合配位子型アルミニウム錯体
（Ｊ．ＳＩＤ，５巻，１１頁，１９９７年）、Ｎ，Ｎ’
−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−（３−メチルフェニル）−
１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、ポリビニ
ルカルバゾール、１，２，４−トリアゾール誘導体、ア
ミノピレン二量体、ジスチリルビフェニル誘導体（Ａｐ
ｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６７巻，３８５３頁，１
９９５年）、シロール誘導体等が報告されている。上記
の青色発光材料のなかで、素子特性がよく検討されてい
る代表的化合物を以下に示す：

【０００８】

【化４】

【０００９】

【化５】

【００１０】

【化６】

【００１１】ジスチリルビフェニル誘導体（Ｂ−１）
は、蛍光強度が強く素子に用いた時にもエキサイプレッ
クスを形成せず、青色発光が報告されているが（Ａｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６７巻，３８５３頁，１９
９５年）、薄膜状態でのイオン化ポテンシャルが５．９
ｅＶと高く、正孔輸送層から正孔が注入しにくく、ま
た、ＥＬスペクトルでは４８０ｎｍ付近に発光極大を有
するブロードなピークを示し、青色の色純度がよくない
とう問題がある。この色純度はドーピングを行っても改
善されていない。

【００１２】ビス（２−メチル−８−キノリノラト）
（ｐ−フェニルフェノラト）アルミニウム錯体（Ｂ−
２）も青色の色純度が不十分で、ペリレンをドープする
ことで色純度は改善されるものの、駆動時の安定性が実
用レベルには達していない（特開平５−１９８３７７号
公報）。芳香族ジアミンであるＮ，Ｎ’−ジフェニル−
Ｎ，Ｎ’−（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェ
ニル−４，４’−ジアミン（通常ＴＰＤと呼ばれる）
（Ｂ−３）は、正孔阻止層としてのトリアゾール誘導体
と組み合わせた時に４６４ｎｍに発光ピークを有するＥ
Ｌスペクトルを示すが（Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．，３２巻，Ｌ９１７頁，１９９３年）、ＴＰＤのＴ
ｇは６３℃と低いために結晶化等の熱的不安定性を有す
る。

【００１３】上述の理由から、有機電界発光素子は実用
化に向けて、素子の耐熱性さらには青色発光の色純度に
大きな問題を抱えているのが実状である。有機電界発光
素子の耐熱性と駆動特性が不安定で、青色純度が改善さ
れないことは、フルカラー化を目指すフラットパネル・
ディスプレイ等の表示素子として望ましくない特性であ
る。

【００１４】本発明者は上記実状に鑑み、高い耐熱性を
有し、さらには、色純度のよい青色発光を示す有機電界
発光素子を提供することを目的として鋭意検討した結
果、有機電界発光素子に特定の化合物を用いることで、
上記課題を解決することができることを見い出し、本発
明を完成するに至った。

【００１５】

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明の要旨
は、基板上に、陽極及び陰極により挟持された発光層を
少なくとも含む有機電界発光素子であって、該発光層が
下記一般式（Ｉ）で表わされる化合物を含有することを
特徴とする有機電界発光素子に存する。

【００１６】

【化７】

【００１７】（式中、Ａｒ¹及びＡｒ²は、各々独立し
て、置換基を有していてもよい２価の芳香族炭化水素環
基または芳香族複素環基を示し、Ｒ¹〜Ｒ⁴は各々独立
に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル
基、アルケニル基、アリル基、シアノ基、アミノ基、ア
シル基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ア
ルコキシ基、アルキルスルホニル基、水酸基、アミド
基、アリールオキシ基、芳香族炭化水素環基または芳香
族複素環基を表わし、これらは更に置換されていてもよ
い。Ｘは２価の連結基を示し、直接結合、または以下の
連結基から選ばれる。）

【００１８】

【化８】

【００１９】（式中、Ｙはまたは、上記Ｒ¹〜Ｒ⁴が取
りうる基として挙げたものか、下記一般式（II）で表わ
される置換基を示す。Ａｒ³は下記一般式（II）で表さ
れる。）

【００２０】

【化９】

【００２１】（式中、Ｒ⁵〜Ｒ⁸は各々独立に、上記Ｒ
¹〜Ｒ⁴が取りうる基として挙げたもののいずれかを表
わす。）尚、本発明者らは既に、上記一般式（Ｉ）で表される化
合物は、有機発光層と陰極との間に設ける界面層（特開
平８−６０１４４）、および正孔輸送層（特願平９−１
３０７９７）に好適に使用出来ることを見いだしている
が、今般、発光層に使用した場合先に記したような顕著
な効果が得られることを見いだし、本発明に至った。

【００２２】

【発明の実施の形態】本発明においては、高融点を有す
る化合物を発光層として用いることで、素子の耐熱性を
改善すると同時に青色発光を可能とした。前記一般式
（Ｉ）で表わされる化合物は、パイ電子共役系の拡がり
を抑えて青色領域での強い蛍光発光を可能とし、同時
に、剛直な平面構造を導入することにより二量体形成に
よる濃度消光を抑制し、さらには、高い融点、従って、
高いＴｇを有し、安定な青色純度の高い発光素子の作製
を可能とした。

【００２３】以下、本発明の有機電界発光素子につい
て、図面を参照しながら説明する。図１は本発明に用い
られる一般的な有機電界発光素子の構造例を模式的に示
す断面図であり、１は基板、２は陽極、４は正孔輸送
層、５は発光層、７は電子輸送層、８は陰極を各々表わ
す。

【００２４】基板１は有機電界発光素子の支持体となる
ものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラ
スチックフィルムやシートなどが用いられる。特にガラ
ス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカー
ボネート、ポリスルホンなどの透明な合成樹脂の板が好
ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性
に留意する必要がある。基板のガスバリヤ性が小さすぎ
ると、基板を通過した外気により有機電界発光素子が劣
化することがあるので好ましくない。このため、合成樹
脂基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設
けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つ
である。

【００２５】基板１上には陽極２が設けられるが、陽極
２は正孔輸送層への正孔注入の役割を果たすものであ
る。この陽極は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケ
ル、パラジウム、白金等の金属、インジウム及び／また
はスズの酸化物などの金属酸化物、ヨウ化銅などのハロ
ゲン化金属、カーボンブラック、あるいは、ポリ（３−
メチルチオフェン）、ポリピロール、ポリアニリン等の
導電性高分子などにより構成される。陽極２の形成は通
常、スパッタリング法、真空蒸着法などにより行われる
ことが多い。また、銀などの金属微粒子、ヨウ化銅など
の微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒
子、導電性高分子微粉末などの場合には、適当なバイン
ダー樹脂溶液に分散し、基板１上に塗布することにより
陽極２を形成することもできる。さらに、導電性高分子
の場合は電解重合により直接基板１上に薄膜を形成した
り、基板１上に導電性高分子を塗布して陽極２を形成す
ることもできる（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６
０巻，２７１１頁，１９９２年）。陽極２は異なる物質
で積層して形成することも可能である。陽極２の厚み
は、必要とする透明性により異なる。透明性が必要とさ
れる場合は、可視光の透過率を、通常、60％以上、好ま
しくは80％以上とすることが望ましく、この場合、厚み
は、通常、５〜１０００ｎｍ、好ましくは１０〜５００
ｎｍ程度である。不透明でよい場合は陽極２は基板１と
同一でもよい。また、さらには上記の陽極２の上に異な
る導電材料を積層することも可能である。

【００２６】陽極２の上には正孔輸送層４が設けられ
る。正孔輸送層の材料に要求される条件としては、陽極
からの正孔注入効率が高く、かつ、注入された正孔を効
率よく輸送することができる材料であることが必要であ
る。そのためには、イオン化ポテンシャルが小さく、可
視光の光に対して透明性が高く、しかも正孔移動度が大
きく、さらに安定性に優れ、トラップとなる不純物が製
造時や使用時に発生しにくいことが要求される。上記の
一般的要求以外に、車載表示用の応用を考えた場合、素
子にはさらに耐熱性が要求される。従って、Ｔｇとして
８５℃以上の値を有する材料が望ましい。

【００２７】このような正孔輸送材料としては、例え
ば、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニ
ル）シクロヘキサン、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフ
チル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニルで代表される
２個以上の３級アミンを含み２個以上の縮合芳香族環が
窒素原子に置換した芳香族アミン（特開平５−２３４６
８１号公報）、トリフェニルベンゼンの誘導体でスター
バースト構造を有する芳香族トリアミン（米国特許第
４，９２３，７７４号）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，
Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）ビフェニル−４，
４’−ジアミン等、ピレニル基に芳香族ジアミノ基が複
数個置換した化合物、スチリル構造を有する芳香族ジア
ミン（特開平４−２９０８５１号公報）、チオフェン基
で芳香族３級アミンユニットを連結したもの（特開平４
−３０４４６６号公報）、スターバースト型芳香族トリ
アミン（特開平４−３０８６８８号公報）、フルオレン
基で３級アミンを連結したもの（特開平５−２５４７３
号公報）、トリアミン化合物（特開平５−２３９４５５
号公報）、ビスジピリジルアミノビフェニル、Ｎ，Ｎ，
Ｎ−トリフェニルアミン誘導体（特開平６−１９７２号
公報）、フェノキサジン構造を有する芳香族ジアミン
（特開平７−１３８５６２号公報）、ジアミノフェニル
フェナントリジン誘導体（特開平７−２５２４７４号公
報）、シラザン化合物（米国特許第４，９５０，９５０
号公報）、シラナミン誘導体（特開平６−４９０７９号
公報）、ホスファミン誘導体（特開平６−２５６５９号
公報）等が挙げられる。これらの化合物は、単独で用い
てもよいし、必要に応じて、各々、混合して用いてもよ
い。

【００２８】上記の化合物以外に、正孔輸送層４の材料
として、ポリビニルカルバゾールやポリシラン、ポリフ
ォスファゼン（特開平５−３１０９４９号公報）、ポリ
アミド（特開平５−３１０９４９号公報）、ポリビニル
トリフェニルアミン（特開平７−５３９５３号公報）、
トリフェニルアミン骨格を有する高分子（特開平４−１
３３０６５号公報）、芳香族アミンを含有するポリメタ
クリレート等の高分子材料が挙げられる。

【００２９】上記の正孔輸送材料を塗布法あるいは真空
蒸着法により前記陽極２上に積層することにより正孔輸
送層４を形成する。塗布法の場合は、正孔輸送材料を１
種または２種以上と、必要により正孔のトラップになら
ないバインダー樹脂や塗布性改良剤などの添加剤とを添
加し、溶解して塗布溶液を調製し、スピンコート法など
の方法により陽極２上に塗布し、乾燥して正孔輸送層３
ｂを形成する。バインダー樹脂としては、ポリカーボネ
ート、ポリアリレート、ポリエステル等が挙げられる。
バインダー樹脂は添加量が多いと正孔移動度を低下させ
るので、少ない方が望ましく、通常、５０重量％以下が
好ましい。

【００３０】真空蒸着法の場合には、正孔輸送材料を真
空容器内に設置されたルツボに入れ、真空容器内を適当
な真空ポンプで１０^-4Ｐａ程度にまで排気した後、ルツ
ボを加熱して、正孔輸送材料を蒸発させ、ルツボと向き
合って置かれた、陽極が形成された基板１上に正孔輸送
層４を形成させる。正孔輸送層４の膜厚は、通常、１０
〜３００ｎｍ、好ましくは３０〜１００ｎｍである。こ
の様に薄い膜を一様に形成するためには、一般に真空蒸
着法がよく用いられる。

【００３１】正孔輸送層４の上に発光層５が形成され
る。本発明の有機電界発光素子は、発光層として前記一
般式（Ｉ）で表わされる化合物を含有することを特徴と
する。前記一般式（Ｉ）において、Ａｒ¹及びＡｒ
²は、好ましくは、各々独立して置換基を有していても
よい２価のフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、ア
ントリル基、フェナントリル基、ピレニル基、ピリジル
基、トリアジル基、ピラジル基、キノキサリル基、チエ
ニル基を示し、前記置換基としてはハロゲン原子；メチ
ル基、エチル基等の炭素数１〜６のアルキル基；ビニル
基等のアルケニル基；メトキシカルボニル基、エトキシ
カルボニル基等の炭素数１〜６のアルコキシカルボニル
基；メトキシ基、エトキシ基等の炭素数１〜６のアルコ
キシ基；フェノキシ基、ベンジルオキシ基などのアリー
ルオキシ基；ジエチルアミノ基、ジイソプロピルアミノ
基等のジアルキルアミノ基を示す。前記置換基として
は、特に好ましくは、メチル基、フェニル基、メトキシ
基が挙げられる。

【００３２】前記一般式（Ｉ）において、Ｒ¹〜Ｒ
⁴は、好ましくは、各々独立して水素原子；フッ素原子
等のハロゲン原子；メチル基、エチル基等の炭素数１〜
６のアルキル基またはトリフルオロメチル基等の炭素数
１〜６のα−ハロアルキル基；シクロヘキシル基；ベン
ジル基、フェネチル基等のアラルキル基；ビニル基等の
アルケニル基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボ
ニル基等の炭素数１〜６のアルコキシカルボニル基；メ
トキシ基、エトキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ
基；フェノキシ基、ベンジルオキシ基などのアリールオ
キシ基；ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のジア
ルキルアミノ基；メチルアミド基、エチルアミド基等の
アルキルアミド基；アセチル基等のアシル基；シアノ
基；フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントリ
ル基、ピレニル基等の芳香族炭化水素環基またはフェナ
ントリル基、カルバゾリル基、ピリジル基、トリアジル
基、ピラジル基、キノキサリル基、チエニル基等の芳香
族複素環基を示す。これらは更に置換されていてもよ
く、特にアミノ基、アミド基、芳香族炭化水素環基およ
び芳香族複素環基は、置換基を有している場合も性能の
良い化合物が得られる。

【００３３】前記置換基としてはフッ素原子等のハロゲ
ン原子；メチル基、エチル基等の炭素数１〜６のアルキ
ル基；ビニル基等のアルケニル基；メトキシカルボニル
基、エトキシカルボニル基等の炭素数１〜６のアルコキ
シカルボニル基；メトキシ基、エトキシ基等の炭素数１
〜６のアルコキシ基；フェノキシ基、ベンジルオキシ基
などのアリールオキシ基；ジメチルアミノ基、ジエチル
アミノ基等のジアルキルアミノ基、アセチル基等のアシ
ル基、トリフルオロメチル基等のハロアルキル基、シア
ノ基を示す。これら置換基のうち、特に好ましくは、メ
チル基、フェニル基、メトキシ基が挙げられる。

【００３４】前記一般式（Ｉ）において、Ｘは、好まし
くは、直接結合、または化８に示した連結基から選ばれ
る。化８において、Ｙは水素原子；メチル基、エチル基
等の炭素数１〜６のアルキル基；フェニル基、ビフェニ
ル基、ナフチル基、アントリル基、ピレニル基等の芳香
族炭化水素環基、またはフェナントリル基、ピリジル
基、トリアジル基、ピラジル基、キノキサリル基、チエ
ニル基等の芳香族複素環基を示し、これらは更に置換さ
れていてもよい。

【００３５】前記置換基としてはフッ素原子等のハロゲ
ン原子；メチル基、エチル基等の炭素数１〜６のアルキ
ル基；ビニル基等のアルケニル基；メトキシカルボニル
基、エトキシカルボニル基等の炭素数１〜６のアルコキ
シカルボニル基；メトキシ基、エトキシ基等の炭素数１
〜６のアルコキシ基；フェノキシ基、ベンジルオキシ基
などのアリールオキシ基；ジメチルアミノ基、ジエチル
アミノ基等のジアルキルアミノ基；ジフェニルアミノ
基；アセチル基等のアシル基；トリフルオロメチル基等
のハロアルキル基；シアノ基を示す。特に好ましくは、
メチル基、メトキシ基が挙げられる。また上記以外に前
記一般式（II）で示される置換基であってもよい。

【００３６】Ａｒ³も前記一般式（II）で表わされる置
換基であるが、前記一般式（II）において、Ｒ⁵〜Ｒ⁸
は、好ましくは、各々独立して水素原子；メチル基、エ
チル基等の炭素数１〜６のアルキル基；フェニル基、ビ
フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ピレニル基等
の芳香族炭化水素環基、またはフェナントリル基、ピリ
ジル基、トリアジル基、ピラジル基、キノキサリル基、
チエニル基等の芳香族複素環基を示し、これらは更に置
換されていてもよい。

【００３７】前記置換基としてはフッ素原子等のハロゲ
ン原子；メチル基、エチル基等の炭素数１〜６のアルキ
ル基；ビニル基等のアルケニル基；メトキシカルボニル
基、エトキシカルボニル基等の炭素数１〜６のアルコキ
シカルボニル基；メトキシ基、エトキシ基等の炭素数１
〜６のアルコキシ基；フェノキシ基、ベンジルオキシ基
などのアリールオキシ基；ジメチルアミノ基、ジエチル
アミノ基等のジアルキルアミノ基；ジフェニルアミノ
基；アセチル基等のアシル基；トリフルオロメチル基等
のハロアルキル基；シアノ基を示す。特に好ましくは、
メチル基、メトキシ基が挙げられる。

【００３８】前記一般式（Ｉ）で表わされる化合物の好
ましい具体例を以下の表−１に示すが、これらに限定す
るものではない。

【００３９】

【表１】

【００４０】

【表２】

【００４１】

【表３】

【００４２】

【表４】

【００４３】尚、表中、Ｒ¹〜Ｒ⁴で特に示していない
ものは水素原子を表わし、Ａｒ¹及びＡｒ²は、一般式
（Ｉ）に示すのと同じ方向を示すものとする。これらの
化合物は、単独で用いてもよいし、必要に応じて、各
々、混合して用いてもよい。発光層５の膜厚は、通常、
１０〜２００ｎｍ、好ましくは３０〜１００ｎｍであ
る。

【００４４】発光層５は、正孔輸送層４と同様にして塗
布法あるいは真空蒸着法により正孔輸送層４上に積層す
ることにより形成されるが、塗布方の場合にはすでに薄
膜形成されている正孔輸送層を溶解させない溶媒を使用
する必要がある。青色の発光効率を向上させると同時に
色純度を改善し、さらに素子の駆動寿命を改善するため
には、前記発光層材料をホスト材料として、蛍光色素を
ドープすることは有効な方法である。青色の蛍光を有す
るドープ色素として、ペリレン等の縮合多環芳香族環
（特開平５−１９８３７７号公報）、クマリン誘導体、
ナフタル酸イミド誘導体（特開平４−３２０４８６号公
報）、芳香族アミン誘導体（特開平８−１９９１６２号
公報）等が挙げられる。これらのドープ色素が、ホスト
材料に含有される割合は０．１〜１０重量％の範囲にあ
ることが好ましい。もちろん、緑色や赤色発光を得るた
めに、緑色蛍光色素や赤色蛍光色素をドープすることも
可能である。真空蒸着法で上記のドーピングを行う方法
としては、共蒸着による方法と蒸着源を予め所定の濃度
で混合しておく方法がある。

【００４５】上記各ドーパントが発光層中にドープされ
る場合、発光層の膜厚方向において均一にドープされる
が、膜厚方向において濃度分布があっても構わない。例
えば、正孔輸送層との界面近傍にのみドープしたり、逆
に、電子輸送層界面近傍にドープしてもよい。発光層５
の上には電子輸送層７が設けられる。電子輸送層７は、
電界を与えられた電極間において陰極から注入された電
子を効率よく発光層５の方向に輸送し、正孔との再結合
を効率よく行うことができる化合物より形成される。

【００４６】電子輸送層７に用いられる電子輸送性化合
物としては、陰極８からの電子注入効率が高く、かつ、
高い電子移動度を有し注入された電子を効率よく輸送す
ることができる化合物であることが必要である。このよ
うな条件を満たす材料としては、８−ヒドロキシキノリ
ンのアルミニウム錯体などの金属錯体（特開昭５９−１
９４３９３号公報）、１０−ヒドロキシベンゾ〔ｈ〕キ
ノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリ
ルビフェニル誘導体、シロール誘導体、３−または５−
ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属
錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダ
ゾリルベンゼン（米国特許第５，６４５，９４８
号）、キノキサリン化合物（特開平６−２０７１６９号
公報）、フェナントロリン誘導体（特開平５−３３１４
５９号公報）、２−ｔ−ブチル−９，１０−Ｎ，Ｎ’−
ジシアノアントラキノンジイミン、ｎ型水素化非晶質炭
化シリコン、ｎ型硫化亜鉛、ｎ型セレン化亜鉛などが挙
げられる。電子輸送層６の膜厚は、通常、５〜２００ｎ
ｍ、好ましくは１０〜１００ｎｍである。

【００４７】電子輸送層７は、正孔輸送層４と同様にし
て塗布法あるいは真空蒸着法により発光層５上に積層さ
れるが、通常は、真空蒸着法が用いられる。陰極８は、
電子輸送層７に電子を注入する役割を果たす。陰極８と
して用いられる材料は、前記陽極２に使用される材料を
用いることが可能であるが、効率よく電子注入を行なう
には、仕事関数の低い金属が好ましく、スズ、マグネシ
ウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の
適当な金属またはそれらの合金が用いられる。具体例と
しては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジ
ウム合金、アルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数
合金電極が挙げられる。さらに、陰極と発光層または電
子輸送層の界面にＬｉＦ、ＭｇＦ₂、Ｌｉ₂Ｏ等の極薄
絶縁膜（０．１〜５ｎｍ）を挿入することも、素子の効
率を向上させる有効な方法である（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．Ｌｅｔｔ．，７０巻，１５２頁，１９９７年；特開
平１０−７４５８６号公報；ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｅｌ
ｅｃｔｒｏｎ．Ｄｅｖｉｃｅｓ，４４巻，１２４５頁，
１９９７年）。陰極８の膜厚は通常、陽極２と同様であ
る。低仕事関数金属から成る陰極を保護する目的で、こ
の上にさらに、仕事関数が高く大気に対して安定な金属
層を積層することは素子の安定性を増す。この目的のた
めに、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、
白金等の金属が使われる。

【００４８】本発明において、一般式（Ｉ）からなる発
光層を有する素子の発光効率と色純度をさらに高めるた
めに、図２に示すように、電子輸送層７と発光層５の間
に正孔阻止層６を設けることは大変有効である。正孔阻
止層６は、正孔輸送層から移動してくる正孔を陰極に到
達するのを阻止する役割と、陰極から注入された電子を
効率よく発光層の方向に輸送することができる化合物よ
り形成される。正孔阻止層を構成する材料に求められる
物性としては、電子移動度が高く正孔移動度が低いこ
と、および、正孔を効率的に発光層内に閉じこめるため
に、発光層のイオン化ポテンシャルより大きいイオン化
ポテンシャルの値を有するか、発光層の光学的バンドギ
ャップより大きい光学的バンドギャップを有することが
好ましい。正孔阻止層は正孔と電子を発光層内に閉じこ
めて、発光効率を向上させる機能を有する。このような
条件を満たす正孔阻止層材料としては、以下の一般式
（III ）で表わされる混合配位子錯体、

【００４９】

【化１０】

【００５０】（式中、Ｒ⁹〜Ｒ¹⁴は、各々独立に、水素
原子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アル
ケニル基、アリル基、シアノ基、アミノ基、アシル基、
アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ
基、アルキルスルホニル基、α−ハロアルキル基、水酸
基、置換基を有していてもよいアミド基、置換基を有し
ていてもよい芳香族炭化水素環基または置換基を有して
いてもよい芳香族複素環基を表し、ＭはＡｌ原子または
Ｇａ原子を示し、Ｌは以下に示す一般式（IIIa）、（II
Ib）、（IIIc）のいずれかで表わされる。）

【００５１】

【化１１】

【００５２】（式中、ＺはＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎのいずれか
の原子を表し、Ａｒ⁴〜Ａｒ⁸は、置換基を有していて
もよい芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基を表わ
す。）以下の一般式（IV）で表される二核金属錯体、

【００５３】

【化１２】

【００５４】（式中、Ｒ⁹〜Ｒ¹⁴およびＭは上記式（II
I)に於けると同義。）以下の一般式（Ｖ）で示されるスチリル化合物、

【００５５】

【化１３】

【００５６】（式中、Ｑは置換基を有していてもよい２
価の芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基を表し、
Ａｒ⁹〜Ａｒ¹²は、置換基を有していてもよい芳香族炭
化水素環基または芳香族複素環基を表す。）以下の構造式で示される１，２，４−トリアゾール環を
少なくとも１個有する化合物、

【００５７】

【化１４】

【００５８】以下の構造式で示されるフェナントロリン
環を少なくとも１個有する化合物が挙げられる。

【００５９】

【化１５】

【００６０】前記一般式（III)で示される混合配位子錯
体の具体例として、ビス（２−メチル−８−キノリノラ
ト）（フェノラト）アルミニウム、ビス（２−メチル−
８−キノリノラト）（パラ−フェニルフェノラト）アル
ミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）
（３，５−ジメチルフェノラト）アルミニウム、ビス
（２−メチル−８−キノリノラト）（３，５−ジ−ｔｅ
ｒｔ−ブチルフェノラト）アルミニウム、ビス（２−メ
チル−８−キノリノラト）（１−ナフトラト）アルミニ
ウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（２−ナ
フトラト）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８
−キノリノラト）（１−ナフトラト）アルミニウム、ビ
ス（２，４−ジメチル−８−キノリノラト）（２−ナフ
トラト）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリ
ノラト）（１−ナフトエート）アルミニウム、ビス（２
−メチル−８−キノリノラト）（２−ナフトエート）ア
ルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラ
ト）（１−ナフトエート）アルミニウム、ビス（２，４
−ジメチル−８−キノリノラト）（２−ナフトエート）
アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）
（トリフェニルシラノラト）アルミニウム、ビス（２−
メチル−８−キノリノラト）（トリフェニルゲルマノラ
ト）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラ
ト）（トリス（４，４−ビフェニル）シラノラト）アル
ミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（ジ
フェニルメチルシラノラト）アルミニウム、ビス（２，
４−ジメチル−８−キノリノラト）（トリフェニルシラ
ノラト）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−
キノリノラト）（トリフェニルシラノラト）ゲルマニウ
ム等が挙げられる。

【００６１】特に好ましくは、ビス（２−メチル−８−
キノリノラト）（トリフェニルシラノラト）アルミニウ
ムが挙げられる。前記一般式（IV）で表わされる二核金
属錯体の具体例として、ビス（２−メチル−８−キノラ
ト）アルミニウム−μ−オキソ−ビス−（２−メチル−
８−キノリラト）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチ
ル−８−キノラト）アルミニウム−μ−オキソ−ビス−
（２，４−ジメチル−８−キノリラト）アルミニウム、
ビス（５−シアノ−２−メチル−８−キノリノラト）ア
ルミニウム−μ−オキソ−ビス−（５−シアノ−２−メ
チル−８−キノリノラト）アルミニウム、ビス（２−メ
チル−５−トリフルオロメチル−８−キノリノラト）ア
ルミニウム−μ−オキソ−ビス−（２−メチル−５−ト
リフルオロメチル−８−キノリノラト）アルミニウム等
が挙げられる。特に好ましくは、ビス（２−メチル−８
−キノラト）アルミニウム−μ−オキソ−ビス−（２−
メチル−８−キノリラト）アルミニウムが挙げられる。

【００６２】前記一般式（Ｖ）で表わされるスチリル化
合物の具体例としては、従来の青色発光材料で例示した
ジスチリルビフェニル化合物（Ｂ−１）が例えば挙げら
れる。前記構造式で表わされる１，２，４−トリアゾー
ル環を少なくとも１個有する化合物の具体例を以下に示
す。

【００６３】

【化１６】

【００６４】前記構造式で表わされるフェナントロリン
環を少なくとも１個有する化合物の具体例を以下に示
す。

【００６５】

【化１７】

【００６６】正孔阻止層６の膜厚は、通常、０．３〜１
００ｎｍ、好ましくは０．５〜１０ｎｍである。正孔阻
止層も正孔輸送層と同様の方法で形成することができる
が、通常は真空蒸着法が用いられる。素子の駆動電圧の
低下と駆動安定性の向上を図るために、図３に示す様
に、陽極２と正孔輸送層４のコンタクトを向上させるた
めに、陽極バッファ層３を設けることが考えられる。陽
極バッファ層に用いられる材料に要求される条件として
は、陽極とのコンタクトがよく均一な薄膜が形成でき、
熱的に安定、すなわち、融点及びガラス転移温度が高
く、融点としては３００℃以上、ガラス転移温度として
は１００℃以上が要求される。さらに、イオン化ポテン
シャルが低く陽極からの正孔注入が容易なこと、正孔移
動度が大きいことが挙げられる。この目的のために、こ
れまでにポルフィリン誘導体やフタロシアニン化合物
（特開昭６３−２９５６９５号公報）、スターバスト型
芳香族トリアミン（特開平４−３０８６８８号公報）、
ヒドラゾン化合物、アルコキシ置換の芳香族ジアミン誘
導体、ｐ−（９−アントリル）−Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリ
ルアニリン、ポリチエニレンビニレンやポリ−ｐ−フェ
ニレンビニレン、ポリアニリン等の有機化合物や、スパ
ッタ・カーボン膜や、バナジウム酸化物、ルテニウム酸
化物、モリブデン酸化物等の金属酸化物が報告されてい
る。

【００６７】上記陽極バッファ層材料としてよく使用さ
れる化合物としては、ポルフィリン化合物またはフタロ
シアニン化合物が挙げられる。これらの化合物は中心金
属を有していてもよいし、無金属のものでもよい。好ま
しいこれらの化合物の具体例としては、以下の化合物が
挙げられる：ポルフィン５，１０，１５，２０−テトラフェニル−２１Ｈ，２３
Ｈ−ポルフィン５，１０，１５，２０−テトラフェニル−２１Ｈ，２３
Ｈ−ポルフィンコバルト（II）５，１０，１５，２０−テトラフェニル−２１Ｈ，２３
Ｈ−ポルフィン銅（II）５，１０，１５，２０−テトラフェニル−２１Ｈ，２３
Ｈ−ポルフィン亜鉛（II）５，１０，１５，２０−テトラフェニル−２１Ｈ，２３
Ｈ−ポルフィンバナジウム（IV）オキシド５，１０，１５，２０−テトラ（４−ピリジル）−２１
Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン２９Ｈ，３１Ｈ−フタロシアニン銅（II）フタロシアニン亜鉛（II）フタロシアニンチタンフタロシアニンオキシドマグネシウムフタロシアニン鉛フタロシアニン銅（II）４，４’，４''，４''' −テトラアザ−２９
Ｈ，３１Ｈ−フタロシアニン

【００６８】陽極バッファ層の場合も、正孔輸送層と同
様にして薄膜形成可能であるが、無機物の場合には、さ
らに、スパッタ法や電子ビーム蒸着法、プラズマＣＶＤ
法が用いられる。以上の様にして形成される陽極バッフ
ァ層３の膜厚は、通常、３〜１００ｎｍ、好ましくは１
０〜５０ｎｍである。尚、図１とは逆の構造、すなわ
ち、基板上に陰極８、電子輸送層７、発光層５、正孔輸
送層４、陽極２の順に積層することも可能であり、既述
したように少なくとも一方が透明性の高い２枚の基板の
間に本発明の有機電界発光素子を設けることも可能であ
る。同様に、図２および図３に示した前記各層構成とは
逆の構造に積層することも可能である。

【００６９】本発明の有機電界発光素子によれば、高い
融点を有する特定の骨格を有する化合物を発光層または
正孔阻止層に用いているため、素子の耐熱性が向上し、
色純度のよい青色発光を得ることも可能となり、フルカ
ラーあるいはマルチカラーの青色のサブ画素として機能
するばかりでなく、蛍光変換色素と組み合わせることに
よりフルカラー表示素子を作製することも可能である
（特開平３−１５２８９７号公報）。

【００７０】

【実施例】次に、本発明を実施例によって更に具体的に
説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の
実施例の記載に限定されるものではない。合成例１

【００７１】化合物（１）の合成４，４’−ジヨードビフェニル７．０ｇとカルバゾール
９．３ｇと炭酸カリウム８．１ｇとヨー化銅０．８ｇを
ニトロベンゼン５０ｍｌにいれ、窒素雰囲気下で反応温
度２００℃に加熱して、２４時間反応させた。反応終了
後、放冷し、生じた固形分を濾過により回収し、水洗
後、熱トルエンに溶解させ、溶媒を除去し、薄茶色粉末
を得た。乾燥後、昇華精製を行い、５．３ｇの白色粉末
を得た（収率６４％）。この化合物の質量分析を行った
ところ、分子量が４８４であり、さらにＮＭＲスペクト
ルにより目的化合物であることを確認した。この化合物
（１）の粉末試料についてセイコーインスツルメンツ
（株）社製ＴＧ／ＤＴＡ−３２０により示差熱分析測定
したところ、融点は２８０℃と高い値を示した。

【００７２】実験例１ガラス基板をアセトンで超音波洗浄、純水で水洗、イソ
プロピルアルコールで超音波洗浄、乾燥窒素で乾燥、Ｕ
Ｖ／オゾン洗浄を行った後、真空蒸着装置内に設置し
て、装置内の真空度が２×１０^-6Ｔｏｒｒ以下になるま
で油拡散ポンプを用いて排気した。例示化合物（１）を
セラミックるつぼに入れ、るつぼの周囲のタンタル線ヒ
ーターで加熱して蒸着を行った。この時のるつぼの温度
は、２６０〜２８０℃の範囲で制御した。蒸着時の真空
度は２．０ｘ１０^-6Ｔｏｒｒ（約２．７ｘ１０^-4Ｐａ）
で、蒸着速度０．３５ｎｍ／秒で膜厚１０１ｎｍの一様
で透明な膜を得た。この薄膜試料のイオン化ポテンシャ
ルを理研計器（株）製の紫外線電子分析装置（ＡＣ−
１）を用いて測定したところ、５．８６ｅＶの値を示し
た。この蒸着膜を水銀ランプ（波長３５０ｎｍ）で励起
して測定した蛍光波長の極大は４２０ｎｍで、青紫色の
蛍光であった。

【００７３】合成例２化合物（１９）の合成トリフェニルアミン４．５７ｇ、ジクロロヨウ素酸ベン
ジルトリメチルアンモニウム２０．５６ｇ、炭酸カルシ
ウム７．６３ｇをジクロロメタン７５ｍｌ、メタノール
３０ｍｌの混合溶媒中に加え、室温で７．５時間攪拌し
た。反応終了後、残存した炭酸カルシウムを濾別し、濾
液は亜硫酸ナトリウム水溶液で還元、分液して有機層を
回収した。有機層は無水硫酸マグネシウムで一晩乾燥さ
せた後、溶媒を留去した。この粗生成物をアセトンに溶
かした後、多量のメタノール中に放出し、沈殿物を濾別
し、濾液を回収した。その後、溶媒を留去し、薄茶色の
ジヨード体を得た。収量４．８４ｇ（収率５２％）。

【００７４】次にこのジヨード体５．００ｇ、カルバゾ
ール６．１７ｇ、炭酸カリウム５．４６ｇ、ヨウ化銅
０．８９ｇを４０ｍｌのニトロベンゼンに加え、窒素
下、２００℃で３１時間反応させた。反応終了後、不溶
物をロ過により除去したニトロベンゼン溶液を水蒸気蒸
留法を用いてニトロベンゼンを留去した。析出した焦げ
茶色粗生成物をアセトン：トルエンの混合溶媒に溶解さ
せ、無水硫酸マグネシウムで一晩乾燥させた後、溶媒を
留去し、シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィー
により精製して、０．７４ｇの薄橙色粉末を得た。収率
は１２％であった。この化合物の質量分析を行ったとこ
ろ分子量が５７５であり、さらにＩＲスペクトル、Ｎ
ＭＲスペクトルにより目的化合物（１９）であることを
確認した。融点を測定したところ２４４℃であった。
また、セイコー電子社製ＤＳＣ−２０により示差熱分析
測定したところＴｇは１０５℃と高い値を示した。

【００７５】実験例２実験例１と同様にして、化合物（１９）の薄膜試料を作
製した。るつぼの温度は、２８０〜２９０℃の範囲で制
御した。蒸着時の真空度は３ｘ１０^-6Ｔｏｒｒ（約４．
０ｘ１０^-4Ｐａ）で、蒸着速度０．５ｎｍ／秒で膜厚７
３ｎｍの一様で透明な膜を得た。この薄膜試料のイオン
化ポテンシャルは５．２８ｅＶの値を示した。この蒸着
膜の蛍光波長の極大は４９０ｎｍで、青色の蛍光であっ
た。

【００７６】実施例１図２に示す構造を有する有機電界発光素子を以下の方法
で作製した。ガラス基板上にインジウム・スズ酸化物
（ＩＴＯ）透明導電膜を１２０ｎｍ堆積したもの（ジオ
マテック社製；電子ビーム成膜品；シート抵抗１５Ω）
を通常のフォトリソグラフィ技術と塩酸エッチングを用
いて２ｍｍ幅のストライプにパターニングして陽極を形
成した。パターン形成したＩＴＯ基板を、アセトンによ
る超音波洗浄、純水による水洗、イソプロピルアルコー
ルによる超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥さ
せ、最後に紫外線オゾン洗浄を行って、真空蒸着装置内
に設置した。上記装置の粗排気を油回転ポンプにより行
った後、装置内の真空度が２×１０^-6Ｔｏｒｒ（約２．
７×１０^-4Ｐａ）以下になるまで液体窒素トラップを備
えた油拡散ポンプを用いて排気した。正孔輸送層４の材
料として、下記に示す構造式の４，４’−ビス〔Ｎ−
（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル
（Ｈ−１）をセラミックるつぼに入れ、るつぼの

【００７７】

【化１８】

【００７８】周囲のタンタル線ヒーターで加熱して蒸着
を行った。この時のるつぼの温度は、２３０〜２５０℃
の範囲で制御した。蒸着時の真空度は１．７×１０^-6Ｔ
ｏｒｒ（約２．３×１０^-4Ｐａ）で、蒸着速度０．３ｎ
ｍ／秒で膜厚６０ｎｍの正孔輸送層４を得た。次に、発
光層５の材料として、例示化合物（１）を上記正孔輸送
層４の上に同様にして蒸着を行なった。この時のるつぼ
の温度は２６０〜２７０℃の範囲で制御した。蒸着時の
真空度は１．５×１０^-6Ｔｏｒｒ（約２．０×１０^-4Ｐ
ａ）で、蒸着速度０．２５ｎｍ／秒で、膜厚は３０ｎｍ
であった。次に、正孔阻止層６の材料として、下記に構
造式を示すビス（２−メチル−８−キノリノラト）（ト
リフェニルシラノラト）アルミニウム錯体（ＨＢ−１）
を

【００７９】

【化１９】

【００８０】発光層５の上に蒸着を行なった。正孔阻止
層形成時のるつぼの温度は２５０〜２５５℃とし、真空
度は１．３×１０^-6Ｔｏｒｒ（約１．７×１０^-4Ｐａ）
で、蒸着速度０．２５ｎｍ／秒で、膜厚は２０ｎｍとし
た。続いて、電子輸送層７の材料として以下に示すアル
ミニウムの８−ヒドリキシキノリン錯体（Ｅ−１）を上
記正孔阻止層の上に同様にして蒸着を行った。

【００８１】

【化２０】

【００８２】この時のるつぼの温度は２７０〜２８０℃
の範囲で制御した。蒸着時の真空度は１．２×１０^-6Ｔ
ｏｒｒ（約１．６×１０^-4Ｐａ）で、蒸着速度０．３ｎ
ｍ／秒で、膜厚は２５ｎｍであった。上記の正孔輸送層
４から電子輸送層７を真空蒸着する時の基板温度は室温
に保持した。ここで、電子輸送層７までの蒸着を行った
素子を一度前記真空蒸着装置内より大気中に取り出し
て、陰極蒸着用のマスクとして２ｍｍ幅のストライプ
状シャドーマスクを、陽極２のＩＴＯストライプとは直
交するように素子に密着させて、別の真空蒸着装置内に
設置して有機層と同様にして装置内の真空度が２×１０
^-6Ｔｏｒｒ（約２．７×１０^-4Ｐａ）以下になるまで排
気した。陰極８として、先ず、フッ化マグネシウム（Ｍ
ｇＦ₂）をモリブデンボートを用いて、蒸着速度０．１
ｎｍ／秒、真空度６．０×１０^-6Ｔｏｒｒ（約８．０×
１０^-4Ｐａ）で、１．５ｎｍの膜厚で電子輸送層７の上
に成膜した。次に、アルミニウムを同様にモリブデンボ
ートにより加熱して、蒸着速度０．４ｎｍ／秒、真空度
１．０×１０^-5Ｔｏｒｒ（約１．３×１０^-3Ｐａ）で膜
厚４０ｎｍのアルミニウム層を形成した。さらに、その
上に、陰極の導電性を高めるために銅を、同様にモリブ
デンボートを用いて加熱して、蒸着速度０．５ｎｍ／
秒、真空度８．０×１０^-6Ｔｏｒｒ（約１．１×１０^-3
Ｐａ）で膜厚４０ｎｍの銅層を形成して陰極８を完成さ
せた。以上の３層型陰極８の蒸着時の基板温度は室温に
保持した。

【００８３】以上の様にして、２ｍｍ×２ｍｍのサイズ
の発光面積部分を有する有機電界発光素子を作製した。
この素子の発光特性を表−２に示す。表−２において、
発光輝度は２５０ｍＡ／ｃｍ²の電流密度での値、発光
効率は１００ｃｄ／ｍ²での値、輝度／電流は輝度−電
流密度特性の傾きを、電圧は１００ｃｄ／ｍ²での値を
各々示す。この素子は色純度のよい青色発光を示し、発
光効率も良好であった。

【００８４】実施例２発光層として、例示化合物（１９）を用いた他は実施例
１と同様にして素子を作製した。この時の、化合物（１
９）のるつぼ温度は２６０〜２７０℃の範囲で制御し、
蒸着速度は０．２ｎｍ／秒とした。この素子の発光特性
を表−２に示す。青色発光が得られた。この素子は６ヶ
月間保存後も、駆動電圧の顕著な上昇はみられず、発光
効率や輝度の低下もなく、安定した素子の保存安定性が
得られた。温度６０℃、湿度９０％の条件で９６時間保
存しても。素子の発光特性は実用上となる劣化はみられ
なかった。

【００８５】比較例１発光層として、ジスチリルビフェニル誘導体（Ｂ−１）
を用いた他は実施例１と同様に素子を作製した。この素
子の発光特性を表−２に示す。青色純度は低下し、発光
効率も低く駆動電圧の上昇もみられた。

【００８６】

【表５】

【００８７】

【発明の効果】本発明の有機電界発光素子によれば、特
定の化合物を含有する発光層を有するために、青色発光
を達成でき、また安定性の向上した素子を得ることがで
きる。従って、本発明による有機電界発光素子はフラッ
トパネル・ディスプレイ（例えばＯＡコンピュータ用や
壁掛けテレビ）やマルチカラー表示素子、あるいは面発
光体としての特徴を生かした光源（例えば、複写機の光
源、液晶ディスプレイや計器類のバックライト光源）、
表示板、標識灯への応用が考えられ、特に、高耐熱性が
要求される車載用、屋外用表示素子としては、その技術
的価値は大きいものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】有機電界発光素子の一例を示した模式断面図。

【図２】有機電界発光素子の別の例を示した模式断面
図。

【図３】有機電界発光素子の別の例を示した模式断面
図。

【符号の説明】

１基板２陽極３陽極バッファ層４正孔輸送層５発光層６正孔阻止層７電子輸送層８陰極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者市野澤晶子神奈川県横浜市青葉区鴨志田町1000番地三菱化学株式会社横浜総合研究所内Ｆターム(参考） 3K007 AB04 AB11 AB14 CA01 CA05 CA06 CB01 DA00 DA01 DB03 EB00 FA01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に、陽極及び陰極により挟持され
た発光層を少なくとも含む有機電界発光素子であって、
該発光層が下記一般式（Ｉ）で表わされる化合物を含有
することを特徴とする有機電界発光素子。【化１】（式中、Ａｒ¹及びＡｒ²は、各々独立して、置換基を
有していてもよい２価の芳香族炭化水素環基または芳香
族複素環基を示し、Ｒ¹〜Ｒ⁴は各々独立に、水素原
子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アルケ
ニル基、アリル基、シアノ基、アミノ基、アシル基、ア
ルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ
基、アルキルスルホニル基、水酸基、アミド基、アリー
ルオキシ基、芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基
を表わし、これらは更に置換されていてもよい。Ｘは２
価の連結基を示し、直接結合、または以下の連結基から
選ばれる。）【化２】（式中、Ｙは上記Ｒ¹〜Ｒ⁴が取りうる基として挙げた
ものか、または下記一般式（II）で表わされる置換基を
示す。Ａｒ³は下記一般式（II）で表される。）【化３】（式中、Ｒ⁵〜Ｒ⁸は各々独立に、上記Ｒ¹〜Ｒ⁴が取
りうる基として挙げたもののいずれかを表わす。）
【請求項２】発光層と陰極の間に、金属錯体、スチリ
ル化合物、トリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導
体の少なくとも１種の化合物で構成される正孔阻止層が
設けられることを特徴とする請求項１記載の有機電界発
光素子。
【請求項３】発光層と陽極との間に正孔輸送層が設け
られることを特徴とする請求項１〜２いずれか一項に記
載の有機電界発光素子。